(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
【発明を実施するための形態】
【0012】
以下、一実施形態の減酸素装置1について図面に基づいて説明する。
【0013】
以下、実施形態1の減酸素装置1について
図1〜
図7に基づいて説明する。本実施形態の減酸素装置1は、減酸素室2、高分子電解質膜方法を利用した減酸素ユニット3、給水装置4、電源5、電圧又は電流の検出手段である検出部6、制御部7を有している。減酸素ユニット3は、断熱性を有するケース8の内部に減酸素セル10を有している。
【0014】
なお、本実施形態の減酸素装置1の使用例としては、例えば、食品の貯蔵庫、家庭用冷蔵庫の内部に減酸素室2を設け、この減酸素室2内部を減酸素する減酸素装置1として用いる。
【0015】
減酸素装置1について、
図1〜
図4に基づいて説明する。
図1は、減酸素装置1の縦断面図であり、
図2は減酸素セル10の分解斜視図、
図3は減酸素ユニット3の分解斜視図、
図4は減酸素セル10の拡大図である。なお、図面において、各部材の厚みは薄いものであるが、説明を判り易くするために、その厚みを拡大して記載している。
【0016】
上記したように減酸素ユニット3は、減酸素セル10を有している。減酸素セル10は、アノード12、カソード14、高分子電解質膜(以下、単に「電解質膜」という)16を有し、前後一対の後固定部材30と前固定部材32によって挟持して固定されている。
【0017】
アノード12が電解質膜16の後面に接合され、カソード14が電解質膜16の前面に接合されている。これにより、電解質膜16がアノード12とカソード14とに挟持されている。そして、一体となったアノード12、カソード14、電解質膜16は、額縁状の絶縁体18内部に収納されている。
【0018】
アノード集電体20が、アノード12の後面に配されている。通気口21を有するシート状のアノード集電体20は、減酸素ユニット3の正極をなしている。
【0019】
カソード集電体22が、カソード14の前面に配されている。通気口23を有するシート状のカソード集電体22は減酸素ユニット3の負極をなしている。
【0020】
アノード集電体20の後面には、板状のスペーサ24が配されている。このスペーサ24には、スリット状の開口部26が複数開口している。
【0021】
スペーサ24の後面には、給水体28が配されている。給水体28は、水の表面張力により吸い上げるためにシート状であり、例えば不織布よりなる。
【0022】
上記のようにして順番に積層された部材を、前後一対の後固定部材30と前固定部材32によって挟持して固定する。アノード側に配される後固定部材30は積層した部材を収納するための収納凹部34を有し、上部には両集電体20,22の突片が突出する溝36,36が設けられている。また、後固定部材30の中央には、気体が通過するためのスリット状の開口部38が開口している。カソード側に取り付けられる前固定部材32は板状を成し、中央部に気体が通過するためのスリット状の開口部40を有している。
図1に示すように、スリット状の開口部40に関して、前側の断面積と後側の断面積とは異なり、後にいくほど狭くなるように傾斜している。これは、カソード集電体22に空気を送り易くするためである。後固定部材30と前固定部材32とは、不図示のネジによってネジ止めされる。
【0023】
図4に示すように、電源5の正極にアノード集電体20が電気的に接続され、電源5の負極にカソード集電体22が電気的に接続されている。電源5は、電圧又は電流を減酸素セル10のアノード12とカソード14との間に印加する。また、制御部7は、検出部29を用いて減酸素セル10に印加される電圧又は電流を検出する。検出部29としては、電圧計や電流計である。
【0024】
次に、各部材について詳しく説明する。
【0025】
まず、アノード12について
図4に基づいて説明する。
【0026】
アノード12には、水蒸気を酸化する能力を有した触媒(アノード触媒)が含有されている。
【0027】
アノード触媒は基材に担持されている。アノード触媒として、例えば導電性金属酸化物とマトリックス酸化物との複合酸化物を用いることができる。
【0028】
アノード触媒を担持する基材は、メッシュ構造であり、導電性、電気化学的な安定性、アノード触媒との密着性等を考慮して選択される。
【0029】
カソード14について
図4に基づいて説明する。
【0030】
カソード14は、カソード触媒層141と、導電性の多孔質層(MPL:Micro Porous Layer)142と、ガス拡散層(GDL:Gas Diffusion Layer)143とにより構成されている。
【0031】
カソード触媒層141は、シート状に形成され、多孔質層142の一面に接合されている。ガス拡散層143は通気性ないしは通液性を有する導電性の材料からシート状に形成されている。ガス拡散層143は、導電性の多孔質層142の他面に接合されて、この多孔質層142をカソード触媒層141との間に挟んでいる。
【0032】
カソード触媒層141には、酸素を還元する能力を有した触媒(カソード触媒)が含有されている。カソード触媒層141は、カソード触媒とプロトン伝導性バインダーとで形成された多孔質層であることが好ましい。カソード触媒は、貴金属粒子と貴金属合金粒子の少なくとも一方が導電性担体に担持された形態が好ましい。前記貴金属粒子としては、白金Pt、ルテニウムRu、ロジウムRh、パラジウムPd、イリジウムIrよりなる群から選択される少なくとも一緒の貴金属からなるものが好ましい。以下では、貴金属粒子して白金を用いて説明する。
【0033】
カソード触媒層141の導電性担体は、貴金属粒子を担持する。この導電性担体は、電子伝導性、ガス拡散性、カソード触媒との密着性等を考慮して選択される。例えば、カーボンブラック、活性炭、黒鉛などを用いることができると共に、ナノカーボン材料を用いることもできる。
【0034】
ガス拡散層(GDL)143は、撥水剤により適度に撥水性が付与されたカーボンペーパーやカーボンクロス、カーボンフェルト等の通気性あるいは通液性を有する材料から形成されたシートであり、導電性を有する。
【0035】
導電性の多孔質層(MPL)142は、撥水剤とカーボン粒子からなる多孔質層である。
【0036】
電解質膜16について
図4に基づいて説明する。
【0037】
電解質膜16は、プロトン伝導性の高さからパーフルオロカーボンスルホン酸ポリマーからなる薄膜、スルホン酸基を有する有機高分子材料からなる薄膜である。電解質膜16の膜厚は、膜抵抗を考慮すれば、10μm〜150μmとすることが好ましい。より好ましい膜厚は30μm〜100μmである。
【0038】
上記で説明した減酸素ユニット3が、箱型の断熱性を有するケース8内部に収納されている。このケース8について
図1と
図3、
図5、
図6に基づいて説明する。
【0039】
ケース8は、
図3に示すように直方体状の前ケース81、後ケース82、前ケース81及び後ケース82の間に挟まれた額縁状の中ケース83とより構成されている。
図1と
図3に示すように、減酸素ユニット3のカソード側に前ケース81が配され、アノード側に後ケース82が配され、減酸素ユニット3を収納した状態で前ケース81、後ケース82、中ケース83が不図示のネジによってネジ止めされる。
【0040】
前ケース81について
図5に基づいて説明する。断熱性を有する前ケース81の後面の中央部には、
図5に示すように、正方形状のカソード室811が設けられている。また、このカソード室811の上面から前ケース81の上面に向かって溝状の上流路812が設けられ、前ケース81の上面に上通気孔813が開口している。また、カソード室811の下面から下方に向かって溝状の下流路814が設けられ、前ケース81の下面に下通気孔815が開口している。
【0041】
中ケース83について
図3に基づいて説明する。額縁状の中ケース83の中央部831には、減酸素ユニット3の前固定部材32が収納される。
【0042】
後ケース82について
図6に基づいて説明する。後ケース82の前面中央部には、減酸素ユニット3の後固定部材30が収納できる収納凹部821が設けられ、この収納凹部821から後ケース82の上面に向かって両集電体20,22の突片がそれぞれ突出する溝822,823が設けられている。収納凹部821の後面には、さらに排気凹部824が設けられ、この排気凹部824の下面は互いに近づくように傾斜面を有し、排気口825に通じている。排気口825は、後ケース82の下面に開口している。
【0043】
減酸素ユニット3を収納したケース8は、減酸素室2の後面に取り付けられる。この取り付け方法について
図1に基づいて説明する。減酸素室2の後面中央部には、収納側に向かって立方体状の収納保持部42が突出している。この収納保持部42は、後方からケース8の前ケース81が収納される。そのため、前ケース81の上面及び下面に開口している上通気孔813と下通気孔815に対応する位置に上孔44と下孔46が開口している。ケース8が、減酸素室2の後面から突出した状態となっているため、この突出部分を覆うようにカバー48を被せる。このカバー48は、合成樹脂製であって、ケース8の後ケース82を全て覆う形状に形成されている。なお、このカバー270には、両集電体20,22が突出するための集電体開口部50,50が設けられている。また、後ケース82の排気口825と通じた排気口52が開口している。
【0044】
次に、給水装置4について、
図1と
図7に基づいて説明する。
【0045】
給水装置4は、給水本体402を有し、この給水本体402は、横長の直方体の箱体である。給水本体402は、その内部において区画壁404によって上下に区画され、上部が浄水区画406、下部が吸い上げ区画408を構成している。給水本体402の左端部上面、すなわち浄水区画406の上面には、給水パイプ318から水が供給される。
【0046】
区画壁404は、
図7に示すように給水パイプ318が接続されている部分から下方に向かって傾斜し、右端部において吸い上げ区画408に通じる給水孔410が形成されている。浄水区画406内部には、イオン交換樹脂よりなる浄水部412が設けられている。この浄水部412を設けることにより、供給された水の水質による影響を取り除くことができ、減酸素ユニット3の劣化を防止できる。
【0047】
吸い上げ区画408は、給水孔410から供給された水を溜めるための貯水部414を有している。また、吸い上げ区画408の左端部には排水パイプ154が設けられている。この排水パイプ420と貯水部414との間には、仕切り壁416が設けられている。給水孔410から給水された水は、貯水部414に溜まる。この貯水部414は中央が凹み、上記で説明した減酸素ユニット3の給水体28の下部が浸され、給水体28はこの溜まった水を吸い上げる。貯水部414の水の量が多くなり仕切り壁416を超えると、排水パイプ420から排水される。なお、横長の直方体である給水本体402において、吸い上げ区画408は、浄水区画406よりも前方に突出し、この吸い上げ区画408の前方に突出した天井面から給水体28が突出している。
【0048】
制御部7は、減酸素室2の減酸素を行う減酸素モードと、減酸素セル10のカソード14側における水を除去してフラッディング現象を防止する水除去モードを行う。
【0049】
まず、制御部7が、減酸素モードが実行する動作状態について説明する。
【0050】
給水装置4から給水体28を通じて水がアノード12に供給される。この場合に、給水体28とアノード12との間にはスペーサ24が介されているため、給水体28から蒸発した水蒸気がスペーサ24の開口部26を経てアノード12に至る。そのため、アノード12と給水体28との間にあるスペーサによって、給水体28の液体状の水がアノード12に直接接触することがない。
【0051】
一方、減酸素室2内部の空気(酸素と窒素)は、前ケース81の下面の下通気孔815から下流路814を通じてカソード室811に流れる。ところで、アノード12とカソード14に印加する電位差は、反応開始理論の電圧においては0Vであるが、これに加えて反応を開始するためのエネルギー障壁(活性化エネルギー)を超えるために、貴金属粒子よりなるカソード触媒を用いてエネルギー障壁が低減され、さらに制御部7が電源5により直流電圧を印加することにより減酸素反応が起こる。この電圧値が約0.6Vである。なお、制御部7は、アノード12とカソード14の間の電位差は、検出部6を用いて電圧値を検出し、これに基づいて電源5の制御を行う。
【0052】
減酸素セル10の駆動に伴い、アノード12の表面で水(H
2O)が電気分解(酸化)されると共に、カソード14の表面で液体状の水が生成される。すなわち、アノード12での水の電気分解反応により、酸素(O
2)と、プロトン(H
+)と、電子(e
−)が生成される。この反応は、下記の式(1)で表される。こうした水の酸化により生成された酸素は、後ケース82の排気口825と通じた排気口280から排出される。
【0053】
この一方で、生成されたプロトンが、アノード12から電解質膜16を通ってカソード14に移動する。これと共に、生成された電子は電源5等を含んだ外部回路を通ってカソード14に移動する。
【0054】
減酸素室2内の空気(酸素と窒素)は、前ケース81の下面の下通気孔815から経て供給されている。このため、カソード14で、減酸素室2内の酸素とカソード14に供給されたプロトン及び電子とが反応して液体状の水が生成される。この反応は、下記の式(2)で表される。このようにカソード14における酸素の還元反応で、空気中の酸素が液体状の水になることで、減酸素室2内の酸素濃度が減少する。
【0055】
アノード・・・2H
2O→O
2+4H
++4e
− ・・・(1)
カソード・・・O
2+4H
++4e
−→2H
2O ・・・(2)
次に、制御部7が、水除去モードを実行する動作状態について説明する。
【0056】
「フラッディング現象」とは、上記のような減酸素反応を行っていると、カソード14において、カソード触媒の白金(Pt)上でプロトンと空気中の酸素が反応して、カソード触媒の白金が液体状の水で覆われ、次の減酸素反応が起こらなくなる現象である。なお、減酸素装置1を冷蔵庫内部に設置した場合には、冷蔵庫内部は室温よりも冷却されているため、発生した水が液化し易くよりフラッディング現象が起こり易い。この減酸素反応が起こるアノード12とカソード14との電位差は上記したように0.6Vである。
【0057】
ところが、この減酸素反応が起こる電位差(以下、「減酸素電位差」という)より高い電位差(以下、「水除去電位差」という)、例えば1.7Vをアノード12とカソード14との間に印加すると、減酸素電位差の減酸素反応とは異なり、カソード触媒である白金表面上でプロトン同士が反応して水素ガスが発生する。すると、この水素ガスが、減酸素反応によって生成された水を白金の表面上から除去する水素発生反応が起こる。
【0058】
そこで、本実施形態では制御部7が、減酸素モードにおいて発生したカソード14の液体状の水を除去するために、減酸素電位差より高い水除去電位差をアノード12とカソード14に印加し水素を意図的に発生させ、白金表面上の水を除去し、フラッディング現象が発生するのを防止する水除去モードを実行する。
【0059】
なお、制御部7が水除去モードを行う時間は、減酸素モードを行う時間より短く、また、制御部7は減酸素モードが所定時間(2時間)を実行した後、水除去モードを1回実行してもよい。また、制御部7は減酸素モードが少なくとも2回以上(例えば、10回以上)実行した後に、水除去モードを1回実行してもよい。
【0060】
なお、制御部7が水除去モードを行う場合に、減酸素モードを少なくとも2回以上実行した場合と比べて、減酸素モードが終了した後に水除去モードを毎回実行する場合には、減酸素モードを複数回実行した後に、水除去モードを行う時間よりも短い時間で実行しても、水の除去を充分できる。
【0061】
本実施形態によれば、減酸素モードにおいて発生したカソード側の水を、水除去モードにおいて除去するため、フラッディング現象が発生せず、減酸素セル10の性能を維持できる。
【0062】
次に、実施形態2の減酸素装置1について、
図8に基づいて説明する。本実施形態と実施形態1の異なる点は、減酸素ユニット3の前ケース81における下流路814と上流路812にそれぞれ下ダンパ816と上ダンパ817を設けた点にある。この下ダンパ816と上ダンパ817は、制御部7によって開閉される。
【0063】
上記のようなフラッディング現象は、カソード14側に酸素が流入することによって発生する。そのため、本実施形態では、減酸素モードにおいては、制御部7は、下ダンパ816と上ダンパ817を開状態にして、カソード室811に酸素を含む空気が流れるようにする。また、水除去モードにおいては、制御部7は、下ダンパ816と上ダンパ817を閉状態にしてカソード室811に酸素を含む空気が流れないようにして、カソード室811から水を除去する。
【0064】
具体的には、減酸素モードから水除去モードに切り替わると、制御部7は、下ダンパ816と上ダンパ817を閉状態にする。これにより、酸素を含む空気の流入が無くなる。この状態で、制御部7は、アノード12とカソード14に通常の減酸素電位差(約0.6V)を印加する。すると、酸素の流入が無いため、カソード14の表面では酸素還元反応が起こらず水が発生しない。一方、プロトンが結合して水素発生反応が起こる。そのため、この発生した水素により、カソード触媒である白金上の水が除去され、減酸素セル10の性能が維持される。
【0065】
なお、下ダンパ816と上ダンパ817を閉じても、カソード室811内部には酸素が少し残っているため、最初は残っている酸素を反応させて消費する減酸素反応を行われ、その後に水素発生反応が起こり水が除去される。そのため、制御部7が水除去モードを予め定めた水除去動作時間(例えば、30分)以上行うようにしてもよい。
【0066】
また、この残存している酸素を消費する方法としては、水素発生反応が起こる水除去電位差より高い電圧(例えば、1.6V)を印加し、減酸素反応を促進させてもよい。この場合には、上記における水除去動作時間よりも短い時間で水除去モードの目的を達成できる。
【0067】
また、本実施形態では、水除去モードにおける水除去電位差は、減酸素電位差と同じ電位差としたが、これに代えて、制御部7が、検出部6を用いてアノード12とカソード14との間に流れる電流値が、所定の範囲に納まるような定電流制御を行いながら、減酸素電位差より高い水除去電位差を印加してもよい。
【0068】
次に、実施形態3の減酸素装置1について説明する。本実施形態と実施形態1の異なる点は、フラッディング現象を防止するための水除去モードにおける制御部7の動作状態にある。すなわち、実施形態1では、アノード12に正極の電位、カソード14に負極の電位をかけたが、本実施形態ではこの極性を反転させ、アノード12側に負極、カソード14側に正極の電位差を与えることによりフラッディング現象を防止する。
【0069】
制御部7が、アノード12とカソード14に印加する極性を反転させることにより、式(1)と式(2)に起こっている反応が、アノード12とカソード14において反対になり、カソード14上の水が消費される。これにより、フラッディング現象を解消できる。
【0070】
但し、この水除去モードを行う場合には、水除去動作時間を数秒以内にする。この理由は、カソード触媒層141、多孔質層142、ガス拡散層143にはそれぞれカーボンが含まれており、これらカーボンに一定以上電圧を印加すると、これらカーボンが燃焼する場合がある。そのため、このカーボンの燃焼を抑えるために、数秒以内の電圧を印加し、また、その電圧値は、減酸素電位差より低いことが好ましい。これにより、カソード触媒層141、多孔質層142、ガス拡散層143の損傷を防止できる。
【0071】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。