特許6086983メモリセルおよび磁気メモリセル構造のアレイの形成方法、ならびに関連するメモリセルおよびメモリセル構造

発明の名称　メモリセルおよび磁気メモリセル構造のアレイの形成方法、ならびに関連するメモリセルおよびメモリセル構造

出願人　マイクロン　テクノロジー，　インク．　（識別番号 595168543）

　　　　特許公開件数ランキング 1918 位（10件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 1169 位（16件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-6086983

公報発行日　2017年3月1

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6086983

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