特許 6137416 素子積層フィルムの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6137416

(24)【登録日】2017年5月12日

(45)【発行日】2017年5月31日

(54)【発明の名称】素子積層フィルムの製造方法

(51)【国際特許分類】

   G09F 9/00 20060101AFI20170522BHJP

   H05B 33/10 20060101ALI20170522BHJP

   H05B 33/02 20060101ALI20170522BHJP

   H01L 51/50 20060101ALI20170522BHJP

   G02F 1/13 20060101ALI20170522BHJP

   G02F 1/1333 20060101ALI20170522BHJP

【ＦＩ】

   G09F9/00 338

   H05B33/10

   H05B33/02

   H05B33/14 A

   G02F1/13 505

   G02F1/1333 500

【請求項の数】8

【全頁数】39

(21)【出願番号】特願2016-549894(P2016-549894)

(86)(22)【出願日】2014年11月27日

(86)【国際出願番号】JP2014081449

(87)【国際公開番号】WO2016046997

(87)【国際公開日】20160331

【審査請求日】2016年10月14日

(31)【優先権主張番号】特願2014-196866(P2014-196866)

(32)【優先日】2014年9月26日

(33)【優先権主張国】JP

【早期審査対象出願】

(73)【特許権者】

【識別番号】000002141

【氏名又は名称】住友ベークライト株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100091292

【弁理士】

【氏名又は名称】増田 達哉

(74)【代理人】

【識別番号】100091627

【弁理士】

【氏名又は名称】朝比 一夫

(72)【発明者】

【氏名】楳田 英雄

(72)【発明者】

【氏名】岡田 潤

(72)【発明者】

【氏名】片山 敏彦

(72)【発明者】

【氏名】川崎 律也

(72)【発明者】

【氏名】磯部 大輔

【審査官】 小野 博之

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１３−０２６５４６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１０−０６７９５７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１３−１３５１８０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１４−０８６４５１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１０−１１１８５３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１３−１６８４４５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００５−２１６８８７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１４−０２２４５９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００７−２５１０８０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２０１４／０９２０１５（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｇ０９Ｆ ９／００−４６

Ｇ０２Ｆ １／１３−１／１３３５

１／１３３６３−１／１４１

Ｈ０１Ｌ ２１／３３６

２７／３２

２９／７８６

５１／５０

Ｈ０５Ｂ ３３／００−３３／２８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１部分と第２部分とを含む主面を有する基板の前記第１部分に対して表面処理を施す工程と、
前記主面上に樹脂溶液を塗布することにより、前記第１部分に対する密着力が前記第２部分に対する密着力よりも大きくなるように前記主面に密着して設けられたフィルムを形成し、前記基板と前記フィルムとを備えるフィルム付き基板を得る工程と、
前記フィルムの前記基板とは反対側に素子を形成する工程と、
前記フィルム付き基板の前記第１部分に対応する部分の一部を除去することにより、前記第１部分に対応する部分の全面積の５０％以下が残るように前記フィルム付き基板を厚さ方向に切断する工程と、
前記基板と前記フィルムとを互いに分離して、素子積層フィルムを得る工程と、
を有することを特徴とする素子積層フィルムの製造方法。

【請求項2】

前記表面処理は、無機コーティング処理またはカップリング剤処理である請求項１に記載の素子積層フィルムの製造方法。

【請求項3】

前記基板の構成材料は、ガラスである請求項１または２に記載の素子積層フィルムの製造方法。

【請求項4】

前記ガラスは、ソーダガラスまたは無アルカリガラスである請求項３に記載の素子積層フィルムの製造方法。

【請求項5】

前記第１部分は、前記主面の外縁に沿って設けられている請求項１ないし４のいずれか１項に記載の素子積層フィルムの製造方法。

【請求項6】

前記第１部分は、前記第２部分を取り囲むように設けられている請求項１ないし５のいずれか１項に記載の素子積層フィルムの製造方法。

【請求項7】

前記フィルムの構成材料は、ポリアミド系樹脂である請求項１ないし６のいずれか１項に記載の素子積層フィルムの製造方法。

【請求項8】

前記表面処理は、処理後の水の接触角が８〜４０°になる処理である請求項１ないし７のいずれか１項に記載の素子積層フィルムの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、素子積層フィルムの製造方法に関するものである。

【背景技術】

【0002】

有機ＥＬ表示装置や液晶表示装置のような表示装置（電子装置）において、それに用いられる基板は、透明性を有することが必要である。このため、この基板として、透明樹脂フィルムを用いた基板が提案されている。

【0003】

例えば、特許文献１には、液状の樹脂組成物をキャリア基板上に塗布して固体状の樹脂膜を形成する工程と、樹脂膜上に回路を形成する工程と、樹脂膜をキャリア基板から剥離する工程と、を含む表示デバイスであるフレキシブルデバイスの製造方法が開示されている。

【0004】

このようなフレキシブルデバイスの製造方法によれば、樹脂膜（透明樹脂フィルム）上に半導体層や電極層等を形成することにより、表示デバイスに必要な薄膜トランジスター等を含む回路を作製することができる。また、形成する樹脂膜（透明樹脂フィルム）の厚さを薄くし易いので、表示デバイスの薄型化、軽量化を図ることができる。

【0005】

ところで、回路が形成された樹脂膜をキャリア基板から剥離する方法として、特許文献１には、キャリア基板側から樹脂膜にレーザーを照射する方法が提案されている。レーザーを樹脂膜に照射することにより、樹脂膜をキャリア基板から、それらの界面で円滑に剥離することができる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】特開２０１０−２０２７２９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

しかしながら、レーザーを照射する装置は、大型かつ高価であるため、製造プロセスの高コスト化を招いている。また、レーザーが半導体層に照射されたとき、レーザーの波長によっては、半導体層が変質、劣化するおそれがある。

【0008】

さらに、樹脂膜のキャリア基板に対する密着力は、それらの構成材料の組み合わせに左右され易い。このため、組み合わせによっては密着力が著しく小さくなる場合がある。このような場合、フレキシブルデバイスの製造過程において、例えば洗浄液が樹脂膜に吹き付けられただけで、樹脂膜がキャリア基板から剥離してしまうことが懸念される。

【0009】

本発明の目的は、特殊な装置を用いることなく、素子積層フィルムを効率よく製造可能な素子積層フィルムの製造方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0010】

このような目的は、下記（１）〜（８）の本発明により達成される。
（１） 第１部分と第２部分とを含む主面を有する基板の前記第１部分に対して表面処理を施す工程と、
前記主面上に樹脂溶液を塗布することにより、前記第１部分に対する密着力が前記第２部分に対する密着力よりも大きくなるように前記主面に密着して設けられたフィルムを形成し、前記基板と前記フィルムとを備えるフィルム付き基板を得る工程と、
前記フィルムの前記基板とは反対側に素子を形成する工程と、
前記フィルム付き基板の前記第１部分に対応する部分の一部を除去することにより、前記第１部分に対応する部分の全面積の５０％以下が残るように前記フィルム付き基板を厚さ方向に切断する工程と、
前記基板と前記フィルムとを互いに分離して、素子積層フィルムを得る工程と、
を有することを特徴とする素子積層フィルムの製造方法。

【0012】

（２） 前記表面処理は、無機コーティング処理またはカップリング剤処理である上記（１）に記載の素子積層フィルムの製造方法。

【0013】

（３） 前記基板の構成材料は、ガラスである上記（１）または（２）に記載の素子積層フィルムの製造方法。

【0014】

（４） 前記ガラスは、ソーダガラスまたは無アルカリガラスである上記（３）に記載の素子積層フィルムの製造方法。

【0015】

（５） 前記第１部分は、前記主面の外縁に沿って設けられている上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の素子積層フィルムの製造方法。

【0016】

（６） 前記第１部分は、前記第２部分を取り囲むように設けられている上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の素子積層フィルムの製造方法。

【0017】

（７） 前記フィルムの構成材料は、ポリアミド系樹脂である上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の素子積層フィルムの製造方法。
（８） 前記表面処理は、処理後の水の接触角が８〜４０°になる処理である上記（１）ないし（７）のいずれかに記載の素子積層フィルムの製造方法。

【発明の効果】

【0019】

本発明によれば、レーザー照射装置のような特殊な装置を用いることなく、必要なときにフィルムを剥離することができるので、フィルムとその上に形成された素子とを有する素子積層フィルムを効率よく製造することができる。

【0020】

また、本発明によれば、レーザーによる悪影響がない素子積層フィルムが得られる。
また、本発明によれば、上記素子積層フィルムを備える表示装置が得られる。

【図面の簡単な説明】

【0021】

【図1】図１は、本発明の表示装置の一実施形態である有機ＥＬ表示装置を示す縦断面図である。

【図2】図２は、本発明の表示装置の一実施形態である有機ＥＬ表示装置が備えるアクティブマトリクス装置の構成を示すブロック図である。

【図3】図３は、図１に示す有機ＥＬ表示装置を製造する方法（本発明の素子積層フィルムの製造方法の第１実施形態）を説明するための縦断面図である。

【図4】図４は、図１に示す有機ＥＬ表示装置を製造する方法（本発明の素子積層フィルムの製造方法の第１実施形態）を説明するための縦断面図である。

【図5】図５は、図１に示す有機ＥＬ表示装置を製造する方法（本発明の素子積層フィルムの製造方法の第１実施形態）を説明するための縦断面図である。

【図6】図６は、図３（ｂ）に示す有機ＥＬ表示装置の平面図である。

【図7】図７は、図１に示す有機ＥＬ表示装置を製造する他の方法（本発明の素子積層フィルムの製造方法の第２実施形態）を説明するための縦断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0022】

以下、本発明の素子積層フィルムの製造方法、素子積層フィルムおよび表示装置について、添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。

【0023】

まず、本発明の素子積層フィルムの製造方法の説明に先立って、素子積層フィルムを含む表示装置の一実施形態である有機エレクトロルミネッセンス表示装置（有機ＥＬ表示装置）について説明する。

【0024】

＜有機ＥＬ表示装置＞
図１は、本発明の表示装置の一実施形態である有機ＥＬ表示装置を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」という。

【0025】

図１に示す有機ＥＬ表示装置１は、樹脂フィルムＡと、画素毎に対応してそれぞれ設けられた複数の発光素子Ｃと、対応する発光素子Ｃを駆動する複数の薄膜トランジスターＢと、を有している。

【0026】

なお、本実施形態において、有機ＥＬ表示装置１は、発光素子Ｃが発した光を樹脂フィルムＡ側から取り出す（透過させる）ボトムエミッション構造のディスプレイパネルである。

【0027】

樹脂フィルムＡ上には、複数の発光素子Ｃに対応して複数の薄膜トランジスターＢが設けられ、これらの薄膜トランジスターＢを覆うように、絶縁材料で構成された平坦化層３０１が形成されている。

【0028】

各薄膜トランジスターＢは、樹脂フィルムＡ上に形成されたゲート電極２００と、ゲート電極２００を覆うように設けられたゲート絶縁層２０１と、ゲート絶縁層２０１上にそれぞれ設けられたソース電極２０２およびドレイン電極２０４と、ソース電極２０２とドレイン電極２０４との間のチャネル領域に対応して形成され、半導体材料で構成された半導体層２０３と、を有している。

【0029】

なお、半導体材料としては、例えば、単結晶シリコン、ポリシリコン、アモルファスシリコンのようなシリコン系材料の他、酸化物半導体材料、有機半導体材料等を用いることができる。

【0030】

酸化物半導体材料としては、例えば、非金属元素である窒素（Ｎ）、酸素（Ｏ）のうち少なくとも酸素（Ｏ）を含み、半金属元素であるホウ素（Ｂ）、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、テルル（Ｔｅ）およびポロニウム（Ｐｏ）のうち少なくとも１種、または、金属元素であるアルミニウム（Ａｌ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、カドミウム（Ｃｄ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、ハフニウム（Ｈｆ）、水銀（Ｈｇ）、タリウム（Ｔｌ）、テルビウム（Ｐｂ）およびビスマス（Ｂｉ）のうち少なくとも１種を含む半導体材料が挙げられる。

【0031】

このうち、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ（ＩＧＺＯ）系材料、Ｚｒ−Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系材料、Ｈｆ−Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系材料、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｏ系材料、Ｉｎ−Ｇａ−Ｏ系材料、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系材料、Ｉｎ−Ａｌ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系材料等が酸化物半導体材料として好ましく用いられる。

【0032】

また、有機半導体材料としては、例えば、アントラセン、テトラセンまたはこれらの誘導体のような低分子の有機半導体材料や、フルオレン−ビチオフェン共重合体、フルオレン−アリルアミン共重合体またはこれらの誘導体のような高分子の有機半導体材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合せて用いることができる。

【0033】

また、平坦化層３０１上には、各薄膜トランジスターＢに対応して、発光素子（有機ＥＬ素子）Ｃが設けられている。

【0034】

さらに、本実施形態では、これらの発光素子Ｃを覆うように封止層４００が形成されている。これにより、発光素子Ｃの気密性が確保され、有機ＥＬ表示装置１の内部への酸素や水分の浸入を防止することができる。

【0035】

なお、本実施形態に係る発光素子Ｃは、それぞれ、陽極３０２および陰極３０６と、これらの間に陽極３０２側から順に積層された、正孔輸送層３０３と、発光層３０４と、電子輸送層３０５とを備える。

【0036】

また、各発光素子Ｃの陽極３０２は、各薄膜トランジスターＢのドレイン電極２０４に導電部３００を介して電気的に接続されている。

【0037】

かかる構成の有機ＥＬ表示装置１において、複数の発光素子Ｃが赤色用の発光素子と、緑色用の発光素子と、青色用の発光素子とを含み、各薄膜トランジスターＢを用いて各発光素子Ｃへ印加する電圧を制御することにより、各発光素子Ｃから射出される光の量（発光輝度）を調整すれば、有機ＥＬ表示装置１は、フルカラー表示が可能となる。また、複数の発光素子Ｃを同時に発光させることにより、有機ＥＬ表示装置１は、単色での表示も可能である。

【0038】

したがって、それぞれ薄膜トランジスターＢと発光素子Ｃとを有する複数の画素回路１０を個別に駆動することで、有機ＥＬ表示装置１に所望の画像を表示することができる。

【0039】

ここで、本実施形態に係る薄膜トランジスターＢは、それぞれ互いに直交する複数のデータラインと複数の選択ラインとの交点付近に設けられている。

【0040】

図２は、本発明の表示装置の一実施形態である有機ＥＬ表示装置が備えるアクティブマトリクス装置の構成を示すブロック図である。なお、図１は、図２に示す単一の画素回路１０およびその近傍の縦断面図に相当する。

【0041】

図２に示すアクティブマトリクス装置５０は、互いに直交する複数のデータライン５１および複数の選択ライン５２と、これらの交点付近にそれぞれ設けられた複数の画素回路１０と、を備えている。そして、図示しないものの、各薄膜トランジスターＢが備えるゲート電極２００は、選択ライン５２に接続され、ソース電極２０２は、データライン５１に接続されている。

【0042】

一方、有機ＥＬ表示装置１は、図２に示すように、信号処理回路５５と、データ駆動回路５３と、行選択回路５４と、を備えている。

【0043】

有機ＥＬ表示装置１に画像を表示するときは、まず、表示する画像に基づく映像信号が図示しない映像信号生成回路において生成される。そして、生成された映像信号は、信号処理回路５５に入力される。信号処理回路５５では、映像信号に基づいてデータ信号と選択信号とをそれぞれ生成し、データ信号をデータ駆動回路５３に入力するとともに、選択信号を行選択回路５４に入力する。

【0044】

その後、データ駆動回路５３からは、各データライン５１にデータ信号が送出されるとともに、行選択回路５４からは、各選択ライン５２に選択信号が送出される。各画素回路１０では、これらのデータ信号および選択信号に基づいて各薄膜トランジスターＢの駆動が制御され、それに対応する発光素子Ｃの発光が制御される。これにより、有機ＥＬ表示装置１において所望の画像が表示されることとなる。

【0045】

なお、各画素回路１０は、図２に示すように、平面視で長方形をなす樹脂フィルムＡ上に載置されている。一方、信号処理回路５５、データ駆動回路５３および行選択回路５４は、樹脂フィルムＡの外部に配置されている。なお、これらの配置は、特に限定されず、各回路も樹脂フィルムＡ上に配置されていてもよい。

【0046】

樹脂フィルムＡの構成材料としては、例えば、ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂等の各種ポリマーが挙げられる。これらのポリマーの中でも、樹脂フィルムＡの構成材料としては、特にポリアミド系樹脂が好ましく用いられる。以下、ポリアミド系樹脂について詳述する。

【0047】

（ポリアミド系樹脂）
ポリアミド系樹脂を用いることにより、耐薬品性に優れた樹脂フィルムＡを得ることができる。このような樹脂フィルムＡは、その上に画素回路１０を形成するとき、有機溶剤や処理ガスによる変質、劣化等を抑制し得る。

【0048】

また、ポリアミド系樹脂は、カルボキシル基を含有するジアミン由来の構造を含んでいることが好ましい。そして、このカルボキシル基を含有するジアミン由来の構造のポリアミド系樹脂中に含まれる量は、３０ｍｏｌ％以下であることが好ましく、１〜２０ｍｏｌ％であることがより好ましく、１〜１０ｍｏｌ％であることがさらに好ましい。カルボキシル基を含有するジアミン由来の構造の量をこのように設定することで、ポリアミド系樹脂を含む樹脂フィルムＡは、優れた耐薬品性と優れた光学特性とを両立することができる。

【0049】

また、ポリアミド系樹脂は、芳香族ポリアミド、半芳香族ポリアミドおよび脂環式ポリアミドのうちの１種または２種以上を含む樹脂であるのが好ましく、芳香族ポリアミドを含む樹脂がより好ましい。このようなポリアミド系樹脂は、樹脂フィルムＡに対し、有機ＥＬ表示装置１での使用に適した特性を付与することができる。すなわち、ポリアミド系樹脂は、樹脂フィルムＡに対し、画素回路１０の製造に耐え得る十分な耐薬品性を付与するとともに、有機ＥＬ表示装置１において優れた画質を実現可能な光学特性を付与することができる。

【0050】

また、芳香族ポリアミドは、エポキシ基と反応可能な１つ以上の官能基を含む芳香族ポリアミドであることが好ましい。さらに、エポキシ基と反応可能な１つ以上の官能基を含む芳香族ポリアミドは、カルボキシル基を含む芳香族ポリアミドであることがより好ましい。このような芳香族ポリアミドは、カルボキシル基を含んでいるので、形成される樹脂フィルムＡの耐溶剤性を向上させることができる。樹脂フィルムＡの耐溶剤性を向上させることにより、樹脂フィルムＡ上に、発光素子Ｃを形成する際に用いる液状材料の選択の幅を広げることができる。

【0051】

さらに、芳香族ポリアミドは、全芳香族ポリアミドであることが好ましい。これにより、形成される樹脂フィルムＡの耐薬品性と光学特性とをより高めることができる。なお、全芳香族ポリアミドとは、その主骨格に含まれるアミド結合同士が直鎖状または環状をなす脂肪族化合物で連結されることなく、全て芳香族化合物（芳香族環）で連結されているポリアミドをいう。

【0052】

このような芳香族ポリアミドは、下記一般式（Ｉ）および（ＩＩ）で表される繰り返し単位（モノマー成分）のうち少なくとも一方を有することが好ましいが、双方を有することがより好ましい。

（ただし、ｘは、前記繰り返し構造（Ｉ）のモル％を示し、ｎは、１〜４の整数を表し、ｙは、前記繰り返し構造（ＩＩ）のモル％を示し、Ａｒ_１は、下記一般式（ＩＩＩ）または（ＩＩＩ’）で表され、

［ｐ＝４、Ｒ_１、Ｒ_４、Ｒ_５は、それぞれ独立して、水素、ハロゲン（フッ化物、塩化物、臭化物、およびヨウ化物）、アルキル、ハロゲン化アルキル等の置換アルキル、ニトロ、シアノ、チオアルキル、アルコキシ、ハロゲン化アルコキシ等の置換アルコキシ、アリール又はハロゲン化アリール等の置換アリール、アルキルエステル、および置換アルキルエステル、並びにその組み合せからなる群から選択され、Ｇ_１は、共有結合、ＣＨ_２基、Ｃ（ＣＨ_３）_２基、Ｃ（ＣＦ_３）_２基、Ｃ（ＣＸ_３）_２基（但しＸはハロゲン）、ＣＯ基、Ｏ原子、Ｓ原子、ＳＯ_２基、Ｓｉ（ＣＨ_３）_２基、９，９−フルオレン基、置換９，９−フルオレン、およびＯＺＯ基からなる群から選択され、Ｚは、フェニル基、ビフェニル基、パーフルオロビフェニル基、９，９−ビスフェニルフルオレン基、および置換９，９−ビスフェニルフルオレン等のアリール基又は置換アリール基である。］、
Ａｒ_２は、下記一般式（ＩＶ）または（Ｖ）で表され、

［ｐ＝４、Ｒ_１、Ｒ_４、Ｒ_５は、それぞれ独立して、水素、ハロゲン（フッ化物、塩化物、臭化物、およびヨウ化物）、アルキル、ハロゲン化アルキル等の置換アルキル、ニトロ、シアノ、チオアルキル、アルコキシ、ハロゲン化アルコキシ等の置換アルコキシ、アリール又はハロゲン化アリール等の置換アリール、アルキルエステル、および置換アルキルエステル、並びにその組み合せからなる群から選択され、Ｇ_１は、共有結合、ＣＨ_２基、Ｃ（ＣＨ_３）_２基、Ｃ（ＣＦ_３）_２基、Ｃ（ＣＸ_３）_２基（但しＸはハロゲン）、ＣＯ基、Ｏ原子、Ｓ原子、ＳＯ_２基、Ｓｉ（ＣＨ_３）_２基、９，９−フルオレン基、置換９，９−フルオレン、およびＯＺＯ基からなる群から選択され、Ｚは、フェニル基、ビフェニル基、パーフルオロビフェニル基、９，９−ビスフェニルフルオレン基、および置換９，９−ビスフェニルフルオレン等のアリール基又は置換アリール基である。］、
Ａｒ_３は、、下記一般式（ＶＩ）または（ＶＩＩ）で表され、

［ｔ＝１〜３、Ｒ_９、Ｒ_１０、Ｒ_１１は、それぞれ独立して、水素、ハロゲン（フッ化物、塩化物、臭化物、およびヨウ化物）、アルキル、ハロゲン化アルキル等の置換アルキル、ニトロ、シアノ、チオアルキル、アルコキシ、ハロゲン化アルコキシ等の置換アルコキシ、アリール、ハロゲン化アリール等の置換アリール、アルキルエステル、および置換アルキルエステル、並びにその組み合せからなる群から選択され、Ｇ_３は、共有結合、ＣＨ_２基、Ｃ（ＣＨ_３）_２基、Ｃ（ＣＦ_３）_２基、Ｃ（ＣＸ_３）_２基（但しＸはハロゲン）、ＣＯ基、Ｏ原子、Ｓ原子、ＳＯ_２基、Ｓｉ（ＣＨ_３）_２基、９，９−フルオレン基、置換９，９−フルオレン、およびＯＺＯ基からなる群から選択され、Ｚは、フェニル基、ビフェニル基、パーフルオロビフェニル基、９，９−ビスフェニルフルオレン基、および置換９，９−ビスフェニルフルオレン等のアリール基又は置換アリール基である。］）。

【0053】

また、上述の芳香族ポリアミドに関し、本発明の１つまたは複数の実施形態において、上記一般式（Ｉ）および（ＩＩ）は、芳香族ポリアミドが極性溶剤または１つ以上の極性溶剤を含む混合溶剤に対して可溶性を有するよう選択される。本発明の１つまたは複数の実施形態において、一般式（Ｉ）のｘは９０．０〜９９．９９ｍｏｌ％の範囲で変化し、一般式（II）のｙは１０．０〜０．０１ｍｏｌ％の範囲で変化する。本発明の１つまたは複数の実施形態において、一般式（Ｉ）のｘは９０．１〜９９．９ｍｏｌ％の範囲で変化し、一般式（II）のｙは９．９〜０．１ｍｏｌ％の範囲で変化する。本発明の１つまたは複数の実施形態において、一般式（Ｉ）のｘは９０．０〜９９．０ｍｏｌ％の範囲で変化し、一般式（II）のｙは１０．０〜１．０モル％の範囲で変化する。本発明の１つまたは複数の実施形態において、一般式（Ｉ）のｘは９２．０〜９８．０ｍｏｌ％の範囲で変化し、一般式（ＩＩ）のｙは８．０〜２．０ｍｏｌ％の範囲で変化する。本発明の１つまたは複数の実施形態において、一般式（Ｉ）および（ＩＩ）で表される複数の繰り返し単位中のＡｒ_１、Ａｒ_２、Ａｒ_３は互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。

【0054】

また、芳香族ポリアミドは、剛直構造（剛直成分）を５０ｍｏｌ％以上の量で含むことが好ましく、６５ｍｏｌ％以上の量で含むことがより好ましく、８０ｍｏｌ％以上の量で含むことがさらに好ましく、９５ｍｏｌ％以上の量で含むことが特に好ましい。芳香族ポリアミドの剛直構造の量をかかる範囲に設定することにより、芳香族ポリアミドの結晶性がより向上する。このため、樹脂フィルムＡの耐薬品性をより高めることができる。

【0055】

なお、本明細書中において、剛直構造とは、芳香族ポリアミドを構成するモノマー成分（繰り返し単位）であって、その主骨格に直線性を有するモノマー成分を言う。具体的には、剛直構造としては、例えば、上記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位および上記一般式（ＩＩ）で表される繰り返し単位であって、Ａｒ_１が、下記一般式（Ａ）または（Ｂ）で表され、

［ｐ＝４、Ｒ_１、Ｒ_４、Ｒ_５は、それぞれ独立して、水素、ハロゲン（フッ化物、塩化物、臭化物、およびヨウ化物）、アルキル、ハロゲン化アルキル等の置換アルキル、ニトロ、シアノ、チオアルキル、アルコキシ、ハロゲン化アルコキシ等の置換アルコキシ、アリール又はハロゲン化アリール等の置換アリール、アルキルエステル、および置換アルキルエステル、並びにその組み合せからなる群から選択され、Ｇ_１は、共有結合、ＣＨ_２基、Ｃ（ＣＨ_３）_２基、Ｃ（ＣＦ_３）_２基、Ｃ（ＣＸ_３）_２基（但しＸはハロゲン）、ＣＯ基、Ｏ原子、Ｓ原子、ＳＯ_２基、Ｓｉ（ＣＨ_３）_２基、９，９−フルオレン基、置換９，９−フルオレン、およびＯＺＯ基からなる群から選択され、Ｚは、フェニル基、ビフェニル基、パーフルオロビフェニル基、９，９−ビスフェニルフルオレン基、および置換９，９−ビスフェニルフルオレン等のアリール基又は置換アリール基である。］、
Ａｒ_２が、下記一般式（Ｃ）または（Ｄ）で表され、

［ｐ＝４、Ｒ_６、Ｒ_７、Ｒ_８は、それぞれ独立して、水素、ハロゲン（フッ化物、塩化物、臭化物、およびヨウ化物）、アルキル、ハロゲン化アルキル等の置換アルキル、ニトロ、シアノ、チオアルキル、アルコキシ、ハロゲン化アルコキシ等の置換アルコキシ、アリール、ハロゲン化アリール等の置換アリール、アルキルエステル、および置換アルキルエステル、並びにその組み合せからなる群から選択され、Ｇ_２は、共有結合、ＣＨ_２基、Ｃ（ＣＨ_３）_２基、Ｃ（ＣＦ_３）_２基、Ｃ（ＣＸ_３）_２基（但しＸはハロゲン）、ＣＯ基、Ｏ原子、Ｓ原子、ＳＯ_２基、Ｓｉ（ＣＨ_３）_２基、９，９−フルオレン基、置換９，９−フルオレン、およびＯＺＯ基からなる群から選択され、Ｚは、フェニル基、ビフェニル基、パーフルオロビフェニル基、９，９−ビスフェニルフルオレン基、および置換９，９−ビスフェニルフルオレン等のアリール基又は置換アリール基である。］、
Ａｒ_３が、下記一般式（Ｅ）または（Ｆ）で表される繰り返し単位である。

［ｔ＝１〜３、Ｒ_９、Ｒ_１０、Ｒ_１１は、それぞれ独立して、水素、ハロゲン（フッ化物、塩化物、臭化物、およびヨウ化物）、アルキル、ハロゲン化アルキル等の置換アルキル、ニトロ、シアノ、チオアルキル、アルコキシ、ハロゲン化アルコキシ等の置換アルコキシ、アリール、ハロゲン化アリール等の置換アリール、アルキルエステル、および置換アルキルエステル、並びにその組み合せからなる群から選択され、Ｇ_３は、共有結合、ＣＨ_２基、Ｃ（ＣＨ_３）_２基、Ｃ（ＣＦ_３）_２基、Ｃ（ＣＸ_３）_２基（但しＸはハロゲン）、ＣＯ基、Ｏ原子、Ｓ原子、ＳＯ_２基、Ｓｉ（ＣＨ_３）_２基、９，９−フルオレン基、置換９，９−フルオレン、およびＯＺＯ基からなる群から選択され、Ｚは、フェニル基、ビフェニル基、パーフルオロビフェニル基、９，９−ビスフェニルフルオレン基、および置換９，９−ビスフェニルフルオレン等のアリール基又は置換アリール基である。］。

【0056】

さらに、Ａｒ_１の具体例としては、例えば、テレフタロイルジクロライド（ＴＰＣ：Terephthaloyl dichloride）由来の構造が挙げられ、Ａｒ_２の具体例としては、例えば、４，４’−ジアミノ−２，２’−ビストリフルオロメチルベンジジン（ＰＦＭＢ：4, 4’-Diamino-2, 2’-bistrifluoromethylbenzidine）由来の構造が挙げられ、Ａｒ_３の具体例としては、例えば、４，４’−ジアミノジフェン酸（ＤＡＤＰ：4, 4’-Diaminodiphenic acid）由来の構造、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン（ＤＤＳ：4,4’-diaminodiphenyl sulfone）由来の構造、および３，５−ジアミノベンゾイン酸（ＤＡＢ：3, 5-Diaminobenzoic acid）由来の構造が挙げられる。

【0057】

また、芳香族ポリアミドは、その数平均分子量（Ｍｎ）が、６．０×１０^４以上であることが好ましく、６．５×１０^４以上であることがより好ましく、７．０×１０^４以上であることがより好ましく、７．５×１０^４以上であることがより好ましく、８．０×１０^４以上であることがさらに好ましい。また、数平均分子量が、１．０×１０^６以下であることが好ましく、８．０×１０^５以下であることがより好ましく、６．０×１０^５以下であることがより好ましく、４．０×１０^５以下であることがさらに好ましい。上述の条件を満足する芳香族ポリアミドを用いることにより、有機ＥＬ表示装置１における下地層としての機能を樹脂フィルムＡに確実に発揮させることができる。

【0058】

なお、本明細書中において、ポリアミドの数平均分子量（Ｍｎ）および重量平均分子量（Ｍｗ）とは、ゲル浸透クロマトグラフィー（Gel Permeation Chromatography）にて測定される。

【0059】

さらに、芳香族ポリアミドの分子量分布（＝Ｍｗ／Ｍｎ）は、５．０以下であることが好ましく、４．０以下であることがより好ましく、３．０以下であることがより好ましく、２．８以下であることがより好ましく、２．６以下であることがより好ましく、２．４以下であることがさらに好ましく、２．０以上であることが特に好ましい。上述の条件を満足する芳香族ポリアミドを用いることにより、有機ＥＬ表示装置１における下地層としての機能を樹脂フィルムＡに確実に発揮させることができる。

【0060】

また、芳香族ポリアミドは、芳香族ポリアミドを合成した後に再沈殿の工程を経ることで得られることが好ましい。再沈殿の工程を経て得られた芳香族ポリアミドを用いることにより、有機ＥＬ表示装置１における下地層としての機能を樹脂フィルムＡに確実に発揮させることができる。

【0061】

（ポリアミド系樹脂の製造方法）
次に、上述したポリアミド系樹脂の製造方法の一例について説明する。

【0062】

上述したポリアミド系樹脂は、例えば、下記の工程（ａ）〜（ｅ）を含む製造方法を用いて製造することができる。
なお、以下では、ポリアミド系樹脂としてエポキシ基と反応可能な１つ以上の官能基を含む芳香族ポリアミドを用い、ポリアミド系樹脂中に無機フィラーが含まれる場合について説明する。
ただし、ポリアミド系樹脂は、下記の製造方法で製造されたポリマーに限定されるものではない。

【0063】

工程（ａ）は、少なくとも１つの芳香族ジアミンを溶剤に溶解させることにより、混合物を得るために実行される。工程（ｂ）は、溶剤内において、少なくとも１つの芳香族ジアミンを少なくとも１つの芳香族ジカルボン酸ジクロライドと反応させることにより、遊離塩酸とポリアミド溶液を得るために実行される。工程（ｃ）は、捕獲試薬による反応によって、混合物中から、遊離塩酸を除去するために実行される。工程（ｄ）は、無機フィラーを混合物中に添加するために実行される。工程（ｅ）は任意の（選択的な）工程であって、多官能エポキシドを添加するために実行される。

【0064】

本製造方法において用いられる芳香族ジカルボン酸ジクロライドは、例えば、下記一般式で表される化合物を含むものが挙げられる。

【0065】

ｐ＝４、Ｒ_１、Ｒ_４、Ｒ_５は、それぞれ独立して、水素、ハロゲン（フッ化物、塩化物、臭化物、およびヨウ化物）、アルキル、ハロゲン化アルキル等の置換アルキル、ニトロ、シアノ、チオアルキル、アルコキシ、ハロゲン化アルコキシ等の置換アルコキシ、アリール又はハロゲン化アリール等の置換アリール、アルキルエステル、および置換アルキルエステル、並びにその組み合せからなる群から選択され、Ｇ_１は、共有結合、ＣＨ_２基、Ｃ（ＣＨ_３）_２基、Ｃ（ＣＦ_３）_２基、Ｃ（ＣＸ_３）_２基（但しＸはハロゲン）、ＣＯ基、Ｏ原子、Ｓ原子、ＳＯ_２基、Ｓｉ（ＣＨ_３）_２基、９，９−フルオレン基、置換９，９−フルオレン、およびＯＺＯ基からなる群から選択され、Ｚは、フェニル基、ビフェニル基、パーフルオロビフェニル基、９，９−ビスフェニルフルオレン基、および置換９，９−ビスフェニルフルオレン等のアリール基又は置換アリール基である。

【0066】

以上のような芳香族ジカルボン酸ジクロライドとしては、具体的には、下記のものが挙げられる。
テレフタロイルジクロライド（Terephthaloyl dichloride）（ＴＰＣ）

【0067】

イソフタロイルジクロライド（Isophthaloyl dichloride）（ＩＰＣ）

【0068】

４，４−ビフェニルジカルボニルジクロライド（4, 4’-Biphenyldicarbonyl dichloride）(ＢＰＤＣ)

【0069】

ポリアミド溶液を製造する方法の１つまたは複数の実施形態において、芳香族ジアミンは、例えば、下記一般式で表される化合物を含むものが挙げられる。

ここで、ｐ＝４、ｍ＝１または２、ｔ＝１〜３、Ｒ_６、Ｒ_７、Ｒ_８、Ｒ_９、Ｒ_１０、Ｒ_１１は、それぞれ独立して、水素、ハロゲン（フッ化物、塩化物、臭化物、およびヨウ化物）、アルキル、ハロゲン化アルキル等の置換アルキル、ニトロ、シアノ、チオアルキル、アルコキシ、ハロゲン化アルコキシ等の置換アルコキシ、アリール又はハロゲン化アリール等の置換アリール、アルキルエステル、および置換アルキルエステル、並びにその組み合せからなる群から選択され、各Ｒ_６は同一であっても、異なっていてもよく、Ｒ_７はそれぞれ同一であっても、異なっていてもよく、Ｒ_８はそれぞれ同一であっても、異なっていてもよく、Ｒ_９はそれぞれ同一であっても、異なっていてもよく、Ｒ_１０はそれぞれ同一であっても、異なっていてもよく、Ｒ_１１はそれぞれ同一であっても、異なっていてもよく、Ｇ_２およびＧ_３は、共有結合、ＣＨ_２基、Ｃ（ＣＨ_３）_２基、Ｃ（ＣＦ_３）_２基、Ｃ（ＣＸ_３）_２基（但しＸはハロゲン）、ＣＯ基、Ｏ原子、Ｓ原子、ＳＯ_２基、Ｓｉ（ＣＨ_３）_２基、９，９−フルオレン基、置換９，９−フルオレン、およびＯＺＯ基からなる群から選択され、Ｚは、フェニル基、ビフェニル基、パーフルオロビフェニル基、９，９−ビスフェニルフルオレン基、および置換９，９−ビスフェニルフルオレン等のアリール基又は置換アリール基である。

【0070】

以上のような芳香族ジアミンとしては、具体的には、下記のものが挙げられる。
４，４’−ジアミノ−２，２’−ビストリフルオロメチルベンジジン（4, 4’-Diamino-2, 2’-bistrifluoromethylbenzidine）（ＰＦＭＢ）

【0071】

９，９ビス（４−アミノフェニル）フルオレン（9, 9-Bis4-aminophenyl)fluorine）（ＦＤＡ）

【0072】

９，９ビス（３−フルオロ−４アミノフェニル）フルオレン（9,9-Bis(3-fluoro-4-aminophenyl)fluorine）（ＦＦＤＡ）

【0073】

４，４’−ジアミノジフェン酸（4, 4’-Diaminodiphenic acid）（ＤＡＤＰ）

【0074】

３，５−ジアミノベンゾイン酸（3, 5-Diaminobenzoic acid）（ＤＡＢ）

【0075】

４，４’−ジアミノ−２，２−ビストリフルオロメトキシベンジジン（4,4’-Diamino-2,2’-bistrifluoromethoxylbenzidine）（ＰＦＭＯＢ）

【0076】

４，４’−ジアミノ−２，２’−ビストリフルオロメチルジフェニルエーテル（4,4’-Diamino-2,2’-bistrifluoromethyldiphenyl ether）（６ＦＯＤＡ）

【0077】

ビス（４−アミノ−２−トリフルオメチルフェニルオキシル）ベンゼン（Bis(4-amino-2-trifluoromethylphenyloxyl) benzene）（６ＦＯＱＤＡ）

【0078】

ビス（４−アミノ−２トリフルオロメチルフェニルオキシル）ビフェニル（Bis(4-amino-2-trifluoromethylphenyloxyl) biphenyl）（６ＦＯＢＤＡ）

４，４’−ジアミノジフェニルスルホン（Diaminodiphenyl sulfone）（ＤＤＳ）

なお、ジアミノジフェニルスルホンは、上記式のような４，４’− ジアミノジフェニルスルホン（4,4’-Diaminodiphenyl sulfone）であってもよいし、３，３’− ジアミノジフェニルスルホン（3,3’-Diaminodiphenyl sulfone）または２，２’− ジアミノジフェニルスルホン（2,2’-Diaminodiphenyl sulfone）であってもよい。

【0079】

ポリアミド溶液を製造する方法の１つまたは複数の実施形態において、エポキシ基と反応可能な官能基を含む芳香族ジアミンの官能基は、ジアミン混合物の約１ｍｏｌ％より多く、約１０ｍｏｌ％より少ない。ポリアミド溶液を製造する方法の１つまたは複数の実施形態において、エポキシ基と反応可能な官能基を含む芳香族ジアミンの官能基は、カルボキシル基である。ポリアミド溶液を製造する方法の１つまたは複数の実施形態において、ジアミンのいずれか１つは、４，４’−ジアミノジフェニン酸または３，５−ジアミノベンゾイン酸である。ポリアミド溶液を製造する方法の１つまたは複数の実施形態において、エポキシ基と反応可能な官能基を含む芳香族ジアミンの官能基は、ヒドロキシル基である。

【0080】

ポリアミド溶液を製造する方法の１つまたは複数の実施形態において、芳香族ポリアミドは、溶剤中の縮合重合を介して精製される。ここで、反応中に発生した塩酸は、酸化プロピレン（ＰｒＯ）のような捕獲試薬によって捕獲される。なお、塩酸と捕獲試薬との反応から揮発性生成物が産出される。

【0081】

本方法内でのポリアミド溶液使用の観点から、捕獲試薬は、酸化プロピレンである。捕獲試薬は、工程（ｃ）の前またはその最中に添加される。工程（ｃ）の前またはその最中に捕獲試薬を添加することにより、工程（ｃ）後の混合物内での凝縮の発生や粘性度を低減させることができ、これにより、ポリアミド溶液の生産性を向上させることができる。捕獲試薬が酸化プロピレンのような有機試薬である場合、これら効果が特に顕著になる。

【0082】

樹脂フィルムＡの耐熱性向上の観点から、本方法は、さらに、芳香族ポリアミドの末端−ＣＯＯＨ基および末端−ＮＨ_２基の一方または双方を末端封止する工程を含む。芳香族ポリアミドの末端は、各末端が−ＮＨ_２である場合、ベンゾイルクロライドを用いた反応によって末端封止することができ、各末端が−ＣＯＯＨである場合、アニリンを用いた反応によって末端封止することができる。しかしながら、末端封止の方法はこれに限定されない。

【0083】

多官能エポキシドは、フェノールエポキシドおよび環状脂肪族エポキシドからなる群から選択される。具体的には、多官能エポキシドは、ジグリシジル１，２−シクロヘキサンカルボキシレート、トリグリシジルイソシアヌル、テトラグリシジル４，４’−ジアミノフェニルメタン、２，２−ビス（４−グリシジルオキシルフェニル）プロパン、およびこれらの高分子量同族体、ノボラックエポキシド、７Ｈ−［１，２−ｂ：５，６−ｂ’］ビスオキシレンオクタハイドロ、およびエポキシシクロヘキシルメチル３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレートを含む群から選択される。多官能エポキシドの量は、芳香族ポリアミドの重量の約２〜１０％である。

【0084】

本方法でのポリアミド溶液使用の観点から、芳香族ポリアミドは、最初に、無機フィラーおよび多官能エポキシドの少なくとも一方を添加する前の溶剤内での沈殿および再溶解によって、ポリアミド溶液から分離される。

【0085】

再沈殿は通常の方法で行うことができる。再沈殿は、例えば、芳香族ポリアミドをメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等への添加により沈殿させ、芳香族ポリアミドを洗浄し、溶剤に溶解することにより実行される。
この溶剤としては、後述のものが使用できる。

【0086】

本方法でのポリアミド溶液使用の観点から、無機塩を含まないようポリアミド溶液が製造される。
以上のような工程を経ることによりポリアミド系樹脂を製造することができる。

【0087】

なお、樹脂フィルムＡのナトリウム線（Ｄ線）における全光線透過率は、好ましくは４０％以上とされ、より好ましくは４５％以上とされ、さらに好ましくは５０％以上とされ、特に好ましくは６０％以上とされる。樹脂フィルムＡの全光線透過率を上述のような範囲内に設定することにより、樹脂フィルムＡを、ディスプレイ用素子、光学用素子、照明用素子またはセンサー素子の製造に好適に用いることができる。

【0088】

また、樹脂フィルムＡの厚み方向の波長４００ｎｍのリタデーション（Ｒｔｈ）は、２００．０ｎｍ以下であることが好ましく、１９０．０ｎｍ以下であることがより好ましく、１８０．０ｎｍ以下であることがより好ましく、１７５．０ｎｍ以下であることがより好ましく、１７３．０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。なお、樹脂フィルムＡのＲｔｈは、位相差測定装置にて算出することができる。

【0089】

また、樹脂フィルムＡは、その熱膨張係数（ＣＴＥ）が１００．０ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましく、８０ｐｐｍ／Ｋ以下であることがより好ましく、６０ｐｐｍ／Ｋ以下であることがより好ましく、４０ｐｐｍ／Ｋ以下であることがさらに好ましい。なお、樹脂フィルムＡのＣＴＥは、熱機械分析装置（ＴＭＡ）にて測定することができる。

【0090】

ＲｔｈおよびＣＴＥをそれぞれ前記範囲内とすることにより、樹脂フィルムＡを備える基板において、反りが生じるのを的確に抑制または防止することができる。そのため、かかる基板を用いて得られる、有機ＥＬ表示装置１の製造歩留まりを向上させることができる。

【0091】

なお、樹脂フィルムＡの平均厚さは、特に限定されないが、１〜５０μｍ程度であるのが好ましく、５〜３０μｍ程度であるのがより好ましい。樹脂フィルムＡの平均厚さを前記範囲内にすることで、画素回路１０を支持するのに必要かつ十分な機械的強度を樹脂フィルムＡに付与することができる。また、それとともに、良好な可撓性を樹脂フィルムＡに付与することができる。

【0092】

（フィラー）
また、樹脂フィルムＡには、必要に応じて各種フィラーが添加されていてもよい。これにより、樹脂フィルムＡの熱線膨張率を低減させることができる。
このフィラーの構成材料としては、例えば、シリカ、アルミナ、酸化チタン等の金属酸化物、マイカ等の鉱物、ガラス、またはこれらの混合物が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、ガラスの種類としては、Ｅガラス、Ｃガラス、Ａガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、ＮＥガラス、Ｔガラス、低誘電率ガラス、高誘電率ガラス等が挙げられる。
また、フィラーとしては、特に無機フィラーが好ましく用いられる。無機フィラーの形状としては、例えば、粒子状、繊維状等が挙げられる。

【0093】

無機フィラーが繊維である場合、前記繊維の平均繊維径は１〜１０００ｎｍであることが好ましい。上述のような平均繊維径を有する無機フィラーを含む樹脂組成物（ポリマー溶液）を用いることによって、光学特性や可撓性を損なうことなく、樹脂フィルムＡの熱線膨張率を低減させることができる。

【0094】

ここで、前記繊維は、複数の単繊維から構成されるものであってもよい。この複数の単繊維は、引き揃えられることなく、かつ相互間にマトリックス樹脂の液状前駆体が入り込むように十分に離隔している。この場合、平均繊維径は複数の単繊維の平均径となる。また、前記繊維は、複数本の単繊維が束状に集合して１本の糸条を構成しているものであってもよく、この場合、平均繊維径は１本の糸条の径の平均値として定義される。また、フィルムの透明性向上の観点から、前記繊維の平均繊維径は小さいほど好ましく、また、樹脂フィルムＡの製造に用いられる樹脂組成物に含まれるポリマー（ポリアミド等）の屈折率と繊維の屈折率とが近いほど好ましい。例えば、繊維に使用する材質とポリマーの５８９ｎｍにおける屈折率の差が０．０１以下の場合は、繊維径に関わらず透明性の高いフィルムを形成することが可能となる。また、平均繊維径の測定方法としては、例えば電子顕微鏡による観察等が挙げられる。

【0095】

また、無機フィラーが粒子である場合、前記粒子の平均粒子径は１〜１０００ｎｍであることが好ましい。上述のような平均粒子径を有する粒子の形態の無機フィラーを含む樹脂組成物を用いることによって、光学特性や可撓性を損なうことなく、樹脂フィルムＡの熱線膨張率を低減させることができる。
ここで、前記粒子の平均粒子径は、平均投影円相当直径のことを言う。

【0096】

前記粒子の形状は、特に限定されないが、例えば、球状もしくは真球状、ロッド状、平板状、またはこれらの結合形状が挙げられる。

【0097】

また、樹脂組成物における固形分中の無機フィラーの割合としては、特に限定されないが、１体積％〜５０体積％であることが好ましく、２体積％〜４０体積％であることがより好ましく、３体積％〜３０体積％であることがさらに好ましい。さらに、樹脂組成物における固形分中のポリマーの割合は、特に限定されないが、５０体積％〜９９体積％であることが好ましく、６０〜９８体積％であることがより好ましく、７０〜９７体積％であることがさらに好ましい。

【0098】

なお、本明細書中において、「固形分」とは、樹脂組成物中の溶剤以外の成分をいう。固形分の体積換算、無機フィラーの体積換算、および／またはポリマーの体積換算は、ポリマー溶液を調製する際の成分の投入量から算出できる。または、ポリマー溶液から溶剤を除去することでも算出できる。

【0099】

（エポキシ試薬）
また、樹脂組成物は、必要に応じて、樹脂組成物の硬化温度を低下させ、かつ、この樹脂組成物から得られる樹脂フィルムＡの有機溶媒への耐性を向上させる観点から、ポリアミド系樹脂に加えて、エポキシ試薬を含んでもよい。また、樹脂組成物中に含まれるエポキシ試薬は、多官能エポキシドであることが好ましい。

【0100】

本発明の１つまたは複数の実施形態において、多官能エポキシドは、２つ以上のグリシジルエポキシ基を含むエポキシド、または２つ以上の脂環式基を含むエポキシドである。

【0101】

樹脂組成物が多官能エポキシドを含有する場合、多官能エポキシドの含有量としては、本発明の１つまたは複数の実施形態において、ポリアミド系樹脂の重量に対して約０．１〜１０重量％が好ましい。

【0102】

多官能エポキシドを含有する樹脂組成物は、本発明の１つまたは複数の実施形態において、樹脂フィルムＡの硬化温度を低くすることができ、限定されない１つまたは複数の実施形態において、樹脂フィルムＡの硬化温度を約２００℃〜約３００℃とすることができる。
また、多官能エポキシドを含有する樹脂組成物は、本発明の１つまたは複数の実施形態において、樹脂組成物から作製された樹脂フィルムＡに、有機溶媒に対する耐性を付与できる。該有機溶媒としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセタミド（ＤＭＡｃ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、γ−ブチロラクトン（ＧＢＬ）等の極性溶媒が含まれる。

【0103】

多官能エポキシドを含有する樹脂組成物における硬化温度の低下と有機溶媒に対する耐性向上の効果は、エポキシドによる架橋により得られると推測される。エポキシドによる架橋を促進する観点から、かかる樹脂組成物中に含まれるポリアミド系樹脂は、本発明の１つまたは複数の実施形態において、その主鎖にフリーのペンダンドカルボキシル基を有するか、あるいは、カルボキシル基を有するジアミンモノマーを用いて合成されることが好ましい。

【0104】

本発明の１つまたは複数の実施形態において、多官能エポキシドは、下記一般構造（α）および（β）を含む群から選択される。

（ただし、ｌは、グリシジル基の数を表し、Ｒは、

および

を含む群から選択される［ｍ＝１〜４、ｎおよびｓは、それぞれ独立した単位の平均数であって、０〜３０であり、各Ｒ_１２は、それぞれ独立して、水素、ハロゲン（フッ化物、塩化物、臭化物、およびヨウ化物）、アルキル、ハロゲン化アルキル等の置換アルキル、ニトロ、シアノ、チオアルキル、アルコキシ、ハロゲン化アルコキシ等の置換アルコキシ、アリール、ハロゲン化アリール等の置換アリール、アルキルエステル、および置換アルキルエステル、並びにその組み合せからなる群から選択され、Ｇ_４は、共有結合、ＣＨ_２基、Ｃ（ＣＨ_３）_２基、Ｃ（ＣＦ_３）_２基、Ｃ（ＣＸ_３）_２基（但しＸはハロゲン）、ＣＯ基、Ｏ原子、Ｓ原子、ＳＯ_２基、Ｓｉ（ＣＨ_３）_２基、９，９−フルオレン基、置換９，９−フルオレン、およびＯＺＯ基からなる群から選択され、Ｚは、フェニル基、ビフェニル基、パーフルオロビフェニル基、９，９−ビスフェニルフルオレン基、および置換９，９−ビスフェニルフルオレン等のアリール基又は置換アリール基であり、Ｒ_１３は、水素原子またはメチル基であり、Ｒ_１４は、二価有機基である。］。）

（ただし、環状構造（cyclic structure）は、

および

を含む群から選択される［Ｒ_１５は、炭素数２〜１８を有するアルキル鎖であり、該アルキル鎖は、直鎖、分枝鎖または環状骨格を有する鎖であり、ｍおよびｎは、それぞれ独立して、１〜３０の整数であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆは、それぞれ独立した０〜３０の整数である。］。）

【0105】

本発明の１つまたは複数の実施形態において、多官能エポキシドは、

を含む群から選択される（Ｒ_１６は、炭素数２〜１８を有するアルキル鎖であり、該アルキル鎖は、直鎖、分枝鎖または環状骨格を有する鎖であり、ｔおよびｕは、それぞれ独立して、１〜３０の整数である）。

【0106】

また、本発明の１つまたは複数の実施形態において、多官能エポキシドとしては、具体的には、
Diglycidyl 1,2-cyclohexanedicarboxylate (DG)

Triglycidyl isocyanurate (TG)

Tetraglycidyl 4, 4’-diaminophenyl methane (TTG)

(3,3’, 4,4’-diepoxy) bicyclohexyl

が挙げられ、その他にも、

等が挙げられる。

【0107】

（その他の成分）
さらに、樹脂フィルムＡは、その他の成分を含んでもよい。
その他の成分としては、例えば、酸化防止剤、紫外線吸収剤、染顔料等が挙げられる。

なお、樹脂フィルムＡは、以上のようなポリマー、フィラーおよびその他の成分等と前述した溶剤とを混合し、得られたポリマー溶液（樹脂組成物）を用いて製造される。

【0108】

ポリマー溶液の製造用の溶剤としては、例えば、クレゾール；Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトミド（ＤＭＡｃ）；Ｎ−メチル−２−ピロリジノン（ＮＭＰ）；ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）；１，３−ジメチル−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）；ブチルセロソルブ（ＢＣＳ）；γ−ブチロラクトン（ＧＢＬ）；もしくはクレゾール、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトミド（ＤＭＡｃ）、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン（ＮＭＰ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）；１，３−ジメチル−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ブチルセロソルブ（ＢＣＳ）、γ−ブチロラクトン（ＧＢＬ）の少なくとも１つを含む混合溶剤；これらの組み合わせ；またはこれらの極性溶剤を少なくとも１つ含む混合溶剤であることが好ましい。

【0109】

以上、有機ＥＬ表示装置１について説明したが、本発明の表示装置は、有機ＥＬ表示装置への適用に限定されず、無機ＥＬ表示装置、液晶表示装置、電子ペーパーのような表示装置にも適用可能である。

【0110】

また、樹脂フィルムＡとその上に設けられた複数の薄膜トランジスターＢとを有する構造体を「素子積層フィルム（本発明の素子積層フィルムの実施形態）」としたとき、本発明の素子積層フィルムは、表示装置への適用に限定されず、例えば演算装置、駆動装置、制御装置、光電変換装置、照明装置、センサー装置等の表示装置以外の各種デバイスにも適用可能である。

【0111】

また、上述したアクティブマトリクス装置は、上記の構成に限定されず、他の構成であってもよい。

【0112】

＜有機ＥＬ表示装置の製造方法＞
≪第１実施形態≫
次に、本発明の素子積層フィルムの製造方法の第１実施形態を含む有機ＥＬ表示装置１の製造方法について説明する。

【0113】

図３〜５は、それぞれ図１に示す有機ＥＬ表示装置を製造する方法（本発明の素子積層フィルムの製造方法の第１実施形態）を説明するための縦断面図である。また、図６は、図３（ｂ）に示す有機ＥＬ表示装置の平面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図３〜５中の上側を「上」、下側を「下」という。

【0114】

有機ＥＬ表示装置１を製造する方法は、［１］キャリア基板７を用意し、その上面７１（主面）の縁部７１１（第１部分）に沿って無機コーティング７２を形成する表面処理工程と、［２］上面７１上に樹脂溶液Ａ０（樹脂組成物）を塗布して樹脂フィルムＡを形成し、これにより積層体８（フィルム付き基板）を得るフィルム形成工程と、［３］樹脂フィルムＡに対して画素回路１０（素子）を形成するとともに封止層４００を形成する素子形成工程と、［４］積層体８の縁部７１１に対応する部分を除去するように積層体８を厚さ方向に切断する切断工程と、［５］キャリア基板７から樹脂フィルムＡを剥離（樹脂フィルムＡとキャリア基板７とを分離）する剥離工程と、を有する。

【0115】

以下、各工程について順次説明する。
［１］表面処理工程
［１−１］まず、キャリア基板７を用意する（図３（ａ）参照）。

【0116】

キャリア基板７は、樹脂フィルムＡを支持する十分な剛性を有する限り、いかなる基板であってもよい。なお、有機ＥＬ表示装置１の製造プロセスにおいて、キャリア基板７が高温に曝される場合には、耐熱性を有する基板が好ましく用いられる。

【0117】

キャリア基板７の平面視形状は、特に限定されないが、本実施形態では一例として長方形をなしている。

【0118】

キャリア基板７の構成材料としては、例えば、ソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス、石英ガラスのような各種ガラス材料、単結晶シリコン、多結晶シリコンのような各種シリコン材料、サファイア、アルミナのような各種セラミックス材料、ステンレス鋼、アルミニウムのような各種金属材料、ポリイミド、ポリエチレンナフタレートのような各種樹脂材料等が挙げられる。キャリア基板７の構成材料としては、特に透光性を有する材料が好ましく用いられ、ガラス材料がより好ましく用いられる。ガラス材料は、透光性を有するため、樹脂溶液Ａ０を硬化させる際、キャリア基板７側からの露光が可能になるという点で有用である。また、ガラス材料は、比較的安価であり、耐摩耗性も高いことから、製造プロセスの低コスト化という観点からも有用である。

【0119】

また、ガラス材料としては、特にソーダガラスまたは無アルカリガラスが好ましく用いられ、ソーダガラスがより好ましく用いられる。これらは、ガラス材料として広く流通しているため、入手が容易であるとともに、品質が比較的安定している。このため、面積が広い基板でも平坦度が高いので、かかる基板をキャリア基板７として用いることにより、最終的に平坦性に優れた有機ＥＬ表示装置１を製造することができる。また、かかるキャリア基板７は、表面粗さも小さいので、後述する剥離工程において樹脂フィルムＡにかかる負担を抑えつつ、樹脂フィルムＡをキャリア基板７から剥離し易くなる。

【0120】

さらに、ソーダガラスは、樹脂フィルムＡとの密着性が比較的小さいという特徴を有する。このため、ソーダガラスで構成されたキャリア基板７を用いることにより、後述する剥離工程において樹脂フィルムＡにかかる負担を特に抑えつつ、樹脂フィルムＡをキャリア基板７から剥離することができる。

【0121】

なお、キャリア基板７は、単層（単板）で構成される必要はなく、複数層で構成されていてもよい。その場合、後述するフィルム形成工程において、樹脂フィルムＡに最も近く位置する層の構成材料として、上述したガラス材料を用いるようにすればよい。

【0122】

また、キャリア基板７の上面７１には、必要に応じて、各種研磨処理、各種粗面化処理等が施されていてもよい。

【0123】

［１−２］次に、図３（ｂ）に示すように、キャリア基板７の上面７１（主面）の縁部７１１（第１部分）に沿って無機コーティング７２を形成する。この無機コーティング７２を設けることにより、上面７１の縁部７１１の樹脂フィルムＡに対する密着性を相対的に高めることができる。すなわち、上面７１を縁部７１１（第１部分）と中央部７１２（第２部分）とに分けて規定したとき、縁部７１１に無機コーティング７２を形成することによって、縁部７１１に対する樹脂フィルムＡの密着力を、中央部７１２に対する樹脂フィルムＡの密着力よりも大きくすることができる。これにより、樹脂フィルムＡがキャリア基板７から剥がれ難くなり、有機ＥＬ表示装置１の製造プロセスの間、キャリア基板７によって樹脂フィルムＡをより確実に支持することができる。

【0124】

無機コーティング７２の構成材料としては、例えば、酸化ケイ素、酸化亜鉛、インジウム酸化物（ＩＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、フッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ）のような各種酸化物材料、窒化ケイ素、窒化チタン、窒化アルミニウムのような各種窒化物材料、炭化ケイ素、炭化チタンのような各種炭化物材料等が挙げられる。無機コーティング７２の構成材料としては、特に酸化物材料が好ましく用いられる。酸化物材料によれば、無機コーティング７２に対する樹脂フィルムＡの密着力を特に高めることができるので、無機コーティング７２の面積が小さくても樹脂フィルムＡをより確実に支持することができる。このため、後述する切断工程において、積層体８の除去する部分の面積を十分に小さくすることができ、廃棄物の量、すなわち製造プロセス上の無駄を抑えることができる。それとともに、キャリア基板７の大きさを変えることなく、より大型の有機ＥＬ表示装置１を製造することができる。

【0125】

また、本実施形態では、キャリア基板７の上面７１の縁部７１１に無機コーティング７２を形成している。具体的には、本実施形態に係るキャリア基板７は、図６に示すように、平面視形状が長方形をなしており、上面７１の縁部７１１の平面視形状は、キャリア基板７の外縁に沿って、長方形の枠状をなしている。

【0126】

そして、このように上面７１の外縁に沿って設定された縁部７１１に無機コーティング７２を形成することにより、例えば製造プロセス中に積層体８に対して外力が加えられた場合でも、積層体８の外縁においてキャリア基板７から樹脂フィルムＡが剥離が生じ難くなる。このため、積層体８の外縁を起点にした剥離が進展するのを防止し、製造プロセス中にキャリア基板７から樹脂フィルムＡが脱落してしまうのを防止することができる。

【0127】

また、換言すれば、本実施形態では、中央部７１２を取り囲むように無機コーティング７２が形成されている（第１部分が設けられている）。このため、製造プロセス中に積層体８に対して外力が加えられ、仮に中央部７１２において樹脂フィルムＡがキャリア基板７から剥離したとしても、樹脂フィルムＡがキャリア基板７から脱落したり、捲れたり、キャリア基板７に対して位置がずれたりするのを防止することができる。この結果、後述する素子形成工程において、高い位置精度で画素回路１０（素子）を形成することができ、高精細の有機ＥＬ表示装置１を製造することが可能になる。

【0128】

なお、本製造方法では、最終的にキャリア基板７から樹脂フィルムＡを剥離することによって有機ＥＬ表示装置１を製造する。そのため、後述する切断工程において積層体８の無機コーティング７２を形成した縁部７１１（第１部分）に対応する部分を除去することにより、その後の剥離工程における剥離作業を容易にしている。このため、縁部７１１に対する樹脂フィルムＡの密着力は、剥離工程前においてキャリア基板７から樹脂フィルムＡが剥離し難くする（樹脂フィルムＡを脱落させ難くする）という観点からは、できるだけ大きい方が好ましい。

【0129】

一方、中央部７１２に対する樹脂フィルムＡの密着力は、剥離工程においてキャリア基板７から樹脂フィルムＡを剥離し易くするという観点からは、できるだけ小さい方が好ましい。しかしながら、密着量が小さ過ぎると、切断工程後において、何らのきっかけも与えることなく、キャリア基板７から樹脂フィルムＡが脱落してしまうおそれがある。このため、切断工程後の製造プロセスにおける積層体８のハンドリング性の観点から、中央部７１２に対する樹脂フィルムＡの密着力は、何らのきっかけもなく剥離しない程度のであることが好ましい。

【0130】

なお、本明細書における「密着力」とは、単位面積当たりの密着強度をいい、その値は、単位として例えばＭＰａ等を用いて表すことができる。

【0131】

また、本発明では、無機コーティング７２を形成する領域が、上面７１の縁部７１１に限定されることはない。例えば、後述する切断工程において積層体８の除去する部分を縁部７１１以外に対応するように設定する場合には、それに応じて無機コーティング７２を形成する領域を設定するようにすればよい。また、キャリア基板７上に複数の有機ＥＬ表示装置１を製造し、その後、切断して個々の有機ＥＬ表示装置１に分割した後、最終的にキャリア基板７から有機ＥＬ表示装置１を剥離するような場合にも、無機コーティング７２を形成する領域は、分割線のパターンに応じて縁部７１１以外の領域に適宜設定されていてもよい。

【0132】

また、中央部７１２を取り囲むように無機コーティング７２が形成されている場合、無機コーティング７２は連続しているのが好ましいが、一部が途切れて（断続的で）もよい。

【0133】

また、中央部７１２にも、所定の面積の無機コーティング７２が形成されていてもよい。例えば、中央部７１２において、小面積の無機コーティング７２をドット状に形成ことにより、中央部７１２におけるキャリア基板７に対する樹脂フィルムＡの密着力を高める（調整する）ようにしてもよい。

【0134】

なお、無機コーティング７２の平均厚さは、特に限定されないが、０．０１〜２０μｍ程度であるのが好ましく、０．０５〜１０μｍ程度であるのがより好ましい。無機コーティング７２の平均厚さを前記範囲内に設定することにより、縁部７１１に対する樹脂フィルムＡの密着力を十分に高めることができるとともに、縁部７１１と中央部７１２とで大きな高さの段差が生じるのを防止することができる。これにより、樹脂フィルムＡの形状が不良になるのを避けることができる。

【0135】

また、縁部７１１（第１部分）には、無機コーティング７２を形成するのに代えて、カップリング剤処理が施されていてもよい。カップリング剤処理によっても、無機コーティング７２と同様、縁部７１１に対する樹脂フィルムＡの密着力を、中央部７１２に対する樹脂フィルムＡの密着力よりも大きくすることができる。このため、無機コーティング７２と同様、製造プロセス中において、樹脂フィルムＡがキャリア基板７から脱落したり、捲れたり、キャリア基板７に対して位置がずれたりするのを防止して、高精細の有機ＥＬ表示装置１の製造を可能にする。

【0136】

カップリング剤としては、キャリア基板７に対する樹脂フィルムＡの密着力を高め得るものであれば、特に限定されない。しかしながら、カップリング剤としては、水酸基と脱水縮合によって反応し得る加水分解性基および樹脂フィルムＡと反応して結合し得る反応性官能基を有するシラン系カップリング剤やチタン系カップリング剤、変性シリコーンオイル等が一例として挙げられる。

【0137】

反応性官能基としては、例えば、アミノ基、エポキシ基、アルキル基、フェニル基、カルボキシル基、水酸基、メルカプト基、イソシアネート基、カルビノール基、酸塩化物等が挙げられる。反応性官能基は、これらの複数種を含んでいてもよい。また、特に、反応性官能基は、アミノ基であるのが好ましい。反応性官能基としてアミノ基を含むカップリング剤を用いることにより、小面積の領域にカップリング処理を施す場合であっても、十分な密着力を発揮することができる。

【0138】

反応性官能基としてアミノ基を有するカップリング剤としては、例えば、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−トリエトキシシリル−Ｎ−（１，３−ジメチル−ブチリデン）プロピルアミン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（ビニルベンジル）−２−アミノエチル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、またはそれらの塩酸塩等が挙げられる。

【0139】

なお、キャリア基板７の上面７１にカップリング剤処理を施す際には、カップリング剤を溶解する溶媒として、水の他、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコールのような低級アルコール類、メチルエチルケトン、アセトンのようなケトン類、テトラヒドロフラン、ジオキサンのような環状エーテル類、フェノール、クレゾールのようなフェノール類、酢酸のようなカルボン酸等を用いるようにしてもよい。この場合、カップリング剤の濃度は、０．０５〜１０質量％程度であるのが好ましく、０．１〜５質量％程度であるのがより好ましい。

【0140】

また、縁部７１１（第１部分）には、無機コーティング７２の形成やカップリング剤処理に代えて各種表面処理が施されていてもよい。

【0141】

このような表面処理としては、例えば、電子線照射処理、コロナ放電処理、アーク放電処理、エキシマー光の照射処理、プラズマ処理、エッチング処理等が挙げられる。

【0142】

なお、これらの表面処理により、縁部７１１には、所定の撥水性が付与されるのが好ましい。

【0143】

具体的には、表面処理後の縁部７１１に対する水の接触角は、８〜４０°程度であるのが好ましく、１０〜３５°程度であるのがより好ましく、１２〜３０°程度であるのがさらに好ましい。接触角が前記範囲内に収まるように表面処理を適宜選択することにより、縁部７１１に対する樹脂フィルムＡの密着力を特に高めることができる。

【0144】

また、水の接触角が前記下限値を下回ると、縁部７１１の親水性は高くなるものの、樹脂溶液の縁部７１１に対する親和性が低下し、樹脂フィルムＡの密着力が低下するおそれがある。一方、水の接触角が前記上限値を上回ると、縁部７１１の親油性は高くなるものの、例えばカップリング剤の加水分解性基の縁部７１１に対する結合性が低下し、やはり樹脂フィルムＡの密着力が低下するおそれがある。

【0145】

なお、縁部７１１の水の接触角は、ＪＩＳ Ｒ ３２５７（１９９９）の静滴法に準拠し、２５℃の温度に設定した方法で測定された値である。

【0146】

［２］フィルム形成工程
次に、図３（ｃ）に示すように、キャリア基板７の上面７１（主面）に対して樹脂溶液Ａ０を塗布する。これにより、塗布膜を形成する。なお、図３（ｃ）では、キャリア基板７の上面７１全体を覆うように塗布膜を形成しているが、塗布膜の形成領域はこれに限定されず、縁部７１１の一部を含む上面７１を部分的に覆うように形成してもよい。

【0147】

樹脂溶液Ａ０を塗布する方法としては、例えば、ダイコート法、インクジェット法、スピンコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法等の各種液相成膜法が用いられる。

【0148】

また、樹脂溶液Ａ０の調製に用いられる溶媒としては、トルエン、キシレン、ベンゼン、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、エチルセロソルブ、酢酸エチル、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、メチル−１，３−ブチレングリコールアセテート、１，３−ブチレングリコール−３−モノメチルエーテル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メチル−３−メトキシプロピオネート等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。この場合、樹脂成分の濃度は、０．５〜２５質量％程度であるのが好ましく、１〜２０質量％程度であるのがより好ましい。

【0149】

次に、塗布膜を乾燥、硬化させ、樹脂フィルムＡを得る。これにより、積層体８を得る（図４（ｄ）参照）。

【0150】

塗布膜を硬化させる際の加熱温度は、樹脂溶液Ａ０の組成に応じて適宜設定されるが、例えば２２０〜４２０℃程度であるのが好ましく、２８０〜４００℃程度であるのがより好ましく、３３０〜３７０℃程度であるのがさらに好ましい。

【0151】

また、塗布膜を硬化させる際の加熱時間は、加熱温度に応じて適宜設定されるが、例えば５〜３００分程度であるのが好ましく、３０〜２４０分程度であるのがより好ましい。

【0152】

なお、前述した表面処理工程やフィルム形成工程は、必要に応じて行うようにすればよい。例えば、積層体８が市販されているような場合には、その積層体８を後述する素子形成工程で使用するようにしてもよい。その場合には、表面処理工程やフィルム形成工程を省略することができる。

【0153】

また、縁部７１１の幅は、縁部７１１に対する樹脂フィルムＡの密着力に応じて適宜設定される。例えば、有機ＥＬ表示装置１の製造プロセスにおいて積層体８に加えられる外力の大きさを考慮し、その外力が加わっても縁部７１１から樹脂フィルムＡが剥離しない程度の密着力となるように、縁部７１１の幅が設定されていればよい。縁部７１１の幅は、キャリア基板７の大きさによっても異なるが、一例として２〜５０ｍｍ程度に設定される。縁部７１１の幅が前記下限値を下回ると、単位面積当たりの密着強度の大きさによっては、縁部７１１であっても樹脂フィルムＡが剥離し易くなるおそれがある。一方、縁部７１１の幅が前記上限値を上回ると、後述する切断工程において除去する積層体８の部分の割合が大きくなり、廃棄物の量が増えるおそれがある。

【0154】

なお、前述した無機コーティング７２の形成等の表面処理が施された領域の密着力については、例えばＡＳＴＭ Ｄ３３５９−Ｂ等に規定されているテープ付着試験に準拠した方法で評価することができる。

【0155】

具体的には、まず、積層体８の上面（樹脂フィルムＡの上面）の縁部７１１に対応する部分に切り込みを入れる。この切り込みは、樹脂フィルムＡを貫通し、キャリア基板７に達するように形成する。また、この切り込みは、刃のピッチが１ｍｍの多重刃を有するカット治具を用いて形成する。

【0156】

次に、積層体８の上面の切り込みを入れた部分に粘着テープ（例えば、ニチバン（株）製セロテープ（登録商標））を貼り付ける。その後、粘着テープを積層体８に十分に押さえ付ける。

【0157】

次に、粘着テープの一端を把持し、積層体８の上面（貼り付け面）に対して角度の４５°で引っ張って、粘着テープを積層体８から引き剥がす。

【0158】

次に、積層体８の上面（剥離面）を観察し、樹脂フィルムＡが剥離した面積を以下の評価基準に当てはめることにより、縁部７１１に対する樹脂フィルムＡの密着力を評価する。

【0159】

（密着力の評価基準）
５Ｂ：剥がれなし（剥離した面積が０％である）。
４Ｂ：剥離した面積が５％未満である。
３Ｂ：剥離した面積が５％以上１５％未満である。
２Ｂ：剥離した面積が１５％以上３５％未満である。
１Ｂ：剥離した面積が３５％以上６５％未満である。
０Ｂ：剥離した面積が６５％以上である。

【0160】

このような評価方法によれば、キャリア基板７に対する樹脂フィルムＡの密着力を定量的に評価することができる。

【0161】

例えば、縁部７１１に対する樹脂フィルムＡの密着力は、上記の２Ｂ〜５Ｂの評価に相当しているのが好ましく、４Ｂまたは５Ｂの評価に相当しているのがより好ましい。密着力がこのような評価に相当する場合、縁部７１１の面積が小さい場合であっても、製造プロセス中にキャリア基板７から樹脂フィルムＡが剥離してしまうのを防止することができる。

【0162】

一方、中央部７１２に対する樹脂フィルムＡの密着力は、縁部７１１に対する樹脂フィルムＡの密着力よりも小さければ特に限定されない。中央部７１２に対する樹脂フィルムＡの密着力と縁部７１１に対する樹脂フィルムＡの密着力との差は、上記評価試験で剥離した面積に基づいて、５％以上であるのが好ましく、１０〜５０％程度であるのがより好ましい。これにより、何らのきっかけもなくキャリア基板７から樹脂フィルムＡが剥離してしまうのを防止しつつ、最終的にキャリア基板７から樹脂フィルムＡを比較的容易に剥離することができる。

【0163】

［３］素子形成工程
［３−１］次に、図４（ｅ）に示すように、樹脂フィルムＡ上（樹脂フィルムＡのキャリア基板７とは反対側）に画素回路１０（素子）を形成する。

【0164】

具体的には、まず、樹脂フィルムＡ上に、導電膜を形成した後、この導電膜をパターニングすることで、ゲート電極２００を形成する。

【0165】

樹脂フィルムＡ上への導電膜の形成は、例えば、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステン等の金属材料をスパッタ法等の各種気相成膜法によって供給することにより行うことができる。

【0166】

次いで、各ゲート電極２００を覆うように、ゲート絶縁層２０１を形成する。
このゲート絶縁層２０１は、例えば、酸化シリコンまたは窒化シリコン等を主材料として構成される。かかるゲート絶縁層２０１は、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスおよび窒素ガス等を原料ガスとして用い、プラズマＣＶＤ法等を行うことで、形成することができる。

【0167】

次いで、各ゲート絶縁層２０１上に、導電膜を形成した後、この導電膜をパターニングすることで、ソース電極２０２およびドレイン電極２０４を形成する。

【0168】

ゲート絶縁層２０１上への導電膜の形成は、ゲート電極２００を形成するのと同様の方法を用いて行うことができる。

【0169】

次いで、各ソース電極２０２と各ドレイン電極２０４との間のチャネル領域に対応して半導体層２０３を形成する。

【0170】

この半導体層２０３は、例えば、前述した半導体材料の構成元素の一部である半金属元素および／または金属元素を含有する金属ターゲットを用い、酸素および／または窒素含有雰囲気下においてスパッタ法を行う方法、もしくはその他の各種気相成膜法、または各種液相成膜法により形成することができる。
以上のようにして薄膜トランジスターＢが形成される。

【0171】

次に、樹脂フィルムＡおよびこの樹脂フィルムＡ上に形成された薄膜トランジスターＢを覆うように、平坦化層３０１を形成する。

【0172】

次いで、平坦化層３０１を厚さ方向に貫通するようにコンタクトホールを形成し、その後、コンタクトホール内に導電部３００を形成する。

【0173】

平坦化層３０１上に、各導電部３００にそれぞれ対応するように、陽極（個別電極）３０２を形成する。

【0174】

次いで、各陽極３０２を覆うように、それぞれ正孔輸送層３０３を形成する。
次いで、各正孔輸送層３０３を覆うように、それぞれ発光層３０４を形成する。

【0175】

次いで、各発光層３０４を覆うように、それぞれ電子輸送層３０５を形成する。
次いで、各電子輸送層３０５を覆うように、それぞれ陰極３０６を形成する。

【0176】

なお、これらの各層は、例えば、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等の気相成膜法や、インクジェット法、スピンコート法、キャスティング法等の液相成膜法を用いて形成することができる。

【0177】

以上のようにして発光素子Ｃが形成されるとともに、薄膜トランジスターＢおよび発光素子Ｃで構成される画素回路１０が形成される。

【0178】

［３−２］次に、図４（ｆ）に示すように、画素回路１０を覆うように封止層４００を形成する。

【0179】

［４］切断工程
次に、積層体８の縁部７１１に対応する部分を除去するように（切り落とすように）、積層体８を厚さ方向に切断する（図５（ｇ）参照）。すなわち、縁部７１１に対応するキャリア基板７、樹脂フィルムＡおよび封止層４００をそれぞれ除去するように、積層体８を厚さ方向に切断する。

【0180】

この切断は、例えば、ダイサー等による機械的な方法、レーザー加工法、電子線加工法、ウォータージェット加工法等により行うことができる。図５（ｇ）では、一例として、ダイヤモンドカッター９による切断方法を図示している。

【0181】

本実施形態に係る縁部７１１は、図６に示すように、長方形の枠状をなしている。したがって、本工程では、積層体８の枠状をなす縁部７１１に対応する部分を除去する。

【0182】

このような切断により、積層体８から、平面視で長方形の枠状の部分（除去部分８１）が除去される。その結果、その除去部分８１の内側に位置し、平面視形状が長方形をなす中央部７１２に対応する積層体８の部分（残存部分８２）が残ることとなる。

【0183】

この残存部分８２では、除去部分８１に比べて相対的に小さい密着力で、キャリア基板７に樹脂フィルムＡが密着している。

【0184】

［５］剥離工程
最後に、残存部分８２において、キャリア基板７から樹脂フィルムＡを剥離する。これにより、有機ＥＬ表示装置１が得られる。

【0185】

前述したように、残存部分８２では、除去部分８１に比べて、キャリア基板７に樹脂フィルムＡが相対的に小さい密着力で密着している。このため、残存部分８２でのキャリア基板７から樹脂フィルムＡを剥離する作業は、比較的容易に行うことができる。例えば、残存部分８２に、人の手で軽く力を加えたり、ガスを吹き付けたり、振動を加えたり、残存部分８２を湾曲させたりする作業が、剥離のきっかけが生じる。このきっかけが生じた後は、キャリア基板７から樹脂フィルムＡを容易に剥離することができる。

【0186】

また、剥離が容易であれば、剥離する際に樹脂フィルムＡに加わる負荷が軽減される。このため、本発明によれば、樹脂フィルムＡに加わった負荷が、樹脂フィルムＡ上に形成される画素回路１０にも悪影響を及ぼすことを抑制し、これにより、画素回路１０の特性が劣化するのを低減することができる。

【0187】

さらに、樹脂フィルムＡに加わる負荷を低減することによって、樹脂フィルムＡの光学特性が低下することも抑制することができる。これにより、樹脂フィルムＡの透光性の低下が抑制され、有機ＥＬ表示装置１の表示の明度やコントラストの低下を抑制することができる。

【0188】

なお、この剥離工程では、上述したようにキャリア基板７から樹脂フィルムＡを比較的容易に剥離させることができる。このため、キャリア基板７から樹脂フィルムＡの剥離に際して、レーザーの照射等を用いた剥離プロセスを省略したり、照射されるエネルギーの低減を図ったりすることができる。このため、レーザー照射による不具合、例えば樹脂フィルムＡや画素回路１０の発熱による変質、劣化等を防止することができる。その結果、より信頼性の高い有機ＥＬ表示装置１を製造することができる。

【0189】

≪第２実施形態≫
次に、本発明の素子積層フィルムの製造方法の第２実施形態を含む有機ＥＬ表示装置１の製造方法について説明する。

【0190】

図７は、図１に示す有機ＥＬ表示装置を製造する他の方法（本発明の素子積層フィルムの製造方法の第２実施形態）を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図７中の上側を「上」、下側を「下」という。

【0191】

以下、第２実施形態について説明するが、以下の説明では、第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。

【0192】

第２実施形態に係る素子積層フィルムの製造方法を含む有機ＥＬ表示装置１の製造方法は、切断工程における切断位置が異なる以外、第１実施形態に係る素子積層フィルムの製造方法を含む有機ＥＬ表示装置１の製造方法と同様である。

【0193】

すなわち、本製造方法に係る切断工程では、キャリア基板７の上面７１の縁部７１１（第１部分）に設けられた無機コーティング７２に対応する積層体８の部分の全部を除去するように、積層体８を厚さ方向に切断するのではなく、図７（ａ）に示すように、無機コーティング７２に対応する積層体８の一部のみを除去するように、積層体８を厚さ方向に切断する。これにより、積層体８の無機コーティング７２に対応する部分の一部が除去されずに残存する。その結果、残存部分８２のうち、無機コーティング７２が設けられていない部分では、キャリア基板７に対する樹脂フィルムＡの密着力が相対的に小さくなっている。一方、残存部分８２のうち、無機コーティング７２が残存している部分には、無機コーティング７２の作用により、キャリア基板７に対する樹脂フィルムＡの密着力が相対的に大きくなっている。

【0194】

よって、本実施形態では、切断工程において除去する無機コーティング７２に対応する積層体８の部分の面積を適宜調整することにより、換言すれば、切断工程において残存させる無機コーティング７２に対応する積層体８の部分の面積を適宜調整することにより、残存部分８２におけるキャリア基板７に対する樹脂フィルムＡの剥離容易性を自在に制御することができる。したがって、例えば、中央部７１２におけるキャリア基板７に対する樹脂フィルムＡの密着力が小さ過ぎる場合には、切断作業中にキャリア基板７から樹脂フィルムＡが剥離してしまうおそれもある。このため、この剥離を防止し得る程度の密着力が確保されるように、所定の面積の無機コーティング７２に対応する積層体８の部分を残存させればよい。

【0195】

なお、残存部分８２側に残存させる無機コーティング７２の面積は、残存部分８２において必要なキャリア基板７に対する樹脂フィルムＡの密着力や、無機コーティング７２に対する樹脂フィルムＡの単位面積当たりの密着強度に応じて適宜設定され、限定されるものではない。一例として、無機コーティング７２の全面積の５０％以下が残存部分８２側に残るように積層体８を切断するのが好ましく、１〜４０％程度が残るように積層体８を切断するのがより好ましく、３〜３０％程度が残るように積層体８を切断するのがさらに好ましい。これにより、切断作業中に残存部分８２においてキャリア基板７から樹脂フィルムＡが剥離するのを抑制するとともに、切断作業の終了後には簡単なきっかけを与えることによって、キャリア基板７から樹脂フィルムＡを容易に剥離することができる。

【0196】

その後、剥離工程において、キャリア基板７から樹脂フィルムＡを剥離させることにより、図７（ｃ）に示す有機ＥＬ表示装置１が得られる。この際、残存させる無機コーティング７２の面積を調整することにより、剥離作業に伴って樹脂フィルムＡに加わる負荷を最小限に留め、樹脂フィルムＡや画素回路１０に加わる悪影響を最小限に留めることができる。

【0197】

なお、残存させる無機コーティング７２の面積が小さい場合、無機コーティング７２からの樹脂フィルムＡの剥離作業に、レーザー照射を利用してもよい。残存させる無機コーティング７２の面積を小さくすることで、レーザー照射による樹脂フィルムＡや画素回路１０に加わる悪影響を最小限に留めることができる。

【0198】

このレーザー照射に用いるレーザー光としては、パルス発振型または連続発光型のエキシマレーザー、炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザーおよびＹＶＯ_４レーザー等が挙げられる。

【0199】

また、図７（ｃ）では、無機コーティング７２が樹脂フィルムＡに付着した状態を図示しているが、無機コーティング７２はキャリア基板７上に残存していてもよい。
また、無機コーティング７２の成膜領域（第１部分）を適宜設定することにより、無機コーティング７２が有機ＥＬ表示装置１の光学的特性に悪影響を及ぼすのを防止することができる。

【0200】

以上のような本発明の素子積層フィルムの製造方法の第２実施形態を含む有機ＥＬ表示装置１の製造方法においても、前述した第１実施形態を含む有機ＥＬ表示装置１の製造方法と同様の効果を奏する。

【0201】

以上、本発明の素子積層フィルムの製造方法、素子積層フィルムおよび表示装置について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、素子積層フィルムの製造方法には、任意の目的の工程が追加されていてもよい。

【実施例】

【0202】

次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．評価用テストピースの作製
（サンプルＮｏ．１）
［樹脂組成物の調製］
＜１＞溶液を得るため、機械式攪拌機と、窒素注入口および排出口を備える２５０ｍｌ三首丸底フラスコに、ＰＦＭＢ（３．２０２４ｇ、０．０１ｍｏｌ）およびＤＭＡｃ（３０ｍｌ）を加えた。

【0203】

＜２＞ＰＦＭＢが溶液中に完全に溶解した後、ＰｒＯ（１．７ｇ、０．０３ｍｏｌ）を溶液に添加した。その後、溶液を０℃まで冷却した。

【0204】

＜３＞撹拌中に、ＴＰＣ（０．２０３ｇ、０．００１ｍｏｌ）およびＩＰＣ（１．８２７ｇ、０．００９０ｍｏｌ）を溶液に添加し、その後、フラスコ壁をＤＭＡｃ（１．５ｍｌ）で洗浄した。

【0205】

＜４＞２時間後、ベンゾイルクロライド（０．０３２ｇ、０．２３ｍｍｏｌ）を溶液に添加し、さらに２時間撹拌した。

【0206】

［表面処理］
次に、ソーダガラス製のキャリア基板（直径１２５ｍｍ）を用意し、一方の面に対してカップリング剤処理を施した。なお、カップリング剤には、３−アミノプロピルトリメトキシシランのイソプロピルアルコール溶液（濃度１質量％）を用いた。

【0207】

［樹脂フィルムの作製］
調製した樹脂組成物を用いて、キャリア基板上に樹脂フィルムを形成した。

【0208】

すなわち、まず、樹脂組成物を平坦なキャリア基板上にスピンコート法により塗布した。

【0209】

次に、樹脂組成物を、１００℃で１分間乾燥したのち、不活性雰囲気下において３５０℃で３０分間維持することにより、フィルムを硬化処理した。これにより、キャリア基板上に樹脂フィルムを形成してなる評価用テストピースを得た。
なお、得られた樹脂フィルムの平均厚さは１０μｍであった。

【0210】

（サンプルＮｏ．２）
［樹脂組成物の調製］
＜１＞溶液を得るため、機械式攪拌機と、窒素注入口および排出口を備える２５０ｍｌ三首丸底フラスコに、ＰＦＭＢ（３．０４１ｇ、０．００９５ｍｏｌ）、ＤＡＢ（０．０７６１ｇ、０．０００５ｍｏｌ）およびＤＭＡｃ（３０ｍｌ）を加えた。

【0211】

＜２＞ＰＦＭＢが溶液中に完全に溶解した後、ＰｒＯ（１．７ｇ、０．０３ｍｏｌ）を溶液に添加した。その後、溶液を０℃まで冷却した。

【0212】

＜３＞撹拌中に、ＴＰＣ（０．２０３ｇ、０．００１ｍｏｌ）およびＩＰＣ（１．８２７ｇ、０．００９０ｍｏｌ）を溶液に添加し、その後、フラスコ壁をＤＭＡｃ（１．５ｍｌ）で洗浄した。

【0213】

＜４＞２時間後、ベンゾイルクロライド（０．０３２ｇ、０．２３ｍｍｏｌ）を溶液に添加し、さらに２時間撹拌した。

【0214】

次に、サンプルＮｏ．１と同様にして表面処理を施すとともに樹脂フィルムを形成し、評価用テストピースを得た。

【0215】

（サンプルＮｏ．３）
カップリング剤を３−アミノプロピルトリエトキシシランに変更した以外は、サンプルＮｏ．１と同様にして評価用テストピースを得た。

【0216】

（サンプルＮｏ．４）
カップリング剤をＮ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシランに変更した以外は、サンプルＮｏ．１と同様にして評価用テストピースを得た。

【0217】

（サンプルＮｏ．５）
カップリング剤処理に代えて、酸化ケイ素の蒸着による無機コーティング処理を行った以外は、サンプルＮｏ．１と同様にして評価用テストピースを得た。

【0218】

（サンプルＮｏ．６）
キャリア基板として無機アルカリガラス製の基板を用いるようにした以外は、サンプルＮｏ．１と同様にして評価用テストピースを得た。

【0219】

（サンプルＮｏ．７）
キャリア基板として無機アルカリガラス製の基板を用いるようにした以外は、サンプルＮｏ．５と同様にして評価用テストピースを得た。

【0220】

（サンプルＮｏ．８）
表面処理を省略した以外は、サンプルＮｏ．１と同様にして評価用テストピースを得た。

【0221】

（サンプルＮｏ．９）
表面処理を省略した以外は、サンプルＮｏ．６と同様にして評価用テストピースを得た。

【0222】

２．評価用テストピースの評価
各サンプルＮｏ．の評価用テストピースを、以下の方法で評価した。

【0223】

２．１ 全光線透過率
ヘイズメーター（ＮＤＨ−２０００、日本電色社製）を用い、各評価用テストピースのＤ線（ナトリウム線）における全光線透過率を測定した。

【0224】

その結果、各サンプルＮｏ．の評価用テストピースは、いずれも、全光線透過率が６０％以上であり、良好であった。

【0225】

２．２ 密着性
各評価用テストピースを、ＡＳＴＭ Ｄ３３５９−Ｂに規定されているテープ付着試験に準拠した方法での試験に供し、キャリア基板に対する樹脂フィルムの密着性を評価した。

【0226】

その結果、表面処理が施された評価用テストピースでは、密着力の評価が４Ｂまたは５Ｂであり、密着性が良好であった。

【0227】

一方、表面処理が省略された評価用テストピースでは、密着力の評価が０Ｂまたは１Ｂであり、密着性が低かった。

【0228】

以上の結果から、本発明によれば、キャリア基板の板面（主面）の少なくとも一部の密着力を部分的に大きくすることにより、例えば表示装置の製造プロセス中におけるキャリア基板からの樹脂フィルムの剥離を抑制することができる。また、その後、密着力が大きい部分を除去することによって、キャリア基板から樹脂フィルムを簡単に剥離することができるようになる。

【0229】

なお、ポリアミド系樹脂に代えて、ポリイミド系樹脂を用いて、前述した各サンプルＮｏ．と同様にして評価用テストピースを作製した。

【0230】

このテストピースを評価したところ、ポリアミド系樹脂の場合と同様、表面処理によって密着力の増強が図られることが認められた。

【産業上の利用可能性】

【0231】

本発明の素子積層フィルムの製造方法は、第１部分と第２部分とを含む主面を有する基板と、前記第１部分に対する前記フィルムの密着力が前記第２部分に対する前記フィルムの密着力よりも大きくなるように、前記主面に密着して設けられたフィルムと、を備えるフィルム付き基板を用意する工程と、前記フィルムの前記基板とは反対側に素子を形成する工程と、前記フィルム付き基板の前記第１部分に対応する部分の少なくとも一部を除去するように前記フィルム付き基板を厚さ方向に切断する工程と、前記基板と前記フィルムとを分離して、素子積層フィルムを得る工程と、を有している。これにより、特殊な装置を用いることなく、素子積層フィルムを効率よく製造することができる。

【符号の説明】

【0232】

１ 有機ＥＬ表示装置
７ キャリア基板
８ 積層体
９ ダイヤモンドカッター
１０ 画素回路
５０ アクティブマトリクス装置
５１ データライン
５２ 選択ライン
５３ データ駆動回路
５４ 行選択回路
５５ 信号処理回路
７１ 上面
７２ 無機コーティング
８１ 除去部分
８２ 残存部分
２００ ゲート電極
２０１ ゲート絶縁層
２０２ ソース電極
２０３ 半導体層
２０４ ドレイン電極
３００ 導電部
３０１ 平坦化層
３０２ 陽極
３０３ 正孔輸送層
３０４ 発光層
３０５ 電子輸送層
３０６ 陰極
４００ 封止層
７１１ 縁部
７１２ 中央部
Ａ 樹脂フィルム
Ａ０ 樹脂溶液
Ｂ 薄膜トランジスター
Ｃ 発光素子

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】