特許6181196IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

トランジスタ、メモリセルおよび半導体構造。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】例示的な一実施形態のメモリセルへと組み込まれた例示的な一実施形態のトランジスタを示す半導体構造の一部の断面図である。

【図2】二つの異なる例示的メモリ状態における図1のメモリセルを示す。

【図3】例示的実施形態のメモリセルに組み込まれた例示的実施形態のトランジスタを示す。

【図4】例示的実施形態のメモリセルに組み込まれた例示的実施形態のトランジスタを示す。

【図5】例示的実施形態のメモリセルに組み込まれた例示的実施形態のトランジスタを示す。

【図6】例示的実施形態のメモリセルに組み込まれた例示的実施形態のトランジスタを示す。

【図7】例示的実施形態のメモリセルに組み込まれた例示的実施形態のトランジスタを示す。

【図8】図1の例示的実施形態のトランジスタを含む別の実施形態のメモリセルを示す。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

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