(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
【発明を実施するための形態】
【0063】
本明細書に開示される発明コンセプトの少なくとも一つの実施形態を詳細に説明する前に、発明コンセプトの用途は、以下の記載に明記し、かつ、図面に示す部材、段階、または方法の構成および取り決めの詳細に限定されないことは理解されるべきである。本明細書に開示される発明コンセプトは、その他の実施形態が可能であり、多様な方法で実施することができる。また、本明細書で用いられる文言および用語は、記載を目的としたものであり、限定を意図したものと見なされるべきでないことも理解されるべきである。
【0064】
以下の発明の実施形態の詳細な記載では、数多くの詳細を明記して、本明細書に開示する発明コンセプトのより完全な理解を促す。しかし、開示における発明コンセプトは、これらの特定の詳細がなくても実施されうることは当業者には自明であろう。その他の例では、記載が不必要に複雑にならないように、周知の特性は詳細に記載しなかった。
【0065】
本明細書で使用するように、参照番号に付加される「a〜n」の表記は、各参照番号によって識別される要素または特性が1つ、または2つ以上の無限数存在することを示すための単に便宜上の表記法として意図されている(たとえば、100a〜n)。同じく、参照番号の後に付加される文字は、同じ参照番号を持つ以前に記載された要素または特性と同様であるが必ずしも同一でない特性または要素の実施形態を示すことを意図している(たとえば、100、100a、100b等)。このような表記法は、明確性および便宜性を期してだけ使用されるのであり、明示的な断りがない限り、本明細書に開示する発明コンセプトをいかなる意味においても限定するものであると解釈されるべきでない。
【0066】
さらに、明示的な断りがない限り、「または(or)」は、排他的な「または」ではなく、両立的な「または」を指す。たとえば、条件AまたはBと述べた場合、Aは真(もしくは存在する)かつBは偽(もしくは存在しない)、Aは偽(もしくは存在しない)かつBは真(もしくは存在する)、および、AおよびBの両方が真(もしくは存在する)のうちのいずれによっても当該条件は満たされる。
【0067】
さらに、「一つ(a)」または「一つ(an)」という文言を用いて、本明細書の実施形態の要素および部材を記載する。これは便宜上の目的と、発明コンセプトの汎用性を示す目的とにおいて為されているだけである。この記載は、1つの場合と、少なくとも1つの場合とを含むと解釈されるべきであり、また、単数形は複数でないことが明らかである場合以外は複数も含む。
【0068】
本明細書で用いられる「軸方向の」、「軸方向に」、およびこれらの類似用語は、回転軸に実質的に平行に、または回転軸と同一線に沿って、延伸するという意味を含むことが意図されている。
【0069】
明示的な断りがない限り、本明細書で用いられる「空隙」、「間隙」、およびこれらの類似用語のいずれも、2つ以上の物体または表面の間に気体が存在するか流体が存在するかに拘らず、これらの2つ以上の物体または表面を隔てる距離を有するものであると理解されるべきである。
【0070】
さらに、本明細書で用いられる「径方向」、「軸方向」、およびこれらの類似用語のいずれも、半径に沿って延伸するという意味、または、回転軸に実質的に垂直な線を包含することが意図されている。
【0071】
最後に、本明細書で用いられるように、「一実施形態」または「ある実施形態」と言及する場合、その実施形態に関連して記載される特定の要素、特性、構造、または特徴が、少なくとも一つの実施形態に含まれることが意図されている。本明細書の各所で「一実施形態では」という文言が用いられていても、必ずしも全てが同じ実施形態を指すのではない。
【0072】
本明細書に開示される発明コンセプトは、電気エネルギー発電機に関する。大まかに、発電機は、1対以上の、径方向に同心円状に配置され、互いに対向し、固定され、軸方向の空隙により隔てられた磁界源およびコイルの対を有する。磁界源とコイルとを隔てる空隙には、干渉ドラムが配置され、干渉ドラムは、その軸方向の表面に沿って、交互に磁界透過領域と磁界不透過領域とを有する。干渉ドラムを回転させると、固定された磁界源と固定されたコイルとの間の磁界は、干渉ドラムアセンブリの交互に配置された領域により、コイルに到達し、またはコイルに到達しないよう跳ね返される。結果として発生する径方向磁束により、コイルに電流が誘導される。
【0073】
図面、特に
図1を参照すると、支持アセンブリ54、一つ以上の翼52、シャフト56、発電機アセンブリ筺体58、および発電機アセンブリ100を有する風力発電タービン50が示されている。発電機アセンブリ筺体58を部分的に切り欠いて発電機アセンブリ100を示している。発電機アセンブリ筺体58は、支持アセンブリ54に接続される。発電機アセンブリ筺体58は、ナセルと呼ぶ場合もある。発電機アセンブリ100は、発電機アセンブリ筺体58の内部に設けられ、翼52はシャフト56によって発電機アセンブリ100に接続される。
【0074】
図2〜
図3Bを参照すると、発電機アセンブリ100は、ベースプレート102、一つ以上の磁束アセンブリ104aおよび104b(明確性を期すべく、2つ示される)、および干渉ドラムアセンブリ106を有する。明確性を期して、ベースプレート102は、適宜、水平方向に配置されているとして説明し、磁束アセンブリ104aおよび104b、並びに干渉ドラムアセンブリ106は、水平方向に配置されたベースプレート102に対して相対的に説明する。しかし、このような配置の指定は、発電機アセンブリ100の各部材間の配置を示しているだけであって、なんらかの外部の物体、方向、または配置に必ずしも関連しない。このような指定は、明確性および便宜性だけを目的としたものであって、本明細書に開示される発明コンセプトをなんらかの意味において限定するものと見なされるべきでない。
【0075】
ベースプレート102は、好ましくは、中心(
図4の134)を有する実質的に水平なディスク形状の平坦面(
図4の132)を規定する。磁束アセンブリ104aおよび104b、並びに干渉ドラムアセンブリ106は、ベースボルト108によってベースプレート102に取り付けることができるが、その他の取り付け方法を用いることもできる。磁束アセンブリ104aおよび104bは、好ましくは、ベースプレート102から実質的に垂直に延伸する。磁束アセンブリ104aおよび104bは、構成および機能が実質的に同じであるので、以下では磁束アセンブリ104aだけを説明する。磁束アセンブリ104aは、磁束ベース110、コイルアセンブリ112、および磁石アセンブリ114を含む。コイルアセンブリ112および磁石アセンブリ114は、好ましくは、磁束ベース110に取り付けられ、互いに対向するように配置される。コイルアセンブリ112および磁石アセンブリ114は、好ましくは、ベースプレート102の中心に関して径方向に配置され、好ましくは、内部に干渉ドラムアセンブリ106が、好ましくは少なくとも部分的に設けられる軸方向環状空隙116により隔てられる。コイルアセンブリ112の方が、磁石アセンブリ114よりも、ベースプレート102の中心134に近接して示されているが、代わりに、磁石アセンブリ114の方を、コイルアセンブリ112よりもベースプレート102の中心134に近接して配置することもできることは理解されたい。
【0076】
発電機アセンブリ100は、ベースプレート102に取り付けられた6個の磁束アセンブリ104aを有してよく、磁束アセンブリ104aは、ベースプレート102により規定されるディスク形状面132(
図4)に関して対称的に配置される。6個の磁束アセンブリ104aのうち任意の2つの間の距離は、好ましくは、その他の任意の2つの磁束アセンブリ104a間の距離に等しく、したがって、6個の磁束アセンブリ104aは、ベースプレート102のディスク形状面132(
図4)に沿って60度ずつ離間し、その中心134(
図4)から径方向に延在する。しかし、本明細書に開示される発明コンセプトでは、本発明の範囲から逸脱することなく、別の数の磁束アセンブリ104aを使用することができることは理解されよう。
【0077】
干渉ドラムアセンブリ106は、好ましくは、ベースプレート102から実質的に垂直に延在する。干渉ドラムアセンブリ106は、シャフト118、シャフト筺体230、ハブアセンブリ128、およびドラム226を有する。シャフト118は、中心軸120を有し、好ましくは、ベースプレート102の中心134を通ってベースプレート102に実質的に垂直に延伸する。ベースプレート102の下方に延伸するシャフト118の端部は、たとえば、シャフトカラー122(
図3A参照)によって保持することができる。シャフト118は、形状を実質的に円筒状とすることができ、十分な強度および耐久性を有する任意の適切な材料から形成することができ、好ましくは、発電機アセンブリ100内に渦電流が誘導される可能性を抑制するべく、非導電性および/または非鉄の材料を使用することができる。シャフト118は、任意の適切な構成により、ハブアセンブリ128に接続される。ハブアセンブリ128は、好ましくは、実質的に円筒状のハブ130を有し、または、シャフト118とドラム226とを接続する1個、2個、またはそれ以上のスポーク(不図示)を有することができる。ハブ130は、好ましくは、ベースプレート102の面132に実質的に平行である。ハブ130は、シャフト118に接続される。ハブ130は、所望の強度および耐久性を有する任意の適切な材料、好ましくは、発電機アセンブリ100内に渦電流が誘導される可能性を抑制するべく、非導電性および/または非鉄の材料から形成することができる
【0078】
ドラム226は、好ましくは、実質的に円筒状の側壁276を有する。ドラム226は、ハブ130に接続される。ドラム226は、好ましくは、ベースプレート102に実質的に垂直であり、シャフト118が中心軸120周りに回転すると、ベースプレート102の中心134周りに回転するようになっている。ドラム226は、コイルアセンブリ112と磁石アセンブリ114との間の空隙116に少なくとも部分的に配置される。ドラム226は、
図16〜
図26を参照して以下に記載する方法で製造することができる。
【0079】
図4を参照すると、ベースプレート102は、任意の適切な形状とすることができ、実質的に平坦な実質的にディスク形状の面132を好ましくは規定する。面132は、中心134、好ましくは中心134に位置する開口136、第1セットの開口138、および第2セットの開口140を有する。明確性を期して、開口138および140のうちいくつかだけを
図4に示す。
【0080】
第1セットの開口138は、比例的に増大する半径を有する4個の同心円状のリング144a〜144dが規定されるように面132に沿って配置され、約60度で分割した6本の半径線142が形成されるように配置される。
【0081】
第2セットの開口140は、2個の同心円状のリング146a〜146bが規定され、第1セットの開口138により規定される半径線142から好ましくは約30度オフセットされた6本の半径線148が形成されるように面132に沿って配置することができる。開口138は、干渉ドラムアセンブリ106および磁束アセンブリ104aをベースプレート102に取り付けるべく、ベースボルト108を受け取るように構成することができる。ベースプレート102は、GaroliteG−10の名前で販売される種類の材料等の熱硬化性プラスチックラミネート材料から形成することができるが、Plexiglas(商標)等のアクリルプラスチック、または適切な強度および耐久性を有するその他の任意の材料を使用することができる。ベースプレート102は、好ましくは、発電機アセンブリ100内に渦電流が誘導される可能性を抑制するべく、非導電性および/または非鉄の材料から形成される。ベースプレート102のディスク形状面132は、好ましくは、直径を約24インチとすることができるが、ベースプレート102の製造に使用される材料および/または発電機アセンブリ100が遭遇するであろうと予測される動作的および環境的な変数に基づいて、ベースプレート102の寸法を変更することができることは理解されよう。
【0082】
ベースプレート102は、発電機アセンブリ100の各部材を構造的に支持するべく機能することができる。開口138および140の形状、寸法、構成、および数は、多様であってよい。開口136は、内部を貫通してシャフト118を受け取る。ベースプレート102は、発電機アセンブリ100を環境的な変動から保護する外側筺体(不図示)の一部を規定することができる。または、発電機アセンブリ100は、たとえば、
図1に示す発電機アセンブリ筺体58等の別の保護筺体で完全に、または部分的に取り囲むことができる。ベースプレート102は、干渉ドラムアセンブリ106、磁石アセンブリ114、およびコイルアセンブリ112をベースプレート102の面132上で同心円の半径上に配置させることができる限り、任意の寸法または形状を有することができることは理解されるべきである。
【0083】
図5A〜5Bを参照すると、磁束ベース110は、好ましくは、GaroliteG−10の名前で販売される種類の材料等の熱硬化性プラスチックラミネート材料から形成されるが、適切な強度および耐久性を有する任意の材料を使用することができる。磁束ベース110は、好ましくは、発電機アセンブリ100内に渦電流が誘導される可能性を抑制するべく、非導電性および/または非鉄の材料から形成される。磁束ベース110は、好ましくは、厚さが約1インチであるが、製造に使用される材料および/または発電機アセンブリ100が遭遇するであろうと予測される動作的および環境的な変数に基づいて、磁束ベース110の寸法を変更することができることは理解されよう。
【0084】
磁束ベース110は、好ましくは、細長い形状を有しており、第1端部150、第2端部152、切り欠き中間部154、および底部156を有する。底部156は、好ましくは、磁束ベース110をベースプレート102に取り付ける4個のベースボルト108を内部に螺受け取りする4個のベース開口158を有する。磁束ベース110の底部156は、磁束ベース110がベースプレート102の面132と面一となり、磁束ベース110がベースプレート102の面132から実質的に垂直に延伸するように、実質的に平坦な長方形の表面を有してよいが、その他の構成を使用することもできる。磁束ベース110は、当技術分野で周知の任意の適切な手段、たとえば、ねじ、びょう、溶接、接着剤、およびこれらの組み合わせにより、面132に取り付けることができることは理解されよう。または、磁束ベース110およびベースプレート102は、単一体として形成してよく、または、別の要素(不図示)を使用して磁束ベース110をベースプレート102に接続してよい。磁束ベース110には、取り付け開口160が、その第1端部150および第2端部152の平坦面に開口または形成されてもよい。開口160は、好ましくは、実質的に長方形状に配置され、ベース開口158に実質的に垂直である。開口160は、磁石アセンブリ114およびコイルアセンブリ112を磁束ベース110に取り付けることができるように機能する。
【0085】
図6を参照すると、磁束アセンブリ104aは、コイルアセンブリ112および磁石アセンブリ114を有する。
【0086】
コイルアセンブリ112は、コイル台190およびコイル192を有する。コイル192は、コイル192がコイル台190に取り付けられるように用いられる2個の取り付け開口195を有することができる。コイル台190は、磁束ベース110の開口160と実質的に位置が揃った開口194を有する。コイル台190は、ボルト196を開口194および取り付け開口160に挿入することにより、磁束ベース110に取り付けることができる。コイル台190には、2個の取り付け開口195を開口または形成することができ、取り付け開口195は、取り付け開口160に一致するように設けられ、ボルト197を受け入れてコイル192をコイル台190に固定する。コイル192は、任意の従来のコイル192とすることができ、コイル192は、磁石172から磁束を受け取って、コイル192からの電子をコイル192の外部にあってよい電気回路(不図示)に流すことができる限り、任意の型または数の巻線、コア、および/または極(poles)を有することができる。
【0087】
図7を参照すると、コイル台190は、好ましくは、厚さが約0.5インチであるが、製造に使用される材料および/または発電機アセンブリ100が遭遇するであろうと予測される動作的および環境的な変数に基づいて、コイル台190の寸法を変更することができることは理解されよう。コイル台190は、開口194によってコイルアセンブリ112を磁束ベース110に構造的に取り付けるように機能する。コイル台190は、たとえば、ボルト、ナット、ネジ、溶接、接着剤、またはその他の任意の適切な手段により、磁束ベース110に直接的に取り付けることができる。コイル台190は、好ましくは、GaroliteG−10の名前で販売される種類の材料から形成することができるが、適切な強度および耐久性を有する任意の材料、好ましくは、発電機アセンブリ100内に渦電流が誘導される可能性を抑制するべく、非導電性および/または非鉄の材料を使用することができる。コイル台190は、固定位置で磁束ベース110に取り付けることができる。または、コイル台190は、たとえば、コイル台190を磁束ベース110に対してスライドできるようにするスロットを用いることにより、調節可能な位置で磁束ベース110に取り付けることができる。
【0088】
図8〜
図11を参照すると、磁石アセンブリ114は、好ましくは、磁石162、磁石スライド164、磁石台166、および任意の磁石ブラケット198を有する。
【0089】
磁石162は、好ましくは、磁気導電性のバー170に接続され、一体的な磁石172を形成する一対の磁石168を含む。磁石168は、任意の磁石とすることができ、任意の適切な材料から形成することができ、等方性または異方性またはこれらを組み合わせたものとすることができる。磁石168は、任意の強度とすることができ、発電機アセンブリ100に要求される寸法および出力に基づいて、多様な寸法および形状とすることができる。磁石168は、磁石アセンブリ114とコイルアセンブリ112との間の空隙116の少なくとも一部を規定し、かつ、好ましくは、コイルアセンブリ112と磁気的に連通するに適した任意の構成で配置することができる。磁石168は、永久磁石、電磁石、またはこれらを組み合わせたものであってよい。一対の磁石168は、好ましくは、バー170により接続され、一体的な磁石172が形成される。バー170は、好ましくは、鋼鉄から形成されるが、2つの磁石168を接続して一体的な磁石172とするよう昨日する限り、任意の適切な材料から形成することができる。または、磁石172は、単一の磁石(不図示)とすることができる。バー170には、中心開口200をその内部に形成することができ、中心開口200は、ボルト202を受け入れる。バー170は、ダボピン206を部分的に受け入れるダボピン開口204も有してよい。
【0090】
図9A〜
図9Bを参照すると、磁石アセンブリ114は、以下に記載するようにボルト214aおよび214bまたは任意のその他の手段により、任意の磁石ブラケット198を取り付けることができる磁石スライド164をさらに有する。磁石スライド164には、好ましくは、内部を通る2つの開口216aおよび216bが形成されており、開口216aおよび216bは、好ましくは、内部にネジ山が形成されている。開口216aおよび216bは、磁石ブラケット198を磁石スライド164に固定するべくボルト214aおよび214bを受け入れることができるようになっている。磁石スライド164は、好ましくは、内部にさらに中心開口218が開口または形成されている。中心開口218は、以下に記載するように、磁石ブラケット198から突出するボルト202の部分を受け入れる。中心開口218は、さらに、内部にスライド調整ロッド182を受け入れて保持するように設計される。スライド調整ロッド182は、好ましくは、たとえば、Plexiglas(商標)等のアクリルプラスチック材料から形成されるが、適切な強度および耐久性を有する任意の材料、好ましくは、発電機アセンブリ100内に渦電流が誘導される可能性を抑制するべく非導電性および/または非鉄の材料を使用することができる。スライド調整ロッド182は、たとえば、エポキシ、エポキシ樹脂、またはその他の任意の接着剤を使用して中心開口218内に固定することができる。スライド調整ロッド182は、好ましくは、磁石台166から少なくとも部分的に横に延伸するネジ切り端部220を有し、スライド調整ワッシャ222および調整ナット224がスライド調整ロッド182のネジ切り端部220に取り付けられるようになっている。スライド調整ワッシャ222は、磁石ブラケット198に抗するように設けることができる。スプリング(不図示)をスライド調整ロッド182に被せて挿入してよく、または、その他の任意の適切な手段を用いてスライド調整ワッシャ222を磁石ブラケット198に押し付けられた状態に維持してよい。磁石スライド164には、内部に2つ以上の開口226aおよび226bが形成されてよく、開口226aおよび226bは、好ましくは、開口216aおよび216bに実質的に垂直である。
【0091】
磁石スライド164は、好ましくは、たとえば、GaroliteG−10の名前で販売される材料等の厚さが1インチの熱硬化性プラスチックラミネート材料から形成されるが、Plexiglas(商標)、エポキシ樹脂等のアクリルプラスチック、または適切な強度および耐久性を有する任意の材料、好ましくは、発電機アセンブリ100に渦電流が誘導される可能性を抑制するべく非導電性および/または非鉄の材料を使用することができる。さらに、磁石スライド164は、磁石スライド164が磁石172を支持することができ、好ましくは、磁石172の位置を磁束ベース110およびコイルアセンブリ112に対して調整し、空隙116の大きさを調整することができる限り、任意の適切な厚さ、寸法、または形状を有することができる。磁石スライド164は、ロックダウンボルト180を磁石台166の調整スロット178aおよび178bならびに開口226aおよび226bにそれぞれ挿入することにより、磁束ベース110に取り付けることができる。磁石スライド164の位置は、調整ナット224を締めること、または緩めることにより調整することができ、それにより、ロックダウンボルト180は調整スロット178aおよび178bでスライドし、磁石スライド164は磁石台166に対して、ひいては磁束ベース110およびコイルアセンブリ112に対して移動する。ロックダウンボルト180を締めることで磁石スライド164を定位置に固定することができる。
【0092】
図10A〜
図10Bを参照すると、任意の磁石ブラケット198は、形状を実質的に長方形とすることができ、実質的に平坦な面を有してよい。磁石ブラケット198は、2つの取り付け開口212aおよび212b、中心開口208、並びにダボピン開口204を有することができる。ダボピン開口204は、少なくとも部分的にダボピン206を受け入れ、ダボピン206およびボルト202を磁石172および磁石ブラケット198に係合させて、磁石172および磁石ブラケット198が互いに対して回転しないようにする。しかし、その他の任意の適切な手段を使用して、磁石172および磁石ブラケット198を互いに固定することができ、たとえば、複数のダボピン、複数のボルト、または、ねじ、びょう、溶接、および接着剤のうち一つ以上を使用することができることは理解されよう。磁石ブラケット198は、好ましくは、対となった横方向の開口212aおよび212bが内部に開口または形成されており、開口212aおよび212bは、それぞれボルト214aおよび214bを受け入れることができる。磁石ブラケット198は、好ましくは、アルミニウムから形成されるが、適切な強度および耐久性を有する任意の材料、好ましくは、発電機アセンブリ100内に渦電流が誘導される可能性を抑制するべく非導電性および/または非鉄の材料を使用することができることは理解されよう。磁石ブラケット198は、磁石172を磁石スライド164に接続するよう機能する限り、多様な形状および寸法を有することができる。または、磁石ブラケット198を省き、磁石172を直接的に磁石スライド164に接続することができる。
【0093】
図11を参照すると、磁石台166は、好ましくは、形状が実質的に長方形であり、好ましくは、GaroliteG−10の名前で販売される種類の材料等の熱硬化性プラスチックラミネート材料から形成されるが、Plexiglas(商標)、エポキシ樹脂等のアクリルプラスチック、または、適切な強度および耐久性を有する任意の材料、好ましくは、発電機アセンブリ100内に渦電流が誘導される可能性を抑制するべく非導電性および/または非鉄の材料を使用することができる。磁石台166は、磁束ベース110の取り付け開口160と実質的に位置が揃うよう離間された4個以上の取り付け開口174を有してよい。磁石台166は、ボルト(不図示)を対応する取り付け開口174および取り付け開口160に挿入することにより、磁束ベース110に取り付けられてよい。磁石台166は、その内部に2つの調整スロット178aおよび178bが形成されてよい。調整スロット178aおよび178bは、磁石スライド164の開口212aおよび212bに対応することができる。調整スロット178aおよび178bは、ロックダウンボルト180(不図示)が調整スロット178aおよび178bならびに開口212aおよび212bに挿入できるようにして、ロックダウンボルト180が調整スロット178および178b内でスライドできるようにし、磁石スライド164が磁石台166に対して摺動可能に調整されるように機能してよい。コイルアセンブリ112が磁束ベース110に取り付けられたとき、磁石スライド164は、磁石台166に取り付けられ、空隙116の大きさは、磁石スライド164を磁石台166に対してスライドさせることにより調整することができる。磁石スライド164が所望の位置に来たら、ロックダウンボルト180を締めることにより磁石スライド164を固定することができる。
【0094】
図12〜
図14Cを参照すると、干渉ドラムアセンブリ106は、シャフト118、円筒状ドラム226、およびドラム226をシャフト118に接続して、シャフト118を回転させたときにドラム226が回転するようにするハブ130を有してよい。シャフト118は、ベースプレート102に取り付けられてよいシャフト筺体230に収容することができる。シャフト筺体230は、ベアリングチューブ232、シャフトベアリング124、ガセット板234、長ガセット板ボルト236a、および短ガセット板ボルト236bを有してよい。シャフト筺体230は、好ましくは、ベースボルト108によりベースプレート102に取り付けられ、シャフト筺体230の中心が実質的にベースプレート102の中心開口136上に決められ、シャフト118がベースプレート102の中心開口136を通って延伸する。ベアリングチューブ232は、形状を実質的に円筒状とすることができ、第1行の開口240aおよび第2行の垂直方向にオフセットされた開口240bが貫通するように開口または形成されてよい。開口240aおよび240bは、ネジ山が形成されており、それぞれ長ガセット板ボルト236aおよび短カセット板ボルト236bを受け入れるようになっている。開口240aおよび240bは、ベアリングチューブ232の長手方向軸に実質的に垂直とすることができる。
【0095】
ベアリングチューブ232は、その下方端部および上方端部に2つ以上の環状凹み246が形成されてよい。2つの環状凹み246は、内部に環状シャフトベアリング124を受け入れることができる。シャフトベアリング124は、ベアリングチューブ232と協働してシャフト118を回転可能に固定および収容し、シャフト118がその中心軸120周りに円滑に回転できるようにする。開口240は、ベアリングチューブ232の円筒形の表面において直径上に対置させることができる。ベアリングチューブ232は、好ましくは、GaroliteG−10の名前で販売される種類の材料等の熱硬化性プラスチックラミネート材料から形成されるが、Plexiglas(商標)、エポキシ樹脂等のアクリルプラスチック、または適切な強度および耐久性を有する任意の材料、好ましくは、発電機アセンブリ100内に渦電流が誘導される可能性を抑制するべく非導電性および/または非鉄の材料を使用することができる。
【0096】
図15A〜
図15Cを参照すると、ガセット板234は、底面250、および面132に実質的に垂直なベアリングチューブ面252を有することができる。底面250には、2つの開口254が形成されている。開口254は、内部にネジ山が形成されてよく、ガセット板234をベースプレート102に取り付けるべくベースボルト108を受け入れる。ベアリングチューブ面252には、2つ以上の開口256aおよび256bを開口または形成することができる。開口256は、長ガセット板ボルト236aおよび短ガセット板ボルト236bをそれぞれ受け入れて、ベアリングチューブ232をガセット板234に固定させる。いくつかのガセット板234をベアリングチューブ232に固定して、ガセット板234のベアリングチューブ面252によって、ベアリングチューブ232がベースプレート102に対して実質的に垂直に支持されるようにすることができる。
【0097】
ベアリングチューブ232に取り付けられるガセット板234の数は、1つだけとすることができ、ベアリングチューブ232およびガセット板234の大きさにより、任意の奇数または偶数とすることができる。偶数のガセット板234を使用する場合、ガセット板234は、好ましくは、ベアリングチューブ232に、直径上で対向する位置で取り付けられる。奇数のガッセット板234を使用する場合、ガセット板234は、好ましくは、ベアリングチューブ232の円筒形の面に沿って一定間隔で配置され、任意の2つのガセット板234の間の距離が、その他の任意の2つのガセット板234の間の距離と実質的に同一となるようにされる。または、ガセット板234を省き、ベアリングチューブ232を当技術分野で周知の任意の従来の手段によりベースプレート102に固定することができる。たとえば、ベアリングチューブ232をベースプレート102に溶接することができる。または、ベアリングチューブ232およびベースプレート102を単一体として形成してもよい。
【0098】
ガセット板234は、好ましくは、GaroliteG−10の名前で販売される種類の材料等の熱硬化性プラスチックラミネート材料から形成されるが、Plexiglas(商標)、エポキシ樹脂等のアクリルプラスチック、または適切な強度および耐久性を有する任意の材料、好ましくは、発電機アセンブリ100内に渦電流が誘導される可能性を抑制するべく非導電性および/または非鉄の材料を使用することができる。
【0099】
図16を参照すると、
図2に示す発電機アセンブリ100のドラム226を製造する好ましい方法400は、段階402〜420を備え、以下に詳細に記載する。
【0100】
図17A〜
図17Bを参照すると、段階402では、ハブ130をマンドレル260に取り付ける。ハブ130は、2つの開口258aおよび258bを有するよう示される。開口258aおよび258bには、好ましくは、ネジ山が内部に形成されている。マンドレル260には、2個のディク形状の側部262が取り付けられていてよく、開口258aおよび258bに長ボルト266および短ボルト264がそれぞれ挿入されることで、ハブ130に取り付けられているように示されている。ハブ130は、好ましくは、ディク形状であり、平坦面268および軸面270を有してよい。ハブ130の軸面270には、好ましくは、環状凹み272が形成されている。環状凹み272は、ドラム226の円筒状側壁276の各層を構造的に支持する役割を有する。ハブ130は、GaroliteG−10の名前で販売される種類の材料等の熱硬化性プラスチックラミネート材料等の任意の適切な材料から形成することができる、Plexiglas(商標)等のアクリルプラスチック、または適切な強度および耐久性を有する任意の材料を使用してもよい。ハブ130は、好ましくは、発電機アセンブリ100内に渦電流が誘導される可能性を抑制するべく、非導電性および/または非鉄の材料から形成される。マンドレル260は、好ましくは、実質的に円筒状の外面278を有する。
【0101】
離型剤またはフィルムを面278に適用するが、ハブ130には適用しない。離型剤またはフィルムは、たとえば、ワックス系離型剤、水性離型剤、シリコン系離型剤、テフロン(登録商標)系離型剤、これらを組み合わせたもの等の、当技術分野で知られた任意の従来の離型剤またはフィルムとすることができる。離型剤は、後に、完成した円筒状側壁276をマンドレル260から分離させつつ、円筒状側壁276をハブ130に取り付けられたままに維持するべく機能する。マンドレル260は、製造、機械加工、および分解/再組み立ての間、形状を維持することができる任意の材料、たとえば、航空機級のアルミニウムまたはその他の金属、および非金属から形成することができる。
【0102】
図18A〜
図18Bを参照すると、段階404では、面278の上および環状凹み272の中にエポキシ系繊維ガラスからなる第1の層280を形成する。第1の層280は、好ましくは、マンドレル260の面278の全体において、約0.157インチの実質的に均一な厚さを有しており、好ましくは、環状凹み272における厚さとは異なる。しかし、第1の層280は、ドラム226の大きさおよび発電機アセンブリ100に予測される動作的な変数によって必要とされるならば、厚さが不均一であってよく、厚さが異なる3つ以上の部分を有することができる。第1の層280は、好ましくは、エポキシ系繊維ガラスから形成されるが、当技術分野で知られるその他の任意の適切な材料を使用することができる。第1の層280は、ドラム226の円筒状側壁276の最内側層であり、円筒状側壁276の残りの層に構造的支持を与えるべく機能してよい。
【0103】
図19A〜
図19Bを参照すると、段階406では、第1の層280を切削して座部282を形成する。座部282は、好ましくは、環状凹み272上に少なくとも部分的に広がり、かつ面278上に少なくとも部分的に広がる幅を有し、好ましくは、厚さ(または深さ)が均一である。しかし、座部282は、厚さまたは深さが異なる2つ以上の領域を有することができ、環状凹み272を越えて広がらないことは理解されよう。
【0104】
図20A〜
図20Bを参照すると、段階408では、磁気シールドフィルムからなる第2の層284を、第2の層284の幅が、好ましくは座部282の幅と実質的に同一になるように、第1の層280の周囲に巻く。第2の層284は、Metglas(登録商標)の名前で販売され、米国特許出願公報第11/320,744号に記載されるフィルム等の磁気シールドフィルムから形成することができる。または、永久磁化に対する耐性があり、磁界を跳ね返すことができる任意の材料を用いて、第2の層284を形成することができる。一つの非限定例では、所望の機械的特性および電磁的特性を有する一つ以上の適切な非晶質または結晶質の合金のリボン、フィルム、またはワイヤを用いて、第2の層284を形成することができる。第2の層284は、好ましくは、厚さが約0.200インチであるが、ドラム226の大きさ、用いられる磁界の強度、または、発電機アセンブリ100のその他の動作的変数によっては、厚さを変更することができる。第2の層284は、ドラム226の円筒状側壁276の磁界不透過円筒状層284を形成する。
【0105】
図21A〜
図21Bを参照すると、段階410では、エポキシ系繊維ガラスからなる第3の層286を、第3の層286の幅が好ましくは第1の層280の幅と実質的に同一になるように、面278および軸面270に形成する。第3の層286は、好ましくは、第2の層284上の厚さが実質的に均一であり、好ましくは、第1の層280上の厚さが異なる。しかし、ドラム226の大きさおよび発電機アセンブリ100に予測される動作的な変数によって必要とされるならば、第3の層286は、厚さが不均一であってよく、厚さが異なる3個以上の領域を有してよい。第3の層286は、好ましくは、エポキシ系繊維ガラスから形成されるが、その他の任意の適切な材料を使用することができる。第3の層286は、好ましくは、第1の層280と協働して、第2の層284を実質的に完全に包囲し、第2の層284を構造的に支持する。
【0106】
図22A〜
図22Bを参照すると、段階412では、円筒状側壁276に磁界透過開口288を形成する。開口288は、たとえば、第3の層286および第2の層284を実質的に完全にくり貫き、好ましくは、第1の層280を部分的に切削することにより形成することができる。好ましくは、2個の開口288が、円筒状側壁276の真っ直ぐな軸線に沿って形成され、2個の開口は、好ましくは、第3の層286、第2の層284、および第1の層280のいずれもがくり貫かれていない中間領域290により隔てられる。2個の開口288は、さらに、いずれの層もくり貫かれていない2個の端部領域292を規定することができる。円筒状側壁276の1個以上の層に、開口288を1個だけ、または開口288を3個以上、くり貫いてよいことは理解されよう。さらに、開口288が第2の層284を実質的に完全に貫通している限り、開口288は、第1の層280に食い込まなくてよい。開口288は、当技術分野で知られた任意の手段で形成してよい。
【0107】
開口288は、円筒状側壁276に磁界透過領域294を形成する。開口288は、形状を実質的に長方形とすることができ、たとえば、1インチ×1.75インチの寸法を有することができる。しかし、開口288の寸法および形状は、本明細書に開示する発明コンセプトの範囲から逸脱することなく、変更してよい。
【0108】
間欠回転機構(indexing mechanism)を使用してマンドレル260を正確に12度回転させた後、第2セットの開口288を上記の通りに形成してよい。好ましくは、ドラム226の円筒状側壁276の全360度を包囲するべく、12度ずつ離間された30対の開口288をドラム226の層にくり貫く。これらの開口288の好ましい数および配置は、好ましい数が6個とされる磁束アセンブリ104aに以下のように関連する。6個の磁束アセンブリ104aは、ドラム226の円筒状側壁276の周りに等間隔に配置され、磁束アセンブリ104aは60度ずつ隔てられることになる。各開口288は、ドラム226の円筒状側壁276に沿って磁界透過領域294を規定する。残りの領域296は、第2の層284により磁界不透過である。
【0109】
磁石172が磁界不透過領域296に引っ張られないようにバランスを取り、揺動を回避するべく、開口288の対の数を、好ましくは、2および3の両方で割り切れる数として、直径上で対置される任意の2対の磁束アセンブリ104aが、好ましくは同時に開口288と位置が揃うか、または同時に磁界不透過領域296と位置が揃うように、複数対の開口288が配置されるようにすることができる。他の適切な開口の対の数は、たとえば、36個(10度ずつ離間)、24個(15度ずつ離間)、18個(20度ずつ離間)、12個(30度ずつ離間)、または6個(60度ずつ離間)である。6個とは異なる数の磁束アセンブリ104aを用いる場合は、磁束アセンブリ104aの数と、開口288の数との異なる関係性を用いてよいことは理解されるべきである。磁束アセンブリ104aの数と開口288の数との関係性の算出は、本発明に利益を有する当業者にとっては、ありふれたものである。
【0110】
開口288の数は、開口288の形状および大きさ、並びに何対かの開口288間の角度的距離によって変更してよいことは理解されよう。さらに、本明細書に開示する発明コンセプトのいくつかの典型的な実施形態では、1対の開口288を用いてよいことは理解されよう。
【0111】
図23A〜
図23Bを参照すると、段階414では、開口288に、好ましくは第3の層286の厚さと実質的に等しい厚さまで、エポキシまたはその他の適切な材料を充填する。エポキシの代わりに任意の適切な材料を使用することができることは理解されよう。さらに、エポキシの厚さを変更してよいことも理解されよう。
【0112】
図24A〜
図24Bを参照すると、段階416では、ドラム226の円筒状側壁276の全体に沿って2つ以上の環状溝298を形成する。環状溝298は、当技術分野で知られる任意の方法で形成してよい。環状溝298は、好ましくは、第3の層286の厚さよりも小さい深さで形成される。環状溝298の深さは、環状溝298が第2の層284に達しない限り、変更してよい。環状溝298は、好ましくは互いに平行であり、開口288を包含することができる。環状溝298は、好ましくは、開口288を隔てるのと同じ隆起した中間領域290により隔てられる。環状溝298は、好ましくは、隆起した端部領域292により両側を画定される。環状溝298は、ドラム226の円筒状側壁276に構造的な支持および強度を与え、同時に、空隙116内に配置される円筒状側壁276の厚さを最小化するよう機能することができる。環状溝298の数を、開口288の数に対応するよう変更してよいことは理解されよう。本明細書に開示する発明コンセプトの代替的な実施形態は、環状溝298を有さなくてよく、または、たとえば、複数の環状溝298ではなく、1個の環状溝298を有してよいことも理解されよう。
【0113】
図25A〜
図25Bを参照すると、段階418では、ドラム226からマンドレル260を取り除く。たとえば、短ボルト264および長ボルト266を取り除き、2個のボルト300を用いて、マンドレル260をドラム226から押し離すことができる。マンドレル260は、当技術分野で知られるその他の任意の適切な手段で取り除いてよいことは理解されよう。
【0114】
図26を参照すると、段階420では、完成したドラム226を清掃してバランスを取る。ドラム226がバランスを欠いている場合、一つ以上の軽減孔302をハブ130に穿孔してよい。さらに、ハブ130から最も遠くに位置する円筒状側壁276の角を丸めてよい。さらに、ドラム226の円筒状側壁276を、たとえば、平坦化かつ研磨してよい。ドラム226は、たとえば、サンドブラスティング、切削(grinding)、または釣り合い重りもしくは補正おもり、およびこれらを組み合わせたもの等の当技術分野で知られるその他の任意の手段でバランスを取ってよいことは理解されよう。
【0115】
ドラム226の円筒状側壁276の備える層の数は、たとえば、1層から4層以上まで変化させることができ、用いられる各層の相対的位置は変動しうる。さらに、ハブ130は、ドラム226の第1の層を含んでよい。ドラム226は、本明細書に開示される発明コンセプトの範囲および趣旨から逸脱することなく多様な方法および材料を使用して製造してよいことは理解されよう。たとえば、本発明コンセプトのいくつかの実施形態では、所定の配置の磁界透過材料を、側壁に沿って磁界不透過領域を規定するよう構成してよい。
【0116】
動作時、本明細書に開示される発明コンセプトに係る発電機アセンブリ100は、以下のように発電してよい。シャフト118、好ましくは、風力発電タービン50のシャフト56に接続される。風によって風力発電タービン50の翼52が回転すると、シャフト118を回転させる機械的エネルギーが供給され、それにより、磁石172をコイル192から隔てる空隙116内で円筒状側壁276が回転する。円筒状側壁276に交互に配置された磁界透過領域294および磁界不透過領域296は、好ましくは、ドラム226の回転にしたがって、磁石172とコイル192との間に交互に配置される。磁界透過領域294では、好ましくは、磁界はドラム226の円筒状側壁276を透過し、磁界不透過領域296では、磁界は跳ね返され、円筒状側壁276を透過しない。この交番磁界によって、径方向磁束が発生し、これによりコイル192に電流が誘導される。次に、電流は外部回路を流れ、整流器、インバータ、変圧器等の装置による目的の用途向けに、所望の利用可能な電圧および周波数で出力が最適化される。
【0117】
発電機アセンブリ100のシャフト118を回転させるのに使われる機械的エネルギーは、たとえば、水力タービン、蒸気タービン、内燃エンジン、蒸気エンジン、石炭タービン、水車等の任意の適切な供給源から供給することができるが、これらに明示的に限定されない。風力発電タービン50のシャフト56と発電機アセンブリ100のシャフト118との接続は、直接的な機械的接続であってよく、または、歯車箱、速度制御アセンブリ、または制動アセンブリを使用してシャフト56をシャフト118に接続してよい。複数の開口および磁束アセンブリを有するドラム226の設計および再構成可能特性により、ドラム226の1回の回転により2つ以上の磁界変動を誘導することができるので、風力または水力で駆動されるタービン等の低回転数条件およびこれらに限定されない条件に良好に適合させることができる。
【0118】
本明細書に提示かつ記載した寸法は、本明細書に開示した発明コンセプトに係る発電機アセンブリ100の商用の実施形態には適切でない場合があることは理解されよう。本明細書に開示された発明コンセプトを用いて製造された発電機アセンブリ100の商用実施形態は、寸法がずっと大きく、より多数の磁束アセンブリ104aを備える可能性がある。本明細書に開示された発明コンセプトの例示的な商用実施形態を
図27〜
図28に示す。発電機アセンブリ100は、複数の行310に順に配置された複数行の磁束アセンブリ104a、104b、および104cを備え、発電機アセンブリ100の出力を高める。複数の磁束アセンブリ104a、104b、および104cは、たとえば、ドラム226に沿って、2つ以上の磁束アセンブリ104aが行310aを形成し、2つ以上の磁束アセンブリ104bが行310bを形成し、2つ以上の磁束アセンブリ104cが行310cを形成するように配置することができる。効率性を高めるべく、複数の磁束アセンブリ104a、104b、および104cにより、1行、2行、または4行以上のこのような行310a、310b、および310cを形成することができる。
図28に示すように、各行310の磁束アセンブリ104は、固定量Φ(本例では60度)ずつ角度的にオフセットすることができる。さらに、行310どうしの間では、磁束アセンブリ104を、固定量Θ、本例では20度ずつ、角度的にオフセットすることができる。ΦおよびΘは、変化させることができ、各行310における磁束アセンブリ104の数および/または発電機アセンブリ100の行310の数に依存するであろう。
【0119】
さらに、永久磁石を磁界源として記載したが、電磁石、永久磁石および電磁石の組み合わせ、または、その他の任意の適切な磁界源を、本明細書に開示される発明コンセプトに、その範囲および趣旨から逸脱することなく、使用してよいことは理解されよう。
【0120】
上記の記載から、本明細書に開示した発明コンセプトは、目的を遂行し、本明細書に記載した利点および本明細書に開示した発明コンセプトに本来備わっている利点を達成するべく、十分な適合性を持つことは明らかである。本明細書に開示した発明コンセプトの現在好ましいとされる実施形態を開示の目的で記載したが、当業者には容易に察せられ、本明細書に開示され特許請求される発明コンセプトの範囲および趣旨の中で達成することができる数多くの変更が可能であることは理解されよう。
[項目1]
壁面を有するマンドレルをハブに取り付ける段階と、
1個以上の磁界透過領域および1個以上の磁界不透過領域を交互に有するように干渉ドラムの側壁を形成する段階と
を備える方法。
[項目2]
さらに、上記ハブはその軸面に環状凹みを有する項目1に記載の方法。
[項目3]
上記ハブは、1個以上のスポークをさらに有する項目2に記載の方法。
[項目4]
磁界透過材料の第1の層を、上記壁面上および上記環状凹み内に、上記第1の層が、上記壁面上で第1の厚さを有し、上記環状凹み上で第2の厚さを有するように、形成する段階をさらに備える項目2または3に記載の方法。
[項目5]
第1の深さと、上記環状凹み上に少なくとも部分的に広がり、かつ上記壁面上に実質的に全体に広がる第1の幅とを有する座部を上記第1の層に形成する段階をさらに備える項目4に記載の方法。
[項目6]
磁界不透過材料の第2の層を、上記第2の層が上記座部の上記第1の深さと実質的に等しい第3の厚さを有するように、上記座部に形成する段階をさらに備える項目5に記載の方法。
[項目7]
磁界透過材料の第3の層を、上記第3の層が第4の厚さを有するように、上記壁面上および上記環状凹み内に形成する段階をさらに備える項目6に記載の方法。
[項目8]
上記第3の層を完全に貫通し、上記第2の層を実質的に完全に貫通する少なくとも1個の開口を上記壁面の上に形成する段階をさらに備える項目7に記載の方法。
[項目9]
上記少なくとも1個の開口は、上記干渉ドラムの上記側壁に磁界透過領域を形成する項目8に記載の方法。
[項目10]
上記少なくとも1個の開口に、磁界透過材料を、上記第3の層の上記第4の厚さに実質的に等しい第5の厚さまで、充填する段階をさらに備える項目8または9に記載の方法。
[項目11]
上記マンドレルを上記ハブから取り除く段階をさらに備える項目1から10のいずれか1項目に記載の方法。
[項目12]
上記干渉ドラムのバランスを取る段階をさらに備える項目1から11のいずれか1項目に記載の方法。
[項目13]
上記マンドレルの上記壁面に離型剤を適用する段階をさらに備える項目1から12のいずれか1項目に記載の方法。
[項目14]
上記第3の層を完全に貫通し、上記第2の層を実質的に完全に貫通する1対の軸方向にオフセットされた開口を上記壁面の上に形成する段階をさらに備える項目7から13のいずれか1項目に記載の方法。
[項目15]
上記1対の軸方向にオフセットされた開口は、中間領域により隔てられる項目14に記載の方法。
[項目16]
上記1対の軸方向にオフセットされた開口によって、2個の環状端部領域が規定される項目14または15に記載の方法。
[項目17]
電磁発電機を使用して電気エネルギーを発生する段階を備える方法であって、
上記電磁発電機は、
間隙により隔てられた少なくとも1個のコイルおよび少なくとも1個の磁界源を有する1個以上の磁束アセンブリと、
少なくとも1個の磁界透過領域および少なくとも1個の磁界不透過領域を含み、かつ上記少なくとも1個のコイルと上記少なくとも1個の磁界源とを隔てる上記間隙の中に少なくとも部分的に位置する側壁を有する干渉ドラムと、
を備え、
上記干渉ドラムは、上記少なくとも1個のコイルに電流が誘導されるよう上記少なくとも1個のコイルに磁束を発生するべく、上記少なくとも1個のコイルと上記少なくとも1個の磁界源とを隔てる上記間隙の中に、上記少なくとも1個の磁界透過領域および上記少なくとも1個の磁界不透過領域を交互に位置させるべく、上記間隙の中で移動可能であり、
上記少なくとも1個のコイルと電力グリッドとの間に回路を形成して、上記電気エネルギーが上記電力グリッドに流れることができるようにする段階をさらに備える方法。
[項目18]
上記間隙は、軸方向間隙である項目17に記載の方法。
[項目19]
上記磁束は、径方向磁束である項目18に記載の方法。
[項目20]
上記電磁発電機は、6個の磁束アセンブリをさらに備える項目17から19のいずれか1項目に記載の方法。
[項目21]
上記6個の磁束アセンブリは、互いから約60度オフセットされている項目20に記載の方法。
[項目22]
上記側壁は、上記間隙の中に少なくとも部分的に位置する、2個以上の磁界不透過領域により隔てられる2個以上の磁界透過領域をさらに含む項目17から21のいずれか1項目に記載の方法。
[項目23]
ベースおよび発電機台を有するタワーと、
上記発電機台に取り付けられた発電機アセンブリと
を備える風力タービンであって、
上記発電機アセンブリは、
間隙により隔てられた少なくとも1個のコイルおよび少なくとも1個の磁界源を含む1個以上の磁束アセンブリと、
少なくとも1個の磁界透過領域および少なくとも1個の磁界不透過領域を含み、かつ上記少なくとも1個のコイルと上記少なくとも1個の磁界源とを隔てる上記間隙の中に少なくとも部分的に回転可能に位置する側壁を有する干渉ドラムと、
上記干渉ドラムおよび上記1個以上の磁束アセンブリの少なくとも一方に動作可能に接続された回転可能プロペラと
を有し、
上記干渉ドラムは、上記少なくとも1個のコイルに電流が誘導されるように上記少なくとも1個のコイルに磁束を発生するべく、上記少なくとも1個のコイルと上記少なくとも1個の磁界源とを隔てる上記間隙の中に、上記少なくとも1個の磁界透過領域および上記少なくとも1個の磁界不透過領域を交互に位置させるように回転可能である
風力タービン。
[項目24]
上記間隙は、軸方向間隙である項目23に記載の風力タービン。
[項目25]
上記磁束は、径方向磁束である項目23または24に記載の風力タービン。
[項目26]
ベースと、
上記ベースに接続されたナセルと、
1個以上の翼と、上記ナセルに回転可能に接続された第1シャフトとを有するプロペラと、
上記ナセルに少なくとも部分的に配置された電磁発電機と
を備える風力タービンであって、
上記電磁発電機は、
中心を有するディスク形状面を規定するベースプレートと、
上記ベースプレートに取り付けられ、上記ベースプレート上で径方向に延在し、軸方向空隙によって隔てられた少なくとも1個のコイルおよび少なくとも1個の磁界源を含む1個以上の磁束アセンブリと、
回転可能であり、上記ベースプレートを貫通し、かつ上記プロペラの上記第1シャフトに動作可能に接続された第2シャフトと、少なくとも1個の磁界透過領域および少なくとも1個の磁界不透過領域を含み、かつ上記軸方向空隙の中に少なくとも部分的に位置する円筒状側壁とを有する干渉ドラムと
を有し、
上記干渉ドラムは、上記少なくとも1個のコイルに電流が誘導されるように上記少なくとも1個のコイルに径方向磁束を発生するべく、上記少なくとも1個の磁界透過領域および上記少なくとも1個の磁界不透過領域を上記軸方向空隙の中に交互に位置させるよう、上記第2シャフト周りに回転可能である
風力タービン。
[項目27]
上記電磁発電機は、上記ディスク形状面上で約60度ずつ隔てられた6個の磁束アセンブリを有する項目26に記載の風力タービン。
[項目28]
上記プロペラの上記第1シャフトと上記干渉ドラムの上記第2シャフトとに動作可能に接続された歯車箱をさらに備える項目26または27に記載の風力タービン。
[項目29]
上記干渉ドラムの上記第2シャフトに動作可能に接続された制動機をさらに備え、上記干渉ドラムの回転を減速させるべく選択的に上記制動機が使用される項目26から28のいずれか1項目に記載の風力タービン。
[項目30]
上記少なくとも1個のコイルから電力グリッドに電流が流れるように、上記少なくとも1個のコイルが外部電気回路に電気的に接続されている項目26から29のいずれか1項目に記載の風力タービン。
[項目31]
上記少なくとも1個のコイルが、負荷分散システムに電気的に接続されている項目26から30のいずれか1項目に記載の風力タービン。
[項目101]
第1の間隙によって隔てられた少なくとも1個の第1のコイルおよび少なくとも1個の第1の磁界源を有する第1の磁束アセンブリと、
第2の間隙によって隔てられた少なくとも1個の第2のコイルおよび少なくとも1個の第2の磁界源を有する第2の磁束アセンブリと、
側壁を有する干渉ドラムと
を備え、
前記第1の磁束アセンブリおよび前記第2の磁束アセンブリは固定され、
前記側壁は、前記第1および第2の間隙の中に少なくとも部分的に位置し、少なくとも1個の磁界透過領域および少なくとも1個の磁界不透過領域を含み、
前記干渉ドラムは、前記少なくとも1個の磁界透過領域および前記少なくとも1個の磁界不透過領域を交互に前記第1および第2の間隙の中に位置させるように、前記少なくとも1個の第1および第2のコイルと前記少なくとも1個の第1および第2の磁界源に対して移動可能である
電磁発電機。
[項目102]
前記第1および第2の間隙は、軸方向間隙である項目101に記載の電磁発電機。
[項目103]
前記干渉ドラムは、前記少なくとも1個の第1および第2のコイルに磁束を発生する項目101または102に記載の電磁発電機。
[項目104]
前記磁束は、径方向磁束である項目103に記載の電磁発電機。
[項目105]
互いに略60度隔てられた6個の磁束アセンブリをさらに備える項目101から104のいずれか1項に記載の電磁発電機。
[項目106]
前記第1および第2の磁界源は、永久磁石を含む項目101から105のいずれか1項に記載の電磁発電機。
[項目107]
前記第1および第2の磁界源は、電磁石を含む項目101から105のいずれか1項に記載の電磁発電機。
[項目108]
前記側壁は、2個または3個以上の磁界透過領域により隔てられた2個または3個以上の磁界不透過領域を含む項目101から107のいずれか1項に記載の電磁発電機。
[項目109]
前記側壁は、円筒状の構成を有する項目101から108のいずれか1項に記載の電磁発電機。
[項目110]
前記干渉ドラムは、ローターとして特徴づけられ、
前記第1の磁束アセンブリおよび前記第2の磁束アセンブリは、前記干渉ドラムの外側にある第1部分と前記干渉ドラムの内側にある第2部分とを有するステータとして特徴づけられる
項目101から109のいずれか1項に記載の電磁発電機。
[項目111]
前記第1部分は、前記少なくとも1つの第1コイルおよび前記少なくとも1つの第2コイルを含み、
前記第2部分は、前記少なくとも1つの第1磁界源および前記少なくとも1つの第2磁界源を含む
項目110に記載の電磁発電機。
[項目112]
電気エネルギーの発生機に使用される干渉ドラムであって、
非鉄の材料で形成されたハブと、
前記ハブから延伸し、少なくとも1個の磁界透過領域および少なくとも1個の磁界不透過領域を有する側壁と、
を備える干渉ドラム。
[項目113]
前記ハブは、1個または2個以上のスポークを有する項目112に記載の干渉ドラム。
[項目114]
前記側壁は、コイルと磁界源とを隔てる間隙の中に少なくとも部分的に位置することができる項目112または113に記載の干渉ドラム。
[項目115]
前記コイルに磁束が発生するように、前記コイルと前記磁界源とを隔てる前記間隙の中に、前記少なくとも1個の磁界透過領域および前記少なくとも1個の磁界不透過領域を交互に位置させるべく、中心軸周りに回転可能な項目114に記載の干渉ドラム。
[項目116]
前記間隙は、軸方向間隙である項目115に記載の干渉ドラム。
[項目117]
前記側壁は、2個または3個以上の磁界不透過領域によって隔てられた2個または3個以上の磁界透過領域をさらに有する項目112から116のいずれか1項に記載の干渉ドラム。
[項目118]
前記側壁は、円筒状の構成を有する項目112から117のいずれか1項に記載の干渉ドラム。