特許第6126887号(P6126887)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特許6126887III族窒化物基板の製造方法およびIII族窒化物基板の転位密度低減方法
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  • 特許6126887-III族窒化物基板の製造方法およびIII族窒化物基板の転位密度低減方法 図000003
  • 特許6126887-III族窒化物基板の製造方法およびIII族窒化物基板の転位密度低減方法 図000004
  • 特許6126887-III族窒化物基板の製造方法およびIII族窒化物基板の転位密度低減方法 図000005
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