特許 6181359 配線基板及び配線基板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6181359

(24)【登録日】2017年7月28日

(45)【発行日】2017年8月16日

(54)【発明の名称】配線基板及び配線基板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20170807BHJP

【ＦＩ】

   H05K3/46 N

   H05K3/46 H

   H05K3/46 S

   H05K3/46 Z

【請求項の数】5

【全頁数】11

(21)【出願番号】特願2012-173122(P2012-173122)

(22)【出願日】2012年8月3日

(65)【公開番号】特開2014-33102(P2014-33102A)

(43)【公開日】2014年2月20日

【審査請求日】2015年5月11日

【審判番号】不服2016-12545(P2016-12545/J1)

【審判請求日】2016年8月19日

(73)【特許権者】

【識別番号】000004547

【氏名又は名称】日本特殊陶業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000028

【氏名又は名称】特許業務法人明成国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】加藤 達哉

(72)【発明者】

【氏名】山田 智英

(72)【発明者】

【氏名】馬場 誠

(72)【発明者】

【氏名】伊東 正憲

【合議体】

【審判長】 冨岡 和人

【審判官】 滝谷 亮一

【審判官】 中川 隆司

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００９−１１１２３９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００１−１８９５５５（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

H05K 3/46

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数のセラミック絶縁層と、
前記複数のセラミック絶縁層の間に配置された複数の配線層と、
前記セラミック絶縁層を厚み方向に貫通する貫通孔内に形成され、前記複数の配線層を電気的に接続する複数の貫通導体と
を備える配線基板であって、
前記貫通導体には、焼成時における収縮率の異なる複数のタイプが含まれており、
前記配線基板の積層方向の厚みを２等分した場合において、
２等分された前記配線基板のうち前記貫通導体の体積の合計が小さい側に、前記収縮率の最も大きいタイプの貫通導体が１本以上含まれていることを特徴とする、配線基板。

【請求項2】

請求項１に記載の配線基板であって、
前記貫通導体のタイプの数は、２つであることを特徴とする、配線基板。

【請求項3】

請求項２に記載の配線基板であって、
前記貫通導体には、
銀とパラジウムを含むタイプと、
銀を含み、パラジウムは含まないタイプと
が含まれていることを特徴とする、配線基板。

【請求項4】

請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の配線基板であって、
前記配線基板の積層方向の厚みを２等分した場合において、
２等分された前記配線基板のうち前記貫通導体の体積の合計が大きい側に、前記収縮率の最も小さいタイプの貫通導体が含まれており、
２等分された前記配線基板のうち前記貫通導体の体積の合計が大きい側に含まれる前記収縮率の最も小さいタイプの貫通導体のうちの少なくとも１本以上は、２等分された前記配線基板のうち前記貫通導体の体積の合計が小さい側に含まれる他のタイプの貫通導体よりも小さい径を有することを特徴とする、配線基板。

【請求項5】

配線基板の製造方法であって、
（ａ）複数のセラミック絶縁層を準備する工程と、
（ｂ）複数の前記セラミック絶縁層に、焼成時における収縮率の異なる複数のタイプの貫通導体を形成する工程と、
（ｃ）前記セラミック絶縁層上に配線層を形成する工程と、
（ｄ）前記配線層が形成されたセラミック絶縁層を積層して積層体とする工程と、
（ｅ）前記積層体を焼成して配線基板とする工程と
を備え、
前記工程（ｂ）は、前記配線基板の積層方向の厚みを２等分した場合において、
２等分された前記配線基板のうち前記貫通導体の体積の合計が小さい側に、前記収縮率の最も大きいタイプの貫通導体が１本以上含まれるように、前記貫通導体を形成する工程を含むことを特徴とする、製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、配線基板及び配線基板の製造方法に関するものである。

【背景技術】

【0002】

従来、セラミックを含む絶縁層と導電性の配線層とが交互に積層され、各配線層が貫通導体によって電気的に接続された配線基板が知られている。このような配線基板は、製造の際に、セラミック絶縁層に貫通導体が充填され、セラミック絶縁層と配線層とが積層された後に焼成される。焼成が行なわれると、セラミック絶縁層と導体との収縮率の違いによって、配線基板に反りが発生する場合がある。

【0003】

近年、通信機器等の小型化に伴い、電子部品も小型化、薄型化、高密度化が要求されている。このため、配線基板においても、薄層化および多層化が進み、焼成時における反り量を低減したいという要望が高まってきた。

【0004】

この焼成時の反りを抑制する技術としては、例えば、特許文献１に開示されたものが知られている。特許文献１では、導体の組成を調整し、焼成時における導体の収縮挙動をセラミック絶縁層に近づけることによって、焼成時における反り量を低減している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２００８−１９２４０１号公報

【特許文献2】特開２００６−４１２４２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

しかし、特許文献１に記載された方法では、配線基板の焼成時の反り量を十分に低減することができないという課題があった。そのほか、従来の配線基板においては、その小型化や、低コスト化、省資源化、製造の容易化、使い勝手の向上等が望まれていた。

【0007】

本発明は、上述した課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、配線基板の焼成時における反り量を低減することのできる技術を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するために、以下の形態または適用例を取ることが可能である。

【0009】

（１）本発明の一形態によれば、配線基板が提供される。この配線基板は、複数のセラミック絶縁層と；前記複数のセラミック絶縁層の間に配置された複数の配線層と；前記セラミック絶縁層を厚み方向に貫通する貫通孔内に形成され、前記複数の配線層を電気的に接続する複数の貫通導体と；を備え、前記貫通導体には、焼成時における収縮率の異なる複数のタイプが含まれており、前記配線基板の積層方向の厚みを２等分した場合において、２等分された前記配線基板のうち前記貫通導体の体積の合計が小さい側に、前記収縮率の最も大きいタイプの貫通導体が１本以上含まれている。焼成時における貫通導体の収縮率は、セラミック絶縁層の収縮率よりも大きい。このため、２等分された配線基板のうち貫通導体の体積の合計が大きい側は、貫通導体の体積の合計が小さい側よりも、焼成時の収縮量が大きい。この形態では、２等分された配線基板のうち貫通導体の体積の合計が小さい側に、収縮率の最も大きいタイプの貫通導体が１本以上含まれているので、貫通導体の体積の合計が小さい側の収縮量が大きくなり、貫通導体の体積の合計が大きい側の収縮量に近づく。したがって、この形態によれば、貫通導体の体積の合計が小さい側と大きい側との焼成時における収縮量の差が小さくなり、配線基板の焼成時の反り量を低減することができる。

【0010】

（２）上記形態の配線基板において、前記貫通導体のタイプの数は、２つであってもよい。この形態によれば、貫通導体のタイプが２つなので、製造工程を煩雑にすることなく、配線基板の焼成時の反り量を低減することができる。

【0011】

（３）上記形態の配線基板において、前記貫通導体には、銀とパラジウムを含むタイプと、銀を含み、パラジウムは含まないタイプとが含まれていてもよい。この形態によれば、２つのタイプの貫通導体の焼成時における収縮率の差を大きくすることができるので、配線基板の焼成時の反り量を効率的に低減することができる。

【0012】

（４）上記形態の配線基板において、前記配線基板の積層方向の厚みを２等分した場合において、２等分された前記配線基板のうち前記貫通導体の体積の合計が大きい側に、前記収縮率の最も小さいタイプの貫通導体が含まれており、前記収縮率の最も小さいタイプの貫通導体のうちの少なくとも１本以上は、他のタイプの貫通導体よりも小さい径を有していてもよい。この形態によれば、貫通導体の体積の合計が大きい側における貫通導体の体積が減少するので、貫通導体の体積の合計が大きい側における収縮が抑制され、配線基板の焼成時の反り量をさらに効果的に低減することができる。

【0013】

（５）本発明の他の形態によれば、配線基板の製造方法が提供される。この配線基板の製造方法は、（ａ）複数のセラミック絶縁層を準備する工程と；（ｂ）複数の前記セラミック絶縁層に、焼成時における収縮率の異なる複数のタイプの貫通導体を形成する工程と；（ｃ）前記セラミック絶縁層上に配線層を形成する工程と；（ｄ）前記配線層が形成されたセラミック絶縁層を積層して積層体とする工程と；（ｅ）前記積層体を焼成して配線基板とする工程とを備え、前記工程（ｂ）は、前記配線基板の積層方向の厚みを２等分した場合において、２等分された前記配線基板のうち前記貫通導体の体積の合計が小さい側に、前記収縮率の最も大きいタイプの貫通導体が１本以上含まれるように、前記貫通導体を形成する工程を含む。この形態によれば、２等分された配線基板のうち貫通導体の体積の合計が小さい側と大きい側との焼成時における収縮量の差を小さくすることができるので、配線基板の製造工程における焼成時の反り量を低減することができる。

【0014】

なお、本発明は、種々の態様で実現することが可能である。例えば、配線基板の設計方法、配線基板の製造装置、それらの方法または装置の機能を実現するための集積回路、コンピュータプログラム、そのコンピュータプログラムを記録した記録媒体等の形態で実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】第１実施形態としての配線基板の構成を示す断面図である。

【図2】配線基板の製造工程を示す工程図である。

【図3】第２実施形態としての配線基板の構成を示す断面図である。

【図4】配線基板の貫通導体の組成と焼成時の反り量との関係を表形式で示す説明図である。

【発明を実施するための形態】

【0016】

次に、本発明の実施の形態を実施例に基づいて以下の順序で説明する。
Ａ．第１実施形態：
Ｂ．第２実施形態：
Ｃ．実験例：
Ｄ．変形例：

【0017】

Ａ．第１実施形態：
図１は、本発明の一実施形態としての配線基板１００の構成を示す断面図である。本実施形態では、配線基板１００のうち、電子部品を搭載する側の面を表面ＡＳと定義し、母基板（マザー基板）に接続される側の面を裏面ＢＳと定義する。そして、表面ＡＳ側を上側と定義し、裏面ＢＳ側を下側と定義する。なお、「上側」、「下側」は、便宜上定義したものであり、配線基板１００が母基板に搭載される場合の向きを限定するものではない。

【0018】

また、この図１には、配線基板１００の積層方向の厚みを２等分する中心基準面Ｏが描かれている。本実施形態では、配線基板１００のうち、中心基準面Ｏから上側を上部層１０と定義し、中心基準面Ｏよりも下側を下部層２０と定義する。なお、中心基準面Ｏ上に位置する層については、中心基準面Ｏよりも上側の部分が多い場合は上部層１０と定義し、中心基準面Ｏよりも下側の部分が多い場合は下部層２０と定義する。ただし、中心基準面Ｏが層の中心にある場合は、上部層１０と定義する。

【0019】

配線基板１００は、複数のセラミック絶縁層ＩＬと、複数のセラミック絶縁層ＩＬの間に配置され、所定のパターンを有する複数の配線層ＣＬとを備えている。換言すれば、配線基板１００は、セラミック絶縁層ＩＬと配線層ＣＬとが交互に積層された多層構造を有している。本実施形態では、配線基板１００は、第１から第６の６層のセラミック絶縁層ＩＬ１〜ＩＬ６と、第１から第６の６層の配線層ＣＬ１〜ＣＬ６とを備えている。

【0020】

各セラミック絶縁層ＩＬ１〜ＩＬ６には、各セラミック絶縁層ＩＬ１〜ＩＬ６を厚み方向に貫通する貫通導体Ｐ１〜Ｐ６が形成されている。

【0021】

セラミック絶縁層ＩＬ１〜ＩＬ６は、セラミックグリーンシートを焼成することによって形成されており、各配線層ＣＬ１〜ＣＬ６を絶縁するための絶縁層として機能する。なお、実際には、セラミックグリーンシートの焼成後には、各セラミック絶縁層ＩＬ１〜ＩＬ６は一体となり、各層の境界線はほぼ消滅している。

【0022】

配線層ＣＬ１〜ＣＬ６は、セラミックグリーンシート上に導電性ペーストをスクリーン印刷し、焼成することによって形成されている。導電性ペーストは、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）、Ｗ（タングステン）、Ｍｏ（モリブデン）等の少なくともいずれか１つの成分を含んでいる。なお、配線層ＣＬは、メタライズ導体とも呼ばれる。また、配線基板１００の裏面ＢＳに形成された第１配線層ＣＬ１には、ニッケルめっき被膜３１及び金めっき被膜３２が形成されており、母基板との接続のためのパッドとして機能する。

【0023】

貫通導体Ｐ１〜Ｐ６は、異なる層の配線層ＣＬ１〜ＣＬ６を電気的に接続する導体であり、本実施形態では、貫通導体Ｐ１〜Ｐ６は、導電性の金属成分を含んだ導電性ペーストを、セラミックグリーンシートに形成された貫通孔に充填し、焼成することによって形成されている。第６セラミック絶縁層ＩＬ６に形成された貫通導体Ｐ６のうち、表面ＡＳに露出した部分には、ニッケルめっき被膜３５及び金めっき被膜３６が形成されている。そして、金めっき被膜３６上にハンダバンプ（図示せず）が形成され、電子部品が搭載される。

【0024】

図１に示すように、本実施形態では、セラミック絶縁層ＩＬ４、ＩＬ５、ＩＬ６、配線層ＣＬ４、ＣＬ５、ＣＬ６及び貫通導体Ｐ４、Ｐ５、Ｐ６は、上部層１０に属しており、セラミック絶縁層ＩＬ１、ＩＬ２、ＩＬ３、配線層ＣＬ１、ＣＬ２、ＣＬ３及び貫通導体Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３は、下部層２０に属している。

【0025】

以上の構成の配線基板１００において、本実施形態では、焼成時における収縮率の異なる２つのタイプの貫通導体が存在している。すなわち、収縮率の大きいタイプ１の貫通導体と、収縮率の小さいタイプ２の貫通導体が存在している。

【0026】

タイプ１の貫通導体は、導電性の金属成分として銀とパラジウムを含む導電性ペーストを焼成することによって形成されている。タイプ２の貫通導体は、導電性の金属成分として銀のみを含む導電性ペースト、すなわち、導電性の金属成分として銀を含み、パラジウムは含まない導電性ペーストを焼成することによって形成されている。

【0027】

そして、本実施形態では、上部層１０に含まれる貫通導体Ｐ４、Ｐ５、Ｐ６の全てが、タイプ１の貫通導体であり、下部層２０に含まれる貫通導体Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３の全てが、タイプ２の貫通導体である。このため、本実施形態によれば、配線基板１００の焼成時の反り量を低減することができる。この理由は以下のとおりである。

【0028】

焼成時における貫通導体Ｐの収縮率は、セラミック絶縁層ＩＬの収縮率よりも大きい。このため、２等分された配線基板１００のうち貫通導体Ｐの体積の合計が大きい側は、貫通導体Ｐの体積の合計が小さい側よりも、焼成時の収縮量が大きくなる。

【0029】

そこで、貫通導体Ｐの体積の合計が小さい側に、収縮率の大きいタイプ１の貫通導体が１本以上含まれていれば、貫通導体Ｐの体積の合計が小さい側の収縮量が大きくなり、貫通導体Ｐの体積の合計が大きい側の収縮量に近づく。

【0030】

本実施形態では、上部層１０に含まれる貫通導体Ｐ４、Ｐ５、Ｐ６の体積の合計の方が、下部層２０に含まれる貫通導体Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３の体積の合計よりも小さいので、上部層１０にタイプ１の貫通導体が１本以上含まれていれば、上部層１０の収縮量が大きくなり、下部層２０の収縮量に近づく。

【0031】

以上より、本実施形態によれば、上部層１０に含まれる貫通導体Ｐ４、Ｐ５、Ｐ６の全てが、タイプ１の貫通導体であり、下部層２０に含まれる貫通導体Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３の全てが、タイプ２の貫通導体であるので、上部層１０と下部層２０との焼成時における収縮量の差が小さくなり、配線基板１００の焼成時の反り量を低減することができる。

【0032】

図２は、配線基板１００の製造工程を示す工程図である。工程Ｓ１００では、複数のセラミックグリーンシートを作製する。具体的には、まず、セラミック原料粉末として、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｂ₂Ｏ₃等を主成分とするホウケイ酸系ガラス粉末とアルミナ粉末とを用意する。本実施形態では、アルミナ粉末は、平均粒径３μｍ、比表面積１．０ｍ²／ｇのものを使用する。さらに、シート成形時のバインダー成分及び可塑剤成分として、アクリル系樹脂及びＤＯＰ（ジ・オクチル・フタレート）を用意する。

【0033】

次に、上記のホウケイ酸系ガラス粉末と、アルミナ粉末とを重量比で５０：５０、総量で１ｋｇとなるように秤量してアルミナ製のポットに入れる。このポットに、上記のアクリル樹脂１２０ｇと、可塑剤（ＤＯＰ）と、適当なスラリー粘度とシート強度を持たせるのに必要な量の溶剤（ＭＥＫ：メチルエチルケトン）とを入れ、５時間混合することによりセラミックスラリーを得る。得られたセラミックスラリーに対して、ドクターブレード法を実施することによって、厚み０．０５、０．１０、０．１５ｍｍのセラミックグリーンシートを作製する。

【0034】

工程Ｓ１１０では、セラミックグリーンシートに対して打ち抜き加工を施して、貫通孔（スルーホール）を形成する。工程Ｓ１２０では、形成された貫通孔内に、２つのタイプの導電性ペーストを印刷・充填し、未焼成の貫通導体を形成する。具体的には、配線基板１００の完成時において、２等分された配線基板１００のうち貫通導体の体積の合計が小さい側に、収縮率の大きいタイプ１の貫通導体が１本以上含まれるように、貫通導体を形成する。

【0035】

本実施形態では、図１に示す配線基板１００の完成時において、上部層１０に含まれる貫通導体Ｐ４、Ｐ５、Ｐ６の全てが、タイプ１の貫通導体となるように、そして、下部層２０に含まれる貫通導体Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３の全てが、タイプ２の貫通導体となるように、２つのタイプの導電性ペーストを印刷・充填する。

【0036】

ここで、タイプ１の導電性ペーストは、例えば、導電性の金属成分として平均粒径２μｍの銀粉末と平均粒径１μｍのパラジウム粉末を使用し、樹脂としてエチルセルロース樹脂、溶剤としてターピネオールを加え、３本ロールミルによって混練することによって作製する。タイプ２の導電性ペーストは、例えば、導電性の金属成分として平均粒径６μｍの銀粉末を使用し、樹脂としてエチルセルロース樹脂、溶剤としてターピネオールを加え、３本ロールミルにて混練することによって作製する。

【0037】

工程Ｓ１３０では、セラミックグリーンシートの表面や裏面に対して導電性ペーストをスクリーン印刷して、未焼成の配線層を形成する。ここで、配線層に用いられる導電性ペーストは、例えば、平均粒径３μｍの銀粉末を使用し、軟化点が７５０℃のガラスを、ペースト中の無機分１００体積部に対して５体積部となるように添加し、この粉末に対して、樹脂としてエチルセルロース樹脂、溶剤としてα−ターピネオールを加え、３本ロールミルにて混練することによって作製する。

【0038】

工程Ｓ１４０では、複数のセラミックグリーンシートを厚み方向に積層して圧着させ、積層体を形成する。工程Ｓ１５０では、得られた積層体を８５０℃の温度で３０分間焼成し、配線基板１００とする。

【0039】

工程Ｓ１６０では、配線基板１００の表面ＡＳ及び裏面ＢＳに露出する導体に対してニッケルめっき及び金めっきを施して、所定の厚さのニッケルめっき被膜３１、３５及び金めっき被膜３２、３６を形成する（図１）。

【0040】

なお、配線基板１００の表面ＡＳに電子部品を搭載する際には、めっき後の貫通導体Ｐ６上に、略半球状のハンダバンプ（図示せず）を形成する。そして、形成されたハンダバンプに対して平坦な面を押し付けて加圧し、ハンダバンプの略半球状の頂部を平坦化する。略半球状の頂部を平坦化する理由は、複数のハンダバンプの高さを揃えたり、電子部品の電極がハンダバンプの頂部から滑ってずれてしまうことを抑制するためである。

【0041】

以上より、本実施形態では、２等分された配線基板１００のうち貫通導体Ｐの体積の合計が小さい側に、収縮率の大きいタイプの貫通導体Ｐが１本以上含まれているので、貫通導体Ｐの体積の合計が小さい側と大きい側との焼成時における収縮量の差が小さくなり、配線基板１００の焼成時の反り量を低減することができる。

【0042】

さらに、本実施形態では、配線層ＣＬの回路パターンや、貫通導体Ｐの配置を設計した後に、貫通導体Ｐのタイプを決定することができるので、制約を受けずに自由に配線層ＣＬの回路パターンや、貫通導体Ｐの配置を設計しつつも、配線基板１００の焼成時の反り量を低減することができる。

【0043】

Ｂ．第２実施形態：
図３は、第２実施形態としての配線基板１００ｂの構成を示す断面図である。この第２実施形態は、２等分された配線基板１００ｂのうち貫通導体Ｐの体積の合計が大きい側（この例では下部層２０）に、収縮率の小さいタイプ２の貫通導体Ｐが含まれている点において、第１実施形態と共通するが、下部層２０に含まれる収縮率の小さいタイプ２の貫通導体Ｐの全てが、上部層１０に含まれるタイプ１の貫通導体Ｐよりも小さい径を有している点において、第１実施形態と相違する。

【0044】

この形態によれば、貫通導体Ｐの体積の合計が大きい側における貫通導体Ｐの体積が減少するので、貫通導体Ｐの体積の合計が大きい側における収縮が抑制され、配線基板の焼成時の反り量をさらに効果的に低減することができる。

【0045】

Ｃ．実験例：
本実験例では、貫通導体Ｐの組成や径の異なる配線基板のサンプルを複数用意し、焼成時の反り量を調べた。

【0046】

図４は、配線基板１００の貫通導体Ｐの組成と焼成時の反り量との関係を表形式で示す説明図である。この図４における総合評価では、反り量が０μｍ以上１００μｍ未満の場合を最も高い評価として「ＡＡ」で示し、反り量が１００μｍ以上４００μｍ未満の場合を２番目に高い評価として「Ａ」で示し、反り量が４００μｍ以上の場合を低い評価として「Ｂ」で示した。

【0047】

この図４に示したサンプル１〜１０は、全て、下部層２０に含まれる貫通導体Ｐの体積の方が、上部層１０に含まれる貫通導体Ｐの体積よりも大きくなっている。また、サンプル１〜１０における貫通導体Ｐの径は、８０μｍの小径のものが適用されている層を除き、全て１００μｍである。

【0048】

サンプル１〜６では、貫通導体Ｐは、２つのタイプによって形成されており、上部層１０における貫通導体Ｐの全ては、収縮率の大きいタイプによって形成されており、下部層２０における貫通導体Ｐの全ては、収縮率の小さいタイプによって形成されている。この結果、上部層１０における収縮量と下部層２０における収縮量の差が小さくなって反り量が低減し、総合評価は「Ａ」以上となっている。

【0049】

さらに、サンプル１、２は、上記の第２実施形態のように、下部層２０における貫通導体Ｐ（すなわち、収縮率の小さいタイプの貫通導体Ｐ）の径が小さく、具体的には８０μｍとなっている。この結果、上部層１０における収縮量と下部層２０における収縮量の差がさらに小さくなって反り量がさらに低減し、総合評価は「ＡＡ」となっている。

【0050】

これに対して、サンプル７〜９では、貫通導体Ｐは、１つのタイプによって形成されているため、総合評価は「Ｂ」となっている。なお、サンプル１０では、貫通導体Ｐは、１つのタイプによって形成されているが、下部層２０における貫通導体Ｐの径が小さくなっているため、総合評価は「Ａ］となっている。

【0051】

以上より、サンプル１〜６によると、２等分された配線基板１００のうち貫通導体Ｐの体積の合計が小さい側に、収縮率の大きいタイプの貫通導体Ｐが１本以上含まれていれば、２等分された配線基板１００のうち貫通導体Ｐの体積の合計が小さい側と大きい側との焼成時における収縮量の差が小さくなり、配線基板１００の焼成時の反り量が低減されることが理解できる。

【0052】

さらに、サンプル１、２によると、収縮率の小さいタイプの貫通導体Ｐのうちの少なくとも１本以上が、他のタイプの貫通導体よりも小さい径を有していれば、配線基板１００のうち貫通導体Ｐの体積の合計が大きい側の収縮がさらに抑制され、配線基板の焼成時の反り量がさらに低減されることが理解できる。

【0053】

Ｄ．変形例：
なお、この発明は上記の実施例や実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば次のような変形も可能である。

【0054】

Ｄ１．変形例１：
上記実施形態では、貫通導体Ｐには、焼成時における収縮率の異なる２つのタイプが含まれているが、貫通導体Ｐのタイプは、３つ以上であってもよい。

【0055】

この場合は、２等分された配線基板１００のうち貫通導体Ｐの体積の合計が小さい側に、収縮率の最も大きいタイプの貫通導体Ｐが１本以上含まれていればよい。また、２等分された配線基板１００のうち貫通導体Ｐの体積の合計が大きい側に、収縮率の最も小さいタイプの貫通導体Ｐが含まれており、収縮率の最も小さいタイプの貫通導体Ｐのうちの少なくとも１本以上が、他のタイプの貫通導体Ｐよりも小さい径を有していればよい。

【0056】

ただし、貫通導体Ｐのタイプが２つの場合の方が、製造工程を煩雑にすることなく、配線基板の焼成時の反り量を低減することができるという点において、上記の実施形態の方が好ましい。

【0057】

Ｄ２．変形例２：
上記実施形態では、タイプ１の貫通導体Ｐは、導電性の金属成分として銀とパラジウムを含むペーストを焼成することによって形成されており、タイプ２の貫通導体Ｐは、導電性の金属成分として銀のみを含む導電性ペースト、すなわち、導電性の金属成分として銀を含み、パラジウムは含まない導電性ペーストを焼成することによって形成されている。しかし、２つのタイプに用いられる貫通導体の材料は、収縮率に差があれば、上記の実施形態に限られない。

【0058】

例えば、収縮率の大きいタイプ１の貫通導体として、平均粒径２μｍの銀粉末のみを導電性の金属成分として含む材料を採用し、収縮率の小さいタイプ２の貫通導体として、平均粒径６μｍの銀のみを導電性の金属成分として含む材料を採用してもよい。ただし、タイプ１とタイプ２との収縮率の差を大きくすることができるという点において、上記の実施形態の方が好ましい。

【0059】

Ｄ３．変形例３：
上記実施形態では、２等分された配線基板１００のうち貫通導体Ｐの体積の合計が小さい側（上部層１０）における貫通導体Ｐは、全てタイプ１の貫通導体である。しかし、２等分された配線基板１００のうち貫通導体Ｐの体積の合計が小さい側（上部層１０）には、収縮率の最も大きいタイプの貫通導体Ｐが１本以上含まれていればよい。

【0060】

Ｄ４．変形例４：
上記第２実施形態では、下部層２０に含まれる収縮率の小さいタイプ２の貫通導体Ｐの全てが、上部層１０に含まれるタイプ１の貫通導体Ｐよりも小さい径を有している。しかし、下部層２０に含まれる収縮率の小さいタイプ２の貫通導体Ｐのうちの少なくとも１本以上が、上部層１０に含まれるタイプ１の貫通導体Ｐよりも小さい径を有していればよい。

【0061】

Ｄ５．変形例５：
上記実施形態では、上部層１０を、２等分された配線基板１００のうち貫通導体Ｐの体積の合計が小さい側として説明し、下部層２０を、２等分された配線基板１００のうち貫通導体Ｐの体積の合計が大きい側として説明した。しかし、これらの関係は逆であってもよい。

【0062】

Ｄ６．変形例６：
上記実施形態では、セラミック絶縁層ＩＬが６層である配線基板１００について説明したが、５層以下や７層以上のセラミック絶縁層ＩＬを有する配線基板に対しても、本発明を適用することができる。

【符号の説明】

【0063】

１０…上部層
２０…下部層
３１…ニッケルめっき被膜
３２…金めっき被膜
３５…ニッケルめっき被膜
３６…金めっき被膜
１００…配線基板
Ｏ…中心基準面
ＩＬ１〜ＩＬ６…セラミック絶縁層
ＣＬ１〜ＣＬ６…配線層
Ｐ１〜Ｐ６…貫通導体
ＡＳ…表面
ＢＳ…裏面

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】