特許6101689ゲート抵抗器とダイオード接続ＭＯＳＦＥＴが統合されたパワーＭＯＳＦＥＴ

発明の名称　ゲート抵抗器とダイオード接続ＭＯＳＦＥＴが統合されたパワーＭＯＳＦＥＴ

出願人　日本テキサス・インスツルメンツ株式会社　（識別番号 390020248）

　　　　特許公開件数ランキング 3282 位（7件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 2166 位（26件）（共同出願を含む）

出願人　テキサス　インスツルメンツ　インコーポレイテッド　（識別番号 507107291）

　　　　特許公開件数ランキング 360 位（88件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 346 位（81件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-6101689

公報発行日　2017年3月22

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6101689

知財ポータルサイト IP Force にログインすれば、特許-6101689「ゲート抵抗器とダイオード接続ＭＯＳＦＥＴが統合されたパワーＭＯＳＦＥＴ」の公報全文を閲覧することができます。

ログインはこちら　ログイン・ユーザー登録