【実施例】
【0016】
図1は、本発明の第1の実施例に係る光源装置の構成を示すブロック図である。本実施例に係る光源装置10は、第1および第2のアレイ光源30、40を含むアレイ光源20と、第1および第2のアレイ光源30、40を駆動する駆動回路50、および駆動回路50を制御する制御部60とを含んで構成される。制御部60は、例えばマイクロコンローラ、マイクロプロセッサ等の処理装置と、当該処理装置を制御するプログラムを記憶したメモリ等を含むことができる。制御部60は、駆動回路50を介して、第1および第2のアレイ光源30、40の駆動を制御し、各半導体レーザ素子を一斉に点灯させたり、あるいはR、G、Bを異なるタイミングで点灯させることが可能である。例えば、光源装置10がプロジェクタに利用されるならば、制御部60は、画像データに基づき駆動回路50を制御する。
【0017】
本実施例のアレイ光源20は、2つに分割された第1および第2のアレイ光源30、40とを有する。第1および第2のアレイ光源30、40は、後述するように、一方のアレイ光源から他方のアレイ光源へ向けてレーザ光が出射されるように、互いに対向して配置される。第1のアレイ光源30と、第2のアレイ光源40との間には、アレイミラーが配置され、アレイミラーは、第1および第2のアレイ光源30、40から発せられたレーザ光を予め決められた方向に反射する。
【0018】
図2(A)は、第1のアレイ光源30の概略側面図、正面図および上面図を示し、
図2(B)は、第2のアレイ光源40の概略側面図、正面図および上面図を示す。第1のアレイ光源30は、好ましくは熱伝導性の高い材料、例えば、アルミニウム等の金属から構成された支持部材32を含み、支持部材32は、図示しない複数の半導体レーザ素子または半導体レーザ素子を実装した基板を固定する。複数の半導体レーザ素子は、m行×n列の二次元アレイ状に配列されるが、
図2(A)の例では、説明を容易にするため、2行×n列を例示している。また、半導体レーザ素子の光出射口に対応する位置に集光レンズ34が取り付けられ、集光レンズ34は、半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を集光しまたはコリメートする。
【0019】
1行目の半導体レーザ素子は、支持部材32の最下部32Aに配置され、2行目の半導体レーザ素子は、列方向のピッチPyで配置される。各行の半導体レーザ素子は、行方向のピッチPxで配置され、各行の半導体レーザ素子のX方向の位置は同一である。
【0020】
第2のアレイ光源40は、m行×n列の二次元アレイ状に配列された複数の半導体レーザ素子を含んで構成されるが、
図2(B)は、説明を容易にするため、2行×n列を例示している。第2のアレイ光源40の半導体レーザ素子の配列は、第1のアレイ光源30の半導体レーザ素子の配列と等しくてもよいし、あるいは異なってもよい。また、第2のアレイ光源40に含まれる半導体レーザ素子の数は、第1のアレイ光源30に含まれる半導体レーザ素子の数と等しくてもよいし、異なるものであってもよい。
【0021】
第2のアレイ光源40は、複数の半導体レーザ素子および/または複数の半導体レーザ素子を実装した基板を固定する支持部材42と、半導体レーザ素子から発せられた光を集光する集光レンズ44とを有する。好ましくは、支持部材42は、第1のアレイ光源30の支持部材32と同一サイズを有している。第2のアレイ光源40は、第1のアレイ光源30と異なり、支持部材42の最下部42Aには、1行目の半導体レーザ素子が配列されず、それより半ピッチPy/2だけずれた位置に、1行目の半導体レーザ素子が配列される。2行目の半導体レーザ素子は、1行目の半導体レーザ素子から列方向のピッチPyだけ離れた位置に配置される。また、1行目および2行目の半導体レーザ素子の行方向のピッチはPxであり、各行の半導体レーザ素子のX方向の位置は、第1のアレイ光源の半導体レーザ素子のX方向の位置とほぼ等しい。
【0022】
従って、第1および第2のアレイ光源30、40が同一平面上に配置されたとき、つまり、支持部材32、42が同一面上に載置されたとき、第1のアレイ光源30の各行の列方向の位置は、第2のアレイ光源40の各行の列方向の位置に対しPy/2だけずれた入れ子の関係(互い違いの関係)にある。
【0023】
図3は、第1および第2のアレイ光源30、40間に配置されるアレイミラーを説明する図である。
図3(A)は、第1のアレイ光源30の1行目の半導体レーザ素子からの光がX方向に反射される例を説明し、
図3(B)は、第2のアレイ光源40の1行目の半導体レーザ素子からの光がX方向に反射される例を示している。
【0024】
図3(A)に示すように、第1のアレイ光源30と、第2のアレイ光源40との間には、半導体レーザ素子の行方向のピッチPxに対応するピッチで配置された反射ミラーが階段状に形成されたアレイミラー100が取り付けられる。アレイミラーの詳細は、後述するが、アレイミラー100は、第1のアレイ光源30と第2のアレイ光源30との間に形成された空間内に対角線方向に延在され、このとき、アレイミラー100の各反射ミラーは、第1のアレイ光源30の1行目に配置された各半導体レーザ素子からの光をほぼ直角にX方向に反射する。
【0025】
図3(B)に示すように、第1のアレイ光源30と、第2のアレイ光源40との間には、半導体レーザ素子の行方向のピッチPxに対応するピッチで配置された反射ミラーが階段状に形成されたアレイミラー200が取り付けられる。アレイミラー200は、アレイミラー100をあたかも反転したように、第1のアレイ光源30と第2のアレイ光源30との間に形成された空間内を対角線方向に延在し、アレイミラー100と交差する。アレイミラー200は、第2のアレイ光源40の1行目に配置された各半導体レーザ素子のレーザ光をほぼ直角にX方向に反射する。
【0026】
図4は、
図3に示す1組のアレイミラー100、200が列方向に積層された状態を模式的に表した斜視図である。アレイミラー100は、アレイミラー100の材質は特に制限されないが、例えば、金属、プラスチック樹脂等の材料を用いて構成される。アレイミラー100は、X方向に対し例えば45度の角度で傾斜した矩形状の反射ミラー102と、反射ミラー102を連結するようにX方向に延在する矩形状の連結部104とを含む。その結果、アレイミラー100は、複数の反射ミラー102が階段状に配置されるように構成される。連結部104のX方向の長さを調整することで、各反射ミラー102の位置が行方向の半導体レーザ素子のピッチに対応するように調整される。また、反射ミラー102の角度を調整することで、反射ミラー102によって反射されるレーザ光をX方向からオフセットさせることも可能である。
【0027】
アレイミラー100上には、これと交差するようにアレイミラー200が積層される。アレイミラー200は、アレイミラー100と同様に、反射ミラー202および連結部204を含んで構成される。好ましい態様では、アレイミラー200は、アレイミラー100と同一の構成であり、アレイミラー100をX方向に関して180度反転したものである。このとき、アレイミラー100とアレイミラー200の中心部分が交差される。
【0028】
第2のアレイ光源40の1行目は、第1のアレイ光源30の1行目よりも列方向にPy/2だけオフセットされている。このため、アレイミラー100、200の列方向の高さは、Py/2にほぼ等しい。こうして、第1のアレイ光源30の1行目の半導体レーザ素子の光がアレイミラー100によってX方向に反射され、第2のアレイ光源40の1行目の半導体レーザ素子がアレイミラー200によってX方向に反射される。このような1組のアレイミラー100、200は、第1および第2のアレイ光源30、40に実装される半導体レーザ素子の列数に応じて複数組積層される。
図2に示すように、2行×n列の構成であれば、1組のアレイミラー100、200であるが、4行×n列の構成であれば、2組のアレイミラー100、200が積層される。
【0029】
次に、本実施例のアレイミラーの詳細な構成について説明する。上記したように、アレイミラー100は、階段状に配置された複数の反射ミラー102を含むが、好ましい態様では、反射ミラー102は、反射面を3次元方向に可変する位置調整機能を有する。第1および第2のアレイ光源30、40に取付けられる各半導体レーザ素子は、行列方向に一定の精度で位置決めし、アレイ光源に固定されている。しかし、それらの半導体レーザ素子間の光軸が完全に整合されていない場合に、アレイ光源内において実装された半導体レーザ素子の各々の位置を調整することは難しい。このため本実施例では、半導体レーザ素子に一対一で対応している反射ミラー102に、位置調整機能を付加することで、アレイ光源への実装後に半導体レーザ素子の光軸を調整すること可能にする。
【0030】
図5(A)は、アレイミラー100の一部の斜視図である。各反射ミラー102は連結部104によって接続され、各反射ミラー102のピッチPx1は、
図2に示す行方向の半導体レーザ素子のピッチPxにほぼ等しい(Px1≒Px)。また、アレイミラー100のZ方向(列方向)の高さPy1は、
図2に示す列方向の半導体レーザ素子のピッチPyにほぼ等しい(Py1≒Py)。各半導体レーザ素子の光軸が整合していなければ、アレイミラー100で反射された行方向のレーザ光の光路がX方向で揃わず不均一になり得る。本実施例の好ましい態様では、反射ミラー102の反射面は、3次元方向に自在に傾斜可能であり、半導体レーザ素子からのレーザ光の反射角度を任意に調整する機能を有する。例えば、反射ミラー102の反射面は、3次元方向に自在に傾斜できるように、ボールジョイントまたはユニバーサルジョイントのような摺動可能な結合部を介して基部に接続される。1つのアレイミラーの各反射ミラー102の反射角度をそれぞれ調整することで、X方向のレーザ光の光軸を揃えることができる。
【0031】
図5(B)は、反射ミラーの1つの構成例を示す図であり、
図5(A)のA−A線断面図に対応する。反射ミラー102は、R、G、Bの全波長帯域の光を反射する反射面が形成されたリフレクタ110と、リフレクタ110の裏面に接合されたN極またはS極の磁性を有するマグネット部120と、マグネット部120の極性と反対の極性であるS極またはN極の磁性を有する基部130とを含んでいる。
【0032】
リフレクタ110は、マグネット部120の表面またはそこに接合された金属等の反射面や、光学フィルタであることができる。マグネット部120は、例えば、磁性材料を含むプラスチック材料を射出成型したもの、あるいは磁石(マグネット)とプラスチック部材とを貼り合わせしたもの等から構成され、あるいは全体が磁石から構成されてもよい。マグネット部120の裏面には、基部130に形成されたボール状の突起132と接合される球状の凹部122が形成される。基部130は、例えば、磁性材料を含むプラスチック材料を射出成型したもの、あるいは磁石(マグネット)とプラスチック部材とを貼り合わせしたもの等から構成され、あるいは全体が鉄などの磁性材料から構成されてもよい。
【0033】
マグネット部120は、凹部122と突起132とのジョイントを介して3次元方向に傾斜することができ、半導体レーザ素子の光軸を調整する。好ましくは、
図5(C)に示すように、マグネット部120と基部130間のギャップには、例えば、紫外線硬化型の樹脂140が充填され、マグネット部120の角度調整が終了した時点で、樹脂140に紫外線を照射することで、樹脂140を硬化させマグネット部120の位置を固定する。
【0034】
なお、反射ミラー102の位置調整機能は、
図5に示す構成に限定されるものでない。例えば、反射ミラーの各コーナーに突起部を設け、当該突起部の高さをネジ等によって調整することで反射ミラーの傾斜を可変してもよい。さらに反射ミラー102の位置を最終的に固定する材料は、紫外線硬化型の樹脂以外の接着性のあるエポキシ樹脂等を用いるものであってもよい。
【0035】
本実施例の光源装置によれば、次のような効果を得ることができる。アレイ光源を2つに分割することで、1つのアレイ光源を利用する場合と比較して、実装可能な半導体レーザ素子の数を増加させることができ、アレイ光源の高出力化を図ることができる。また、アレイ光源を分割することで、熱源も分散されるので、アレイ光源に取付けられる放熱構造または冷却構造の小型化、省スペースを図ることが可能になる。
【0036】
さらに、アレイ光源が二次元状に配列された半導体レーザ素子を含み、かつアレイ光源を対向するように配置させた場合であっても、列方向(Z方向)に交互に交差されたアレイミラー100、200を利用することで、半導体レーザ素子の行方向のピッチ間隔を制限することなく、半導体レーザ素子の高密度実装が可能になり、さらに半導体レーザ素子から発せられた光がアレイミラー自身によって遮断または遮蔽されることがなく、小型化、省スペースでありながら、高出力の光源装置を提供することができる。
【0037】
さらにアレイミラーの各反射ミラーに位置調整機能を付加することで、アレイ光源への実装後に各半導体レーザ素子の光軸を容易に調整することができる。これにより、光源装置から正確に整列されたレーザ光線束を得ることができる。
【0038】
次に、本発明の第2の実施例について説明する。第1の実施例は、アレイ光源から取り出されるレーザ光が1方向(X方向)であったが、第2の実施例は、2方向(+X方向、−X方向)からレーザ光を取り出すことができる高密度アレイ光源に関する。
【0039】
図6は、第2の実施例に係るアレイ光源の構成を示す図である。第1の実施例と同様のものについては、同一参照番号を付しその説明を省略する。第2の実施例では、第1のアレイ光源30Aは、第1の実施例のときと異なり、4行×n列に配列された半導体レーザ素子を実装する。ここで留意すべきことは、支持部材32のサイズは変更されずに、半導体レーザ素子の列方向のピッチがPy/2となり、事実上、2倍の数の半導体レーザ素子が実装される。第2のアレイ光源40Aについても同様に、4行×n列に配列された半導体レーザ素子が実装される。従って、第1および第2のアレイ光源30A、40Aは、同一構成のアレイ光源であることができ、第1の実施例のときのように、第1および第2のアレイ光源の半導体レーザ素子が列方向に入れ子状または互い違いに配列されない。
【0040】
図7は、第2の実施例に係るアレイ光源のレーザ光の反射を説明する図である。第2の実施例では、1つアレイミラー100Aは、第1のアレイ光源30Aと第2のアレイ光源40Aの双方から発せられた光をそれぞれ異なる方向に反射し、その上に積層される1つのアレイミラー200Aは、第1のアレイ光源30Aと第2のアレイ光源40Aの双方から発せられた光をそれぞれ異なる方向に反射する。
【0041】
図7(A)は、第1および第2のアレイ光源の1行目の光が反射される様子を示している。第1のアレイ光源30Aの1行目の光は、アレイミラー100AによってX方向に反射され、第2のアレイ光源40Aの1行目の光は、アレイミラー100Aによって−X方向に反射される。アレイミラー100Aを構成する反射ミラーは、両面にリフレクタを備え、一方のリフレクタの面で第1のアレイ光源30Aからの光をX方向に反射し、当該一方と対向する裏面のリフレクタの面で第2のアレイ光源40Aからの光を−X方向に反射する。第2の実施例においても、反射ミラーは、両面のリフレクタの反射面の傾斜を3次元方向に自在に調整する位置調整機能を備えている。
図7(B)は、第1および第2のアレイ光源30A、40Aの2行目の光が反射される様子を示している。アレイ光源から取り出された2方向の光は、それぞれ独自に利用することもできるし、光学系を用いて合成して利用するようにしてもよい。
【0042】
このように第2の実施例によれば、第1の実施例のときと比較して、半導体レーザ素子の列方向のピッチを半分にすることで半導体レーザ素子の実装密度が向上し、高密度、高出力のレーザアレイを提供することができる。
【0043】
第1および第2の実施例では、R、G、Bの半導体レーザ素子を実装するアレイ光源を例示したが、R、G、Bの半導体レーザ素子がどのように配列されるかは任意である。例えば、第1のアレイ光源が3行で構成される半導体レーザ素子を含むとき、1行目がすべてR、2行目がすべてG、3行目がすべてBとしてもよいし、1行目にR、G、B、2行目にR、G、B、3行目にR、G、Bを含ませても良い。また、R、G、Bの半導体レーザ素子の数はそれぞれ異なるものであってもよい。さらに、第1のアレイ光源のR、G、Bの配列と、第2のアレイ光源のR、G、Bの配列とが異なるものであってもよい。
【0044】
さらに第1および第2のアレイ光源は、必ずしもR、G、Bの半導体レーザ素子を搭載するものに限定されない。例えば、第1および第2のアレイ光源は、Rのみ、Gのみ、Bのみ、あるいは、RとG、GとB、RとGの組合せであってもよい。仮に、第1および第2のアレイ光源が、B(青色帯域)の光を発する半導体レーザ素子のみを包含する場合、アレイ光源から出力された青色帯域の光を、蛍光体材料を利用して、赤色帯域、緑色帯域、黄色帯域の光に波長変換することができる。
【0045】
次に、本実施例のアレイ光源を利用した照明光学系について説明する。
図8は、本発明の第3の実施例に係る照明光学系の概略側面図、
図9は、
図8の概略上面図である。本実施例に係る照明光学系300は、第1の実施例において説明された光源装置10と、光源装置10上の空間を利用して配された種々の光学部材とを含む。これにより、照明光学系300の水平方向のサイズを小型化し、全体的に省スペース化を図っている。
【0046】
光源装置10から出射されたレーザ光は、集光レンズL1によって集光される。集光レンズL1は、好ましくは、小型化のために矩形状にDカットされる。このため、集光レンズL1を通過したレーザ光のスポットの形状は、矩形状となる。
【0047】
集光レンズL1を通過した光は、反射ミラーPM1によってほぼ直角に反射される。さらに、レーザ光は、反射ミラーPM1と対向するように配置された反射ミラーPM2によってほぼ直角に反射される。次に、レーザ光は、集光レンズL2に一定サイズの光線束となるように集光され、次に、
図9に示すように、集光レンズL3の片側半分に入射される。集光レンズL2の光軸と、集光レンズL3の光軸は一定距離だけオフセットされた、いわゆるシフト光学系を構成する。集光レンズL3で集光されたレーザ光は、集光レンズL4によってカラーホイールW上に集光される。
【0048】
光源装置10のR、G、Bの半導体レーザ素子が同時に駆動される場合、光源装置10からのR、G、Bの光は合成され、白色光となる。この場合、カラーホイールWの表面には、R、G、Bを反射するカラーフィルターが形成され、カラーホイールWを照射したレーザ光は、カラーホイールWによってR、G、Bに分離される。カラーホイールWで反射されたR、G、Bの光は、シフト光学系の集光レンズL4、L3を通り、次に、ダイクロイックミラーDFによって、R、Gの光が直角に反射される。Bの光は、ダイクロイックミラーDFを透過し、Bの波長を反射するミラーBMによって直角に反射される。ダイクロイックミラーDFおよびミラーBMによって反射されたR、G、Bの光は、順次、集光レンズL5によって集光される。
【0049】
光源装置10が、例えば、青色帯域(B)の光を発する半導体レーザ素子のみを包含する場合、カラーホイールWには、シフト光学系によってBの光が照射される。この場合、カラーホイールWの表面には、Bを反射する反射領域、Bの照射によって赤色帯域の光を発色する赤色蛍光体領域、Bの照射によって緑色帯域の光を発色する緑色蛍光体領域が形成される。
図10に、カラーホイールWの一例を示す。同図において、310は、Rの反射領域、320は、赤色蛍光体領域、330は、緑色蛍光体領域、Pは、青色帯域のレーザ光の照射スポットである。
【0050】
アレイ光源がR、G、Bの半導体レーザ素子を包含し、R、G、Bの半導体レーザ素子を同時に点灯させず、R、G、Bの半導体レーザ素子を異なるタイミングで点灯させる場合には、光源装置10からR、G、Bの光がシーケンシャルに出力されるので、カラーホイールWは不要である。
【0051】
なお、上記実施例では、光源装置10の上方の空間を利用して照明光学系のレンズ等の光学部品を配置する例を示したが、これに限らず、照明光学系を構成する光学部品を光源装置10の下方の空間、あるいは光源装置10の左右の空間に配置するようにしてもよい。この場合、光源装置10から出射されたレーザ光を反射する反射ミラーPM1、PM2の反射角度を調整することにより容易に照明光学系のレイアウトを変更することができる。照明光学系を、光源装置10の左右の空間を利用して配置した場合には、照明光学系の高さ方向のサイズを小さくすることができる。
【0052】
次に、本発明の第4の実施例について説明する。
図11は、本発明の第4の実施例に係る照明光学系300Aを示す。本実施例の照明光学系300Aは、第2の実施例の光源装置10Aを用いて構成される。
図11(A)に示すように、光源装置10Aの一方の端部(図面に向かって左側)から出射されたレーザ光は、反射ミラーまたはプリズム等の光学部材400によって180度折り返された方向に反射される。この反射された光は、光源装置10Aの他方の端部から出射された光とともに集光レンズL10、L12に入射され、合成された光として利用される。光源装置10Aが、R、G、Bの半導体レーザ素子を含んでいる場合、集光レンズL2から出射される光は、白色光である。
【0053】
図11(B)は、第4の実施例の他の構成例を示している。同図に示すように、光源装置10Aの一方の端部から出射された光は、集光レンズL20、L22を介して出射され、他方の端部から出射された光は、集光レンズL30、L32を介して出射される。光源装置10Aの第1のアレイ光源が、例えば、Rの半導体レーザ素子からなるとき、集光レンズL20、L22からRのレーザ光が出射され、第2のアレイ光源がBの半導体レーザ素子からなるとき、集光レンズL30、L32からBのレーザ光が出射される。このように、第1および第2のアレイ光源毎の光を取り出すことが可能になる。
【0054】
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明は、特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。