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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】6163363
(24)【登録日】2017年6月23日
(45)【発行日】2017年7月12日
(54)【発明の名称】ディスク装置用サスペンション
(51)【国際特許分類】
G11B 21/10 20060101AFI20170703BHJP
G11B 21/21 20060101ALI20170703BHJP
G11B 5/60 20060101ALI20170703BHJP
【ＦＩ】
G11B21/10 N
G11B21/21 D
G11B5/60 P
【請求項の数】13
【全頁数】17
(21)【出願番号】特願2013-125615(P2013-125615)
(22)【出願日】2013年6月14日
(65)【公開番号】特開2015-1993(P2015-1993A)
(43)【公開日】2015年1月5日
【審査請求日】2016年2月9日
(73)【特許権者】
【識別番号】000004640
【氏名又は名称】日本発條株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001737
【氏名又は名称】特許業務法人スズエ国際特許事務所
(74)【代理人】
【識別番号】100108855
【弁理士】
【氏名又は名称】蔵田 昌俊
(74)【代理人】
【識別番号】100109830
【弁理士】
【氏名又は名称】福原 淑弘
(74)【代理人】
【識別番号】100088683
【弁理士】
【氏名又は名称】中村 誠
(74)【代理人】
【識別番号】100103034
【弁理士】
【氏名又は名称】野河 信久
(74)【代理人】
【識別番号】100095441
【弁理士】
【氏名又は名称】白根 俊郎
(74)【代理人】
【識別番号】100075672
【弁理士】
【氏名又は名称】峰 隆司
(74)【代理人】
【識別番号】100119976
【弁理士】
【氏名又は名称】幸長 保次郎
(74)【代理人】
【識別番号】100153051
【弁理士】
【氏名又は名称】河野 直樹
(74)【代理人】
【識別番号】100140176
【弁理士】
【氏名又は名称】砂川 克
(74)【代理人】
【識別番号】100158805
【弁理士】
【氏名又は名称】井関 守三
(74)【代理人】
【識別番号】100172580
【弁理士】
【氏名又は名称】赤穂 隆雄
(74)【代理人】
【識別番号】100179062
【弁理士】
【氏名又は名称】井上 正
(74)【代理人】
【識別番号】100124394
【弁理士】
【氏名又は名称】佐藤 立志
(74)【代理人】
【識別番号】100112807
【弁理士】
【氏名又は名称】岡田 貴志
(74)【代理人】
【識別番号】100111073
【弁理士】
【氏名又は名称】堀内 美保子
(74)【代理人】
【識別番号】100134290
【弁理士】
【氏名又は名称】竹内 将訓
(72)【発明者】
【氏名】井上 勝
(72)【発明者】
【氏名】川尾 成
(72)【発明者】
【氏名】丹羽 倫太良
【審査官】
斎藤 眞
(56)【参考文献】
【文献】
特開２０１１−２３８８６０（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開２０１２−１７４３２２（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開２０１３−０４５４８２（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）
Ｇ１１Ｂ ５／５６−５／６０
Ｇ１１Ｂ ２１／１０
Ｇ１１Ｂ ２１／１６−２１／２６
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
ロードビームと、
前記ロードビームに固定されるメタルベースを有し、スライダが搭載されるフレキシャと、
前記スライダを変位させるアクチュエータ素子と、
前記スライダの端子に導通するスライダ端子部と、
前記アクチュエータ素子の第１の電極に導電性ペーストを介して導通する第１の端子部と、
前記アクチュエータ素子の第２の電極に導電性ペーストを介して導通する第２の端子部と、
を有したディスク装置用サスペンションであって、
前記スライダ端子部は、銅からなる端子導体と、該端子導体上に形成された下地ニッケル層と、該下地ニッケル層上に形成された金めっき層とを含み、
前記第１の端子部は、前記メタルベース上に設けられた電気絶縁性の第１の絶縁層と、該第１の絶縁層上に形成された銅からなる第１の導体と、該第１の導体上に設けられ前記下地ニッケル層よりも厚さが大きいニッケルからなる第１の端子要素と、該第１の端子要素上に形成されかつ表面に第１の粗化処理部を有した第１の金めっき層とを有し、前記第１の粗化処理部と前記第１の導体との間に配置された前記第１の端子要素により、前記第１の導体の銅の一部が前記第１の粗化処理部に露出することを防ぐ第１の保護手段が構成され、かつ、
前記第１の導体を覆う電気絶縁性のカバー層を有し、該カバー層が第１の開口を有し、
該カバー層の前記第１の開口を覆う位置に、前記第１の端子要素と、前記第１の粗化処理部を有する前記第１の金めっき層とが配置されたことを特徴とするディスク装置用サスペンション。
前記ロードビームに固定されるメタルベースを有し、スライダが搭載されるフレキシャと、
前記スライダを変位させるアクチュエータ素子と、
前記スライダの端子に導通するスライダ端子部と、
前記アクチュエータ素子の第１の電極に導電性ペーストを介して導通する第１の端子部と、
前記アクチュエータ素子の第２の電極に導電性ペーストを介して導通する第２の端子部と、
を有したディスク装置用サスペンションであって、
前記スライダ端子部は、銅からなる端子導体と、該端子導体上に形成された下地ニッケル層と、該下地ニッケル層上に形成された金めっき層とを含み、
前記第１の端子部は、前記メタルベース上に設けられた電気絶縁性の第１の絶縁層と、該第１の絶縁層上に形成された銅からなる第１の導体と、該第１の導体上に設けられ前記下地ニッケル層よりも厚さが大きいニッケルからなる第１の端子要素と、該第１の端子要素上に形成されかつ表面に第１の粗化処理部を有した第１の金めっき層とを有し、前記第１の粗化処理部と前記第１の導体との間に配置された前記第１の端子要素により、前記第１の導体の銅の一部が前記第１の粗化処理部に露出することを防ぐ第１の保護手段が構成され、かつ、
前記第１の導体を覆う電気絶縁性のカバー層を有し、該カバー層が第１の開口を有し、
該カバー層の前記第１の開口を覆う位置に、前記第１の端子要素と、前記第１の粗化処理部を有する前記第１の金めっき層とが配置されたことを特徴とするディスク装置用サスペンション。
【請求項2】
前記第２の端子部は、前記メタルベース上に設けられた電気絶縁性の第２の絶縁層と、該第２の絶縁層上に形成された銅からなる第２の導体と、該第２の導体上に設けられ前記下地ニッケル層よりも厚さが大きいニッケルからなる第２の端子要素と、該第２の端子要素上に形成されかつ表面に第２の粗化処理部を有した第２の金めっき層とを有し、前記第２の粗化処理部と前記第２の導体との間に配置された前記第２の端子要素により、前記第２の導体の銅の一部が前記第２の粗化処理部に露出することを防ぐ第２の保護手段を構成したことを特徴とする請求項１に記載のディスク装置用サスペンション。
【請求項3】
前記カバー層がポリイミドからなることを特徴とする請求項１に記載のディスク装置用サスペンション。
【請求項4】
前記第２の導体を覆う電気絶縁性のカバー層を有し、
該カバー層に形成された開口の内側に、前記第２の端子要素と、前記第２の粗化処理部を有する前記第２の金めっき層とを設けたことを特徴とする請求項２に記載のディスク装置用サスペンション。
該カバー層に形成された開口の内側に、前記第２の端子要素と、前記第２の粗化処理部を有する前記第２の金めっき層とを設けたことを特徴とする請求項２に記載のディスク装置用サスペンション。
【請求項5】
前記第１の導体を覆う電気絶縁性のカバー層を有し、
該カバー層に形成された開口に前記第１の端子要素を設けかつ該第１の端子要素の一部に前記開口の外側にはみ出すオーバーハング部を備えたことを特徴とする請求項１に記載のディスク装置用サスペンション。
該カバー層に形成された開口に前記第１の端子要素を設けかつ該第１の端子要素の一部に前記開口の外側にはみ出すオーバーハング部を備えたことを特徴とする請求項１に記載のディスク装置用サスペンション。
【請求項6】
前記第２の導体を覆う電気絶縁性のカバー層を有し、
該カバー層に形成された開口に前記第２の端子要素を設けかつ該第２の端子要素の一部に前記開口の外側にはみ出すオーバーハング部を備えたことを特徴とする請求項２に記載のディスク装置用サスペンション。
該カバー層に形成された開口に前記第２の端子要素を設けかつ該第２の端子要素の一部に前記開口の外側にはみ出すオーバーハング部を備えたことを特徴とする請求項２に記載のディスク装置用サスペンション。
【請求項7】
前記第２の絶縁層が開口を有し、該開口に前記第２の導体の一部が入り込んだ状態において前記第２の導体が前記メタルベースに接していることを特徴とする請求項２に記載のディスク装置用サスペンション。
【請求項8】
前記第１の導体が凹部を有し、該凹部に前記第１の端子要素の一部が収容されていることを特徴とする請求項１に記載のディスク装置用サスペンション。
【請求項9】
前記第２の導体が凹部を有し、該凹部に前記第２の端子要素の一部が収容されていることを特徴とする請求項２に記載のディスク装置用サスペンション。
【請求項10】
前記第１の絶縁層が凹部を有し、該凹部に前記第１の導体の一部が収容されていることを特徴とする請求項１に記載のディスク装置用サスペンション。
【請求項11】
前記第２の絶縁層と前記第２の導体の互いに対応する位置に貫通孔が形成され、該貫通孔に前記第２の端子要素が収容され、該第２の端子要素が前記メタルベースに接していることを特徴とする請求項２に記載のディスク装置用サスペンション。
【請求項12】
前記第１の端子要素の厚さ方向に前記スライダ端子部の前記下地ニッケル層と共通の下地ニッケル層が重なっていることを特徴とする請求項１に記載のディスク装置用サスペンション。
【請求項13】
前記第２の端子要素の厚さ方向に前記スライダ端子部の前記下地ニッケル層と共通の下地ニッケル層が重なっていることを特徴とする請求項２に記載のディスク装置用サスペンション。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
この発明は、アクチュエータ素子を備えたディスク装置用サスペンションに関する。
【背景技術】
【0002】
パーソナルコンピュータ等の情報処理装置に、ハードディスク装置（ＨＤＤ）が使用されている。ハードディスク装置は、スピンドルを中心に回転する磁気ディスクと、ピボット軸を中心に旋回するキャリッジなどを含んでいる。キャリッジはアクチュエータアームを有し、ボイスコイルモータ等のポジショニング用モータによって、ピボット軸を中心にディスクのトラック幅方向に旋回する。
【0003】
前記アクチュエータアームにサスペンションが取付けられている。サスペンションは、ロードビーム(load beam)と、ロードビームに重ねて配置されるフレキシャ(flexure)などを含んでいる。フレキシャの先端付近に形成されたジンバル部に、磁気ヘッドを構成するスライダが取付けられている。スライダには、データの読取りあるいは書込み等のアクセスを行なうための素子（トランスジューサ）が設けられている。
【0004】
ディスクの高記録密度化に対応するためには、ディスクの記録面に対して磁気ヘッドをさらに高精度に位置決めできるようにすることが必要である。そのために、特許文献１に開示されているように、ポジショニング用モータ（ボイスコイルモータ）と、ＰＺＴ（ジルコンチタン酸鉛）等の圧電体からなるアクチュエータ素子とを併用するＤＳＡ（Dual Stage Actuator）タイプのサスペンションが開発されている。ＤＳＡタイプのサスペンションでは、前記アクチュエータ素子に電圧を印加し、アクチュエータ素子を変形させることによって、サスペンションの先端側をスウェイ方向（トラック幅方向）に高速で微小量変位させることができる。このアクチュエータ素子は、サスペンションに設けられたアクチュエータ搭載部に配置されている。
【0005】
前記圧電体は板状をなし、その厚み方向の一方の面に一方の電極が設けられ、他方の面に他方の電極が設けられている。一方の電極は、例えば銀ペースト等の導電性ペーストを介して金属製のプレートに電気的に接続されている。他方の電極は、例えばボンディングワイヤ等の導電部材を介して、フレキシャの配線部材に接続されている。特許文献２や特許文献３に開示されているように、フレキシャのジンバル部にＰＺＴ等からなるアクチュエータ素子を搭載したＤＳＡサスペンションも知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開２００２−５０１４０号公報
【特許文献2】特開２０１０−１４６６３１号公報
【特許文献3】特開２０１０−２１８６２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
アクチュエータ素子の端子部には、導電性ペーストとの導通を良好にするために、金めっき層が形成されている。しかし金は不活性な金属ゆえに導電性ペーストとの密着性が良くない。このため金めっき層を設けた箇所では、導電性ペーストと端子部との剥離強度が低下することがある。例えば高温高湿雰囲気中で導通試験を行なったときに、端子部と導電性ペーストとの間で電気抵抗が増大し、アクチュエータ素子への導通不良を生じることがあった。そこで金めっき層の表面に多数の凹凸からなる粗化処理部を形成することも提案されている。
【0008】
しかしながら超小形のアクチュエータ素子を備えたサスペンションでは、金めっき層の表面に粗化処理を行なった場合に、端子部において金めっき層に対する導電性ペーストの密着性がかえって悪くなる事例が見られた。その理由について鋭意研究を行なった結果、次のようなことがわかった。
【0009】
超小形のアクチュエータを用いる場合、アクチュエータ素子の端子部がきわめて小さくなることから、金めっきの下地として使用される下地ニッケル層の厚さも小さくなる。このため金めっき層に粗化処理を行なう際のレーザビームのパワーが大き過ぎたり、エッチングによって粗化処理を行なう際にエッチングが過剰になったりすると、下地ニッケル層が荒れたり、孔が開いたりしてしまい、導体の銅が露出することがある。導体の銅が露出すると、銅の表面が酸化するなどして導電性ペーストに対する濡れ性が悪化する。
【0010】
したがって本発明の目的は、粗化処理部を有する金めっき層に対する導電性ペーストの濡れ性が悪化することを防止でき、端子部に対する導電性ペーストの固定および電気的な導通を確実になすことができるディスク装置用サスペンションを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0011】
本発明の１つの実施形態は、ロードビームと、前記ロードビームに固定されるメタルベースを有し、スライダが搭載されるフレキシャと、前記スライダを変位させるアクチュエータ素子と、前記スライダの端子に導通するスライダ端子部と、前記アクチュエータ素子の第１の電極に導電性ペーストを介して導通する第１の端子部と、前記アクチュエータ素子の第２の電極に導電性ペーストを介して導通する第２の端子部とを有したディスク装置用サスペンションであって、前記スライダ端子部は、銅からなる端子導体と、該端子導体上に形成された下地ニッケル層と、該下地ニッケル層上に形成された金めっき層とを含んでいる。前記第１の端子部は、前記メタルベース上に設けられた電気絶縁性の第１の絶縁層と、該第１の絶縁層上に形成された銅からなる第１の導体と、該第１の導体上に設けられ前記下地ニッケル層よりも厚さが大きいニッケルからなる第１の端子要素と、該第１の端子要素上に形成されかつ表面に第１の粗化処理部を有した第１の金めっき層とを有し、前記第１の粗化処理部と前記第１の導体との間に配置された前記第１の端子要素により、前記第１の導体の銅の一部が前記第１の粗化処理部に露出することを防ぐ第１の保護手段が構成され、かつ、前記第１の導体を覆う電気絶縁性のカバー層を有し、該カバー層が第１の開口を有し、該カバー層の前記第１の開口を覆う位置に、前記第１の端子要素と、前記第１の粗化処理部を有する前記第１の金めっき層とが配置されている。
【0012】
前記第２の端子部は、前記メタルベース上に設けられた電気絶縁性の第２の絶縁層と、該第２の絶縁層上に形成された銅からなる第２の導体と、該第２の導体上に設けられ前記下地ニッケル層よりも厚さが大きいニッケルからなる第２の端子要素と、該第２の端子要素上に形成されかつ表面に第２の粗化処理部を有した第２の金めっき層とを有し、前記第２の粗化処理部と前記第２の導体との間に配置された前記第２の端子要素により、前記第２の導体の銅の一部が前記第２の粗化処理部に露出することを防ぐ第２の保護手段を構成している。
【0013】
１つの実施形態では、前記カバー層がポリイミドからなる。あるいは前記第２の導体を覆う電気絶縁性のカバー層を有し、該カバー層に形成された開口の内側に、前記第２の端子要素と、前記第２の粗化処理部を有する前記第２の金めっき層とを設けてもよい。
【0014】
他の実施形態では、前記第１の導体を覆う電気絶縁性のカバー層を有し、該カバー層に形成された開口に前記第１の端子要素を設けかつ該第１の端子要素の一部に前記開口の外側にはみ出すオーバーハング部を備えている。あるいは前記第２の導体を覆う電気絶縁性のカバー層を有し、該カバー層に形成された開口に前記第２の端子要素を設けかつ該第２の端子要素の一部に前記開口の外側にはみ出すオーバーハング部を備えていてもよい。また前記第２の絶縁層が開口を有し、該開口に前記第２の導体の一部が入り込んだ状態において前記第２の導体が前記メタルベースに接していてもよい。
【0015】
前記第１の導体が凹部を有し、該凹部に前記第１の端子要素の一部が収容されていてもよいし、前記第２の導体が凹部を有し、該凹部に前記第２の端子要素の一部が収容されていてもよい。前記第１の絶縁層が凹部を有し、該凹部に前記第１の導体の一部が収容されていてもよい。あるいは前記第２の絶縁層と前記第２の導体の互いに対応する位置に貫通孔が形成され、該貫通孔に前記第２の端子要素が収容され、該第２の端子要素が前記メタルベースに接していてもよい。
【0016】
前記第１の端子要素の厚さ方向に、前記スライダ端子部の前記下地ニッケル層と共通の下地ニッケル層が重なっていてもよいし、前記第２の端子要素の厚さ方向に前記スライダ端子部の前記下地ニッケル層と共通の下地ニッケル層が重なっていてもよい。
【発明の効果】
【0017】
本発明によれば、金めっき層に粗化処理部を形成する際に金めっき層が荒れたり孔が開いたりしても、導体の銅が露出することを端子要素によって回避できる。このため、端子部の導体が酸化することなどによる濡れ性の悪化が防止され、端子部に対する導電性ペーストの剥離強度を大きくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【0018】
【図1】ディスク装置の一例を示す斜視図。
【図3】第１の実施形態に係るサスペンションの斜視図。
【図7】前記サスペンションのフレキシャの配線部の一部の断面図。
【図9】ロードビームとフレキシャの一部を示す断面図。
【図15】第２の実施形態に係るアクチュエータ搭載部の第１の端子部の断面図。
【図16】第３の実施形態に係るアクチュエータ搭載部の第１の端子部の断面図。
【図17】第４の実施形態に係るアクチュエータ搭載部の第１の端子部の断面図。
【図18】第５の実施形態に係るアクチュエータ搭載部の第１の端子部の断面図。
【図19】第６の実施形態に係るアクチュエータ搭載部の第２の端子部の断面図。
【図20】第７の実施形態に係るアクチュエータ搭載部の第２の端子部の断面図。
【図21】第８の実施形態に係るアクチュエータ搭載部の第２の端子部の断面図。
【図22】第９の実施形態に係るアクチュエータ搭載部の第２の端子部の断面図。
【図23】第１０の実施形態に係るアクチュエータ搭載部の第２の端子部の断面図。
【発明を実施するための形態】
【0019】
以下に本発明の第１の実施形態に係るディスク装置用サスペンションについて、図１から図１４を参照して説明する。 図１に示すディスク装置（ＨＤＤ）１は、ケース２と、スピンドル３を中心に回転するディスク４と、ピボット軸５を中心に旋回可能なキャリッジ６と、キャリッジ６を駆動するためのポジショニング用モータ（ボイスコイルモータ）７などを有している。ケース２は、図示しない蓋によって密閉される。
【0020】
図２はディスク装置１の一部を模式的に示す断面図である。図１と図２に示されるように、キャリッジ６にアーム（キャリッジアーム）８が設けられている。アーム８の先端部にサスペンション１０が取付けられている。サスペンション１０の先端部に、磁気ヘッドを構成するスライダ１１が設けられている。ディスク４が高速で回転すると、ディスク４とスライダ１１との間に空気が流入することによって、エアベアリングが形成される。
【0021】
ポジショニング用モータ７によってキャリッジ６が旋回すると、サスペンション１０がディスク４の径方向に移動することにより、スライダ１１がディスク４の所望トラックまで移動する。
【0022】
図３は、ＤＳＡ（Dual Stage Actuator）タイプのサスペンション１０を示している。このサスペンション１０は、キャリッジ６のアーム８（図１と図２に示す）に固定されるベースプレート２０と、ロードビーム２１と、配線付きフレキシャ(flexure with conductors)２２と、サスペンション１０の先端付近に配置されたアクチュエータ搭載部２３などを備えている。ベースプレート２０には、前記アーム８に形成された孔８ａ（図２に示す）に挿入されるボス部２０ａが形成されている。
【0023】
図３に矢印Ｘで示す方向がロードビーム２１の長手方向すなわちサスペンション１０の長手方向（前後方向）である。矢印Ｙがスウェイ方向（スライダ１１の幅方向）である。ロードビーム２１の基部（後端部）には、厚さ方向に弾性的に撓むことができるばね部２５が形成されている。フレキシャ２２はロードビーム２１に沿って配置されている。
【0024】
図４は、サスペンション１０の先端部に配置されたアクチュエータ搭載部２３をスライダ１１側から見た斜視図である。磁気ヘッドをなすスライダ１１の端部には、例えばＭＲ素子のように磁気信号と電気信号とを変換可能な素子２８が設けられている。これらの素子２８によって、ディスク４に対するデータの書込みあるいは読取り等のアクセスが行なわれる。スライダ１１と、ロードビーム２１と、フレキシャ２２などによって、ヘッドジンバルアセンブリ（head gimbal assembly）が構成されている。
【0025】
アクチュエータ搭載部２３は、フレキシャ２２の先端部に形成されたジンバル部３０と、このジンバル部３０においてスライダ１１の両側に配置された一対のアクチュエータ素子３１，３２とを含んでいる。アクチュエータ素子３１，３２は、それぞれＰＺＴ等の板状の圧電体からなり、スライダ１１を前記スウェイ方向に回動させる機能を有している。
【0026】
図５は、ジンバル部３０とアクチュエータ素子３１，３２を、図４とは反対側から見た斜視図である。図６は、アクチュエータ搭載部２３をスライダ１１側から見た平面図である。図６においてスライダ１１は２点鎖線で示されている。図８に一方のアクチュエータ素子３１を代表して示すように、アクチュエータ素子３１は一方の端面３３と、下面３４と、他方の端面３５と、上面３６とを有している。
【0027】
フレキシャ２２は、ステンレス鋼板からなるメタルベース４０と、メタルベース４０に沿って配置された配線部４１とを有している。配線部４１は、メタルベース４０に重なる部分と、メタルベース４０とは重ならない部分とを含んでいる。図６に示されるように、配線部４１の先端にスライダ１１用の端子（スライダ端子部４１ａ）が設けられている。
【0028】
メタルベース４０は、例えばレーザ溶接によって形成された第１の溶接部Ｗ１（図３と図６に示す）と、第２の溶接部Ｗ２（図５と図６に示す）等の固定手段によって、ロードビーム２１に固定されている。このフレキシャ２２は、サスペンション１０の前後方向の中間部において溶接部Ｗ１によってロードビーム２１に固定された第１の固定側部分２２ａと、フレキシャ２２の先端寄りの位置において溶接部Ｗ２によってロードビーム２１に固定された第２の固定側部分２２ｂとを含んでいる。フレキシャ２２の後部２２ｃ（図３に示す）はベースプレート２０の後方に延びている。
【0029】
図３から図６に示されるように、フレキシャ２２のメタルベース４０は、第１の固定側部分２２ａに連なる一対の第１アーム５１，５２と、第２の固定側部分２２ｂに連なる一対の第２アーム５３，５４とを有している。第１アーム５１，５２と第２アーム５３，５４によって、ジンバル部３０を弾性的に支持するためのアーム部５５が構成されている。
【0030】
図７はメタルベース４０と配線部４１の断面の一例を示している。配線部４１は、ポリイミド等の電気絶縁性の樹脂からなる絶縁層６０と、絶縁層６０上に形成された書込用導体６１および読取用導体６２と、ポリイミド等の電気絶縁性の樹脂からなるカバー層６３などを含んでいる。カバー層６３は導体６１，６２を覆っている。書込用導体６１と読取用導体６２とは、スライダ１１の前記素子２８に接続されている。メタルベース４０の厚さの一例は２０μｍ（１２〜２５μｍ）、絶縁層６０の厚さの一例は１０μｍ（５〜２０μｍ）、導体６１，６２の厚さの一例は９μｍ（４〜１５μｍ）、カバー層６３の厚さの一例は５μｍ（２〜１０μｍ）である。メタルベース４０の厚さはロードビーム２１の厚さ（例えば３０μｍ）よりも小さい。
【0031】
フレキシャ２２のジンバル部３０に一対のアクチュエータ素子３１，３２が配置されている。ジンバル部３０は、ロードビーム２１と対向する第１の面３０ａ（図５と図９に示す）と、第１の面３０ａとは反対側の第２の面３０ｂ（図４と図９に示す）とを有している。第２の面３０ｂに、スライダ１１とアクチュエータ素子３１，３２とが配置されている。
【0032】
アクチュエータ素子３１，３２は、それぞれ第１の端部３１ａ，３２ａと、第２の端部３１ｂ，３２ｂとを有している。図４と図６に矢印Ｘ１で示す方向がアクチュエータ素子３１，３２の前側、矢印Ｘ２が後側である。アクチュエータ素子３１，３２の第１の端部３１ａ，３２ａは、ジンバル部３０に形成された一対の第１支持部７０，７１に固定されている。第１支持部７０，７１は、可撓性の一対の第１アーム５１，５２を介して、フレキシャ２２の第１の固定側部分２２ａに連なっている。アクチュエータ素子３１，３２の第２の端部３１ｂ，３２ｂは、ジンバル部３０に形成された一対の第２支持部７２，７３に固定されている。
【0033】
一対のアクチュエータ素子３１，３２の構成は互いに共通であるため、以下に一方のアクチュエータ素子３１を代表して説明する。 図８は、一方のアクチュエータ素子３１のストローク方向の両端部３１ａ，３１ｂの機械的な固定と電気的接続をなすジョイント部Ｊ１，Ｊ２の断面を示している。図８に矢印Ｘ３で示す方向が、アクチュエータ素子３１の長手方向、すなわちアクチュエータ素子３１が伸縮する方向（ストローク方向）である。図１０は、第１のジョイント部Ｊ１とその周辺部を示す拡大図である。図１１は、第２のジョイント部Ｊ２とその周辺部を示す拡大図である。図１０と図１１に示す配線部４１は、カバー層６３（図７に示す）を省略して描いている。
【0034】
図８に示されるように、アクチュエータ素子３１は、例えばＰＺＴ（ジルコンチタン酸鉛）からなる素子本体８０と、素子本体８０の周面に形成された第１の電極８１と、第２の電極８２とを有している。第１の電極８１は、第１の端部３１ａの端面３３と下面３４とにわたって設けられている。第２の電極８２は、第２の端部３１ｂの端面３５と上面３６とにわたって設けられている。第１の電極８１と第２の電極８２との間には、電気絶縁のためのスリット８３，８４が形成されている。
【0035】
図８と図１０に示されるように、第１のジョイント部Ｊ１の第１支持部７０に、絶縁層６０の一部６０ａが形成されている。この絶縁層６０の一部６０ａに、シグナル側（プラス側）の第１の導体８７が設けられている。カバー層６３には、第１の導体８７の上面の一部を露出させる第１の開口６３ａが形成されている。
【0036】
図８と図１１に示されるように、第２のジョイント部Ｊ２の第２支持部７２に、絶縁層６０の一部６０ｂが形成されている。この絶縁層６０の一部６０ｂに、グランド側（マイナス側）の第２の導体８８が設けられている。カバー層６３には、第２の導体８８の上面一部を露出させる第２の開口６３ｂが形成されている。
【0037】
図８に示すようにアクチュエータ素子３１の第１の端部３１ａは、例えばエポキシ樹脂等の電気絶縁性の接着材８９によって、第１のジョイント部Ｊ１のメタルベース４０に固定されている。アクチュエータ素子３１の第２の端部３１ｂも、エポキシ樹脂等の接着材８９によって、第２のジョイント部Ｊ２のメタルベース４０に固定されている。
【0038】
アクチュエータ素子３１の第１の端面３３に配置された第１の電極８１と第１の導体８７との間に、導電性ペースト９０が設けられている。アクチュエータ素子３１の第２の端面３５に配置された第２の電極８２と第２の導体８８との間にも導電性ペースト９０が設けられている。
【0039】
導電性ペースト９０の一例は銀ペーストである。銀ペーストは、有機物バインダとして機能する樹脂基材と、樹脂基材中に混入された多量の導電粒子（銀の粒子）とを有している。未硬化の銀ペーストが常温あるいは加熱により硬化すると、導電粒子（銀の粒子）が互いに電気的に接触する。第１のジョイント部Ｊ１に設けられた導電性ペースト９０は、第１の電極８１とシグナル側の第１の導体８７との電気的接続をなすための導通手段として機能する。第２のジョイント部Ｊ２に設けられた導電性ペースト９０は、第２の電極８２とグランド側の第２の導体８８との電気的接続をなすための導通手段として機能する。なお、導電性ペースト９０が半田ペーストであってもよい。
【0040】
図５と図６に示されるように、フレキシャ２２のジンバル部３０は、固定側の第１タング部９１と、移動側の第２タング部９２と、これらタング部９１，９２間に形成されたヒンジ部９３とを含んでいる。第１タング部９１と、第２タング部９２と、ヒンジ部９３とは、いずれもメタルベース４０の一部であり、スライダ１１を搭載するためのタングを構成している。第２タング部９２は、第１タング部９１に対して、図５に矢印Ａで示す方向に回動することができる。
【0041】
スライダ１１のリーディング側部分１１ａは、第１タング部９１に対して移動可能に配置されている。スライダ１１のトレーリング側部分１１ｂは、第２タング部９２に固定されている。ここで言う「リーディング側」とは、ディスク４が回転したときにスライダ１１とディスク４との間に流入する空気の流入側である。これに対し「トレーリング側」とは、スライダ１１とディスク４との間に流入した空気の流出側である。
【0042】
図９は、ロードビーム２１の一部とジンバル部３０の一部を、ヒンジ部９３のところで切断した断面図である。ロードビーム２１にディンプル１００が形成されている。ディンプル１００は支持凸部の一例であり、フレキシャ２２のジンバル部３０に向かって突出する凸側の面を有している。この凸側の面の頂部（ディンプル１００の先端）がヒンジ部９３に当接することにより、スライダ１１が揺動可能に支持されている。
【0043】
アクチュエータ搭載部２３にリミッタ部材１１０，１１１が設けられている。これらリミッタ部材１１０，１１１は、サスペンション１０に外部から機械的な衝撃が入力したときに、タング部９１，９２が過剰に揺れたり、ヒンジ部９３がディンプル１００から離れたりすること（ディンプルセパレーション）を抑制する機能を有している。リミッタ部材１１０，１１１は、配線部４１の絶縁層６０（図７に示す）と共通の樹脂（例えばポリイミド）からなる。
【0044】
図１２は、スライダ端子部４１ａを示している。スライダ１１に設けられている端子１１ｃは、金ボールなどのボンディング用の導電部材１２０を介してスライダ端子部４１ａに接続されている。スライダ端子部４１ａは、絶縁層６０と、カバー層６３と、銅からなる端子導体１２１と、端子導体１２１上に形成された下地ニッケル層１２２と、下地ニッケル層１２２上に形成された金めっき層１２３を含んでいる。金めっき層１２３の表面は粗化処理されておらず平滑である。
【0045】
金めっき層１２３の下地として使用される下地ニッケル層１２２の厚さＴ１（図１２に示す）は、例えば０．１２〜２．０μｍである。金めっき層１２３の厚さは、例えば０．５〜１．５μｍである。銅に対する下地ニッケル層１２２の剥離強度と、下地ニッケル層１２２に対する金めっき層１２３の剥離強度は、銅に対する金めっき層１２３の剥離強度と比べて格段に大きい。このため銅からなる端子導体１２１と金めっき層１２３との間に下地ニッケル層１２２を介在させることにより、金めっき層１２３を端子導体１２１に強固に密着させることができる。
【0046】
図１３は、第１のジョイント部Ｊ１に設けられた第１の端子部１３０を示している。第１の端子部１３０は、図１３において下から順に、メタルベース４０と、絶縁層６０と、第１のカバー層６３と、銅からなるシグナル側の第１の導体８７と、ニッケルからなる第１の端子要素１３１と、第１の金めっき層１３２とを含んでいる。端子要素１３１の厚さＴ２（図１３に示す）は、下地ニッケル層１２２の厚さＴ１（図１２に示す）の例えば５倍以上である。第１の端子要素１３１は、第１のカバー層６３に形成された開口６３ａに設けられている。第１の端子要素１３１の外側の端部には、開口６３ａの外側にはみ出すオーバーハング部１３１ａが形成されている。
【0047】
端子要素１３１は、ニッケルを厚くめっきする必要があるため、下地ニッケル層１２２（図１２に示す）とは別工程で形成されている。ニッケルめっきを行なう際に、導体８７上にスライダ端子部４１ａと共通の下地ニッケル層１２２を形成したのち、端子要素１３１をめっきによって形成するようにしてもよい。その場合、図１３に２点鎖線で示すように、下地ニッケル層１２２の厚さ方向に端子要素１３１が重なる。あるいは、導体８７上に端子要素１３１をめっきによって形成したのち、スライダ端子部４１ａと共通の下地ニッケル層１２２を形成してもよい。その場合、端子要素１３１の上に下地ニッケル層１２２が重なる。
【0048】
第１の金めっき層１３２の厚さは、例えば０．５〜１．５μｍである。この金めっき層１３２の表面に、粗化処理部１３３が形成されている。粗化処理部１３３は、ざらざらした性状のいわばテクスチャ（texture）構造をなしている。粗化処理部１３３は、例えばレーザ加工機によって金めっき層１３２の表面に多数の微小な凹凸を形成することによって設けることができる。あるいはエッチングの一種によって、金めっき層１３２の表面に多数の微小な凹凸を形成し、表面をざらざらにしてもよい。
【0049】
金めっき層１３２に粗化処理部１３３を形成する際、例えばレーザビームのパワーが強すぎると、金めっき層１３２に孔が開くことがある。図１２に示すスライダ端子部４１ａのように、通常の厚さ（０．１２〜２．０μｍ）の下地ニッケル層１２２が使われている場合、下地ニッケル層１２２が薄いため、金めっき層に孔が開くと下地ニッケル層１２２にも孔が開いてしまい、端子導体１２１の銅が露出することがある。露出した銅が大気中の酸素や湿分に触れると酸化し、導電性ペースト９０の濡れ性が悪くなる原因となる。
【0050】
しかるに図１３に示す端子部１３０では、金めっき層１３２の下に厚さが大きい端子要素１３１が存在している。このため、粗化処理部１３３を形成する際に粗化処理部１３３が荒れたり、孔が開いてしまったりしても、端子要素１３１には孔が貫通しないため、導体８７の銅が粗化処理部１３３に露出することを回避できる。
【0051】
すなわちこの実施形態では、第１の粗化処理部１３３と第１の導体８７との間に第１の端子要素１３１を設けることにより、第１の導体８７の銅の一部が第１の粗化処理部１３３に露出することを防ぐための第２の保護手段が構成されている。しかも端子要素１３１がニッケルからなるため、導体８７と金めっき層１３２との双方に強固に密着させることができる。
【0052】
第１の端子部１３０に、図９に示す導電性ペースト（例えば銀ペースト）９０が設けられている。導電性ペースト９０と接する金めっき層１３２の表面に粗化処理部１３３が設けられているため、導電性ペースト９０を金めっき層１３２に強固に密着させることができ、第１の端子部１３０に対する導電性ペースト９０の剥離強度が向上し、良好な電気的導通を得ることができる。
【0053】
図１４は、第２のジョイント部Ｊ２に設けられた第２の端子部１４０を示している。第２の端子部１４０は、図１４において下から順に、メタルベース４０と、絶縁層６０と、第２のカバー層６３と、銅からなるグランド側の第２の導体８８と、ニッケルからなる第２の端子要素１４１と、第２の金めっき層１４２とを含んでいる。端子要素１４１の厚さＴ３（図１４に示す）は、下地ニッケル層１２２の厚さＴ１（図１２に示す）の例えば１０倍以上である。第２の端子要素１４１は、第２のカバー層６３に形成された開口６３ｂに設けられている。第２の端子要素１４１の外側の端部には、開口６３ｂの外側にはみ出すオーバーハング部１４１ａが形成されている。
【0054】
図１４に示されるように絶縁層６０に開口１５０が形成されている。この開口１５０に第２の導体８８の一部が収容されている。そしてこの第２の導体８８の一部がメタルベース４０に接することにより、グランド側の第２の導体８８がメタルベース４０に導通している。また第２の導体８８に凹部１５１が形成され、この凹部１５１に第２の端子要素１４１の一部が収容されている。
【0055】
端子要素１４１は、ニッケルを厚くめっきする必要があるため、下地ニッケル層１２２（図１２に示す）とは別工程で形成されている。ニッケルめっきを行なう際に、導体８８上にスライダ端子部４１ａと共通の下地ニッケル層１２２を形成したのち、端子要素１４１をめっきによって形成するようにしてもよい。その場合、図１４に２点鎖線で示すように、下地ニッケル層１２２の厚さ方向に端子要素１４１が重なる。あるいは、導体８８上に端子要素１４１をめっきによって形成したのち、スライダ端子部４１ａと共通の下地ニッケル層１２２を形成してもよい。その場合、端子要素１４１の上に下地ニッケル層１２２が重なる。
【0056】
第２の金めっき層１４２の厚さは、例えば０．５〜１．５μｍである。この金めっき層１４２の表面に、粗化処理部１４３が形成されている。粗化処理部１４３は、ざらざらした性状のいわばテクスチャ（texture）構造をなしている。粗化処理部１４３は、例えばレーザ加工機によって金めっき層１４２の表面に多数の微小な凹凸を形成することによって設けることができる。あるいはエッチングの一種によって、金めっき層１４２の表面に多数の微小な凹凸を形成し、表面をざらざらにしてもよい。
【0057】
金めっき層１４２に粗化処理部１４３を形成する際、例えばレーザビームのパワーが強すぎると、金めっき層１４２に孔が開くことがある。しかるに図１４に示す端子部１４０では、金めっき層１４２の下に厚さが大きい端子要素１４１が設けられている。このため、粗化処理部１４３を形成する際に粗化処理部１４３が荒れたり、孔が開いてしまったりしても、端子要素１４１には孔が貫通しないため、導体８８の銅が粗化処理部１４３に露出することを回避できる。
【0058】
すなわちこの実施形態では、第２の粗化処理部１４３と第２の導体８８との間に第２の端子要素１４１を設けることにより、第２の導体８８の銅の一部が第２の粗化処理部１４３に露出することを防ぐための第２の保護手段が構成されている。しかも端子要素１４１がニッケルからなるため、導体８８と金めっき層１４２との双方に強固に密着させることができる。
【0059】
第２の端子部１４０に、図９に示す導電性ペースト（例えば銀ペースト）９０が設けられている。導電性ペースト９０と接する金めっき層１４２の表面に粗化処理部１４３が設けられているため、導電性ペースト９０を金めっき層１４２に強固に密着させることができ、端子部１４０に対する導電性ペースト９０の剥離強度が向上し、良好な電気的導通を得ることができる。
【0060】
以下に本実施形態のサスペンション１０の動作について説明する。 ポジショニング用モータ７によってキャリッジ６（図１と図２に示す）が旋回すると、サスペンション１０がディスク４の径方向に移動することにより、磁気ヘッドのスライダ１１がディスク４の記録面の所望トラックまで移動する。アクチュエータ素子３１，３２に電圧が印加されると、電圧に応じてアクチュエータ素子３１，３２が互いに反対方向に歪む。スライダ１１のトレーリング側部分１１ｂは第２タング部９２に固定されている。スライダ１１のリーディング側部分１１ａは第１タング部９２に対して移動自在である。このためアクチュエータ素子３１，３２が互いに反対方向に歪むと、第１タング部９１に対して第２タング部９２がヒンジ部９３を境にスライダ１１の幅方向に回動する。これにより、ロードビーム２１をスウェイ方向（図３に矢印Ｙで示す方向）に微小量変位させることができる。
【0061】
図１５は第２の実施形態に係る端子部１３０Ａを示している。この端子部１３０Ａは、メタルベース４０と、絶縁層６０と、シグナル側の第１の導体８７と、ニッケルからなる第１の端子要素１３１と、第１の金めっき層１３２とを有している。金めっき層１３２の表面に、粗化処理部１３３が形成されている。この端子部１３０Ａには、第１の実施形態の端子部１３０（図１４）のカバー層６３や開口１５０および凹部１５１が設けられていない。それ以外の構成と効果は、第１の実施形態で説明した端子部１３０と共通であるため、両者に共通の符号を付して説明を省略する。
【0062】
図１６は第３の実施形態に係る端子部１３０Ｂを示している。この端子部１３０Ｂは、メタルベース４０と、絶縁層６０と、シグナル側の第１の導体８７と、ニッケルからなる第１の端子要素１３１と、第１の金めっき層１３２を有している。金めっき層１３２の表面に、粗化処理部１３３が形成されている。第１の導体８７を覆うカバー層６３に開口６３ａが形成されている。この開口６３ａの内側に、第１の端子要素１３１と、粗化処理部１３３を有する第１の金めっき層１３２とが設けられている。また第１の導体８７に凹部１６０が形成され、この凹部１６０に第１の端子要素１３１の一部が収容されている。それ以外の構成と効果は、第１の実施形態で説明した端子部１３０と共通であるため、両者に共通の符号を付して説明を省略する。
【0063】
図１７は第４の実施形態に係る端子部１３０Ｃを示している。この端子部１３０Ｃは、第１の絶縁層６０に形成された凹部１６１を有し、この凹部１６１に第１の導体８７の一部が収容されている。それ以外の構成と効果は、図１６に示した第３の実施形態の端子部１３０Ｂと共通であるため、両者に共通の符号を付して説明を省略する。
【0064】
図１８は第５の実施形態に係る端子部１３０Ｄを示している。この端子部１３０Ｄは、メタルベース４０の一部、すなわち導体８７の下方に、開口１６５が形成されている。それ以外の構成と効果は、図１７に示した第４の実施形態の端子部１３０Ｃと共通であるため、両者に共通の符号を付して説明を省略する。
【0065】
図１９は第６の実施形態に係る端子部１４０Ａを示している。この端子部１４０Ａは、絶縁層６０と第２の導体８８の互いに対向する位置に貫通孔１７０が形成されている。この貫通孔１７０に第２の端子要素１４１が収容され、第２の端子要素１４１の先端がメタルベース４０に接している。それ以外の構成と効果は、図１４に示した第１の実施形態の端子部１４０と共通であるため、両者に共通の符号を付して説明を省略する。
【0066】
図２０は第７の実施形態に係る端子部１４０Ｂを示している。この端子部１４０Ｂは、カバー層６３に形成された開口６３ｂの内側に、第２の端子要素１４１と、粗化処理部１４３を有する第２の金めっき層１４２が設けられている。それ以外の構成と効果は、図１９に示した第６の実施形態の端子部１４０Ａと共通であるため、両者に共通の符号を付して説明を省略する。
【0067】
図２１は第８の実施形態に係る端子部１４０Ｃを示している。この端子部１４０Ｃは、絶縁層６０に開口１５０が形成されている。この開口１５０に第２の導体８８の一部が収容されている。第２の導体８８の下端がメタルベース４０に接することにより、グランド側の第２の導体８８がメタルベース４０に導通している。また第２の導体８８に凹部１５１が形成され、この凹部１５１に第２の端子要素１４１の一部が収容されている。それ以外の構成と効果は、図２０に示した第７の実施形態の端子部１４０Ｂと共通であるため、両者に共通の符号を付して説明を省略する。
【0068】
図２２は第９の実施形態に係る端子部１４０Ｄを示している。この端子部１４０Ｄは、絶縁層６０に形成された開口１５０に第２の端子要素１４１が設けられている。第２の端子要素１４１の一端に、粗化処理部１４３を有する第２の金めっき層１４２が設けられている。第２の端子要素１４１の他端がメタルベース４０に接している。
【0069】
図２３は第１０の実施形態に係る端子部１４０Ｅを示している。この端子部１４０Ｅは、絶縁層６０に形成された円形の開口１５０と、メタルベース４０に形成された円形の開口１８０とを有している。これら開口１５０，１８０の内側に、円柱形の第２の端子要素１４１が収容されている。第２の端子要素１４１はメタルベース４０と導体８８に接している。第２の端子要素１４１の一端に、粗化処理部１４３を有する金めっき層１４２が設けられている。この粗化処理部１４３に導電性ペースト９０（図８に示す）が接する。
【0070】
なお本発明を実施するに当たって、アクチュエータ素子を有するサスペンションの具体的な構成をはじめとして、フレキシャのメタルベースや、絶縁層、導体、端子要素、金めっき層、導電性ペーストなど、端子部を構成する各要素の具体的な態様を種々に変更して実施できることは言うまでもない。
【符号の説明】
【0071】
１…ディスク装置、１０…サスペンション、１１…スライダ、１１ｃ…端子、２１…ロードビーム、２２…フレキシャ、２３…アクチュエータ搭載部、３０…ジンバル部、３１，３２…アクチュエータ素子、３１ａ，３２ａ…第１の端部、３１ｂ，３２ｂ…第２の端部、４０…メタルベース、４１…配線部、４１ａ…スライダ端子部、６０…絶縁層、６０ａ，６０ｂ…絶縁層の一部、６３…カバー層、８１…第１の電極、８２…第２の電極、８７…第１の導体（シグナル側の導体）、８８…第２の導体（グランド側の導体）、９０…導電性ペースト、１２１…端子導体、１２２…下地ニッケル層、１２３…金めっき層、１３０…第１の端子部、１３１…端子要素、１３１ａ…オーバーハング部、１３２…第１の金めっき層、１３３…第１の粗化処理部、１４０…第２の端子部、１４１…端子要素、１４１ａ…オーバーハング部、１４２…第２の金めっき層、１４３…第２の粗化処理部、Ｊ１…第１のジョイント部、Ｊ２…第２のジョイント部。