特許 6142212 欠陥検出方法、有機ＥＬ素子のリペア方法、および有機ＥＬ表示パネル

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6142212

(24)【登録日】2017年5月19日

(45)【発行日】2017年6月7日

(54)【発明の名称】欠陥検出方法、有機ＥＬ素子のリペア方法、および有機ＥＬ表示パネル

(51)【国際特許分類】

   H05B 33/12 20060101AFI20170529BHJP

   H01L 51/50 20060101ALI20170529BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20170529BHJP

【ＦＩ】

   H05B33/12 Z

   H05B33/14 A

   H05B33/22 A

   H05B33/22 B

   H05B33/22 C

   H05B33/22 D

   G09F9/30 365

【請求項の数】9

【全頁数】18

(21)【出願番号】特願2014-501334(P2014-501334)

(86)(22)【出願日】2013年2月22日

(86)【国際出願番号】JP2013001015

(87)【国際公開番号】WO2013186961

(87)【国際公開日】20131219

【審査請求日】2015年8月18日

(31)【優先権主張番号】特願2012-134817(P2012-134817)

(32)【優先日】2012年6月14日

(33)【優先権主張国】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】514188173

【氏名又は名称】株式会社ＪＯＬＥＤ

(74)【代理人】

【識別番号】110001900

【氏名又は名称】特許業務法人 ナカジマ知的財産綜合事務所

(72)【発明者】

【氏名】島村 隆之

(72)【発明者】

【氏名】林田 芳樹

(72)【発明者】

【氏名】塩田 昭教

(72)【発明者】

【氏名】土田 臣弥

【審査官】 池田 博一

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００６−１５４７９３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１０−２６７４２０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００８−０６６００３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００８−０９７８２８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００５−２７６６００（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００５−３１０６５９（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０５Ｂ ３３／１２

Ｈ０１Ｌ ５１／５０

Ｈ０１Ｌ ２７／３２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１電極と、第２電極と、前記第１電極および前記第２電極に挟まれた機能層および発光層と、を有する有機ＥＬ素子に対して行われる欠陥検出方法であって、
前記第１電極と前記第２電極間に前記発光層が非発光となる滅点を顕在化させるための電圧を印加することにより、前記有機ＥＬ素子が前記第１電極と前記第２電極との間に前記非発光を引き起こす要因となる欠陥部を有する場合には、前記機能層の前記欠陥部に対応する第１部分における電気抵抗を低下させる滅点顕在化工程と、
前記滅点顕在化工程の後に、前記第１電極と前記第２電極間に前記欠陥部の無い正常な有機ＥＬ素子であれば前記発光層が発光するであろう電圧である発光所要電圧を印加して、前記滅点を検出する滅点検出工程と、を有し、
前記機能層は、金属がドープされた有機材料から成り、
前記滅点顕在化工程において、前記第１部分に通電して発熱させることにより、前記第１部分に含まれる前記有機材料を蒸発させて空隙部を形成し、前記機能層の前記空隙部を囲む側壁部分に、前記蒸発した前記有機材料にドープされていた前記金属を析出させることにより電気抵抗を低下させる
ことを特徴とする欠陥検出方法。

【請求項2】

前記第１電極は陽極であり、前記第２電極は陰極であり、
前記第２電極には、前記第１電極に比べて高い電圧が印加される
ことを特徴とする請求項１に記載の欠陥検出方法。

【請求項3】

前記滅点顕在化工程において、前記第１部分の電気抵抗が、前記機能層の前記欠陥部に対応しない第２部分の電気抵抗よりも低下するまで前記電圧を印加する
ことを特徴とする請求項１に記載の欠陥検出方法。

【請求項4】

前記欠陥部は、前記機能層の下方に、突出部または凹入部または前記発光層よりも導電性が高い異物を有し、
前記第１部分は、前記突出部または前記凹入部または前記異物の上方に位置し、前記第２部分よりも膜厚が薄い領域を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の欠陥検出方法。

【請求項5】

前記機能層は、当該機能層を流れる累積電流量の増加に伴って電気抵抗が低下する材料から成る
ことを特徴とする請求項４に記載の欠陥検出方法。

【請求項6】

前記滅点顕在化工程において、前記第１部分には前記第２部分よりも大きな電流が流れることにより、前記第１部分を変質させ、前記第１部分の電気抵抗を前記第２部分の電気抵抗よりも低下させる
ことを特徴とする請求項４に記載の欠陥検出方法。

【請求項7】

前記滅点顕在化工程において、前記第１部分には前記第２部分よりも大きな電流が流れ、前記第１部分に加わる電界強度が前記第２部分に加わる電界強度よりも大きくなることにより、前記第１部分の一部を破壊または変形させ、前記第１部分に空隙部を形成させる
ことを特徴とする請求項４に記載の欠陥検出方法。

【請求項8】

欠陥検出方法により滅点として検出された有機ＥＬ素子において、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方の前記第１部分に対応する部分の電気抵抗を高める処理を行う有機ＥＬ素子のリペア方法であって、
前記欠陥検出方法は、請求項１〜７のいずれか１項に記載の欠陥検出方法である
ことを特徴とする有機ＥＬ素子のリペア方法。

【請求項9】

基板上に複数の有機ＥＬ素子が形成されて成る有機ＥＬ表示パネルであって、
前記複数の有機ＥＬ素子はそれぞれ、発光層と、前記発光層の上に積層され、金属がドープされた有機材料から成る機能層と、前記発光層および前記機能層を間に挟む一対の電極と、を有し、
前記複数の有機ＥＬ素子のうち、少なくとも１つは、前記機能層の下方に突出部または凹入部または前記発光層よりも導電性が高い異物を有し、
前記機能層の前記突出部または前記凹入部または前記異物の上方に位置する第１部分の少なくとも一部が欠損して空隙部が形成されており、前記空隙部の周囲には前記金属が析出している
ことを特徴とする有機ＥＬ表示パネル。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示パネルにおける有機ＥＬ素子の欠陥検出方法に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、表示装置として基板上に有機ＥＬ素子を配設した有機ＥＬ表示パネルが普及しつつある。有機ＥＬ表示パネルは、自己発光を行う有機ＥＬ素子を利用するため視認性が高く、さらに完全固体素子であるため耐衝撃性に優れるなどの特徴を有する。

【0003】

有機ＥＬ素子は電流駆動型の発光素子であり、陽極及び陰極の電極対の間に、キャリア（正孔、電子）の再結合による電界発光現象を行う発光層等の複数の有機ＥＬ機能層を積層して構成される。

【0004】

有機ＥＬ表示パネルの製造過程において、ゴミ等の微小な異物が付着したり、レジストの不具合により電極や有機ＥＬ機能層の表面に局所的な凹凸が生じたりする場合がある。すると、その上に形成された有機ＥＬ機能層に局所的に膜厚が不均一な領域が生じたり、場合によっては局所的に有機ＥＬ機能層が形成されない領域が生じたりする。このような領域が形成されると、陽極と陰極との間にショートが発生して発光層が非発光となる、所謂滅点欠陥が生じる原因となる。

【0005】

このような滅点欠陥のなかには、ショートが発生したり発生しなかったりするものや、最初は正常に発光しているが、時間の経過とともに滅点欠陥となるものもある。出荷後に滅点欠陥が発生するとユーザが不利益を被ることとなるため、出荷前にこのような潜在的な滅点欠陥を検出してリペアを施す方法が様々に講じられている。

【0006】

例えば、特許文献１には、有機ＥＬ素子に逆バイアス電圧を印加し、陰極のＡｌがマイグレーションを起こすことにより欠陥部にブレークダウンを発生させて定常的にショート状態とすることにより滅点を顕在化する方法が開示されている。

【0007】

また、特許文献２には、有機ＥＬ素子に逆バイアス電圧を印加すると、欠陥部に集中的に電流が流れて温度が上昇し、欠陥部が焼切れたり、気化して蒸発したり、酸化または炭化して絶縁体になったりと欠陥部に何らかの変化が起きて高抵抗化し、欠陥部に電流が流れなくなることにより欠陥部をリペアする方法が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0008】

【特許文献1】特開２００８−６６００３号公報

【特許文献2】特開２００３−５１３８４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0009】

しかしながら、特許文献１の方法では、そのようなＡｌのマイグレーションはそれほど容易に短時間で起こるものではなく、マイグレーションの発生は不確実なものであるため、一部の欠陥部においてはブレークダウンが発生するに十分なマイグレーションが起きずに、潜在的な滅点欠陥が顕在化されない虞がある。

【0010】

また、特許文献２の方法では、欠陥部が高抵抗化するにつれて電流が流れにくくなるため、完全に絶縁体になる前に欠陥部の変化がストップしてしまい、十分なリペア効果が得られずに滅点欠陥が残存してしまう虞がある。

【0011】

本発明は上記の問題点に鑑みてなされたもので、滅点欠陥を確実にリペアすることができるように、潜在的な滅点欠陥をより確実に顕在化させて検出することができる欠陥検出方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0012】

本発明の一態様である表示パネルは、第１電極と、第２電極と、前記第１電極および前記第２電極に挟まれた機能層および発光層と、を有する有機ＥＬ素子に対して行われる欠陥検出方法であって、前記第１電極と前記第２電極間に前記発光層が非発光となる滅点を顕在化させるための電圧を印加することにより、前記有機ＥＬ素子が前記第１電極と前記第２電極との間に前記非発光を引き起こす要因となる欠陥部を有する場合には、前記機能層の前記欠陥部に対応する第１部分における電気抵抗を低下させる滅点顕在化工程と、前記滅点顕在化工程の後に、前記第１電極と前記第２電極間に前記欠陥部の無い正常な有機ＥＬ素子であれば前記発光層が発光するであろう電圧である発光所要電圧を印加して、前記滅点を検出する滅点検出工程と、を有することを特徴とする。

【発明の効果】

【0013】

本発明の一態様に係る表示パネルは、滅点顕在化工程において、第１電極と第２電極間に電圧を印加して、有機ＥＬ素子が第１電極と第２電極との間に欠陥部を有する場合には、機能層の第１部分の電気抵抗を低下させる。これにより、第１部分に集中的に電流が流れるショート状態となって潜在的な滅点が顕在化されるため、その後に続く滅点検出工程においては欠陥部を有する画素（サブピクセル）が非発光となり、当該欠陥部を有する有機ＥＬ素子を滅点として確実に検出することができる。

【図面の簡単な説明】

【0014】

【図1】本発明の実施形態１に係る表示装置の構成を示す模式ブロック図である。

【図2】実施形態１に係る有機ＥＬ表示パネルの画素を模式的に示す平面図である。

【図3】実施形態１に係る有機ＥＬ素子の概略構成を模式的に示す断面図であって、図２のＡ−Ａ’直線による断面図である。

【図4】実施形態１に係る有機ＥＬ素子の概略構成を模式的に示す一部拡大断面図であって、（ａ）は、有機ＥＬ素子に逆バイアス電圧を印加したときの状態を示す模式断面図であり、（ｂ）は、電子輸送層に空隙部が発生したときの状態を示す模式断面図であり、（ｃ）は、有機ＥＬ素子に順バイアス電圧を印加したときの状態を示す模式断面図である。

【図5】実施形態２に係る有機ＥＬ素子の概略構成を模式的に示す断面図である。

【図6】実施形態２に係る有機ＥＬ素子の概略構成を模式的に示す一部拡大断面図であって、（ａ）は、有機ＥＬ素子に逆バイアス電圧を印加したときの状態を示す模式断面図であり、（ｂ）は、電子輸送層に空隙部が発生したときの状態を示す模式断面図であり、（ｃ）は、有機ＥＬ素子に順バイアス電圧を印加したときの状態を示す模式断面図である。

【図7】実施形態３に係る有機ＥＬ素子の概略構成を模式的に示す断面図である。

【図8】実施形態３に係る有機ＥＬ素子の概略構成を模式的に示す一部拡大断面図であって、（ａ）は、有機ＥＬ素子に逆バイアス電圧を印加したときの状態を示す模式断面図であり、（ｂ）は、電子輸送層に空隙部が発生したときの状態を示す模式断面図であり、（ｃ）は、有機ＥＬ素子に順バイアス電圧を印加したときの状態を示す模式断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0015】

≪本発明の一態様の概要≫
本発明の一態様に係る欠陥検出方法は、第１電極と、第２電極と、前記第１電極および前記第２電極に挟まれた機能層および発光層と、を有する有機ＥＬ素子に対して行われる欠陥検出方法であって、前記第１電極と前記第２電極間に前記発光層が非発光となる滅点を顕在化させるための電圧を印加することにより、前記有機ＥＬ素子が前記第１電極と前記第２電極との間に前記非発光を引き起こす要因となる欠陥部を有する場合には、前記機能層の前記欠陥部に対応する第１部分における電気抵抗を低下させる滅点顕在化工程と、前記滅点顕在化工程の後に、前記第１電極と前記第２電極間に前記欠陥部の無い正常な有機ＥＬ素子であれば前記発光層が発光するであろう電圧である発光所要電圧を印加して、前記滅点を検出する滅点検出工程と、を有することを特徴とする。

【0016】

欠陥部を有する有機ＥＬ素子においては、滅点顕在化工程において、機能層の欠陥部に対応する第１部分を低抵抗化させるため、続いて行われる滅点検出工程において、低抵抗化された第１部分に集中的に電流が流れるショート状態となって非発光となり、当該欠陥を有する有機ＥＬ素子を確実に滅点として検出することが出来る。

【0017】

また、本発明の一態様に係る欠陥検出方法の特定の局面では、前記機能層は、金属がドープされた有機材料から成り、前記滅点顕在化工程において、前記第１部分に通電して発熱させることにより、前記第１部分に含まれる前記有機材料を蒸発させて空隙部を形成し、前記機能層の前記空隙部を囲む側壁部分に、前記蒸発した前記有機材料にドープされていた前記金属を析出させることにより電気抵抗を低下させることを特徴とする。

【0018】

また、本発明の一態様に係る欠陥検出方法の特定の局面では、前記第１電極は陽極であり、前記第２電極は陰極であり、前記第２電極には、前記第１電極に比べて高い電圧が印加されることを特徴とする。

【0019】

また、本発明の一態様に係る欠陥検出方法の特定の局面では、前記滅点顕在化工程において、前記第１部分の電気抵抗が、前記機能層の前記欠陥部に対応しない第２部分の電気抵抗よりも低下するまで前記電圧を印加することを特徴とする。

【0020】

また、本発明の一態様に係る欠陥検出方法の特定の局面では、前記欠陥部は、前記機能層の下方に、突出部または凹入部または前記発光層よりも導電性が高い異物を有し、前記第１部分は、前記突出部または前記凹入部または前記異物の上方に位置し、前記第２部分よりも膜厚が薄い領域を有することを特徴とする。

【0021】

また、本発明の一態様に係る欠陥検出方法の特定の局面では、前記機能層は、当該機能層を流れる累積電流量の増加に伴って電気抵抗が低下する材料から成ることを特徴とする。

【0022】

また、本発明の一態様に係る欠陥検出方法の特定の局面では、前記滅点顕在化工程において、前記第１部分には前記第２部分よりも大きな電流が流れることにより、前記第１部分を変質させ、前記第１部分の電気抵抗を前記第２部分の電気抵抗よりも低下させることを特徴とする。

【0023】

また、本発明の一態様に係る欠陥検出方法の特定の局面では、前記滅点顕在化工程において、前記第１部分には前記第２部分よりも大きな電流が流れ、前記第１部分に加わる電界強度が前記第２部分に加わる電界強度よりも大きくなることにより、前記第１部分の一部を破壊または変形させ、前記第１部分に空隙部を形成させることを特徴とする。

【0024】

本発明の一態様に係る有機ＥＬ素子のリペア方法は、欠陥検出方法により滅点として検出された有機ＥＬ素子において、前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方の前記第１部分に対応する部分の電気抵抗を高める処理を行う有機ＥＬ素子のリペア方法であって、前記欠陥検出方法は、本発明の一態様に係る上記各局面のいずれかにおける欠陥検出方法であることを特徴とする。

【0025】

本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、基板上に複数の有機ＥＬ素子が形成されて成る有機ＥＬ表示パネルであって、前記複数の有機ＥＬ素子はそれぞれ、発光層と、前記発光層の上に積層され、金属がドープされた有機材料から成る機能層と、前記発光層および前記機能層を間に挟む一対の電極と、を有し、前記複数の有機ＥＬ素子のうち、少なくとも１つは、前記機能層の下方に突出部または凹入部または前記発光層よりも導電性が高い異物を有し、前記機能層の前記突出部または前記凹入部または前記異物の上方に位置する第１部分の少なくとも一部が欠損して空隙部が形成されており、前記空隙部の周囲には前記金属が析出していることを特徴とする。

【0026】

≪実施形態１≫
［１−１．全体構成］
図１は実施形態１に係る有機ＥＬ表示パネル１００を有する有機ＥＬ表示装置１の構成を示す模式ブロック図である。図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、有機ＥＬ表示パネル１００と、これに接続された駆動制御部２０とを有し構成されている。有機ＥＬ表示パネル１００は、有機材料の電界発光現象を利用したパネルであり、複数の有機ＥＬ素子が、例えば、マトリクス状に配列され構成されている。駆動制御部２０は、４つの駆動回路２１〜２４と制御回路２５とから構成されている。

【0027】

なお、実際の有機ＥＬ表示装置１では、有機ＥＬ表示パネル１００に対する駆動制御部２０の配置については、これに限られない。

【0028】

［１−２．有機ＥＬ表示パネルの構成］
有機ＥＬ表示パネル１００の構成について、図２を用い説明する。

【0029】

図２は、有機ＥＬ表示パネル１００の表示面側から見た概略構成を模式的に示す平面図である。図３は、有機ＥＬ表示パネル１００の図２のＡ−Ａ’直線による一部拡大断面図である。有機ＥＬ表示パネル１００は、Ｚ方向側を表示面とする、いわゆるトップエミッション型である。

【0030】

図３に示すように、有機ＥＬ表示パネル１００は、その主な構成として、基板１１、陽極（第１電極）１２、ホール注入層１３、バンク１４、有機発光層１５、電子輸送層（機能層）１６、陰極（第２電極）１７、封止層１８を備える。有機ＥＬ表示パネル１００は、赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の何れかの発光色に対応する有機発光層１５を有する有機ＥＬ素子１０をサブピクセルとし、図２に示すように、サブピクセルがマトリクス状に配設されている。なお、図２においては、図示をわかりやすくするために、電子輸送層１６、陰極１７、封止層１８を取り除いた状態を示している。

【0031】

また、有機ＥＬ表示パネル１００は、ホール注入層１３に欠陥部３を有する。

【0032】

＜基板＞
基板１１は有機ＥＬ表示パネル１００の基材となる部分であり、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコーン系樹脂、またはアルミナ等の絶縁性材料のいずれかで形成することができる。

【0033】

また、図示していないが、基板１１の表面には有機ＥＬ素子を駆動するためのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）層が形成されており、その上に形成された層間絶縁層を介してその上方に陽極１２が形成されている。層間絶縁層は、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等の有機絶縁材料や、ＳｉＯ（酸化シリコン）やＳｉＮ（窒化シリコン）等の無機絶縁材料からなり、ＴＦＴ層と陽極との間の電気的絶縁性を確保するとともに、ＴＦＴ層の上面の段差を平坦化するためのものである。

【0034】

本実施形態においては、ＴＦＴの極性はＮチャネル型であり、基板１１側が陽極１２であり、表示面側が陰極１７である。

【0035】

＜陽極＞
陽極１２は、サブピクセル毎に個別に設けられた画素電極であり、例えば、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）、アルミニウム合金、Ｍｏ（モリブデン）、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＭｏＷ（モリブデンとタングステンの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）、ＡＣＬ（アルミニウム、コバルト、ゲルマニウム、ランタンの合金）等の光反射性導電材料からなる。

【0036】

なお、陽極１２の表面にさらに公知の透明導電膜を設けてもよい。透明導電膜の材料としては、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）を用いることができる。透明導電膜は、陽極１２とホール注入層１３の間に介在し、各層間の接合性を良好にする機能を有する。

【0037】

＜ホール注入層＞
ホール注入層１３は、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物、あるいは、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料からなる層である。上記の内、酸化金属からなるホール注入層１３は、ホールを安定的に、またはホールの生成を補助して、有機発光層１５に対しホールを注入および輸送する機能を有する。

【0038】

ここで、ホール注入層１３を遷移金属の酸化物から構成する場合には、複数の酸化数をとるためこれにより複数の準位をとることができ、その結果、ホール注入が容易になり駆動電圧を低減することができる。

【0039】

＜バンク＞
ホール注入層１３の表面には、有機発光層１５の形成領域となる開口部１４ａを区画するためのバンク１４が設けられている。バンク１４は一定の台形断面を持つように形成されており、絶縁性の有機材料（例えばアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等）からなる。バンク１４は、有機発光層１５を塗布法で形成する場合には塗布されたインクがあふれ出ないようにするための構造物として機能し、有機発光層１５を蒸着法で形成する場合には蒸着マスクを載置するための構造物として機能する。

【0040】

また、開口部１４ａにより規定された領域が発光領域であり、各発光領域が、１サブピクセルに相当する。

【0041】

＜有機発光層＞
有機発光層１５は、キャリア（正孔と電子）の再結合による発光を行う部位であり、Ｒ，Ｇ，Ｂのいずれかの色に対応する有機材料を含むように構成されている。有機発光層１５は、バンク１４の開口部１４ａ内にそれぞれ形成されており、そのため、サブピクセル毎に形成されていることになる。

【0042】

有機発光層１５として用いることが可能な材料としては、ポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）、ポリフルオレンや、例えば、特許公開公報（特開平５−１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等の蛍光物質等が挙げられる。

【0043】

＜電子輸送層＞
電子輸送層１６は、陰極１７から注入された電子を有機発光層１５へ輸送する機能を有し、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などの有機材料１６ａ（図４各図参照）に金属１６ｂ（図４各図参照）をドープさせた材料を用い形成されている。有機材料１６ａにドープさせる金属１６ｂとしては、例えば、リチウム（Ｌｉ）等のアルカリ金属やバリウム（Ｂａ）等のアルカリ土類金属が用いられる。有機材料１６ａへの金属１６ｂのドープは、共蒸着法が一般的であるが、スパッタ法により行われてもよいし、金属微粒子を有機材料中に分散させることにより行ってもよい。本実施形態においては、有機材料１６ａにオキサジアゾール誘導体が、金属１６ｂにバリウムが用いられている。即ち、電子輸送層１６は、バリウムをドープしたオキサジアゾール誘導体から形成されている。

【0044】

＜陰極＞
陰極１７は、各サブピクセル共通に設けられており、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の導電性を有する光透過性材料で形成されている。トップエミッション型の有機ＥＬ表示パネルの場合においては、光透過性の材料で形成されることが好ましい。

【0045】

陰極１７の形成に用いる材料としては、上記の他に、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらのハロゲン化物を含む層と銀を含む層とをこの順で積層した構造を用いることもできる。上記において、銀を含む層は、銀単独で形成されていてもよいし、銀合金で形成されていてもよい。また、光取り出し効率の向上を図るためには、当該銀を含む層の上から透明度の高い屈折率調整層を設けることもできる。

【0046】

＜封止層１８＞
封止層１８は、有機ＥＬ表示パネル１００内に浸入した水分又は酸素からホール注入層１３、有機発光層１５、電子輸送層１６、陰極１７を保護するために設けられている。

【0047】

なお、図３においては、図示を省略しているが、封止層１８の上に、ブラックマトリクス、カラーフィルター等が形成されていてもよい。

【0048】

＜欠陥部＞
欠陥部３は、陽極１２と陰極１７との間に存在する異物又は突出部である。欠陥部３の存在により、その上に形成される各層の欠陥部３に対応する部分（欠陥部３の上方に位置する部分）が上方（Ｚ方向側）に突出する態様で形成される。さらには、欠陥部３に対応する部分の一部が形成されない場合も有る。本実施形態においては、欠陥部３は、異物であり、具体的には、塵や埃等の微小なゴミである。

【0049】

図２，３に示すように、本実施形態に係る有機ＥＬ表示パネル１００においては、欠陥部３はホール注入層１３上に位置している。そして、有機発光層１５は、欠陥部３の上方に位置する部分においては形成されていないか、もしくは他の部分と比べて非常に薄い状態である、所謂ピンホールが形成された状態となっている。電子輸送層１６が有機発光層１５および欠陥部３上に形成されており、電子輸送層１６の欠陥部３の上方に位置する部分である第１部分１６ｃの膜厚は、欠陥部３の上方に位置しない部分（欠陥部３に対応しない部分）である第２部分１６ｄの膜厚よりも薄くなっている。

【0050】

本実施形態においては、欠陥部３は、有機物から成り、有機発光層１５よりも高い導電性を有する。

【0051】

なお、図２，３には、欠陥部３を有する有機ＥＬ素子１０を示しているが、有機ＥＬ表示パネル１００に形成された全ての有機ＥＬ素子１０が欠陥部３を有しているというわけではない。有機ＥＬ表示パネル１００に形成された複数の有機ＥＬ素子１０のうちのいくつかのみが欠陥部３を有しており、欠陥部３を有する有機ＥＬ素子がゼロである可能性もある。欠陥部３を有する有機ＥＬ素子１０が所定の割合以上存在する有機ＥＬ表示パネル１００は、不良品として処理される。

【0052】

［１−３．欠陥検出方法およびリペア方法］
次に、本発明の一態様に係る欠陥部検出方法について説明する。ここでは、有機ＥＬ表示パネル１００に対して行われる欠陥検出方法について以下に説明する。

【0053】

図４は、本実施形態における欠陥検出方法の概要を示す断面図であって、図３の破線Ｂで囲まれた部分の拡大断面図である。

【0054】

まず、有機ＥＬ素子１０の陽極１２と陰極１７との間に、逆バイアス電圧を印加する。欠陥部３は有機発光層１５が存在しないかもしくは非常に薄いため、欠陥部３を有する有機ＥＬ素子１０は、欠陥部３を有しない有機ＥＬ素子１０よりも低い逆バイアス電圧でブレークダウンが発生して、電流が流れることとなる。そして、図４（ａ）に示すように、第１部分１６ｃに集中的に逆バイアス電流Ｉｒ１が流れる。

【0055】

なお、図４（ａ）においては、第１部分１６ｃに流れる逆バイアス電流Ｉｒ１は太線の矢印で示し、第２部分１６ｄに流れる逆バイアス電流Ｉｒ２は破線の矢印で示している。これは、破線で表した逆バイアス電流Ｉｒ２は小さな電流であり、太線で示す逆バイアス電流Ｉｒ１は大きな電流であることを表している。

【0056】

そして、第１部分１６ｃに集中的に逆バイアス電流Ｉｒ１が流れることにより、第１部分１６ｃが発熱して温度が上昇し、図４（ｂ）に示すように、第１部分１６ｃにおいて有機材料１６ａが昇華して空隙部４が形成される。そして、昇華した有機材料１６ａにドープされていた金属１６ｂが空隙部４の側壁部分に析出し、陰極１７と欠陥部３との間の電流路となるチャネル部５が形成される。チャネル部５は、析出した金属から成り、高い導電性を有するため、チャネル部５が形成されることにより、第１部分１６ｃの電気抵抗が低下し、定常的なショート状態となる。これにより、潜在的な滅点が顕在化される。

【0057】

なお、ここでは、空隙部４が形成されるまで逆バイアス電圧の印加を継続して行う。具体的には、例えば、逆バイアス電圧の印加は、１０〜３０［Ｖ］で１０分間行う。

【0058】

また、有機材料１６ａの昇華は、第１部分１６ｃ全体に亘って発生しなくてもよい。欠陥部３と陰極１７とを電気的に接続するに十分な長さ（電子輸送層１６の厚さ方向における長さ）のチャネル部５が形成されるに十分な量の金属１６ｂが析出することが出来る量の有機材料１６ａが昇華すればよい。即ち、第１部分１６ｃの一部の有機材料１６ａのみが昇華して、第１部分１６ｃの一部に空隙部４が形成されてもよい。

【0059】

上記空隙部４およびチャネル部５の形成に続いて、通常の滅点検出工程と同様にして、有機ＥＬ素子１０の陽極１２と陰極１７との間に順バイアス電圧を印加する。すると、図４（ｃ）に示すように、順バイアス電流Ｉｆは、チャネル部５を通じて専ら第１部分１６ｃに集中的に流れて有機発光層１５にはほとんど流れないため、当該有機ＥＬ素子１０は非発光となり、滅点検出工程において、滅点として検出される。

【0060】

そして、滅点として検出された有機ＥＬ素子１０に対しては、陽極１２および陰極１７の欠陥部３に対応する部分にレーザー光を照射する公知の方法により電極を焼き切ったり変質させたりして、当該部分を高抵抗化または絶縁化してリペア処理を行う。

【0061】

なお、滅点検出は、ＣＣＤカメラ等を用いた公知の方法により行われる。具体的には、特許文献１の発光状態検査の項目等を参照されたし。

【0062】

また、リペアの方法は、レーザー光による方法に限られず、例えば、超音波等を用いてもよく、高抵抗化または絶縁化させることができれば何れの方法を用いてもよい。

【0063】

［１−４．実施形態１のまとめ］
以上説明したように、本実施形態に係る有機ＥＬ表示パネル１００は、有機材料１６ａに金属１６ｂをドープした材料を用いて機能層としての電子輸送層１６が形成されている。そして、本実施形態に係る欠陥検出方法によると、滅点検出工程に先立って有機ＥＬ素子１０の陽極１２と陰極１７との間に逆バイアス電圧を印加して、有機ＥＬ素子１０が欠陥部３を有する場合には、電子輸送層１６の欠陥部３に対応する部分である第１部分１６ｃを低抵抗化させる。この低抵抗化は、次のような仕組みにより成される。有機ＥＬ素子１０に逆バイアス電圧を印加した際に、電子輸送層１６の欠陥部３に対応する部分である第１部分１６ｃに集中的に電流が流れて温度が上昇する。第１部分１６ｃの温度が上昇すると、やがて第１部分１６ｃの有機材料１６ａが昇華して当該部分に空隙部４が形成される。それと同時に、昇華した有機材料１６ａにドープされていた金属１６ｂが空隙部４の側壁部分に析出して、高い導電性を有するチャネル部５が形成される。このようにして、第１部分１６ｃが低抵抗化される。これにより、第１部分１６ｃが定常的なショート状態となり、潜在的な滅点が顕在化される。そして、続いて行われる滅点検出工程において、欠陥部３を有する有機ＥＬ素子を滅点として確実に検出することができる。

【0064】

このようにして、潜在的に滅点となる可能性のある有機ＥＬ素子１０を強制的に滅点化させて確実に検出することが出来るため、滅点を予めリペアすることにより、ユーザの使用中に滅点が発生して品質が劣化するという事態の発生を抑制することが出来る。

【0065】

≪実施形態２≫
実施形態１では、ＴＦＴの極性がＮチャネル型の有機ＥＬ表示パネル１００について説明した。実施形態２では、ＴＦＴの極性がＰチャネル型の場合について説明する。

【0066】

なお、説明の重複を避けるため、実施形態１と同じ構成要素については、同符号を付して、その説明を省略する。以下、実施形態３および各変形例についても同様である。

【0067】

［２−１．有機ＥＬ表示パネルの構成］
図５は、実施形態２に係る有機ＥＬ表示パネル２００の概略構成を示す部分断面図である。図５においては、図２のＡ−Ａ’線に相当する位置における断面図を示す。

【0068】

図５に示すように、有機ＥＬ表示パネル２００は、基板１１上に、陰極１７、電子輸送層１６、バンク１４がこの順に積層成膜されており、開口部１４ａ内に有機発光層１５が形成されている。そして、バンク１４および有機発光層１５上に、ホール注入層（機能層）１３、陽極１２、封止層１８がこの順に積層成膜されている。本実施形態においては、陰極１７が画素電極である。

【0069】

なお、ホール注入層１３は、有機材料１３ａとしてα―ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチルエニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン；Ｎ，Ｎ’−Ｂｉｓ（１−ｎａｐｈｔｈｙｌｅｎｙｌ）−Ｎ，Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−１，１’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ−４，４’−ｄｉａｍｉｎｅ）などの導電性ポリマー材料に、リチウム等のアルカリ金属やバリウム等のアルカリ土類金属をドープさせた材料を用いて形成されている。実施形態２においては、ホール注入層１３は、バリウムをドープしたα―ＮＰＤから形成されている。即ち、実施形態２においては、有機材料１３ａ（図６各図参照）はα―ＮＰＤであり、金属１３ｂ（図６各図参照）はバリウムである。

【0070】

また、実施形態２においても、実施形態１と同様に、欠陥部３は異物であり、具体的には塵や埃等の微小なゴミである。

【0071】

また、図５には、欠陥部３を有する有機ＥＬ素子２１０を示しているが、有機ＥＬ表示パネル２００に形成された全ての有機ＥＬ素子２１０が欠陥部３を有しているというわけではない。有機ＥＬ表示パネル２００に形成された複数の有機ＥＬ素子２１０のうちのいくつかのみが欠陥部３を有しており、欠陥部３を有する有機ＥＬ素子がゼロの場合もある。

【0072】

［２−２．欠陥検出方法およびリペア方法］
次に、実施形態２に係る有機ＥＬ表示パネル２００に対して行われる欠陥検出方法について以下に説明する。

【0073】

図６は、本実施形態における欠陥検出方法の概要を示す断面図であって、図５の破線Ｃで囲まれた部分の拡大断面図である。

【0074】

まず、有機ＥＬ素子２１０の陽極１２と陰極１７との間に、逆バイアス電圧を印加する。すると、欠陥部３は有機発光層１５よりも導電性が高く、ホール注入層１３の第１部分１３ｃは、第２部分１３ｄよりも膜厚が薄く導電性が高い。そのため、図４に示す実施形態１の場合と同様に、欠陥部３を有する有機ＥＬ素子２１０は、欠陥部３を有しない有機ＥＬ素子２１０よりも低い逆バイアス電圧で、欠陥部３の上方に位置する部分においてブレークダウンが発生し、電流が流れることとなる。そして、図６（ａ）に示すように、第１部分１３ｃに集中的に逆バイアス電流Ｉｒ１が流れる。第１部分１３ｃに集中的に逆バイアス電流Ｉｒ１が流れることにより、第１部分１３ｃが発熱して温度が上昇し、図６（ｂ）に示すように、第１部分１３ｃにおいて有機材料１３ａが昇華して空隙部４が形成される。そして、昇華した有機材料１３ａにドープされていた金属１３ｂが空隙部４の側壁部分に析出し、陽極１２と欠陥部３との間の電流路となるチャネル部２０５が形成される。チャネル部２０５は、析出した金属から成り、高い導電性を有するため、チャネル部２０５が形成されることにより、第１部分１３ｃの電気抵抗が低下し、定常的なショート状態となる。これにより、潜在的な滅点が顕在化される。

【0075】

上記空隙部４およびチャネル部２０５の形成に続いて、通常の滅点検出工程と同様にして、有機ＥＬ素子１０の陽極１２と陰極１７との間に順バイアス電圧を印加する。すると、図６（ｃ）に示すように、順バイアス電流Ｉｆは、チャネル部２０５を通じて専ら第１部分１３ｃに集中的に流れて有機発光層１５にはほとんど流れないため、当該有機ＥＬ素子２１０は非発光となり、滅点検出工程において、滅点として検出される。

【0076】

その後、実施形態１と同様にして、滅点検出された有機ＥＬ素子２１０に対してリペア処理を行う。

【0077】

なお、実施形態２においても、空隙部４が形成されるまで逆バイアス電圧の印加を継続して行う。具体的には、例えば、逆バイアス電圧の印加は、１０〜３０［Ｖ］で１０分間行う。

【0078】

また、実施形態２においても実施形態１と同様に、有機材料１３ａの昇華は、第１部分１３ｃ全体に亘って発生しなくてもよい。欠陥部３と陽極１２とを電気的に接続するチャネル部２０５が形成される限り、第１部分１３ｃの一部の有機材料１３ａのみが昇華して、第１部分１３ｃの一部に空隙部４が形成されてもよい。

【0079】

［２−３．実施形態２のまとめ］
以上説明したように、実施形態２に係る有機ＥＬ表示パネル２００においても、欠陥部３の上方に形成されるホール注入層１３を機能層として、ホール注入層１３が有機材料１３ａに金属１３ｂをドープした材料を用いて形成されている。これにより、実施形態１の場合と同様に、有機ＥＬ素子２１０に逆バイアスを印加して欠陥部３を有する場合には第１部分１３ｃを低抵抗化させて潜在的な滅点を顕在化させることができ、滅点検出工程において、欠陥部３を有する有機ＥＬ素子を滅点として確実に検出することができる。

【0080】

このようにして、実施形態２に係る有機ＥＬ表示パネル２００においても、潜在的に滅点となる可能性のある有機ＥＬ素子２１０を強制的に滅点化させて確実に検出することが出来るため、滅点を予めリペアすることにより、ユーザの使用中に滅点が発生して品質が劣化するという事態の発生を抑制することが出来る。

【0081】

≪実施形態３≫
実施形態１および２では、欠陥部はゴミ等の異物であった。しかし、潜在的な滅点を引き起こす原因となる欠陥部は、異物に限られない。例えば、画素電極を形成する際に、蒸着の不具合により画素電極表面に凹凸が生じ、突出の大きな部分が欠陥部となる場合がある。実施形態３においては、欠陥部３が画素電極表面の突出部である場合について説明する。

【0082】

［３−１．有機ＥＬ表示パネルの構成］
図７は、実施形態３に係る有機ＥＬ表示パネル３００の概略構成を示す部分断面図である。図７においては、図２のＡ−Ａ’線に相当する位置における断面図を示す。

【0083】

図７に示すように、有機ＥＬ表示パネル３００は、実施形態１における有機ＥＬ表示パネル１００と同様に、主な構成要素として基板１１、陽極１２、ホール注入層１３、バンク１４、有機発光層１５、電子輸送層（機能層）１６、陰極１７、封止層１８を備える。有機ＥＬ表示パネル３００は、欠陥部３０３が異物ではなく陽極１２の表面に形成された突出部である点、ホール注入層１３の欠陥部３０３の上方に位置する部分（欠陥部３０３に対応する部分）が上方（Ｚ方向側）に突出する態様で形成されている点、および有機発光層１５が欠陥部３０３の上方に位置する部分にも上方（Ｚ方向側）に突出する態様で形成されている点以外は、基本的な構成は実施形態１における有機ＥＬ表示パネル１００と同じである。

【0084】

なお、ホール注入層１３および有機発光層１５は、欠陥部３０３の上方に位置する部分においては形成されていないか、もしくは他の部分と比べて非常に薄い状態である、所謂ピンホールが形成された状態となっている。

【0085】

また、図７には、欠陥部３０３を有する有機ＥＬ素子３１０を示しているが、有機ＥＬ表示パネル３００に形成された全ての有機ＥＬ素子３１０が欠陥部３０３を有しているというわけではない。有機ＥＬ表示パネル３００に形成された複数の有機ＥＬ素子３１０のうちのいくつかのみが欠陥部３０３を有しており、欠陥部３０３を有する有機ＥＬ素子がゼロの場合もある。さらには、欠陥部３０３（突出部）と実施形態１および２における欠陥部３（異物）とが混在していてもよい。

【0086】

なお、実施形態３においては、陽極１２が画素電極である。また、本実施形態においては、実施形態１と同様、ＴＦＴの極性はＮチャネル型である。

【0087】

［３−２．欠陥検出方法およびリペア方法］
次に、実施形態３に係る有機ＥＬ表示パネル３００に対して行われる欠陥検出方法について以下に説明する。

【0088】

図８は、本実施形態における欠陥検出方法の概要を示す断面図であって、図７の破線Ｄで囲まれた部分の拡大断面図である。

【0089】

まず、有機ＥＬ素子３１０の陽極１２と陰極１７との間に、逆バイアス電圧を印加する。ここで、欠陥部３０３は陽極１２の一部であり、ホール注入層１３よりも導電性が高い。また、ホール注入層１３，有機発光層１５，電子輸送層１６の欠陥部３０３の上方に位置する部分は、欠陥部３０３の上方に位置していない部分と比較して膜厚が薄く、導電性がより高くなっている。従って、実施形態１および２の場合と同様に、欠陥部３０３を有する有機ＥＬ素子３１０は、欠陥部３０３を有しない有機ＥＬ素子３１０よりも低い逆バイアス電圧で、欠陥部３０３の上方に位置する部分においてブレークダウンが発生し、電流が流れることとなる。そして、図８（ａ）に示すように、電子輸送層１６の第１部分１６ｃに集中的に逆バイアス電流Ｉｒ１が流れる。第１部分１６ｃに集中的に逆バイアス電流Ｉｒ１が流れることにより、第１部分１６ｃが発熱して温度が上昇し、図８（ｂ）に示すように、第１部分１６ｃにおいて有機材料１６ａが昇華して空隙部４が形成される。そして、実施形態１と同様に、昇華した有機材料１６ａにドープされていた金属１６ｂが空隙部４の側壁部分に析出し、陽極１２と有機発光層１５との間の電流路となるチャネル部３０５が形成される。チャネル部３０５は、析出した金属から成り、高い導電性を有するため、チャネル部３０５が形成されることにより、第１部分１６ｃの電気抵抗が低下し、定常的なショート状態となる。これにより、潜在的な滅点が顕在化される。

【0090】

上記空隙部４およびチャネル部２０５の形成に続いて、有機ＥＬ素子３１０の陽極１２と陰極１７との間に順バイアス電圧を印加すると、図８（ｃ）に示すように、順バイアス電流Ｉｆは、チャネル部３０５を通じて専ら第１部分１６ｃに集中的に流れる。これにより、当該有機ＥＬ素子３１０は非発光となり、滅点検出工程において滅点として検出される。

【0091】

その後、実施形態１および２と同様にして、滅点検出された有機ＥＬ素子３１０に対してリペア処理を行う。

【0092】

なお、実施形態３においても、空隙部４が形成されるまで逆バイアス電圧の印加を継続して行う。具体的には、例えば、逆バイアス電圧の印加は、１０〜３０［Ｖ］で１０分間行う。

【0093】

また、実施形態３においても実施形態１，２と同様に、有機材料１６ａの昇華は、第１部分１６ｃ全体に亘って発生しなくてもよい。

【0094】

［３−３．実施形態３のまとめ］
以上説明したように、実施形態３に係る有機ＥＬ表示パネル３００においても、欠陥部３０３の上方に形成される電子輸送層１６を機能層として、電子輸送層１６が有機材料１６ａに金属１６ｂをドープした材料を用いて形成されている。これにより、実施形態１および２の場合と同様に、有機ＥＬ素子３１０に逆バイアスを印加して欠陥部３０３を有する場合には第１部分１６ｃを低抵抗化させて潜在的な滅点を顕在化させることができ、滅点検出工程において、欠陥部３０３を有する有機ＥＬ素子を滅点として確実に検出することができる。

【0095】

このようにして、実施形態３に係る有機ＥＬ表示パネル３００においても、潜在的に滅点となる可能性のある有機ＥＬ素子３１０を強制的に滅点化させて確実に検出することが出来るため、滅点を予めリペアすることにより、ユーザの使用中に滅点が発生して品質が劣化するという事態の発生を抑制することが出来る。

【0096】

［変形例］
以上、本発明の構成を実施形態１〜３に基づいて説明したが、本発明はこれらの実施形態に限られない。例えば、以下のような変形例を実施することができる。

【0097】

（１）実施形態３においては、電子輸送層１６が、有機材料に金属がドープされた材料から成る機能層であったが、これに限られない。例えば、電子輸送層１６の代わりに、ホール注入層１３を有機材料に金属がドープされた材料を用いて形成してもよい。この場合においても、ホール注入層１３の欠陥部３０３の上方に位置する部分に逆バイアス電流Ｉｒ１が集中的に流れるため、当該部分において実施形態２における第１部分１３ｃと同様に空隙部およびチャネル部が形成されて、低抵抗化させることができる。これにより、確実に滅点化させてリペア処理を施すことが出来る。

【0098】

（２）上記各実施形態においては、有機材料に金属がドープされた材料から成る機能層は、１層のみであったが、これに限られない。例えば、電子輸送層１６とホール注入層１３の両方を、有機材料に金属をドープした材料を用いて形成してもよい。

【0099】

このようにすると、例えば、実施形態３のように欠陥部が電極表面の突出部である場合、欠陥部の上方において有機発光層１５を挟み込むようにチャネル部を形成することができ、より低抵抗化することができる。これにより、潜在的滅点欠陥をより確実に滅点化させて、リペア処理を施すことができる。

【0100】

（３）実施形態１および２においては、欠陥部が具体的には異物である場合について説明した。実施形態３においては、欠陥部が具体的には画素電極（実施形態３においては、陽極１２）表面の突出部である場合について説明した。しかし、欠陥部の具体例については、これらに限られない。例えば、欠陥部が凹入部であってもよい。凹入部は、例えば、画素電極をエッチングする際に、レジストに塗布むらやピンホール等の不具合がある場合、それにより画素電極表面に形成される。

【0101】

凹入部が形成されると、その上に形成された層が、凹入部のエッジ部分において断絶したり膜厚が極度に薄くなったりして、リーク電流が発生する原因となる。

【0102】

このような場合においても、有機材料に金属をドープした材料を用いて電子輸送層１６またはホール注入層１３（またはその両方）を形成することにより、上記各実施形態および各変形例と同様の効果を得ることができる。即ち、欠陥部（この場合、凹入部）を有し、潜在的に滅点となる可能性のある有機ＥＬ素子を強制的に滅点化させて確実に検出することが出来る。そして、滅点を予めリペアすることにより、ユーザの使用中に滅点が発生して品質が劣化するという事態の発生を抑制することが出来る。

【0103】

（４）本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、ホール輸送層、電子注入層、パッシベーション膜、透明導電層などの他の層を更に含む構成とすることもできる。

【0104】

（５）また、各実施形態に係る有機ＥＬ表示パネルにおいて、ホール注入層１３および電子輸送層１６のうち、機能層として機能していない方の層を欠く構成とすることもできる。

【産業上の利用可能性】

【0105】

本発明の欠陥検出方法、有機ＥＬ素子のリペア方法、および有機ＥＬ表示パネルは、例えば、家庭用もしくは公共施設、あるいは業務用の各種表示装置、テレビジョン装置、携帯型電子機器用ディスプレイ等として用いられる有機ＥＬ表示パネルおよび、それに適用される欠陥検出方法、有機ＥＬ素子のリペア方法に好適に利用可能である。

【符号の説明】

【0106】

１ 有機ＥＬ表示装置
３，３０３ 欠陥部
４ 空隙部
５，２０５，３０５ チャネル部
１０，２１０，３１０ 有機ＥＬ素子
１１ 基板
１２ 陽極
１３ ホール注入層
１３ａ，１６ａ 有機材料
１３ｂ，１６ｂ 金属
１３ｃ，１６ｃ 第１部分
１３ｄ，１６ｄ 第２部分
１４ バンク
１４ａ 開口部
１５ 有機発光層
１６ 電子輸送層
１７ 陰極
１８ 封止層
１００，２００，３００ 有機ＥＬ表示パネル

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】