特許 6150021 導電パターン形成部材の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6150021

(24)【登録日】2017年6月2日

(45)【発行日】2017年6月21日

(54)【発明の名称】導電パターン形成部材の製造方法

(51)【国際特許分類】

   G03F 7/004 20060101AFI20170612BHJP

   G03F 7/038 20060101ALI20170612BHJP

   G03F 7/09 20060101ALI20170612BHJP

   G03F 7/40 20060101ALI20170612BHJP

   G03F 7/30 20060101ALI20170612BHJP

   H01B 13/00 20060101ALI20170612BHJP

   H01B 1/22 20060101ALI20170612BHJP

   H01B 1/00 20060101ALI20170612BHJP

   H01B 5/14 20060101ALI20170612BHJP

   H05K 3/12 20060101ALI20170612BHJP

   H05K 3/28 20060101ALI20170612BHJP

   G06F 3/041 20060101ALI20170612BHJP

【ＦＩ】

   G03F7/004 501

   G03F7/038 501

   G03F7/09 501

   G03F7/40 501

   G03F7/30

   G03F7/40

   H01B13/00 503D

   H01B1/22 A

   H01B1/00 H

   H01B13/00 503B

   H01B5/14 A

   H01B5/14 B

   H05K3/12 610G

   H05K3/12 610B

   H05K3/28 D

   G06F3/041 495

【請求項の数】15

【全頁数】21

(21)【出願番号】特願2016-561876(P2016-561876)

(86)(22)【出願日】2016年4月15日

(86)【国際出願番号】JP2016062150

(87)【国際公開番号】WO2016171083

(87)【国際公開日】20161027

【審査請求日】2016年10月28日

(31)【優先権主張番号】特願2015-86437(P2015-86437)

(32)【優先日】2015年4月21日

(33)【優先権主張国】JP

【早期審査対象出願】

(73)【特許権者】

【識別番号】000003159

【氏名又は名称】東レ株式会社

(72)【発明者】

【氏名】水口 創

(72)【発明者】

【氏名】河野 友孝

【審査官】 川口 真隆

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１０−２８２０２３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１３−０７７０９８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１５−０４０３１６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２０１３／１１８８７５（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 国際公開第２０１３／１４６１０７（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開２０１５−０１８１５７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２０１６／１７０９４３（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｇ０６Ｆ ３／０４１

Ｇ０３Ｆ ７／００４

Ｇ０３Ｆ ７／０３８

Ｇ０３Ｆ ７／０９

Ｇ０３Ｆ ７／３０

Ｇ０３Ｆ ７／４０

Ｈ０１Ｂ １／００

Ｈ０１Ｂ １／２２

Ｈ０１Ｂ ５／１４

Ｈ０１Ｂ １３／００

Ｈ０５Ｋ ３／１２

Ｈ０５Ｋ ３／２８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基材上に形成された、カルボキシル基を有する樹脂（ａ）からなる層Ａ、及び、透明電極層Ｂの表面に、導電性粒子、及び、二重結合とカルボキシル基とを有する樹脂（ｃ）を含有する組成物Ｃを塗布して、塗布膜Ｃを得る、塗布工程と、
前記塗布膜Ｃを乾燥して乾燥膜Ｃを得る、乾燥工程と、
前記乾燥膜Ｃを露光して露光膜Ｃを得る、露光工程と、
前記露光膜Ｃを現像してパターンＣを得る、現像工程と、
前記パターンＣをキュアして導電パターンＣを得る、キュア工程と、を備え、
前記導電性粒子に占める粒径０．３〜２．０μｍの粒子の割合が、８０個数％以上であり、
前記カルボキシル基を有する樹脂（ａ）の酸価が５０〜２５０ｍｇＫＯＨ／ｇである、導電パターン形成部材の製造方法。

【請求項2】

前記導電性粒子に占める粒径０．５〜１．５μｍの粒子の割合が、８０個数％以上である、請求項１記載の導電パターン形成部材の製造方法。

【請求項3】

前記組成物Ｃが、さらに光重合開始剤を含有する、請求項１又は２記載の導電パターン形成部材の製造方法。

【請求項4】

前記二重結合とカルボキシル基を有する樹脂（ｃ）が、酸価が５０〜２５０ｍｇＫＯＨ／ｇのアクリル樹脂である、請求項１〜３のいずれか一項記載の導電パターン形成部材の製造方法。

【請求項5】

前記透明電極層Ｂが銀を含有し、かつ、前記組成物Ｃが前記導電性粒子として銀粒子を含む、請求項１〜４のいずれか一項記載の導電パターン形成部材の製造方法。

【請求項6】

前記透明電極層Ｂが含有する銀が、繊維状である、請求項５記載の導電パターン形成部材の製造方法。

【請求項7】

前記組成物Ｃが、沸点２００℃以上のアルコール系溶剤を含有する、請求項１〜６のいずれか一項記載の導電パターン形成部材の製造方法。

【請求項8】

前記乾燥工程の温度が、５０〜８０℃である、請求項１〜７のいずれか一項記載の導電パターン形成部材の製造方法。

【請求項9】

前記現像工程の現像圧力が、０．０２〜０．２ＭＰａである、請求項１〜８のいずれか一項記載の導電パターン形成部材の製造方法。

【請求項10】

前記組成物Ｃが、エポキシ樹脂を含有する、請求項１〜９のいずれか一項記載の導電パターン形成部材の製造方法。

【請求項11】

前記カルボキシル基を有する樹脂（ａ）からなる層Ａの酸価ＳＡと、前記導電パターンＣの有機成分酸価ＳＣとの差が、２０〜１５０ｍｇＫＯＨ／ｇである、請求項１〜１０のいずれか一項記載の導電パターン形成部材の製造方法。

【請求項12】

前記組成物Ｃが、ウレタン結合を有する化合物を含有する、請求項１〜１１のいずれか一項記載の導電パターン形成部材の製造方法。

【請求項13】

前記組成物Ｃが、シクロヘキサン骨格を有する化合物を含有する、請求項１〜１１のいずれか一項記載の導電パターン形成部材の製造方法。

【請求項14】

前記導電パターンＣ上に、イソボルニル基を含有するＯｐｔｉｃａｌ Ｃｌｅａｒ Ａｄｈｅｓｉｖｅ層Ｄを積層する工程を備える、請求項１〜１３のいずれか一項記載の導電パターン形成部材の製造方法。

【請求項15】

前記導電パターンＣ上に、ベンゾトリアゾール系化合物を含有するＯｐｔｉｃａｌ Ｃｌｅａｒ Ａｄｈｅｓｉｖｅ層Ｄを積層する工程を備える、請求項１〜１４のいずれか一項記載の導電パターン形成部材の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、導電パターン形成部材の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

静電容量式タッチパネルの表示領域に形成される表示電極は、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）等からなる透明電極である。そのパターン加工のプロセスとしては、スパッタ等により基材にＩＴＯ等の金属薄膜を膜付けして、その表面にさらに感光性を有する樹脂であるフォトレジストを塗布してフォトマスクを介して露光をし、現像でレジストパターンを形成した後にエッチング及びレジスト除去をするのが一般的である。

【0003】

一方で、基材上に予め感光性樹脂層及び透明電極層を積層したものを用意しておくことで、透明電極のパターンを形成する都度フォトレジストを塗布したり、除去したりすることを省く技術も考案されている（特許文献１及び２）。

【0004】

静電容量式タッチパネルでは表示領域の周辺には、透明電極と接続する周囲配線が形成される。この周囲配線の形成の方法としては、感光性を有する導電ペーストをフォトリソ法で微細加工する方法が知られている（特許文献３〜７）。この導電ペーストを用いて、上記の感光性樹脂層及び透明電極層を積層した基材から形成した透明電極パターンに接続する周囲配線を形成しようとした場合、該基材上に形成された感光性樹脂層及び透明電極層の表面に、導電ペーストを塗布してからその加工をする必要がある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２０１５−１８１５７号公報

【特許文献2】特開２０１４−１９９８１４号公報

【特許文献3】特許第５２７８６３２号公報

【特許文献4】国際公開第２０１３／１０８６９６号

【特許文献5】特許第５３６０２８５号公報

【特許文献6】特許第５４０３１８７号公報

【特許文献7】国際公開第２０１３／１４６１０７号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

しかしながら、基材上の感光性樹脂層の表面に導電ペーストの塗布膜が形成された部位においては、導電ペーストをフォトマスクを介して露光した後の現像工程において、導電ペーストの塗布膜の未露光部の溶解除去の際に残渣が発生するばかりでなく、形成された導電パターンと感光性樹脂層とのイオンマイグレーションが問題視されていた。

【0007】

そこで本発明は、未露光部の溶解除去における残渣の発生を抑制しながら、基材上に形成された導電パターンと感光性樹脂層とのイオンマイグレーション耐性に優れる、導電パターン形成部材の製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明者らは、鋭意検討をした結果、導電パターンの形成に用いる導電ペーストが含有する導電性粒子として、その粒径が一定の条件を満たすものを用いることが、上記課題の解決に極めて有効であることを見出し、本発明を完成した。

【0009】

すなわち本発明は、基材上に形成された、カルボキシル基を有する樹脂（ａ）からなる層Ａ、及び、透明電極層Ｂの表面に、導電性粒子、及び、二重結合とカルボキシル基とを有する樹脂（ｃ）を含有する組成物Ｃを塗布して、塗布膜Ｃを得る、塗布工程と、上記塗布膜Ｃを乾燥して乾燥膜Ｃを得る、乾燥工程と、上記乾燥膜Ｃを露光して露光膜Ｃを得る、露光工程と、上記露光膜Ｃを現像してパターンＣを得る、現像工程と、上記パターンＣをキュアして導電パターンＣを得る、キュア工程と、を備え、上記導電性粒子に占める粒径０．３〜２．０μｍの粒子の割合が、８０個数％以上であり、前記カルボキシル基を有する樹脂（ａ）の酸価が５０〜２５０ｍｇＫＯＨ／ｇである、導電パターン形成部材の製造方法を提供する。

【発明の効果】

【0010】

本発明の導電パターン形成部材の製造方法によれば、未露光部の溶解除去における残渣発生を抑制でき、かつ、基材上に形成されたカルボキシル基を有する樹脂からなる層とのイオンマイグレーション耐性に優れる導電パターンを形成することができる。

【0011】

さらにベンゾトリアゾール系化合物もしくはイソボルニル骨格を有するＯＣＡを積層させることでよりイオンマイグレーション耐性を高めることができる。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】導電パターン形成部材の断面を示す概略図である。

【図2】イオンマイグレーション耐性の評価に用いた導電パターンの概略図である。

【図3】残渣の評価に用いた導電パターンの概略図である。

【図4】ＯＣＡ層を積層した導電パターン形成部材の断面を示す概略図である。

【図5】ＯＣＡ層を積層したイオンマイグレーション耐性の評価に用いた導電パターンの概略図である。

【発明を実施するための形態】

【0013】

本発明の導電パターン形成部材の製造方法は、基材上に形成された、カルボキシル基を有する樹脂（ａ）からなる層Ａ、及び、透明電極層Ｂの表面に、導電性粒子、及び、二重結合とカルボキシル基とを有する樹脂（ｃ）を含有する組成物Ｃを塗布して、塗布膜Ｃを得る、塗布工程と、上記塗布膜Ｃを乾燥して乾燥膜Ｃを得る、乾燥工程と、上記乾燥膜Ｃを露光して露光膜Ｃを得る、露光工程と、上記露光膜Ｃを現像してパターンＣを得る、現像工程と、上記パターンＣをキュアして導電パターンＣを得る、キュア工程と、を備え、上記導電性粒子に占める粒径０．３〜２．０μｍの粒子の割合が、８０％以上であることを特徴とする。

【0014】

本発明の導電パターン形成部材の製造方法が備える塗布工程は、樹脂層Ａ及び透明電極層Ｂの表面に、組成物Ｃを塗布して、塗布膜Ｃを得る工程である。

【0015】

透明電極層Ｂは、カルボキシル基を有する樹脂（ａ）（以下、「樹脂（ａ）」）からなる層Ａ（以下、「樹脂層Ａ」）の上に積層している。そして樹脂層Ａは、基材上に形成されている。

【0016】

その上に樹脂層Ａが形成される基材とは、その表面上に透明電極層や導電パターン等を形成するための、支持体をいう。基材としては、例えば、ガラス、ガラスエポキシ基板若しくはセラミックス基板等のリジッド基板又はポリエステルフィルム若しくはポリイミドフィルム等のフレキシブル基板が挙げられる。

【0017】

基材上に形成されている樹脂層Ａは、いわゆる感光性樹脂層であり、透明電極層Ｂのパターン形成のためのフォトレジストとしての機能を果たすものである。樹脂層Ａを構成する樹脂（ａ）は、その分子鎖中にカルボキシル基を有しており、アルカリ可溶性である。樹脂（ａ）としては、例えば、アクリル系共重合体、エポキシカルボキシレート化合物、ポリアミック酸又はシロキサンポリマーが挙げられる。可視光透過率の高いアクリル系共重合体又はエポキシカルボキシレート化合物が好ましい。

【0018】

カルボキシル基を有するアクリル系共重合体は、アクリル系モノマー及び不飽和カルボン酸等の不飽和酸を共重合成分として、共重合させることにより得られる。

【0019】

アクリル系モノマーとしては、例えば、アクリル酸（以下、「ＡＡ」）、メチルアクリレート、エチルアクリレート（以下、「ＥＡ」）、２−エチルヘキシルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート（以下、「ＢＡ」）、ｉｓｏ−ブチルアクリレート、ｉｓｏ−プロパンアクリレート、グリシジルアクリレート、ブトキシトリエチレングリコールアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、ジシクロペンテニルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、イソボルニルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、イソデキシルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、２−メトキシエチルアクリレート、メトキシエチレングリコールアクリレート、メトキシジエチレングリコールアクリレート、オクタフロロペンチルアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、ステアリルアクリレート、トリフロロエチルアクリレート、アミノエチルアクリレート、フェニルアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、１−ナフチルアクリレート、２−ナフチルアクリレート、チオフェノールアクリレート、ベンジルメルカプタンアクリレート、アリル化シクロヘキシルジアクリレート、メトキシ化シクロヘキシルジアクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，３−ブチレングリコールジアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、ポリプロピレングリコールジアクリレート、トリグリセロールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、アクリルアミド、Ｎ−メトキシメチルアクリルアミド、Ｎ−エトキシメチルアクリルアミド、Ｎ−ｎ−ブトキシメチルアクリルアミド、Ｎ−イソブトキシメチルアクリルアミド、エポキシ基を不飽和酸で開環させた水酸基を有するエチレングリコールジグリシジルエーテルのアクリル酸付加物、ジエチレングリコールジグリシジルエーテルのアクリル酸付加物、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテルのアクリル酸付加物、グリセリンジグリシジルエーテルのアクリル酸付加物、ビスフェノールＡジグリシジルエーテルのアクリル酸付加物、ビスフェノールＦのアクリル酸付加物若しくはクレゾールノボラックのアクリル酸付加物等のエポキシアクリレートモノマー又はγ−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、あるいは、それらのアクリル基を、メタクリル基に置換した化合物が挙げられる。樹脂層Ａの可視光透過性を高めるため、脂肪鎖又は脂環式構造を有するアクリル系モノマーが好ましい。

【0020】

不飽和酸としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸若しくは酢酸ビニル又はこれらの酸無水物が挙げられる。共重合成分として用いる不飽和酸の多少により、得られるアクリル系共重合体の酸価を調整することができる。

【0021】

エポキシカルボキシレート化合物とは、エポキシ化合物と、不飽和二重結合を有するカルボキシル化合物と、を出発原料として合成することができる化合物をいう。

【0022】

出発原料となり得るエポキシ化合物としては、例えば、グリシジルエーテル類、脂環式エポキシ樹脂、グリシジルエステル類、グリシジルアミン類又はエポキシ樹脂が挙げられる。より具体的には、例えば、メチルグリシジルエーテル、エチルグリシジルエーテル、ブチルグリシジルエーテル、エチレングリコールジグリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、トリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、水添ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、ビスフェノールＦジグリシジルエーテル、ビスフェノールＳジグリシジルエーテル、ビスフェノールフルオレンジグリシジルエーテル、ビフェノールジグリシジルエーテル、テトラメチルビフェノールグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、３’，４’−エポキシシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート又はｔｅｒｔ−ブチルグリシジルアミンが挙げられる。

【0023】

出発原料となり得る不飽和二重結合を有するカルボキシル化合物としては、例えば、（メタ）アクリル酸、クロトン酸、桂皮酸又はα−シアノ桂皮酸が挙げられる。

【0024】

エポキシカルボキシレート化合物と多塩基酸無水物とを反応させて、エポキシカルボキシレート化合物の酸価を調整しても構わない。多塩基酸無水物としては、例えば、無水コハク酸、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、無水イタコン酸、３−メチルテトラヒドロ無水フタル酸、４−メチルーヘキサヒドロ無水フタル酸、無水トリメリット酸又は無水マレイン酸が挙げられる。

【0025】

上記の多塩基酸無水物により酸価を調整したエポキシカルボキシレート化合物が有するカルボキシル基と、グリシジル（メタ）アクリレート等の不飽和二重結合を有する化合物と、を反応させることにより、エポキシカルボキシレート化合物が有する反応性の不飽和二重結合の量を調整しても構わない。

【0026】

エポキシカルボキシレート化合物が有するヒドロキシ基と、ジイソシアネート化合物とを反応させることにより、ウレタン化をしても構わない。ジイソシアネート化合物としては、例えば、ヘキサメチレンジイソシアネート、テトラメチルキシレンジイソシアネート、ナフタレン−１，５−ジイソシアネート、トリデンジイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、アリルシアンジイソシアネート又はノルボルナンジイソシアネートが挙げられる。

【0027】

樹脂（ａ）の酸価は、樹脂層Ａがアルカリ可溶性のフォトレジストとして機能するものであるため、５０〜２５０ｍｇＫＯＨ／ｇであることが好ましく、パターン加工性をより高めるため、６０〜１５０ｍｇＫＯＨ／ｇがより好ましい。なお樹脂（ａ）の酸価は、ＪＩＳ Ｋ ００７０（１９９２）に準拠して測定することができる。

【0028】

樹脂層Ａの可視光透過率は、本発明の製造方法により製造される導電パターン形成部材をタッチパネルの構成要素とする場合には、８０％以上であることが好ましい。

【0029】

樹脂層Ａの上に積層されている透明電極層Ｂは、全面的に平坦な層ではなく、樹脂層Ａのフォトレジストとしての機能を利用してパターン加工がされた、任意形状のパターンである。すなわち、透明電極層は樹脂層Ａを完全に覆い隠しているのではなく、透明電極層Ｂのパターンが形成されていない部位においては、樹脂層Ａが露出した状態となっている。

【0030】

透明電極層Ｂは、導電成分のみからなるか、又は、導電成分を含有する。透明電極層Ｂを構成する導電成分としては、例えば、インジウム、スズ、亜鉛、ガリウム、アンチモン、チタン、ジルコニウム、マグネシウム、アルミニウム、金、銀、銅、パラジウム若しくはタングステン又はこれら金属の酸化物あるいはカーボンナノチューブが挙げられる。より具体的には、例えば、インジウムスズ酸化物（以下、「ＩＴＯ」）、インジウム亜鉛酸化物、酸化インジウム−酸化亜鉛複合酸化物、アルミニウム亜鉛酸化物、ガリウム亜鉛酸化物、フッ素亜鉛酸化物、フッ素インジウム酸化物、アンチモンスズ酸化物又はフッ素スズ酸化物が挙げられる。中でも、導電性及び可視光透過性が高く、かつ価格面でも有利な、ＩＴＯ又は繊維状の銀（以下、「銀繊維」）が好ましく、後述する導電パターンＣとの接続信頼性が高い、銀繊維がより好ましい。

【0031】

パターン加工をする前の、透明電極層の形成方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法又はコーティング法が挙げられる。

【0032】

透明電極層Ｂの厚さは、良好な導電性及び可視光透過性を両立させるため、０．０１〜１．５μｍが好ましい。また透明電極層Ｂの可視光透過率は、樹脂層Ａと同様の理由から、８０％以上であることが好ましい。

【0033】

樹脂層Ａ及び透明電極層Ｂの表面に塗布される組成物Ｃは、導電性粒子、及び、二重結合とカルボキシル基とを有する樹脂（ｃ）（以下、「樹脂（ｃ）」）を含有する。

【0034】

組成物Ｃが含有する導電性粒子としては、銀、金、銅、白金、鉛、スズ、ニッケル、アルミニウム、タングステン、モリブデン、クロム、チタン若しくはインジウム又はこれら金属の合金が挙げられるが、導電性高い銀、金又は銅が好ましく、安定性が高くかつ価格面でも有利な、銀がより好ましい。

【0035】

導電性粒子の形状としては、長軸長を短軸長で除した値であるアスペクト比が、１．０〜３．０であることが好ましく、１．０〜２．０であることがより好ましい。導電性粒子のアスペクト比が１．０以上であると、導電性粒子同士の接触確率が、より高まることになる。一方で、導電性粒子のアスペクト比が２．０以下であると、後述する露光工程において露光光が遮蔽されにくく、現像マージンが広くなる。導電性粒子のアスペクト比は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）又は透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で導電性粒子を観察し、無作為に１００個の導電性粒子の一次粒子を選択して、それぞれの長軸長及び短軸長を測定し、両者の平均値からアスペクト比を求めることで決定することができる。

【0036】

導電性粒子の粒径は、０．３〜２．０μｍが好ましく、０．５〜１．５μｍがより好ましい。組成物Ｃを樹脂層Ａ上に塗布すると、組成物Ｃが含有する成分によって樹脂層Ａが膨潤して、導電性粒子が樹脂層Ａ中に取り込まれ、残渣が発生し易くなる。ここで導電性粒子の粒径が０．３μｍ以上であると、樹脂層Ａ中に取り込まれた導電性粒子が後述する現像工程において露出し易く、その洗い流しが可能となり、その結果として、イオンマイグレーション耐性が向上する。一方で、導電性粒子の粒径が２．０μｍ以下であると、得られる導電パターンＣの直進性が高くなる。上記のような残渣抑制効果を得るため、本発明の導電パターン形成部材の製造方法においては、組成物Ｃが含有する導電性粒子に占める粒径０．３〜２．０μｍの粒子の割合が、８０％以上であることが必要であり、９０％以上であることが好ましい。

【0037】

導電性粒子の粒径は、電子顕微鏡で導電性粒子を観察し、無作為に２０個の導電性粒子の一次粒子を選択して、それぞれの最大幅を測定し、それらの平均値を求めることで算出することができる。また、組成物Ｃが含有する導電性粒子に占める粒径０．３〜２．０μｍの粒子の割合は、電子顕微鏡で導電性粒子を観察し、無作為に１００個の導電性粒子の一次粒子を選択して、それぞれの最大幅を測定し、最大幅が０．３〜２．０μｍの範囲にあった一次粒子の割合から決定することができる。

【0038】

また、導電パターンＣが含有する導電性粒子の粒径は、採取した導電パターンＣをテトラヒドロフラン（以下、「ＴＨＦ」）に溶解し、沈降した導電性粒子を回収し、ボックスオーブンを用いて７０℃で１０分間乾燥をしたものについて、上記と同様に算出することができる。

【0039】

組成物Ｃの固形分に占める導電性粒子の割合は、６０〜９５質量％が好ましい。導電性粒子の割合が６０質量％以上であると、導電性粒子同士の接触確率が高まり、得られる導電パターンＣの抵抗値を安定化することができる。一方で、導電性粒子の割合が９５質量％以下であると、後述する露光工程において露光光が遮蔽されにくく、現像マージンが広くなる。ここで固形分とは、溶剤を除く、組成物Ｃの全成分をいう。

【0040】

組成物Ｃが含有する樹脂（ｃ）としては、例えば、アクリル系共重合体又はエポキシカルボキシレート化合物が挙げられる。得られる導電パターンＣの密着性を高めるため、エポキシカルボキシレート化合物が好ましい。

【0041】

二重結合とカルボキシル基とを有するアクリル系共重合体は、アクリル系モノマー及びカルボキシル基と不飽和二重結合とを有する不飽和酸を共重合成分として、共重合させることにより得られる。不飽和酸としては、例えば、ＡＡ、メタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸若しくは酢酸ビニル又はこれらの酸無水物が挙げられる。共重合成分として用いる不飽和酸の多少により、得られるアクリル系共重合体の酸価を調整することができる。

【0042】

樹脂（ｃ）の酸価は、樹脂（ａ）と同様であることが好ましい。また樹脂（ｃ）の酸価は、樹脂（ａ）と同様に測定することができる。

【0043】

組成物Ｃは、光重合開始剤を含有しても構わない。光重合開始剤としては、例えば、１，２−オクタンジオン−１−［４−（フェニルチオ）−２−（Ｏ−ベンゾイルオキシム）］、２，４，６−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−ホスフィンオキサイド、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルホスフィンオキサイド、エタノンー１−［９−エチル−６−２（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、ベンゾフェノン、ｏ−ベンゾイル安息香酸メチル、４，４’−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４’−ジクロロベンゾフェノン、４−ベンゾイル−４’−メチルジフェニルケトン、ジベンジルケトン、フルオレノン、２，２’−ジエトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェノン、ｐ−ｔ−ブチルジクロロアセトフェノン、チオキサントン、２−メチルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジル、ベンジルジメチルケタール、ベンジル−β−メトキシエチルアセタール、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインブチルエーテル、アントラキノン、２−ｔ−ブチルアントラキノン、２−アミルアントラキノン、β−クロルアントラキノン、アントロン、ベンズアントロン、ジベンゾスベロン、メチレンアントロン、４−アジドベンザルアセトフェノン、２，６−ビス（ｐ−アジドベンジリデン）シクロヘキサノン、６−ビス（ｐ−アジドベンジリデン）−４−メチルシクロヘキサノン、１−フェニル−１，２−ブタンジオン−２−（Ｏ−メトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−プロパンジオン−２−（Ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−プロパンジオン−２−（Ｏ−ベンゾイル）オキシム、１，３−ジフェニル−プロパントリオン−２−（Ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−３−エトキシ−プロパントリオン−２−（Ｏ−ベンゾイル）オキシム、ミヒラーケトン、２−メチル−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノ−１−プロパノン、ナフタレンスルホニルクロライド、キノリンスルホニルクロライド、Ｎ−フェニルチオアクリドン、４，４’−アゾビスイソブチロニトリル、ジフェニルジスルフィド、ベンズチアゾールジスルフィド、トリフェニルホスフィン、カンファーキノン、２，４−ジエチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、四臭化炭素、トリブロモフェニルスルホン、過酸化ベンゾイン、エオシン、又は、メチレンブルー等の光還元性色素と、アスコルビン酸若しくはトリエタノールアミン等の還元剤との組み合わせが挙げられるが、光感度の高い、オキシムエステル系化合物が好ましい。

【0044】

光重合開始剤の添加量は、樹脂（ｃ）１００質量部に対して、０．０５〜３０質量部が好ましい。光重合開始剤の添加量が０．０５質量部以上であると、露光部の硬化密度が増加して、現像後の残膜率を高くすることができる。一方で、光重合開始剤の添加量が３０質量部以下であると、組成物Ｃを塗布して得られた塗布膜Ｃの上部での、光重合開始剤による過剰な光吸収が抑制される。その結果、得られる導電パターンＣが逆テーパー形状となることによる、樹脂層Ａとの密着性低下が抑制される。

【0045】

組成物Ｃは光重合開始剤と共に、増感剤を含有しても構わない。

【0046】

増感剤としては、例えば、２，４−ジエチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、２，３−ビス（４−ジエチルアミノベンザル）シクロペンタノン、２，６−ビス（４−ジメチルアミノベンザル）シクロヘキサノン、２，６−ビス（４−ジメチルアミノベンザル）−４−メチルシクロヘキサノン、ミヒラーケトン、４，４−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４−ビス（ジメチルアミノ）カルコン、４，４−ビス（ジエチルアミノ）カルコン、ｐ−ジメチルアミノシンナミリデンインダノン、ｐ−ジメチルアミノベンジリデンインダノン、２−（ｐ−ジメチルアミノフェニルビニレン）イソナフトチアゾール、１，３−ビス（４−ジメチルアミノフェニルビニレン）イソナフトチアゾール、１，３−ビス（４−ジメチルアミノベンザル）アセトン、１，３−カルボニルビス（４−ジエチルアミノベンザル）アセトン、３，３−カルボニルビス（７−ジエチルアミノクマリン）、Ｎ−フェニル−Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ−フェニルエタノールアミン、Ｎ−トリルジエタノールアミン、ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、ジエチルアミノ安息香酸イソアミル、３−フェニル−５−ベンゾイルチオテトラゾール又は１−フェニル−５−エトキシカルボニルチオテトラゾールが挙げられる。

【0047】

増感剤の添加量は、樹脂（ｃ）１００質量部に対して０．０５〜１０質量部が好ましい。増感剤の添加量が０．０５質量部以上であると、光感度が向上する。一方で、増感剤の添加量が１０質量部以下であると、導電ペーストを塗布して得られた塗布膜Ｃ上部での、過剰な光吸収が抑制される。その結果、製造された導電パターンＣが逆テーパー形状となることによる、樹脂層Ａとの密着性低下が抑制される。

【0048】

組成物Ｃは、溶剤を含有しても構わない。溶剤としては、樹脂（ｃ）の溶解性が高く、かつ溶剤の揮発による塗布ムラの生じにくい、沸点２００℃以上のアルコール系溶剤が好ましい。沸点２００℃以上のアルコール系溶剤としては、例えば、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、１，３−ブタンジオール、グリセリン、ベンジルアルコール、ジプロピレングリコール、１，４−ブタンジオール、オクタンジオール、２，２，４−トリメチル１，３−ペンタンジオールモノイソブチレート、エチレングリコールモノ−２−エチルヘキシルエーテル、２，４−ジエチル−１，５−ペンタンジオール、２−ブチル−２−エチル−１，３−プロパンジオール、３，５，５−トリメチル−１−ヘキサノール、イソデカノール、イソトリデカノール又はエチレングリコールモノヘキシルエーテルが挙げられる。

【0049】

溶剤の添加量は、樹脂（ｃ）１００質量部に対して１０〜２００質量部が好ましい。溶剤の添加量が１０質量部以上であると、組成物Ｃの塗布膜の膜厚を均一に制御し易い。一方で、溶剤の添加量が２００質量部以下であると、組成物Ｃの保管中に生じる導電性粒子の沈降を抑制できる。

【0050】

組成物Ｃは、エポキシ樹脂を含有しても構わない。エポキシ樹脂としては、例えば、エチレングリコール変性エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、臭素化エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂又は複素環式エポキシ樹脂が挙げられる。得られる導電パターンＣの樹脂層Ａへの密着性を高めるため、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂又は水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂が好ましく、露光光の透過性が高い、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂がより好ましい。

【0051】

エポキシ樹脂の添加量は、樹脂（ｃ）１００質量部に対して０．０５〜２０質量部エポキシ樹脂の添加量が０．０５質量部以上であると、得られる導電パターンＣと、樹脂層Ａとの密着性を高めることができる。一方で、エポキシ樹脂の添加量が２０質量部以下であると、露光膜Ｃの現像液に対する溶解性が良好となる。

【0052】

組成物Ｃを塗布する方法としては、例えば、スピナーを用いた回転塗布、スプレー塗布、ロールコーティング、スクリーン印刷又はブレードコーター、ダイコーター、カレンダーコーター、メニスカスコーター若しくはバーコーターを用いた塗布が挙げられる。

【0053】

本発明の導電パターン形成部材の製造方法が備える乾燥工程は、塗布膜Ｃを乾燥して、乾燥膜Ｃを得る工程である。

【0054】

得られる乾燥膜Ｃの膜厚は、１〜２０μｍが好ましい。乾燥膜Ｃの膜厚は、触針式段差計（例えばサーフコム（登録商標）１４００；（株）東京精密製）を用いて測定することができる。より具体的には、無作為に選んだ３つの位置の膜厚を触針式段差計（測長：１ｍｍ、走査速度：０．３ｍｍ／ｓｅｃ）でそれぞれ測定し、それらの平均値を乾燥膜Ｃの膜厚とすることができる。

【0055】

塗布膜Ｃを乾燥する方法としては、例えば、ボックスオーブン、ホットプレート若しくは赤外線等による加熱乾燥又は真空乾燥が挙げられる。加熱の温度は５０〜８０℃が好ましく、６０〜８０℃がより好ましい。加熱の温度が５０℃以上であると、乾燥膜Ｃが含有する溶剤等の量が十分に少なくなり、現像マージンが広くなる。一方で、加熱の温度が８０℃以下であると、樹脂層Ａが膨潤しづらく、樹脂層Ａ中に取り込まれる導電性粒子が減ることで、現像工程における残渣が発生しにくくなる。なお加熱の時間は、１分〜数時間が好ましい。ここで、加熱の温度とは、Ｋ熱電対において基板表面を測定した温度をいう。

【0056】

本発明の導電パターン形成部材の製造方法が備える露光工程は、塗布膜Ｃを露光して、乾燥膜Ｃを得る工程である。

【0057】

露光の光源としては、例えば、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ又はｉ線（３６５ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）若しくはｇ線（４３６ｎｍ）を発するＬＥＤが挙げられる。露光の方法としては、例えば、真空吸着露光、プロキシ露光、プロジェクション露光又は直描露光が挙げられる。

【0058】

本発明の導電パターン形成部材の製造方法が備える現像工程は、露光膜Ｃを現像して未露光部を溶解除去して所望のパターンＣを得る工程である。

【0059】

アルカリ現像を行う場合の現像液としては、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム、ジエタノールアミン、ジエチルアミノエタノール、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、トリエチルアミン、ジエチルアミン、メチルアミン、ジメチルアミン、酢酸ジメチルアミノエチル、ジメチルアミノエタノール、ジメチルアミノエチルメタクリレート、シクロヘキシルアミン、エチレンジアミン又はヘキサメチレンジアミンの水溶液が挙げられる。これらの水溶液に、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド若しくはγ−ブチロラクトン等の極性溶媒、メタノール、エタノール若しくはイソプロパノール等のアルコール類、乳酸エチル若しくはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のエステル類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、イソブチルケトン若しくはメチルイソブチルケトン等のケトン類又は界面活性剤を添加しても構わない。

【0060】

有機現像を行う場合の現像液としては、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−アセチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド若しくはヘキサメチルホスホルトリアミド等の極性溶媒又はこれら極性溶媒とメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、キシレン、水、メチルカルビトール若しくはエチルカルビトールとの混合溶液が挙げられる。

【0061】

現像の方法としては、例えば、基材を静置又は回転させながら現像液を露光膜Ｃの表面にスプレーする方法、現像液を吐出するノズルが多数配置された現像槽の中を、基材をコンベアで通過させる方法、現像液中に浸漬する方法、又は、基材を現像液中に浸漬しながら超音波をかける方法が挙げられる。大面積を均一に現像するという観点からは、現像槽の中を、基材をコンベアで通過させる現像が好ましい。その場合、ノズルから吐出される現像液の圧力は、０．０２〜０．２ＭＰａが好ましい。現像液の圧力が０．０２ＭＰａ以上であると、打力により樹脂層Ａ中に取り込まれた導電性粒子を除去し易くなる。一方で、現像液の圧力が０．２ＭＰａ以下であると、得られるパターンＣの樹脂層Ａに対する密着性が悪化しづらい。 現像工程で得られたパターンＣは、リンス液によるリンス処理を施しても構わない。ここでリンス液としては、例えば、水あるいは水にエタノール若しくはイソプロピルアルコール等のアルコール類又は乳酸エチル若しくはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のエステル類を加えた水溶液が挙げられる。

【0062】

本発明の導電パターン形成部材の製造方法が備えるキュア工程は、パターンＣをキュアして導電パターンＣを得る工程である。

【0063】

キュアの温度は、１００〜３００℃が好ましく、１２０〜１８０℃がより好ましい。キュアの温度が１００℃未満であると、樹脂（ｃ）の体積収縮量が大きくならず、得られる導電パターンＣの比抵抗が十分に低くならない。一方で、キュアの温度が３００℃を超えると、耐熱性が低い基材等の上に、導電パターンを形成することができない。

【0064】

キュアの方法としては、例えば、オーブン、イナートオーブン又はホットプレートによる加熱乾燥、紫外線ランプ、赤外線ヒーター、ハロゲンヒーター若しくはキセノンフラッシュランプ等の電磁波、又は、マイクロ波による加熱乾燥、あるいは、真空乾燥が挙げられる。加熱により、得られる導電パターンＣの硬度が高まり、他の部材との接触による欠けや剥がれ等を抑制することができ、さらには樹脂層Ａとの密着性を向上させることができる。

【0065】

イオンマイグレーション耐性をより向上させるため、樹脂層Ａの酸価ＳＡと、導電パターンＣの有機成分酸価ＳＣとの差（ＳＡ−ＳＣの値）は、２０〜１５０ｍｇＫＯＨ／ｇであることが好ましく、３０〜１００ｍｇＫＯＨ／ｇであることがより好ましく、４０〜９０ｍｇＫＯＨ／ｇであることがさらに好ましい。得られる導電パターンＣは、カルボキシル基を有する樹脂（ｃ）に起因して吸湿性が高く、その影響で導電性粒子を起点とするイオンマイグレーション現象が起こりやすい。しかしながら、ＳＡ−ＳＣの値が２０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上であると、水分を樹脂層Ａが優先的に吸湿するため、導電パターンＣの吸湿が抑制され、結果として導電パターン形成部材のイオンマイグレーション耐性を向上させることができる。一方で、ＳＡ−ＳＣの値が１５０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であると、樹脂層Ａと導電パターンＣとがそれぞれ含有する、樹脂（ａ）及び樹脂（ｃ）のカルボキシル基同士の水素結合量を増やすことができ、樹脂層Ａと導電パターンＣとの密着性を向上させることができる。

【0066】

ＳＡの値は、採取した１質量部の樹脂層Ａを、１００質量部のＴＨＦに溶解し、該溶液をフェノールフタレイン液を指示薬として０．１ｍｏｌ／Ｌ水酸化カリウム溶液で滴定して、算出することができる。

【0067】

ＳＣの値は、まず、採取した１質量部の導電パターンＣを、１０質量部のＴＨＦに溶解し、フィルター等で導電粒子を除去後、該溶液をフェノールフタレイン液を指示薬として０．１ｍｏｌ／Ｌ水酸化カリウム溶液で滴定して導電パターンＣの酸価を算出することができる。
なお組成物Ｃにエポキシ樹脂が含有されている場合、キュア工程でカルボキシル基と反応し、導電パターンＣの有機成分酸価を下げることができる。

【0068】

本発明の導電パターン形成部材は、マイグレーションの抑制を目的に、ベンゾトリアゾール系化合物またはイソボルニル骨格を有するＯＣＡ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｌｅａｒ Ａｄｈｅｓｉｖｅ）層Ｄで被覆できる。

【0069】

ベンゾトリアゾール系化合物としては１Ｈ−ベンゾトリアゾール（１，２，３−ベンゾトリアゾール）、４−メチルベンゾトリアゾール、５−メチルベンゾトリアゾール、ベンゾトリアゾール−１−メチルアミン、４−メチルベンゾトリアゾール−１−メチルアミン、５−メチルベンゾトリアゾール−１−メチルアミン、Ｎ−メチルベンゾトリアゾール−１−メチルアミン、Ｎ−エチルベンゾトリアゾール−１−メチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルベンゾトリアゾール−１−メチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルベンゾトリアゾール−１−メチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジプロピルベンゾトリアゾール−１−メチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルベンゾトリアゾール−１−メチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジヘキシルベンゾトリアゾール−１−メチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジオクチルベンゾトリアゾール−１−メチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−４−ベンゾトリアゾール−１−メチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−５−ベンゾトリアゾール−１−メチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチル−４−ベンゾトリアゾール−１−メチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチル−５−ベンゾトリアゾール−１−メチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジプロピル−４−ベンゾトリアゾール−１−メチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジプロピル−５−ベンゾトリアゾール−１−メチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチル−４−ベンゾトリアゾール−１−メチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチル−５−ベンゾトリアゾール−１−メチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジヘキシル−４−ベンゾトリアゾール−１−メチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジヘキシル−５−ベンゾトリアゾール−１−メチルアミンなどが挙げられる。

【0070】

イソボルニル骨格を有する化合物としてはイソボルニルアセテート、イソボルニルアクリレート、イソボルニルメタクリレート、イソボルニルシクロヘキサノールなどが挙げられ、これら化合物をアクリル共重合体の構成成分の一つとして含有してもよい。

【0071】

ＯＣＡ層Ｄを形成するためのＯＣＡ材は上記化合物を含有する粘着剤を離型処理された基材の上に塗工し、乾燥することで得られる。得られたＯＣＡ材を熱ラミネーター等で熱圧着することでＯＣＡ層Ｄを形成することができる。

【0072】

本発明のタッチパネルは、本発明の製造方法により製造された導電パターン形成部材を具備する。より具体的には、本発明の製造方法により製造された導電パターン形成部材は、タッチパネル用の部材として好適に用いられる。タッチパネルの方式としては、例えば、抵抗膜式、光学式、電磁誘導式又は静電容量式が挙げられるが、静電容量式タッチパネルは特に微細な配線が求められることから、本発明の導電パターン形成部材がより好適に用いられる。本発明の製造方法により製造された導電パターンＣをその周囲配線として備え、かつ該周囲配線が５０μｍピッチ（配線幅＋配線間幅）以下であるタッチパネルにおいては、額縁幅を細くでき、ビューエリアを広くすることができる。

【実施例】

【0073】

以下に本発明を実施例及び比較例を挙げて詳細に説明するが、本発明の態様はこれらに限定されるものではない。

【0074】

各実施例及び比較例で用いた材料は、以下のとおりである。

【0075】

［樹脂（ａ）］
（合成例１）
共重合比率（質量基準）：ＥＡ／メタクリル酸２−エチルヘキシル（以下、「２−ＥＨＭＡ」）／ＢＡ／Ｎ−メチロールアクリルアミド（以下、「ＭＡＡ」）／ＡＡ＝２０／４０／２０／５／１５
窒素雰囲気の反応容器中に、１５０ｇのジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート（以下、「ＤＭＥＡ」）を仕込み、オイルバスを用いて８０℃まで昇温した。これに、２０ｇのＥＡ、４０ｇの２−ＥＨＭＡ、２０ｇのＢＡ、５ｇのＭＡＡ、１５ｇのＡＡ、０．８ｇの２，２’−アゾビスイソブチロニトリル及び１０ｇのＤＭＥＡからなる混合物を、１時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに６時間重合反応を行った。その後、１ｇのハイドロキノンモノメチルエーテルを添加して、重合反応を停止した。得られた反応溶液をメタノールで精製することで未反応不純物を除去し、さらに２４時間真空乾燥することで、樹脂（ａ−１）を得た。得られた樹脂（ａ−１）の酸価は１０３ｍｇＫＯＨ／ｇであった。

【0076】

（合成例２）
共重合比率（質量基準）：ＥＡ／２−ＥＨＭＡ／ＢＡ／ＭＡＡ／ＡＡ＝２０／２０／２０／１５／２５
窒素雰囲気の反応容器中に、１５０ｇのＤＭＥＡを仕込み、オイルバスを用いて８０℃まで昇温した。これに、２０ｇのＥＡ、２０ｇの２−ＥＨＭＡ、２０ｇのＢＡ、５ｇのＭＡＡ、２５ｇのＡＡ、０．８ｇの２，２’−アゾビスイソブチロニトリル及び１０ｇのＤＭＥＡからなる混合物を、１時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに６時間重合反応を行った。その後、１ｇのハイドロキノンモノメチルエーテルを添加して、重合反応を停止した。得られた反応溶液をメタノールで精製することで未反応不純物を除去し、さらに２４時間真空乾燥することで、樹脂（ａ−２）を得た。得られた樹脂（ａ−２）の酸価は１５３ｍｇＫＯＨ／ｇであった。

【0077】

（合成例３）
共重合比率（質量基準）：ＥＡ／２−ＥＨＭＡ／ＢＡ／ＭＡＡ／ＡＡ＝３０／２０／１０／２５／１５
窒素雰囲気の反応容器中に、１５０ｇのＤＭＥＡを仕込み、オイルバスを用いて８０℃まで昇温した。これに、３０ｇのＥＡ、２０ｇの２−ＥＨＭＡ、１０ｇのＢＡ、２５ｇのＭＡＡ、１５ｇのＡＡ、０．８ｇの２，２’−アゾビスイソブチロニトリル及び１０ｇのＤＭＥＡからなる混合物を、１時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに６時間重合反応を行った。その後、１ｇのハイドロキノンモノメチルエーテルを添加して、重合反応を停止した。得られた反応溶液をメタノールで精製することで未反応不純物を除去し、さらに２４時間真空乾燥することで、樹脂（ａ−３）を得た。得られた樹脂（ａ−３）の酸価は１０１ｍｇＫＯＨ／ｇであった。

【0078】

（合成例４）
共重合比率（質量基準）：ＥＡ／２−ＥＨＭＡ／ＢＡ／グリシジルメタクリレート（以下、「ＧＭＡ」）／ＡＡ＝２０／４０／２０／５／１５
窒素雰囲気の反応容器中に、１５０ｇのＤＭＥＡを仕込み、オイルバスを用いて８０℃まで昇温した。これに、２０ｇのＥＡ、４０ｇの２−ＥＨＭＡ、２０ｇのＢＡ、１５ｇのＡＡ、０．８ｇの２，２’−アゾビスイソブチロニトリル及び１０ｇのＤＭＥＡからなる混合物を、１時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに６時間重合反応を行った。その後、１ｇのハイドロキノンモノメチルエーテルを添加して、重合反応を停止した。引き続き、５ｇのＧＭＡ、１ｇのトリエチルベンジルアンモニウムクロライド及び１０ｇのＤＭＥＡからなる混合物を、０．５時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに２時間付加反応を行った。得られた反応溶液をメタノールで精製することで未反応不純物を除去し、さらに２４時間真空乾燥することで、樹脂（ａ−４）を得た。得られた樹脂（ａ−４）の酸価は１０７ｍｇＫＯＨ／ｇであった
［樹脂（ｃ）］
（合成例５）
共重合比率（質量基準）：ＥＡ／２−ＥＨＭＡ／スチレン（以下、「Ｓｔ」）／グリシジルメタクリレート（以下、「ＧＭＡ」）／ＡＡ＝２０／４０／２５／５／１０
窒素雰囲気の反応容器中に、１５０ｇのＤＭＥＡを仕込み、オイルバスを用いて８０℃まで昇温した。これに、２０ｇのＥＡ、４０ｇの２−ＥＨＭＡ、２５ｇのＳｔ、１０ｇのＡＡ、０．８ｇの２，２’−アゾビスイソブチロニトリル及び１０ｇのＤＭＥＡからなる混合物を、１時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに６時間重合反応を行った。その後、１ｇのハイドロキノンモノメチルエーテルを添加して、重合反応を停止した。引き続き、５ｇのＧＭＡ、１ｇのトリエチルベンジルアンモニウムクロライド及び１０ｇのＤＭＥＡからなる混合物を、０．５時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに２時間付加反応を行った。得られた反応溶液をメタノールで精製することで未反応不純物を除去し、さらに２４時間真空乾燥することで、樹脂（ｃ−１）を得た。得られた樹脂（ｃ−１）の酸価は７３ｍｇＫＯＨ／ｇであった。

【0079】

（合成例６）
共重合比率（質量基準）：エチレンオキサイド変性ビスフェノールＡジアクリレート（ＦＡ−３２４Ａ；日立化成工業（株）製）／ＥＡ／ＧＭＡ／ＡＡ＝６０／２０／５／１５
窒素雰囲気の反応容器中に、１５０ｇのＤＭＥＡを仕込み、オイルバスを用いて８０℃まで昇温した。これに、６０ｇのエチレンオキサイド変性ビスフェノールＡジアクリレート、２０ｇのＥＡ、１５ｇのＡＡ、０．８ｇの２，２’−アゾビスイソブチロニトリル及び１０ｇのＤＭＥＡからなる混合物を、１時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに６時間重合反応を行った。その後、１ｇのハイドロキノンモノメチルエーテルを添加して、重合反応を停止した。引き続き、５ｇのＧＭＡ、１ｇのトリエチルベンジルアンモニウムクロライド及び１０ｇのＤＭＥＡからなる混合物を、０．５時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに２時間付加反応を行った。得られた反応溶液をメタノールで精製することで未反応不純物を除去し、さらに２４時間真空乾燥することで、樹脂（ｃ−２）を得た。得られた樹脂（ｃ−２）の酸価は１０４ｍｇＫＯＨ／ｇであった。

【0080】

（合成例７）
窒素雰囲気の反応溶液中に、４９２．１ｇのカルビトールアセテート、８６０．０ｇのＥＯＣＮ−１０３Ｓ（日本化薬（株）製；クレゾールノボラック型エポキシ樹脂；エポキシ当量：２１５．０ｇ／当量）、２８８．３ｇのＡＡ、４．９２ｇの２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クレゾール及び４．９２ｇのトリフェニルホスフィンを仕込み、９８℃の温度で反応液の酸価が０．５ｍｇ・ＫＯＨ／ｇ以下になるまで反応させ、エポキシカルボキシレート化合物を得た。引き続き、この反応液に１６９．８ｇのカルビトールアセテート及び２０１．６ｇのテトラヒドロ無水フタル酸を仕込み、９５℃で４時間反応させ、樹脂（ｃ−３）を得た。得られた樹脂（ｃ−３）の酸価は１０４ｍｇＫＯＨ／ｇであった。

【0081】

（合成例８）
窒素雰囲気の反応容器中に、３６８．０ｇのＲＥ−３１０Ｓ（日本化薬（株）製；エポキシ当量：１８４．０ｇ／当量）、１４１．２ｇのＡＡ、１．０２ｇのハイドロキノンモノメチルエーテル及び１．５３ｇのトリフェニルホスフィンを仕込み、９８℃の温度で反応液の酸価が０．５ｍｇＫＯＨ／ｇ以下になるまで反応させ、エポキシカルボキシレート化合物を得た。その後、この反応溶液に７５５．５ｇのカルビトールアセテート、２６８．３ｇの２，２−ビス（ジメチロール）−プロピオン酸、１．０８ｇの２−メチルハイドロキノン及び１４０．３ｇのスピログリコールを加え、４５℃に昇温した。この溶液に４８５．２ｇのトリメチルヘキサメチレンジイソシアネートを、反応温度が６５℃を超えないように徐々に滴下した。滴下終了後、反応温度を８０℃に上昇させ、赤外吸収スペクトル測定法により、２２５０ｃｍ^−１付近の吸収がなくなるまで６時間反応させ、樹脂（ｃ−４）を得た。得られた樹脂（ｃ−４）の酸価は８０．０ｍｇＫＯＨ／ｇであった。

【0082】

（合成例９）
窒素雰囲気の反応容器に、３００ｇのデナコールＥＸ−２０３（ナガセケムテックス（株）製）のアクリル酸付加物（分子量：３６８）、５００ｇのＤＭＥＡ、０．５ｇの２−メチルハイドロキノン及び２００ｇの２，２−ビス（ヒドロキシメチル）プロピオン酸を仕込み、４５℃に昇温した。この溶液に２０１．３ｇのトルエンジイソシアネートを、反応温度が５０℃を超えないように徐々に滴下した。滴下終了後、反応温度を８０℃に上昇させ、赤外吸収スペクトル測定法により、２２５０ｃｍ^−１付近の吸収がなくなるまで６時間反応させた。この溶液に１２０ｇのＧＭＡを加え、９５℃に昇温して６時間反応させ、樹脂（ｃ−５）を得た。得られた化合物（ｃ−５）の酸価は８３ｍｇＫＯＨ／ｇであった。

【0083】

［光重合開始剤］
・ＩＲＧＡＣＵＲＥ（登録商標）ＯＸＥ−０１（以下、「ＯＸＥ−０１」；チバジャパン（株）製）
・ＩＲＧＡＣＵＲＥ（登録商標）３６９（以下、「ＩＣ−３６９」；チバジャパン（株）製）
［モノマー］
・ライトアクリレートＭＰＤ−Ａ（以下、「ＭＰＤ−Ａ」；共栄社化学（株）製）
［アルコール系溶剤］
・ジエチレングリコール（以下、「ＤＥＧ」）
［エポキシ樹脂］
・ｊＥＲ（登録商標）８２８（以下、「８２８」；三菱化学（株）製）
・ｊＥＲ（登録商標）ＹＸ−８０００（以下、「ＹＸ−８０００」；三菱化学（株）製）
［透明電極材料］
・ＩＴＯ（酸化インジウム９７質量％、酸化スズ３質量％）
・銀繊維（線径５ｎｍ、線長５μｍ）
［ＯＣＡ（ｄ）］
（合成例１０）
窒素雰囲気の反応容器中に、１５０ｇの酢酸エチルを仕込み、オイルバスを用いて８０℃まで昇温した。これに、５０．０ｇのＥＡ、１０．０ｇの２−ヒドロキシエチルアクリレート、０．８ｇの２，２’−アゾビスイソブチロニトリル及び１０ｇの酢酸エチルからなる混合物を、１時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに６時間重合反応を行った。その後、１ｇのハイドロキノンモノメチルエーテルを添加して、重合反応を停止した。
次に上記アクリル共重合体溶液に１ｇの１，２，３−ベンゾトリアゾールを添加し、樹脂固形分が３０％になるように酢酸エチルで希釈し、そこへ１．２ｇのデュラネートＰ３０１−７５Ｅ（旭化成（株）製；固形分７５％）を添加したものを片面を離型処理された５０μｍのＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚さが２５μｍになるように塗工して、７５℃で５分間乾燥することでＯＣＡ（ｄ−１）を得た。

【0084】

（合成例１１）
窒素雰囲気の反応容器中に、１５０ｇの酢酸エチルを仕込み、オイルバスを用いて８０℃まで昇温した。これに、５０．０ｇのイソボルニルメタクリレート、１０．０ｇの２−ヒドロキシエチルアクリレート、０．８ｇの２，２’−アゾビスイソブチロニトリル及び１０ｇの酢酸エチルからなる混合物を、１時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに６時間重合反応を行った。その後、１ｇのハイドロキノンモノメチルエーテルを添加して、重合反応を停止した。
次に上記アクリル共重合体溶液を酢酸エチルで樹脂固形分が３０％になるように希釈し、そこへ１．２ｇのデュラネートＰ３０１−７５Ｅ（旭化成（株）製；固形分７５％）を添加したものを片面を離型処理された５０μｍのＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚さが２５μｍになるように塗工して、７５℃で５分間乾燥することでＯＣＡ（ｄ−２）を得た。

【0085】

（合成例１２）
窒素雰囲気の反応容器中に、１５０ｇの酢酸エチルを仕込み、オイルバスを用いて８０℃まで昇温した。これに、５０．０ｇのイソボルニルメタクリレート、１０．０ｇの２−ヒドロキシエチルアクリレート、０．８ｇの２，２’−アゾビスイソブチロニトリル及び１０ｇの酢酸エチルからなる混合物を、１時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに６時間重合反応を行った。その後、１ｇのハイドロキノンモノメチルエーテルを添加して、重合反応を停止した。
次に上記アクリル共重合体溶液に１ｇの１，２，３−ベンゾトリアゾールを添加し、樹脂固形分が３０％になるように酢酸エチルで希釈し、そこへ１．２ｇのデュラネートＰ３０１−７５Ｅ（旭化成（株）製；固形分７５％）を添加したものを片面を離型処理された５０μｍのＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚さが２５μｍになるように塗工して、７５℃で５分間乾燥することでＯＣＡ（ｄ−３）を得た。

【0086】

（実施例１）
＜樹脂層Ａの形成＞
基材として、厚さ３０μｍの二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムを用意した。基材の片面に、樹脂（ａ−１）、ＭＰＤ−Ａ及びＯＸＥ−０１がそれぞれ１００：５０：１の割合で混合された組成物Ａ１を塗布し、熱処理及び乾燥をして、厚さが４μｍの樹脂層Ａ１を形成した。
＜透明電極層Ｂの形成＞
樹脂層Ａの表面に、ＩＴＯの焼結体ターゲットを備えたスパッタ装置を用いて、ＩＴＯからなる厚さ２２ｎｍのＩＴＯ薄膜を形成した。
＜ＩＴＯ薄膜のパターン加工＞
ＩＴＯ薄膜にフォトマスクを密着させ、超高圧水銀ランプを有する露光機で２００ｍＪ／ｃｍ^２の露光量で樹脂層Ａ１及びＩＴＯ薄膜を露光し、さらにフォトマスクを介すことなく、２００ｍＪ／ｃｍ^２の露光量で樹脂層Ａ１及びＩＴＯ薄膜を全面露光した露光後、３０℃の１質量％炭酸ナトリウム水溶液で３０秒間スプレー現像し、樹脂層Ａ１上にパターン加工された透明電極層Ｂ１を形成した。
＜組成物Ｃの調製＞
１００ｍＬクリーンボトルに、１０．０ｇの化合物（Ｃ−１）、２．０ｇのＩＣ−３６９及び５．０ｇのジエチエングリコールを入れ、自転−公転真空ミキサー“あわとり錬太郎”（登録商標）ＡＲＥ−３１０（（株）シンキー製）で混合して、１７．０ｇの樹脂溶液Ｃ１（固形分７０．１質量％）を得た。
得られた１７．０ｇの樹脂溶液Ｃ１、６８．０ｇの銀粒子を混ぜ合わせ、３本ローラーミル（ＥＸＡＫＴ Ｍ−５０；ＥＸＡＫＴ社製）を用いて混練し、８５．０ｇの組成物Ｃ１を得た。
＜導電パターン形成部材の製造＞
樹脂層Ａ１及びパターン加工された透明電極層Ｂ１の表面に、組成物Ｃ１をスクリーン印刷機で乾燥膜Ｃ１の膜厚が５μｍになるように塗布し、７０℃で１０分間乾燥後、所定のフォトマスクを介して超高圧水銀ランプを有する露光機で３００ｍＪ／ｃｍ^２の露光量で露光し、０．２質量％炭酸ナトリウム水溶液を０．１ＭＰａの圧力で３０秒間スプレー現像した後、１４０℃で６０分間キュアを行い、導電パターン形成部材１を製造した。

【0087】

導電パターン形成部材１の樹脂層Ａ１の酸価ＳＡは９８ｍｇＫＯＨ／ｇ、導電パターンＣ１の有機成分酸価ＳＣは５５ｍｇＫＯＨ／ｇであり、ＳＡ−ＳＣの値は、４３ｍｇＫＯＨ／ｇであった。
＜残渣の評価＞
図３に示す導電パターンＣ１を形成した導電パターン形成部材１について、未露光部分の全光線透過率Ｔを、ＮＤＨ−７０００ＳＰ（日本電色工業（株）製）を用いて、ＪＩＳ Ｋ７３６１−１に準じて測定した。一方で、組成物Ｃを塗布していない部位の（樹脂層Ａ単独の）全光線透過率Ｔ_０を、同様に測定し、Ｔ_０に対するＴの低下率を算出して、以下の判断基準に基づき良／不良の別を判断した。結果を表２に示す。
低下率が１０％以下 ： 良
低下率が１０％超 ： 不良
＜イオンマイグレーション耐性の評価＞
図２に示す導電パターンＣ１を形成した導電パターン形成部材１を、８５℃、８５％ＲＨの高温高湿槽に投入し、端子部からＤＣ５Ｖの電圧を印加して、急激に抵抗値が３桁低下する短絡時間を確認した。計１０個の導電パターン形成部材１で同評価を繰り返し、それらの平均値を、イオンマイグレーション耐性の値とした。結果を表２に示す。

【0088】

（実施例２〜１４）
透明電極層Ｂが銀繊維の場合は下記方法により形成した以外は、表１に示す条件の導電パターン形成部材を実施例１と同様の方法で製造し、実施例１と同様の評価を行った。結果を表２に示す。
＜透明電極層Ｂの形成＞
銀繊維の水分散液（固形分０．２質量％）を樹脂層Ａ２上に塗布し、１００℃で５分間乾燥し、厚さ１．０μｍからなる銀繊維薄膜を形成した。
＜銀繊維薄膜のパターン加工＞
銀繊維薄膜にフォトマスクを密着させ、超高圧水銀ランプを有する露光機で２００ｍＪ／ｃｍ^２の露光量で樹脂層Ａ２及び銀繊維薄膜を露光し、さらにフォトマスクを介すことなく、２００ｍＪ／ｃｍ^２の露光量で樹脂層Ａ２及び銀繊維薄膜を全面露光した露光後、３０℃の１質量％炭酸ナトリウム水溶液で３０秒間スプレー現像し、樹脂層Ａ２上にパターン加工された透明電極層Ｂ２を形成した。
（実施例１５）
実施例１と同様の方法で、導電パターン形成部材を製造した。
＜ＯＣＡ層Ｄの形成＞
樹脂層Ａ１及びパターン加工した透明電極層Ｂ１、導電パターンＣ１の表面にＯＣＡ（ｄ−１）を８０℃、圧着圧力０．５ＭＰａの条件でラミネートして、図５に示す積層部材６、及び図６に示す積層部材７をそれぞれ製造した。
積層部材６及び７について、実施例１と同様の評価を行った。結果を表２に示す。
（実施例１６〜１７）
表１に示す導電パターン形成部材を実施例１５と同様の方法で製造し、実施例１と同様の評価を行った。結果を表２に示す。

【0089】

（比較例１〜３）
表１に示す条件の導電パターン形成部材を実施例１もしくは実施例２と同様の方法で製造し、実施例１と同様の評価を行った。結果を表２に示す。

【0090】

実施例１〜１７においては、いずれも残渣が十分に抑制された、イオンマイグレーション耐性に優れる導電パターン形成部材を製造できていることが判る。

【0091】

【表1】

【0092】

【表2】

【産業上の利用可能性】

【0093】

本発明の製造方法により製造された導電パターン形成部材は、タッチパネルの構成要素として好適に利用することができる。

【符号の説明】

【0094】

１ 透明電極層Ｂ
２ 導電パターンＣ
３ 層Ａ
４ 支持体
５ 端子部
６ 乾燥膜Ｃの露光エリア
７ 乾燥膜Ｃの未露光部エリア
８ 塗布膜Ｃの印刷エリア
９ ＯＣＡ層Ｄ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】