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特許6167263窒素含有アモルファスシリコンカーバイドからなるｎ型半導体及びその製造方法
発明の名称 窒素含有アモルファスシリコンカーバイドからなるｎ型半導体及びその製造方法
出願人 国立大学法人山口大学 （識別番号 304020177）
特許公開件数ランキング 1017 位（32件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 805 位（30件）（共同出願を含む）
出願人 サムコ株式会社 （識別番号 392022570）
特許公開件数ランキング 11776 位（1件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 9069 位（2件）（共同出願を含む）
公報番号 特許-6167263
公報発行日 2017年7月26
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6167263
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