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特許第6143145号(P6143145)
IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版
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6143145
β−Ｇａ２Ｏ３単結晶層の製造方法、β―Ｇａ２Ｏ３単結晶層付きサファイア基板、β―Ｇａ２Ｏ３自立単結晶及びその製造方法
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