特許 6170807 モータ制御装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6170807

(24)【登録日】2017年7月7日

(45)【発行日】2017年7月26日

(54)【発明の名称】モータ制御装置

(51)【国際特許分類】

   H03K 19/003 20060101AFI20170713BHJP

   H01L 21/822 20060101ALI20170713BHJP

   H01L 27/04 20060101ALI20170713BHJP

   H01L 29/866 20060101ALI20170713BHJP

   H01L 21/329 20060101ALI20170713BHJP

   H01L 27/06 20060101ALI20170713BHJP

【ＦＩ】

   H03K19/003 230

   H01L27/04 H

   H01L29/90 S

   H01L27/06 311B

   H01L27/06 311A

   H01L27/06 311C

【請求項の数】3

【全頁数】10

(21)【出願番号】特願2013-218639(P2013-218639)

(22)【出願日】2013年10月21日

(65)【公開番号】特開2015-82699(P2015-82699A)

(43)【公開日】2015年4月27日

【審査請求日】2016年3月25日

(73)【特許権者】

【識別番号】000101352

【氏名又は名称】アスモ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100079049

【弁理士】

【氏名又は名称】中島 淳

(74)【代理人】

【識別番号】100084995

【弁理士】

【氏名又は名称】加藤 和詳

(74)【代理人】

【識別番号】100099025

【弁理士】

【氏名又は名称】福田 浩志

(72)【発明者】

【氏名】小島 秀夫

【審査官】 ▲高▼橋 義昭

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００９−２１３３４４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１３−１９２３４７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開昭６３−２６０１６０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０３−１０２９１２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平１０−２３３２９３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開昭５７−０４５９７５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平１０−２５６４８４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 米国特許第０６２８８４２８（ＵＳ，Ｂ１）

【文献】 特開２０１０−０１０５４５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００１−３５８２９７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００９−２２５１００（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００７−１５８１５４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００９−００６９４５（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０３Ｋ １９／００３

Ｈ０１Ｌ ２１／３２９

Ｈ０１Ｌ ２１／８２２

Ｈ０１Ｌ ２７／０４

Ｈ０１Ｌ ２７／０６

Ｈ０１Ｌ ２９／８６６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

スイッチの操作に基づいてモータの回転を制御する制御手段と、
前記制御手段と前記スイッチとの間に設けられ、前記スイッチから入力されたアナログ信号をデジタル信号に変換して前記制御手段に入力する信号変換手段と、
一端が前記スイッチと前記信号変換手段との間に接続されると共に他端が接地され、前記アナログ信号の電圧が降伏電圧以上になった場合に接地側に放電する双方向ツェナーダイオード、及び一端が前記双方向ツェナーダイオードの一端と前記信号変換手段との間に接続されると共に他端が接地され、前記信号変換手段に入力される前記アナログ信号の電圧を所定電圧以下に抑制するクランプ回路を有する高耐圧回路と、
を含んだ１の集積回路を備えたモータ制御装置。

【請求項2】

前記スイッチと前記高耐圧回路の前記双方向ツェナーダイオードとの間に第１の抵抗をさらに備え、
前記高耐圧回路は、前記双方向ツェナーダイオードと前記クランプ回路との間に前記第１の抵抗よりも抵抗値が大きな第２の抵抗をさらに備えた請求項１に記載のモータ制御装置。

【請求項3】

前記双方向ツェナーダイオードに代えて、ゲート、ソース及びバックゲートが短絡され、ドレインが前記スイッチと前記信号変換手段との間に接続されると共に、ソースが接地されたＮＭＯＳＦＥＴを備えた請求項１又は２に記載のモータ制御装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、モータ制御装置に関する。

【背景技術】

【0002】

マイコン等の半導体を実装した回路を有する機器では、ユーザによるスイッチの操作時に、スイッチを介してユーザの身体に蓄積された静電気が回路に流れるＥＳＤ（静電気放電：Electro-Static Discharge）が生じ、回路の半導体を損傷する場合がある。特許文献１では、スイッチとマイコンとの間にコンデンサを配置して静電気を吸収することにより、回路へのＥＳＤを防止する技術が開示されている。

【0003】

また、乗用自動車等の車両におけるパワーウィンドウ装置に係るモータ制御装置では、上記の特許文献１の技術と同趣旨の技術を用いて回路へのＥＳＤを防止している。図５は、パワーウィンドウモータ３０の回転を制御するマイコン１３０とパワーウィンドウスイッチ（以下、「Ｐ／Ｗスイッチ」と称する）１４との間にＥＳＤ対策コンデンサ１９２Ａ，１９２Ｂを設けたモータ制御装置１００の回路の一例を示す図である。図５では、車両の窓ガラスを上昇させるためのＵＰ用スイッチ１４Ａとマイコン１３０のＵＰ用入力ポート１１８Ａとの間に、一端が接地されたＥＳＤ対策コンデンサ１９２Ａが接続されている。また図５では、車両の窓ガラスを下降させるためのＤＯＷＮ用スイッチ１４Ｂとマイコン１３０のＤＯＷＮ用入力ポート１１８Ｂとの間に、一端が接地されたＥＳＤ対策コンデンサ１９２Ｂが各々接続されている。

【0004】

また、図５に示したマイコン１３０には車両側のボディＥＣＵ（Electronic Control Unit）１６が、チョークコイル１９４とＬＩＮドライバ１７４とを介して、ＬＩＮ用入力ポート１１８Ｃに接続されている。なお、ＬＩＮドライバ１７４は、パワーウィンドウ装置等の制御に用いられるプロトコルであるＬＩＮ（Local Interconnect Network）の通信制御を行う装置である。

【0005】

マイコン１３０は、５Ｖレギュレータ１７２から制御電圧が印加されると共に、ＵＰ用入力ポート１１８Ａ、ＤＯＷＮ用入力ポート１１８Ｂ及びＬＩＮ用入力ポート１１８Ｃから入力された指令に基づき、リレードライバ１６４にリレー１６２を駆動するための制御指令を送信する。リレードライバ１６４はモータに供給される電力をオン又はオフするリレー１６２をマイコン１３０からの制御指令に基づいて駆動することによりパワーウィンドウモータ３０を回転させ、ホールＩＣ６６はパワーウィンドウモータ３０の回転速度を検知して、パワーウィンドウモータ３０の回転速度に応じた信号を出力する。ホールＩＣ６６が出力した信号は、当該信号に含まれる暗電流を低減させる暗電流低減回路１６８を介してマイコン１３０にフィードバックされる。マイコン７０等はＥＳＤに対して脆弱なので、上記のＥＳＤ対策コンデンサ１９２Ａ，１９２Ｂにより、ＥＳＤの電気エネルギーを吸収している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】特開２００１−７４５５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

しかしながら、上記特許文献１に記載の技術及び図５に示したモータ制御装置では、ＥＳＤを防止するためのコンデンサに蓄えられた電気エネルギーが、スイッチをオンにした時に突入電流となり、回路の素子及びスイッチの接点を損傷するおそれがあった。

【0008】

また、上記特許文献１に記載の技術及び図５に示したモータ制御装置では、ＥＳＤを防止するためのコンデンサを回路に実装するにはコストと手間がかかるという問題があった。

【0009】

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、簡素な構成でＥＳＤ及びスイッチオン時の突入電流の高電圧による素子の損傷を防止できるモータ制御装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0010】

前記課題を解決するために、請求項１に記載のモータ制御装置は、スイッチの操作に基づいてモータの回転を制御する制御手段と、前記制御手段と前記スイッチとの間に設けられ、前記スイッチから入力されたアナログ信号をデジタル信号に変換して前記制御手段に入力する信号変換手段と、一端が前記スイッチと前記信号変換手段との間に接続されると共に他端が接地され、前記アナログ信号の電圧が降伏電圧以上になった場合に接地側に放電する双方向ツェナーダイオード、及び一端が前記双方向ツェナーダイオードの一端と前記信号変換手段との間に接続されると共に他端が接地され、前記信号変換手段に入力される前記アナログ信号の電圧を所定電圧以下に抑制するクランプ回路を有する高耐圧回路と、を含んでいる。

【0011】

このモータ制御装置によれば、ＥＳＤ又はスイッチオン時にスイッチ側から印加された高電圧に耐える高耐圧回路を制御手段の前段に設けている。また、制御手段及び高耐圧回路は１の集積回路に集約されているので、部品点数を削減してコストを低減できると共に、モータ制御装置の回路の基板をコンパクト化できる。その結果、簡素な構成でＥＳＤ及びスイッチオン時の突入電流の高電圧による素子の損傷を防止できる。

【0012】

また、このモータ制御装置によれば、高耐圧回路に印加された電圧を、双方向ツェナーダイオードを介してＧＮＤに放電でき、ＥＳＤ及びスイッチオン時の突入電流の高電圧による素子の損傷を防止できる。

【0013】

また、このモータ制御装置によれば、クランプ回路により、信号変換手段に入力される前記アナログ信号の電圧を所定電圧以下に抑制することができる。

【0014】

請求項２に記載のモータ制御装置は、請求項１に記載のモータ制御装置において、前記スイッチと前記高耐圧回路の前記双方向ツェナーダイオードとの間に第１の抵抗をさらに備え、前記高耐圧回路は、前記双方向ツェナーダイオードと前記クランプ回路との間に前記第１の抵抗よりも抵抗値が大きな第２の抵抗をさらに備えている。

【0015】

このモータ制御装置によれば、第１の抵抗と、双方向ツェナーダイオードと、第２の抵抗とで一種の分圧回路を構成し、かつ第２の抵抗の抵抗値を第１の抵抗よりも大きくすることにより、印加された高電圧を双方向ツェナーダイオード側へ大きく分圧できる。その結果、簡素な構成でＥＳＤ及びスイッチオン時の突入電流の高電圧による素子の損傷を防止できる。

【0016】

請求項３に記載のモータ制御装置は、請求項１又は２に記載のモータ制御装置において、前記双方向ツェナーダイオードに代えて、ゲート、ソース及びバックゲートが短絡され、ドレインが前記スイッチと前記信号変換手段との間に接続されると共に、ソースが接地されたＮＭＯＳＦＥＴを備えている。

【0017】

このモータ制御装置によれば、双方向ツェナーダイオードよりも構成が簡易で集積回路への実装も容易なゲート、ソース及びバックゲートを短絡させたＮＭＯＳＦＥＴを、双方向ツェナーダイオードに代えて実装することで、回路をより簡素化できる。その結果、簡素な構成でＥＳＤ及びスイッチオン時の突入電流の高電圧による素子の損傷を防止できる。

【図面の簡単な説明】

【0018】

【図1】本発明の実施の形態に係るモータ制御装置を用いたパワーウィンドウ装置の一例を示す概略図である。

【図2】本発明の実施の形態に係るモータ制御装置の一例を示す回路図である。

【図3】本実施の形態に係るモータ制御装置の入力段とＰ／Ｗスイッチとの間に構成される分圧回路の概略図である。

【図4】双方向ツェナーダイオードに代えてＧＧＮＭＯＳＦＥＴを実装した本実施の形態の変形例の一例を示す図である。

【図5】マイコンとＰ／Ｗスイッチ１４との間にＥＳＤ対策コンデンサを設けたモータ制御装置の回路の一例を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0019】

図１は、本実施の形態に係るモータ制御装置１０を用いたパワーウィンドウ装置２０の一例を示す概略図である。パワーウィンドウ装置２０は、車両用ドア１２に設けられており、モータ制御装置１０と、Ｐ／Ｗスイッチ１４と、パワーウィンドウモータ３０と、昇降機構４０と、窓ガラス５４とを含んで構成されている。

【0020】

Ｐ／Ｗスイッチ１４は、車両用ドア１２の室内側に設けられたスイッチであり、窓ガラス５４を上昇又は下降させるための操作に基づく指令をモータ制御装置１０に入力する。モータ制御装置１０は、Ｐ／Ｗスイッチ１４等からの指令に基づいてパワーウィンドウモータ３０の回転を制御する制御装置であり、パワーウィンドウモータ３０は、例えばブラシ付き直流モータであるモータ本体３２と減速機構３４と出力軸３６とを含んでいる。モータ本体３２は、ブラシ付き直流モータ以外にもＤＣブラシレスモータでもよい。

【0021】

減速機構３４は、主にウォームギアで構成されており、モータ本体３２の回転速度を窓ガラス５４の昇降に適した回転速度まで減速させると共に、出力軸３６のトルクを増大させる。

【0022】

出力軸３６にはピニオンギア３８Ａが取り付けられており、ピニオンギア３８Ａには昇降機構のリンクアーム４４Ａの一端に設けられたラックレール３８Ｂが嵌合している。出力軸３６の回転は、ピニオンギア３８Ａとラックレール３８Ｂを介してリンクアーム４４Ａに伝達される。

【0023】

リンクアーム４４Ａは、他端に窓ガラス５４の下部を補強する金属部材である窓ガラス支持部５６に設けられた溝部５０Ｂに嵌合した上部ピボット５０Ａを有し、上部ピボット５０Ａは溝部５０Ｂに対して摺動自在に取り付けられている。

【0024】

昇降機構４０は、一端に下部ピボット４６Ａを他端に上部ピボット４８Ａを備え、中央ピボット４２でリンクアーム４４Ａと交差したリンクアーム４４Ｂを有している。リンクアーム４４Ａとリンクアーム４４Ｂとは、中央ピボット４２で互いに回転可能な状態で取り付けられている。

【0025】

また、リンクアーム４４Ｂの下部ピボット４６Ａは車両用ドア１２に設けられた溝部４６Ｂに、リンクアーム４４Ｂの上部ピボット４８Ａは窓ガラス支持部５６に設けられた溝部４８Ｂに各々嵌合し、下部ピボット４６Ａ及び上部ピボット４８Ａは、溝部４６Ｂ及び溝部４８Ｂ対して各々摺動自在に取り付けられている。

【0026】

本実施の形態に係るパワーウィンドウ装置２０は、パワーウィンドウモータ３０の出力軸３６が回転すると、出力軸３６の回転力がピニオンギア３８Ａ及びラックレール３８Ｂを介してリンクアーム４４Ａに伝達され、リンクアーム４４Ａは、伝達された力を、中央ピボット４２をてこの支点とし、上部ピボット５０Ａをてこの作用点として窓ガラス支持部５６の溝部５０Ｂに作用させる。

【0027】

また、リンクアーム４４Ｂは、中央ピボット４２を介してリンクアーム４４Ａの動作に随伴して動き、出力軸３６の回転力に基づく力を窓ガラス支持部５６の溝部４８Ｂに作用させ、その結果、窓ガラス５４が昇降する。

【0028】

図２は、本発明の実施の形態に係るモータ制御装置の一例を示す回路図である。本実施の形態に係るモータ制御装置１０は、Ｐ／Ｗスイッチ１４及びボディＥＣＵ１６から入力された指令に応じてパワーウィンドウモータ３０の回転を制御する指令をリレー６２に対して出力するＭＣＵ（Micro Controller Unit）６０と、ＭＣＵ６０の指令に基づいてパワーウィンドウモータ３０に供給する電力をオン又はオフするリレー６２とを備えている。また、ＭＣＵ６０には、ホールＩＣ６６が検知したパワーウィンドウモータ３０の回転速度に係る信号が入力されることにより、実際のパワーウィンドウモータ３０の回転速度がフィードバックされる。

【0029】

Ｐ／Ｗスイッチ１４は、一例として、車両の窓ガラスを上昇させるためのＵＰ用スイッチ１４Ａと、車両の窓ガラスを下降させるためのＤＯＷＮ用スイッチ１４Ｂとを備えている。ＵＰ用スイッチ１４Ａ及びＤＯＷＮ用スイッチ１４Ｂは、一例として各々７５ｋΩの抵抗Ｒ１Ａ及び抵抗Ｒ１Ｂを介してＭＣＵ６０のＵＰ用入力ポート１８Ａ及びＤＯＷＮ用入力ポート１８Ｂに各々接続されている。

【0030】

また、車両側に設けられ、パワーウィンドウ装置２０を含む車載の機器を制御するボディＥＣＵ１６は、ＬＩＮの通信制御に従ってパワーウィンドウ装置２０の制御に係る指令をＭＣＵ６０に出力する。ボディＥＣＵ１６が出力する指令は、例えば、車両のエンジンを停止した時に窓ガラス５４を閉める等の、Ｐ／Ｗスイッチ１４の操作による信号とは別のものである。

【0031】

ボディＥＣＵ１６は、チョークコイル９４介してＭＣＵ６０のＬＩＮ用入力ポート１８Ｃに接続されている。また、チョークコイル９４とＭＣＵ６０との間にはツェナーダイオード９６Ａのアノードが接続されている。ツェナーダイオード９６Ａのカソードには、アノードが接地されたツェナーダイオード９６Ｂのカソードが接続され、いわゆる双方向ツェナーダイオード９６を構成している。本実施の形態では、ボディＥＣＵ１６とＭＣＵ６０との間に生じた高電圧を、かかる双方向ツェナーダイオード９６を介して接地することにより、ＭＣＵ６０等の回路の損傷を防止する。

【0032】

ＭＣＵ６０は、ＵＰ用入力ポート１８Ａ及びＤＯＷＮ用入力ポート１８Ｂを介してＰ／Ｗスイッチ１４から信号が入力される入力段８０と、ＬＩＮ用入力ポート１８Ｃを介してボディＥＣＵ１６と接続されＬＩＮの通信制御を行うＬＩＮドライバ７４とを含む。入力段８０及びＬＩＮドライバ７４は、各々マイコン７０に接続される。

【0033】

マイコン７０は、５Ｖレギュレータ７２から制御電圧が印加されると共に、ＵＰ用入力ポート１８Ａ、ＤＯＷＮ用入力ポート１８Ｂ及びＬＩＮ用入力ポート１８Ｃから入力された信号に基づき、リレードライバ６４にリレー６２を制御するための制御指令を出力する。また、ホールＩＣ６６が検知したパワーウィンドウモータ３０の回転速度に係る信号は、当該信号に含まれる暗電流を低減させる暗電流低減回路６８を介してマイコン７０に入力される。

【0034】

図２に示したように、本実施の形態に係るモータ制御装置１０に含まれるＭＣＵ６０は、マイコン７０、５Ｖレギュレータ７２、リレードライバ６４、暗電流低減回路６８、入力段８０及びＬＩＮドライバ７４等を１の集積回路に集約したものである。マイコン７０等の構成を１の集積回路に集約することにより、モータ制御装置１０の回路の簡素化が可能で、モータ制御装置１０の製造コストを低減することができる。また、図５に示した例のように、ＥＳＤを防止するためのコンデンサ等の素子を回路に実装していないので、スイッチオン時に当該コンデンサ内の電気エネルギーが放電されて、回路の素子及びスイッチを損傷することを防止できる。

【0035】

入力段８０は、コンパレータ８８Ａ及びコンパレータ８８Ｂを含み、コンパレータ８８ＡはＵＰ用入力ポート１８Ａからのアナログ信号を、コンパレータ８８ＢはＤＯＷＮ用入力ポート１８Ｂからのアナログ信号を、各々デジタル信号に変換してマイコンに出力する。コンパレータ８８Ａ及びコンパレータ８８Ｂの入力端は、一例として各々３７２ｋΩの抵抗Ｒ２Ａ及び抵抗Ｒ２Ｂを介してＭＣＵ６０のＵＰ用入力ポート１８Ａ及びＤＯＷＮ用入力ポート１８Ｂに各々接続されている。

【0036】

コンパレータ８８Ａの入力端には、一端が接地されたクランプ回路８６Ａが接続されている。また、コンパレータ８８Ｂの入力端には一端が接地されたクランプ回路８６Ｂが接続されている。クランプ回路８６Ａ及びクランプ回路８６Ｂは、コンパレータ８８Ａ及びコンパレータ８８Ｂの各々入力端に印加される電圧を、例えば１０Ｖ以下に抑制する。

【0037】

ＵＰ用入力ポート１８Ａと抵抗Ｒ２Ａとの間には、ツェナーダイオード８２Ａのカソードが接続されている。ツェナーダイオード８２Ａのアノードには、カソードが接地されたツェナーダイオード８４Ａのアノードが接続され、いわゆる双方向ツェナーダイオード９０を構成している。

【0038】

また、ＤＯＷＮ用入力ポート１８Ｂと抵抗Ｒ２Ｂとの間には、ツェナーダイオード８２Ｂのカソードが接続されている。ツェナーダイオード８２Ｂのアノードには、カソードが接地されたツェナーダイオード８４Ｂのアノードが接続され、いわゆる双方向ツェナーダイオード９２を構成している。なお、ツェナーダイオード８２Ａ，８２Ｂ，８４Ａ，８４Ｂの降伏電圧は、例えば各々４５Ｖである。

【0039】

ＥＳＤにより、例えばＵＰ用入力ポート１８Ａに上記の降伏電圧以上の高電圧が印加された場合、印加された高電圧はツェナーダイオード８２Ａのカソードからアノード、さらにはツェナーダイオード８４Ａのアノードからカソードを通じてＧＮＤに放電される。また、ＤＯＷＮ用入力ポート１８Ｂに上記の降伏電圧以上の高電圧が印加された場合には、印加された高電圧はツェナーダイオード８２Ｂのカソードからアノード、さらにはツェナーダイオード８４Ｂのアノードからカソードを通じてＧＮＤに放電される。かかる双方向ツェナーダイオードを介した放電により、入力段８０は、高耐圧回路となっている。

【0040】

なお、ツェナーダイオード８２Ａ，８２ＢのアノードをＵＰ用入力ポート１８Ａ，１８Ｂと抵抗Ｒ２Ａ，Ｒ２Ｂとの間に各々接続し、ツェナーダイオード８２Ａ，８２Ｂのカソードにツェナーダイオード８４Ａ，８４Ｂのカソードを各々接続してもよい。かかる場合には、ツェナーダイオード８４Ａ，８４Ｂのアノードを各々接地する。

【0041】

また、抵抗Ｒ１Ａ、抵抗Ｒ２Ａ及びツェナーダイオード８２Ａ，８４Ａ、並びに抵抗Ｒ１Ｂ、抵抗Ｒ２Ｂ及びツェナーダイオード８２Ｂ，８４Ｂは、各々一種の分圧回路を構成している。図３は、本実施の形態に係るモータ制御装置１０の入力段８０とＰ／Ｗスイッチ１４との間に構成された分圧回路の概略図である。

【0042】

一例として、抵抗Ｒ１Ａ，Ｒ１Ｂを各々７５ｋΩ、抵抗Ｒ２Ａ，Ｒ２Ｂを各々３７２ｋΩとする。かかる場合に、ツェナーダイオード８２Ａ，８４Ａ及びツェナーダイオード８２Ｂ，８４Ｂには、下記の式（１）の通り、各々、Ｐ／Ｗスイッチ１４側から印加された電圧の８３％が分圧される。かかる分圧と、双方向ツェナーダイオード９０，９２によるＧＮＤへの放電により、コンパレータ８８Ａ，８８Ｂに印加された電圧を低下させることできる。その結果、ＣＭＯＳ（Complementary MOS）で構成されたコンパレータ８８Ａ，８８Ｂ及びマイコン７０を含むＭＣＵ６０の高耐圧化を図ることができる。

【0043】

式（１）での計算のように、印加された電圧を双方向ツェナーダイオード９０，９２に大きく分圧するには、抵抗Ｒ１Ａ，Ｒ１Ｂよりもコンパレータ８８Ａ，８８Ｂ寄りに設けられた抵抗Ｒ２Ａ，Ｒ２Ｂの抵抗値を抵抗Ｒ１Ａ，Ｒ１Ｂの抵抗値よりも大きくする。ただし、あまり双方向ツェナーダイオード９０，９２に大きく分圧すると、コンパレータ８８Ａ，８８Ｂへ出力されるべき信号が損なわれるおそれがある。抵抗Ｒ１Ａ，Ｒ１Ｂと抵抗Ｒ２Ａ，Ｒ２Ｂの抵抗値は、回路設計のシミュレーション及び試作等を通じて適切な値を決定する。なお、図２及び図４では、抵抗Ｒ１Ａ，Ｒ１Ｂは、ＭＣＵ６０内に実装されていないが、双方向ツェナーダイオード９０，９２及び抵抗Ｒ２Ａ，Ｒ２Ｂと共にＭＣＵ６０内に実装してもよい。

【0044】

また、本実施の形態では、双方向ツェナーダイオードに代えて、ゲート、ソース及びバックゲートを短絡させたＮＭＯＳＦＥＴであるＧＧＮＭＯＳＦＥＴ（Gate Grounded ＮＭＯＳ ＦＥＴ）を実装してもよい。

【0045】

図４は、ＧＧＮＭＯＳＦＥＴ９８を実装した本実施の形態の変形例の一例を示す図である。図４に示したように、ＧＧＮＭＯＳＦＥＴ９８は、双方向ツェナーダイオード９０，９２に代えて、ＵＰ用入力ポート１８Ａと抵抗Ｒ２Ａとの間、及びＤＯＷＮ用入力ポート１８Ｂと抵抗Ｒ２Ｂとの間に各々設けられている。

【0046】

ＵＰ用入力ポート１８Ａ又はＤＯＷＮ用入力ポート１８Ｂに、ＥＳＤ及びスイッチオン時の突入電流等による高電圧が印加された場合には、ＧＧＮＭＯＳＦＥＴ９８は、双方向ツェナーダイオード９０，９２と同様に印加された高電圧をＧＮＤに放電する。

【0047】

また、図４に示したＧＧＮＭＯＳＦＥＴは、簡素な構成であり、双方向ツェナーダイオードよりも集積回路上での実装に要する面積が少なくて済むという利点がある。従って、１の集積回路であるＭＣＵ６０にマイコン７０その他の素子と共に、双方向ツェナーダイオードを実装する場合には、本変形例のように双方向ツェナーダイオードに代えてＧＧＮＭＯＳＦＥＴを実装することが効果的である。

【0048】

以上説明したように、本実施の形態によれば、ＥＳＤを防止するためのコンデンサ等の素子を回路に実装しない簡素な構成で、ＥＳＤ及びスイッチオン時の突入電流の高電圧による素子の損傷を防止できる

【符号の説明】

【0049】

１０・・・モータ制御装置、１２・・・車両用ドア、１４・・・Ｐ／Ｗスイッチ、１４Ａ・・・ＵＰ用スイッチ、１４Ｂ・・・ＤＯＷＮ用スイッチ、１６・・・ボディＥＣＵ、１８Ａ・・・ＵＰ用入力ポート、１８Ｂ・・・ＤＯＷＮ用入力ポート、１８Ｃ・・・ＬＩＮ用入力ポート、２０・・・パワーウィンドウ装置、３０・・・パワーウィンドウモータ、３２・・・モータ本体、３４・・・減速機構、３６・・・出力軸、３８Ａ・・・ピニオンギア、３８Ｂ・・・ラックレール、４０・・・昇降機構、４２・・・中央ピボット、４４Ａ・・・リンクアーム、４４Ｂ・・・リンクアーム、４６Ａ・・・下部ピボット、４８Ａ・・・上部ピボット、４８Ｂ・・・溝部、５０Ａ・・・上部ピボット、５０Ｂ・・・溝部、５４・・・窓ガラス、５６・・・窓ガラス支持部、６０・・・ＭＣＵ、６２・・・リレー、６４・・・リレードライバ、６６・・・ホールＩＣ、６８・・・暗電流低減回路、７０・・・マイコン、７２・・・５Ｖレギュレータ、７４・・・ＬＩＮドライバ、８０・・・入力段、８２Ａ，８２Ｂ，８４Ａ，８４Ｂ・・・ツェナーダイオード、８６Ａ，８６Ｂ・・・クランプ回路、８８Ａ，８８Ｂ・・・コンパレータ、９０，９２・・・双方向ツェナーダイオード、９４・・・チョークコイル、９６・・・双方向ツェナーダイオード、９６Ａ，９６Ｂ・・・ツェナーダイオード、９８・・・ＧＧＮＭＯＳＦＥＴ、１００・・・モータ制御装置、１１８Ａ・・・ＵＰ用入力ポート、１１８Ｂ・・・ＤＯＷＮ用入力ポート、１１８Ｃ・・・ＬＩＮ用入力ポート、１３０・・・マイコン、１６２・・・リレー、１６４・・・リレードライバ、１６８・・・暗電流低減回路、１７２・・・５Ｖレギュレータ、１７４・・・ＬＩＮドライバ、１９２Ａ，１９２Ｂ・・・ＥＳＤ対策コンデンサ、１９４・・・チョークコイル、Ｒ１Ａ，Ｒ１Ｂ，Ｒ２Ａ，Ｒ２Ｂ・・・抵抗

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】