発明の名称 トランジスタテスト回路及び方法、半導体記憶装置、並びに半導体装置
出願人 力晶科技股▲ふん▼有限公司 (識別番号 599092848)
特許公開件数ランキング 15070 位(0件)(共同出願を含む)
特許取得件数ランキング 12849 位(0件)(共同出願を含む)
公報番号 特許-6132860
公報発行日 2017年5月24
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6132860
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