特許 6084906 セラミックヒータ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6084906

(24)【登録日】2017年2月3日

(45)【発行日】2017年2月22日

(54)【発明の名称】セラミックヒータ

(51)【国際特許分類】

   H05B 3/74 20060101AFI20170213BHJP

   H05B 3/02 20060101ALI20170213BHJP

   H01L 21/02 20060101ALI20170213BHJP

   H05B 3/20 20060101ALI20170213BHJP

【ＦＩ】

   H05B3/74

   H05B3/02 B

   H01L21/02 Z

   H05B3/20 328

【請求項の数】4

【全頁数】10

(21)【出願番号】特願2013-145595(P2013-145595)

(22)【出願日】2013年7月11日

(65)【公開番号】特開2015-18704(P2015-18704A)

(43)【公開日】2015年1月29日

【審査請求日】2015年5月20日

(73)【特許権者】

【識別番号】000004064

【氏名又は名称】日本碍子株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000017

【氏名又は名称】特許業務法人アイテック国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】杉本 博哉

【審査官】 宮崎 賢司

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００４−２９６２５４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００３−１３３１９５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１２−０８０１０３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 米国特許出願公開第２００４／０２２２２１０（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 米国特許出願公開第２００２／０１８５４８７（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 特開２００６−１２７８８３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１２−０６９９４７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００７−０８８４８４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２０１２／０３９４５３（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開２００８−０６６２９５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００４−３３５１５１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００７−３３２４６５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００２−００９０５２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０００−３５３７０７（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０５Ｂ ３／７４

Ｈ０１Ｌ ２１／０２

Ｈ０５Ｂ ３／０２

Ｈ０５Ｂ ３／２０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

セラミック基体の内周側の領域に埋設された内周側抵抗発熱体と前記セラミック基体の外周側の領域に埋設された外周側抵抗発熱体とが同一の平面に存在しているセラミックヒータであって、
前記内周側の領域に設けられ、前記外周側抵抗発熱体に給電する一対の外周側給電端子と、
前記セラミック基体の前記内周側抵抗発熱体とオーバーラップするように前記平面とは別の平面にそれぞれ独立して埋設された第１及び第２の導電面と、
を備え、
前記外周側抵抗発熱体の一端は、前記第１の導電面を介して前記一対の外周側給電端子の一方に接続され、
前記外周側抵抗発熱体の他端は、前記第２の導電面を介して前記一対の外周側給電端子の他方に接続され、
前記第１及び第２の導電面は、前記内周側及び外周側抵抗発熱体の素線に比べて断面積が大きく、
前記第１及び第２の導電面の断面積は、前記内周側及び外周側抵抗発熱体の断面積の１０倍以上になっており、
前記セラミック基体は、ウエハを載置するウエハ載置面と、該ウエハ載置面とは反対側の面に接合された冷却板とを有し、
前記第１及び第２の導電面は、前記内周側及び外周側抵抗発熱体が存在している平面よりも前記ウエハ載置面に近い平面に形成されている、
セラミックヒータ。

【請求項2】

セラミック基体の内周側の領域に埋設された内周側抵抗発熱体と前記セラミック基体の外周側の領域に埋設された外周側抵抗発熱体とが同一の平面に存在しているセラミックヒータであって、
前記内周側の領域に設けられ、前記外周側抵抗発熱体に給電する一対の外周側給電端子と、
前記セラミック基体の前記内周側抵抗発熱体とオーバーラップするように前記平面とは別の平面にそれぞれ独立して埋設された第１及び第２の導電面と、
を備え、
前記外周側抵抗発熱体の一端は、前記第１の導電面を介して前記一対の外周側給電端子の一方に接続され、
前記外周側抵抗発熱体の他端は、前記第２の導電面を介して前記一対の外周側給電端子の他方に接続され、
前記第１及び第２の導電面は、前記内周側及び外周側抵抗発熱体の素線に比べて断面積が大きく、
前記第１及び第２の導電面の断面積は、前記内周側及び外周側抵抗発熱体の断面積の１０倍以上になっており、
前記別の平面には、前記第１及び第２の導電面の周りにダミー導電面が設けられ、
前記第１及び第２の導電面と前記ダミー導電面は、前記セラミック基体をウエハ載置面と平行な面で切断したときの断面のほぼ全体を覆う大きさである、
セラミックヒータ。

【請求項3】

前記セラミック基体は、ウエハを載置するウエハ載置面と、該ウエハ載置面とは反対側の面であって冷却板が接合される冷却板接合面とを有し、
前記第１及び第２の導電面は、前記内周側及び外周側抵抗発熱体が存在している平面よりも前記ウエハ載置面に近い平面に形成されている、
請求項２に記載のセラミックヒータ。

【請求項4】

前記第１及び第２の導電面は、前記セラミック基体をウエハ載置面と平行な面で切断したときの断面のほぼ全体を覆う大きさである、
請求項１〜３のいずれか１項に記載のセラミックヒータ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、セラミックヒータに関する。

【背景技術】

【0002】

半導体製造装置においては、ウエハを加熱するためのセラミックヒータが採用されている。こうしたセラミックヒータとしては、いわゆる２ゾーンヒータが知られている（例えば特許文献１参照）。この２ゾーンヒータは、セラミック基体中に、高融点金属からなる内周側抵抗発熱体と外周側抵抗発熱体とを同一面に埋設し、内周側及び外周側抵抗発熱体にそれぞれ独立して電力を供給することにより、内周側抵抗発熱体からの発熱と外周側抵抗発熱体からの発熱を独立して制御するものである。また、外周側抵抗発熱体の給電端子を中央付近に設け、その給電端子と外周側抵抗発熱体とを内周側及び外周側抵抗発熱体が形成された面よりも下方の面に配線された半径方向の導電線で接続することも開示されている。こうすることにより、導電線を内周側及び外周側抵抗発熱体と同一面に設ける場合に比べて、クールスポットの生成を防止できるとしている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００７−８８４８４号公報（段落００５２及び図６）

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、上述したセラミックヒータでは、導電線はヒータ素線を延長したものであり、断面積が小さいため抵抗が大きく、導電線自身が発熱して均熱性に影響を及ぼすことがあった。

【0005】

本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、内周側抵抗発熱体と外周側抵抗発熱体とを備えたセラミックヒータにおいて、均熱性を一層向上させることを主目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明のセラミックヒータは、
セラミック基体の内周側の領域に埋設された内周側抵抗発熱体と前記セラミック基体の外周側の領域に埋設された外周側抵抗発熱体とが同一の平面に存在しているセラミックヒータであって、
前記内周側の領域に設けられ、前記外周側抵抗発熱体に給電する一対の外周側給電端子と、
前記セラミック基体の前記内周側抵抗発熱体とオーバーラップするように前記平面とは別の平面にそれぞれ独立して埋設された第１及び第２の導電面と、
を備え、
前記外周側抵抗発熱体の一端は、前記第１の導電面を介して前記一対の外周側給電端子の一方に接続され、
前記外周側抵抗発熱体の他端は、前記第２の導電面を介して前記一対の外周側給電端子の他方に接続されている
ものである。

【0007】

このセラミックヒータでは、外周側抵抗発熱体の一端は、第１の導電面を介して一対の外周側給電端子の一方に接続され、外周側抵抗発熱体の他端は、第２の導電面を介して一対の外周側給電端子の他方に接続されている。第１及び第２の導電面は、ヒータ素線に比べて断面積が大きいため、電流が流れたとしてもほとんど発熱しない。そのため、第１及び第２の導電面によって均熱性が損なわれることがなく、従来に比べて均熱性が一層向上する。

【0008】

本発明のセラミックヒータにおいて、前記セラミック基体は、ウエハを載置するウエハ載置面と、該ウエハ載置面とは反対側の面であって冷却板が接合される冷却板接合面とを有し、前記第１及び第２の導電面は、前記内周側及び外周側抵抗発熱体が存在している平面よりも前記ウエハ載置面に近い平面に形成されていてもよい。こうすれば、第１及び第２の導電面を埋設した部分に大きな応力がかからないため好ましい。この点について、以下に説明する。セラミック基体のうち内周側及び外周側抵抗発熱体が形成された平面よりも冷却板接合面に近い側では、冷却板によって抜熱されるため、内周側及び外周側抵抗発熱体が形成された平面と冷却板接合面との間に比較的大きな温度差が生じる。こうした温度差の大きな箇所に第１及び第２の導電面を配置すると、熱収縮等によりセラミック基体にクラックが生じるおそれがある。一方、セラミック基体のうち内周側及び外周側抵抗発熱体が形成された平面よりもウエハ載置面に近い側では、冷却板による抜熱がないため、セラミック基体の厚み方向の温度はおおむね一定である。そのため、こちら側に第１及び第２の導電面を形成した場合には上述したようなクラックが生じにくい。

【0009】

本発明のセラミックヒータにおいて、前記別の平面には、前記第１及び第２の導電面の周りにダミー導電面が設けられ、前記第１及び第２の導電面と前記ダミー導電面は、前記セラミック基体をウエハ載置面と平行な面で切断したときの断面のほぼ全体を覆う大きさであることが好ましい。こうすれば、第１及び第２の導電面が形成された平面はその全体が第１及び第２の導電面とダミー導電面によってほぼ覆われているため、その平面を垂直方向に熱が伝導するときの熱伝導率が略同じになる。したがって、均熱性が一層向上する。

【0010】

本発明のセラミックヒータにおいて、前記第１及び第２の導電面は、前記セラミック基体をウエハ載置面と平行な面で切断したときの断面のほぼ全体を覆う大きさであることが好ましい。こうすれば、第１及び第２の導電面が形成された平面はその全体が第１及び第２の導電面によってほぼ覆われているため、その平面を垂直方向に熱が伝導するときの熱伝導率が略同じになる。したがって、均熱性が一層向上する。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】セラミックヒータ１０の平面図。

【図2】図１のＡ−Ａ断面図。

【図3】セラミックヒータ１０の使用状態を示す説明図。

【図4】セラミックヒータ１０の均熱性を評価する装置の説明図。

【図5】他の実施形態のセラミックヒータの断面図。

【図6】他の実施形態のセラミックヒータの断面図。

【図7】セラミックヒータ１１０の平面図。

【発明を実施するための形態】

【0012】

次に、本発明の好適な一実施形態であるセラミックヒータ１０について以下に説明する。図１はセラミックヒータ１０の平面図、図２は図１のＡ−Ａ断面図である。

【0013】

セラミックヒータ１０は、セラミック基体１２と、内周側抵抗発熱体２０と、外周側抵抗発熱体２４とを備えている。

【0014】

セラミック基体１２は、セラミック（例えばアルミナセラミックや窒化アルミセラミック）で作製された円盤状の部材である。このセラミック基体１２の上面は、ウエハを載置するウエハ載置面１２ａであり、セラミック基体１２の下面は、冷却板４０（図３参照）と接合する冷却板接合面１２ｂである。

【0015】

内周側抵抗発熱体２０は、セラミック基体１２の内周側の領域１４に埋設されている。ここで、内周側の領域１４は、図１中、内周ラインＬｉｎよりも内側の円形領域のことをいう。この内周側抵抗発熱体２０は、一端２０ａから他端２０ｂまでを一筆書きの要領で内周側の領域１４の全域に行き渡るように配線されている。また、内周側抵抗発熱体２０の一端２０ａと他端２０ｂは、それぞれ一対の内周側給電端子の一方２２ａと他方２２ｂに接続されている。一対の内周側給電端子２２ａ，２２ｂは、セラミック基体１２の冷却板接合面１２ｂから外部へ露出している。一対の内周側給電端子２２ａ，２２ｂへ電力を供給すると、内周側抵抗発熱体２０に電流が流れて内周側抵抗発熱体２０が発熱する。

【0016】

外周側抵抗発熱体２４は、セラミック基体１２の外周側の領域１６に埋設されている。ここで、外周側の領域１６は、図１中、内周ラインＬｉｎよりも外側で外周ラインＬｏｕｔよりも内側の環状領域のことをいう。この外周側抵抗発熱体２４は、一端２４ａから他端２４ｂまでを一筆書きの要領で外周側の領域１６の全域に行き渡るように、且つ、内周側抵抗発熱体２０と同一の平面Ｐ１上に配線されている。また、外周側抵抗発熱体２４の一端２４ａと他端２４ｂは、それぞれセラミック基体１２の厚み方向に延びる一対の接続端子２６ａ，２６ｂが接続されている。一対の外周側給電端子２８ａ，２８ｂは、内周側の領域１４の中央付近にてセラミック基体１２の厚み方向に沿う形状に設けられ、下端がセラミック基体１２の冷却板接合面１２ｂから外部へ露出している。第１及び第２の導電面３０ａ，３０ｂは、内周側抵抗発熱体２０とオーバーラップするように、内周側及び外周側抵抗発熱体２０，２４が形成された平面Ｐ１とは別の平面Ｐ２にそれぞれ独立して埋設されている。平面Ｐ２は、平面Ｐ１とウエハ載置面１２ａとの間に位置している。そして、外周側抵抗発熱体２４の一端２４ａは、接続端子２６ａ及び第１の導電面３０ａを介して外周側給電端子２８ａに接続され、外周側抵抗発熱体２４の他端２４ｂは、接続端子２６ｂ及び第２の導電面３０ｂを介して外周側給電端子２８ｂに接続されている。このため、一対の外周側給電端子２８ａ，２８ｂへ電力を供給すると、外周側抵抗発熱体２４に電流が流れて外周側抵抗発熱体２４が発熱する。

【0017】

内周側及び外周側抵抗発熱体２０，２４は、コイル形状、リボン形状、メッシュ形状、板状又は膜状であり、例えばＷ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｎｉの単体又は化合物（炭化物など）を主成分とする材料、それらを組み合わせた材料、あるいはそれらとセラミック基体１２の原料との混合材料などによって作製される。

【0018】

次に、セラミックヒータ１０の使用方法の一例について説明する。図３は、セラミックヒータ１０の使用状態を示す説明図である。まず、セラミックヒータ１０の冷却板接合面１２ｂに冷却板４０を接着層４２を介して接合する。冷却板４０の内部には、冷媒を通過させる冷媒通路４０ａが形成されている。冷媒通路４０ａには、チラーユニット５２を接続する。チラーユニット５２は、冷媒通路４０ａに冷媒を循環させるユニットである。冷却板４０のうち内周側給電端子２２ａ，２２ｂや外周側給電端子２８ａ，２８ｂと対向する位置には、それぞれ貫通孔４０ｂが厚さ方向に貫通するように設けられている。これらの貫通孔４０ｂを介して、各給電端子２２ａ，２２ｂ，２８ａ，２８ｂとヒータ電源５０とを接続する。次いで、冷却板４０の下面にパイプ状の支持台４４を取り付ける。その後、冷却板４０及び支持台４４を取り付けたセラミックヒータ１０のウエハ載置面１２ａにウエハＷを載置し、チャンバ４６の内部に配置する。この状態で、チャンバ４６の内部空間を真空にする。なお、支持台４４の内部空間は大気に通じている。そして、ヒータ電源５０から内周側及び外周側抵抗発熱体２０，２４に電力を供給すると共に、チラーユニット５２から冷媒通路４０ａへ冷媒を循環する。ウエハＷの温度は、内周側及び外周側抵抗発熱体２０，２４によって加熱されると共に冷却板４０によって温度が上がり過ぎないように調整されるため、所定の温度に維持することができる。

【0019】

ここで、図２に示すように、外周側抵抗発熱体２４の一端２４ａは、第１の導電面３０ａを介して外周側給電端子２８ａに接続され、外周側抵抗発熱体２４の他端２４ｂは、第２の導電面３０ｂを介して外周側給電端子２８ｂに接続されている。第１及び第２の導電面３０ａ，３０ｂは、ヒータ素線に比べて断面積が大きいため、電流が流れたとしてもほとんど発熱しない。そのため、第１及び第２の導電面３０ａ，３０ｂによって均熱性が損なわれることがない。

【0020】

第１及び第２の導電面３０ａ，３０ｂの断面積は、以下のように設定してもよい。すなわち、外周側抵抗発熱体２４に所定の電流を通電したときの第１及び第２の導電面３０ａ，３０ｂの断面積と発熱量との関係を実験で求め、断面積をそれ以上大きくしても発熱量が変わらないような断面積に設定してもよい。もしくは、内周側及び外周側抵抗発熱体２０，２４の断面積の１０倍以上の断面積となるように設定してもよい。こうすれば、第１及び第２の導電面３０ａ，３０ｂの発熱量は内周側及び外周側抵抗発熱体２０，２４の１％以下となり、第１及び第２の導電面３０ａ，３０ｂはほとんど発熱しないので、均熱性を向上することができる。また、第１及び第２の導電面３０ａ，３０ｂは同一平面に形成されているため、それによっても均熱性が向上する。

【0021】

以上詳述した本実施形態のセラミックヒータ１０によれば、外周側抵抗発熱体２４への給電を内周側及び外周側抵抗発熱体２０，２４が形成された平面Ｐ１とは異なる平面Ｐ２を介して行う構造を採用しているにもかかわらず、均熱性が損なわれることがなく、従来に比べて均熱性が一層向上する。

【0022】

また、第１及び第２の導電面３０ａ，３０ｂは、内周側及び外周側抵抗発熱体２０，２４が存在している平面Ｐ１よりもウエハ載置面１２ａに近い平面Ｐ２に形成されているため、第１及び第２の導電面３０ａ，３０ｂを埋設した部分に大きな応力がかからず、セラミック基体１２にクラックが生じにくい。すなわち、セラミック基体１２のうち内周側及び外周側抵抗発熱体２０，２４が形成された平面Ｐ１よりも冷却板接合面１２ｂに近い側では、冷却板４０によって抜熱されるため、平面Ｐ１と冷却板接合面１２ｂとの間に比較的大きな温度差が生じる。こうした温度差の大きな箇所に第１及び第２の導電面３０ａ，３０ｂを配置すると、第１及び第２導電面３０ａ，３０ｂへの応力集中によりセラミック基体１２にクラックが生じるおそれがある。一方、セラミック基体１２のうち平面Ｐ１よりもウエハ載置面１２ａに近い側では、冷却板４０による抜熱がないため、セラミック基体１２の厚み方向の温度はおおむね一定である。そのため、こちら側に第１及び第２の導電面３０ａ，３０ｂを形成した場合には第１及び第２導電面３０ａ，３０ｂへの応力集中は発生せず、上述したようなクラックが生じにくい。

【0023】

なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施し得ることはいうまでもない。

【0024】

例えば、上述した実施形態では、セラミックヒータ１０を内周側の領域１４と外周側の領域１６の２つに分割して各領域１４，１６の内周側及び外周側抵抗発熱体２０，２４を同一平面に配置したが、セラミックヒータ１０を内周側の領域、中間の領域、外周側の領域の３つに分割して各領域の抵抗発熱体を同一平面に配置してもよい。この場合、内周側抵抗発熱体と中間の領域の抵抗発熱体の構成は上述した実施形態の内周側及び外周側抵抗発熱体２０，２４の構成に準じて形成し、内周側及び外周側抵抗発熱体の構成も上述した実施形態に準じて形成すればよい。この場合、同一面に複数の導電面を設けることにより、各抵抗発熱体からウエハ載置面までの距離を小さくすることができる。このようにセラミック基体１２を３つの領域に分割した場合でも、上述した実施形態と同様の効果が得られる。なお、分割する領域の数は４つ以上でもよい。

【0025】

上述した実施形態では、セラミック基体１２の平面Ｐ２のうち第１及び第２の導電面３０ａ，３０ｂの周りにはセラミックが存在している構成としたが、図５に示すように、平面Ｐ２のうち第１及び第２の導電面３０ａ，３０ｂの周りにそれらと同じ材質で同じ厚みのダミー導電面３２を設けてもよい。なお、図５は、ダミー導電面３２を設けたセラミックヒータの断面図である。この断面図は、ウエハ載置面と平行な面でセラミックヒータの第１及び第２導電面３０ａ，３０ｂが形成されている位置で切断したときの断面を示す。ダミー導電面３２は、第１及び第２の導電面３０ａ，３０ｂとは電気的に絶縁されている。第１及び第２の導電面３０ａ，３０ｂとダミー導電面３２は、セラミック基体１２の円形断面のほぼ全体を覆う大きさに設計されているため、上述した実施形態に比べて均熱性が一層向上する。すなわち、上述した実施形態では、セラミックス基体１２の平面Ｐ２のうち第１及び第２の導電面３０ａ，３０ｂが存在する部分と存在しない部分とで平面Ｐ２を垂直方向に熱が伝導するときの熱伝導率が異なるため、それが均熱性に影響を与えるおそれがあったが、図５の構成ではそのようなおそれが解消される。

【0026】

上述した実施形態では、第１及び第２の導電面３０ａ，３０ｂを平面視で長方形状となるように形成したが、長方形以外の形状、例えば台形や長円形、半円状に形成してもよい。図６は、上述した実施形態のセラミックヒータ１０における第１及び第２の導電面３０ａ，３０ｂの代わりに、半円状の第１及び第２の導電面１３０ａ，１３０ｂを採用した場合の断面図である。この断面図は、ウエハ載置面と平行な面でセラミックヒータ１０の第１及び第２導電面１３０ａ，１３０ｂが形成されている位置で切断したときの断面を上から見たときの様子を示す。この場合、第１及び第２の導電面１３０ａ，１３０ｂは、セラミック基体１２の円形断面のほぼ全体を覆うため、平面Ｐ２を垂直方向に熱が伝導するときの熱伝導率が略同じになり、上述した実施形態に比べて均熱性が一層向上する。なお、図５では、第１及び第２の導電面１３０ａ，１３０ｂを半円状に形成したが、セラミック基体１２の円形断面のほぼ全体を覆う形状であれば、同様の効果が得られる。

【0027】

上述した実施形態において、セラミック基体１２に内周側及び外周側抵抗発熱体２０，２４のほかに静電電極を埋設したりＲＦ電極を埋設したりしてもよい。静電電極は、ウエハ載置面１２ａに載置したウエハＷをクーロン力又はジョンソン・ラーベック力で吸着する際に利用する電極であり、ＲＦ電極は、プラズマを発生する際に利用する電極である。

【実施例】

【0028】

図４に示す均熱性評価装置を組み立てた。この均熱性評価装置は、図３のチャンバ４６の天井面に窓４６ａを設け、この窓４６ａから赤外線カメラ５４でセラミック基体１２のウエハ載置面１２ａの複数点の温度を測定するようにしたものである。

【0029】

実施例として、アルミナセラミック製のセラミック基体１２に、ＷＣとアルミナとの混合物からなる内周側抵抗発熱体２０、外周側抵抗発熱体２４、各給電端子２２ａ，２２ｂ，２８ａ，２８ｂ、各接続端子２６ａ，２６ｂ、各導電面３０ａ，３０ｂを埋設したセラミックヒータ１０を作製した。セラミック基体１２のサイズは、直径３００ｍｍ、厚さ５ｍｍとした。また、内周側の領域１４は、セラミック基体１２と同じ中心を持つ直径２４０ｍｍの円形領域とし、外周側の領域１６は、セラミック基体１２と同じ中心を持つ直径２９６ｍｍの円と直径２４０ｍｍの円に囲まれた環状領域とした。冷却板４０として、アルミニウム製のプレートを使用した。冷却板４０のサイズは、直径３２０ｍｍ、厚さ１８ｍｍとした。接着層４２として、厚さ０．３ｍｍの絶縁性のシリコーン樹脂層を使用した。

【0030】

ヒータパワーを３０００Ｗ、冷媒の温度を２０℃、冷媒の流量を１０Ｌ／ｍｉｎとして、ウエハ載置面１２ａの複数の点の温度を測定し、それらの測定温度から面内平均温度を算出し、その面内平均温度と最も温度差の大きな点を特異点とした。そうしたところ、特異点の温度と面内平均温度との差は−２℃であった。

【0031】

一方、比較例として、図７に示すセラミックヒータ１１０を作製した。セラミックヒータ１１０は、内周側及び外周側抵抗発熱体１２０，１２４とを同一の平面Ｐ１上に形成した点は、セラミックヒータ１０と同じである。但し、セラミックヒータ１０と異なり、外周側抵抗発熱体１２４の一端１２４ａから一対の給電端子の一方１２８ａを繋ぐヒータ素線２３０ａと、外周側抵抗発熱体１２４の他端１２４ｂから一対の給電端子の他方１２８ｂを繋ぐヒータ素線２３０ｂとを、平面Ｐ１（図２参照）上に形成した。このため、ヒータ素線２３０ａ，２３０ｂを通過させる領域は、内周側抵抗発熱体１２０を配線できない領域となった。このセラミックヒータ１１０について、均熱性評価装置により均熱性を評価したところ、特異点の温度と面内平均温度との差は−５℃であった。これは、セラミックヒータ１０に比べて、ヒータ素線２３０ａ，２３０ｂを通過させる領域に内周側抵抗発熱体１２０を配線できなかったため、内周側の領域１４の均熱性が低下したことによる。

【符号の説明】

【0032】

１０ セラミックヒータ、１２ セラミック基体、１２ａ ウエハ載置面、１２ｂ 冷却板接合面、１４ 内周側の領域、１６ 外周側の領域、Ｐ１ 平面、Ｐ２ 平面、２０ 内周側抵抗発熱体、２０ａ 内周側抵抗発熱体の一端、２０ｂ 内周側抵抗発熱体の他端、２２ａ，２２ｂ 内周側給電端子、２４ 外周側抵抗発熱体、２４ａ 外周側抵抗発熱体の一端、２４ｂ 外周側抵抗発熱体の他端、２６ａ，２６ｂ 接続端子、２８ａ，２８ｂ 外周側給電端子、３０ａ，１３０ａ 第１の導電面、３０ｂ，１３０ｂ 第２の導電面、３２ ダミー導電面、４０ 冷却板、４０ａ 冷媒通路、４０ｂ 貫通孔、４２ 接着層、４４ 支持台、４６ チャンバ、４６ａ 窓、５０ ヒータ電源、５２ チラーユニット、５４ 赤外線カメラ、１１０ セラミックヒータ、１２０ 内周側抵抗発熱体、１２４ 外周側抵抗発熱体、１２４ａ 外周側抵抗発熱体の一端、１２４ｂ 外周側抵抗発熱体の他端、１２８ａ，１２８ｂ 外周側給電端子、２３０ａ，２３０ｂ ヒータ素線。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】