(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
前記少なくとも1つのサブ共振器は、前記ソース共振器の所定の近辺領域での磁場の分布が均一になるように前記磁場を調整することを特徴とする請求項1に記載の無線電力送信機。
前記少なくとも1つのサブ共振器は、前記ソース共振器の中心付近の磁場の強度と前記ソース共振器の周縁付近の磁場の強度とが同じになるように前記磁場の強度を調整することを特徴とする請求項2に記載の無線電力送信機。
前記第1送信線路、前記第1導体、及び前記第2導体によって形成されるループの内部に位置し、前記ソース共振器のインピーダンスを調整する整合器をさらに含むことを特徴とする請求項5に記載の無線電力送信機。
前記少なくとも1つのサブ共振器は、第3信号導体部分及び第4信号導体部分と、前記第3信号導体部分及び前記第4信号導体部分に対応する第2グラウンド導体部分とを含む第2送信線路と、
前記第3信号導体部分と前記第2グラウンド導体部分とを電気的に接続する第3導体と、
前記第4信号導体部分と前記第2グラウンド導体部分とを電気的に接続する第4導体と、
前記第3信号導体部分及び前記第4信号導体部分を流れる電流に対して直列に前記第3信号導体部分と前記第4信号導体部分との間に挿入される少なくとも1つの第2キャパシタとを含むことを特徴とする請求項1に記載の無線電力送信機。
前記第2キャパシタのキャパシタンス、前記第2送信線路の長さ、前記第2送信線路の幅、又はこれらの組み合わせに基づいて前記少なくとも1つのサブ共振器の共振周波数が調整されることを特徴とする請求項9に記載の無線電力送信機。
前記少なくとも1つのサブ共振器は、前記ソース共振器の角部領域又は周縁領域に対応する位置に配置される複数のサブ共振器を含むことを特徴とする請求項1に記載の無線電力送信機。
前記少なくとも1つのサブ共振器は、前記ソース共振器の平面を基準として前記ソース共振器よりも所定の距離だけ垂直に離隔して配置されることを特徴とする請求項1に記載の無線電力送信機。
前記無線電力送信機は、前記少なくとも1つのサブ共振器の内部に位置する少なくとも1つの補助サブ共振器、少なくとも1つのコイル、少なくとも1つの遮蔽層、少なくとも1つのメタ物質、又はこれらの組み合わせを含むことを特徴とする請求項1に記載の無線電力送信機。
前記少なくとも1つの遮蔽層の長さ、幅、厚さ、又はこれらの組み合わせが調整されることによって、前記ソース共振器の内部に均一な分布の磁場を生成することを特徴とする請求項1に記載の無線電力送信機。
前記少なくとも1つのサブ共振器は、MNG(Mu−negative)物質、DNG(Double−negative)物質、又は磁性誘電体(magneto−dieletric)物質の内の少なくとも1つで構成された層を含むことを特徴とする請求項1に記載の無線電力送信機。
前記磁場を調整するステップは、前記ソース共振器の中心の磁場の強度と前記ソース共振器の周縁の磁場の強度とが同一になるように、前記少なくとも1つのサブ共振器のキャパシタのキャパシタンスを調整することを特徴とする請求項24に記載の無線電力送信方法。
【発明を実施するための形態】
【0014】
次に、本発明に係る無線電力送信機及びその方
法を実施するための形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
【0015】
近接磁場共振カップリングを用いてソース共振器の磁場の均一な分布を決定するための実験が行われた。
図1A〜
図1Eは、ソース共振器100及びソース共振器100の磁場特性を示す図、写真及びグラフを示す。
【0016】
図1Aは、X軸とY軸で定義される平面上で示すソース共振器100の平面図である。 ソース共振器100は一般的に四角形のループ構造で構成される。
図1Bは、X軸とY軸で定義されたソース共振器の平面と垂直のZ軸に応じてソース共振器100で生成される磁場を示す。
磁場の強度は、ソース共振器の中央部分で最も弱い。したがって、ターゲット共振器50がソース共振器100の中央部分の近傍に位置すると、カップリング効率が最も低くなる。一方、ソース共振器の周縁(エッジ)部分で磁場の強度が最も強い。
また、ソース共振器100の近辺では位置ごとにインピーダンス値は様々である。すなわち、均一でない。
【0017】
図1Cは、ソース共振器100から上部に0.3cmの距離で磁場の分布を示す写真である。
ソース共振器から上に概略0.3cmの距離で、ソース共振器の周縁部分で磁場の強度が最も強く、ソース共振器100の中央部分で磁場の強度が最も弱い。
濃く表示された領域の磁場の強度が明るく表示された領域の磁場の強度よりも強い。白く表示された領域はソース共振器100を示す。
【0018】
図1Dは、ソース共振器100から上部に5cmの距離で磁場の分布を示す写真である。
ソース共振器から上部に概略5cmの距離で磁場の分布は概略均等である。
濃く表示された領域の磁場の強度が明るく表示された領域の磁場の強度よりも強い。しかし、
図1Dに示すソース共振器100から上部に5cm距離における色調は全体的に近似する。すなわち、その意味は磁場の分布がおおよそ均一であることを示す。
【0019】
図1Eは、ソース共振器100とターゲット共振器(図示せず)との間の距離に基づいて形成される磁場の分布を示す様々なグラフである。
グラフA及びCは、ソース共振器に対してX軸の方向に磁場を測定したグラフである。
グラフAはソース共振器と1cm離隔された位置で測定された磁場であり、グラフCはソース共振器と5cm離隔された位置で測定された磁場である。
【0020】
グラフAを参照すると、ポイント110及び120は、ソース共振器のすぐに内側のエ周縁部分を示す。すなわち、ポイント110及び120はソース共振器の周縁を示す。ソース共振器のポイント110及び120位置で磁場の強度が最も大きいことが分かる。
また、ソース共振器の中央で磁場の強度が最も小さいことが分かる。
ここで、ソース共振器の中央でターゲット共振器とのカップリング効率が最も低い。また、ソース共振器の各位置ごとに特性インピーダンスが異なるため、共振周波数の偏差も大きくなる。
【0021】
グラフCを参照すると、ポイント150及び160はソース共振器の周縁を示す。
ソース共振器と5cm離隔された位置ではかえってポイント150及び160位置間の区間で磁場の分布が均一であることが分かる。
【0022】
グラフB及びDは、ソース共振器に対してY軸の方向に磁場を測定したグラフである。
グラフBは、ソース共振器と1cm離隔された位置で測定された磁場であり、グラフDは、ソース共振器と5cm離隔された位置で測定された磁場である。
【0023】
グラフBを参照すると、ポイント130及び140は、ソース共振器のすぐに内側の周縁部分を示す。すなわち、ポイント130及び140はソース共振器の周縁を示す。ソース共振器のポイント130及び140の位置で磁場の強度が最も大きいことが分かる。また、ソース共振器の中央で磁場の強度が最も小さいことが分かる。
【0024】
グラフDを参照すると、ポイント170及び180はソース共振器の周縁を示す。
ソース共振器と5cm離隔された位置ではかえってポイント170及び180位置間の区間で磁場の分布が均一であることが分かる。
【0025】
結果的に、ソース共振器と1cm離隔された位置で、X軸及びY軸のいずれの方向でもソース共振器の周縁では磁場の強度が大きく、ソース共振器の中心では磁場の強度が最も小さいことが分かる。
【0026】
一実施形態によれば、ソース共振器によって生成される磁場は磁場分布調整部によって調整される。
ソース共振器の所定の近辺領域で磁場は均一に調整される。
例えば、磁場分布調整部は、ソース共振器の周縁部分の磁場の強度に近似するようソース共振器の中央部分の磁場の強度を調整する。
【0027】
一時的に、ソース共振器の中央の磁場の強度を増加させることによって上記のように調整されてもよい。
したがって、無線電力送信の効率が改善されてソース共振器上の位置に関係なくインピーダンスが一定になる。一実施形態によれば、磁場分布調整部は能動素子又は受動素子であってもよい。
【0028】
例えば、実質的に均一な(substantially uniform)磁場の意味は、ソース共振器の近傍周辺(vicinity)で各地点の磁場の偏差が±0.5A/m(アンペア/メートル)程度である場合を意味する。
ここで、近傍周辺とはターゲット共振器のサイズに基づいて決定されてもよい。ターゲット共振器がソース共振器と磁場分布調整部との間に位置すれば、ソース共振器と磁場分布調整部との間の距離が近傍周辺として決定されてもよい。
【0029】
実質的に均一な(substantially uniform)磁場は、相互フラックス変化に基づいて決定されてもよい。
相互フラックス(mutual flux)変化が最小値であれば、磁場は実質的に均一になる。
【0030】
相互フラックスの変化は以下の数式(1)によって算出される。
【数1】
【0031】
しかし、磁場の均一さ及び/又は磁場の近傍周辺(vicinity)に対する定義は、特定の無線電力送信アプリケーション又は他の目的によって様々であってもよい。
【0032】
図2は、本発明の一実施形態に係る無線電力送信装置200の構造を示す図である。
本発明の一実施形態に係る無線電力送信装置200は、ソース共振器201及び磁場分布調整部250を備える。
【0033】
ソース共振器201は、ターゲット共振器と電磁結合又は共振カップリングのような無線カップリングを形成する。
ソース共振器201は、電磁結合によってターゲット装置に電力を無線送信する。
ここで、ソース共振器201は、第1送信線路、第1導体242、第2導体241、少なくとも1つの第1キャパシタ220、及び整合器230を備える。
【0034】
図2に示すように、第1キャパシタ220は、第1送信線路で第1信号導体部分211と第2信号導体部分212との間に位置に直列に挿入又は配置し、それにより電界(electric field)は第1キャパシタ220に閉じ込められるようになる。
一般的に、第1送信線路は上部に少なくとも1つの導体、下部に少なくとも1つの導体を含み、上部にある導体を介しては電流が流れ、下部にある導体は電気的にグラウンドされる。
本明細書では第1送信線路の上部にある導体を第1信号導体部分211と第2信号導体部分212に分類して呼び、第1送信線路の下部にある導体を第1グラウンド導体部分213と呼ぶ。
【0035】
図2に示すように、ソース共振器201は2次元構造の形態を有する。
他の一例として、ソース共振器は3次元構造の形態を有してもよい。
第1送信線路は上部に第1信号導体部分211及び第2信号導体部分212を含み、下部に第1グラウンド導体部分213を含む。第1信号導体部分211及び第2信号導体部分212と第1グラウンド導体部分213は互いに向かい合うように配置される。電流は第1信号導体部分211及び第2信号導体部分212を介して流れる。
【0036】
また、
図2に示すように、第1信号導体部分211の片端は第1導体242と電気的に接続(すなわち、接地)され、他端は第1キャパシタ220と接続される。
そして、第2信号導体部分212の片端は第2導体241と接地され、他端は第1キャパシタ220と接続される。
従って、第1信号導体部分211、第2信号導体部分212、第1グラウンド導体部分213、第1、第2導体241、242は互いに接続されることによって、ソース共振器200は電気的に閉じたループ構造を有する。
ここで、閉じた「ループ構造」とは、例えば、円形構造、四角形のような多角形の構造などを全て含み、電気的に閉じられていることを意味する。
【0037】
第1キャパシタ220は、第1送信線路の中端部に挿入される。
例えば、第1キャパシタ220は、第1信号導体部分211及び第2信号導体部分212の間に挿入又は配置してもよい。ここで、第1キャパシタ220は集中素子(lumped element)及び分布素子(distributed element)などの形態を有してもよい。特に、分布素子の形態を有する分布型キャパシタは、ジグザグ形態の導体ラインとその導体ラインとの間に存在する高い誘電率を有する誘電体を含んでもよい。
【0038】
第1キャパシタ220が第1送信線路に挿入されることによってソース共振器201はメタ物質(metamaterial)の特性を有し得る。
自然では固有の透磁率(Mu)及び誘電率(epsilon)を有する電磁気的な特性の多くの物質が発見される。大部分の物質は、一般的に物質は正の透磁率又は正の誘電率を有する。したがって、このような物質に対しては電気場、磁場及びポインティングベクトルに対して右手法則が適用され、このような物質をRHM(Right Handed Material)という。
【0039】
一方、自然では存在しない誘電率又は透磁率を有する物質、又は人工的に設計された(または人によって作られた)物質はメタ物質と命名する。
メタ物質は、誘電率又は透磁率の符号によってENG(epsilon negative)物質、MNG(mu negative)物質、DNG(double negative)物質、NRI(negative refractive index)物質、LH(left−handed)物質などに分類される。
【0040】
透磁率は、当該物質に与えられた磁界(magnetic field)に対して発生する磁束密度(magnetic flux density)と真空中でその磁界に対して発生する磁束密度の比を意味する。
そして、誘電率は、当該物質に与えられた電界(electric field)に対して発生する電束密度(electric flux density)と真空中でその電界に対して発生する電束密度の比を意味する。
透磁率及び誘電率は与えられた周波数又は波長で該当物質の伝搬定数を決定し、透磁率及び誘電率によってその物質の電磁気特性が決定される。
一実施形態において、メタ物質は極めて大きい波長又は極めて低い周波数領域でも簡単に(すなわち、物質のサイズが多く変わらなくても)共振状態に置かれることがある。
【0041】
ここで、集中素子として挿入された第1キャパシタ220のキャパシタンスが適切に決定される場合、ソース共振器201はメタ物質の特性を有し得る。
特に、第1キャパシタ220のキャパシタンスを適切に調整することによって、ソース共振器201は負の透磁率を有し得るため、ソース共振器201はMNG共振器と呼ばれる。
下記で説明するが、第1キャパシタ220のキャパシタンスを決定する前提(criterion)は様々であり得る。ソース共振器201がメタ物質(metamaterial)の特性を有する前提、ソース共振器201が対象周波数で負の透磁率を有する前提、又はソース共振器201が対象周波数で零次共振(Zeroth−Order Resonance)特性を有する前提などがあり、上述した前提の内の少なくとも1つの前提下で第1キャパシタ220のキャパシタンスを決定してもよい。
【0042】
MNG共振器201は、伝搬定数が「0」であるときの周波数を共振周波数として有する零次共振特性を有してもよい。
MNG共振器201は零次共振特性を有するため、共振周波数はMNG共振器201の物理的なサイズに対して独立的であり得る。すなわち、下記で再び説明するが、MNG共振器201で共振周波数を変更するためには第1キャパシタ220を適切に設計することで充分であるため、MNG共振器201の物理的なサイズを変更しなくてもよい。
【0043】
また、近接フィールド(near field)で、電界は第1送信線路に挿入された第1キャパシタ220に集中するため、第1キャパシタ220によって近接フィールドでは磁場がドミナント(dominant)される。
そして、MNG共振器201は、集中素子の第1キャパシタ220を用いて高いQ−ファクター(Q−Factor)を有するため、電力送信の効率を向上させることができる。参考に、Q−ファクターは無線電力送信において抵抗損失(ohmic loss)の程度又は抵抗に対するリアクタンスの比を表すが、Q−ファクターが大きいほど無線電力送信の効率が大きいものと理解される。
【0044】
また、MNG共振器201は、ソース共振器とターゲット共振器との間のインピーダンス整合のための整合器230を備える。
したがって、電力送信効率が改善される。ここで、整合器230はMNG共振器201の磁界の強度を適切に調整可能であり、整合器230によってMNG共振器201のインピーダンスは決定される。
そして、電流はコネクタを介してMNG共振器201に流入されるか、MNG共振器201から流出される。ここで、コネクタは第1グラウンド導体部分213又は整合器230と接続されてもよい。ただし、コネクタと第1グラウンド導体部分213又は整合器230間には物理的な接続が形成されてもよく、コネクタと第1グラウンド導体部分213又は整合器230間の物理的な接続なしでカップリングにより電力が伝達されてもよい。
【0045】
詳細には、
図2に示すように、整合器230はソース共振器201のループ構造によって形成されるループの内部に位置する。
整合器230は、物理的な形態を変更することによってソース共振器201のインピーダンスを調整する。特に、整合器230は、第1グラウンド導体部分213から距離「h」だけ離隔された位置にインピーダンス整合のための導体231を含んでもよく、ソース共振器201のインピーダンスは距離「h」を調整することによって変更され得る。
【0046】
図2には示していないが、整合器230を制御することのできるコントローラが存在する場合、整合器230はコントローラによって生成される制御信号に応じて整合器230の物理的な形態を変更してもよい。
例えば、制御信号に応じて整合器230の導体231と第1グラウンド導体部分213との間の距離「h」を増加させたり減少させたりし、それにより整合器230の物理的な形態が変更されることでソース共振器201のインピーダンスは調整される。
【0047】
整合器230は、
図2に示すように、導体部分231のような受動素子で実現されてもよく、実施形態によってはダイオード、トランジスタなどのような能動素子で実現されてもよい。
能動素子が整合器230に含まれる場合、能動素子はコントローラによって生成される制御信号に応じて駆動してもよく、その制御信号に応じてソース共振器201のインピーダンスを調整することができる。
例えば、整合器230には能動素子の一種のダイオードが含まれ、ダイオードが「on」又は「off」状態にあるかに応じてソース共振器201のインピーダンスが調整される。
【0048】
また、
図2に示していないが、MNG共振器201を貫通する磁気コアをさらに含んでもよい。
このような磁気コアは電力送信距離を増加させる機能を行うことができる。
また、ソース共振器201は、ソース共振器上に対称的(symmetric)又は非対称的(Asymmetric)に位置する複数のターゲット装置、それぞれに同一の電力量を無線で送信してもよい。
【0049】
パッド(pad)タイプで構成された無線電力送信装置には複数のターゲット装置が位置してもよい。
ここで、複数のターゲット装置は、それぞれのターゲット装置間にソース共振器の中央を基準として対称的又は非対称的にパッド上に位置してもよい。
すなわち、複数のターゲット装置はパッド上の任意の位置に置かれる。
【0050】
ソース共振器201で無線送信される電力は磁場の強度に影響を受ける。
ところが、ソース共振器201の周縁及び中央で磁場の分布は磁場分布調整部250によって均一になる。
したがって、複数のターゲット装置が対称的又は非対称的にパッド上に位置するかしないかに関わらず、ソース共振器201は各ターゲット装置ごとに同一量の電力を無線で送信できる。すなわち、ソース共振器201で所定の時間の間に無線で送信される電力量が一定であると仮定する場合、ソース共振器201で送信された電力は各ターゲット装置ごとに同一に分配され得る。
【0051】
また、ソース共振器201はターゲット装置の位置に基づく別途の整合処理を行うことなく、ソース共振器201上に位置するターゲット装置に高い効率で無線電力を送信することができる。
ソース共振器201の周縁及び中央で磁場の分布は磁場分布調整部250によって均一になるため、ターゲット装置の位置による別途の整合作業を必要としない。
【0052】
磁場分布調整部250は、ソース共振器201の内部の内の所定領域に配置され、ソース共振器201とターゲット共振器との間に無線カップリングが形成されるとき、ソース共振器201の内部で発生する磁場の分布を調整する。
また、磁場分布調整部250は、ソース共振器201の内部で発生する磁場の分布が均一に形成されるよう磁場の分布を調整する。
一実施形態において、磁場分布調整部250は少なくとも1つのサブ共振器を含んでもよい。すなわち、磁場分布調整部250は少なくとも1つのサブ共振器を用いて、ソース共振器201内部で発生する磁場の分布が均一になるように磁場の分布を調整してもよい。少なくとも1つのサブ共振器の構成は
図3を参照して詳細に説明する。
【0053】
少なくとも1つのサブ共振器は、ソース共振器201又はターゲット共振器と電磁結合を形成して少なくとも1つのサブ共振器内部で磁場を形成する。
サブ共振器内部で形成された磁場とソース共振器201内部で発生する磁場とが合成され、ソース共振器201内部で発生する磁場の分布が均一に調整される。
【0054】
また、磁場分布調整部250は、補助−サブ共振器を含んでもよい。
補助−サブ共振器は、少なくとも1つのサブ共振器内に配置される。
ソース共振器201が無線電力送信するとき、ソース共振器内部に位置する少なくとも1つのサブ共振器を補助し、ソース共振器201の内部で発生する磁場の分布を均一に補償する。補助−サブ共振器は、サブ共振器によって調整される磁場の分布を補償し、ソース共振器201内で磁場の分布を均一にすることができる。
【0055】
磁場分布調整部250は、ソース共振器201の内部で発生する磁場をソース共振器201の中央近辺に誘導する少なくとも1つのコイルを含んでもよい。
磁場分布調整部250は、少なくとも1つのコイルを用いてソース共振器201内部で発生する磁場の分布を均一に調整することができる。
磁場分布調整部250は、少なくとも1つのコイルにソース共振器201に流れる電流と同じ方向の電流を流し、ソース共振器201内部で発生する磁場と少なくとも1つのコイルから発生する磁場を合成する。磁場分布調整部250は、上記合成に基づいてソース共振器201内部の磁場分布を均一に調整する。
【0056】
ここで、磁場分布調整部250は、少なくとも1つのコイルの長さ、幅、及び少なくとも1つのコイル間の間隔に基づいてソース共振器201の内部で発生する磁場の分布を均一に誘導することができる。
少なくとも1つのコイルは、ソース共振器201の中央に配置され、互いに異なるサイズのループ構造を形成してもよい。
様々なサイズのコイルによりソース共振器201の内部で発生する磁場がより細かく調整可能になる。
【0057】
また、同じ形を有する少なくとも1つのコイルは、ソース共振器201の内部に任意の位置に配置される。
少なくとも1つのコイルは、ソース共振器201の内部でそれぞれ様々な位置に配置されることによって、コイルが位置した領域でソース共振器201から発生する磁場を調整することができる。
【0058】
また、少なくとも1つのコイルは、ソース共振器201の中央に位置し、スパイラル(spiral)形態を形成してもよい。
少なくとも1つのコイルは、ソース共振器201の内部で発生する磁場を調整するために様々な形態で生成されてもよい。
【0059】
磁場分布調整部250は、ソース共振器201の中央を中心としてサイズ及び高さが異なるループ構造で形成された複数の遮蔽層を含んでもよい。
磁場分布調整部250は、複数の遮蔽層に基づいてソース共振器201の内部で発生する磁場の分布を均一に誘導する。ソース共振器201で発生する磁場の磁束は、複数の遮蔽層で屈折されてソース共振器201の中央により集中され得る。
【0060】
磁場分布調整部250は、MNG(Mu−negative)、DNG(Double−negative)又は磁性誘電体(magneto−dieletric)で構成された層を含んでもよい。
磁場分布制御部250は、上記構成された層に基づいてソース共振器で発生する磁場の磁束を屈折させることによって、ソース共振器201の内部で発生する磁場の分布を均一に誘導することができる。
【0061】
磁場分布調整部250は、ソース共振器201及び/又は少なくとも1つのサブ共振器の所定位置に積層される遮蔽層の幅を調整し、ソース共振器201の内部で発生する磁場の分布を均一に誘導する。
遮蔽層の幅に応じてソース共振201で発生する磁場の磁束の屈折程度が変わり得る。
したがって、磁場分布調整部250は遮蔽層の幅を調整し、ソース共振器201の内部で発生する磁場の分布を均一にすることができる。
【0062】
一実施形態において、ソース共振器201は、パッドタイプの共振器として構成されてもよく、ターゲット装置はパッドタイプのソース共振器201上に位置してもよい。
例えば、ソース共振器201とターゲット装置との間の間隔は数cm以下である。例えば、2cm以下である。このような環境ではソース共振器201とターゲット装置との間に寄生キャパシタが発生する可能性がある。
寄生キャパシタによってソース共振器201の共振周波数は影響を受ける。
磁場分布調整部250は、ソース共振器201及び少なくとも1つのサブ共振器の所定位置に積層される遮蔽層の幅及び厚さを調整し、ソース共振器201とターゲット共振器との間に発生する寄生キャパシタによる共振周波数の変化を相殺することができる。
【0063】
図3は、本発明の一実施形態に係るソース共振器内部に位置するサブ共振器310を示す図である。
図3を参照すると、サブ共振器310は、第2送信線路、第3導体、第4導体及び少なくとも1つの第2キャパシタを含む。
少なくとも1つの第2キャパシタ321は、第2送信線路の第3信号導体部分311と第4信号導体部分313との間に直列に挿入され、それによって電界は少なくとも1つの第2キャパシタ321に閉じ込められるようになる。
【0064】
図3に示すように、サブ共振器310は2次元構造の形態を有する。
他の例として、サブ共振器310は3次元構造の形態を有してもよい。
第2送信線路は、上部に第3信号導体部分311及び第4信号導体部分313を含み、下部に第2グラウンド導体部分315を含む。第3信号導体部分311及び第4信号導体部分313と第2グラウンド導体部分315は互いに向かい合うように配置される。
電流は第3信号導体部分311及び第4信号導体部分313を介して流れる。
【0065】
また、
図3に示すように、第3信号導体部分311の片端は第3導体317と接続され、他端は少なくとも1つの第2キャパシタ321と接続される。そして、第4信号導体部分313の片端は第4導体319と接続され、他端は第3キャパシタ321と接続される。
従って、第3信号導体部分311、第4信号導体部分313及び第2グラウンド導体部分315、導体(317、319)は互いに接続されることによって、サブ共振器310は電気的に閉じたループ構造を有する。ここで、「ループ構造」は円形構造、四角形のような多角形の構造などを全て含む。
【0066】
第2送信線路、第3導体317及び第4導体319は、四角(rectangular)形態のループ構造を形成してもよい。また、第2送信線路、第3導体317及び第4導体319は、円(circular)形態のループ構造を形成してもよい。
また、第2送信線路、第3導体317及び第4導体319は、十字(cross)形態のループ構造を形成してもよい。
【0067】
図3には示していないが、サブ共振器310の少なくとも1つの第2キャパシタ321のキャパシタンスを調整するコントローラが存在する場合、コントローラはソース共振器で発生する磁場の分布が均一になるように可変的に少なくとも1つの第2キャパシタ321のキャパシタンスを調整する。
磁場分布調整部250は少なくとも1つの第2キャパシタ321のキャパシタンス、第2送信線路の長さ及び幅に基づいて、少なくとも1つのサブ共振器310の共振周波数をソース共振器の共振周波数と一定値だけ相違するように調整する。
【0068】
磁場分布調整部250は、ソース共振器で生成される磁場の分布が実質的に均一になるように、少なくとも1つの第2キャパシタ321のキャパシタンスを適応的に決定し調整する。
第2キャパシタ321のキャパシタンスが変化すれば、少なくとも1つのサブ共振器310の共振周波数も変化する。したがって、磁場分布調整部250は第2キャパシタ321のキャパシタンスを調整し、少なくとも1つのサブ共振器310の共振周波数をソース共振器の共振周波数よりも大きいか、小さく調整する。
磁場分布調整部250は、少なくとも1つのサブ共振器310の共振周波数をソース共振器の共振周波数よりも大きいか小さく調整して、ソース共振器の中心の磁場の強度とソース共振器の周縁の磁場の強度とが同一になるようにする。
【0069】
少なくとも1つのサブ共振器310の共振周波数とソース共振器の共振周波数とが一致する場合、ソース共振器の中央で磁場が集中する。
したがって、磁場分布調整部250は、少なくとも1つのサブ共振器310の共振周波数とソース共振器の共振周波数とを一定の値だけ相違するように調整し、ソース共振器の周縁と中心の磁場分布を均一にする。
【0070】
図4A〜
図4Gは、ターゲット共振器の位置に関係なく、ソース共振器の周辺磁場の強度が実質的に均一な分布を有するようにする様々な本発明の一実施形態に係るソース共振器201に含まれた磁場分布調整部350を示す図である。
磁場分布調整部250は、様々な形態を有する共振器を用いてソース共振器の周辺で均一な磁場分布を有するよう磁場を調整する。
【0071】
図4Aを参照すると、磁場分布調整部は、ソース共振器の中央に位置する円形のサブ共振器410である。
類似の効果は
図4Bに示すように、十字状のサブ共振器410によって提供されてもよい。他の形態のサブ共振器も用いられてもよい。
また、ソース共振器で生成される磁場は、1つ以上の追加又は補助サブ共振器を有する磁場分布調整部によって誘導されてもよい。
図4Cに示す補助サブ共振器430はサブ共振器の中央に位置してもよい。
【0072】
補助サブ共振器の共振周波数がソース共振器の共振周波数と近似すれば、磁場は中央部分に集中する。
したがって、ソース共振器の中央の磁場及び周縁の磁場が実質的に均一になるために補助サブ共振器の共振周波数がソース共振器の共振周波数よりも大きいか小さく調整される。
【0073】
図4D〜
図4Fは、周期的(又は、反復的)な構造を有する磁場分布調整部を示す。
周期構造は、周縁の磁場が集中することを防止するために及び/又は中央の磁場がより強くなるよう中央部分に磁場を誘導する。結果的に、ソース共振器の中央及び周縁部分の磁場の分布が実質的に均一になる。
【0074】
図4Dに示すように、磁場分布調整部は、同一な形状で、同心円状の構造に整列された様々なサイズを有する複数のコイル440を含む。
複数のコイル440は四角形であってもよい。また、複数のコイル440は、例えば、円形のような他の形態を有してもよい。
【0075】
図4Eに示すように、磁場分布調整部は、スパイラル(spiral)形態のコイル450を含む。
スパイラル形態のコイル450は四角形であってもよい。また、スパイラル形態のコイル450は、例えば、円形のような他の形態を有してもよい。
均一な磁場を生成するためにコイルの長さ、コイルの幅、及び/又はコイル間の間隔は適切に調整する必要がある。
【0076】
他の一例として、1つ以上の層を有する遮蔽材を用いてソース共振器の中央に磁場を誘導することで磁場の分布を実質的に均一に調整してもよい。
図4Fにおいて、磁場分布調整部は、複数の層(460、461、463)をなす遮蔽材を含む。
ソース共振器内部の磁場を均一に調整するために、遮蔽材は透磁率(permeability)、遮蔽材固有の損失(loss)、遮蔽材の厚さ、遮蔽材の配列順序、及び配列位置などを考慮して形成される。
【0077】
他の一例として、磁場分布調整部は、MNG(Mu−negative)、DNG(Double−negative)、又は磁性誘電体(magneto−dieletric)などのメタ物質(meta material)で構成された構造470を用いてソース共振器内部の磁場を均一に調整してもよい。
【0078】
図5は、本発明の一実施形態に係るソース共振器の内部に配置される複数のサブ共振器の周期構造を示す図である。
図5を参照すると、ソース共振器内部のそれぞれの角部にサブ共振器(501、503、505、507)が配置される。
ソース共振器内部のそれぞれの角部で磁場の強度が最も大きい。
【0079】
サブ共振器(501、503、505、507)は、各角部領域に配置され、角部に集中した磁場の分布をソース共振器の中央に誘導する。
周期構造は同じ形態のサブ共振器が繰り返し配置される構造を意味する。
サブ共振器だけではなく様々な形態のコイル及び遮蔽材、メタ物質を用いた構造などもソース共振器内部の様々な場所に位置して磁場を中央に誘導する。
【0080】
図6A及び
図6Bは、本発明の一実施形態に係るサブ共振器とソース共振器との位置関係を示す図である。
図6Aを参照すると、サブ共振器620はソース共振器の平面を基準としてソース共振器610よりも所定の高さ630だけ高い位置に配置される。
【0081】
サブ共振器620は、ソース共振器610の中央及びソース共振器610で発生した磁場の分布が減少する領域に配置される。サブ共振器620は、ソース共振器610よりも所定の高さ630だけ高い位置に配置され、ソース共振器610で発生する磁場を中央に誘導する。
すなわち、サブ共振器620で発生した磁場がソース共振器610で発生した磁場と合成し、結果的にソース共振器610の中心で磁場の分布を比較的に均等にすることができる。
【0082】
図6Bを参照すると、サブ共振器(650、660)はソース共振器の平面を基準としてソース共振器640よりも所定の高さ670だけ高い位置に配置される。
2つのサブ共振器(650、660)がソース共振器640よりも高い位置に配置される。
周期構造を用いてソース共振器640で発生する磁場の分布を均等にするように、少なくとも2つのサブ共振器(650、660)を用いてもよい。
【0083】
ただし、サブ共振器650とサブ共振器660との間には最小の間隔680が必要である。
最小の間隔680は、サブ共振器650に流れる電流によって発生する磁場とサブ共振器660に流れる電流によって発生する磁場とを相殺する程度が弱くなる距離を意味する。
図6Bでは2つのサブ共振器を示したが、他の実施形態では1つ以上の追加的なサブ共振器が提供されてもよい。
【0084】
図7は、本発明の一実施形態に係るソース共振器及びサブ共振器に遮蔽材が積層された場合を示す図である。
図7に示すように、ソース共振器の一定領域710及びサブ共振器の一定領域720に遮蔽材が積層されている。
本発明の一実施形態に係る無線電力送信装置は、遮蔽材を用いてソース共振器の内部で発生する磁場の分布を均等にする。
【0085】
無線電力送信装置は、ソース共振器740の一定領域710及びサブ共振器の一定領域720に積層された遮蔽層の幅を調整し、ソース共振器740の内部で発生する磁場の分布を均一に誘導する。
無線電力送信装置は、ソース共振器740の一定領域710及びサブ共振器の一定領域720に積層された遮蔽層の幅及び厚さを調整し、ソース共振器740とターゲット共振器との間に発生する寄生キャパシタによる共振周波数の変化を相殺することができる。
【0086】
遮蔽材750が積層される幅は、ソース共振器740で発生する磁場の磁束の屈折程度に基づいて決定される。
ソース共振器740の遮蔽材750は、ソース共振器の幅の3/5だけの幅730に積層されてもよい。例えば、ソース共振器740の幅が2.5cmであれば、遮蔽材750が積層される幅730は1.5cm程度である。
図7の部分斜視図でより立体的に説明すると、遮蔽材750が積層される幅770はソース共振器740の幅760との対比は3/5程度である。また、遮蔽材750が積層される厚さ780はパッドタイプのソース共振器構造を考慮して、0.1ミリメートル以上1ミリメートル以下の値を有する。
【0087】
図8Aは、本発明のソース共振器で生成された均一な分布を有する磁場の分布を示す写真である。
図1cで示した一般ソース共振器の磁場の分布と比較してサブ共振器のためにソース共振器の中央部分で磁場の強度が強くなったことが分かる。
濃く表示された領域の磁場の強度が明るく表示された領域の磁場の強度よりも強い。白く表示された領域はソース共振器を示す。
【0088】
また、
図8Bに示すグラフA及びBに示すように、中央で磁場の強度がさらに強くなる。
したがって、磁場の分布は実質的に均一になる。
したがって、ソース共振器上の位置に関係なく、インピーダンスの変化が最小になることで効率が最適化される。
【0089】
図9は、
図2に示した無線電力送信のためのソース共振器の等価回路図である。
図2に示した無線電力送信のためのソース共振器201は、
図9に示す等価回路にモデリングされる。
図9に示す等価回路でC
Lは、
図2に示す送信線の中端部に集中素子の形態に挿入されたキャパシタ220を示し、L
Rは電力送信ラインのインダクタンスを示し、C
Rは電力送信ライン及び/又はグラウンド間のキャパシタンスを示す。
【0090】
ここで、
図2に示した無線電力送信のための共振器は、零次共振特性を有する。
すなわち、伝搬定数が「0」である場合、無線電力送信のための共振器はω
MZRを共振周波数として有すると仮定する。
【0091】
ここで、共振周波数ω
MZRは下記の数式(2)のように表される。
ここで、MZRは「Mu Zero Resonator」を意味する。
【数2】
【0092】
数式(2)を参照すると、共振器の共振周波数ω
MZRはL
R及びC
Lによって決定され、共振周波数ω
MZRと共振器の物理的なサイズは互いに独立的であることが分かる。
したがって、共振周波数ω
MZRと共振器の物理的なサイズが互いに独立的であるため、共振器の物理的なサイズは十分小さくなる。
【0093】
したがって、ターゲット共振器の位置に関わらずインピーダンスが保持され、効率の変化は発生せず、効率が最適に維持されることができる。
特に、共振器がパッドタイプであるときに該当する。さらに、無線電力送信システムは単一の整合回路として搭載されてもよい。したがって、インピーダンスの変化に基づいた電力の不均等な分布及び/又は近接無線電力送信で複数のターゲットの位置による電力の不均等な分布問題を容易に解決することができる。
【0094】
上述したように本発明は、多様なコンピュータ手段によって行うことができるプログラム命令の形態で実現されても良く、かかるプログラム命令は、コンピュータ読み出し可能媒体に記録されてもよい。
コンピュータ読み出し可能媒体は、プログラム命令、データファイル、データ構造などを単独又は組み合わせたものを含んでもよい。前記媒体に記録されるプログラム命令は、本発明のために特別に設計して構成されたものでもよく、コンピュータソフトウェア分野の技術を有する当業者にとって公知のものであり使用可能なものであってもよい。
【0095】
以上のように本発明を限定された実施形態と図面によって説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明が属する分野における通常の知識を有する者であれば、このような記載から多様な修正及び変形が可能である。
したがって、本発明の範囲は、説明された実施形態に限定されて定められるものではなく、特許請求の範囲及び特許請求の範囲と均等なものなどによって定められるものである。