特許 6125814 磁気ディスク基板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6125814

(24)【登録日】2017年4月14日

(45)【発行日】2017年5月10日

(54)【発明の名称】磁気ディスク基板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   G11B 5/84 20060101AFI20170424BHJP

   B24B 37/00 20120101ALI20170424BHJP

   B24B 1/00 20060101ALI20170424BHJP

【ＦＩ】

   G11B5/84 A

   B24B37/00 H

   B24B1/00 D

【請求項の数】13

【全頁数】33

(21)【出願番号】特願2012-267313(P2012-267313)

(22)【出願日】2012年12月6日

(65)【公開番号】特開2014-29754(P2014-29754A)

(43)【公開日】2014年2月13日

【審査請求日】2015年9月11日

(31)【優先権主張番号】特願2012-151688(P2012-151688)

(32)【優先日】2012年7月5日

(33)【優先権主張国】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000000918

【氏名又は名称】花王株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000040

【氏名又は名称】特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ

(72)【発明者】

【氏名】木村 陽介

【審査官】 中野 和彦

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１２−０４３４９３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００９−１７２７０９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１１−１６１５９９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００３−１７０３４９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１２−０２０３７７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００５−２６４０５７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１１−０７６６６７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００９−１７６３９７（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｇ１１Ｂ ５／８４

Ｂ２４Ｂ １／００

Ｂ２４Ｂ ３７／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

（１）シリカ粒子Ａ及び水を含有する研磨液組成物Ａを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程；
（２）工程（１）で得られた基板を洗浄する工程；及び、
（３）シリカ粒子Ｂ及び水を含有する研磨液組成物Ｂを工程（２）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程；
を有し、
前記工程（１）と（３）は別の研磨機で行い、
前記シリカ粒子Ａは、電子顕微鏡観察で得られる粒子の絶対最大長の平均が８０〜５００ｎｍであり、前記絶対最大長を直径とする円の面積ｂを電子顕微鏡観察で得られる該粒子の投影面積ａで除して１００を乗じた面積比（ｂ／ａ×１００）の平均が１１０〜２００％であり、
前記シリカ粒子Ａが、前記面積比（ｂ／ａ×１００）が１１０〜２００％であるシリカ粒子を、全シリカ粒子Ａに対して５０質量％以上含有する、磁気ディスク基板の製造方法。

【請求項2】

工程（１）の研磨における研磨量が、０．３０〜２．６０ｍｇ／ｃｍ²である、請求項１記載の磁気ディスク基板の製造方法。

【請求項3】

研磨液組成物Ａの研磨速度低下率が、１５％以下であり、
前記研磨速度低下率は、研磨機内で研磨液組成物を４分間流した時の研磨速度を基準速度とし、４分経過以降は研磨液の供給を停止させたまま研磨を継続して供給停止の１分後の研磨速度を停止後速度とし、前記基準速度と前記停止後速度の差を前記基準速度で除して１００を乗じた値である、請求項１又は２に記載の磁気ディスク基板の製造方法。

【請求項4】

研磨液組成物Ａがアルミナ砥粒を含まない、請求項１から３のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。

【請求項5】

シリカ粒子Ａが水ガラス法で製造されたシリカ粒子である、請求項１から４のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。

【請求項6】

レーザー光散乱法で測定したシリカ粒子Ａの体積平均粒子径（Ｄ５０）が、５０〜５００ｎｍである、請求項１から４のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。

【請求項7】

レーザー光散乱法で測定したシリカ粒子Ｂの体積平均粒子径（Ｄ５０）が、シリカ粒子Ａの体積平均粒子径（Ｄ５０）より小さいシリカ粒子である、請求項１から６のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。

【請求項8】

シリカ粒子Ａが下記粒子Ａ１及び粒子Ａ２を含み、Ａ１／Ａ２の質量比率が５／９５〜９５／５の範囲にあり、シリカ粒子Ａにおける前記粒子Ａ１及びＡ２の合計量が８０質量％以上である、請求項１から７のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
Ａ１）粒径が５倍以上異なる２種以上の粒子が凝集、融着した粒子
Ａ２）粒径が１．５倍以内の２種以上の粒子が凝集、融着した粒子

【請求項9】

前記研磨液組成物Ａ及びＢのｐＨが０．５〜６．０である、請求項１から８のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。

【請求項10】

被研磨基板が、Ｎｉ−Ｐめっきアルミニウム合金基板である、請求項１から９のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。

【請求項11】

工程（１）で研磨された被研磨基板又は工程（２）の洗浄後の基板の少なくとも１枚について、５００〜５０００μｍの波長のうねりを測定すること、及び、前記うねりが３．５Å（０．３５ｎｍ）以下である場合に工程（３）を行うことを含む、請求項１から１０のいずれかに記載の製造方法。

【請求項12】

（１）シリカ粒子Ａ及び水を含有する研磨液組成物Ａを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程；
（２）工程（１）で得られた基板を洗浄する工程；及び、
（３）シリカ粒子Ｂ及び水を含有する研磨液組成物Ｂを工程（２）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程；
を有し、
前記工程（１）と（３）は別の研磨機で行い、
前記シリカ粒子Ａは、電子顕微鏡観察で得られる粒子の絶対最大長の平均が８０〜５００ｎｍであり、前記絶対最大長を直径とする円の面積ｂを電子顕微鏡観察で得られる該粒子の投影面積ａで除して１００を乗じた面積比（ｂ／ａ×１００）の平均が１１０〜２００％であり、
前記シリカ粒子Ａが、前記面積比（ｂ／ａ×１００）が１１０〜２００％であるシリカ粒子を、全シリカ粒子Ａに対して５０質量％以上含有する、磁気ディスク基板の研磨方法。

【請求項13】

研磨液組成物Ａを用いて被研磨基板の研磨する第一の研磨機と、
前記第一研磨機で研磨した基板を洗浄する洗浄ユニットと、
研磨液組成物Ｂを用いて洗浄後の基板を研磨する第二の研磨機とを備える磁気ディスク基板の研磨システムであって、
前記研磨液組成物Ａが水とシリカ粒子Ａを含有し、
前記シリカ粒子Ａは、電子顕微鏡観察で得られる粒子の絶対最大長の平均が８０〜５００ｎｍであり、前記絶対最大長を直径とする円の面積ｂを電子顕微鏡観察で得られる該粒子の投影面積ａで除して１００を乗じた面積比（ｂ／ａ×１００）の平均が１１０〜２００％であり、
前記シリカ粒子Ａが、前記面積比（ｂ／ａ×１００）が１１０〜２００％であるシリカ粒子を、全シリカ粒子Ａに対して５０質量％以上含有し、
前記研磨液組成物Ｂが水とシリカ粒子Ｂを含有する、研磨システム。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、磁気ディスク基板の製造方法及び磁気ディスク基板の研磨方法に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、磁気ディスクドライブは小型化・大容量化が進み、高記録密度化が求められている。そこで、高記録密度磁気信号の検出感度を向上させる必要があり、磁気ヘッドの浮上高さをより低下するためには、単位記録面積を縮小する技術開発が進められている。磁気ディスク基板は、磁気ヘッドの低浮上化と記録面積の確保に対応するため、平滑性及び平坦性の向上（表面粗さ、うねり、端面ダレの低減）や表面欠陥低減（残留砥粒、スクラッチ、突起、ピット等の低減）が厳しく要求されている。

【0003】

このような要求に対して、より平滑で、傷が少ないといった表面品質向上と生産性の向上を両立させる観点から、ハードディスク基板の製造方法においては、２段階以上の研磨工程を有する多段研磨方式が採用されることが多い。一般に、多段研磨方式の最終研磨工程、即ち、仕上げ研磨工程では、表面粗さの低減、スクラッチ、突起、ピット等の傷の低減という要求を満たすために、コロイダルシリカ粒子を含む仕上げ用研磨液組成物が使用され、仕上げ研磨工程より前の研磨工程（粗研磨工程ともいう）では、生産性向上の観点から、アルミナ粒子を含む研磨液組成物が使用される（例えば、特許文献１）。

【0004】

アルミナ粒子を砥粒として使用した場合、アルミナ粒子の基板への突き刺さりに起因するテキスチャースクラッチによって、メディアの欠陥を引き起こすことがある。このような問題を解決するために、平均二次粒子径が０．１〜０．７μｍの酸化アルミニウム粒子及び酸を含有する研磨液組成物を用いて、所定の研磨荷重で基板を研磨する粗研磨工程、並びにコロイダル粒子を含有する研磨液組成物を用いて、粗研磨工程で得られた基板を所定の研磨量で研磨する仕上げ研磨工程を有する磁気ディスク基板の製造方法が提案されている(例えば、特許文献２)。

【0005】

最近では、アルミナ粒子の基板への突き刺さりをさらに低減する技術として、特定粒径のアルミナ粒子と、特定粒度分布を有するシリカ粒子を含む研磨液組成物が提案されている（例えば、特許文献３）。

【0006】

また、アルミナ粒子の基板への突き刺さりをさらに低減する技術として（１）アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ａを用いて研磨する工程、（２）工程（１）で得られた基板をリンス処理する工程、（３）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｂを工程（２）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程を同一の研磨機で行い、工程（４）を前記研磨機とは別の研磨機で行う磁気ディスク基板の製造方法が提案されている（例えば、特許文献４）。

【0007】

一般的にシリカ粒子を用いた場合、アルミナ粒子と比較して研磨速度が低いことが知られている。そこで、これまでにシリカ粒子による速度向上検討が行われてきた（例えば、特許文献５〜７）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0008】

【特許文献1】特開２００５−６３５３０号公報

【特許文献2】特開２００７−１６８０５７号公報

【特許文献3】特開２００９−１７６３９７号公報

【特許文献4】特開２０１１−２０４３２７号公報

【特許文献5】特開２００９−９１１９７号公報

【特許文献6】特開２０１０−１９２９０４号公報

【特許文献7】特開２００８−１３６５５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0009】

しかしながら、アルミナを使用する限りはアルミナ粒子の基板への突き刺さりはゼロにはならず、また、シリカ粒子を用いた場合、研磨速度はアルミナ粒子と比較して未だ不十分であり、アルミナ粒子よりも切削力が弱いため長波長うねりを低減し難いことが分かっている（例えば、特許文献１、５〜７）。

【0010】

磁気ディスクドライブの大容量化に伴い、基板の表面品質に対する要求特性はさらに厳しくなっており、粗研磨工程において、アルミナ粒子の基板への残留(例えば、アルミナ付着、アルミナ突き刺さり)をさらに低減できる研磨液組成物の開発が求められている。粒子の突き刺さりを低減する手段として、理想の粒子としてアルミナのように粉砕法でなく、形状も比較的尖っておらず、硬度もアルミナより軟らかい粒子が望まれ、シリカ粒子は粒子成長法で生成し、アルミナよりも硬度が軟らかいことからアルミナ代替として期待できる。ところが、シリカ粒子を用いる方法では、長波長うねりが大幅に悪化し、粗研磨後の目標値を達成するためには長時間の粗研磨が必要となり現実的ではない。

【0011】

そこで、本発明は、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間が短縮でき、かつ、アルミナ粒子を用いたときよりも基板への残留砥粒(突起欠陥)を大幅に低減できる磁気ディスク基板の製造方法を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0012】

本発明は、一態様において、下記（１）〜（３）の工程を有する磁気ディスク基板の製造方法に関する。
（１）シリカ粒子Ａ及び水を含有する研磨液組成物Ａを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程。
（２）工程（１）で得られた基板を洗浄する工程。
（３）シリカ粒子Ｂ及び水を含有する研磨液組成物Ｂを工程（２）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程。
ここで、前記工程（１）と（３）は別の研磨機で行う。また、前記研磨液組成物Ａに含まれるシリカ粒子Ａは、電子顕微鏡観察で得られる粒子の絶対最大長の平均が８０〜５００ｎｍであり、前記絶対最大長を直径とする円の面積ｂを電子顕微鏡観察で得られる該粒子の投影面積ａで除して１００を乗じた面積比（ｂ／ａ×１００）の平均が１１０〜２００％である。さらに、前記シリカ粒子Ａは、前記面積比（ｂ／ａ×１００）が１１０〜２００％であるシリカ粒子を、全シリカ粒子Ａに対して５０質量％以上含有する。

【0013】

本発明は、一態様において、上記（１）〜（３）の工程を有する磁気ディスク基板の研磨方法に関し、その他の態様において、上記（１）〜（３）の工程を行う研磨システムに関する。

【発明の効果】

【0014】

本発明の製造方法は、アルミナ粒子を使用しないから粗研磨後及び仕上げ研磨後の突起欠陥を大幅に低減できる。また、本発明の製造方法によれば、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間が短縮できる。その結果、基板品質が向上した磁気ディスク基板を生産性よく製造できるという効果が奏されうる。

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】図１は、金平糖型コロイダルシリカ砥粒Ａの電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察写真の一例である。

【図2】図２は、異形型コロイダルシリカ砥粒Ｄの電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察写真の一例である。

【図3】図３は、研磨システムの一実施形態を説明する図である。

【図4】図４は、磁気ディスク基板の製造方法の研磨工程の一実施形態を説明する図である。

【発明を実施するための形態】

【0016】

磁気ディスク基板の研磨工程においてアルミナ粒子を使用しない粗研磨工程及び仕上げ研磨工程を採用すれば、残留アルミナ(例えば、アルミナ付着、アルミナ突き刺さり)を無くすことができるから突起欠陥が低減する。しかし、アルミナ粒子に換えて従来のシリカ粒子を砥粒とした研磨液組成物で粗研磨工程及び仕上げ研磨工程を行う場合、突起欠陥や長波長うねり等の基板表面の状態を良好にするためには、粗研磨工程及び仕上げ研磨工程の研磨時間が長くなるという問題がある。なぜなら、研磨時に研磨パッドと基板の間で起こる振動による長波長うねり悪化を改善するためにアルミナ粒子と同等の研磨量を必要とし、また、アルミナよりも研磨速度が著しく遅いシリカ粒子を用いるからである。本明細書が開示する所定のパラメータで規定される非球状シリカ粒子を砥粒とした粗研磨工程であれば、粗研磨においても少ない研磨量で突起欠陥の除去が可能となり、かつ、特に、実質的にアルミナ粒子を含まない場合であっても、長波長うねりの低減もできるから研磨量を少なく設定することができる。これにより、粗研磨時間を低減でき、また、粗研磨後の突起欠陥が少なく長波長うねりも低減されているので仕上げ研磨時間も低減できる。結果として、研磨後の基板の長波長うねり及び突起欠陥を低減するために必要な総研磨時間（粗研磨時間＋仕上げ研磨時間）を短縮でき、前記問題を解決できる。本発明は、一態様において以上の知見に基づく。

【0017】

本発明の製造方法によって粗研磨において少ない研磨量で突起欠陥の除去と長波長うねりの低減ができる理由の詳細は明らかではないが、以下のように推定される。粗研磨時に特定の非球状シリカ粒子を用いることで研磨中の研磨パッドと基板の被研磨面の間に生じる粒子濃縮状態において粒子全体が固定化され、パッドの砥粒保持性が向上し、砥粒の切削距離が拡大する。これにより従来のシリカ粒子を使用した場合に比べ、広範囲にわたって均一に研磨圧がかかり、基板上の凸部が均一に研磨される。また、研磨時に研磨パッドと基板の間で起こる振動も少なくなり長波長うねりが低減すると推定している。また、アルミナ粒子を使用しないことにより、粗研磨で取り除くべき研磨量を低減することができ、シリカ粒子自体の研磨速度はアルミナ粒子に比べて遅いが、それ以上に研磨時間を短縮できる。粗研磨で取り除くべき研磨量は、最低限のものでよく、研磨時間を長くしても長波長うねりにとってそれ以上の大きな改善はなく、むしろ、研磨時に研磨パッドと基板の間で起こる振動の影響で長波長うねりにとっては効果的とばかりはいえない。但し、本発明はこれらのメカニズムに限定して解釈されなくてもよい。

【0018】

一般に、磁気ディスクは、精研削工程を経たガラス基板や、Ｎｉ−Ｐメッキ工程を経たアルミニウム合金基板を、粗研磨工程、仕上げ研磨工程を経て研磨され、記録部形成工程を経て製造される。また、前記研磨の各工程の間にはリンス工程、洗浄工程が含まれることがある。

【0019】

本明細書において、基板の「うねり」とは、粗さよりも波長の長い基板表面の凹凸をいう。本明細書において「長波長うねり」とは、５００〜５０００μｍの波長により観測されるうねりをいう。研磨後の基板表面のうねりが低減されることにより、磁気ヘッドの浮上量が低減でき、磁気ディスク基板の記録密度向上が可能となる。基板表面の長波長うねりは、例えば、実施例に記載の測定器を用いて測定できる。

【0020】

本明細書において、「突起欠陥」は、主に、粗研磨工程後及び仕上げ研磨後の残留砥粒、砥粒付着、及び砥粒突き刺さりのことをいう。基板表面の突起欠陥は、例えば、研磨後に得られる基板表面の顕微鏡観察、走査型電子顕微鏡観察等、表面欠陥検査装置により評価することができ、具体的には実施例に記載した方法で評価できる。

【0021】

［磁気ディスク基板の製造方法］
一般に、磁気ディスクは、精研削工程を経たガラス基板やＮｉ−Ｐメッキ工程を経たアルミニウム合金基板を、粗研磨工程及び仕上げ研磨工程にて研磨した後、記録部形成工程にて磁気ディスク化することにより製造される。本発明は、一態様において、下記（１）〜（３）の工程を有する磁気ディスク基板の製造方法に関する。
（１）シリカ粒子Ａ及び水を含有する研磨液組成物Ａを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程。
（２）工程（１）で得られた基板を洗浄する工程。
（３）シリカ粒子Ｂ及び水を含有する研磨液組成物Ｂを工程（２）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程。

【0022】

［工程（１）：粗研磨工程］
工程（１）は、シリカ粒子Ａ及び水を含む研磨液組成物Ａを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程である。工程（１）で使用される研磨機としては、特に限定されず、磁気ディスク基板研磨用の公知の研磨機が使用できる。

【0023】

［工程（１）：被研磨基板］
工程（１）で粗研磨される被研磨基板は、磁気ディスク基板又は磁気ディスク基板に用いられる基板であり、例えば、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板や、珪酸ガラス、アルミノ珪酸ガラス、結晶化ガラス、強化ガラス等のガラス基板が挙げられる。中でも、本発明で使用される被研磨基板としては、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板が好ましい。上記被研磨基板の形状には特に制限はなく、例えば、ディスク状、プレート状、スラブ状、プリズム状等の平面部を有する形状や、レンズ等の曲面部を有する形状であればよい。中でも、ディスク状の被研磨基板が適している。ディスク状の被研磨基板の場合、その外径は例えば２〜９５ｍｍ程度であり、その厚みは例えば０．５〜２ｍｍ程度である。

【0024】

［工程（１）：研磨液組成物Ａ］
本明細書において、研磨液組成物Ａとは、前記工程（１）の粗研磨に使用される研磨液組成物である。研磨液組成物Ａは、水、及び、突起欠陥低減の観点から砥粒としてシリカ粒子Ａを含有する。また、研磨液組成物Ａは、突起欠陥低減の観点からアルミナ砥粒を含まないことが好ましい。本明細書において「アルミナ砥粒を含まない」とは、一又は複数の実施形態において、アルミナ粒子を含まないこと、実質的にアルミナ粒子を含まないこと、砥粒として機能する量のアルミナ粒子を含まないこと、又は、研磨結果に影響を与える量のアルミナ粒子を含まないこと、を含みうる。具体的なアルミナ粒子の含有量は、特に限定されるわけではないが、５質量％以下が好ましく、２質量％以下がより好ましく、１質量％以下がさらに好ましく、実質的に０％であることがさらにより好ましい。

【0025】

［工程（１）：シリカ粒子Ａ］
研磨液組成物Ａは、突起欠陥低減の観点から砥粒としてシリカ粒子Ａを含有する。一又は複数の実施形態において、研磨液組成物Ａに含まれるシリカ粒子をシリカ粒子Ａという。シリカ粒子Ａのシリカとしては、コロイダルシリカ、フュームドシリカ、表面修飾したシリカ等が挙げられる。粗研磨時の長波長うねり低減の観点、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点及び仕上げ研磨時の長波長うねりと突起欠陥低減の観点から、コロイダルシリカが好ましく、下記のパラメータを満たす特定の形状をもったコロイダルシリカがより好ましい。また、シリカ粒子Ａは、粗研磨時の長波長うねり低減の観点、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点及び仕上げ研磨時の長波長うねりと突起欠陥低減の観点から、火炎溶融法やゾルゲル法で製造されたものでなく、水ガラス法で製造されたシリカ粒子であることが好ましい。

【0026】

［工程（１）：シリカ粒子Ａの平均粒子径（Ｄ５０）］
本発明のシリカ粒子Ａの平均粒子径（Ｄ５０）は、レーザー光散乱法で測定した体積平均粒子径（Ｄ５０）である。シリカ粒子Ａの平均粒子径（Ｄ５０）は、粗研磨時の長波長うねり低減の観点、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点及び仕上げ研磨時の長波長うねりと突起欠陥低減の観点から、５０ｎｍ以上が好ましく、より好ましくは６０ｎｍ以上、さらに好ましくは１００ｎｍ以上、さらにより好ましくは１１０ｎｍ以上である。シリカ粒子Ａの平均粒子径（Ｄ５０）は、同様の観点から、５００ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは４００ｎｍ以下、さらに好ましくは３００ｎｍ以下、さらにより好ましくは２００ｎｍ以下、さらにより好ましくは１５０ｎｍ以下である。また、シリカ粒子Ａの平均粒子径（Ｄ５０）は、同様の観点から、好ましくは５０〜５００ｎｍであり、より好ましくは６０〜４００ｎｍ、さらに好ましくは１００〜３００ｎｍ、さらにより好ましくは１１０〜２００ｎｍ、さらにより好ましくは１１０〜１５０ｎｍである。シリカ粒子の平均粒子径（Ｄ５０）が前記範囲内であると、研磨切削時の物理研磨力が強く、効果的に長波長うねりが低減されると考えられる。また、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点及び長波長うねり低減の観点から、シリカ粒子Ａの平均粒子径（Ｄ５０）は５０ｎｍ以上が好ましく、より好ましくは６０ｎｍ以上、さらに好ましくは６５ｎｍ以上、さらにより好ましくは７０ｎｍ以上である。同様の観点から、５００ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは４００ｎｍ以下、さらに好ましくは３００ｎｍ以下、さらにより好ましくは２００ｎｍ以下、さらにより好ましくは１８０ｎｍ以下である。また、シリカ粒子Ａの平均粒子径（Ｄ５０）は、同様の観点から、好ましくは５０〜５００ｎｍであり、より好ましくは６０〜４００ｎｍ、さらに好ましくは６５〜３００ｎｍ、さらにより好ましくは７０〜２００ｎｍ、さらにより好ましくは７０〜１８０ｎｍである。また、シリカ粒子Ａの平均粒子径（Ｄ５０）は粗研磨後の長波長うねりを低減する観点及び仕上げ研磨後の突起欠陥及び長波長うねりの低減の観点から、５０ｎｍ以上が好ましく、より好ましくは６０ｎｍ以上、さらに好ましくは６５ｎｍ以上である。同様の観点から、５００ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは３００ｎｍ以下、さらに好ましくは７３ｎｍ以下である。また、シリカ粒子Ａの平均粒子径（Ｄ５０）は、同様の観点から、好ましくは５０〜５００ｎｍであり、より好ましくは６０〜３００ｎｍ、さらに好ましくは６５〜７３ｎｍである。なお、平均粒子径（Ｄ５０）は、実施例に記載の方法により求めることができる。

【0027】

［工程（１）：シリカ粒子Ａの絶対最大長］
本明細書において、粒子の絶対最大長とは、粒子の輪郭線上の任意の２点間の距離の最大値の長さをいう。シリカ粒子Ａの絶対最大長の平均値（以下、「平均絶対最大長」ともいう。）は、粗研磨時の長波長うねり低減の観点、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点及び仕上げ研磨時の長波長うねりと突起欠陥低減の観点から、８０ｎｍ以上であり、好ましくは９０ｎｍ以上、さらに好ましくは１００ｎｍ以上、さらにより好ましくは１１０ｎｍ以上、さらにより好ましくは１２０ｎｍ以上である。シリカ粒子Ａの平均絶対最大長は、同様の観点から、５００ｎｍ以下であり、好ましくは４００ｎｍ以下、より好ましくは３００ｎｍ以下、さらに好ましくは２００ｎｍ以下、さらにより好ましくは１５０ｎｍ以下である。また、シリカ粒子Ａの平均絶対最大長は、同様の観点から、好ましくは８０〜５００ｎｍであり、より好ましくは９０〜４００ｎｍ、さらに好ましくは９０〜３００ｎｍ、さらにより好ましくは９０〜１５０ｎｍである。シリカ粒子Ａの平均絶対最大長が前記範囲内であると、研磨切削時の物理研磨力が強く、パッドの砥粒保持性が向上するため、効果的に長波長うねりが低減されると考えられる。また、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点及び長波長うねり低減の観点から、シリカ粒子Ａの平均絶対最大長は、８０ｎｍ以上であり、好ましくは８２ｎｍ以上、さらに好ましくは８５ｎｍ以上である。シリカ粒子Ａの平均絶対最大長は、同様の観点から、５００ｎｍ以下であり、好ましくは４５０ｎｍ以下、より好ましくは４００ｎｍ以下、さらに好ましくは３８０ｎｍ以下、さらにより好ましくは３５０ｎｍ以下である。また、シリカ粒子Ａの平均絶対最大長は、同様の観点から、好ましくは８０〜５００ｎｍであり、より好ましくは８２〜４５０ｎｍ、さらに好ましくは８５〜４００ｎｍ、さらにより好ましくは８５〜３８０ｎｍ、さらにより好ましくは８５〜３５０ｎｍである。また、シリカ粒子Ａの平均絶対最大長は、粗研磨後の長波長うねりを低減する観点及び仕上げ研磨後の突起欠陥及び長波長うねりの低減の観点から、８０ｎｍ以上であり、好ましくは８３ｎｍ以上、さらに好ましくは８５ｎｍ以上である。シリカ粒子Ａの平均絶対最大長は、同様の観点から、５００ｎｍ以下であり、好ましくは３００ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以下である。また、シリカ粒子Ａの平均絶対最大長は、同様の観点から、好ましくは８０〜５００ｎｍであり、より好ましくは８３〜３００ｎｍ、さらに好ましくは８５〜１００ｎｍである。なお、平均絶対最大長は、実施例に記載の方法により求めることができる。

【0028】

［工程（１）：シリカ粒子Ａの面積比（ｂ／ａ×１００）］
本明細書において、面積比（ｂ／ａ×１００）とは、粒子の絶対最大長を直径とする円の面積ｂを、電子顕微鏡観察で得られる該粒子の投影面積ａで除して１００を乗じた値（％）をいう。

【0029】

シリカ粒子Ａの面積比（ｂ／ａ×１００）の平均値は、粗研磨時の長波長うねり低減の観点、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点及び仕上げ研磨時の長波長うねりと突起欠陥低減の観点から、１１０％以上である。また、同様の観点から、シリカ粒子Ａの面積比（ｂ／ａ×１００）の平均値は、２００％以下であり、好ましくは１８０％以下、より好ましくは１５０％以下、さらに好ましくは１４０％以下である。シリカ粒子Ａの面積比（ｂ／ａ×１００）の平均値は、粗研磨時の長波長うねり低減の観点、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点及び仕上げ研磨時の長波長うねりと突起欠陥低減の観点から、好ましくは１１０〜２００％であり、より好ましくは１１０〜１８０％、さらに好ましくは１１０〜１５０％、さらにより好ましくは１１０〜１４０％である。また、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点、速度低下率抑制、及び長波長うねり低減の観点から、面積比（ｂ／ａ×１００）の平均値は、１１０〜２００％であり、好ましくは１１５〜１９０％、より好ましくは１１５〜１８０％、さらに好ましくは１１５〜１７０％である。

【0030】

シリカ粒子Ａは、粗研磨時の長波長うねり低減の観点、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点及び仕上げ研磨時の長波長うねりと突起欠陥低減の観点から、シリカ粒子Ａを構成する個々のシリカ粒子の面積比（ｂ／ａ×１００）が１１０〜２００％であるシリカ粒子を、全シリカ粒子Ａ中に、５０質量％以上の割合で存在する。粗研磨時の長波長うねり低減の観点、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点及び仕上げ研磨時の長波長うねりと突起欠陥低減の観点から、全シリカ粒子中の面積比（ｂ／ａ×１００）の１１０〜２００％の範囲のシリカ粒子の割合は、６０質量％以上が好ましく、より好ましくは、８０〜１００質量％である。なお、個々のシリカ粒子の質量は、電子顕微鏡観察で得られる該粒子の投影面積ａを球断面積として球に換算して体積を求め、さらにシリカ粒子の密度を２．２ｇ／ｃｍ³として計算して得られる。

【0031】

シリカ粒子Ａが、面積比（ｂ／ａ×１００）に関して上記２つの条件を満たすと、研磨切削時の物理研磨力が強く、パッドの砥粒保持性が向上するため、効果的に長波長うねりが低減されると考えられる。なお、絶対最大長は、実施例に記載の方法により求めることができる。

【0032】

［工程（１）：シリカ粒子ＡのＢＥＴ比表面積］
シリカ粒子ＡのＢＥＴ比表面積は、粗研磨時の長波長うねり低減の観点、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点及び仕上げ研磨時の長波長うねりと突起欠陥低減の観点から、１０〜２００ｍ²／ｇが好ましく、より好ましくは２０〜１００ｍ²／ｇ、さらに好ましくは３０〜８０ｍ²／ｇである。

【0033】

［工程（１）：シリカ粒子Ａの形状］
シリカ粒子Ａの形状は、粗研磨時の長波長うねり低減の観点、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点及び仕上げ研磨時の長波長うねりと突起欠陥低減の観点から、金平糖型のシリカ粒子Ａ１、異形型のシリカ粒子Ａ２、異形かつ金平糖型のシリカ粒子Ａ３からなる群から選択される少なくとも１種類のシリカ粒子を含むことが好ましい。
シリカ粒子Ａの形状は、粗研磨時の長波長うねり低減の観点、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点及び仕上げ研磨時の長波長うねりと突起欠陥低減の観点から、金平糖型のシリカ粒子Ａ１であることが好ましい。本明細書において「金平糖型シリカ粒子」とは、球状の粒子表面に特異な疣状突起を有するシリカ粒子をいう。シリカ粒子Ａ１は、一又は複数の実施形態において、最も小さいシリカ粒子の粒径を基準にして、粒径が５倍以上異なる２つ以上の粒子が凝集又は融着した形状である。なお、前記粒径は、電子顕微鏡（ＴＥＭなど）観察画像において１つの粒子内で測定される円相当径として求められうる。シリカ粒子Ａ２及びシリカ粒子Ａ３における粒径も同様に求めることができる。

【0034】

また、シリカ粒子Ａの形状は、粗研磨時の長波長うねり低減の観点、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点及び仕上げ研磨時の長波長うねりと突起欠陥低減の観点から、異形型のシリカ粒子Ａ２であることが好ましい。本明細書において「異形型シリカ粒子」とは、２つ以上の粒子、好ましくは２〜１０個の粒子が凝集又は融着した形状のシリカ粒子をいう。シリカ粒子Ａ２は、一又は複数の実施形態において、最も小さいシリカ粒子の粒径を基準にして、粒径が１．５倍以内の２つ以上の粒子が凝集又は融着した形状である。

【0035】

また、シリカ粒子Ａの形状は、粗研磨時の長波長うねり低減の観点、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点及び仕上げ研磨時の長波長うねりと突起欠陥低減の観点から、異形かつ金平糖型のシリカ粒子Ａ３であることが好ましい。本明細書において「異形かつ金平糖型シリカ粒子」とは、２つ以上の粒子が凝集又は融着した形状の粒子をいう。シリカ粒子Ａ３は、一又は複数の実施形態において、粒径が１．５倍以内の２つ以上の粒子が凝集又は融着した粒子に、さらに、粒径が１／５以下の小さな粒子が凝集又は融着した形状である。

【0036】

シリカ粒子Ａは、一又は複数の実施形態において、シリカ粒子Ａ１、Ａ２、Ａ３のいずれか１つ、シリカ粒子Ａ１、Ａ２、Ａ３のいずれか２つ、又は、シリカ粒子Ａ１、Ａ２、及びＡ３のすべてを含む。シリカ粒子Ａにおけるシリカ粒子Ａ１、Ａ２、及びＡ３の合計が占める割合（質量比）は、粗研磨時の長波長うねり低減の観点、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点及び仕上げ研磨時の長波長うねりと突起欠陥低減の観点から、５０質量％以上が好ましく、より好ましくは７０質量％以上、さらに好ましくは８０質量％以上、さらにより好ましくは９０質量％以上、さらにより好ましくは実質的に１００質量％、さらにより好ましくは１００質量％である。

【0037】

シリカ粒子Ａがシリカ粒子Ａ１及びＡ２を含む場合、Ａ１／Ａ２の質量比率は、一又は複数の実施形態において、好ましくは５／９５〜９５／５の範囲である。粗研磨時の長波長うねり低減の観点、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点及び仕上げ研磨時の長波長うねりと突起欠陥低減の観点から、Ａ１／Ａ２の質量比率は、より好ましくは２０／８０〜８０／２０であり、さらに好ましくは２０／８０〜６０／４０であり、さらにより好ましくは２０／８０〜４０／６０であり、さらにより好ましくは２０／８０〜３０／７０である。

【0038】

［工程（１）：研磨液組成物Ａ中のシリカ粒子Ａの含有量］
研磨液組成物Ａに含まれるシリカ粒子の含有量は、粗研磨時の長波長うねり低減の観点、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点及び仕上げ研磨時の長波長うねりと突起欠陥低減の観点から、０．１質量％以上が好ましく、０．５質量％以上がより好ましく、１質量％以上がさらに好ましく、２質量％以上がさらにより好ましい。また、該含有量は、経済性の観点から、３０質量％以下が好ましく、２５質量％以下がより好ましく、２０質量％以下がさらに好ましく、１５質量％以下がさらにより好ましい。したがって、シリカ粒子の含有量は、粗研磨時の長波長うねり低減の観点、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点及び仕上げ研磨時の長波長うねりと突起欠陥低減の観点から、並びに経済性の観点から、０．１〜３０質量％が好ましく、０．５〜２５質量％がより好ましく、１〜２０質量％がさらに好ましく、２〜１５質量％がさらにより好ましい。

【0039】

［工程（１）：研磨液組成物Ａ中の酸］
研磨液組成物Ａは、研磨速度の向上の観点から、酸を含有することが好ましい。研磨液組成物Ａにおける酸の使用は、酸及び又はその塩の使用を含む。使用される酸としては、硝酸、硫酸、亜硫酸、過硫酸、塩酸、過塩素酸、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸、ピロリン酸、トリポリリン酸、アミド硫酸等の無機酸、２−アミノエチルホスホン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、エタン−１，１，−ジホスホン酸、エタン−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１−ヒドロキシ−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１，２−ジカルボキシ−１，２−ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸、２−ホスホノブタン−１，２−ジカルボン酸、１−ホスホノブタン−２，３，４−トリカルボン酸、α−メチルホスホノコハク酸等の有機ホスホン酸、グルタミン酸、ピコリン酸、アスパラギン酸等のアミノカルボン酸、クエン酸、酒石酸、シュウ酸、ニトロ酢酸、マレイン酸、オキサロ酢酸等のカルボン酸等が挙げられる。中でも、粗研磨時の長波長うねり低減の観点、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点及び仕上げ研磨時の長波長うねりと突起欠陥低減の観点から、リン酸、硫酸、クエン酸、酒石酸、マレイン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）及びそれらの塩がより好ましく、硫酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）及びそれらの塩がさらに好ましく、硫酸がさらにより好ましい。

【0040】

これらの酸及びその塩は単独で又は２種以上を混合して用いてもよいが、粗研磨時の長波長うねり低減の観点、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点及び仕上げ研磨時の長波長うねりと突起欠陥低減の観点から、２種以上を混合して用いることが好ましく、リン酸、硫酸、クエン酸、酒石酸及び１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）からなる群から選択される２種以上の酸を混合して用いることがさらに好ましい。

【0041】

これらの酸の塩を用いる場合は、特に限定はなく、具体的には、金属、アンモニウム、アルキルアンモニウム等が挙げられる。上記金属の具体例としては、周期律表（長周期型）１Ａ、１Ｂ、２Ａ、２Ｂ、３Ａ、３Ｂ、４Ａ、６Ａ、７Ａ又は８族に属する金属が挙げられる。これらの中でも、研磨速度及びロールオフ特性の向上の観点から１Ａ族に属する金属又はアンモニウムとの塩が好ましい。

【0042】

研磨液組成物Ａ中における前記酸の含有量は、粗研磨時の長波長うねり低減の観点、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点及び仕上げ研磨時の長波長うねりと突起欠陥低減の観点から、０．００１〜５質量％が好ましく、より好ましくは０．０１〜４質量％、さらに好ましくは０．０５〜３質量％、さらにより好ましくは０．１〜２質量％である。

【0043】

［工程（１）：研磨液組成物Ａ中の酸化剤］
前記研磨液組成物Ａは、粗研磨時の長波長うねり低減の観点、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点及び仕上げ研磨時の長波長うねりと突起欠陥低減の観点から、酸化剤を含有することが好ましい。酸化剤としては、研磨速度及び残留アルミナ低減の観点から、過酸化物、過マンガン酸又はその塩、クロム酸又はその塩、ペルオキソ酸又はその塩、酸素酸又はその塩、硝酸類、硫酸類等が挙げられる。これらの中でも、過酸化水素、硝酸鉄（III）、過酢酸、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、硫酸鉄（III）及び硫酸アンモニウム鉄（III）等が好ましく、研磨速度向上の観点、表面に金属イオンが付着せず汎用に使用され安価であるという観点から、過酸化水素がより好ましい。これらの酸化剤は、単独で又は２種以上を混合して使用してもよい。

【0044】

研磨液組成物Ａ中における前記酸化剤の含有量は、研磨速度向上の観点から、好ましくは０．０１質量％以上、より好ましくは０．０５質量％以上、さらに好ましくは０．１質量％以上であり、粗研磨時の長波長うねり低減の観点、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点及び仕上げ研磨時の長波長うねりと突起欠陥低減の観点から、好ましくは４質量％以下、より好ましくは２質量％以下、さらに好ましくは１．５質量％以下である。また、粗研磨時の長波長うねり低減の観点、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点及び仕上げ研磨時の長波長うねりと突起欠陥低減の観点から、上記含有量は、好ましくは０．０１〜４質量％、より好ましくは０．０５〜２質量％、さらに好ましくは０．１〜１．５質量％である。

【0045】

［工程（１）：研磨液組成物Ａ中の水］
研磨液組成物Ａは、媒体として水を含有する。水としては、蒸留水、イオン交換水、純水及び超純水等が使用され得る。研磨液組成物Ａ中の水の含有量は、研磨液組成物の取扱いが容易になるため、６１〜９９質量％が好ましく、より好ましくは７０〜９８質量％、さらに好ましくは８０〜９７質量％、さらにより好ましくは８５〜９７質量％である。

【0046】

［工程（１）：研磨液組成物Ａ中のその他の成分］
研磨液組成物Ａには、必要に応じて他の成分を配合することができる。他の成分としては、増粘剤、分散剤、防錆剤、塩基性物質、研磨速度向上剤、界面活性剤、高分子化合物等が挙げられる。研磨液組成物Ａ中のこれら他の任意成分の含有量は、本発明の効果を損なわない範囲で配合されることが好ましく、０〜１０質量％が好ましく、０〜５質量％がより好ましい。

【0047】

［工程（１）：研磨液組成物Ａ中の速度向上剤］
研磨液組成物Ａ中には、速度向上の観点から硝酸第一鉄、硝酸第二鉄、硫酸第一鉄、硫酸第二鉄、塩化第一鉄、塩化第二鉄からなる群より選択される少なくとも１種類の塩を含有しても良い。粗研磨時の長波長うねり低減の観点、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点及び仕上げ研磨時の長波長うねりと突起欠陥低減の観点から、上記含有量は、好ましくは０．００５〜５．０質量％、より好ましくは０．０５〜３．０質量％、さらに好ましくは０．０７〜２．０質量％、さらにより好ましくは０．１〜１．０質量％である。なお、これらの化合物は、酸化剤と反応して活性化する。研磨液組成物Ａ中で酸化剤と長期にわたり共存することで酸化剤の安定性が損なわれることを回避する観点から、研磨を行う直前に前記化合物と研磨液組成物Ａとを混合することが好ましい。あるいは、同様の観点から、研磨機上に２つの研磨液供給口を設け研磨時に同時に研磨液組成物Ａと前記化合物を供給することにより研磨機内で混合する方法が好ましい。

【0048】

［工程（１）：研磨液組成物ＡのｐＨ］
研磨液組成物ＡのｐＨは、粗研磨時の長波長うねり低減の観点、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点及び仕上げ研磨時の長波長うねりと突起欠陥低減の観点から、前述の酸や公知のｐＨ調整剤を用いて、ｐＨ０．５〜６．０に調整することが好ましく、より好ましくはｐＨ０．７〜４．０、さらに好ましくはｐＨ０．９〜３．０、さらにより好ましくはｐＨ１．０〜３．０、さらにより好ましくはｐＨ１．０〜２．０である。なお、上記のｐＨは、２５℃における研磨液組成物のｐＨであり、ｐＨメータを用いて測定でき、電極の研磨剤組成物への浸漬後４０分後の数値である。

【0049】

［工程（１）：研磨液組成物Ａの調製方法］
研磨液組成物Ａは、例えば、シリカ粒子Ａ及び水と、さらに所望により、酸化剤、酸及び他の成分とを公知の方法で混合することにより調製できる。その他の態様として、研磨液組成物Ａを濃縮物として調製してもよい。前記混合は、特に制限されず、ホモミキサー、ホモジナイザー、超音波分散機及び湿式ボールミル等の撹拌機等を用いて行うことができる。

【0050】

［工程（１）：研磨パッド］
工程（１）の粗研磨工程で使用される研磨パッドとしては、特に制限はなく、スエードタイプ、不織布タイプ、ポリウレタン独立発泡タイプ、又はこれらを積層した二層タイプ等の研磨パッドを使用することができるが、研磨速度向上の観点から、スエードタイプの研磨パッドが好ましい。スエードタイプの研磨パッドは、ベース層とベース層に垂直な紡錘状気孔を有する発泡層から構成される。ベース層の材質としては、綿等の天然繊維や合成繊維からなる不織布、スチレンブタジエンゴム等のゴム状物質を充填して得られるベース層等があげられるが、粗研磨時の長波長うねり低減の観点、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点及び仕上げ研磨時の長波長うねりと突起欠陥低減の観点から、ポリエステルフィルムが好ましく、高硬度な樹脂フィルムが得られるポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムがより好ましい。また、発泡層の材質としては、ポリウレタン、ポリスチレン、ポリエステル、ポリ塩化ビニルや、天然ゴム、合成ゴム等があげられるが、圧縮率等の物性のコントロール性や、研磨時の耐摩耗性向上の観点から、ポリウレタンが好ましく、ポリウレタンエラストマーがより好ましい。

【0051】

また、工程（１）で使用される研磨パッドの平均気孔径は、粗研磨時の長波長うねり低減の観点、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点及び仕上げ研磨時の長波長うねりと突起欠陥低減の観点から、１０〜１００μｍが好ましく、より好ましくは２０〜８０μｍ、さらに好ましくは３０〜６０μｍ、さらにより好ましくは３５〜５５μｍである。

【0052】

［工程（１）：研磨荷重］
本明細書において、研磨荷重とは、研磨時に被研磨基板の研磨面に加えられる定盤の圧力を意味する。工程（１）における研磨荷重は粗研磨時の長波長うねり低減の観点、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点及び仕上げ研磨時の長波長うねりと突起欠陥低減の観点から、３０ｋＰａ以下が好ましく、より好ましくは２５ｋＰａ以下、さらに好ましくは２０ｋＰａ以下、さらにより好ましくは１８ｋＰａ以下、さらにより好ましくは１６ｋＰａ以下、さらにより好ましくは１４ｋＰａ以下である。また、前記研磨荷重は粗研磨時の長波長うねり低減の観点、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点及び仕上げ研磨時の長波長うねりと突起欠陥低減の観点から、３ｋＰａ以上が好ましく、より好ましくは５ｋＰａ以上、さらに好ましくは７ｋＰａ以上、さらにより好ましくは８ｋＰａ以上、さらにより好ましくは９ｋＰａ以上である。また、前記研磨荷重は、粗研磨時の長波長うねり低減の観点、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点及び仕上げ研磨時の長波長うねりと突起欠陥低減の観点から、好ましくは３〜３０ｋＰａ、より好ましくは５〜２５ｋＰａ、さらに好ましくは７〜２０ｋＰａ、さらにより好ましくは８〜１８ｋＰａ、さらにより好ましくは９〜１６ｋＰａ、さらにより好ましくは９〜１４ｋＰａである。前記研磨荷重の調整は、定盤や基板等への空気圧や重りの負荷によって行うことができる。

【0053】

［工程（１）：研磨量］
工程（１）における、被研磨基板の単位面積（１ｃｍ²）あたりの研磨量は、粗研磨時の長波長うねり低減の観点、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点及び仕上げ研磨時の長波長うねりと突起欠陥低減の観点から、０．３０ｍｇ以上が好ましく、より好ましくは０．４０ｍｇ以上、さらに好ましくは０．５０ｍｇ以上である。一方、粗研磨時の長波長うねり低減の観点、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点及び仕上げ研磨時の長波長うねりと突起欠陥低減の観点から、２．６０ｍｇ以下が好ましく、より好ましくは２．１０ｍｇ以下、さらに好ましくは１．７０ｍｇ以下である。また粗研磨時の長波長うねり低減の観点、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点及び仕上げ研磨時の長波長うねりと突起欠陥低減の観点から、前記研磨量は、好ましくは０．３０〜２．６０ｍｇ、より好ましくは０．４０〜２．１０ｍｇ、さらに好ましくは０．５０〜１．７０ｍｇである。

【0054】

［工程（１）：研磨速度低下率］
本明細書において「研磨速度低下率」とは、研磨液組成物が研磨パッドに保持される程度の尺度であって、研磨機内で研磨液組成物を４分間流した時の研磨速度を基準速度とし、４分経過以降は研磨液の供給を停止させたまま研磨を継続して供給停止の１分後の研磨速度を停止後速度とし、前記基準速度と前記停止後速度の差を前記基準速度で除して１００を乗じた値（％）である。具体的な研磨条件は、後述する実施例における工程（１）の研磨条件とすることができる。

【0055】

研磨液組成物Ａ及びシリカ粒子Ａは、粗研磨時の長波長うねり低減の観点、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点及び仕上げ研磨時の長波長うねりと突起欠陥低減の観点から、研磨速度低下率が１５％以下を満たすことが好ましく、より好ましくは１２．０％以下、さらに好ましくは８．０％以下、さらにより好ましくは５．０％以下である。

【0056】

［工程（１）：研磨後の基板の長波長うねり］
工程（１）の研磨は、仕上げ研磨後の基板の長波長うねりを低減する観点及び仕上げ研磨の時間短縮の観点から、被研磨基板の研磨対象面の長波長うねりが３．５Å（０．３５ｎｍ）以下となるまで行うことが好ましく、より好ましくは３．４Å以下、さらに好ましくは３．２Å以下、さらにより好ましくは３．０Å以下、さらにより好ましくは２．７Å以下、さらにより好ましくは２．４Å以下である。したがって、本発明は、一又複数の実施形態において、工程（１）で研磨された被研磨基板又は工程（２）の洗浄後の基板の少なくとも１枚について、５００〜５０００μｍの波長のうねり（長波長うねり）を測定すること、及び、前記うねりが３．５Å（０．３５ｎｍ）以下、好ましくは３．４Å以下、より好ましくは３．２Å以下、さらに好ましくは３．０Å以下、さらにより好ましくは２．７Å以下、さらにより好ましくは２．４Å以下である場合に工程（３）を行うことを含む、磁気ディスク基板の製造方法に関する。

【0057】

［工程（１）：研磨液組成物Ａの供給速度］
工程（１）における研磨液組成物Ａの供給速度は、経済性の観点から、被研磨基板１ｃｍ²あたり２．５ｍＬ／分以下が好ましく、より好ましくは２．０ｍＬ／分以下、さらに好ましくは１．５ｍＬ／分以下、さらにより好ましくは１．０ｍＬ／分以下、さらにより好ましくは０．５ｍＬ／分以下、さらにより好ましくは０．２ｍＬ／分以下である。また、前記供給速度は、研磨速度の向上の観点から、被研磨基板１ｃｍ²あたり０．０１ｍＬ／分以上が好ましく、より好ましくは０．０３ｍＬ／分以上、さらに好ましくは０．０５ｍＬ／分以上である。また、前記供給速度は、経済性の観点及び研磨速度の向上の観点から、被研磨基板１ｃｍ²あたり０．０１〜２．５ｍＬ／分が好ましく、より好ましくは０．０３〜２．０ｍＬ／分、さらに好ましくは０．０３〜１．５ｍＬ／分、さらにより好ましくは０．０３〜１．０ｍＬ／分、さらにより好ましくは０．０５〜０．５ｍＬ／分、さらにより好ましくは０．０５〜０．２ｍＬ／分である。

【0058】

[工程（１）：研磨液組成物Ａを研磨機へ供給する方法]
研磨液組成物Ａを研磨機へ供給する方法としては、例えばポンプ等を用いて連続的に供給を行う方法が挙げられる。研磨液組成物Ａを研磨機へ供給する際は、全ての成分を含んだ１液で供給する方法の他、研磨液組成物Ａの保存安定性等を考慮して、複数の配合用成分液に分け、２液以上で供給することもできる。後者の場合、例えば供給配管中又は被研磨基板上で、上記複数の配合用成分液が混合され、研磨液組成物Ａとなる。

【0059】

［工程（２）：洗浄工程］
工程（２）は、工程（１）で得られた基板を洗浄する工程である。工程（２）は、一又は複数の実施形態において、工程（１）の粗研磨が施された基板を、洗浄剤組成物を用いて洗浄する工程である。工程（２）における洗浄方法は、特に限定されないが、一又は複数の実施形態において、工程（１）で得られた基板を洗浄剤組成物に浸漬する方法（洗浄方法ａ）、及び、洗浄剤組成物を射出して工程（１）で得られた基板の表面上に洗浄剤組成物を供給する方法（洗浄方法ｂ）が挙げられる。

【0060】

［工程（２）：洗浄方法ａ］
前記洗浄方法ａにおいて、基板の洗浄剤組成物への浸漬条件としては、特に制限はないが、例えば、洗浄剤組成物の温度は、安全性及び操業性の観点から２０〜１００℃であることが好ましく、浸漬時間は、洗浄剤組成物による洗浄性と生産効率の観点から１０秒〜３０分間であることが好ましい。また、残留物の除去性及び残留物の分散性を高める観点から、洗浄剤組成物には超音波振動が付与されていると好ましい。超音波の周波数としては、好ましくは２０〜２０００ｋＨｚ、より好ましくは４０〜２０００ｋＨｚ、さらに好ましくは４０〜１５００ｋＨｚである。

【0061】

［工程（２）：洗浄方法ｂ］
前記洗浄方法ｂでは、残留物の洗浄性や油分の溶解性を促進させる観点から、超音波振動が与えられている洗浄剤組成物を射出して、基板の表面に洗浄剤組成物を接触させて当該表面を洗浄するか、又は、洗浄剤組成物を被洗浄基板の表面上に射出により供給し、洗浄剤組成物が供給された当該表面を洗浄用ブラシでこすることにより洗浄することが好ましい。さらには、超音波振動が与えられている洗浄剤組成物を射出により洗浄対象の表面に供給し、かつ、洗浄剤組成物が供給された当該表面を洗浄用ブラシでこすることにより洗浄することが好ましい。

【0062】

洗浄剤組成物を被洗浄基板の表面上に供給する手段としては、スプレーノズル等の公知の手段を用いることができる。また、洗浄用ブラシとしては、特に制限はなく、例えばナイロンブラシやＰＶＡ（ポリビニルアルコール）スポンジブラシ等の公知のものを使用することができる。超音波の周波数としては、前記方法（ａ）で好ましく採用される値と同様であればよい。

【0063】

工程（２）では、洗浄方法ａ及び／又は洗浄方法ｂに加えて、揺動洗浄、スピンナー等の回転を利用した洗浄、パドル洗浄、スクラブ洗浄等の公知の洗浄を用いる工程を１つ以上含んでもよい。

【0064】

［工程（２）：洗浄剤組成物］
工程（２）の洗浄剤組成物としては、一又は複数の実施形態において、アルカリ剤、水、及び必要に応じて各種添加剤を含有するものが使用できる。

【0065】

［工程（２）：洗浄剤組成物中のアルカリ剤］
前記洗浄剤組成物で使用されるアルカリ剤は、無機アルカリ剤及び有機アルカリ剤のいずれであってもよい。無機アルカリ剤としては、例えば、アンモニア、水酸化カリウム、及び水酸化ナトリウム等が挙げられる。有機アルカリ剤としては、例えば、ヒドロキシアルキルアミン、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、及びコリンからなる群より選ばれる一種以上が挙げられる。これらのアルカリ剤は、単独で用いてもよく、二種以上を混合して用いてもよい。洗浄剤組成物の基板上の残留物の分散性の向上、保存安定性の向上の観点から、前記アルカリ剤としては、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、モノエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、及びアミノエチルエタノールアミンからなる群から選ばれる少なくとも１種が好ましく、水酸化カリウム及び水酸化ナトリウムからなる群から選ばれる少なくとも１種がより好ましい。

【0066】

洗浄剤組成物中におけるアルカリ剤の含有量は、洗浄剤組成物の基板上の残留物に対する高い洗浄性を発現させ、かつ、取扱時の安全性を高める観点から、０．０５〜１０質量％であると好ましく、０．０８〜５質量％であるとより好ましく、０．１〜３質量％であるとさらに好ましい。

【0067】

洗浄剤組成物のｐＨは、基板上の残留物の分散性を向上させる観点から、８〜１３であることが好ましく、より好ましくは９〜１３、さらに好ましくは１０〜１３、さらにより好ましくは１１〜１３である。なお、上記のｐＨは、２５℃における洗浄剤組成物のｐＨであり、ｐＨメータを用いて測定でき、電極の洗浄剤組成物への浸漬後４０分後の数値である。

【0068】

［工程（２）：洗浄剤組成物中の各種添加剤］
前記洗浄剤組成物には、アルカリ剤以外に、非イオン界面活性剤、キレート剤、エーテルカルボキシレートもしくは脂肪酸、アニオン性界面活性剤、水溶性高分子、消泡剤（成分に該当する界面活性剤は除く。）、アルコール類、防腐剤、酸化防止剤等が含まれていていても良い。

【0069】

前記洗浄剤組成物に含まれる水以外の成分の含有量は、作業性、経済性や保存安定性向上に対し充分な効果が発現される濃縮度である事と保存安定性向上との両立の観点から、水の含有量と水以外の成分の含有量の合計を１００質量％とすると、好ましくは１０〜６０質量％であり、より好ましくは１５〜５０質量％であり、さらに好ましくは１５〜４０質量％である。

【0070】

前記洗浄剤組成物は、希釈して用いられる。希釈倍率は、洗浄効率を考慮すると、好ましくは１０〜５００倍、より好ましくは２０〜２００倍、さらに好ましくは５０〜１００倍である。希釈用の水は、前述の研磨液組成物と同様のものでよい。前記洗浄剤組成物は、前記希釈倍率を前提とした濃縮物とすることができる。

【0071】

［工程（３）：仕上げ研磨工程］
工程（３）は、シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｂを工程（２）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程である。工程（３）で使用される研磨機は、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点、研磨後の長波長うねりを低減する観点、突起欠陥低減の観点、及び、その他の表面欠陥を効率よく低減するため粗研磨とポア径の異なるパッドを使用する観点から、工程（１）で用いた研磨機とは別の研磨機である。工程（３）で使用される研磨液組成物Ｂの供給速度、研磨液組成物Ｂを研磨機へ供給する方法は、前述した研磨液組成物Ａの場合と同様とすることができる。

【0072】

本発明の磁気ディスク基板の製造方法は、工程（１）の粗研磨工程、工程（２）の洗浄工程、及び、工程（３）の仕上げ研磨工程を含むことにより、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間が短縮され、粗研磨後の長波長うねり及び突起欠陥が低減され、仕上げ研磨後の長波長うねり及び突起欠陥が低減された基板を効率的に製造することができる。

【0073】

［工程（３）：研磨液組成物Ｂ］
工程（３）で使用される研磨液組成物Ｂは、仕上げ研磨後の長波長うねりと突起欠陥低減突起欠陥低減の観点から砥粒としてシリカ粒子（シリカ粒子Ｂ）を含有する。使用されるシリカ粒子Ｂは、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点、並びに、仕上げ研磨後の長波長うねり及び突起欠陥を低減する観点から、好ましくはコロイダルシリカである。また、研磨液組成物Ｂは、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点、並びに、仕上げ研磨後の長波長うねり及び突起欠陥を低減する観点から、アルミナ砥粒を含まないことが好ましい。

【0074】

研磨液組成物Ｂに用いられるシリカ粒子Ｂの平均粒子径（Ｄ５０）は、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点、並びに、仕上げ研磨後の長波長うねり及び突起欠陥を低減する観点から、５〜５０ｎｍが好ましく、より好ましくは１０〜４５ｎｍ、さらに好ましくは１５〜４０ｎｍ、さらにより好ましくは２０〜３５ｎｍである。また、シリカ粒子Ｂの平均粒子径（Ｄ５０）は、仕上げ研磨後の長波長うねり及び突起欠陥を低減する観点から、シリカ粒子Ａの平均粒子径（Ｄ５０）より小さいことが好ましい。なお、該平均粒子径は、実施例に記載の方法により求めることができる。

【0075】

また、シリカ粒子Ｂの粒子径の標準偏差は、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点、並びに、仕上げ研磨後の長波長うねり及び突起欠陥を低減する観点から、５〜４０ｎｍが好ましく、より好ましくは１０〜３５ｎｍ、さらに好ましくは１５〜３０ｎｍである。なお、該標準偏差は実施例に記載の方法により求めることができる。

【0076】

研磨液組成物Ｂに含まれるシリカ粒子Ｂの含有量は、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点、並びに、仕上げ研磨後の長波長うねり及び突起欠陥を低減する観点から、０．５〜２０質量％が好ましく、１．０〜１５質量％がより好ましく、３．０〜１３質量％がさらに好ましく、４．０〜１０質量％がさらにより好ましい。

【0077】

研磨液組成物Ｂは、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点、並びに、仕上げ研磨後の長波長うねり及び突起欠陥を低減する観点から、複素環芳香族化合物、多価アミン化合物、及びアニオン性基を有する高分子から選ばれる１種以上を含有することが好ましく、２種以上含有することがより好ましく、複素環芳香族化合物、多価アミン化合物、及びアニオン性基を有する高分子を含有することがさらに好ましい。

【0078】

研磨液組成物Ｂは、研磨速度を向上する観点から、酸、酸化剤を含有することが好ましい。酸、酸化剤の好ましい使用態様については、前述の研磨液組成物Ａの場合と同様である。また、研磨液組成物Ｂに用いられる水、研磨液組成物ＢのｐＨ、研磨液組成物Ｂの調製方法については、前述の研磨液組成物Ａの場合と同様である。

【0079】

［工程（３）：研磨パッド］
工程（３）で使用される研磨パッドは、工程（１）で使用される研磨パッドと同種の研磨パッドが使用されうる。工程（３）で使用される研磨パッドの平均気孔径は、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点、並びに、仕上げ研磨後の長波長うねり及び突起欠陥を低減する観点から、１〜５０μｍが好ましく、より好ましくは２〜４０μｍ、さらに好ましくは３〜３０μｍである。

【0080】

［工程（３）：研磨荷重］
工程（３）における研磨荷重は、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点、並びに、仕上げ研磨後の長波長うねり及び突起欠陥を低減する観点から、１６ｋＰａ以下が好ましく、より好ましくは１４ｋＰａ以下、さらに好ましくは１３ｋＰａ以下である。粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点、並びに、仕上げ研磨後の長波長うねり及び突起欠陥を低減する観点から、７．５ｋＰａ以上が好ましく、より好ましくは８．５ｋＰａ以上、さらに好ましくは９．５ｋＰａ以上である。また、前記研磨荷重は、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点、並びに、仕上げ研磨後の長波長うねり及び突起欠陥を低減する観点から、７．５〜１６ｋＰａが好ましく、より好ましくは８．５〜１４ｋＰａ、さらに好ましくは９．５〜１３ｋＰａである。

【0081】

［工程（３）：研磨量］
工程（３）における、被研磨基板の単位面積（１ｃｍ²）あたりかつ研磨時間１分あたりの研磨量は、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点、並びに、仕上げ研磨後の長波長うねり及び突起欠陥を低減する観点から、０．０２ｍｇ以上が好ましく、より好ましくは０．０３ｍｇ以上、さらに好ましくは０．０４ｍｇ以上である。また、生産性向上の観点からは、０．１５ｍｇ以下が好ましく、より好ましくは０．１２ｍｇ以下、さらに好ましくは０．１０ｍｇ以下である。したがって、前記研磨量は、前記と同様の観点から、０．０２〜０．１５ｍｇが好ましく、より好ましくは０．０３〜０．１２ｍｇ、さらに好ましくは０．０４〜０．１０ｍｇである。

【0082】

また、工程（３）における研磨液組成物Ｂの供給速度及び研磨液組成物Ｂを研磨機へ供給する方法については、前述の研磨液組成物Ａの場合と同様である。

【0083】

本発明の製造方法によれば、長波長うねり及び突起欠陥が低減された磁気ディスク基板の製造における総研磨時間を短縮できるため、高度の表面平滑性が要求される垂直磁気記録方式の磁気ディスク基板の研磨に好適に用いることができる。

【0084】

［研磨方法］
本発明は、その他の態様として、上述した工程（１）、工程（２）、工程（３）を有する研磨方法に関する。工程（１）〜（３）における被研磨基板、研磨パッド、研磨液組成物Ａ、シリカ粒子Ａ、研磨液組成物Ｂ、シリカ粒子Ｂ、研磨方法及び条件、洗浄剤組成物、並びに洗浄方法については、上述の本発明の磁気ディスク基板の製造方法と同様とすることができる。

【0085】

本発明は、さらにその他の態様として、下記（１）〜（３）の工程を有し、下記工程（１）と下記工程（３）とは別の研磨機で行う磁気ディスク基板の研磨方法に関する。工程（１）〜（３）における被研磨基板、研磨パッド、研磨液組成物Ａ、シリカ粒子Ａ、研磨液組成物Ｂ、シリカ粒子Ｂ、研磨方法及び条件、洗浄剤組成物、並びに洗浄方法については、上述の本発明の磁気ディスク基板の製造方法と同様とすることができる。
（１）シリカ粒子Ａ及び水を含有する研磨液組成物Ａを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程。
（２）工程（１）で得られた基板を洗浄する工程。
（３）シリカ粒子Ｂ及び水を含有する研磨液組成物Ｂを工程（２）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程。

【0086】

本発明の研磨方法を使用することにより、長波長うねり及び突起欠陥が低減された磁気ディスク基板、特に垂直磁気記録方式の磁気ディスク基板の研磨にかかる総研磨時間が短縮でき、生産性よく製造できるという効果が奏されうる。

【0087】

本発明にかかる磁気ディスク基板の製造方法及び研磨方法は、一又は複数の実施形態において、図３に示すような、研磨液組成物Ａを用いて被研磨基板の研磨する第一の研磨機と、前記第一研磨機で研磨した基板を洗浄する洗浄ユニットと、研磨液組成物Ｂを用いて洗浄後の基板を研磨する第二の研磨機とを備える磁気ディスク基板の研磨システムにより行うことができる。したがって、本発明は、一態様において、研磨液組成物Ａを用いて被研磨基板の研磨する第一の研磨機と、前記第一研磨機で研磨した基板を洗浄する洗浄ユニットと、研磨液組成物Ｂを用いて洗浄後の基板を研磨する第二の研磨機とを備える磁気ディスク基板の研磨システムであって、前記研磨液組成物Ａが水とシリカ粒子Ａを含有し、前記シリカ粒子Ａは、電子顕微鏡観察で得られる粒子の絶対最大長の平均が８０〜５００ｎｍであり、前記絶対最大長を直径とする円の面積ｂを電子顕微鏡観察で得られる該粒子の投影面積ａで除して１００を乗じた面積比（ｂ／ａ×１００）の平均が１１０〜２００％であり、前記シリカ粒子Ａが、前記面積比（ｂ／ａ×１００）が１１０〜２００％であるシリカ粒子を、全シリカ粒子Ａに対して５０質量％以上含有し、前記研磨液組成物Ｂが水とシリカ粒子Ｂを含有する研磨システムに関する。被研磨基板、各研磨機で使用される研磨パッド、研磨液組成物Ａ、シリカ粒子Ａ、研磨液組成物Ｂ、シリカ粒子Ｂ、研磨方法及び条件、洗浄剤組成物、並びに洗浄方法については、上述の本発明の磁気ディスク基板の製造方法と同様とすることができる。

【0088】

本発明にかかる研磨システムは、一又は複数の実施形態において、第一研磨機で研磨された被研磨基板の少なくとも１枚について、５００〜５０００μｍの波長のうねり（長波長うねり）が３．５Å（０．３５ｎｍ）以下、好ましくは３．４Å以下、より好ましくは３．２Å以下、さらに好ましくは３．０Å以下であることを確認する手段を有してもよい。該手段は、一又は複数の実施形態において、図４に示すように、所定のうねりの値以下である場合に第一研磨機における研磨の終了若しくは洗浄ユニットへの移行を判断又は実行し、所定のうねりの値に達していない場合に第一研磨機における研磨の継続若しくは研磨の中止を判断又は実行する。

【0089】

本開示はさらに以下の一又は複数の実施形態に関する。

【0090】

＜１＞ シリカ粒子Ａ及び水を含有する研磨液組成物Ａを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程（１）；工程（１）で得られた基板を洗浄する工程（２）；及び、シリカ粒子Ｂ及び水を含有する研磨液組成物Ｂを工程（２）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程（３）；を有し、前記工程（１）と（３）は別の研磨機で行い、前記シリカ粒子Ａは、電子顕微鏡観察で得られる粒子の絶対最大長の平均が８０〜５００ｎｍであり、前記絶対最大長を直径とする円の面積ｂを電子顕微鏡観察で得られる該粒子の投影面積ａで除して１００を乗じた面積比（ｂ／ａ×１００）の平均が１１０〜２００％であり、前記シリカ粒子Ａが、前記面積比（ｂ／ａ×１００）が１１０〜２００％であるシリカ粒子を、全シリカ粒子Ａに対して５０質量％以上含有する、磁気ディスク基板の製造方法。

【0091】

＜２＞ 工程（１）における被研磨基板の単位面積（１ｃｍ²）あたりの研磨量が、好ましくは０．３０ｍｇ以上、より好ましくは０．４０ｍｇ以上、さらに好ましくは０．５０ｍｇ以上であり、又は、好ましくは２．６０ｍｇ以下、より好ましくは２．１０ｍｇ以下、さらに好ましくは１．７０ｍｇ以下であり、又は、好ましくは０．３０〜２．６０ｍｇ、より好ましくは０．４０〜２．１０ｍｇ、さらに好ましくは０．５０〜１．７０ｍｇである、＜１＞記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜３＞ 研磨液組成物Ａの研磨速度低下率が、好ましくは１５％以下、より好ましくは１２．０％以上、さらに好ましくは８．０％以下、さらにより好ましくは５．０％以下である、＜１＞又は＜２＞に記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜４＞ 研磨液組成物Ａがアルミナ砥粒を含まない、＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜５＞ シリカ粒子Ａが水ガラス法で製造されたシリカ粒子である、＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜６＞ レーザー光散乱法で測定したシリカ粒子Ａの体積平均粒子径（Ｄ５０）が、好ましくは５０ｎｍ以上、より好ましくは６０ｎｍ以上、さらに好ましくは１００ｎｍ以上、さらにより好ましくは１１０ｎｍ以上であり、又は、好ましくは５００ｎｍ以下、より好ましくは４００ｎｍ以下、さらに好ましくは３００ｎｍ以下、さらにより好ましくは２００ｎｍ以下、さらにより好ましくは１５０ｎｍ以下であり、又は、好ましくは５０〜５００ｎｍ、より好ましくは６０〜４００ｎｍ、さらに好ましくは１００〜３００ｎｍ、さらにより好ましくは１１０〜２００ｎｍ、さらにより好ましくは１１０〜１５０ｎｍであり、
或いは、シリカ粒子Ａの体積平均粒子径（Ｄ５０）が、好ましくは５０ｎｍ以上、より好ましくは６０ｎｍ以上、さらに好ましくは６５ｎｍ以上、さらにより好ましくは７０ｎｍ以上、又は、好ましくは５００ｎｍ以下、より好ましくは４００ｎｍ以下、さらに好ましくは３００ｎｍ以下、さらにより好ましくは２００ｎｍ以下、さらにより好ましくは１８０ｎｍ以下であり、又は、好ましくは５０〜５００ｎｍ、より好ましくは６０〜４００ｎｍ、さらに好ましくは６５〜３００ｎｍ、さらにより好ましくは７０〜２００ｎｍ、さらにより好ましくは７０〜１８０ｎｍであり、
或いは、シリカ粒子Ａの平均粒子径（Ｄ５０）が、５０ｎｍ以上が好ましく、より好ましくは６０ｎｍ以上、さらに好ましくは６５ｎｍ以上であり、又は、５００ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは３００ｎｍ以下、さらに好ましくは７３ｎｍ以下であり、又は、好ましくは５０〜５００ｎｍであり、より好ましくは６０〜３００ｎｍ、さらに好ましくは６５〜７３ｎｍである、＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜７＞ シリカ粒子Ａの平均絶対最大長が、好ましくは８０ｎｍ以上、より好ましくは９０ｎｍ以上、さらに好ましくは１００ｎｍ以上、さらにより好ましくは１１０ｎｍ以上、さらにより好ましくは１２０ｎｍ以上であり、又は、好ましくは５００ｎｍ以下、より好ましくは４００ｎｍ以下、さらに好ましくは３００ｎｍ以下、さらにより好ましくは２００ｎｍ以下、さらにより好ましくは１５０ｎｍ以下であり、又は、好ましくは８０〜５００ｎｍ、より好ましくは９０〜４００ｎｍ、さらに好ましくは９０〜３００ｎｍ、さらにより好ましくは９０〜１５０ｎｍであり、
或いは、シリカ粒子Ａの平均絶対最大長が、好ましくは８２ｎｍ以上、より好ましくは８５ｎｍ以上であり、又は、好ましくは４５０ｎｍ以下、より好ましくは４００ｎｍ以下、さらに好ましくは３８０ｎｍ以下、さらにより好ましくは３５０ｎｍ以下であり、又は、好ましくは８２〜４５０ｎｍ、より好ましくは８５〜４００ｎｍ、さらに好ましくは８５〜３８０ｎｍ、さらにより好ましくは８５〜３５０ｎｍであり、
或いは、シリカ粒子Ａの平均絶対最大長が、好ましくは８０ｎｍ以上であり、より好ましくは８３ｎｍ以上、さらに好ましくは８５ｎｍ以上であり、又は、好ましくは５００ｎｍ以下、より好ましくは３００ｎｍ以下、さらに好ましくは１００ｎｍ以下であり、又は、好ましくは８０〜５００ｎｍであり、より好ましくは８３〜３００ｎｍ、さらに好ましくは８５〜１００ｎｍである、＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜８＞ シリカ粒子Ａ中の面積比（ｂ／ａ×１００）が１１０〜２００％であるシリカ粒子の含有量が、５０質量％以上、好ましくは６０質量％以上、より好ましくは８０〜１００質量％である、＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜９＞ シリカ粒子Ａの面積比（ｂ／ａ×１００）の平均値が、１１０％以上であり、又は、２００％以下、好ましくは１８０％以下、より好ましくは１５０％以下、さらに好ましくは１４０％以下であり、又は、１１０〜２００％、好ましくは１１０〜１８０％、より好ましくは１１０〜１５０％、さらに好ましくは１１０〜１４０％であり、
或いは、シリカ粒子Ａの面積比（ｂ／ａ×１００）の平均値が、好ましくは１１５〜１９０％、より好ましくは１１５〜１８０％、さらに好ましくは１１５〜１７０％である、＜１＞から＜８＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜１０＞ シリカ粒子ＡのＢＥＴ比表面積が、好ましくは１０〜２００ｍ²／ｇ、より好ましくは２０〜１００ｍ²／ｇ、さらに好ましくは３０〜８０ｍ²／ｇである、＜１＞から＜９＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜１１＞ シリカ粒子Ａが、金平糖型のシリカ粒子Ａ１、異形型のシリカ粒子Ａ２、及び、
異形かつ金平糖型のシリカ粒子Ａ３からなる群から選択される少なくとも１種類のシリカ粒子を含む、＜１＞から＜１０＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜１２＞ シリカ粒子Ａにおけるシリカ粒子Ａ１、Ａ２、及びＡ３の合計が占める割合（質量比）が、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは７０質量％以上、さらに好ましくは８０質量％以上、さらにより好ましくは９０質量％以上、さらにより好ましくは実質的に１００質量％、さらにより好ましくは１００質量％である、＜１＞から＜１１＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜１３＞ シリカ粒子Ａが金平糖型のシリカ粒子及び異形型のシリカ粒子Ａ２を含み、Ａ１／Ａ２の質量比率が好ましくは５／９５〜９５／５、より好ましくは２０／８０〜８０／２０、さらに好ましくは２０／８０〜６０／４０であり、さらにより好ましくは２０／８０〜４０／６０であり、さらにより好ましくは２０／８０〜３０／７０の範囲にあり、シリカ粒子Ａにおける前記粒子Ａ１及びＡ２の合計量が８０質量％以上である、＜１＞から＜１２＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜１４＞ 研磨液組成物Ａに含まれるシリカ粒子の含有量が、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．５質量％以上、さらに好ましくは１質量％以上、さらにより好ましくは２質量％以上であり、又は、好ましくは３０質量％以下、より好ましくは２５質量％以下、さらに好ましくは２０質量％以下、さらにより好ましくは１５質量％以下であり、又は、好ましくは０．１〜３０質量％、より好ましくは０．５〜２５質量％、さらに好ましくは１〜２０質量％、さらにより好ましくは２〜１５質量％である、＜１＞から＜１３＞のいずれかに記載された磁気ディスク基板の製造方法。
＜１５＞ 研磨液組成物Ａが、さらに酸を含有する、＜１＞から＜１４＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜１６＞ 研磨液組成物Ａが、さらに酸化剤を含有する、＜１＞から＜１５＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜１７＞ 工程（１）の粗研磨工程で使用される研磨パッドが、スエードタイプ、不織布タイプ、ポリウレタン独立発泡タイプ、又はこれらを積層した二層タイプの研磨パッド、好ましくはスエードタイプの研磨パッドである、＜１＞から＜１６＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜１８＞ 工程（１）における研磨荷重が、好ましくは３０ｋＰａ以下、より好ましくは２５ｋＰａ以下、さらに好ましくは２０ｋＰａ以下、さらにより好ましくは１８ｋＰａ以下、さらにより好ましくは１６ｋＰａ以下、さらにより好ましくは１４ｋＰａ以下であり、又は、好ましくは３ｋＰａ以上、より好ましくは５ｋＰａ以上、さらに好ましくは７ｋＰａ以上、さらにより好ましくは８ｋＰａ以上、さらにより好ましくは９ｋＰａ以上であり、又は、好ましくは３〜３０ｋＰａ、より好ましくは５〜２５ｋＰａ、さらに好ましくは７〜２０ｋＰａ、さらにより好ましくは８〜１８ｋＰａ、さらにより好ましくは９〜１６ｋＰａ、さらにより好ましくは９〜１４ｋＰａである、＜１＞から＜１７＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜１９＞ 工程（１）の研磨を、５００〜５０００μｍの波長におけるうねりが好ましくは３．５Å（０．３５ｎｍ）以下、より好ましくは３．４Å以下、さらに好ましくは３．２Å以下、さらにより好ましくは３．０Å以下になるまで行う、＜１＞から＜１８＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜２０＞ 工程（２）における洗浄剤組成物のｐＨが、好ましくは８〜１３、より好ましくは９〜１３、さらに好ましくは１０〜１３、さらにより好ましくは１１〜１３である、＜１＞から＜１９＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜２１＞ レーザー光散乱法で測定したシリカ粒子Ｂの体積平均粒子径（Ｄ５０）が、シリカ粒子Ａの体積平均粒子径（Ｄ５０）より小さいシリカ粒子である、＜１＞から＜２０＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜２２＞ シリカ粒子Ｂの平均粒子径（Ｄ５０）が、好ましくは５〜５０ｎｍ、より好ましくは１０〜４５ｎｍ、さらに好ましくは１５〜４０ｎｍ、さらにより好ましくは２０〜３５ｎｍである、＜１＞から＜２１＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜２３＞ 工程（３）における、被研磨基板の単位面積（１ｃｍ²）あたりかつ研磨時間１分あたりの研磨量が、好ましくは０．０２ｍｇ以上、より好ましくは０．０３ｍｇ以上、さらに好ましくは０．０４ｍｇ以上であり、又は、好ましくは０．１５ｍｇ以下、より好ましくは０．１２ｍｇ以下、さらに好ましくは０．１０ｍｇ以下であり、又は、好ましくは０．０２〜０．１５ｍｇ、より好ましくは０．０３〜０．１２ｍｇ、さらに好ましくは０．０４〜０．１０ｍｇである、＜１＞から＜２２＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜２４＞ 前記研磨液組成物Ａ及び／又はＢのｐＨが好ましくは０．５〜６．０、より好ましくは０．７〜４．０、さらに好ましくは０．９〜３．０、さらにより好ましくは１．０〜３．０、さらにより好ましくは１．０〜２．０である、＜１＞から＜２３＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜２５＞ 被研磨基板が、Ｎｉ−Ｐめっきアルミニウム合金基板である、＜１＞から＜２４＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜２６＞ 工程（１）で研磨された被研磨基板又は工程（２）の洗浄後の基板の少なくとも１枚について、５００〜５０００μｍの波長のうねりを測定すること、及び、前記うねりが好ましくは３．５Å（０．３５ｎｍ）以下、より好ましくは３．４Å以下、さらに好ましくは３．２Å以下、さらにより好ましくは３．０Å以下にである場合に工程（３）を行うことを含む、＜１＞から＜２５＞のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
＜２７＞ ＜１＞から＜２６＞のいずれかに記載の工程（１）〜（３）を含む、磁気ディスク基板の研磨方法。
＜２８＞ シリカ粒子Ａ及び水を含有する研磨液組成物Ａを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程（１）； 工程（１）で得られた基板を洗浄する工程（２）；及び、 シリカ粒子Ｂ及び水を含有する研磨液組成物Ｂを工程（２）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程（３）；を有し、
前記工程（１）と（３）は別の研磨機で行い、
前記シリカ粒子Ａは、電子顕微鏡観察で得られる粒子の絶対最大長の平均が８０〜５００ｎｍであり、前記絶対最大長を直径とする円の面積ｂを電子顕微鏡観察で得られる該粒子の投影面積ａで除して１００を乗じた面積比（ｂ／ａ×１００）の平均が１１０〜２００％であり、
前記シリカ粒子Ａが、前記面積比（ｂ／ａ×１００）が１１０〜２００％であるシリカ粒子を、全シリカ粒子Ａに対して５０質量％以上含有する、磁気ディスク基板の研磨方法。
＜２９＞ 研磨液組成物Ａを用いて被研磨基板の研磨する第一の研磨機と、 前記第一研磨機で研磨した基板を洗浄する洗浄ユニットと、 研磨液組成物Ｂを用いて洗浄後の基板を研磨する第二の研磨機とを備える磁気ディスク基板の研磨システムであって、 前記研磨液組成物Ａが水とシリカ粒子Ａを含有し、前記シリカ粒子Ａは、電子顕微鏡観察で得られる粒子の絶対最大長の平均が８０〜５００ｎｍであり、前記絶対最大長を直径とする円の面積ｂを電子顕微鏡観察で得られる該粒子の投影面積ａで除して１００を乗じた面積比（ｂ／ａ×１００）の平均が１１０〜２００％であり、前記シリカ粒子Ａが、前記面積比（ｂ／ａ×１００）が１１０〜２００％であるシリカ粒子を、全シリカ粒子Ａに対して５０質量％以上含有し、前記研磨液組成物Ｂが水とシリカ粒子Ｂを含有する研磨液組成物である、研磨システム。
＜３０＞ 研磨液組成物Ａの研磨速度低下率が、好ましくは１５％以下、より好ましくは１２．０％以下、さらに好ましくは８．０％以下、さらにより好ましくは５．０％以下である、＜２９＞記載の研磨システム。
＜３１＞ 研磨液組成物Ａがアルミナ砥粒を含まない、＜２９＞又は＜３０＞に記載の研磨システム。
＜３２＞ シリカ粒子Ａが水ガラス法で製造されたシリカ粒子である、＜２９＞から＜３１＞のいずれかに記載の研磨システム。
＜３３＞ レーザー光散乱法で測定したシリカ粒子Ａの体積平均粒子径（Ｄ５０）が、好ましくは５０ｎｍ以上、より好ましくは６０ｎｍ以上、さらに好ましくは１００ｎｍ以上、さらにより好ましくは１１０ｎｍ以上であり、又は、好ましくは５００ｎｍ以下、より好ましくは４００ｎｍ以下、さらに好ましくは３００ｎｍ以下、さらにより好ましくは２００ｎｍ以下、さらにより好ましくは１５０ｎｍ以下であり、又は、好ましくは５０〜５００ｎｍ、より好ましくは６０〜４００ｎｍ、さらに好ましくは１００〜３００ｎｍ、さらにより好ましくは１１０〜２００ｎｍ、さらにより好ましくは１１０〜１５０ｎｍであり、
或いは、レーザー光散乱法で測定したシリカ粒子Ａの体積平均粒子径（Ｄ５０）が、好ましくは５０ｎｍ以上、より好ましくは６０ｎｍ以上、さらに好ましくは６５ｎｍ以上、さらにより好ましくは７０ｎｍ以上、又は、好ましくは５００ｎｍ以下、より好ましくは４００ｎｍ以下、さらに好ましくは３００ｎｍ以下、さらにより好ましくは２００ｎｍ以下、さらにより好ましくは１８０ｎｍ以下であり、又は、好ましくは５０〜５００ｎｍ、より好ましくは６０〜４００ｎｍ、さらに好ましくは６５〜３００ｎｍ、さらにより好ましくは７０〜２００ｎｍ、さらにより好ましくは７０〜１８０ｎｍであり、或いは、シリカ粒子Ａの平均粒子径（Ｄ５０）が、５０ｎｍ以上が好ましく、より好ましくは６０ｎｍ以上、さらに好ましくは６５ｎｍ以上であり、又は、５００ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは３００ｎｍ以下、さらに好ましくは７３ｎｍ以下であり、又は、好ましくは５０〜５００ｎｍであり、より好ましくは６０〜３００ｎｍ、さらに好ましくは６５〜７３ｎｍである、＜２９＞から＜３２＞のいずれかに記載の研磨システム。
＜３４＞ シリカ粒子Ａの平均絶対最大長が、好ましくは８０ｎｍ以上、より好ましくは９０ｎｍ以上、さらに好ましくは１００ｎｍ以上、さらにより好ましくは１１０ｎｍ以上、さらにより好ましくは１２０ｎｍ以上であり、又は、好ましくは５００ｎｍ以下、より好ましくは４００ｎｍ以下、さらに好ましくは３００ｎｍ以下、さらにより好ましくは２００ｎｍ以下、さらにより好ましくは１５０ｎｍ以下であり、又は、好ましくは８０〜５００ｎｍ、より好ましくは９０〜４００ｎｍ、さらに好ましくは９０〜３００ｎｍ、さらにより好ましくは９０〜１５０ｎｍであり、
或いは、シリカ粒子Ａの平均絶対最大長が、好ましくは８２ｎｍ以上、より好ましくは８５ｎｍ以上であり、又は、好ましくは４５０ｎｍ以下、より好ましくは４００ｎｍ以下、さらに好ましくは３８０ｎｍ以下、さらにより好ましくは３５０ｎｍ以下であり、又は、好ましくは８２〜４５０ｎｍ、より好ましくは８５〜４００ｎｍ、さらに好ましくは８５〜３８０ｎｍ、さらにより好ましくは８５〜３５０ｎｍであり、
或いは、シリカ粒子Ａの平均絶対最大長が、好ましくは８０ｎｍ以上であり、より好ましくは８３ｎｍ以上、さらに好ましくは８５ｎｍ以上であり、又は、好ましくは５００ｎｍ以下、より好ましくは３００ｎｍ以下、さらに好ましくは１００ｎｍ以下であり、又は、好ましくは８０〜５００ｎｍであり、より好ましくは８３〜３００ｎｍ、さらに好ましくは８５〜１００ｎｍである、＜２９＞から＜３３＞のいずれかに記載の研磨システム。
＜３５＞ シリカ粒子Ａ中の面積比（ｂ／ａ×１００）が１１０〜２００％であるシリカ粒子の含有量が、５０質量％以上、好ましくは６０質量％以上、より好ましくは８０〜１００質量％である、＜２８＞から＜３４＞のいずれかに記載の研磨システム。
＜３６＞ シリカ粒子Ａの面積比（ｂ／ａ×１００）の平均値が、１１０％以上であり、又は、２００％以下、好ましくは１８０％以下、より好ましくは１５０％以下、さらに好ましくは１４０％以下であり、又は、１１０〜２００％、好ましくは１１０〜１８０％、より好ましくは１１０〜１５０％、さらに好ましくは１１０〜１４０％であり、
或いは、シリカ粒子Ａの面積比（ｂ／ａ×１００）の平均値が、好ましくは１１５〜１９０％、より好ましくは１１５〜１８０％、さらに好ましくは１１５〜１７０％である、＜２９＞から＜３５＞のいずれかに記載の研磨システム。
＜３７＞ シリカ粒子ＡのＢＥＴ比表面積が、好ましくは１０〜２００ｍ²／ｇ、より好ましくは２０〜１００ｍ²／ｇ、さらに好ましくは３０〜８０ｍ²／ｇである、＜２９＞から＜３６＞のいずれかに記載の研磨システム。
＜３８＞ シリカ粒子Ａが、金平糖型のシリカ粒子Ａ１、異形型のシリカ粒子Ａ２、及び、
異形かつ金平糖型のシリカ粒子Ａ３からなる群から選択される少なくとも１種類のシリカ粒子を含む、＜２９＞から＜３７＞のいずれかに記載の研磨システム。
＜３９＞ シリカ粒子Ａにおけるシリカ粒子Ａ１、Ａ２、及びＡ３の合計が占める割合（質量比）が、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは７０質量％以上、さらに好ましくは８０質量％以上、さらにより好ましくは９０質量％以上、さらにより好ましくは実質的に１００質量％、さらにより好ましくは１００質量％である、＜２９＞から＜３８＞のいずれかに記載の研磨システム。
＜４０＞ シリカ粒子Ａが金平糖型のシリカ粒子及び異形型のシリカ粒子Ａ２を含み、Ａ１／Ａ２の質量比率が好ましくは５／９５〜９５／５、より好ましくは２０／８０〜８０／２０、さらに好ましくは２０／８０〜６０／４０であり、さらにより好ましくは２０／８０〜４０／６０であり、さらにより好ましくは２０／８０〜３０／７０の範囲にあり、シリカ粒子Ａにおける前記粒子Ａ１及びＡ２の合計量が８０質量％以上である、＜２９＞から＜３９＞のいずれかに記載の研磨システム。
＜４１＞ 研磨液組成物Ａに含まれるシリカ粒子の含有量が、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．５質量％以上、さらに好ましくは１質量％以上、さらにより好ましくは２質量％以上であり、又は、好ましくは３０質量％以下、より好ましくは２５質量％以下、さらに好ましくは２０質量％以下、さらにより好ましくは１５質量％以下であり、又は、好ましくは０．１〜３０質量％、より好ましくは０．５〜２５質量％、さらに好ましくは１〜２０質量％、さらにより好ましくは２〜１５質量％である、＜２９＞から＜４０＞のいずれかに記載された研磨システム。
＜４２＞ 研磨液組成物Ａが、さらに酸を含有する、＜２９＞から＜４１＞のいずれかに記載の研磨システム。
＜４３＞ 研磨液組成物Ａが、さらに酸化剤を含有する、＜２９＞から＜４２＞のいずれかに記載の研磨システム。
＜４４＞ レーザー光散乱法で測定したシリカ粒子Ｂの体積平均粒子径（Ｄ５０）が、シリカ粒子Ａの体積平均粒子径（Ｄ５０）より小さいシリカ粒子である、＜２９＞から＜４３＞のいずれかに記載の研磨システム。
＜４５＞ シリカ粒子Ｂの平均粒子径（Ｄ５０）が、好ましくは５〜５０ｎｍ、より好ましくは１０〜４５ｎｍ、さらに好ましくは１５〜４０ｎｍ、さらにより好ましくは２０〜３５ｎｍである、＜２９＞から＜４４＞のいずれかに記載の研磨システム。
＜４６＞ 前記研磨液組成物Ａ及び／又はＢのｐＨが好ましくは０．５〜６．０、より好ましくは０．７〜４．０、さらに好ましくは０．９〜３．０、さらにより好ましくは１．０〜３．０、さらにより好ましくは１．０〜２．０である、＜２９＞から＜４５＞のいずれかに記載の研磨システム。
＜４７＞ 被研磨基板が、Ｎｉ−Ｐめっきアルミニウム合金基板である、＜２９＞から＜４６＞のいずれかに記載の研磨システム。

【実施例】

【0092】

以下、実施例により本開示をさらに詳細に説明するが、これらは例示的なものであって、本開示はこれら実施例に制限されるものではない。

【0093】

下記のとおりに工程（１）に用いる研磨液組成物及び研磨液組成物Ｂを調製し、下記の条件で工程（１）〜（３）を含む被研磨基板の研磨を行った。研磨液組成物の調製方法、使用した添加剤、各パラメータの測定方法、研磨条件（研磨方法）及び評価方法は以下のとおりである。

【0094】

１．工程（１）に用いる研磨液組成物及び研磨液組成物Ｂの調製
[工程（１）に用いる研磨液組成物の調製]
表１−１のシリカ砥粒（コロイダルシリカ砥粒Ａ−Ｋ、ａ−ｉ及びｎ；フュームドシリカ砥粒ｊ−ｋ；アルミナ砥粒ｌ−ｍ；混合砥粒ｏ−ｐ）、硫酸、過酸化水素、及び水を用い、工程（１）に用いる研磨液組成物を調製した。工程（１）に用いる研磨液組成物中における各成分の含有量は、コロイダルシリカ粒子：４質量％、硫酸：０．５質量％、過酸化水素：０．５質量％とした。工程（１）に用いる研磨液組成物のｐＨは１．４であった。なお、表１−１におけるコロイダルシリカ砥粒は、水ガラス法で製造されたものである。

【0095】

表１−１のシリカ砥粒のタイプは、一又は複数の実施形態において、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）の観察写真及びそれを用いた分析で判別されうる分類である。
「金平糖型シリカ粒子」とは、球状の粒子表面に特異な疣状突起を有するシリカ粒子をいう。金平糖型シリカ粒子は、一又は複数の実施形態において、粒径が５倍以上異なる２つ以上の粒子が凝集又は融着した形状の粒子をいう。
「異形型シリカ粒子」とは、２つ以上の粒子が凝集又は融着したような形状の粒子をいう。異形型シリカ粒子は、一又は複数の実施形態において、粒径が１．５倍以内の２つ以上の粒子が凝集又は融着した形状の粒子をいう。
「異形かつ金平糖型シリカ粒子」とは、前記金平糖型と前記異形型の中間の形状及び／又は前記金平糖型と前記異形型の双方の特徴を備えるシリカ粒子をいう。
「球状シリカ粒子」とは、真球に近い球形状の粒子(一般的に市販されているコロイダルシリカ)をいう。
「鎖状シリカ粒子」とは、２つ以上の同粒径粒子が２次元的にランダムで繋がった数珠形状の粒子をいう。
なお、前記粒径は、電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察画像において１つの粒子内で測定される円相当径として求められる粒径である。

【0096】

【表1-1】

【0097】

金平糖型コロイダルシリカ砥粒Ａの電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察写真の一例を図１に、異形型コロイダルシリカ砥粒Ｄの電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察写真の一例を図２に示す。

【0098】

[研磨液組成物Ｂの調製]
下記表１−２のコロイダルシリカ砥粒（砥粒ｑ）、硫酸、過酸化水素、及び水を用い、研磨液組成物Ｂを調製した。研磨液組成物Ｂにおける各成分の含有量は、コロイダルシリカ粒子：５.０質量％、硫酸：０．５質量％、過酸化水素：０．５質量％とした。研磨液組成物ＢのｐＨは１．４であった。

【0099】

【表1-2】

【0100】

２．各パラメータの測定方法
［シリカ砥粒の体積平均粒子径］
シリカ砥粒をイオン交換水で１％分散液に希釈し、下記測定装置内に投入し、平均粒子径を測定した。
測定機器 ：マルバーン ゼータサイザー ナノ「Nano S」
測定条件 ：サンプル量 １．５ｍL
：レーザー Ｈｅ―Ｎｅ、３．０ｍＷ、６３３ｎｍ
：散乱光検出角 １７３°
得られた体積分布粒径の累積体積頻度が５０％となる粒径をシリカ粒子の体積平均粒子径（Ｄ５０）とした。

【0101】

［シリカ砥粒の形状及び面積比の測定方法］
シリカ砥粒を日本電子製透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）（商品名「JEM-2000FX」、８０ｋＶ、１〜５万倍）で観察した写真をパソコンにスキャナで画像データとして取込み、解析ソフト「WinROOF(Ver.3.6)」（販売元：三谷商事）を用いて１０００〜２０００個のシリカ粒子データについて１個１個のシリカ粒子の絶対最大長を求め、絶対最大長の平均値（平均絶対最大長）を得た。絶対最大長を直径とする円の面積ｂを電子顕微鏡観察で得られる該粒子の投影面積ａで除し１００を乗じて、面積比（ｂ/ａ×100）（％）を算出した。また、面積比（ｂ/ａ×100）が１１０〜２００％である粒子のシリカ砥粒に対する割合を算出した。さらに、平均絶対最大長の円面積ｂを前記投影面積ａの平均値で除し１００を乗じた値を平均面積比（ｂ/ａ×100）として算出した。

【0102】

［アルミナ粒子の平均二次粒子径の測定］
０．５％ポイズ５３０（花王社製）水溶液を分散媒として、下記測定装置内に投入し、続いて透過率が７５〜９５％になるようにサンプルを投入し、その後、５分間超音波を掛けた後、粒径を測定した。
測定機器 ：堀場製作所製 レーザー回折／散乱式粒度分布測定装置 LA920
循環強度 ：４
超音波強度：４

【0103】

３．研磨条件
工程（１）〜（３）を含む被研磨基板の研磨を行った。各工程の条件を以下に示す。なお、工程（１）を同一の研磨機で行い、工程（３）を前記研磨機とは別個の研磨機で行った。
［被研磨基板］
被研磨基板は、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板を用いた。なお、この被研磨基板は、厚み１．２７ｍｍ、直径９５ｍｍであった。

【0104】

［工程（１）：粗研磨］
研磨機：両面研磨機（９Ｂ型両面研磨機、スピードファム社製）
研磨液：工程（１）に用いる研磨液組成物（表２及び３に示す）
研磨パッド：スエードタイプ（発泡層：ポリウレタンエラストマー）、厚み１．０４ｍｍ、平均気孔径４３μｍ （FILWEL社製）
定盤回転数：４５ｒｐｍ
研磨荷重：９．８ｋＰａ（設定値）
研磨液供給量：１００ｍＬ／分（０．０７６ｍＬ／（ｃｍ²・分））
研磨時間：５分（表２−１の実施例及び比較例）、３〜５分（表３の実施例及び比較例）
研磨量：０．１〜１．６ｍｇ／ｃｍ²
投入した基板の枚数：１０枚

【0105】

［工程（２）：洗浄］
工程（１）で得られた基板を、下記条件で洗浄した。
１． ０．１質量％のＫＯＨ水溶液からなるｐＨ１２のアルカリ性洗浄剤組成物の入った槽内に、工程（１）で得られた基板を５分間浸漬する。
２． 浸漬後の基板を、イオン交換水で２０秒間すすぎを行う。
３． すすぎ後の基板を洗浄ブラシがセットされたスクラブ洗浄ユニットに移送し洗浄する。

【0106】

［工程（３）：仕上げ研磨］
研磨機：両面研磨機（９Ｂ型両面研磨機、スピードファム社製）、工程（１）で使用した研磨機とは別個の研磨機
研磨液：研磨液組成物Ｂ
研磨パッド：スエードタイプ（発泡層：ポリウレタンエラストマー）、厚み１．０ｍｍ、平均気孔径５μｍ（FILWEL社製）
定盤回転数：４０ｒｐｍ
研磨荷重：９．８ｋＰａ
研磨液供給量：１００ｍＬ／分（０．０７６ｍＬ／（ｃｍ²・分））
研磨時間：２分
研磨量：０．０４〜０．１０ｍｇ／(ｃｍ²・分)
投入した基板の枚数：１０枚
工程（３）後に、洗浄を行った。洗浄条件は、前記工程（２）と同条件で行った。

【0107】

４．評価方法

【0108】

［工程（１）の速度低下率の評価方法］
工程（１）に用いる研磨液組成物を４分間流した時の研磨速度を基準速度とし、４分経過後は研磨液の供給を停止させたまま研磨を継続して供給停止の１分後の研磨速度を停止後速度とし、前記基準速度と前記停止後速度の差を前記基準速度で除して１００を乗じた値を研磨速度低下率と定義した。

【0109】

［工程（１）の研磨量の測定方法］
研磨前後の各基板の重さを計り（Ｓａｒｔｏｒｉｕｓ社製、「ＢＰ−２１０Ｓ」）を用いて測定し、下記式に導入することにより、研磨量を求めた。
重量減少量（ｇ）＝｛研磨前の重量（ｇ）−研磨後の重量（ｇ）｝
研磨量（μｍ）＝重量減少量（ｇ）／基板片面面積（ｍｍ²）／２／Ｎｉ−Ｐメッキ密度（ｇ／ｃｍ³）×１０⁶
（基板片面面積は、６５９７ｍｍ²、Ｎｉ−Ｐメッキ密度８．４ｇ／ｃｍ³として算出）

【0110】

［工程（３）後の突起欠陥の評価方法］
測定機器：ＯＳＡ７１００（ＫＬＡ Ｔｅｎｃｏｒ社製）
評価：研磨液組成物Ｂを用いて研磨を行い、その後、無作為に４枚を選択し、各々の基板を１００００ｒｐｍにてレーザーを照射して砥粒突き刺さり数を測定した。その４枚の基板の各々両面にある砥粒突き刺さり数（個）の合計を８で除して、基板面当たりの砥粒突き刺さり数（突起欠陥数）（個又は相対値）を算出した。

【0111】

［工程（１）及び（３）後の基板表面長波長うねりの評価方法］
工程（１）又は（３）後研磨後の１０枚の基板から任意に２枚を選択し、選択した各基板の両面を１２０°おきに４点（計１６点）について、下記の条件で測定した。その１６点の測定値の平均値を基板のうねりとして算出した。
機器 ：Zygo NewView5032
レンズ ：2.5倍 Michelson
ズーム比 ：0.5
リムーブ ：Cylinder
フィルター：FFT Fixed Band Pass、うねり波長：０．５〜５．０mm
エリア ：4.33mm×5.77mm

【0112】

５．結果
砥粒が砥粒Ａ〜Ｋである工程（１）に用いる研磨液組成物を使用した研磨工程（１）を含む研磨を、前記研磨条件で行った（実施例１〜１１、表２）。また、砥粒が砥粒ａ〜ｐである工程（１）に用いる研磨液組成物を使用した研磨工程（１）を含む研磨を、前記研磨条件で行った（比較例１〜１６、表２）。なお、比較例１５では、工程（１）として、砥粒ｍの工程（１）に用いる研磨液組成物で研磨を行い、その後同一研磨機にてさらに砥粒ｎの工程（１）に用いる研磨液組成物で研磨を行った。これらの結果を表２に示す。

【0113】

【表2】

【0114】

表２に示すとおり、実施例１〜１１では、工程（１）が５分、及び、工程（３）が２分という短い合計研磨時間で、比較例１〜１６に比べて、工程（１）及び工程（３）の研磨後の基板表面のうねり（長波長うねり）並びに工程（３）の研磨後の基板の突起欠陥を低減できた。

【0115】

次に、砥粒が砥粒Ｄ、Ｆ及びＨ〜Ｋである工程（１）に用いる研磨液組成物を使用した研磨工程（１）を含む研磨を前記研磨条件で行った（実施例１２〜１７、表３）。実施例１２〜１７の研磨工程（１）の粗研磨時間は、３．５分〜５分とし、研磨工程（３）の研磨時間を２、４、６分とした。工程（３）において突起個数が６５０個以下、かつ、長波長うねりが２．５Å以下となるまでの、工程（１）と工程（３）の合計研磨時間（分）と総研磨量を算出した。また、砥粒が砥粒ｍ、ａ、ｆ、ｊ、及びｐである工程（１）に用いる研磨液組成物を使用した研磨工程（１）を含む研磨を前記研磨条件で行った（比較例１７〜２１、表３）。比較例１７〜２１の工程（１）の粗研磨時間は、それぞれ、３、７．５、１０、１０、及び５分とした。比較例において「工程（３）において突起個数が６５０個以下、かつ、長波長うねりが２．５Å以下」の条件に最も近くなる工程（１）と工程（３）の合計研磨時間（分）と総研磨量を算出した。これらの結果を表３に示す。

【0116】

【表3】

【0117】

前記表３に示すとおり、実施例１２〜１７では、比較例１７〜２１に比べて、工程（１）において、長波長うねりを指標とする基板表面状態を一定水準以上とするために削りとる研磨量を少なくすることができ、その結果、研磨時間を短縮できることが分かった。さらに、実施例１２〜１７では、突起欠陥及び長波長うねりを低減するまでにかかる工程（１）の粗研磨時間＋工程（３）の仕上げ研磨時間の合計研磨時間が、比較例１７〜２１に比べて短いことが分かった。

【産業上の利用可能性】

【0118】

本発明の磁気ディスクの製造方法は、例えば、高記録密度の磁気ディスク基板の製造に好適に用いることができる。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】