特許 6139196 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6139196

(24)【登録日】2017年5月12日

(45)【発行日】2017年5月31日

(54)【発明の名称】有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05B 33/04 20060101AFI20170522BHJP

   H01L 51/50 20060101ALI20170522BHJP

   H05B 33/26 20060101ALI20170522BHJP

   H05B 33/22 20060101ALI20170522BHJP

   H05B 33/12 20060101ALI20170522BHJP

   H05B 33/10 20060101ALI20170522BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20170522BHJP

【ＦＩ】

   H05B33/04

   H05B33/14 A

   H05B33/26 Z

   H05B33/22 Z

   H05B33/12 B

   H05B33/10

   G09F9/30 365

【請求項の数】11

【全頁数】21

(21)【出願番号】特願2013-53469(P2013-53469)

(22)【出願日】2013年3月15日

(65)【公開番号】特開2014-179278(P2014-179278A)

(43)【公開日】2014年9月25日

【審査請求日】2015年12月18日

(73)【特許権者】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110000154

【氏名又は名称】特許業務法人はるか国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】神谷 哲仙

【審査官】 岩井 好子

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００７−２５０３７０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００７−１５７６０６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００８−１０８６２８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００１−２８４０４１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１０−２３１９７９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００８−０９８１４８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 米国特許第０６０９９７４６（ＵＳ，Ａ）

【文献】 米国特許出願公開第２００１／００５４８６７（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 特開２０１３−２４７０２１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特表２０１１−５０８３７４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０５Ｂ ３３／０４

Ｇ０９Ｆ ９／３０

Ｈ０１Ｌ ２７／３２

Ｈ０１Ｌ ５１／５０

Ｈ０５Ｂ ３３／１０

Ｈ０５Ｂ ３３／１２

Ｈ０５Ｂ ３３／２２

Ｈ０５Ｂ ３３／２６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、
前記基板上に形成され、それぞれが有機発光素子を持つ複数の画素と、
前記複数の画素を覆う封止膜と、を有し、
前記封止膜は、
第１バリア層と、
前記第１バリア層の上面を覆う下地層と、
前記下地層の上面を局所的に覆う有機層と、
前記下地層及び前記有機層の上面を覆う第２バリア層と、を備え、
前記中間層は、前記下地層上面の段差を被覆し、
前記第１バリア層及び前記第２バリア層は、それぞれ、シリコン窒化膜又はシリコン酸窒化膜を有し、
前記下地層は、シリコン酸化膜又はアモルファスシリコン膜を有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置。

【請求項2】

前記有機層は、前記下地層に対する親和性が前記第１バリア層に対する親和性よりも高い請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。

【請求項3】

前記第１バリア層又は前記第２バリア層よりも、前記下地層の方が薄い請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。

【請求項4】

前記複数の画素それぞれの前記有機発光素子は、
陽極と、
前記陽極上に形成された発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス層と、
前記有機エレクトロルミネッセンス層上に形成された陰極と、を有し、
前記陽極の周囲を覆い前記陽極の上面の一部を露出させる画素分離絶縁膜が配置され、
前記画素分離絶縁膜によって前記有機層は分離されるように配置される請求項３に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。

【請求項5】

前記陽極に対する前記画素分離絶縁膜の接触角は、前記下地層に対する前記有機層の接触角よりも大きい請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。

【請求項6】

前記有機発光素子は前記基板から離れる方向に光を発光する請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。

【請求項7】

薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタによって制御される画素電極と、
前記画素電極上に配置され、発光層を含む有機エレクトロルミネッセンス層と、
前記有機層上に配置された対向電極と、
を備える画素を基板上に形成した表示装置であって、
前記画素は、封止膜によって覆われ、
前記画素上の前記封止膜は、
第１バリア層と下地層と第２バリア層とがこの順で積層し、前記下地層と前記第２バリア層が接する第１領域と、
前記第１バリア層と前記下地層と有機層と前記第２バリア層とがこの順で積層した第２の領域と、
を有し、
前記第１バリア層及び前記第２バリア層は、それぞれ、シリコン窒化膜又はシリコン酸窒化膜を有し、
前記下地層は、シリコン酸化膜又はアモルファスシリコン膜を有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置。

【請求項8】

前記第１領域には前記有機層が配置されていない請求項７の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。

【請求項9】

前記画素電極の端部が画素分離膜によって覆われ、
前記第１領域は前記画素分離膜と重なり、
前記第２領域は前記画素の発光領域と重なる請求項８の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。

【請求項10】

前記画素電極に対する前記画素分離膜の接触角は、前記下地層に対する前記有機層の接触角よりも大きい請求項９の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。

【請求項11】

前記画素は前記基板から離れる方向に光を発光する請求項７に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

薄型で軽量な発光源として、有機エレクトロルミネッセンス発光（organic electro luminescent）素子が注目を集めており、多数の有機エレクトロルミネッセンス発光素子を備える画像表示装置が開発されている。有機エレクトロルミネッセンス発光素子は、発光層を有する有機層が、陽極と陰極とで挟まれた構造を有する。

【0003】

特許文献１においては、このような有機エレクトロルミネッセンス表示装置として、有機層の上面が封止膜によって覆われた構成が開示されている。この封止膜は、平坦化材であるデカップリング層と、水分の侵入を防ぐバリア層とが積層してなる。また、デカップリング層の外縁もバリア層によって覆われている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特許４３０３５９１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかし、特許文献１の構成によれば、デカップリング層の上面を覆うバリア層に、傷などが生じることにより、そこからデカップリング層に水分が浸透するおそれがある。また、デカップリング層の上面に凹凸があると、バリア層を形成する工程において、凹凸の周囲におけるバリア層の成膜が妨げられる。このため、凹凸の周囲からデカップリング層に水分が浸透するおそれがある。

【0006】

封止膜は複数の画素にわたって共通して形成されている。このため、デカップリング層に水分が浸透することにより、複数の画素にわたって水分が拡散する。そして、水分が拡散したデカップリング層は膨張してバリア層から剥離するため、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の輝度の低下や、強度の低下などの問題が生じる。このため、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の高輝度化及び信頼性の向上を実現することは困難であった。

【0007】

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の高輝度化及び信頼性の向上を実現することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

（１）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、基板と、前記基板上に形成された複数の画素と、前記複数の画素を覆う封止膜と、を有し、前記封止膜は、第１バリア層と、前記第１バリア層の上面を覆う下地層と、前記下地層の上面に局所的に形成された中間層と、前記下地層の上面及び前記中間層の上面を覆う第２バリア層と、を備え、前記中間層は、前記下地層上面の段差を被覆するように形成されている、ことを特徴とする。

【0009】

（２）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（１）において、複数の前記画素内に形成された前記中間層が、隣接する前記画素間において互いに分離されていてもよい。

【0010】

（３）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（１）または（２）において、前記中間層が有機物からなっていてもよい。

【0011】

（４）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（１）または（２）において、前記第１バリア層がＳｉからなっていてもよい。

【0012】

（５）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（１）または（２）において、前記第２バリア層がＳｉからなっていてもよい。

【0013】

（６）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタによって制御される画素電極と、前記画素電極上に配置された有機層と、前記有機層上に配置された対向電極と、を備える画素を基板上に形成した表示装置であって、前記画素は、封止膜によって覆われ、前記画素上の前記封止膜は、第１バリア層と下地層と第２バリア層とを積層した第１領域と、前記第１バリア層と前記下地層と中間層と前記第２バリア層とを積層した第２の領域と、を有することを特徴とする。

【0014】

（７）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（６）において、前前記画素電極の端部が画素分離膜によって覆われ、前記第１領域は前記画素の発光領域と重なり、前記第２領域の一部は前記画素分離膜上に重なることを特徴する。

【0015】

（８）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（６）において、前記画素電極の端部が前記画素分離膜によって覆われ、前記発光領域における前記中間層の前記下地膜との接触角が、前記画素分離膜の前記画素電極に対する接触角よりも小さくてもよい。

【0016】

（９）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、複数の有機エレクトロルミネッセンス発光素子を基板上に画素毎に形成する工程と、複数の前記画素にわたって前記有機エレクトロルミネッセンス発光素子上を覆うように封止膜を形成する工程と、を有し、前記封止膜を形成する工程が、第１バリア層を形成する工程と、前記第１バリア層の上面を覆う下地層を形成する工程と、前記下地層の上面に、中間層を局所的に形成する工程と、前記下地層の上面及び前記中間層の上面を覆う、第２バリア層を形成する工程と、を備え、前記下地層の材料と前記中間層の材料との親和性が、前記第１バリア層と前記中間層の材料との親和性よりも高く、前記中間層を形成する工程において、前記下地層の上面の局所的に突出した部分と前記下地層の上面との段差を被覆する、ことを特徴とする。

【0017】

（１０）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、（９）において、前記中間層を形成する工程において、前記中間層を、隣接する前記画素において互いに分離するように形成してもよい。

【0018】

（１１）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、（９）または（１０）において、有機物からなる前記中間層を形成してもよい。

【0019】

（１２）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、（９）または（１０）において、前記第１バリア層がＳｉからなっていてもよい。

【0020】

（１３）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、（９）または（１０）において、前記第２バリア層がＳｉからなっていてもよい。

【発明の効果】

【0021】

上記（１）乃至（８）のいずれかによれば、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べて、中間層への水分の拡散が防がれ、中間層が剥がれる領域の拡大を防ぐことができる。また、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の高輝度化及び信頼性の向上を実現することができる。

【0022】

上記（９）乃至（１３）のいずれかによれば、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法と比べて、水分の拡散による中間の剥がれを防止可能な有機エレクトロルミネッセンス表示装置を形成することができるため、歩留まりが向上する。また、高輝度化で、かつ、信頼性の高い有機エレクトロルミネッセンス表示装置が得られる。

【図面の簡単な説明】

【0023】

【図1】図１は本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の概略平面図である。

【図2】図２は図１に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置のＩＩ−ＩＩ切断線における概略断面図である。

【図3】図３は図２に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置のＩＩＩ領域の部分拡大図である。

【図4】図４は図１に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置のＩＶ領域の部分拡大図である。

【図5】図５は図４に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置のＶ−Ｖ切断線における概略断面図である。

【図6】図６は本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を説明するための、Ｖ−Ｖ切断線に対応する概略断面図である。

【図7】図７は本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を説明するための、Ｖ−Ｖ切断線に対応する概略断面図である。

【図8】図８は本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を説明するための、Ｖ−Ｖ切断線に対応する概略断面図である。

【図9】図９は本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を説明するためのフロー図である。

【図10】図１０は本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の画素部の平面図である。

【図11】図１１は図１０に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置のＶＩ−ＶＩ切断線に対応する概略断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0024】

以下、本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１について、図面に基づいて説明する。なお、以下の説明において参照する図面は、特徴をわかりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などは実際と同じであるとは限らない。また、以下の説明において例示される材料等は一例であって、各構成要素はそれらと異なっていてもよく、その要旨を変更しない範囲で変更して実施することが可能である。

【0025】

図１は本発明の本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の概略平面図であり、図２は図１に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１のＩＩ−ＩＩ切断線における概略断面図である。

【0026】

本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、基板１０と、回路層１２と、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０と、封止膜４０と、対向基板５０と、を有している。

【0027】

基板１０は、絶縁性の基板であって、その上面に後述する薄膜トランジスタ１１及び有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０が形成される部材である。基板１０の上面１０ａには、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０が設けられている。なお、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０は基板１０の上面１０ａに複数設けられているが、説明の便宜上、図２においては詳細な図示を省略する。

【0028】

有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０は、例えば平面視で基板１０よりも小さい外周を有する表示領域Ｄに設けられており、その外側の領域には、例えば図２に示すように、図示しない充填剤を堰止めるための堰ＤＭが配置されている。基板１０上の、表示領域Ｄに対応する領域には、図示しない制御信号線や、データ信号線や、電源線等の配線が設けられている。また、表示領域Ｄには、多数の画素が規則的に、例えばマトリクス状に配置されている。

【0029】

基板１０の上面１０ａのうち、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０が形成されていない領域１０ａ_１には、フレキシブル回路基板２が接続され、さらに、ドライバ３が設けられている。ドライバ３は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の外部からフレキシブル回路基板２を介して画像データを供給されるドライバである。ドライバ３は画像データを供給されることにより、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０に、図示しないデータ線を介して各画素に印加する電圧信号を供給する。

【0030】

次に、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の表示領域Ｄの構成について、その詳細を説明する。図３は図２に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１のＩＩＩ領域の部分拡大図である。このＩＩＩ領域は、表示領域Ｄにおける１つの画素Ｐに対応する領域である。ＩＩＩ領域の基板１０上には、回路層１２と、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０と、封止膜４０と、充填剤４５と、対向基板５０とが積層されている。

【0031】

回路層１２は、各画素Ｐに流れる電流の量を制御するための電気回路が規則的に配置される層である。回路層１２は例えば、薄膜トランジスタ１１と、パッシベーション膜１３を有している。

【0032】

薄膜トランジスタ１１は、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０を駆動するためのトランジスタであり、基板１０上に画素Ｐごとに設けられている。薄膜トランジスタ１１は、具体的には例えば、ポリシリコン半導体層１１ａ、ゲート絶縁層１１ｂ、ゲーゲート電極１１ｃ、ソース・ドレイン電極１１ｄ、第１の絶縁膜１１ｅ及び第２の絶縁膜１１ｆから構成されている。

【0033】

パッシベーション膜１３は、薄膜トランジスタ１１上を覆うように形成されている。パッシベーション膜１３が薄膜トランジスタ１１上に形成されていることにより、隣接する薄膜トランジスタ１１間や、薄膜トランジスタ１１と有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０の間が電気的に絶縁される。パッシベーション膜１３には、薄膜トランジスタ１１を有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０に接続するコンタクトホール３２ａが画素Ｐ毎に形成されている。パッシベーション膜１３は、例えばＳｉＯ_２やＳｉＮ、アクリル、ポリイミド等の絶縁性を有する材料からなる。パッシベーション膜１３の材料として、アクリルやポリイミド等の有機系のポリマー樹脂を用いることにより、パッシベーション膜１３の上面を平坦化でき、有機エレクトロルミネッセンス発光素子の形成が容易になる。

【0034】

なお、回路層１２の構成は、上記の構成に限られず、適宜の絶縁層と、走査信号線、映像信号線、電源線及び接地線等を有してもよい。

【0035】

パッシベーション膜１３上の各画素Ｐに対応する領域には、反射膜３１がマトリクス状に形成されていてもよい。反射膜３１は、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０から発出した光を封止膜４０側へ向けて反射するために設けられている。反射膜３１は、光反射率が高いほど好ましく、例えばアルミニウムや銀（Ａｇ）等からなる金属膜を用いることができる。

【0036】

パッシベーション膜１３上には、例えば複数の有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０が形成されている。有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０は、薄膜トランジスタによって制御される画素電極（陽極）３２と、画素電極３２上に配置される、少なくとも発光層を有する有機層３３と、有機層３３上を覆うように形成された対向電極（陰極）３４と、を有することにより、発光源として機能する。本実施形態においては画素電極３２を陽極とし、対向電極３４を陰極として説明するが、画素電極３２を陰極とし対向電極を陽極としてもよい。

【0037】

陽極３２は、各画素Ｐに対応してマトリクス状に形成されている。また、陽極３２はコンタクトホール３２ａを介して薄膜トランジスタ１１のドレイン電極に接続している。このような構成を有することにより、陽極３２は駆動用の薄膜トランジスタ１１に電気的に接続され、薄膜トランジスタ１１から供給される駆動電流は、陽極３２を介して有機層３３に注入される。

【0038】

陽極３２は透光性及び導電性を有する材料からなる。陽極３２の材料は、具体的には例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）であることが好ましいが、ＩＺＯ（インジウム亜鉛複合酸化物）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化アルミニウム複合酸化物等の透光性及び導電性を有する材料であってもよい。特に、陽極３２は、後述する有機層３３のホール注入層と接触するため、その材料は仕事関数が大きいほど好ましい。

【0039】

なお、反射膜３１が銀等の金属からなり、かつ、陽極３２に接触するものであれば、反射膜３１は陽極３２の一部となる。

【0040】

隣接する各陽極３２同士の間には、画素分離膜１４が形成されている。画素分離膜１４は、隣接する陽極３２同士の接触と、陽極３２と陰極３４の間の漏れ電流を防止する機能を有する。画素分離膜１４は、例えば、平面視で隣接する画素Ｐ同士の境界に沿って形成されており、これにより、陽極３２の外周端部を覆っている。画素分離膜１４の開口部では、陽極３２と有機層３３とが接触している。画素分離膜１４は絶縁性を有する材料からなり、具体的には例えば、感光性の樹脂組成物からなる。

【0041】

発光層を有する有機層３３は、陽極３２上を覆うように形成されている。有機層３３は光を発する機能を有しており、その発光は、白色でも、その他の色であってもよい。有機層３３は、画素Ｐ毎に形成されていてもよく、また、表示領域Ｄの画素Ｐの配置されている領域全面を覆うように形成されていてもよい。

【0042】

有機層３３は、例えば、陽極３２側から順に、図示しないホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が積層されてなる。なお、有機層３３の積層構造はここに挙げたものに限られず、少なくとも発光層を含むものであれば、その積層構造は特定されない。

【0043】

発光層は、例えば、正孔と電子とが再結合することによって発光する有機エレクトロルミネッセンス物質から構成されている。このような有機エレクトロルミネッセンス物質としては例えば、一般に有機発光材料として用いられているものを用いてよく、具体的には例えば、クマリン系、ペリレン系、ピラン系、アンスロン系、ポルフィレン系、キナクリドン系、Ｎ，Ｎ’―ジアルキル置換キナクリドン系、ナフタルイミド系、Ｎ，Ｎ’―ジアリール置換ピロロピロール系等、一重項状態から発光可能な公知の蛍光性低分子材料や、希土類金属錯体系の三重項状態から発光可能な公知の燐光性低分子材料を用いることができる。

【0044】

陰極３４は、有機層３３上を覆うように形成されている。陰極３４は、画素Ｐ毎に独立しておらず、表示領域Ｄの画素Ｐの配置されている領域全面を覆うように形成される。このような構成を有することにより、陰極３４は複数の有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０の有機層３３に共通に接触する。

【0045】

陰極３４は透光性及び導電性を有する材料からなる。陰極３４の材料は、具体的には例えば、ＩＴＯであることが好ましいが、ＩＴＯやＩＺＯ等の導電性金属酸化物に銀やマグネシウム等の金属を混入したもの、あるいは銀やマグネシウム等の金属薄膜と導電性金属酸化物を積層したものであってもよい。

【0046】

有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０上である陰極３４の上面３４ａは、複数の画素Ｐにわたって封止膜４０により覆われている。封止膜４０は、有機層３３をはじめとする各層への酸素や水分の侵入を防止することにより保護する透明の膜である。本実施形態における封止膜４０は、第１バリア層４０ａと、下地層４０ｂと、中間層４０ｃと、第２バリア層４０ｄとを有している。

【0047】

第１バリア層４０ａは、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０への酸素や水分の侵入を防止する機能を有する。第１バリア層４０ａの材料はＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯなどが挙げられるが、水分や酸素に対するバリア性を有するものであればこれらに限定されない。なお、第１バリア層４０ａは表示領域Ｄ内の画素Ｐの配置されている領域の全面を覆うように形成されている。

【0048】

第１バリア層４０ａの上面４０ａ_１は、下地層４０ｂによって覆われている。下地層４０ｂは、中間層４０ｃの材料に対する親和性を有する。下地層４０ｂは、第１バリア層４０ａ上の全面を覆うように形成されている。また、下地層４０ｂの材料としては、例えばａ-Ｓｉ（アモルファスシリコン）、ＳｉＯ_２、ＳｉＯを用いることができるが、中間層４０ｃの材料に対する親液性を有するのであれば、その材料はここに挙げたものに限定されない。

【0049】

中間層４０ｃは、下地層４０ｂの上面４０ｂ_１に局所的に形成されている。中間層４０ｃは、下地層４０ｂの上面４０ｂ_１の局所的に突出した部分を被覆する機能を有する。以下、中間層４０ｃの構成についてその詳細を説明する。

【0050】

第２バリア層４０ｄは、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０への酸素や水分の侵入を防止する機能を有する。第２バリア層４０ｄの材料としてはＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯなどが挙げられるが、水分や酸素へのバリア性を有するものであればこれらに限定されない。また第２バリア層４０ｄは表示領域Ｄ内の画素Ｐの配置されている領域の全面を覆うように形成されている。

【0051】

図４は図１に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１のＩＶ領域の部分拡大図であり、図５は図４に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１のＶ−Ｖ切断線における概略断面図である。図４、５は、画素Ｐの領域内の対向電極である陰極３４上に付着したダストなどの異物４１ａが、封止膜４０によって覆われた状態を示す断面図である。また、図５は、異物４１ａがバリア層４０ａと下地層４０ｂに覆われたときに、局所的に突出した部分４１が形成された構成の例である。なお、説明の便宜上、図４においては、後述する対向基板５０と充填剤４５と第２バリア層４０ｄの記載を省略している。

【0052】

突出した部分４１とは、第１バリア層４０ａと下地層４０ｂの製造の工程において生じる、下地層４０ｂの上面４０ｂ_１における凹凸のうち、製造の工程による誤差の範囲を超えた高さを有する凸部をいう。具体的には例えば、製造の工程により生じた気泡による凸部や、陰極３４上や第１バリア層４０ａ上や下地層４０ｂ上に付着したダストなどの異物４１ａにより生じた凸部が挙げられる。

【0053】

本実施形態においては、異物４１ａが陰極３４上に付着した際の、本発明の作用について説明する。特に、突出した部分４１を有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置１を例として説明する。本実施形態の例における部分４１は、異物４１ａと、第１バリア層４０ａのうち異物４１ａを覆う部分である第１バリア層被覆部４０ａ_２と、下地層４０ｂのうち第１バリア層被覆部４０ａ_２を覆う部分である下地層被覆部４０ｂ_２と、から構成されている。

【0054】

部分４１と下地膜４０ｂの上面４０ｂ_１との段差Ｓは、中間層４０ｃによって被覆されている。中間層４０ｃのうち、段差Ｓを被覆する部分を、第１被覆部４０ｃ_２とする。なお、段差Ｓとは、部分４１のうち、最も基板１０に近い箇所である下部４１ｃと、最も基板１０に遠い箇所である上部４１ｄとの段差をいう。段差Ｓの高さを高さｄ_１とする。

【0055】

第１被覆部４０ｃ_２は、部分４１のうち、少なくとも上部４１ｄを被覆している。本実施形態における第１被覆部４０ｃ_２は例えば、部分４１の表面全体と、下部４１ｃから一定の範囲内の下地層４０ｂの上面４０ｂ_１を被覆している。

【0056】

また、中間層４０ｃから露出する下地層４０ｂの上面４０ｂ_１から、第１被覆部４０ｃ_２の上面４０ｃ_１までの高さを高さｄ_２とすると、段差Ｓが第１被覆部４０ｃ_２に被覆されることにより、高さｄ_１よりも高さｄ_２の方が低くなる。すなわち、下地層４０ｂの上面４０ｂ_１と突出した部分４１とが成す面の平坦性よりも、中間層４０ｃ（第１被覆部４０ｃ_２）の上面４０ｃ_１と中間層４０ｃから露出する上面４０ｂ_１とが成す面の平坦性の方が高くなる。即ち、中間層４０ｃは、中間層４０ｃより下層の凹凸を平坦化させる作用を備える。このように中間層４０ｃが形成された結果として、中間層４０ｃの上に形成される膜は平坦化され、下層の段差や凹凸による断裂を防止できる。

【0057】

また、中間層４０ｃは、段差Ｓを被覆する他に、例えば、下地層４０ｂの上面４０ｂ_１のうち、角部４２を被覆するように形成されていてもよい。角部４２とは、画素Ｐ内の下地層４０ｂの上面４０ｂ_１と、画素分離膜１４上の下地層４０ｂの上面４０ｂ_１との境界を示す。角部４２を被覆する中間層４０ｃを第２被覆部４０ｃ_３とすると、第２被覆部４０ｃ_３は、上面４０ｂ_１において、画素分離膜１４の内周に沿うように形成される。

【0058】

また、複数の画素Ｐ内に形成された中間層４０ｃは、隣接する画素Ｐ同士の間において互いに分離されていることが好ましい。具体的には例えば、画素Ｐ内の下地層４０ｂの上面４０ｂ_１に、中間層４０ｃの第１被覆部４０ｃ_２や、中間層４０ｃの第２被覆部４０ｃ_３や、その他、島状の中間層４０ｃが形成され、これらは隣接する画素Ｐ内に形成された他の中間層４０ｃから分離される。

【0059】

このため、発光領域において、上面４０ｂ_１上に形成された個々の中間層４０ｃの下地層の上面４０ｂ_１に対する接触角αは、９０°よりも小さくなる。なお、本実施形態における「発光領域」とは、陽極３２と有機層３３が接触する領域のうち、画素分離膜１４から露出する領域をいう。さらに、接触角αは、画素分離膜１４の陽極３２への接触角βよりも小さくなる。このように接触角αが接触角βよりも小さくなることにより、第２バリア膜が画素分離膜１４と陽極３２によって構成される段差が緩やかになる。なお、中間層４０ｃは、少なくとも段差Ｓを被覆していればよく、その他のどの箇所に形成されていてもよい。

【0060】

中間層４０ｃは絶縁体からなる。このような中間層４０ｃの材料としては有機物が好ましく、具体的にはアクリルを用いることができる。また、中間層４０ｃの材料はアクリルに限られず、その材料と下地層４０ｂの材料との親和性が、中間層４０ｃの材料と後述する第２バリア層４０ｄの材料との親和性よりも高いものであれば、その材料は制限されない。中間層４０ｃ、下地層４０ｂ及び第２バリア層４０ｄが、このような条件を満たす材料からなることにより、下地層４０ｂの表面エネルギーは、第２バリア層４０ｄの表面エネルギーよりも小さくなる。

【0061】

第２バリア層４０ｄは、中間層４０ｃなど、第２バリア層４０ｄよりも基板１０側の各層への酸素や水分の侵入を防止する機能を有する。第２バリア層４０ｄはＳｉＮからなり、下地層４０ｂの上面４０ｂ_１及び中間層４０ｃの上面４０ｃ_１を覆うように形成されている。

【0062】

封止膜４０の上面は、例えば充填剤４５を介して対向基板５０によって覆われている。対向基板５０は例えば平面視で基板１０よりも小さい外周を有するガラス基板であり、基板１０と対向するように配置されている。このような対向基板５０としては具体的には例えば、カラーフィルタ基板を用いることができる。

【0063】

本発明における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、少なくとも下地層４０ｂの上面４０ｂ_１に突出した部分４１と下地層４０ｂの上面４０ｂ_１との段差Ｓが第１被覆部４０ｃ_２によって被覆されている。このため、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、下地層４０ｂの上面４０ｂ_１と突出した部分４１とが成す面の平坦性よりも、中間層４０ｃ（第１被覆部４０ｃ_２）の上面４０ｃ_１と中間層４０ｃから露出する上面４０ｂ_１とが成す面の平坦性を高めることができる。

【0064】

また、中間層４０ｃが局所的に形成されていることにより、中間層４０ｃの一部に水分が浸透しても、その水分の拡散は、水分の侵入箇所の中間層４０ｃが形成された局所的な領域内に収まる。このため、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べて、中間層４０ｃを介しての水分の拡散が防がれる。よって、中間層４０ｃが剥がれる領域の拡大を防ぐことができる。これにより、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の高輝度化及び信頼性の向上を実現することができる。

【0065】

また、中間層４０ｃの第２被覆部４０ｃ_３が角部４２を被覆することにより、画素Ｐ内における下地膜４０ｂの上面４０ｂ_１と、画素分離膜１４上における下地層４０ｂの上面４０ｂ_１との段差がなだらかになる。このため、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、第２バリア層４０ｄが画素Ｐ内外にわたって均等に被覆される。これにより、中間層４０ｃへの水分の侵入を防ぐことができ、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の信頼性向上を実現することができる。

【0066】

また、複数の画素Ｐ内に形成された中間層４０ｃが、隣接する画素Ｐ同士の間において互いに分離されていることにより、一部の中間層４０ｃに水分が侵入しても、侵入箇所に隣接する画素Ｐまでは水分が拡散しない。このため、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べて、隣接する画素Ｐまでにわたって水分が拡散することを防ぐことができる。

【0067】

また、中間層４０ｃの材料として有機物を用いるとともに、下地層４０ｂの材料として有機物との親和性を有する材料を用いることにより、下地膜４０ｂの上面４０ｂ_１の平坦な部分よりも、部分４１と下地膜４０ｂの上面４０ｂ_１との段差Ｓや、陽極３２と画素分離膜１４との境界に対応する角部４２や、その他、凹凸がある部分から優先的に中間層４０ｃが形成される。このため、中間層４０ｃを段差Ｓなどの段差のある部分に局所的に形成し、画素Ｐ内の平坦な部分や画素分離膜１４上の平坦な部分には中間層４０ｃを形成しないように、その形成箇所を制御することができる。

【0068】

次いで、本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の製造方法について図面を用いて説明する。図６は本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を説明するための、Ｖ−Ｖ切断線に対応する概略断面図であり、封止膜４０形成前の構成である。

【0069】

本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の製造方法は、基板１０上に回路層１２と、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０と、封止膜４０と、対向基板５０とを形成する工程を有する。

【0070】

初めに絶縁性の基板１０を用意する。次いで、基板１０の表示領域Ｄ上に、例えば、ポリシリコン半導体層１１ａ、ゲート絶縁層１１ｂ、ゲーゲート電極１１ｃ、ソース・ドレイン電極１１ｄ、第１の絶縁膜１１ｅ及び第２の絶縁膜１１ｆを積層することにより薄膜トランジスタ１１を形成する。次いで、薄膜トランジスタ１１を覆うように絶縁性を有する材料からなるパッシベーション膜１３を形成することにより、回路層１２が形成される。

【0071】

次いで、薄膜トランジスタ１１に接続するコンタクトホール３２ａをパッシベーション膜１３および第２の絶縁膜１１ｆに形成する。この後、金属膜からなる反射膜３１をパッシベーション膜１３上の各画素Ｐに対応する領域に形成する。

【0072】

次いで、複数の有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０を、基板１０上に回路層１２を介して画素Ｐ毎に形成する。有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０を形成する工程は、陽極３２を形成する工程と、少なくとも発光層を有する有機層３３を形成する工程と、陰極３４を形成する工程と、を有する。

【0073】

まず、例えばスパッタ法により、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透光性及び導電性を有する材料からなる陽極３２を、パッシベーション膜１３上（反射膜３１上）の各画素Ｐに対応する領域に形成する。これにより、陽極３２は、コンタクトホール３２ａを介して、薄膜トランジスタ１１に電気的に接続される。なお、金属からなる反射膜３１の上面に接するように陽極３２を形成した場合、反射膜３１は陽極３２の一部となる。

【0074】

次いで、隣接する画素Ｐ同士の間の一部の領域に、フォトリソグラフィー法により、感光性の絶縁材料からなる画素分離膜１４を形成する。まず、表示領域Ｄの一面を覆うように画素分離膜１４を成膜し、その後、画素電極である陽極３２の端部が露出しないように、各画素Ｐの陽極３２の上面を露出するように開口を形成する。これにより、陽極３２の外周を覆う、バンク状の画素分離膜１４が形成される。

【0075】

次いで、陽極３２上に、発光層を有する有機層３３を形成する。有機層３３は、例えば、陽極３２側から順に、図示しないホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を順に積層することにより形成される。有機層３３を形成する方法は、真空蒸着法、ノズルプリンティング法、スピンコート法、スリットコート法、インクジェット法、凸版印刷法等、公知の方法であってよい。

【0076】

次いで、有機層３３上を覆うように、例えばスパッタ法により、ＩＴＯ等の透光性及び導電性を有する材料からなる陰極３４を、表示領域Ｄの画素Ｐの配置されている領域全面を覆うように形成する。これにより、複数の画素Ｐに配置された有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０の有機層３３に共通に接触する陰極３４が形成される。

【0077】

図７は本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の製造方法を説明するための、Ｖ−Ｖ切断線に対応する概略断面図である。本実施形態においては、異物４１ａが、画素Ｐ内の陰極３４の上面３４ａに付着した構成を例として、封止膜４０を形成する工程を説明する。

【0078】

封止膜４０を形成する工程は、第１バリア層４０ａを、複数の画素Ｐにわたって有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０上を覆うように形成する工程と、下地層４０ｂを第１バリア層４０ａの上面４０ａ_１を覆うように形成する工程と、中間層４０ｃを下地層４０ｂの上面４０ｂ_１に局所的に形成する工程と、を有する。以下に、画素Ｐの配置されている領域への封止膜４０の形成工程を図９のフローに沿って説明するが、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０が形成されていない周辺領域１０ａ_１にも同時に封止膜４０を形成してもよい。

【0079】

まず、表示領域Ｄの画素Ｐの配置されている領域の全面を覆うように、第１バリア層４０ａを例えばプラズマＣＶＤ法により形成する。第１バリア層４０ａを形成する方法はプラズマＣＶＤ法に限られず、スパッタリング、蒸着、昇華、ＣＶＤ（化学蒸着法）、ＥＣＲ−ＰＥＣＶＤ（電子サイクロトロン共鳴−プラズマ増強化学蒸着法）及びそれらの組合せなど、任意の方法を選択してよい。第１バリア層４０ａはＳｉＮを材料として形成することが望ましい。第１バリア層４０ａとしてＳｉＮ膜を形成することにより、ＳｉＯ_２膜よりも緻密な膜を形成することができる。このため、ＳｉＯ_２膜からなるバリア層よりも外部からの水分の進入を防ぐことができる。

【0080】

これにより、複数の画素Ｐにわたって、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０上である陰極３４の上面３４ａと、異物４１ａとが第１バリア層４０ａによって覆われる。なお、第１バリア層４０ａのうち、異物４１ａを覆う部分を第１バリア層被覆部４０ａ_２とする。

【0081】

なお、異物４１ａと陰極３４の上面３４ａとの接触する部分を接触面４１ｂとすると、第１バリア層４０ａの材料を蒸着する際に、接触面４１ｂの周囲の上面３４ａへの材料の蒸着が異物４１ａによって遮られる。このため、図７に示すように、接触面４１ｂの周囲の上面３４ａを覆う第１バリア層４０ａの厚さは、その外側の第１バリア層４０ａの厚さよりも薄くなる。

【0082】

次いで、第１バリア層４０ａの上面４０ａ_１を覆うように、例えばアモルファスシリコンからなる下地層４０ｂをプラズマＣＶＤ法により形成する。下地層４０ｂを形成する方法はプラズマＣＶＤ法に限られず、スパッタリング、蒸着、昇華、ＣＶＤ（化学蒸着法）、ＥＣＲ−ＰＥＣＶＤ（電子サイクロトロン共鳴−プラズマ増強化学蒸着法）及びそれらの組合せなど、任意の方法を選択してよい。また、下地層４０ｂの材料はアモルファスシリコンに限られず、例えば、ＳｉＯ_２，ＳｉＯでもよく、中間層４０ｃの材料に対して親液性を有するものであれば、その他の材料であってもよい。

【0083】

これにより、第１バリア層４０ａの上面４０ａ_１と、第１バリア層被覆部４０ａ_２が下地層４０ｂによって覆われる。そして、異物４１ａと、第１バリア層被覆部４０ａ_２と、下地層４０ｂのうち第１バリア層被覆部４０ａ_２を覆う部分である下地層被覆部４０ｂ_２と、から構成される、突出した部分４１が形成される。

【0084】

なお、下地層４０ｂの材料を蒸着する際に、接触面４１ｂの周囲の上面４０ａ_１への材料の蒸着は、異物４１ａ及び第１バリア層被覆部４０ａ_２によって遮られる。このため、接触面４１ｂの周囲の下地層４０ｂの厚さは、その外側の下地層４０ｂの厚さよりも薄くなる。

【0085】

なお、突出した部分４１は、上記の構成に限られず、第１バリア層４０ａと下地層４０ｂの製造の工程において生じる、下地層４０ｂの上面４０ｂ_１における凹凸のうち、製造の工程による誤差の範囲を超えた高さを有する凸部であればよい。例えば、製造の工程により生じた、気泡による凸部や、第１バリア層４０ａ上や下地層４０ｂ上に付着したダストなどの異物４１ａにより生じた凸部が挙げられる。

【0086】

図８は本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の製造方法を説明するための、Ｖ−Ｖ切断線に対応する概略断面図である。次いで、下地層４０ｂの上面４０ｂ_１に、絶縁体からなる中間層４０ｃを局所的に形成する。この中間層４０ｃの形成工程においては、中間層４０ｃを下地層４０ｂの全面に渡って覆わずに、中間層４０ｃが段差Ｓや、角部４２に形成された時点で成膜を停止する。

【0087】

中間層４０ｃの材料としては有機物が好ましく、具体的にはアクリルを用いることが特に好ましい。なお、中間層４０ｃの材料はアクリルに限られず、その材料と下地層４０ｂの材料との親和性が、中間層４０ｃの材料と後述する第２バリア層４０ｄの材料との親和性よりも高いものであれば、その種類は制限されない。また、この材料は、中間層４０ｃの形成時に、優先的に段差Ｓや、角部４２に付着する材料であることが望ましい。

【0088】

このような条件を満たす材料からなる中間層４０ｃを形成することにより、中間層４０ｃは、少なくとも、部分４１と下地層４０ｂの上面４０ｂ_１との段差Ｓを被覆するように形成される。中間層４０ｃのうち、段差Ｓを被覆する部分を、第１被覆部４０ｃ_２とする。

【0089】

中間層４０ｃを形成することにより、部分４１のうち、少なくとも上部４１ｄが第１被覆部４０ｃ_２により被覆される。本実施形態における第１被覆部４０ｃ_２は例えば、部分４１の表面全体と、部分４１の周囲の下地層４０ｂの上面４０ｂ_１を被覆する。

【0090】

また、中間層４０ｃから露出する下地層４０ｂの上面４０ｂ_１から、第１被覆部４０ｃ_２の上面４０ｃ_１までの高さを高さｄ_２とすると、段差Ｓを第１被覆部４０ｃ_２により被覆することで、高さｄ_１よりも高さｄ_２の方が低くなる。すなわち、下地層４０ｂの上面４０ｂ_１と突出した部分４１とが成す面よりも、中間層４０ｃ（第１被覆部４０ｃ_２）の上面４０ｃ_１と中間層４０ｃから露出する上面４０ｂ_１とで成す面の方が、平坦になる。

【0091】

また、中間層４０ｃは、段差Ｓを被覆する他に、例えば、下地層４０ｂの上面４０ｂ_１のうち、角部４２を被覆するように形成されてもよい。角部４２とは、画素Ｐ内の下地層４０ｂの上面４０ｂ_１と、画素分離膜１４上の下地層４０ｂの上面４０ｂ_１との境界を示す。角部４２を被覆する中間層４０ｃを第２被覆部４０ｃ_３とすると、第２被覆部４０ｃ_３は、上面４０ｂ_１において、画素分離膜１４の開口の内周に沿うように形成される。

【0092】

このように、突出した部分４１を、中間層４０ｃの第２被覆部４０ｃ_３で被覆することにより、下地層４０ｂの上面４０ｂ_１と突出した部分４１とが成す面よりも、中間層４０ｃの上面４０ｃ_１と中間層４０ｃから露出する上面４０ｂ_１とで成す面の方が平坦となる。

【0093】

また、中間層４０ｃは、隣接する画素Ｐ同士の間において互いに分離されることが好ましい。具体的には例えば、画素Ｐ内の下地層４０ｂの上面４０ｂ_１に、第１被覆部４０ｃ_２や、第２被覆部４０ｃ_３や、その他、島状の中間層４０ｃが形成され、これらは隣接する画素Ｐ内に形成された他の中間層４０ｃから分離される。

【0094】

また、上面４０ｂ_１上に形成された個々の中間層４０ｃの上面４０ｂ_１に対する接触角αは、９０°よりも小さくなる。なお、中間層４０ｃは少なくとも段差Ｓを被覆していればよく、その他のどの箇所に形成されていてもよい。

【0095】

次いで、下地層４０ｂの上面４０ｂ_１及び中間層４０ｃの上面４０ｃ_１を覆うように、第２バリア層４０ｄを、例えばプラズマＣＶＤ法により形成する。第２バリア層４０ｄを形成する方法はプラズマＣＶＤ法に限られず、任意の方法を選択してよい。第２バリア層４０ｄも、第１バリア層４０ａと同様に、ＳｉＮで形成されることが望ましい。ＳｉＮ膜はＳｉＯ_２膜よりも緻密な膜に形成でき、外部からの水分の進入を防ぐことができる。以上により、封止膜４０が形成される。

【0096】

このように、周辺領域１０ａ_１に封止膜４０を形成することにより、周辺領域１０ａ_１に形成された図示しない配線を保護することができる。また、基板１０の全面に封止膜４０を形成する場合は、封止膜４０を形成した後、ドライバ３との接続端子及びフレキシブル回路基板２との接続端子上の封止膜４０を除去することにより、封止膜４０が除去された領域に接続端子を形成することができる。

【0097】

次いで、封止膜４０上に充填剤４５を介して対向基板５０を配置することにより、図５に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１が形成される。本実施形態においては、画素Ｐ内の下地層４０ｂの上面４０ｂ_１に突出した部分４１が形成された構成を例として説明したが、本来であれば、画素Ｐ内に突出した部分４１は異物によるものであり、無いことが望ましい。異物の付着がない場合は、中間層４０ｃは画素Ｐ内の領域において、図３に示すように、角部４２に沿うように形成され、その上面を平坦化する。

【0098】

本発明における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の製造方法は、下地層４０ｂ上に中間層４０ｃを形成することにより、下地層４０ｂの上面４０ｂ_１に突出した部分４１と下地層４０ｂの上面４０ｂ_１との段差Ｓが第１被覆部４０ｃ_２によって被覆される。このため、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法と比べ、下地層４０ｂの上面４０ｂ_１と突出した部分４１とが成す面の平坦性よりも、中間層４０ｃ（第１被覆部４０ｃ_２）の上面４０ｃ_１と中間層４０ｃから露出する上面４０ｂ_１とが成す面の平坦性を高くすることができる。

【0099】

また、中間層４０ｃを局所的に形成することにより、中間層４０ｃの一部に水分が浸透しても、その水分の拡散は、水分の侵入箇所の中間層４０ｃが形成された局所的な領域内に収まる。このため、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法と比べて、中間層４０ｃへの水分の拡散と剥がれの防止が可能な有機エレクトロルミネッセンス表示装置１を製造することができる。これにより、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の高輝度化及び信頼性の向上を実現することができる。また、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の歩留まりを向上することができる。

【0100】

また、中間層４０ｃの第２被覆部４０ｃ_３を角部４２に沿うように形成することにより、画素分離膜１４の傾斜面における第１バリア層４０ａの上面の傾斜が成す角度βよりも、画素分離膜１４の傾斜面における第２バリア層４０ｄの上面の傾斜が成す角度αよりも緩やかになる。このため、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法と比べ、第２バリア層４０ｄが画素Ｐの内外にわたって均等に被覆され、段差による第２バリア層４０ｄの断裂が防止できる。これにより、中間層４０ｃへの水分の侵入を防ぐことができ、信頼性向上を実現可能な有機エレクトロルミネッセンス表示装置１を形成することができる。

【0101】

また、中間層４０ｃを、隣接する画素Ｐ同士の間において互いに分離して形成することにより、一部の中間層４０ｃに侵入した水分が、侵入箇所に隣接する画素Ｐまで拡散することが防がれる。このため、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法と比べて、隣接する画素Ｐまでにわたって水分が拡散することを防止可能な有機エレクトロルミネッセンス表示装置１を製造することができる。

【0102】

また、有機物からなる中間層４０ｃを形成することにより、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法と比べ、下地層４０ｂと中間層４０ｃの材料の親和性が高くなる。このため、中間層４０ｃを中間層４０ｂ上の全面に形成する必要がない。このため、中間層４０ｃを局所的に形成しやすくなり、水分の拡散をより防ぐことができる。

【0103】

図１０は本発明の一実施形態に係る表示装置である有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の画素Ｐの平面図であり、図１１は図１０のＶＩ−ＶＩ切断線に対応する概略断面図である。なお、図１１においては、説明の便宜上、パッシベーション膜１３から封止膜４０までの構成のみを示す。

【0104】

図１０及び図１１において、薄膜トランジスタ１１と、薄膜トランジスタ１１によって制御される画素電極（陽極）３２と、陽極３２上に配置された有機層３３と、有機層３３上に配置された対向電極（陰極）３４とを備える画素を基板上に形成した表示装置である点では上述の図３で説明した構成と同じであるため説明を省略する。

【0105】

画素電極３２毎に形成された画素Ｐは、共通の封止膜４０によって覆われている。画素Ｐ上の封止膜４０は、第１バリア層４０ａと下地層４０ｂと第２バリア層４０ｄとが積層された領域である第１領域ＰＡ１と、第１バリア層４０ａと下地層４０ｂと中間層４０ｃと第２バリア層４０ｄとが積層された領域である第２領域ＡＰ２とを有する。

【0106】

第１領域ＰＡ１は画素Ｐの発光領域と重なっている。第１領域ＰＡ１においては下地層４０ｂ上に第２バリア層４０ｄが直接積層されているため、本構成を有さない表示装置と比べ、第２バリア層４０ｄが下地層４０ｂに強く接着される。このため、第２バリア層４０ｄの下地層４０ｂからの剥がれを防止できる。なお、第２領域ＰＡ２は、画素Ｐの発光領域の一部から絶縁膜である画素分離膜１４に重る領域にかけて位置している。

【0107】

図１０に示すように、第１領域ＰＡ１は平面視で第２領域ＰＡ２によって囲まれており、発光領域（陽極３２と陰極３４に接触するように挟まれている有機層３３の領域）の中央部には中間層４０ｃが形成されない。このため、発光領域全体に中間層４０ｃが形成される従来の有機エレクトロルミネッセンス表示装置に比べ、発光領域における中間層４０ｃの形成される領域が少なくなる。これにより、有機層３３から出射される光の減衰を抑制でき、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の輝度の向上を実現することができる。

【0108】

本発明によれば第１バリア層４０ａ上に中間層４０ｃと親和性を有する下地層４０ｂを設けることにより、中間層４０ｃが局所的に形成される。このため、中間層４０ｃは、平坦な領域よりも、段差Ｓや角部４２に優先的に形成されるため、段差Ｓや角部４２にのみ選択的に中間層４０ｃを形成することができる。

【0109】

本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス表示装置１によれば、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べて、封止膜４０の接着性や封止性能が良好となる。このため、封止膜４０の剥がれを抑制でき、さらに、画像の視認性の及び光の取出し効率の良好な有機エレクトロルミネッセンス表示装置１を提供できる。

【実施例】

【0110】

以下に、本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置１及びその製造方法を、実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例にのみ限定されるものではない。

【0111】

（実施例１）
まず、絶縁性の基板１０上に回路層１２を形成した。次いで、陽極３２と、画素分離膜１４と、少なくとも発光層を有する有機層３３と、陰極３４と、を形成した。これにより、図６に示すように、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０が画素Ｐ毎に形成された。

【0112】

次いで、ＳｉＨ_４、ＮＨ_３、Ｎ_２ガスを材料として用いたプラズマＣＶＤ法により、５００ｎｍの膜厚のＳｉＮからなる第１バリア層４０ａを、図７に示すように有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０上（陰極３４上）に形成した。この第１バリア層４０ａの成膜における基板温度は１００℃以下とした。

【0113】

次いで、ＳｉＨ_４ガスを材料として用いたプラズマＣＶＤ法により、２ｎｍの膜厚のアモルファスシリコンからなる下地層４０ｂを、第１バリア層４０ａの上面４０ａ_１を覆うように形成した。この下地層４０ｂの成膜における基板温度は１００℃以下とした。

【0114】

次いで、下地層４０ｂの上面４０ｂ_１にアクリルを塗布した。これにより、アクリルは局所的に突出した部分４１と角部４２にのみ局所的に被覆された。その後、ＵＶ照射によってアクリルを重合させ、図８に示す中間層４０ｃを形成した。

【0115】

次いで、ＳｉＨ_４、ＮＨ_３、Ｎ_２ガスを材料として用いたプラズマＣＶＤ法により、５００ｎｍの膜厚のＳｉＮからなる第２バリア層４０ｄを、下地層４０ｂの上面４０ｂ_１及び中間層４０ｃの上面４０ｃ_１を覆うように形成した。この第２バリア層４０ｄの成膜における基板温度は１００℃以下とした。以上により封止膜４０が形成された。

【0116】

次いで、６μｍ厚のシール材ＢＭと充填剤４５を塗布した対向基板５０を封止膜４０上に貼りあわせることにより、図５に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１が形成された。

【0117】

本実施例により得られた有機エレクトロルミネッセンス表示装置１を、温度８５℃、湿度８５％の雰囲気下に晒す試験を行なったところ、封止膜４０への水分の侵入による、発光領域における未発光部分（ダークスポット）が拡大した痕跡や、封止膜４０の膜浮は観察されなかった。これにより、封止膜４０への水分の侵入箇所からの水分拡散が抑えられたことが確認された。

【0118】

（比較例１）
下地層４０ｂを形成せずに、中間層４０ｃを、第１バリア層４０ａの上面４０ａ_１を覆うように形成した。これにより中間層４０ｃは、上面４０ａ_１のうち、画素Ｐの配置されている領域全面を覆うように形成された。その後、上記実施例１と同様にして有機エレクトロルミネッセンス表示装置を形成した。

【0119】

本実施例により得られた有機エレクトロルミネッセンス表示装置１を、温度８５℃、湿度８５％の雰囲気下に晒す試験を行なったところ、封止膜４０への水分の侵入による、発光領域における未発光部分（ダークスポット）が拡大した痕跡と、封止膜４０の膜浮が観察された。これにより、封止膜４０への水分の侵入箇所からの水分拡散が生じたことが確認された。

【符号の説明】

【0120】

１ 有機エレクトロルミネッセンス表示装置、 ２ フレキシブル回路基板、 ３ 駆動ドライバ、 １０ 基板、 １１ 薄膜トランジスタ、 １２ 回路層、 １３ パッシベーション膜、 １４ 画素分離膜、 ３０ 有機エレクトロルミネッセンス発光素子、 ３２ 陽極、 ３２ａ コンタクトホール、 ３３ 有機層、 ３４ 陰極、 ４０ 封止膜、 ４０ａ 第１バリア層、 ４０ａ_１ 上面、 ４０ａ_２ 第１バリア層被覆部、 ４０ｂ 下地層、 ４０ｂ_１ 上面、 ４０ｂ_２ 下地層被覆部、 ４０ｃ 中間層、 ４０ｃ_１ 上面、 ４０ｃ_２ 第１被覆部、 ４０ｃ_３ 第２被覆部、 ４０ｄ 第２バリア層、 ４１ 部分、 ４１ａ 異物、 ４１ｂ 接触面、 ４１ｃ、４１ｄ 部分、 ４２ 角部、 ４５ 充填剤、 ５０ 対向基板、 Ｄ 表示領域、 ｄ_１、ｄ_２ 高さ、 Ｐ 画素、 Ｓ 段差、 α 接触角。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】