特許 6126052 リフロ処理ユニット及び基板処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6126052

(24)【登録日】2017年4月14日

(45)【発行日】2017年5月10日

(54)【発明の名称】リフロ処理ユニット及び基板処理装置

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/34 20060101AFI20170424BHJP

   B65G 49/07 20060101ALI20170424BHJP

   H01L 21/677 20060101ALI20170424BHJP

   H01L 21/683 20060101ALI20170424BHJP

【ＦＩ】

   H05K3/34 507H

   H05K3/34 503Z

   B65G49/07 C

   H01L21/68 A

   H01L21/68 N

【請求項の数】15

【全頁数】16

(21)【出願番号】特願2014-150061(P2014-150061)

(22)【出願日】2014年7月23日

(65)【公開番号】特開2015-32829(P2015-32829A)

(43)【公開日】2015年2月16日

【審査請求日】2014年7月23日

【審判番号】不服2016-5963(P2016-5963/J1)

【審判請求日】2016年4月21日

(31)【優先権主張番号】13/987,510

(32)【優先日】2013年8月1日

(33)【優先権主張国】US

(73)【特許権者】

【識別番号】504388695

【氏名又は名称】ピーエスケー・インコーポレーテッド

(73)【特許権者】

【識別番号】513232842

【氏名又は名称】セミギア インコーポレイテッド

【氏名又は名称原語表記】ＳＥＭＩｇｅａｒ，Ｉｎｃ．

(74)【代理人】

【識別番号】110000671

【氏名又は名称】八田国際特許業務法人

(72)【発明者】

【氏名】チャン，ジエン

【合議体】

【審判長】 冨岡 和人

【審判官】 阿部 利英

【審判官】 中川 隆司

(56)【参考文献】

【文献】 米国特許第６８２７７８９（ＵＳ，Ｂ２）

【文献】 米国特許第７６８２４５４（ＵＳ，Ｂ２）

【文献】 特開平８−１２４８６６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 実開平５−８４４６２（ＪＰ，Ｕ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

H05K3/34,B65G49/07,H01L21/68,H01L21/677,H01L21/683

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板を収納するキャリヤーを備えるロードポートと、
前記基板にリフロ工程を遂行する１つ又は複数個のリフロ処理ユニットを含む基板処理モジュールと、
前記ロードポートと前記基板処理モジュールとの間に位置する基板搬送モジュールと、を含み、
前記基板搬送モジュールは、前記基板を前記ロードポートと前記基板処理モジュールとの間に搬送する搬送ロボットを有し、
前記リフロ処理ユニットは、
内部に処理空間を有する工程チャンバーと、
前記処理空間に位置してなり、前記基板を支持する支持部材と、
前記工程チャンバー上面と連結されてなり、前記処理空間に真空圧を提供して前記処理空間を排気する排気部材と、
前記支持部材上部に離隔されて位置し、一定な厚さを有する平板形状に提供される吸着防止板と、を含み、
前記吸着防止板は、円形形状の輪郭および一定な厚さを有する平板形状の１つのみの水平部と、前記水平部の底面縁領域を囲み、垂直下方に延長された垂直部と、を含み、
前記排気部材は、前記水平部の中央に接続されており、
前記垂直部は、平面視において、前記支持部材の縁領域と一致するように位置している、基板処理装置。

【請求項2】

前記リフロ処理ユニットは、前記吸着防止板を加熱する加熱部材をさらに含む請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記排気部材は、前記工程チャンバー上面と連結され、排気される流体が移動する排気ラインを含み、
前記排気ラインは、前記工程チャンバーを通過して前記吸着防止板と直接連結される請求項２に記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記加熱部材は、前記排気ラインを複数回囲むテープ形状に提供されるヒーターを含み、
前記ヒーターは、前記排気ラインを加熱し、前記排気ラインから前記吸着防止板を加熱する請求項３に記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記吸着防止板は、上部から見る時、前記支持部材と重なるように位置する請求項１〜４のいずれか１つに記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記工程チャンバーは、
下部ハウジングと、
前記下部ハウジングと対向するように位置する上部ハウジングと、を含み、
前記リフロ処理ユニットは、
前記基板が固定される基板ホールが１つ又は複数個提供され、前記上部ハウジングと前記下部ハウジングとの間に位置する回転板と、
前記回転板を回転させる駆動器と、
前記下部ハウジングを昇下降させることによって、前記工程チャンバーを開くか、あるいは閉じる昇下降部材と、をさらに含む請求項１〜５のいずれか１つに記載の基板処理装置。

【請求項7】

前記基板ホールは、複数個提供されるとともに、互に一定な間隔を有し、環形のリング形状に配置され、
前記回転板は、前記環形のリング形状に配置された前記複数の前記基板ホールの配置の中心を基準に回転する請求項６に記載の基板処理装置。

【請求項8】

前記基板処理モジュールは、複数個の前記リフロ処理ユニットを有し、
前記回転板には、前記基板ホールが複数個提供され、
前記複数個の前記リフロ処理ユニットが有する前記工程チャンバーは、上部から見る時、前記複数個の前記基板ホールと重なる位置に提供される請求項６または請求項７に記載の基板処理装置。

【請求項9】

内部に処理空間を有する工程チャンバーと、
前記処理空間に位置してなり、前記基板を支持する支持部材と、
前記工程チャンバー上面と連結されてなり、前記処理空間に真空圧を提供して前記処理空間を排気する排気部材と、
前記支持部材上部に離隔されて位置し、一定な厚さを有する平板形状に提供される吸着防止板と、を含み、
前記吸着防止板は、円形形状の輪郭および一定な厚さを有する平板形状の１つのみの水平部と、前記水平部の底面縁領域を囲み、垂直下方に延長された垂直部と、を含み、
前記排気部材は、前記水平部の中央に接続されており、
前記垂直部は、平面視において、前記支持部材の縁領域と一致するように位置している、リフロ処理ユニット。

【請求項10】

前記リフロ処理ユニットは、前記吸着防止板を加熱する加熱部材をさらに含む請求項９に記載のリフロ処理ユニット。

【請求項11】

前記排気部材は、前記工程チャンバー上面と連結され、排気される流体が移動する排気ラインを含み、
前記排気ラインは、前記工程チャンバーを通過して前記吸着防止板と直接連結される請求項１０に記載のリフロ処理ユニット。

【請求項12】

前記加熱部材は、前記排気ラインを複数回囲むテープ形状に提供されるヒーターを含み、
前記ヒーターは、前記排気ラインを加熱し、前記排気ラインから前記吸着防止板を加熱する請求項１１に記載のリフロ処理ユニット。

【請求項13】

前記吸着防止板は、
上部から見る時、前記支持部材と重なるように位置する請求項１０〜１２のいずれか１つに記載のリフロ処理ユニット。

【請求項14】

前記工程チャンバーは、
下部ハウジングと、
前記下部ハウジングと対向するように位置する上部ハウジングと、を含み、
前記工程チャンバーの前記処理空間は、基板にリフロ工程を遂行する処理空間であり、
前記リフロ処理ユニットは、
前記基板が固定される基板ホールが１つ又は複数個提供され、前記上部ハウジングと前記下部ハウジングとの間に位置する回転板と、
前記回転板を回転させる駆動器と、
前記下部ハウジングを昇下降させることによって、前記工程チャンバーを開くか、あるいは閉じる昇下降部材と、をさらに含む請求項１０〜１３のいずれか１つに記載のリフロ処理ユニット。

【請求項15】

前記基板ホールは、複数個提供されるとともに、互に一定な間隔を有し、環形のリング形状に配置され、
前記回転板は、前記環形のリング形状に配置された前記複数の前記基板ホールの配置の中心を基準に回転し、
前記工程チャンバーは、複数個提供され、
前記複数個の前記工程チャンバーは、上部から見る時、前記複数個の前記基板ホールと重なる位置に提供される請求項１４に記載のリフロ処理ユニット。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は半導体基板製造装置及び基板処理方法に関し、より詳細には半導体ウエハーにリフロ工程を遂行する装置及び方法に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体素子が高集積化されることにしたがって、半導体集積回路が形成された半導体チップを外部の回路と連結するための連結パッドの数が増加し、これにしたがって印刷回路基板ＰＣＢに搭載される半導体パッケージのリード（ｌｅａｄ）線の数も大きく増加するようになった。

【0003】

リード線の数が増加することによってリードフレーム（ｌｅａｄ ｆｒａｍｅ）を適用した従来のパッケイジング（ｐａｃｋａｇｉｎｇ）技術は５００ピン（ｐｉｎ）以上の高集積半導体チップに適用することができない。

【0004】

したがって、半導体パッケージの下部面の広い面積を利用して半導体パッケージの出力端子（ｏｕｔｐｕｔ ｔｅｒｍｉｎａｌ）を配置することができる新しい概念のＢＧＡパッケージ技術が開発された。

【0005】

このようなＢＧＡ（ｂａｌｌ ｇｒｉｄ ａｒｒａｙ）パッケージ技術で半導体チップは印刷回路基板に搭載され、印刷回路基板の出力端子（ｏｕｔｐｕｔ ｔｅｒｍｉｎａｌ）に対応してソルダボール（ｓｏｌｄｅｒ ｂａｌｌ）が配置され、半導体パッケージの集積回路は印刷回路基板の出力端子及びこれと連結されたソルダボールを通じて電気電子装置の外部回路と電気的に連結される。

【0006】

この時、ソルダボールは半導体集積回路が実装されている印刷回路基板の反対面に形成され、ソルダボールを印刷回路基板の出力端子と電気的に連結するためにソルダリング工程が要求される。

【0007】

ここで、半導体チップ等を印刷回路基板の表面に装着した後、適正な温度でソルダリングし、これを硬化させる工程をリフロ工程と称する。

【0008】

リフロ工程ではソルダボールが置かれた印刷回路基板を加熱炉に入れて、一定な時間の間に一定な温度でソルダボールを加熱し、これを通じてソルダボールは印刷回路基板の出力端子にソルダリング（ｓｏｌｄｅｒｉｎｇ）される。

【0009】

一般的に、基板にリフロ工程が遂行されれば、フラックス（ｆｌｕｘ）が発生する。このようなフラックスはリフロ工程が遂行される工程チャンバーに吸着されて良く排気されない。このようなフラックスによってリフロ工程が遂行される工程チャンバーを含む基板処理装置の効率が低下する問題点があった。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0010】

【特許文献1】韓国公開特許第１０−２００７−０３１７７５３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0011】

本発明はリフロ工程で発生するフラックス等の不純物が工程チャンバーに吸着されることなく排気され得るリフロ処理ユニット及び基板処理装置を提供することを一目的とする。

【0012】

本発明が解決しようとする課題は上述した課題に限定されることではなく、言及されなかった課題は本明細書及び添付された図面から本発明の属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解できることである。

【課題を解決するための手段】

【0013】

本発明は基板処理装置を提供する。

【0014】

本発明の一実施形態による基板処理装置は、基板を収納するキャリヤーを備えるロードポートと、前記基板にリフロ工程を遂行する１つ又は複数個のリフロ処理ユニットを含む基板処理モジュールと、前記ロードポートと前記基板処理モジュールとの間に位置する基板搬送モジュールと、を含み、前記基板搬送モジュールは、前記基板を前記ロードポートと前記基板処理モジュールとの間に搬送する搬送ロボットを有し、前記リフロ処理ユニットは、内部に処理空間を有する工程チャンバーと、前記処理空間に位置してなり、前記基板を支持する支持部材と、前記工程チャンバー上面と連結されてなり、前記処理空間に真空圧を提供して前記処理空間を排気する排気部材と、前記支持部材上部に離隔されて位置し、円形形状の輪郭および一定な厚さを有する平板形状に提供される吸着防止板と、を含み、前記吸着防止板は、一定な厚さを有する平板形状の１つのみの水平部と、前記水平部の底面縁領域を囲み、垂直下方に延長された垂直部と、を含む。そして、前記排気部材は、前記水平部の中央に接続されており、前記垂直部は、平面視において、前記支持部材の縁領域と一致するように位置している。

【0015】

前記リフロ処理ユニットは、前記吸着防止板を加熱する加熱部材をさらに包含することができる。

【0016】

前記排気部材は、前記工程チャンバー上面と連結され、排気される流体が移動する排気ラインを含み、前記排気ラインは、前記工程チャンバーを通過して前記吸着防止板と直接連結され得る。

【0017】

前記加熱部材は、前記排気ラインを複数回囲むテープ形状に提供されるヒーターを含み、前記ヒーターは、前記排気ラインを加熱し、前記排気ラインから前記吸着防止板を加熱することができる。

【0018】

前記吸着防止板は、上部から見る時、前記支持部材と重なるように位置することができる。

【0020】

前記工程チャンバーは、下部ハウジングと、前記下部ハウジングと対向するように位置する上部ハウジングと、を含み、前記リフロ処理ユニットは、前記基板が固定される基板ホールが１つ又は複数個提供され、前記上部ハウジングと前記下部ハウジングとの間に位置する回転板と、前記回転板を回転させる駆動器と、前記下部ハウジングを昇下降させることによって、前記工程チャンバーを開くか、或いは閉じる昇下降部材と、をさらに包含することができる。

【0021】

前記基板ホールは、複数個提供されるとともに、互に一定な間隔を有し、環形のリング形状に配置され、
前記回転板は、前記環形のリング形状に配置された前記複数の前記基板ホールの配置の中心を基準に回転することができる。

【0022】

前記基板処理モジュールは、複数個の前記リフロ処理ユニットを有し、前記回転板には、前記基板ホールが複数個提供され、前記複数個の前記リフロ処理ユニットが有する前記工程チャンバーは、上部から見る時、前記複数個の前記基板ホールと重なる位置に提供され得る。

【0023】

また、本発明は、リフロ処理ユニットを提供する。

【0024】

本発明の一実施形態によるリフロ処理ユニットは、内部に処理空間を有する工程チャンバーと、前記処理空間に位置してなり、前記基板を支持する支持部材と、前記工程チャンバー上面と連結されてなり、前記処理空間に真空圧を提供して前記処理空間を排気する排気部材と、前記支持部材上部に離隔されて位置し、円形形状の輪郭および一定な厚さを有する平板形状に提供される吸着防止板と、を含み、前記吸着防止板は、一定な厚さを有する平板形状の１つのみの水平部と、前記水平部の底面縁領域を囲み、垂直下方に延長された垂直部と、を含む。そして、前記排気部材は、前記水平部の中央に接続されており、前記垂直部は、平面視において、前記支持部材の縁領域と一致するように位置している

【0025】

前記リフロ処理ユニットは、前記吸着防止板を加熱する加熱部材をさらに包含することができる。

【0026】

前記排気部材は、前記工程チャンバー上面と連結され、排気される流体が移動する排気ラインを含み、前記排気ラインは、前記工程チャンバーを通過して前記吸着防止板と直接連結され得る。

【0027】

前記加熱部材は、前記加熱部材は、前記排気ラインを複数回囲むテープ形状に提供されるヒーターを含み、前記ヒーターは、前記排気ラインを加熱し、前記排気ラインから前記吸着防止板を加熱することができる。

【0028】

前記吸着防止板は、上部から見る時、前記支持部材と重なるように位置することができる。

【0029】

前記工程チャンバーは、下部ハウジングと、前記下部ハウジングと対向するように位置する上部ハウジングと、を含み、前記工程チャンバーの前記処理空間は、基板にリフロ工程を遂行する処理空間であり、前記リフロ処理ユニットは、前記基板が固定される基板ホールが１つ又は複数個提供され、前記上部ハウジングと前記下部ハウジングとの間に位置する回転板と、前記回転板を回転させる駆動器と、前記下部ハウジングを昇下降させることによって、前記工程チャンバーを開くか、あるいは閉じる昇下降部材と、をさらに包含することができる。

【0030】

前記基板ホールは、複数個提供されるとともに、互に一定な間隔を有し、環形のリング形状に配置され、前記回転板は前記環形のリング形状に配置された前記複数の前記基板ホールの配置の中心を基準に回転し、前記工程チャンバーは、複数個提供され、前記複数個の前記工程チャンバーは、上部から見る時、前記複数個の前記基板ホールと重なる位置に提供され得る。

【発明の効果】

【0031】

本発明の一実施形態によれば、リフロ工程で発生するフラックス等の不純物が工程チャンバーに吸着されることなく排気され得る。

【0032】

本発明の効果が上述した効果に限定されることではなく、言及されなかった効果は本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解され得る。

【図面の簡単な説明】

【0033】

【図1】本発明の基板処理装置の一実施形態を示す平面図である。

【図2】図１の基板処理装置の基板処理モジュールと基板搬送モジュールとを示す斜視図である。

【図3】図１の一般的なリフロ処理ユニットを示す断面図である。

【図4】図１のリフロ処理ユニットの一実施形態を示す断面図である。

【図5】図１の洗浄ユニットを示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0034】

以下、本発明の実施形態を添付された図面を参照してさらに詳細に説明する。本発明の実施形態は様々な形態に変形され得り、本発明の範囲が以下の実施形態に限定されることとして解釈されてはならない。本実施形態は当業界で平均的な知識を有する者に本発明をさらに完全に説明するために提供される。したがって、図面での要素の形状はより明確な説明を強調するために誇張された。

【0035】

図１は本発明による基板処理装置の一実施形態に関する平面図である。

【0036】

図１を参照すれば、本発明の基板処理装置１０はロードポート１００、基板搬送モジュール２００、及び基板処理モジュール３００を有する。ロードポート１００、基板搬送モジュール２００、及び基板処理モジュール３００は順に一列に配置される。以下、ロードポート１００、基板搬送モジュール２００、及び基板処理モジュール３００が配列された方向を第１方向９１であると称し、上部から見る時、第１方向９１と垂直になる方向を第２方向９２であると称し、第１方向９１と第２方向９２とを含む平面と垂直である方向を第３方向９３であると称する。ロードポート１００、基板搬送モジュール２００、基板処理モジュール３００は第１方向９１にしたがって順に配列される。

【0037】

ロードポート１００には基板が収納されたキャリヤー１１０が設けられる。ロードポート１００は複数個提供され、これらは第２方向９２に沿って一列に配置される。ロードポート１００の個数は工程処理モジュール３００の工程効率及びフットプリント等にしたがって増加するか、或いは減少することもできる。キャリヤー１１０には基板を地面に対して水平に配置した状態に収納するための多数のスロットが形成される。キャリヤー１１０としては全面開放一体形ポッド（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｅｄ Ｐｏｄ：ＦＯＵＰ）が使用され得る。

【0038】

図２は図１の基板処理装置の基板処理モジュールと基板搬送モジュールとを示す斜視図である。

【0039】

図１と図２とを参照すれば、基板搬送モジュール２００はロードポート１００と基板処理モジュール３００との間に位置する。基板搬送モジュール２００には搬送ロボット２１０が位置される。

【0040】

搬送ロボット２１０は本体２１１とアーム部２１２とを含む。本体２１１は基板搬送モジュール２００の中央部に位置することができる。アーム部２１２は複数個のアームから構成される。複数個のアームが互に連結されて第２方向９２の両端にあるロードポート１００の基板を搬送することができる。

【0041】

搬送ロボット２１０はロードポート１００と基板処理モジュール３００との間に基板を搬送する。一例によれば、搬送ロボット２１０はロードポート１００、基板処理モジュール３００、及び洗浄ユニット４００の間に基板を搬送する。

【0042】

図３は図１の一般的なリフロ処理ユニットを示す断面図である。

【0043】

図３を参照すれば、基板処理モジュール３００はリフロ処理ユニット３０１、支持プレート３９０、駆動器３８２、及び回転板３８１を含む。

【0044】

リフロ処理ユニット３０１は工程チャンバー３１０、支持部材３２０、ヒーター３２３、排気部材３３０、工程流体供給部材３４０、及び昇下降部材３７０を含む。一実施形態によれば、リフロ処理ユニット３０１は複数個提供される。複数個のリフロ処理ユニット３０１は環形のリング形状に配置され得る。

【0045】

工程チャンバー３１０は上部ハウジング３１１、下部ハウジング３１２、及びシーリング部材３１９を含む。工程チャンバー３１０は内部にリフロ工程が遂行されることができる処理空間を有する。工程チャンバー３１０は上部ハウジング３１１と下部ハウジング３１２とに分離されて開放されることができる構造に提供される。上部ハウジング３１１は下面が開放された円筒形状を有する。

【0046】

下部ハウジング３１２は上部ハウジング３１１と対向するように位置する。下部ハウジング３１２は上面が開放された円筒形状を有する。上部ハウジング３１１と下部ハウジング３１２とは同じ断面積を有することができる。

【0047】

シーリング部材３１９は上部ハウジング３１１と下部ハウジング３１２とが対向する位置に各々提供され得る。一例によれば、シーリング部材３１９ａ、３１９ｂは上部ハウジング３１１の下端と下部ハウジング３１２の上端とに各々位置する。シーリング部材３１９はＯ−リング（Ｏ−ｒｉｎｇ）として提供され得る。

【0048】

支持部材３２０は工程チャンバー３１０内部の処理空間に位置する。支持部材３２０は処理空間に搬送された基板を支持する。支持部材３２０はチャック３２１、支持軸３２４を含む。

【0049】

チャック３２１は支持部材３２０の上端に位置する。一例によれば、チャック３２１は上部に真空圧を提供し、これによって基板を吸着する真空チャックとして提供され得る。これと異なり、機械的なクランピングや静電チャックが提供されることもあり得る。一例によれば、ヒーター３２３はチャック３２１の内部に提供され得る。ヒーター３２３は基板を加熱する。一例によれば、ヒーター３２３はチャック３２１を加熱し、加熱されたチャック３２１が基板を加熱する。

【0050】

支持軸３２４はチャック３２１を支持する。支持軸３２４の下端は工程チャンバー３１０の底面と接触され、上端はチャック３２１の下面と接触される。図示していないが、支持部材３２０は回転力を発生するモーターのような駆動部をさらに包含することもあり得る。駆動部はチャック３２１に回転力を伝達することができる。駆動部はモーター、駆動部から発生された回転力をスピンドルに伝達するベルト、チェーンのような動力伝達部等の一般的な構成からなり得る。

【0051】

排気ライン３３１、３３２は個別排気ライン３３１と共通排気ライン３３２とを含む。個別排気ライン３３１は共通排気ライン３３２と工程チャンバー３１０とを連結する。個別排気ライン３３１の一端は工程チャンバー３１０の上面と連結される。一例によれば、個別排気ライン３３１の一端は工程チャンバー３１０の上面中央部と連結され得る。個別排気ライン３３１の他端は共通排気ライン３３２と連結される。個別排気ライン３３１は工程チャンバー３１０の数と同数に提供され得る。一例によれば、個別排気ライン３３１は４つが提供され得る。これと異なり、個別排気ライン３３１は４つ以上提供されるか、或いは４つ以下に提供され得る。一例によれば、上部から見る時、個別排気ライン３３１は共通排気ライン３３２を中心に放射状に延長される形状に提供され得る。

【0052】

共通排気ライン３３２は複数個の工程チャンバー３１０の中央部に位置する。共通排気ライン３３２は第３方向９３に延長されて提供され得る。一例によれば、共通排気ライン３３２の下端は複数個の個別排気ライン３３１と連結される。共通排気ライン３３２の上端は排気圧提供部材（図示せず）と連結される。排気圧提供部材（図示せず）は真空圧を排気ライン３３１、３３２に提供する。排気圧提供部材（図示せず）で発生された真空圧は共通排気ライン３３２及び個別排気ライン３３１を経て工程チャンバー３１０の内部に提供される。

【0053】

一例によれば、トラップ３３５は個別排気ライン３３１上に各々位置することができる。これにしたがって、トラップ３３５は個別排気ライン３３１の個数と同じ個数に提供され得る。トラップ３３５は排気ライン３３１、３３２を通る排気流体から不純物を除去する役割を果たす。一例によれば、トラップ３３５は分離可能に提供され得る。これと異なり、トラップ３３５は共通排気ライン３３２上にも提供され得る。このような場合にはトラップ３３５は１つのみが提供され得る。

【0054】

工程流体供給部材３４０は供給ノズル３４１、供給ライン３４２、バルブ３４３、及び工程流体格納部３４５を含む。供給ノズル３４１は工程チャンバー３１０の上面に位置する。一例によれば、供給ノズル３４１は個別排気ライン３３１を囲むように位置することができる。これと異なり、複数個の供給ノズル３４１が個別排気ライン３３１を囲み、一定の間隔に離れて提供され得る。

【0055】

供給ライン３４２は供給ノズル３４１と工程流体格納部３４５とを連結する。供給ライン３４２を通じて工程流体が工程流体格納部３４５から工程チャンバー３１０の内部の処理空間に移動される。供給ライン３４２にはバルブ３４３が提供される。バルブ３４３は供給ライン３４２を移動する工程流体の流量を調節する。

【0056】

昇下降部材３７０は昇下降駆動部３７１と支持台３７３とを含む。一例によれば、昇下降部材３７０は下部ハウジング３１２を昇降又は下降させることによって工程チャンバー３１０を開閉する。昇下降駆動部３７１は支持プレート３９０の下部に位置する。昇下降駆動部３７１は下部ハウジング３１２を昇降又は下降させる動力を発生させる。支持台３７３は昇下降駆動部３７１と下部ハウジング３１２とを連結する。支持台３７３は長さが伸びるか、或いは縮むことができるように提供される。支持台３７３は昇下降駆動部３７１から提供される動力によって伸びるか、或いは縮みながら、下部ハウジング３１２を昇降又は下降させる。

【0057】

図４は他の実施形態によるリフロ処理ユニットを示す断面図である。

【0058】

図４を参照すれば、リフロ処理ユニット３１００は工程チャンバー３１１０、支持部材３１２０、排気部材３１３０、工程流体供給部材３１４０、昇下降部材（図示せず）、吸着防止板３１７０を含む。リフロ処理ユニット３１００は図３のリフロ処理ユニット３０１と比較して吸着防止板３１７０をさらに含み、排気部材３１３０の位置に差異がある。その他は、リフロ処理ユニット３１００と図３のリフロ処理ユニット３０１とはその構成と機能とが同一である。以下ではリフロ処理ユニット３１００と図３のリフロ処理ユニット３０１との差異点を中心に説明し、同一な部分は省略する。

【0059】

吸着防止板３１７０は工程チャンバー３１１０の内部の処理空間に位置する。吸着防止板３１７０は支持部材３１２０の上部に離隔されて位置し、一定な厚さを有する平板形状に提供され得る。吸着防止板３１７０は上部から見る時、支持部材３１２０と重なるように位置することができる。

【0060】

吸着防止板３１７０は垂直部３１７１と水平部３１７２とを含む。水平部３１７２は一定な厚さを有する平板形状に提供される。垂直部３１７１は水平部３１７２の底面縁領域を囲み、垂直下方に延長される形状に提供される。一例によれば、垂直部３１７１は上部から見る時、支持部材３１２０の縁領域と一致するように位置することができる。これと異なり、垂直部３１７１は上部から見る時、支持部材３１２０の縁領域より外側に位置することもあり得る。

【0061】

排気部材３１３０は個別排気ライン３１３１と共通排気ライン（図１の３３２）とを含む。一例によれば、個別排気ライン３１３１は上部ハウジング３１１１を通過し、吸着防止板３１７０と直接連結され得る。

【0062】

また、排気部材３１３０は排気ラインを複数回囲むテープ形状に提供されるヒーター３１７９を含む。一例によれば、ヒーター３１７９は個別排気ライン３１３１に位置することができる。ヒーター３１７９は個別排気ライン３１３１を加熱し、個別排気ライン３１３１から熱が吸着防止板３１７０に伝達されて吸着防止板３１７０を加熱する。

【0063】

本発明の一実施形態によるリフロ処理ユニット３１００はリフロ工程で発生するフラックスが工程チャンバーに吸着される前に吸着防止板３１７０に提供される排気部材３１３０を通じて排気される。また、吸着防止板３１７０と個別排気ライン３１３１との温度を上昇させて、フラックスが吸着防止板３１７０と個別排気ライン３１３１とに吸着されないようにする。これにより、効率的なリフロ工程を遂行できる基板処理装置を提供することができる。

【0064】

再び図２と図３とを参照すれば、回転板３８１は上部支持プレート３９８と下部支持プレート３９９との間に位置する。また、回転板３８１は上部ハウジング３１１と下部ハウジング３１２との間に位置する。一例によれば、工程チャンバー３１０は上部ハウジング３１１が回転板３８１の上面と接触され、下部ハウジング３１２が回転板３８１の底面と接触しながら、閉じられる。回転板３８１は１つ又は複数個の基板ホール３８４を有する平板形状に提供される。基板ホール３８４は基板の断面積より大きく提供される。基板ホール３８４の底面には支持ピン３８５が提供される。支持ピン３８５は支持プレート３９０の内部に搬送された基板が基板ホール３８４に位置することができるように基板の底面を支持する。基板ホール３８４は支持プレート３９０の溝３９１乃至３９６と同じ個数に提供され得る。一例によれば、基板ホール３８４と支持プレート３９０との溝３９１乃至３９６は６つ提供され得る。回転板３８１は基板と共に回転して、複数個の工程チャンバー３１０に基板を移動させる役割を果たす。具体的に、基板ホール３８４は第１乃至第６基板ホールを含み、リフロ処理ユニット３０１は第１乃至第５リフロ処理ユニット３０１ａ，３０１ｂ，３０１ｃ，３０１ｄ，３０１ｅを含み、基板処理モジュール３００は第１乃至第５基板ホールが各々第１乃至第５リフロ処理ユニット３０１ａ，３０１ｂ，３０１ｃ，３０１ｄ，３０１ｅと対応する位置に提供され得る。そして、回転板３８１が回転して第１基板ホールが第１リフロ処理ユニット３０１ａと対応する位置に移動されれば、第２乃至第５基板ホールが各々第２乃至第５リフロ処理ユニット３０１ｂ，３０１ｃ，３０１ｄ，３０１ｅと対応する位置に移動され得る。このような方式において、基板は第１乃至第５リフロ処理ユニット３０１ａ，３０１ｂ，３０１ｃ，３０１ｄ，３０１ｅを全て経ながら、リフロ工程が進行される。駆動器３８２は回転板３８１と連結されて回転板３８１を回転させる。

【0065】

支持プレート３９０は上部支持プレート３９８と下部支持プレート３９９とを含む。上部支持プレート３９８は一定な厚さを有する平板形状に提供される。下部支持プレート３９９は円板形状に提供され得る。支持プレート３９０は上面に１つ又は複数個の溝３９１乃至３９６を有する。具体的に、１つ又は複数個の溝３９１乃至３９６は下部支持プレート３９９に提供される溝と上部支持プレート３９８に提供されるホールとが結合されて提供される。一例によれば、支持プレート３９０は６つの溝３９１乃至３９６を有する。この時、溝３９１乃至３９６は互に一定な間隔を有するように配置され得る。また、溝３９１乃至３９６は支持プレート３９０の上面で環形のリング形状に配列され得る。複数個の溝３９１乃至３９６の中で一部又は全てには工程チャンバー３１０が提供され得る。一例によれば、６つの溝３９１乃至３９６の中で５つの溝３９２乃至３９６にはリフロ処理ユニット３０１が提供され得る。リフロ処理ユニット３０１が提供されない出入溝３９１は基板が基板処理モジュール３００に搬送される通路として利用され得る。出入溝３９１は他の溝３９２乃至３９６より基板搬送モジュール２００の近くに位置する。支持プレート３９０の一側面には開口３９７が提供される。開口３９７は基板搬送モジュール２００と基板処理モジュール３００とを連結する通路の役割を果たす。開口３９７は基板が搬送され、出入溝３９１と連結される。支持プレート３９０は上部支持プレート３９８と下部支持プレート３９９とを含む。上部支持プレート３９８と下部支持プレート３９９は同一な断面積を有する。

【0066】

図５は図１の洗浄ユニットを示す断面図である。

【0067】

図５を参照すれば、洗浄ユニット４００は洗浄チャンバー４１０、基板支持部材４３０、及び流体供給部材４５０、４７０を含む。洗浄ユニット４００は基板処理モジュール３００に設けられる。洗浄ユニット４００は複数個提供され得る。一例によれば、洗浄ユニット４００は基板搬送モジュール２００と接触する位置に提供され得る。また、洗浄ユニット４００はリフロ処理ユニット３０１より上方に位置することができる。これを通じて基板処理モジュール３００の内部空間を効率的に利用することができる。

【0068】

洗浄チャンバー４１０は基板が洗浄される空間を提供する。洗浄チャンバー４１０の一側面には基板が搬入され得る基板搬送部４１５が提供される。基板搬送部４１５の外側には基板搬送部４１５を開閉するドア４１３が位置する。一例によれば、基板搬送部４１５は洗浄チャンバー４１０で基板搬送モジュール２００と対向する面に提供され得る。

【0069】

基板支持部材４３０は真空チャック４３１、支持軸４３２、及び駆動部４３３を含む。基板支持部材４３０は洗浄チャンバー４１０の内部に位置する。

【0070】

真空チャック４３１は基板支持部材４３０の上端に位置する。真空チャック４３１は洗浄チャンバー４１０の内部に搬送された基板を支持する。真空チャック４３１は上部に真空圧を提供する。真空チャック４３１は真空圧を利用して基板を固定する。これと異なり、機械的なクランピングや静電チャックを利用して基板を固定することもできる。

【0071】

支持軸４３２は駆動部４３３と真空チャック４３１とを連結する。支持軸４３２の一端は真空チャック４３１の下端と連結され、他端は駆動部４３３の上端と連結される。支持軸４３２は駆動部４３３が回転する場合に回転力を真空チャック４３１に伝達することもあり得る。

【0072】

駆動部４３３は工程チャンバー３１０の底面と接触されて位置する。駆動部４３３はモーター等を含んで回転力を発生させることもあり得る。これと異なり、駆動部４３３は回転しないこともあり得る。

【0073】

流体供給部材は第１流体供給部材４５０と第２流体供給部材４７０とを含む。一例によれば、第１流体供給部材４５０は純水ＤＩＷを供給することができる。また、第２流体供給部材４７０は窒素ガスＮ２を供給することができる。

【0074】

第１流体供給部材４５０はノズルアーム４５１、ノズル４５２、第１流体供給ライン４５３、第１流体格納部４５７、第１流体調節バルブ４５５、及び圧力調節部４５６を含む。

【0075】

ノズルアーム４５１は洗浄チャンバー４１０の内部に提供される。ノズルアーム４５１は第１ノズルアームと第２ノズルアームとを含む。第１ノズルアームは上端が洗浄チャンバー４１０の上面と接触される。他端は上端から垂直下方に延長される。他端は第２ノズルアームと連結される。第２ノズルアームは第１ノズルアームの下端から垂直であり、洗浄チャンバー４１０の上面と水平な方向に延長される。第２ノズルアームの一端は第１ノズルアームと連結され、他端は底面にノズル４５２が位置する。一例によれば、ノズルアーム４５１は第１ノズルアームを軸に回転可能であるように提供され得る。これによって、基板の全領域に均一に第１流体を供給することができる。一例によれば、第１流体は純水ＤＩＷが提供され得る。

【0076】

ノズル４５２は第２ノズルアームの一端の底面に位置する。ノズル４５２は第１流体を基板へ噴射する。

【0077】

第１流体供給ライン４５３は第１流体格納部４５７とノズルアーム４５１とを連結する。第１流体格納部４５７は第１流体を格納する。第１流体供給ライン４５３を通じて第１流体格納部４５７に格納された第１流体がノズル４５２に移動される。第１流体供給ライン４５３には第１流体調節バルブ４５５が提供される。第１流体調節バルブ４５５は第１流体供給ライン４５３を通過する第１流体の流量を調節する。圧力調節部４５６は第１流体調節バルブ４５５と連結される。圧力調節部４５６は第１流体調節バルブ４５５を調節して噴射される第１流体の圧力を調節する。

【0078】

第２流体供給部材４７０は第２流体噴射ノズル４７１、第２流体供給ライン４７３、第２流体格納部４７７、第２流体調節バルブ４７５、及び圧力調節部を含む。

【0079】

第２流体噴射ノズル４７１は洗浄チャンバー４１０の上面に位置する。一例によれば、第２流体噴射ノズル４７１は洗浄チャンバー４１０の上面の中央部に位置することができる。第２流体噴射ノズル４７１は基板へ第２流体を噴射する。

【0080】

第２流体供給ライン４７３は第２流体格納部４７７と第２流体噴射ノズル４７１とを連結する。第２流体格納部４７７は第２流体を格納する。第２流体供給ライン４７３を通じて第２流体格納部４７７に格納された第２流体が第２流体噴射ノズル４７１に移動される。第２流体供給ライン４７３には第２流体調節バルブ４７５が提供される。第２流体調節バルブ４７５は第２流体供給ライン４７３を通過する第２流体の流量を調節する。圧力調節部は第２流体調節バルブ４７５と連結される。圧力調節部は第２流体調節バルブ４７５を調節して噴射される第２流体の圧力を調節する。

【0081】

図示していないが、洗浄ユニット４００は排気部材（図示せず）をさらに包含することもあり得る。排気部材（図示せず）は洗浄ユニット４００の内部で洗浄に使用された流体を外部へ排出させることができる。

【0082】

選択的に、上述した洗浄ユニット４００は提供されないこともあり得る。

【0083】

以下では本発明の一実施形態による基板処理装置を利用してリフロ処理をする方法を含む基板処理方法を説明する。

【0084】

本発明の一実施形態による基板処理方法はソルダバンプが付着された基板がロードポートから基板搬送モジュールにローディングされるローディング段階、基板とソルダバンプとが洗浄ユニットで洗浄される洗浄段階、基板が基板処理モジュールでリフロ処理されるリフロ段階、及び基板がロードポートに搬送されるアンローディング段階を含む。

【0085】

洗浄段階は基板とソルダバンプとがリフロ段階の前に洗浄される１次洗浄段階と基板とソルダバンプとがリフロ段階の後に洗浄される２次洗浄段階とを包含することができる。また、洗浄段階は基板を洗浄する第１流体が基板に供給される第１洗浄段階及び基板を乾燥する第２流体が基板に供給される第２洗浄段階を含む。

【0086】

一般的な場合、リフロ処理をする基板処理工程で基板を洗浄する工程は別の装置で行われる。しかし、本発明の一実施形態によれば、１つの基板処理装置で洗浄工程とリフロ工程とが同時に行われるようになる。これによって、リフロ工程を含む基板処理工程の時間が短縮されて効率化を図ることができる。また、不純物及びフラックス等による基板処理工程の効率性低下を防止することができる。

【0087】

リフロ段階は１次洗浄が完了された基板が第１工程チャンバーから第５工程チャンバーまで順に移動されながら、進行され、第１工程チャンバーから第４工程チャンバーまでは前記基板とソルダバンプとが加熱され、第５工程チャンバーでは基板とソルダバンプとが加熱されるか、或いは冷却され得る。第１乃至第４工程チャンバーを移動しながら、各々のチャンバーで基板とソルダバンプとは加熱されながら、リフロ工程が進行される。そして、第５工程チャンバーでは基板を冷却する。第１乃至第５工程チャンバーを通過してリフロ工程が完了された基板はリフロ処理ユニットの外部に搬送される。

【0088】

リフロ処理された基板は２次洗浄段階を経る。２次洗浄段階は主にリフロ工程で発生されたフラックスと不純物とを除去する。２次洗浄が完了された基板は基板搬送モジュールに搬送される。

【0089】

以上の詳細な説明は本発明を例示することに過ぎない。また、前述した内容は本発明の望ましい実施形態を示して説明することであり、本発明は多様な他の組合せ、変更及び環境で使用することができる。即ち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、前述した開示内容と均等な範囲及び／又は当業界の技術又は知識の範囲内で変更又は修正が可能である。前述した実施形態は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明することであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態に本発明を制限しようとすることでない。また、添付された請求の範囲は他の実施状態も含むものとして解釈されなければならない。

【符号の説明】

【0090】

１０ 基板処理装置、
１００ ロードポート、
１１０ キャリヤー、
２００ 基板搬送モジュール、
２１０ 搬送ロボット、
３００ 基板処理モジュール、
３０１、３１００ リフロ処理ユニット、
３１０ 工程チャンバー、
３１１ 上部ハウジング、
３１２ 下部ハウジング、
３１３０ 排気部材、
３１３１ 個別排気ライン（排気ライン）、
３１７０ 吸着防止板、
３１７１ 垂直部、
３１７２ 水平部、
３１７９ ヒーター（加熱部材）、
３２０ 支持部材、
３２３ ヒーター、
３３０ 排気部材、
３４０ 工程流体供給部材（ガス供給部材）、
３７０ 昇下降部材、
３８１ 回転板、
３８２ 駆動器、
３８４ 基板ホール、
３９０ 支持プレート、
４００ 洗浄ユニット、
４１０ 洗浄チャンバー、
４３０ 基板支持部材（支持部材）、
４３１ 真空チャック、
４３３ 駆動部、
４５０ 第１流体供給部材（流体供給部材）、
４５６ 圧力調節部、
４７０ 第２流体供給部材（流体供給部材）。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】