特許 6163305 回路装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6163305

(24)【登録日】2017年6月23日

(45)【発行日】2017年7月12日

(54)【発明の名称】回路装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 25/07 20060101AFI20170703BHJP

   H01L 25/18 20060101ALI20170703BHJP

【ＦＩ】

   H01L25/04 C

【請求項の数】8

【全頁数】15

(21)【出願番号】特願2012-534925(P2012-534925)

(86)(22)【出願日】2011年9月15日

(86)【国際出願番号】JP2011005211

(87)【国際公開番号】WO2012039116

(87)【国際公開日】20120329

【審査請求日】2013年5月17日

【審判番号】不服2015-3329(P2015-3329/J1)

【審判請求日】2015年2月23日

(31)【優先権主張番号】特願2010-213696(P2010-213696)

(32)【優先日】2010年9月24日

(33)【優先権主張国】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】300057230

【氏名又は名称】セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー

(74)【代理人】

【識別番号】110002077

【氏名又は名称】園田・小林特許業務法人

(72)【発明者】

【氏名】柴崎 孝

(72)【発明者】

【氏名】西塔 秀史

(72)【発明者】

【氏名】牧野 高久

(72)【発明者】

【氏名】清水 勝徳

(72)【発明者】

【氏名】佐々木 大輔

【合議体】

【審判長】 酒井 朋広

【審判官】 森川 幸俊

【審判官】 井上 信一

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００４−７２００３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平１０−５６１２７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１０−３４３４７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００８−１８７１４５（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

H01L23/12-23/15,25/00-25/18

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

金属から成る回路基板であって、上面を有する回路基板と、
前記回路基板の上面の直上の酸化物のみの膜と、
金属膜から成り前記酸化物のみの膜の直上に設けられたアイランドと、
セラミックから成り固着材により前記アイランドに固着された固着基板と、
前記固着基板の上面に実装された半導体素子と、を備える回路装置。

【請求項2】

前記固着基板の下面にはもう一つの金属膜が設けられ、
前記固着材は、前記回路基板の上面に設けられた前記アイランドと、前記固着基板の下面に設けられた前記もう一つの金属膜に接触する、請求項１に記載の回路装置。

【請求項3】

金属から成る回路基板であって、上面を有する回路基板と、
前記回路基板の上面の直上の酸化膜と、
前記酸化膜の直上の樹脂材料から成る絶縁層と、
金属膜から成る前記絶縁層の上面の上の一個以上のアイランドと、
セラミックから成り固着材により前記一個以上のアイランドのうち少なくとも一個のアイランドに固定された固着基板と、
前記固着基板の上面に装着された半導体素子と、を備え、
前記一個以上のアイランドの金属膜以外の導電パターンが、前記絶縁層の上面に形成されない、回路装置。

【請求項4】

複数の前記固着基板が前記回路基板の上面の上方に横たわり、
トランジスタと前記トランジスタの主電極に接続されたダイオードとが前記固着基板の上面に装着される、請求項１に記載の回路装置。

【請求項5】

前記回路基板の周辺部で前記回路基板に当接するケース材と、
前記ケース材に組み込まれる複数のリードであって、前記ケース材の端部に設けられた前記ケース材の段差部分に配置され、各リードの一端が前記ケース材の内部空間に露出し、他端が前記ケース材の外側に配置される複数のリードと、を更に備え、
前記半導体素子の電極は、前記ケース材の前記内部空間に露出する前記リードに接続され、前記回路基板の上の導電体には接続されず、前記回路基板の上に形成された絶縁層の上の導電体にも接続されない、請求項１に記載の回路装置。

【請求項6】

複数の前記リードは、同一平面内に配置される、請求項５に記載の回路装置。

【請求項7】

前記ケース材の前記内部空間に充填されるとともに、前記半導体素子を被覆する封止樹脂を更に備える、請求項５に記載の回路装置。

【請求項8】

前記回路基板の上面には、外部から入力された直流電力を昇圧するコンバータ回路と、前記コンバータ回路によって昇圧された直流電力を交流電力に変換するインバータ回路と、が組み込まれ、
前記半導体素子は、前記コンバータ回路または前記インバータ回路を構成する、請求項１に記載の回路装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は回路装置に関し、特に、大電流のスイッチングを行うパワー系の半導体素子が回路基板の上面に実装された回路装置に関する。

【背景技術】

【0002】

図８を参照して、従来型の構成集積回路装置１００の構成を説明する。先ず、矩形の基板１０１の表面には、絶縁層１０２を介して導電パターン１０３が形成され、この導電パターン１０３に回路素子が固着されて、所定の電気回路が形成される。ここでは、回路素子として半導体素子１０５Ａが固着されている。そして、半導体素子１０５Ａの上面に形成された電極は、金属細線１１４を経由して所望の導電パターン１０３と接続されている。また、リード１０４は、基板１０１の周辺部に形成された導電パターン１０３から成るパッド１０９に接続され、外部端子として機能している。封止樹脂１０８は、基板１０１の表面に形成された電気回路を封止する機能を有する。

【0003】

ケース材１１１は、略額縁形状を有して基板１０１の側面に当接しており、このことにより、基板１０１の上面に封止樹脂１０８を充填するための空間が形成される。

【0004】

上記構成の混成集積回路装置１００の製造方法は次の通りである。先ず、上面が樹脂から成る絶縁層１０２により被覆された基板１０１の上面に、所定形状の導電パターン１０３を形成する。次に、半導体素子１０５Ａ等の回路素子を基板１０１の上面に載置して、所定の導電パターン１０３と半導体素子１０５Ａとを電気的に接続する。更に、パッド状に形成された導電パターン１０３にリード１０４を固着する。次に、ケース材１１１を取り付け、ケース材１１１により囲まれる空間に、液状又は半固形状の封止樹脂１０８を注入した後に加熱硬化することにより、半導体素子１０５Ａや金属細線１１４を樹脂封止する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２００７−０３６０１４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

しかしながら、上記した混成集積回路装置１００では、電圧を数百〔Ｖ〕〜千〔Ｖ〕程度に昇圧する回路（例えば昇圧チョッパ回路）を基板１０１の上面に組み込んだ場合、絶縁層１０２の耐圧が不十分な問題があった。

【0007】

具体的には、基板１０１の上面は厚みが１００μｍ程度の絶縁層１０２により被覆されており、この絶縁層１０２はアルミナ等から成るフィラーが混入されたエポキシ樹脂から成る。即ち、半導体素子１０５Ａ等の回路素子と接続される導電パターン１０３と、アルミニウム等の金属から成る基板１０１とは、この絶縁層１０２により互いに絶縁されている。

【0008】

しかしながら、絶縁層１０２の主材料であるエポキシ樹脂は絶縁耐力が低いので、数百〔Ｖ〕〜数千〔Ｖ〕程度の高電圧が導電パターン１０３に印加されると、絶縁層１０２が絶縁破壊を起こし、導電パターン１０３と基板１０１とがショートしてしまう問題が発生する。

【0009】

また、この問題を解決するために絶縁層１０２を厚くすると、耐圧は確保されるものの、絶縁層１０２の熱抵抗が高くなってしまうので、半導体素子１０５Ａが動作することにより発生する熱が良好に外部に放出されない問題が発生する。

【0010】

本発明は、上述した問題を鑑みてなされ、本発明の主な目的は、放熱性および耐圧性を高いレベルで両立させた回路装置を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0011】

本発明の回路装置は、金属から成る回路基板と、前記回路基板の上面に設けられた金属膜から成るアイランドと、前記アイランドに固着材を介して固着されたセラミックから成る固着基板と、前記固着基板の上面に実装された半導体素子と、を備え、前記回路基板の上面には導電パターンが形成されていないことを特徴とする。

【発明の効果】

【0012】

本発明によれば、アルミニウム等の金属からなる回路基板の上面に、セラミックから成る固着基板を載置し、この固着基板の上面にパワートランジスタ等の半導体素子を実装している。このようにすることで、回路基板と半導体素子とは、無機材料から成り絶縁耐圧が高いセラミックにより絶縁されている。従って、数千〔Ｖ〕程度の高い電圧が半導体素子に印加されても、回路基板と半導体素子とのショートが防止される。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】図１は本発明の回路装置を示す図であり、（Ａ）は断面図であり、（Ｂ）は回路素子が実装される箇所を拡大して示す断面図である。

【図2】図２は本発明の回路装置を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は断面図である。

【図3】図３は（Ａ）および（Ｂ）は、本発明の回路装置を拡大して示す平面図である。

【図4】図４は（Ａ）は本発明の混成集積回路装置が組み込まれた太陽発電システムを示す回路図であり、（Ｂ）は一部を拡大した回路図である。

【図5】図５は本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は断面図であり、（Ｃ）は拡大された断面図である。

【図6】図６は本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は断面図であり、（Ｃ）は拡大された断面図である。

【図7】図７は本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）−（Ｃ）は断面図である。

【図8】図８は背景技術の回路装置を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0014】

図１から図３を参照して、回路装置の一例として混成集積回路装置１０の構造を説明する。

【0015】

図１を参照して、混成集積回路装置１０は、複数の回路素子から成る混成集積回路が回路基板１２の上面に組み込まれた回路装置である。具体的には、混成集積回路装置１０は、金属から成る回路基板１２の上面にセラミック基板２２が載置され、このセラミック基板２２（固着基板）の上面にトランジスタ３４およびダイオード３６（半導体素子）が実装されている。更に、回路基板１２の上面には額縁状のケース材１４が載置され、ケース材１４により囲まれる空間に封止樹脂１６が充填されている。また、回路基板１２の上方には信号リード４４が設けられた基板４２が配置されている。更にまた、ケース材１４には出力リード２８等が一体的に埋めこまれており、トランジスタ３４等の半導体素子は金属細線２６を経由して出力リード２８に電気的に接続される。

【0016】

回路基板１２は、アルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）等を主材料とする回路基板である。回路基板１２としてアルミニウムより成る基板を採用した場合は、回路基板１２の厚みは、放熱性を高めるために例えば０．５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下程度である。回路基板１２の両主面には陽極酸化膜が形成されており、回路基板１２の上面は絶縁層５０により被覆されている。

【0017】

セラミック基板２２は、Ａｌ_２０_３（アルミナ）やＡｌＮ（窒化アルミニウム）等の無機固体材料から成り、厚みは例えば０．２５ｍｍ以上１．０ｍｍ以下である。セラミック基板２２は、上面に実装されるトランジスタ３４と回路基板１２とを絶縁させる為のものである。セラミック基板２２が回路基板１２に固着される構造は図１（Ｂ）を参照して後述する。また、トランジスタ３４やダイオード３６が動作時に発生する熱は、セラミック基板２２および回路基板１２を経由して外部に放出される。

【0018】

ケース材１４は、エポキシ樹脂等の樹脂材料を額縁形状に射出成形したものである。また、回路基板１２の周辺部上面にケース材１４が固着されることにより、トランジスタ３４等の回路素子を樹脂封止する空間が回路基板１２の上面に設けられる。

【0019】

更に、ケース材１４には、トランジスタ３４によりスイッチングされた大電流の出力信号が通過する出力リード２８が一体的に組み込まれている。このような構造は、ケース材１４の樹脂材料を出力リード２８と共に射出成形することにより実現される。更に、ケース材１４の内部には、Ｌ字状の配線リード４０が配置され、この配線リード４０は金属細線２６を経由してトランジスタ３４の制御電極と接続されている。ここで、ケース材１４に組み込まれた複数個の出力リード２８は、同一平面上に配置されている。

【0020】

配線リード４０の上端部付近は基板４２の貫通孔に差し込まれて固定されている。即ち、回路基板１２の上面に配置されたトランジスタ３４等の回路素子は、配線リード４０を経由して基板４２と電気的に接続されている。基板４２には、複数個の信号リード４４が配置されており、この信号リード４４は外部接続端子として機能する。基板４２は、例えば厚みが１ｍｍ程度のガラスエポキシ基板の主面に導電パターンが形成されたものである。

【0021】

封止樹脂１６は、アルミナ等のフィラーが充填されたエポキシ等の樹脂材料から成り、ケース材１４により囲まれる回路基板１２の上面の空間に充填される。そして、封止樹脂１６は、セラミック基板２２、トランジスタ３４、ダイオード３６、金属細線２６、基板４２等を樹脂封止している。

【0022】

図１（Ｂ）を参照して、セラミック基板２２が回路基板１２に固着される構造を説明する。先ず、回路基板１２がアルミニウムから成る回路基板の場合は、回路基板１２の上面および下面は、陽極酸化により形成されたアルマイトから成る酸化膜４６、４８により被覆される。更に、回路基板１２の上面は、上記したように、薄い絶縁層５０により被覆されている。ここで、絶縁層５０は省かれて、回路基板１２の上面を被覆する酸化膜４６の上面に直にアイランド１８が形成されても良い。このことにより更に放熱性が向上する。

【0023】

そして、回路基板１２を被覆する絶縁層５０の上面には、厚みが５０μｍ程度の銅等の金属膜を所定形状にエッチングしたアイランド１８が形成されている。このアイランド１８は電気信号が通過する配線としては用いられない。本形態では、アイランド１８は、セラミック基板２２の固着に用いられる固着材３８の濡れ性を向上させるために用いられる。

【0024】

セラミック基板２２の下面は、厚みが２５０μｍ程度の金属膜２０により被覆されている。ここで、金属膜２０は、セラミック基板２２の下面全域にベタの状態で形成されている。このようにすることで、固着材３８として半田を用いた場合、セラミック基板２２の下面全域に半田が良好に溶着する。また、回路基板１２の上面に設けられたアイランド１８にも良好に半田が溶着する。従って、固着材３８を介してセラミック基板２２が強固に回路基板１２に固着される。また、固着材３８として、熱伝導性に優れる金属である半田を採用することで、トランジスタ３４の動作時に発生する熱が良好に回路基板１２に伝導する。

【0025】

セラミック基板２２の上面には、厚みが２５０μｍ程度の金属膜を所定形状にエッチングした導電パターン２４が形成されている。そして、この導電パターン２４にトランジスタ３４やダイオード３６が半田等の導電性固着材を介して実装されている。導電パターン２４は、トランジスタ３４等の回路素子が実装されるアイランド、素子同士を接続するための配線部、金属細線をボンディングするためのパッド等を構成する。

【0026】

トランジスタ３４としては、ＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ、バイポーラ・トランジスタが採用される。ここで、トランジスタ３４としては、例えば電流値が１アンペア以上の大電流のスイッチングを行うパワートランジスタが採用される。トランジスタ３４の下面に設けられた電極は、半田等の導電性固着材を介して導電パターン２４と接続される。

【0027】

ダイオード３６は、上面に設けられた電極が金属細線２６を介してトランジスタ３４と接続され、下面の電極は半田等の導電性固着剤を介して導電パターン２４に接続されている。ここで、トランジスタ３４がＩＧＢＴの場合は、トランジスタ３４の上面に設けられたエミッタ電極が、金属細線２６を経由して、ダイオードの上面に設けられたアノード電極と接続される。そして、トランジスタ３４の下面に設けられたコレクタ電極が、導電パターン２４を経由して、ダイオードの下面に設けられたカソード電極と接続される。この接続構造の詳細は、図４に示す回路図を参照して後述する。

【0028】

ここで、上記したトランジスタ等の電気的接続に用いられる金属細線２６は、例えば直径が２００μｍ程度のアルミニウムから成るものである。また、金属細線２６の替りに、アルミニウム等の金属箔をリボン状に形成したリボンボンディングが採用されても良い。

【0029】

本形態では、背景技術と同様に、回路基板１２の上面には樹脂から成る絶縁層５０が設けられる。絶縁層５０の厚みは例えば６０μｍ（５０μｍ以上７０μｍ以下）である。絶縁層５０の材料は背景技術と同様であり、エポキシ樹脂等の樹脂材料にアルミナ等のフィラーが高充填されたものである。

【0030】

絶縁層５０で回路基板１２の上面を被覆する目的はアイランド１８の形成を容易にするためである。即ち、回路基板１２の上面を被覆する酸化膜４６の上面に直に銅から成るアイランド１８を形成することも可能ではあるが、このようにすると回路基板１２とアイランド１８との密着強度が弱くなる。このため、本形態では、回路基板１２とアイランド１８との間に有機性材料からなる絶縁層５０を介在させることにより、アイランド１８と回路基板１２との密着強度を向上させている。

【0031】

ここで、薄く形成される絶縁層５０の耐圧は背景技術のものと比較して低くなる。しかしながら、絶縁層５０の上面に形成されるアイランド１８はトランジスタ３４とは接続されないので、本形態では絶縁層５０には高耐圧は必要とされない。

【0032】

更に、本形態の薄い絶縁層５０の熱伝導率は４Ｗ／ｍＫ以上であり、背景技術の２００μｍ程度に厚い絶縁層１０２の熱伝導率と比較すると４倍以上である。従って、トランジスタ３４から発生した熱を、絶縁層５０を経由して良好に外部に放出させることが可能となる。

【0033】

図２を参照して、混成集積回路装置１０の全体的な構成を説明する。図２（Ａ）は混成集積回路装置１０を示す平面図であり、図２（Ｂ）はこの断面図である。

【0034】

図２（Ａ）を参照して、回路基板１２の上面には、複数個のセラミック基板が配置されている。具体的には、７個のセラミック基板２２Ａ−２２Ｇが回路基板１２の上面に固着されており、各々のセラミック基板２２Ａ−２２Ｇの上面に所定の回路素子が実装されている。

【0035】

セラミック基板２２Ａ−２２Ｄの上面には、ＩＧＢＴ等のトランジスタおよびダイオードが実装されている。そして、セラミック基板２２Ｆにはトランジスタが実装され、セラミック基板２２Ｅにはダイオードが実装され、セラミック基板２２Ｇには抵抗が実装されている。この抵抗は、出力リード３３を流れる電流値を検出するためのものである。

【0036】

ここで、ケース材１４に一体的に組み込まれる出力リードを説明する。図２（Ａ）を参照して、ここでは、６個の出力リードが組み込まれている。出力リード２８は、ケース材１４の内部でトランジスタを相互に接続するためのリードである。出力リード３０、３３は、外部から直流電力が供給されるためのリードである。出力リード２９、３１、３２は、内蔵されたインバータにより変換された交流電力を出力するためのリードである。更に、各出力リードの外部に露出する部分には、接続のためにネジ止めされるための孔部が設けられている。

【0037】

また、図２（Ｂ）を参照して、ケース材１４の左右両端付近に設けられた段差部分には配線リード４０が固着されている。

【0038】

このように、本形態のケース材１４の役割は、回路基板１２の上方に封止樹脂１６を充填するための内部空間を確保するだけではない。本形態のケース材１４は、高電圧の電流が通過する出力リードを所定箇所に固定する役割を有している。更には、出力リードと回路基板１２とを絶縁させる役割も有している。

【0039】

図２（Ｂ）に示すように、セラミック基板２２Ｂ、２２Ｆの上面に実装されたトランジスタ等の回路素子は金属細線を経由いて、出力リード３０、２８に接続されている。更に、トランジスタ３４の上面に設けられた電極は、金属細線２６を経由して配線リード４０と接続される。

【0040】

また、本形態の混成集積回路装置１０では、回路基板１２の上面には導電パターンは形成されていない。従って、ケース材１４に埋め込まれた出力リード２８、３０、配線リード４０および金属細線２６により、各素子が電気的に接続されている。このようにすることで、背景技術にて基板の上面を被覆する樹脂製の高耐圧絶縁層を排除して絶縁性が高められている。

【0041】

また、出力リード２８、３０は、ケース材１４により回路基板１２と絶縁されているが、出力リード２８、３０の下面を被覆するケース材１４は厚みが１．０ｍｍ以上に厚いので、十分な耐圧性が得られる。

【0042】

図３を参照して、各セラミック基板の上面に載置される回路素子が接続される構造を説明する。図３（Ａ）および図３（Ｂ）は回路基板１２の一部分を拡大して示す平面図である。尚、この図では、セラミック基板の上面に形成される導電パターンをハッチングの領域にて示している。

【0043】

図３（Ａ）を参照して、回路基板１２の上面にはセラミック基板２２Ｆ、２２Ｅが所定距離で離間して隣接されている。ここで、セラミック基板２２Ｆ、２２Ｅに実装された素子は、図４（Ａ）に示すコンバータ回路を構成する。

【0044】

セラミック基板２２Ｆの上面に配置された導電パターンには、半田等の導電性接合材を介して２つのトランジスタＱ１が固着されている。ここでは、トランジスタＱ１としてはＩＧＢＴやＭＯＳＦＥＴが採用される。そして、トランジスタの下面のコレクタ電極はセラミック基板２２Ｆの上面に形成された導電パターンを経由して接続される。また、２つのトランジスタＱ１の上面に形成されたエミッタ電極は、複数の金属細線２６を経由して、出力リード２８に接続される。更に、トランジスタＱ１の上面に設けられたゲート電極は、金属細線２６を経由してケース材１４に埋め込まれた配線リード４０に接続される。

【0045】

セラミック基板２２Ｅの上面に形成された導電パターンには、半田等の導電性接合材を介して複数個のダイオードＤ１が実装されている。ダイオードＤ１の上面に形成されたアノード電極は、金属細線２６およびセラミック基板２２Ｆの導電パターンを経由して、トランジスタＱ１のコレクタ電極と接続される。そして、ダイオードＤ１の下面に形成されたカソード電極は、セラミック基板２２Ｅの導電パターンおよび金属細線２６を経由して、出力リード３０に接続される。

【0046】

図３（Ｂ）を参照して、セラミック基板２２Ａ、２２Ｂの各々の上面には、インバータを構成するトランジスタおよびダイオードが実装されている。

【0047】

具体的には、セラミック基板２２Ａの上面には、同一の導電パターンに２つのトランジスタＱ２と、４つのダイオードＤ２が、半田を介して接続されている。このことにより、トランジスタＱ２の下面に設けられたコレクタ電極と、ダイオードＤ３の下面に設けられたカソード電極が電気的に接続される。また、トランジスタＱ２の上面に配置されたゲート電極は、セラミック基板２２Ａの導電パターンおよび金属細線２６を経由して、ケース材１４の配線リード４０と接続される。一方、トランジスタＱ２の上面に配置されたエミッタ電極は、金属細線２６を経由してダイオードＤ３の上面に設けられたアノード電極に接続され、更に、セラミック基板２２Ｂの導電パターンに接続される。このことにより、セラミック基板２２Ａに実装されたトランジスタＱ２およびダイオードＤ３の上面に設けられた電極は、隣接するセラミック基板２２Ｂに実装されたトランジスタＱ３およびダイオードＤ３の下面に設けられた電極と接続される。

【0048】

ここで、セラミック基板２２Ａの上面には、素子実装用パターンと、金属細線を互いに接続するための複数個の接続用パターンが設けられている。そして、インバータ回路を構成する素子が実装されるセラミック基板２２Ａ−２２Ｄには、同様の導電パターンが形成されている。また、セラミック基板２２Ｅは、インバータの素子が実装される基板ではないが、セラミック基板２２Ａ−２２Ｄと同じパターン形状を備えたものが採用される。このように、セラミック基板に設けられるパターン形状を共通化することにより、セラミック基板のパターン形状の種類が少なくなり、製造コストを低減させることが可能となる。

【0049】

セラミック基板２２Ｂに設けられる導電パターンの構成および実装される素子は、セラミック基板２２Ａと同様である。即ち、１つの導電パターンの上面に、２つのトランジスタＱ３および４つのダイオードＤ３の裏面電極が半田を介して接続され。トランジスタＱ３のエミッタ電極およびダイオードＤ３のアノード電極は、金属細線２６を経由して出力リード２８と接続される。更に、トランジスタＱ３の制御電極であるゲート電極は、セラミック基板２２Ｂ上の導電パターンおよび金属細線を経由して、配線リード４０と接続される。また、トランジスタＱ３等が実装される導電パターンは、複数の金属細線２６を経由して、出力リード２９と接続されている。

【0050】

また、図２（Ａ）に示すセラミック基板２２Ｃ、２２Ｄのパターン形状、実装される素子および接続構造は、上記したセラミック基板２２Ａ、２２Ｂと同様である。即ち、セラミック基板２２Ｃ、２２Ｄの各々の上面に、２つのトランジスタと４つのダイオードが接続される。そして、セラミック基板２２Ｃの上面に載置された素子と、セラミック基板２２Ｄに載置された素子とは、金属細線を経由して接続される。更に、各セラミック基板２２Ｃ、２２Ｄの上面に実装された素子は、金属細線を経由して出力リードおよび配線リードと電気的に接続される。

【0051】

図４を参照して、次に、上記した混成集積回路装置１０が組み込まれる太陽電池発電システムの回路構成を説明する。図４（Ａ）は太陽電池発電システムを全体的に示す回路図であり、図４（Ｂ）はこのシステムに含まれるトランジスタＱ３を詳細に示す回路図である。

【0052】

この図に示す発電システムは、太陽電池７０と、太陽電池開閉部７２と、昇圧チョッパ７４と、インバータ７６とリレー７８、８０とを備えている。この様な構成の発電装置により発電された電力は、電力系統８２や自立運転用負荷８４に供給される。また、本形態の混成集積回路装置１０には、昇圧チョッパ７４の一部であるコンバータ８６およびインバータ７６が組み込まれる。

【0053】

太陽電池７０は、照射された光を電力に変換して出力する変換器であり、直流の電力を出力している。ここでは、１つの太陽電池７０が図示されているが、複数個の太陽電池７０が直列で採用されても良い。

【0054】

太陽電池開閉部７２は、太陽電池７０で発電された電気を集めて逆流を防止すると共に、昇圧チョッパ７４に直流電流を供給する機能を備えている。

【0055】

昇圧チョッパ７４は、太陽電池７０から供給された直流電力の電圧を昇圧させる機能を備えている。昇圧チョッパ７４では、ＭＯＳＦＥＴであるトランジスタＱ１がオン動作およびオフ動作を周期的に繰り返すことにより、太陽電池７０により発電された２５０Ｖ程度の電圧の直流電力を、３７０Ｖ程度の直流電力に昇圧している。具体的には、昇圧チョッパ７４は、太陽電池の出力端子に対して直列に接続されたコイルＬ１と、コイルＬ１と接地端子との間に接続されたトランジスタＱ１とを備えている。そして、コイルＬ１により昇圧された直流電力は、逆流素子の為のダイオードＤ１および平滑用コンデンサＣ１を介して、次段のインバータ７６に供給される。

【0056】

本形態では、昇圧チョッパ７４に含まれるトランジスタＱ１およびダイオードＤ１が、図２（Ａ）に示すセラミック基板２２Ｆ、２２Ｅの上面に載置される。また、トランジスタＱ１のスイッチングは、図１（Ａ）に示す、信号リード４４および配線リード４０を経由して外部から供給される制御信号に基づいて行われる。

【0057】

昇圧チョッパ７４により昇圧された直流電力は、インバータ７６により所定の周波数の交流電力に変換される。インバータ７６は、昇圧チョッパ７４の出力端子間に直列に接続された２つのトランジスタＱ２およびＱ４と、同様に直列に接続された２つのトランジスタＱ３およびＱ５とを備えている。また、これらのトランジスタのスイッチングは、外部から供給される制御信号により制御されており、Ｑ２とＱ３およびＱ４とＱ５は相補にスイッチングしている。そして、これらのスイッチングにより所定の周波数とされた交流電力は、Ｑ２とＱ３との接続点およびＱ４とＱ５との接続点から、外部に出力される。ここでは、４つのトランジスタから成る２相のインバータ回路が構築されている。

【0058】

本形態では、インバータ７６を構成するトランジスタＱ２−Ｑ５は、図２（Ａ）に示すセラミック基板２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃおよび２２Ｄに固着される。

【0059】

インバータ７６により変換された交流電力は、商用の電力系統８２または自立運転用負荷８４に供給される。電力系統８２とインバータ７６との間にはリレー７８が介装されており、通常時にはリレー７８は導通状態と成っており、どちらか一方に異常が検出されたらリレー７８は遮断状態とされる。また、インバータ７６と自立運転用負荷との間にもリレー８０が介装されており、異常状態の際にはリレー８０により電力の供給が遮断される。

【0060】

上記したように、本実施の形態では、昇圧チョッパ７４およびインバータ７６に含まれる素子を、図１に示すセラミック基板２２の上面に固着している。従って、素子と回路基板１２との間に、高耐圧絶縁樹脂材料を介在することなく、これらの素子に数百Ｖ〜数千Ｖの電圧が印加されても、素子と回路基板１２とはショートしない。

【0061】

図４（Ｂ）を参照して、上記したインバータ７６に含まれるトランジスタの一つであるトランジスタＱ３は、２つのＩＢＧＴであるトランジスタＱ３１、Ｑ３２と、これらのトランジスタの主電極に逆接続された４つのダイオードＤ３１、Ｄ３２、Ｄ３３、Ｄ３４とから構成されている。

【0062】

トランジスタＱ３１とトランジスタＱ３２とは並列に接続されている。具体的には、トランジスタＱ３１およびトランジスタＱ３２の、ゲート電極、エミッタ電極およびコレクタ電極が、共通に接続されている。このようにすることで、１つのトランジスタの場合と比較すると、大きい電流容量が得られる。

【0063】

また、ダイオードＤ３１、Ｄ３２、Ｄ３３、Ｄ３４のアノード電極はトランジスタトランジスタＱ３１とトランジスタＱ３２のエミッタ電極に接続さている。そして、これらのダイオードのカソード電極は、トランジスタトランジスタＱ３１とトランジスタＱ３２のコレクタ電極に接続されている。

【0064】

図５から図７を参照して、次に、上記した混成集積回路装置１０の製造方法を説明する。

【0065】

図５を参照して、先ず、回路基板１２を用意する。図５（Ａ）は本工程を示す平面図であり、図５（Ｂ）および図５（Ｃ）は本工程を示す断面図である。

【0066】

図５（Ａ）および図５（Ｂ）を参照して、用意される回路基板１２は厚みが１ｍｍ〜３ｍｍ程度の厚いアルミニウムや銅等の金属から成る回路基板である。回路基板１２の材料としてアルミニウムが採用された場合、回路基板１２の上面および下面は陽極酸化膜により被覆されている。更に、回路基板１２の上面は、厚みが６０μｍ以下程度の絶縁層５０により被覆される。このようにすることで、アイランド１８Ｂ等が回路基板１２に密着する強度が向上される。

【0067】

尚、回路基板１２は、大型の回路基板に対してプレス加工または研削加工を行うことにより所定の形に成形されている。

【0068】

回路基板１２の上面に貼着された銅箔を所定形状にエッチングすることにより、アイランド１８Ａ−１８Ｇが形成されている。このアイランド１８Ａ−１８Ｇは、トランジスタ等の回路素子が実装されるものではなく、後述するセラミック基板の実装に使用される半田の濡れ性を向上させるためのものである。

【0069】

図５（Ｃ）を参照して、回路基板１２の材料としてアルミニウムが採用された場合、回路基板１２の上面および下面は、陽極酸化により生成されたアルマイトから成る酸化膜４６、４８により被覆される。更に、酸化膜４６の上面は、樹脂材料から成る絶縁層５０により被覆され、この絶縁層５０の上面にアイランド１８Ｂが形成される。

【0070】

そして、アイランド１８Ｂは、回路基板１２の上面を被覆する絶縁層５０の上面に形成されている。したがって、回路基板１２とアイランド１８Ｂとの間には、絶縁層５０が存在するが、薄く形成される絶縁層５０の熱伝導率は非常に高いので、基板全体の熱伝導性は非常に高い。

【0071】

図６を参照して、次に、回路基板１２の所定箇所にセラミック基板を配置する。図６（Ａ）は本工程を示す平面図であり、図６（Ｂ）および図６（Ｃ）は断面図である。

【0072】

図６（Ａ）を参照して、トランジスタやダイオード等の所定の回路素子が実装されたセラミック基板２２Ａ−２２Ｇを、回路基板１２の上面に固着する。ここで、各セラミック基板２２Ａ−２２Ｇは、前工程にて回路基板１２の上面に形成されたアイランド１８Ａ−１８Ｇの上面に固着される。

【0073】

図６（Ｃ）を参照して、セラミック基板２２の上面および下面には、導電パターン２４および金属膜２０が形成されている。そして、セラミック基板２２の下面を被覆する金属膜２０が、半田等の固着材３８を介して、回路基板１２の上面に設けられたアイランド１８に固着される。セラミック基板２２の下面に全面的にベタの金属膜２０を設けることにより、セラミック基板２２の下面全域に固着材３８が密着する。従って、セラミック基板２２は強固に回路基板１２に接合される。

【0074】

図７（Ａ）を参照して、次に、回路基板１２の上面周辺部にケース材１４を接着する。ケース材１４には、上記したように、出力リードや配線リードが予め組み込まれている。また、ケース材１４は、エポキシ樹脂等の接着材を介して回路基板１２の上面に接着される。

【0075】

図７（Ｂ）を参照して、次に、金属細線２６で回路素子と各リードとを電気的に接続する。具体的には、セラミック基板２２Ｂの上面に固着されたトランジスタ３４のゲート電極を、金属細線２６を経由して配線リード４０と接続する。また、トランジスタ３４の上面に配置されたエミッタ電極を、ダイオード３６の上面に設けられたアノード電極と共に、出力リード３０と接続する。また、セラミック基板２２Ｆの上面に実装されたトランジスタ３４は、金属細線２６を経由して出力リード２８と接続される。

【0076】

本工程では、回路素子の接続には直径が２００μｍ程度のアルミニウムから成る金属細線が使用される。また、金属細線によるワイヤボンディングの替りに、リボン状のアルミ箔を用いたリボンボンディングが採用されても良い。

【0077】

図７（Ｃ）を参照して、次に、配線リード４０の上端部を基板４２の孔部に挿入する。このことにより、各配線リード４０が、基板４２の表面に形成された導電パターンを経由して、基板４２に備えられた信号リード４４と接続される。

【0078】

更に、ケース材１４に囲まれる空間に封止樹脂１６を充填する。封止樹脂１６としては、シリコン樹脂やエポキシ樹脂が採用される。また、アルミナ等のフィラーが充填された樹脂材料が封止樹脂１６として採用されても良い。封止樹脂１６により、トランジスタ３４、ダイオード３６、金属細線２６、配線リード４０、基板４２等が樹脂封止される。

【0079】

以上の工程を経て図１に示す混成集積回路装置１０が製造される。

【符号の説明】

【0080】

１０ 混成集積回路装置
１２ 回路基板
１４ ケース材
１６ 封止樹脂
１８、１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃ、１８Ｄ、１８Ｅ、１８Ｆ、１８Ｇ アイランド
２０ 金属膜
２２、２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ、２２Ｄ、２２Ｅ、２２Ｆ、２２Ｇ セラミック基板
２４ 導電パターン
２６ 金属細線
２８ 出力リード
２９ 出力リード
３０ 出力リード
３１ 出力リード
３２ 出力リード
３３ 出力リード
３４ トランジスタ
３６ ダイオード
３８ 固着材
４０ 配線リード
４２ 基板
４４ 信号リード
４６ 酸化膜
４８ 酸化膜
５０ 絶縁層
７０ 太陽電池
７２ 太陽電池開閉部
７４ 昇圧チョッパ
７６ インバータ
７８ リレー
８０ リレー
８２ 電力系統
８４ 自立運転用負荷
８６ コンバータ
Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４、Ｑ５、Ｑ３１、Ｑ３２ トランジスタ
Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ３１、Ｄ３２、Ｄ３３、Ｄ３４ ダイオード

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】