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公報発行日 2017年6月7
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【図1】本発明の気相成分分析装置の装置構成の一例を示すシステム構成図。
【図2】本発明の気相成分分析装置の装置構成の他の例を示すシステム構成図。
【図3】本発明の気相成分分析装置を用い、500〜4000kPaの圧力下に試料を多孔質触媒に接触させて生成した反応生成物のガスクロマトグラフィーによる分析例を示すクロマトグラム。
【図4】従来の気相成分分析装置を用い、70〜600kPaの圧力下に試料を多孔質触媒に接触させて生成した反応生成物のガスクロマトグラフィーによる分析例を示すクロマトグラム。
【図5】本発明の気相成分分析装置を用い、50〜580kPaの圧力下に試料を多孔質触媒に接触させて生成した反応生成物のガスクロマトグラフィーによる分析例を示すクロマトグラム。
【図6】図5に示す反応生成物について、反応圧力と生成量との関係を示すグラフ。
【図7】本発明の気相成分分析装置を用い、1000kPaの圧力下に試料を多孔質触媒に接触させて生成した反応生成物のガスクロマトグラフィーを行ったときに、(A)は気相成分混合物捕捉手段を用いなかった場合のクロマトグラム、(B)は気相成分混合物捕捉手段を用いた場合のクロマトグラム。
【図8】本発明の気相成分分析装置を用い、100kPaの圧力下に試料の発生熱分析を行ったときに、(A)は多孔質触媒に接触させなかった場合のサーモグラム、(B)は多孔質触媒に接触させた場合のサーモグラム。
【図9】本発明の気相成分分析装置を用い、800kPaの圧力下に試料の発生熱分析を行ったときに、(A)は多孔質触媒に接触させなかった場合のサーモグラム、(B)は多孔質触媒に接触させた場合のサーモグラム。
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