(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
上記可溶導体は、上記第1及び第2の電極と重畳する両端部も、上記発熱体引出電極と上記第1及び第2の電極との間の溶断部よりも肉厚に形成されている請求項1記載の保護素子。
【発明を実施するための形態】
【0013】
以下、本発明が適用された保護素子、及びこの保護素子が組み込まれたバッテリモジュールについて、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変更が可能であることは勿論である。また、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なることがある。具体的な寸法等は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【0014】
[保護素子の構成]
図1に示すように、本発明が適用された保護素子10は、絶縁基板11と、絶縁基板11に積層され、絶縁部材15に覆われた発熱抵抗体14と、絶縁基板11の両端に形成された電極12(A1),12(A2)と、絶縁部材15上に発熱抵抗体14と重畳するように積層された発熱体引出電極16と、両端が電極12(A1),12(A2)にそれぞれ接続され、中央部が発熱体引出電極16に接続された可溶導体13とを備える。
【0015】
絶縁基板11は、たとえば、アルミナ、ガラスセラミックス、ムライト、ジルコニアなどの絶縁性を有する部材を用いて略方形状に形成されている。絶縁基板11は、その他にも、ガラスエポキシ基板、フェノール基板等のプリント配線基板に用いられる材料を用いてもよいが、ヒューズ溶断時の温度に留意する必要がある。
【0016】
発熱抵抗体14は、比較的抵抗値が高く通電すると発熱する導電性を有する部材であって、たとえばW、Mo、Ru等からなる。これらの合金あるいは組成物、化合物の粉状体を樹脂バインダ等と混合して、ペースト状にしたものを絶縁基板11上にスクリーン印刷技術を用いてパターン形成して、焼成する等によって形成する。
【0017】
発熱抵抗体14を覆うように絶縁部材15が配置され、この絶縁部材15を介して発熱抵抗体14に対向するように発熱体引出電極16が配置される。発熱抵抗体14の熱を効率良く可溶導体に伝えるために、発熱抵抗体14と絶縁基板11の間に絶縁部材15を積層しても良い。
【0018】
発熱体引出電極16の一端は、発熱体電極18(P1)に接続される。また、発熱抵抗体14の他端は、他方の発熱体電極18(P2)に接続される。
【0019】
可溶導体13は、発熱抵抗体14の発熱により速やかに溶断される低融点金属からなり、例えばPbを主成分とするハンダや、Snを主成分とするPbフリーハンダを好適に用いることができる。また、可溶導体13は、低融点金属と、Ag、Cu又はこれらを主成分とする合金等の高融点金属との積層体であってもよい。
【0020】
高融点金属と低融点金属とを積層することによって、保護素子10をリフロー実装する場合に、リフロー温度が低融点金属層の溶融温度を超えて、低融点金属が溶融しても、可溶導体13として溶断するに至らない。かかる可溶導体13は、高融点金属に低融点金属をメッキ技術を用いて成膜することによって形成してもよく、他の周知の積層技術、膜形成技術を用いることによって形成してもよい。なお、可溶導体13は、外層を構成する低融点金属を用いて、発熱体引出電極16及び電極12(A1),12(A2)へ、ハンダ接続することができる。
【0021】
なお、保護素子10は、外層の低融点金属層13bの酸化防止等のために、可溶導体13上にフラックス17を塗布してもよい。また、保護素子10は、内部を保護するためにカバー部材19が絶縁基板11上に載置されている。
【0022】
[溶断部、中央部、両端部]
図1に示すように、本発明が適用された可溶導体13は、略板状をなし、発熱体引出電極16を介して第1及び第2の電極12(A1),12(A2)間にわたって接続される。そして、可溶導体13は、発熱体引出電極16と重畳する中央部13aが、発熱体引出電極16と第1及び第2の電極12(A1),12(A2)との間の溶断部13bよりも肉厚に形成されている。
【0023】
ここで、可溶導体13の中央部13aは、発熱体引出電極16と重畳する、第1及び第2の電極12(A1),12(A2)間に亘って接続されている可溶導体13の長手方向の中間部分をいう。
【0024】
また、可溶導体13は、発熱体引出電極16及び電極12(A1),12(A2)間に亘って接続され、過電流による自己発熱(ジュール熱)や、発熱抵抗体14の熱により溶融し、発熱体引出電極16と、電極12(A1),12(A2)間が溶断される。これにより、保護素子13は、電流経路を遮断する。
【0025】
可溶導体13の溶断部13bとは、
図2に示すように、発熱体引出電極16及び電極12(A1),12(A2)間に亘って接続された可溶導体13における溶断箇所をいい、具体的には、発熱体引出電極16と電極12(A1)との間、及び発熱体引出電極16と電極12(A2)との間をいう。
【0026】
中央部13aが溶断部13bよりも肉厚に形成することにより、可溶導体13は、低抵抗化を図り、保護素子10の定格を上げることができる。また、可溶導体13は、溶断部13bは、従来通り薄肉に形成しているため、発熱体引出電極16及び電極12(A1),12(A2)間の溶断特性は良好に維持することができる。
【0027】
[変形例1]
可溶導体13は、第1及び第2の電極12(A1),12(A2)と重畳する両端部13cも、溶断部13bより肉厚に形成されることが好ましい。両端部13cを肉厚に形成することにより、可溶導体13は、さらに低抵抗化が図られ、保護素子10の定格を上げることができる。また、この場合も、可溶導体13は、溶断部13bは、従来通り薄肉に形成しているため、発熱体引出電極16及び電極12(A1),12(A2)間の溶断特性は良好に維持することができる。
【0028】
[変形例2]
また、可溶導体13は、中央部13aや両端部13cが、カバー部材19によって覆われる上方に突出することにより肉厚に形成されることが好ましい。可溶導体13は、中央部13aがカバー部材19側に突出することで、フラックス17を当該中央部13a上に保持することができる。
【0029】
すなわち、可溶導体13は、カバー部材19と対向する上面に、可溶導体13の酸化を防止すると共に、加熱時には溶融導体を速やかに濡れ広がらせるフラックス17が設けられている。このフラックス17は、両溶断部13bにおける可溶導体13の溶断を図るため、溶断部13b間の中央部13aに保持されていることが望ましい。そして、可溶導体13は、中央部13aがカバー部材19側に突出することで、確実にフラックス17を中央部13aに保持することができる。なお、可溶導体13は、中央部13aが溶断部より上方に突出していれば、その形状を問わず、断面三角形状や、断面台形状、円柱状、中空円筒状等に形成することができる。
【0030】
なお、可溶導体13は、中央部13aや両端部13cをカバー部材19と対向する上面と反対側の下面側に突出させてもよい。この場合、中央部13aによるフラックス17の保持効果は期待できないが、肉厚に形成されることによる低抵抗化を図ることはできる。また、可溶導体13は、中央部13aや両端部13cを、カバー部材19と対向する上面及び、これと反対側の下面の両方に突出させてもよい。
【0031】
[製法1]
このような可溶導体13は、例えば板状の低融点金属を、上述した所定形状にプレス加工や切削加工をすることにより製造することができる。また、可溶導体13は、板状の低融点金属を所定形状に鋳造すること、その他公知の製造方法を用いて製造することができる。
【0032】
[製法2]
また、可溶導体13は、
図3に示すように、中央部13aや両端部13cに、導電材40を積層することにより、肉厚に形成してもよい。導電材40としては、例えばメッキや、金属箔を積層すること等によって形成される。導電材40の積層数は問わないが、金メッキのような酸化しにくい材料を積層した場合、保護素子10の経年による可溶導体13の劣化を防止することができ、信頼性を向上させることができる。
【0033】
[変形例3]
また、導電材40は、可溶導体13よりも融点の低い金属を用いてもよい。可溶導体13は、低融点金属が塗布されることにより、溶断時にこの低融点金属による侵食作用を利用して溶断され、電流経路をより速やかに遮断することができる。
【0034】
[製法3]
また、可溶導体13は、
図4に示すように、中央部13aや両端部13cに、導電材40として、銀ペーストや金ペースト等の金属ペーストやハンダペースト等を1又は複数層に亘って塗布することにより、肉厚に形成してもよい。本製法によれば、金属ペースト等を可溶導体13上に塗布するのみで肉厚化することができ、簡易な工程で可溶導体13を製造することができる。なお、このときも、導電材40として、可溶導体13よりも融点の低い金属を用いてもよい。
【0035】
[製法4]
また、可溶導体13は、
図5に示すように、肉厚に形成される中央部13aや両端部13cの内部にボイド41が形成されていてもよい。絶縁基板11の第1及び第2の電極12(A1),12(A2)上に、ソルダーペーストが塗布されている場合、リフロー工程等の高温下では、ペースト中の有機物の成分が気化して可溶導体13と発熱体引出電極16や電極12(A1)、12(A2)との間でボイド41を形成する。可溶導体13は、高温下で変形しやすくなっており、ボイド41が形成されると、その分、ボイド41の形成箇所が上方に膨出する。
【0036】
この可溶導体13によっても、中央部13aがカバー部材19側に突出することで、フラックス17を当該中央部13a上に保持することができる。また、可溶導体13は、中央部13aを肉厚に形成する特別な工程を必要とせず、従来の工程で中央部13aを肉厚に形成することができる。
【0037】
[保護素子の使用方法]
図6に示すように、上述した保護素子10は、リチウムイオン二次電池のバッテリパック20内の回路に用いられる。
【0038】
たとえば、保護素子10は、合計4個のリチウムイオン二次電池のバッテリセル21〜24からなるバッテリスタック25を有するバッテリパック20に組み込まれて使用される。
【0039】
バッテリパック20は、バッテリスタック25と、バッテリスタック25の充放電を制御する充放電制御回路30と、バッテリスタック25の異常時に充電を遮断する本発明が適用された保護素子10と、各バッテリセル21〜24の電圧を検出する検出回路26と、検出回路26の検出結果に応じて保護素子10の動作を制御する電流制御素子27とを備える。
【0040】
バッテリスタック25は、過充電及び過放電状態から保護するための制御を要するバッテリセル21〜24が直列接続されたものであり、バッテリパック20の正極端子20a、負極端子20bを介して、着脱可能に充電装置35に接続され、充電装置35からの充電電圧が印加される。充電装置35により充電されたバッテリパック20の正極端子20a、負極端子20bをバッテリで動作する電子機器に接続することによって、この電子機器を動作させることができる。
【0041】
充放電制御回路30は、バッテリスタック25から充電装置35に流れる電流経路に直列接続された2つの電流制御素子31、32と、これらの電流制御素子31、32の動作を制御する制御部33とを備える。電流制御素子31、32は、たとえば電界効果トランジスタ(以下、FETと呼ぶ。)により構成され、制御部33によりゲート電圧を制御することによって、バッテリスタック25の電流経路の導通と遮断とを制御する。制御部33は、充電装置35から電力供給を受けて動作し、検出回路26による検出結果に応じて、バッテリスタック25が過放電又は過充電であるとき、電流経路を遮断するように、電流制御素子31、32の動作を制御する。
【0042】
保護素子10は、たとえば、バッテリスタック25と充放電制御回路30との間の充放電電流経路上に接続され、その動作が電流制御素子27によって制御される。
【0043】
検出回路26は、各バッテリセル21〜24と接続され、各バッテリセル21〜24の電圧値を検出して、各電圧値を充放電制御回路30の制御部33に供給する。また、検出回路26は、いずれか1つのバッテリセル21〜24が過充電電圧又は過放電電圧になったときに電流制御素子27を制御する制御信号を出力する。
【0044】
電流制御素子27は、たとえばFETにより構成され、検出回路26から出力される検出信号によって、バッテリセル21〜24の電圧値が所定の過放電又は過充電状態を超える電圧になったとき、保護素子10を動作させて、バッテリスタック25の充放電電流経路を電流制御素子31、32のスイッチ動作によらず遮断するように制御する。
【0045】
以上のような構成からなるバッテリパック20において、本発明が適用された保護素子10は、
図7に示すような回路構成を有する。すなわち、保護素子10は、発熱体引出電極16を介して直列接続された可溶導体13と、可溶導体13の接続点を介して通電して発熱させることによって可溶導体13を溶融する発熱抵抗体14とからなる回路構成である。また、保護素子10では、たとえば、可溶導体13が充放電電流経路上に直列接続され、発熱抵抗体14が電流制御素子27と接続される。保護素子10の2個の電極12のうち、一方は、A1に接続され、他方は、A2に接続される。また、発熱体引出電極16とこれに接続された発熱体電極18は、P1に接続され、他方の発熱体電極18は、P2に接続される。
【0046】
このような回路構成からなる保護素子10は、発熱抵抗体14の発熱により、電流経路上の可溶導体13を確実に溶断することができる。
【0047】
なお、本発明の保護素子は、リチウムイオン二次電池のバッテリパックに用いる場合に限らず、電気信号による電流経路の遮断を必要とする様々な用途にももちろん応用可能である。
【実施例】
【0048】
次いで、本発明の実施例について説明する。本実施例では、本発明が適用された可溶導体13を用いた保護素子10と、従来の可溶導体を用いた保護素子とを作成し、各可溶導体の抵抗値、フラックスの保持性、加熱溶断時間を測定、評価した。
【0049】
実施例及び比較例は、いずれも、絶縁基板として、6mm×4mmのアルミナセラミック基板(厚さ0.5mm)を用い、表面にAg−Pdペーストを印刷した後、850℃30分焼成することにより第1、第2の電極、一対の発熱体電極、及び発熱体引出電極を形成した。また、第1及び第2の電極の間に、酸化ルテニウム系抵抗ペーストを印刷し、850℃30分焼成することにより発熱抵抗体を形成した。発熱抵抗体のパターン抵抗値は1Ωである。
【0050】
実施例及び比較例に係る可溶導体は、いずれもSn:Sb=95:5、融点240℃を用いて、1mm×5mmに形成し、融点が219℃の接続ハンダペースト(Sn/Ag/Cu=96.5/3/0.5)によって、第1、第2の電極及び発熱体引出電極上に接続した。
【0051】
実施例1に係る可溶導体は、プレス加工によって、発熱体引出電極上の中央部、及び第1、第2の電極上の両端部の厚みを0.15mm、第1の電極と発熱体引出電極との間、及び第2の電極と発熱体引出電極との間の溶断部の厚みを0.10mmに形成した。
【0052】
実施例2に係る可溶導体は、中央部及び両端部の厚みを0.13mmとした他は、実施例1と同じである。
【0053】
実施例3に係る可溶導体は、中央部及び両端部の厚みを0.12mmとした他は、実施例1と同じである。
【0054】
実施例4に係る可溶導体は、中央部及び両端部の厚みを0.11mmとした他は、実施例1と同じである。
【0055】
実施例5に係る可溶導体は、中央部及び両端部に、可溶導体よりも低融点の金属で形成された厚さ0.05mmの金属箔(Sn/Ag/Cu=96.5/3.0/0.5)を積層して厚さ0.15mmとし、溶断部を0.10mmとした。
【0056】
実施例6に係る可溶導体は、中央部及び両端部に、0.05mm厚で金属ペースト(Sn/Ag/Cu=96.5/3.0/0.5)を塗布、焼成して厚さ0.15mmとし、溶断部を0.10mmとした。
【0057】
実施例7に係る可溶導体は、第1、第2の電極間に亘って載置された後、オーブンで220℃、2分間加熱されることにより、中央部及び両端部の内部に、直径0.05mmのボイドを発生させて厚さ0.15mmとし、溶断部を0.10mmとした。
【0058】
比較例1に係る可溶導体は、中央部、両端部及び溶断部のいずれも0.10mmの平坦構造のものを用いた。
【0059】
比較例2に係る可溶導体は、中央部、両端部及び溶断部のいずれも0.15mmの平坦構造のものを用いた。
【0060】
以上の実施例及び比較例に係る可溶導体の抵抗値、フラックスの保持性、加熱溶断時間を測定、評価した。可溶導体のフラックス保持性については、実施例及び比較例に係る保護素子をそれぞれ100個製造し、カバー部材を取り外してフラックスが中央部付近に留まっているか、可溶導体の左右の一方又は他方、あるいはその両方に流れているかを判断した。実施例及び比較例に係る可溶導体の加熱溶断時間は、定格3Wの発熱抵抗体に通電して発熱させた時から溶断部が溶断されるまでの時間である。
【0061】
【表1】
表1に示すように、各実施例では、いずれも可溶導体の中央部及び両端部を肉厚に形成しているため、可溶導体の抵抗値を下げることができた。また、各実施例では、いずれもフラックスが中央部付近に留まっており、左右へのフラックス流れは生じなかった。さらに、各実施例では、いずれも溶断時間を短くすることができた。
【0062】
一方、比較例1に係る可溶導体は、中央部、両端部及び溶断部に亘って同じ厚さ(0.10mm)で形成しているため、抵抗値が20mΩと高く、保護素子としての定格を向上させることが困難である。また、肉厚な中央部を備えていないため、比較例1に係る保護素子の10%は、可溶導体の上に塗布したフラックスが流れていた。
【0063】
比較例2に係る可溶導体は、中央部、両端部及び溶断部に亘って同じ厚さ(0.15mm)で形成しているため、抵抗値は10mΩと低いものの、逆に加熱溶断時間が40秒と長くなった。また、比較例2においても、肉厚な中央部を備えていないため、保護素子の5%は、可溶導体の上に塗布したフラックスが流れていた。
【0064】
以上より、可溶導体は、少なくとも中央部を肉厚に形成することにより、低抵抗化による定格の向上と、溶断特性を両立させることができることが分かる。
【0065】
実施例1〜4に示すように、中央部や両端部の肉厚を薄くしていくと、可溶導体の抵抗値は上がるが、溶断時間は短くなる。また、実施例4に示すように、中央部を溶断部より0.01mmでも肉厚に形成すれば、比較例1に比して、フラックス流れを抑制できることが分かる。
【0066】
実施例5より、可溶導体よりも低融点の金属からなる金属箔を積層することで、実施例1に比して加熱溶断時間を短縮できることが分かる。これは、低融点金属が可溶導体を侵食するためである。
【0067】
実施例6では、金属ペーストが多少溶断部側へ流れてしまい、形状を維持しにくく、抵抗値が若干上昇した。なお、金属ペーストとして、可溶導体より低融点の金属ペーストを用いることにより、加熱溶断時間を短縮することができる。
【0068】
実施例7では、ボイドが内在することから低抵抗化は実現できないが、フラックス流れを抑制でき、また加熱溶断時間も短かった。