特許 6187568 電磁波シールド用積層体、電磁波シールド積層体、電子機器およびその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6187568

(24)【登録日】2017年8月10日

(45)【発行日】2017年8月30日

(54)【発明の名称】電磁波シールド用積層体、電磁波シールド積層体、電子機器およびその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 9/00 20060101AFI20170821BHJP

   H05K 1/02 20060101ALI20170821BHJP

   B32B 3/24 20060101ALI20170821BHJP

   B32B 27/18 20060101ALI20170821BHJP

【ＦＩ】

   H05K9/00 W

   H05K1/02 N

   H05K1/02 P

   B32B3/24 Z

   B32B27/18 J

   H05K9/00 R

【請求項の数】5

【全頁数】18

(21)【出願番号】特願2015-214168(P2015-214168)

(22)【出願日】2015年10月30日

(65)【公開番号】特開2017-59801(P2017-59801A)

(43)【公開日】2017年3月23日

【審査請求日】2015年11月12日

(31)【優先権主張番号】特願2015-183981(P2015-183981)

(32)【優先日】2015年9月17日

(33)【優先権主張国】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000222118

【氏名又は名称】東洋インキＳＣホールディングス株式会社

(73)【特許権者】

【識別番号】711004506

【氏名又は名称】トーヨーケム株式会社

(72)【発明者】

【氏名】早坂 努

【審査官】 小林 大介

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１２−１５６４５７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２０１４／０１０３４２（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 国際公開第２０１４／１３２９５１（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開昭６２−１８３５９６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１３−２３５１０４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１５−１７９７９０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１３−２４３２２８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１０−１７７４７１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００４−３１１５７７（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０５Ｋ １／０２

Ｈ０５Ｋ ９／００

Ｂ３２Ｂ １／００−４３／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

筐体に、電磁波シールド層付き基板がアース部により接合された電子機器であって、
前記基板上には、グランド回路を含む回路パターンと、
前記回路パターンを絶縁保護する絶縁保護膜と、
前記絶縁保護膜上に積層され、当該絶縁保護膜に設けられた開口部を介して前記グランド回路と導通し、且つ前記回路パターンをシールドする電磁波シールド層と、
前記電磁波シールド層上に形成され、貫通穴を有し、かつ貫通穴の開口面積率が０．００１〜４０％である絶縁層とを具備し、
前記筐体は、熱圧着することにより導通し、前記グランド回路を接地するアース部を有しており、
前記電磁波シールド層は、熱により軟化するバインダー樹脂および導電性フィラーを含有する導電性接着層（Ｉ）を熱圧着することにより形成した層を有し、
前記アース部は、熱により軟化するバインダー樹脂および導電性フィラーを含有する導電性接着層（ＩＩ）を熱圧着することにより形成した層を有し、
熱圧着することにより前記絶縁層の貫通穴に流入した導電性接着層（ＩＩ）により前記電磁波シールド層と、前記アース部とが電気的に接続されてなり、
前記導電性接着層（ＩＩ）は、１５０℃、圧力２０ｋｇ／ｃｍ^２の条件で３０分熱圧着した場合におけるフロー量が、０．００５ｍｍ以上、２ｍｍ以下である、
電子機器。

【請求項2】

前記絶縁層の膜厚が３〜５０μｍであることを特徴とする請求項１記載の電子機器。

【請求項3】

貫通穴が、絶縁層の全面または少なくともアース部の取り付け領域に形成されていることを特徴とする請求項１または２記載の電子機器。

【請求項4】

前記電磁波シールド層は、前記導電性接着層（Ｉ）を熱圧着して形成した層の上層に、金属層がさらに積層されていることを特徴とする請求項１〜３いずれか１項記載の電子機器。

【請求項5】

筐体に、電磁波シールド層付き基板が接合された電子機器の製造方法であって、
グランド回路を含む回路パターンが形成された基板上に、前記回路パターンを保護し、前記グランド回路上の少なくとも一部に開口部を有する絶縁保護膜を形成し、
熱により軟化するバインダー樹脂および導電性フィラーを含有する導電性接着層（Ｉ）と、貫通穴を有し、かつ貫通穴の開口面積率が０．００１〜４０％である絶縁層と、
を積層してなる電磁波シールド用積層体を、
前記導電性接着層（Ｉ）が下層側になるように前記絶縁保護膜上に配置した後、前記電磁波シールド用積層体を熱圧着して電磁波シールド層を形成し、
さらに、１５０℃、圧力２０ｋｇ／ｃｍ^２の条件で３０分熱圧着した場合におけるフロー量が、０．００５ｍｍ以上、２ｍｍ以下である導電性接着層（ＩＩ）を有するアース部を、導電性接着層（ＩＩ）が下層側になるように前記絶縁層上に配置し、熱圧着して前記絶縁層の貫通穴に、導電性接着剤層（ＩＩ）を流入させ、絶縁層の貫通穴を介して、前記電磁波シールド層と、前記アース部とを電気的に接続させるように、電磁波シールド層付き基板を筐体に接合する電子機器の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、電磁波シールド用積層体に関する。また、前述の電磁波シールド用積層体を用いてなる電磁波シールド積層体、電子機器およびその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

携帯端末、ＰＣ、サーバー等をはじめとする各種電子機器には、フレキシブルプリント配線板等の基板が内蔵されている。これらの基板には、外部からの磁場や電波による誤動作を防止するために、また、電気信号からの不要輻射を低減するために、通常、電磁波シールド構造が設けられている。

【0003】

特許文献１においては、フレキシブルプリント配線板に用いるシールドフィルムとして、カバーフィルム、金属薄膜層、接着剤層がこの順で積層されたシールド層を設ける構成が開示されている。このシールドフィルムの一端側には、前述のシールド層と導通するようにカバーフィルムに押し付けられてカバーフィルムを突き抜ける導電性バンプ、突起または金属フィラーを設け、他端側には、露出してその近傍のグランド部に接続可能に形成したグランド部材を設ける構成が開示されている。また、シールドフィルムのカバーフィルムにエキシマーレーザにより窓部を設けて、その窓部に導電性接着剤を介してグランド部材を一端に接続し、グランド部材の他端を近くにあるグランド部に接続する構造が開示されている。

【0004】

また、特許文献２においては、ベースフィルムに信号導体、グランド導体が形成され、絶縁フィルムが被覆されたフレキシブルフラットケーブルが、シールドフィルムに挟持され、シールドフィルムの一方が、外部グランド部材に接続された導電部材に熱圧着された構造が提案されている。導電部材は、外部グランド部材に接続するための金属層（不図示）と、導電性粒子を含む導電性接着層とを接触状態に備えている。シールドフィルムは、接着層、介在層、接着層、金属薄膜層およびカバーフィルムの積層体からなる。導電部材がシールドフィルムに熱圧着されることにより、導電性粒子がカバーフィルムを突き破り、導電部材とシールドフィルムとが電気的に接続されるようになっている。フレキシブルフラットケーブルのグランド導体は、組み込まれる電子機器の筐体などの外部グランド部材に接続され、グランド導体と導電部材とが同じグランド電位になっている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特許３４３４０２１号

【特許文献2】特開２０１１−６６３２９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

近年の信号の高速化や装置の軽薄短小化に伴い、配線同士の離間距離が狭くなり、電磁妨害（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ（ＥＭＩ））をより効果的に防止する技術および電磁両立性（Ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ Ｃｏｍｐａｔｉｂｉｌｉｔｙ（ＥＭＣ））の向上を図る技術が求められている。

【0007】

特許文献１のシールドフィルムにおいては、カバーフィルムに押し付けられてカバーフィルムを突き抜ける導電性バンプ、突起または金属フィラーを設けているため、カバーフィルムの膜厚、金属フィラー等のサイズ、接合条件等を精密に制御する必要があり、信頼性に課題があった。また、エキシマーレーザを用いる方法においては、窓部の開口不良が生じないように照射条件を精密に制御する必要があった。
また、特許文献２のシールド配線板においても、導電性粒子の平均突出長よりも薄い層厚みにする必要があり、導電性粒子の粒子サイズ、熱圧着条件、カバーフィルムの厚み等を精密に制御する必要があり、信頼性に課題があった。また、フレキシブルフラットケーブルのグランド導体を外部筐体に接続する構造およびその領域を確保する必要があった。

【0008】

本発明は、上記背景に鑑みて成されたものであり、その目的とすることは、電磁波シールド用積層体の厚み方向にグランド接続構造を設け、電磁波シールド用積層体の表面の任意の位置おいて確実にグランド接続できるように構成したもので、回路設計の自由度を向上させ、グランド接続が確実となり、グランド接続の信頼性及び、絶縁層の絶縁信頼性が高い、電磁波シールド用積層体、この電磁波シールド用積層体を用いて小型化を実現可能な電磁波シールド性に優れた電子機器およびその製造方法を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0009】

本発明者らが鋭意検討を重ねたところ、以下の態様において、本発明の課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。

【0010】

本発明に係る電磁波シールド用積層体は、導電性接着層（Ｉ）と貫通穴を有する絶縁層とが積層されてなり、前記導電性接着層（Ｉ）が、熱により軟化するバインダー樹脂と、導電性フィラーを含有し、前記絶縁層の貫通穴の開口面積率が、０．００１〜４０％であることを特徴とする。

【0011】

本発明に係る電磁波シールド積層体は、基板上に形成されたグランド回路と、筐体側のアース部とを接地する電磁波シールド積層体であって、前記グランド回路を含む回路パターンが形成された基板が、開口部と、前記回路パターンを絶縁保護する絶縁保護膜を有しており、前記絶縁保護膜上に、電磁波シールド層と貫通穴を有する絶縁層とがこの順に積層され、前記絶縁層の貫通穴の開口面積率が、０．００１〜４０％であって、前記絶縁保護膜に設けられた開口部を介して前記電磁波シールド層と前記グランド回路とが導通し、かつ、前記絶縁層の貫通穴を介して、前記電磁波シールド層と前記アース部とが電気的に接続するように、熱により軟化するバインダー樹脂と、導電性フィラーを含有し、熱圧着により前記電磁波シールド層として機能する導電性接着層（Ｉ）と、前記貫通穴を有する絶縁層とを積層した積層体である。

【0012】

本発明に係る電子機器は、筐体に、電磁波シールド層付き基板がアース部により接合された電子機器であって、前記基板上には、グランド回路を含む回路パターンと、前記回路パターンを絶縁保護する絶縁保護膜と、前記絶縁保護膜上に積層され、当該絶縁保護膜に設けられた開口部を介して前記グランド回路と導通し、且つ前記回路パターンをシールドする電磁波シールド層と、前記電磁波シールド層上に形成され、貫通穴を有し、かつ貫通穴の開口面積率が０．００１〜４０％である絶縁層とを具備し、前記筐体は、熱圧着することにより導通し、前記グランド回路を接地するアース部を有しており、前記電磁波シールド層は、熱により軟化するバインダー樹脂と、導電性フィラーを含有する導電性接着層（Ｉ）を熱圧着することにより形成した層を有する。

【0013】

本発明に係る電子機器の製造方法は、筐体に、電磁波シールド層付き基板が接合された電子機器の製造方法であって、
グランド回路を含む回路パターンが形成された基板上に、前記回路パターンを保護し、前記グランド回路上の少なくとも一部に開口部を有する絶縁保護膜を形成し、
熱により軟化するバインダー樹脂と、導電性フィラーを含有する導電性接着層（Ｉ）と、貫通穴を有し、かつ貫通穴の開口面積率が０．００１〜４０％である絶縁層とを積層してなる電磁波シールド用積層体を、
前記導電性接着層（Ｉ）が下層側になるように前記絶縁保護膜上に配置した後、前記電磁波シールド用積層体を熱圧着して電磁波シールド層を形成し、
さらに導電性接着層（II）を有するアース部を、導電性接着層（II）が下層側になるように前記絶縁層上に配置し、熱圧着して前記絶縁層の貫通穴に、導電性接着層（II）を流入させ、絶縁層の貫通穴を介して、前記電磁波シールド層と、前記アース部とを電気的に接続させるように、電磁波シールド層付き基板を筐体に接合する方法である。

【発明の効果】

【0014】

本発明によれば、電磁波シールド層付き基板の厚み方向にアース接続構造を設け、電磁波シールド層付き基板内部のグランド回路と電磁波シールド層付き基板の表面の任意の位置に設けたアース部とのグランド経路を上記のアース接続構造で実現するので、小型化を実現できるとともに電磁波シールド層付き基板のグランド回路の配置の設計自由度を高めることができる。また、電磁波シールド積層体内部に多数のグランド回路を形成することが可能となり、電磁波シールド効果をより効果的に向上させることができる。
本発明によれば、電磁波シールド層付き基板の厚み方向にグランド接続構造を設け、電磁波シールド層付き基板の表面の任意の位置においてグランド接続できるように構成したので、グランド接続が確実となり、電磁波シールド性、グランド接続の信頼性、及び、絶縁層の絶縁信頼性が高い電磁波シールド用積層体、この電磁波シールド用積層体を用いて小型化を実現可能な、電磁波シールド性に優れた電磁波シールド積層体、電子機器およびその製造方法を提供できるという優れた効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】第１実施形態に係る電磁波シールド層付き電子機器の要部の模式的断面図。

【図2】第１実施形態に係る電磁波シールド層付き電子機器の各構成要素の模式的断面図。

【図3】貫通穴の形成形態を示す絶縁層の平面図。

【図4】第１実施形態に係る電磁波シールド層付き電子機器の製造工程断面図。

【図5】第２実施形態に係る電磁波シールド層付き電子機器の要部の模式的断面図。

【図6】第３実施形態に係る電磁波シールド層付き電子機器の要部の模式的断面図。

【図7】第４実施形態に係る電磁波シールド層付き電子機器の要部の模式的断面図。

【発明を実施するための形態】

【0016】

以下、本発明を適用した実施形態の一例について説明する。なお、以降の図における各部材のサイズや比率は、説明の便宜上のものであり、これに限定されるものではない。

【0017】

本発明の電子機器は、筐体に、電磁波シールド層付き基板がアース部により接合された電子機器であって、前記基板上には、グランド回路を含む回路パターンと、前記回路パターンを絶縁保護する絶縁保護膜と、前記絶縁保護膜上に積層され、当該絶縁保護膜に設けられた開口部を介して前記グランド回路と導通し、且つ前記回路パターンをシールドする電磁波シールド層と、前記電磁波シールド層上に形成され、貫通穴を有し、かつ貫通穴の開口面積率が０．００１〜４０％である絶縁層とを具備し、前記筐体は、熱圧着することにより導通し、前記グランド回路を接地するアース部を有しており、前記電磁波シールド層は、熱により軟化するバインダー樹脂と、導電性フィラーを含有する導電性接着層（Ｉ）を熱圧着することにより形成した層を有することを特徴とする。

【0018】

［第１実施形態］
図１に、第１実施形態に係る電子機器の要部の模式的断面図を示す。電子機器１は、電子機器の電磁波シールド層付き基板３０が筐体４０に接合されたものであり、図１に示すように、回路基板１０、電磁波シールド積層体２０、筐体４０と接続するアース部５０等を有する。

【0019】

《回路基板》
回路基板１０は、図２（ｃ）に示すように、信号回路１２、グランド回路１３等の回路パターン１４が形成された基板１１と、これらの上層を被覆する絶縁保護膜（カバーレイ）１５等からなる。基板１１としては、本発明の趣旨に適合する限り特に限定されず、リジッド基板、フレキシブル基板、リジッドフレキシブル基板等に広く適用できる。回路パターン１４の形成方法は特に限定されず公知の方法を利用できる。

【0020】

基板１１としてフレキシブルプリント基板を用いる場合には、例えば、厚み５〜１００μｍ程度の絶縁性ベースフィルムと厚み５〜１００μｍ程度の回路パターン１４が接着層を介して接合された構造を用いることができる。絶縁性ベースフィルムの材料は特に限定されないが、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリベンゾオキサゾール、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、ポリフェニレンサルファイド等の樹脂が例示できる。基板１１は、折り曲げた状態等で使用してもよい。

【0021】

基板１１としてリジッド基板を用いる場合には、例えば、ガラスエポキシ基板、ガラスコンポジット基板、テフロン（登録商標）基板、セラミックス基板等が挙げられる。基板１１上には、信号回路１２に接続される能動素子を含む電子素子が実装されていてもよい。

【0022】

回路パターン１４の材料は特に限定されないが、Ｃｕ，Ａｌ，Ａｕ，Ａｇ、Ｎｉ，Ｐｄ，Ｓｎ，Ｃｒ，Ｗ，Ｆｅ，ＴｉおよびＳＵＳ材等の金属ならびにその合金等の導電材料が例示できる。グランド回路１３の形成位置は、電磁波シールド積層体２０および該電磁波シールド積層体の表面に設けられたアース部５０の導電性接着層（II）５１で形成された導電層にアースコンタクトが取れればよく、基板１１の表面の他、基板の内部あるいは基板の裏面でもよい。信号回路１２の形成位置についても同様である。

【0023】

絶縁保護膜１５は、回路パターン１４を保護する役割を担い、絶縁性を有し、後述する熱圧着工程に耐え得る層であれば特に限定されない。好適な例としては、酸化シリコン、窒化シリコン、窒素含有酸化シリコン等の無機材料膜もしくはポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂等の有機材料膜などが例示できる。ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール前駆体等の樹脂、光重合性化合物、光重合開始剤等を含む感光性樹脂組成物を用いてもよい。絶縁保護膜１５は単層としてもよく、同一又は異なる複数の層を積層してもよい。絶縁保護膜１５には、グランド回路１３の上層に開口パターンである開口部１６が設けられている。

【0024】

《電磁波シールド積層体》
本発明の電磁波シールド積層体２０は、基板上に形成されたグランド回路と、筐体側のアース部とを接地する電磁波シールド積層体であって、前記グランド回路を含む回路パターンが形成された基板が、開口部と、前記回路パターンを絶縁保護する絶縁保護膜を有しており、前記絶縁保護膜上に、電磁波シールド層と貫通穴を有する絶縁層とがこの順に積層され、前記絶縁層の貫通穴の開口面積率が、０．００１〜４０％であって、前記絶縁保護膜に設けられた開口部を介して前記電磁波シールド層と前記グランド回路とが導通し、かつ、前記絶縁層の貫通穴を介して、前記電磁波シールド層と前記アース部とが電気的に接続するように、熱により軟化するバインダー樹脂と、導電性フィラーを含有し、熱圧着により前記電磁波シールド層として機能する導電性接着層（Ｉ）と、前記貫通穴を有する絶縁層との積層体である。

【0025】

具体的には、導電性接着層（Ｉ）２５を熱圧着することにより形成される電磁波シールド層２１を有する電磁波シールド積層体２０は、電磁波シールド層２１と貫通穴２４を有する絶縁層２２とを有し、図２（ｂ）に示すように、導電性接着層（Ｉ）２５と、貫通穴２４を有する絶縁層２２を少なくとも積層した電磁波シールド用積層体２８を用いて形成される。
電磁波シールド層２１は、導電性接着層（Ｉ）から形成される電磁波シールド層２１ａ上に、さらに、図５に示すように、金属箔等の金属層２１ｂを単層または複数層積層してもよい。金属箔等の導電層である金属層２１ｂを有することで例えば１００ＭＨｚ〜２０ＧＨｚの高周波信号に対する電磁波シールド性、および伝送特性が向上する。金属層は酸化による導電性の低下を抑制するため、防錆処理されていることが好ましい。防錆処理は、ベンゾトリアゾール試薬等による有機膜の形成や、ニッケル、クロム、亜鉛等の金属メッキすることができるが、耐酸化性の点から金属メッキが好ましい。

【0026】

さらに、後述するように、アース部５０と導通を取るために、絶縁層の貫通穴に導電接着層（II）を流入させ、電気的に接続する際、金属層２１ｂが絶縁層２２の下地となる場合、熱圧着時の圧力が導電接着層（II）に伝わりやすくなり、流入を促進させ、より確実にアース部５０と導通を確保することができる。この場合には、導電性接着層（Ｉ）２５は、Ｚ軸方向に異方的に導電性を発現する異方導電性であってもよい。

【0027】

＜電磁波シールド層＞
第１実施形態の電磁波シールド層２１は、熱により軟化するバインダー樹脂と、導電性フィラーを含有する導電性接着層（Ｉ）２５を熱圧着により形成した電磁波シールド層を少なくとも有する。

【0028】

電磁波シールド層２１は、回路パターン１４から発生する電磁波の外部への漏洩を防ぎ、また、外部から回路への電磁波（ノイズ）を遮蔽する役割を担う。電磁波シールド層２１は、絶縁保護膜１５の開口部１６を介してグランド回路１３と導通している。

【0029】

第１実施形態の電磁波シールド層２１は、導電性接着層（Ｉ）２５を熱圧着により得たシールド効果を有する層よりなる。熱圧着により、導電性接着層（Ｉ）２５は電磁波シールド層２１を形成し、グランド回路１３および絶縁保護膜１５と接着し、且つグランド回路１３と電磁波シールド層２１を導通させることができる。電磁波シールド層２１の形成位置は、シールド特性を効果的に発揮させる観点からは、回路パターン１４の形成領域に対向配置することが好ましい。回路パターン１４の端部方向からの電磁波の放射や侵入を防止する観点からは、回路パターン１４の形成領域よりも広い範囲に電磁波シールド層２１を形成することがより好ましい。但し、用途に応じて、回路パターン１４の形成領域全てに電磁波シールド層２１を対向配置させなくてもよい。

【0030】

導電性接着層（Ｉ）２５は、１５０℃、圧力２０ｋｇ／ｃｍ^２の条件で３０分熱圧着した場合におけるフロー量が、０．００５ｍｍ以上、２ｍｍ以下であることが好ましく、０．０５ｍｍ以上、１ｍｍ以下がより好ましく、０．０５ｍｍ以上、０．５ｍｍ以下がさらに好ましい。０．００５ｍｍ以上、２ｍｍ以下の範囲とすることにより、開口部１６を充填するために適度な流動性が得られる。なお、フロー量とは、導電性接着層（Ｉ）を上記条件で圧着した際、導電性接着層（Ｉ）２５の元のサイズに対して側面部からはみ出した長さをいう。

【0031】

なお、本製造工程の熱圧着工程の温度および圧力は、１５０℃、２０ｋｇ／ｃｍ^２、３０分の条件で行う必要はなく、回路等の構成部材の耐熱性、製造設備あるいはニーズに応じて、電磁波シールド層２１の被覆性が確保できる範囲においてそれぞれ独立に任意に設定できる。０．００５ｍｍ以上、２ｍｍ以下のフロー量が得られる温度条件・圧力条件に設定することが好ましい。圧力範囲としては、前記フロー量が得られる圧力であることが好ましく限定されないが、１〜５０ｋｇ／ｃｍ^２程度が好ましく、５〜３０ｋｇ／ｃｍ^２程度がより好ましい。圧着時間は、前記フロー量が得られる時間であることが好ましく限定されないが、１〜３０分程度が好ましい。

【0032】

導電性接着層（Ｉ）２５の厚みは、後述する熱圧着工程の際に開口部１６に導電性接着層２５を充填せしめ、且つ絶縁保護膜１５上にも被覆することが可能な厚みとする。用いるバインダー樹脂の流動性や、開口部１６のサイズにより変動し得るが、通常、導電性接着層（Ｉ）２５の厚みは、１〜１００μｍ程度が好ましく、３〜５０μｍ程度がより好ましく、５〜２０μｍ程度がさらに好ましい。これにより、絶縁保護膜１５への被覆性を良好にしつつ、電磁波シールド性を効果的に発揮し、且つ、薄膜化を達成することができる。

【0033】

（バインダー樹脂）
導電性接着層（Ｉ）２５を構成するバインダー樹脂は、熱により軟化する樹脂であり、Ｔｇは、−２０℃以上、１００℃以下が好ましく、−１０℃以上、８０℃以下がより好ましい。バインダー樹脂は、１種類を用いても複数種類を併用してもよい。複数種類を用いる場合は、混合前のＴｇが上記範囲に含まれているものを主成分とすることが好ましい。導電性接着層（Ｉ）２５の材料は、熱圧着時に軟化して開口部１６の表面に追随する流れ性があり、電磁波シールド性を発揮できる導電特性を有していればよく、特に限定されない。

【0034】

導電性接着層（Ｉ）２５を形成する組成物中のバインダー樹脂としては、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で特に限定されないが、熱硬化性樹脂が好ましい。また、後工程においてリフロー工程等の加熱工程が無い用途においては、熱可塑性樹脂が好ましい。熱硬化性樹脂は、自己架橋性タイプおよび硬化剤反応タイプが使用できる。硬化剤反応タイプのバインダー樹脂としては、硬化剤と反応可能な反応性官能基が結合された熱硬化性樹脂が好適である。

【0035】

上記熱硬化性樹脂は、エポキシ、アクリル、ウレタン、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエステルアミド、ポリエーテルエステル、ウレタンウレア、およびポリイミド等が好ましい。前記熱硬化性樹脂は、通常、自己架橋可能な官能基、または硬化剤と反応可能な官能基を有している。これらの中でも電磁波シールド層付き電子機器１を製造する時（例えば、リフロー時）における過酷な条件を考慮すると、熱硬化性樹脂は、エポキシ、エポキシエステル、ウレタン、ウレタンウレア、およびポリアミドのうちの少なくとも１つを含んでいることが好ましい。また、加熱工程に耐え得る範囲であれば、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂を併用できる。

【0036】

（硬化剤）
上記硬化剤は、前記硬化性官能基と反応可能な官能基を複数有している。硬化剤は、エポキシ化合物、酸無水物基含有化合物、イソシアネート化合物、アジリジン化合物、ジシアンジアミド、芳香族ジアミン等のアミン化合物、フェノールノボラック樹脂等のフェノール化合物等が好ましい。硬化剤は、熱硬化性樹脂１００質量部に対して１〜５０質量部含むことが好ましく、３〜３０質量部がより好ましく、３〜２０質量部がさらに好ましい。

【0037】

上記熱可塑性樹脂は、ポリエステル、アクリル、ポリエーテル、ウレタン、スチレンエラストマー、ポリカーボネート、ブタジエン、ポリアミド、エステルアミド、イソプレン、およびセルロース等が好ましい。バインダー樹脂は、単独または混合して用いることができる。

【0038】

（導電性フィラー）
導電性接着層（Ｉ）２５を形成する組成物中の導電性フィラーは、導電特性を有し、電磁波シールド性を発揮できれば特に限定されないが、金、銀、銅、アルミ、ニッケル、ハンダ等の金属およびその合金、導電性高分子、カーボン等が例示できる。また、銀メッキした銀コート銅フィラー、樹脂粒子等に金属めっきを施した粒子等も好適である。導電性フィラーは単独または混合して用いることができる。導電性フィラーの形状は特に限定されず、例えば、球状、フレーク状、樹枝状等が挙げられる。

【0039】

導電性フィラーの平均粒子径は、熱圧着後の電磁波シールド層２１の厚みに応じて適宜設計することが好ましい。好ましくは、電磁波シールド層２１の厚みに対して、０．０５〜２倍の平均粒子径をもつ導電性フィラーを用いることが好ましい。なお、平均粒子径は、走査型電子顕微鏡の拡大画像（例えば千倍〜一万倍）から約１０〜２０個程度を平均した数値である。また、導電性フィラーが長さ方向と横方向で長さが大きく異なる場合（アスペクト比が１．５以上の場合）は、長さ方向で平均粒子径を算出する。

【0040】

導電性フィラーの含有量は、電磁波シールド層２１の導電性を確保できればよく、用いる導電性フィラーの形状や種類により変動し得るが、バインダー樹脂１００質量部に対して、３０〜１００質量部含むことが好ましく、４０〜９０質量部がより好ましい。この範囲とすることにより、電磁波シールド性とフロー性を両立し易くなるという効果が得られる。

【0041】

さらに、導電性接着層（Ｉ）２５を構成する組成物には、着色剤、難燃剤、無機添加剤、滑剤、ブロッキング防止剤等を含んでいてもよい。
着色剤としては、例えば、有機顔料、カーボンブラック、群青、弁柄、亜鉛華、酸化チタン、黒鉛等が挙げられる。
難燃剤としては、例えば、ハロゲン含有難燃剤、りん含有難燃剤、窒素含有難燃剤、無機難燃剤等が挙げられる。
無機添加剤としては、例えば、ガラス繊維、シリカ、タルク、セラミック等が挙げられる。

【0042】

＜絶縁層＞
絶縁層２２は、電磁波シールド層２１の表面に設けることにより、電磁波シールド層２１を絶縁保護し、他の導電部材との接触時の短絡を防止できる。また、この絶縁層２２はアース部５０を電磁波シールド層２１と導通させるための貫通穴２４を有し、貫通穴の開口面積率が、０．００１〜４０％であることを特徴とする。絶縁層の開口面積率を０．００１〜４０％にすることで、アースの接続信頼性と、絶縁層の絶縁信頼性を向上することができる。好ましくは、０．０１〜３０％である。
開口面積率は貫通穴の面積と個数から調整できる。また、開口面積率は下記式１から求められる。
（式１）
開口面積率（％）
＝単位面積あたりの貫通穴面積／単位面積あたりの未貫通部面積×１００

【0043】

また、貫通穴は、複数有することが好ましく、このとき、絶縁層の開口面積率は、０．１％以上が好ましく、１％以上がより好ましく、２％以上がさらに好ましい。

【0044】

図３は貫通穴の形成形態の一例を示す絶縁層の平面図であり、図３（ａ）は平面形状が丸状の貫通穴２４ａ、図３（ｂ）は平面形状がメッシュ状の貫通穴２４ｂ、図３（ｃ）は平面形状が矩形状の貫通穴２４ｃを形成したものである。尚、貫通穴２４ａにおいて、貫通穴の形状は丸に限らず、四角系、三角形、楕円形、星形等、任意に形を選択できる。上記貫通穴の形態の中では、丸状が好ましい。

【0045】

貫通穴が、２４ａのような丸状等である場合、単位面積当たりの個数は、１〜１００００個／ｃｍ^２であることが好ましく、１０〜７０００個／ｃｍ^２がより好ましい。
また、貫通穴1個あたりの面積平均値は、０．００１〜３ｍｍ^２が好ましく０．０１〜
２ｍｍ^２がより好ましい。

【0046】

メッシュ状の貫通穴２４ｂおよび矩形状の貫通穴２４ｃの場合、貫通穴の幅が０．０１〜２ｍｍが好ましく、０．１〜１．５ｍｍがより好ましい。
貫通穴の個数及び面積を上記範囲にすることで、絶縁層の絶縁信頼性とアース部の接続信頼性をより向上することができる。

【0047】

この絶縁層２２を構成するバインダー樹脂、硬化剤は電磁波シールド積層体で説明したものと同じものを使用することができる。

【0048】

貫通穴２４は、絶縁層２２の全面または少なくともアース部５０の取り付け領域に形成していることが好ましい。貫通穴２４は例えばパンチング、レーザー加工、スクリーン印刷によって形成することができる。また、感光性の素材で作成した絶縁性樹脂組成物を用い、コーティングで塗膜を形成し、露光、現像することによっても貫通穴２４を形成することができる。
さらには、剥離性フィルム上にあらかじめ貫通穴と同形の突起を形成し、その表面に絶縁性樹脂組成物をコーティングし、導電接着剤層（Ｉ）と張り合わせ電磁波シールド用積層体を作製する。その後ＦＰＣに張り合わせて絶縁層側の剥離性フィルムを剥がすと突起部の部分のみに貫通穴を形成することができる。
上記方法によらずとも、例えば、絶縁性樹脂組成物を剥離性フィルムにコーティングして塗膜を形成する際に、剥離性フィルムの表面張力と絶縁性樹脂組成物の表面張力及び粘度を適当に調整することで、コーティング後自動的に複数の貫通穴を塗膜上に形成することができる。

【0049】

絶縁層２２の厚みは、用途により適宜設計し得るが、絶縁性と薄膜化の観点からは、３〜５０μｍの範囲が好ましく、５〜３０μｍの範囲がより好ましく、７〜２０μｍ範囲がより好ましい。絶縁層の厚みを３〜５０μｍの範囲にすることで、絶縁信頼性が向上し、ＦＰＣの薄膜化を可能とすることができる。

【0050】

＜電磁波シールド用積層体の製造方法＞
電磁波シールド用積層体２８の形成方法は特に限定されないが、好ましい方法として以下の方法を挙げることができる。

【0051】

図２（ｂ）は、第１実施形態に係る電磁波シールド用積層体２８を製造するための製造工程断面図を示す。
第１実施形態に係る電磁波シールド用積層体２８を製造するための製造方法の例としては、まず、離型フィルム２６上に、熱により軟化するバインダー樹脂と、導電性フィラーを含有する組成物を塗工して熱圧着前の導電性接着層（Ｉ）２５を形成する。導電性接着層（Ｉ）２５は、単層でも複数層でもよい。複数層で形成する場合には、離型フィルム２６側の最外層を流動性のより高い層で構成することが好ましい。別途、導電性接着層（Ｉ）２５上に、絶縁性樹脂と硬化剤を含有する組成物を塗工して、貫通穴２４を有する絶縁層２２を形成する。

【0052】

次いで、絶縁層２２の表面に離型フィルム２７を設け、電磁波シールド用積層体２８を得る。離型フィルム２６及び２７の材料は、離型性を有するものであればよく特に限定されないが、例えば、シリコーンやアルキッド処理されたＰＥＴフィルム等を使用できる。

【0053】

なお、第２実施形態にかかる電磁波シールド用積層体（不図示）の製造方法の例としては、まず、離型フィルム上に導電性接着層（Ｉ）を形成し、銅キャリア付電解銅箔の電解銅箔面側に導電性接着剤層を重ねてラミネートした後に、銅キャリアを剥がす。そして、銅キャリアを剥がした面と、別途離型フィルム上に形成した絶縁層とを重ねてラミネートする方法がある。また、離型フィルム上に導電性接着層（Ｉ）を形成し、その表面に無電解メッキ処理により金属層を形成し、別途離型フィルム上に形成した絶縁層と前記金属層とを重ねてラミネートする方法等が挙げられる。

【0054】

電磁波シールド用積層体は、導電性接着層（Ｉ）に含まれる熱硬化性樹脂と硬化剤が未硬化状態（Ｂステージ）で存在し、基板と熱圧着により本硬化（Ｃステージ）することで、所望の接着強度を得ることが出来る。なお、前記未硬化状態は、硬化剤の一部が硬化した半硬化状態を含む。

【0055】

電磁波シールド用積層体２８を用いて得られる電磁波シールド層２１の厚みは、用途により適宜設計し得る。薄型化が求められている用途の場合には、例えば１〜２０μｍ程度が好ましく、１〜１５μｍ程度がより好ましい。
また、高周波ノイズを精度高くシールドする場合には、例えば、５０〜１０００μｍ等の厚膜とすることも可能であるが、通常、５〜２００μｍ程度である。なお、電磁波シールド層２１は、等方導電性および異方導電性を適宜選択できるが、導電性接着層（Ｉ）のみから電磁波シールド層を構成する場合には、等方導電性を示すものが好ましい。

【0056】

《アース部》
アース部５０は、グランド回路１３を筐体４０に設置するための導体部であり、グランド電位となる。本発明におけるアース部５０は、電子機器１において、導電性接着層（II）が絶縁層２２の貫通穴２４に流入し、この貫通穴を介して電磁波シールド層２１と電気的に接続し、導通する役割をはたす。また、図２（ａ）に示すように、さらに金属層５２を積層したものが導電性接着層（II）の接続信頼性の観点から好ましい。
導電接着層（II）５１は、熱により軟化するバインダー樹脂と、導電性フィラーを含有し、いずれも電磁波シールド用積層体２８で説明したものと同じものを使用することができる。金属層５２は銅箔やステンレス板等が好ましい。必要に応じて表面をニッケルメッキ及び金メッキ処理しても良い。

【0057】

このアース部５０を形成する導電性接着層（II）５１の大きさおよび厚みは、使用用途に応じて任意に決定できるが、少なくとも熱により軟化して貫通穴２４内に流入充填し、電磁波シールド層２１と導通した時においても、絶縁層面とアース部５０の当接領域を覆うことのできることが必要である。

【0058】

電磁波シールド層付き基板３０のグランド回路１３を電子機器の筐体４０のアース回路に接続するには、上記アース部５０を電磁波シールド層付き基板３０の貫通穴２４を有する絶縁層２２の表面に導電性接着層（II）５１が接するように配置した後、このアース部５０に熱圧力を加える。このとき、加熱により軟化した導電性接着層（II）５１が、同時に加えられる圧力によって、貫通穴内に流入充填して電磁波シールド層２１に接し、アース部５０が電磁波シールド層付き基板３０内の電磁波シールド層２１と導通する。

【0059】

その後、アース部５０を筐体４０の導体部に接続することにより、電磁波シールド層付き基板３０内のグランド回路１３を筐体４０のアース回路に接続することができる。

【0060】

《電子機器の製造方法》
本発明の電子機器の製造方法は、筐体に、電磁波シールド層付き基板が接合された電子機器の製造方法であって、グランド回路を含む回路パターンが形成された基板上に、前記回路パターンを保護し、前記グランド回路上の少なくとも一部に開口部を有する絶縁保護膜を形成し、熱により軟化するバインダー樹脂と、導電性フィラーを含有する導電性接着層（Ｉ）と、貫通穴を有し、かつ貫通穴の開口率が０．００１〜４０％である絶縁層とを積層してなる電磁波シールド用積層体を、前記導電性接着層（Ｉ）が下層側になるように前記絶縁保護膜上に配置した後、前記電磁波シールド用積層体を熱圧着して電磁波シールド層を形成し、さらに導電性接着層（II）を有するアース部を、導電性接着層（II）が下層側になるように前記絶縁層上に配置し、熱圧着して前記絶縁層の貫通穴に、導電性接着層（II）を流入させ、絶縁層の貫通穴を介して、前記電磁波シールド層と、前記アース部とを電気的に接続させるように、電磁波シールド層付き基板を筐体に接合する方法である。

【0061】

第１実施形態に係る電磁波シールド層付き電子機器の製造方法の一例について説明する。
まず、図４（ａ）に示すように、グランド回路１３を含む回路パターン１４が形成された基板１１上に、回路パターン１４を保護し、グランド回路１３上に配置される開口部１６を有する絶縁保護膜１５を形成する。開口部１６は、例えば、フォトリソグラフィー法等により形成できる。別の方法として、予め開口部１６を形成した絶縁保護膜をラミネートしてもよい。

【0062】

次に、図４（ｂ）に示すように、図２（ｂ）に示した電磁波シールド用積層体２８の離型フィルム２６を剥離し、絶縁保護膜１５上に導電性接着層（Ｉ）２５側が接するように配置し、熱圧着を行う。熱圧着は、例えば、プレス機を用いて電磁波シールド用積層体２８を加熱しつつ加圧することにより行う。この熱圧着を行うことにより、熱圧着後の導電性接着層（Ｉ）で絶縁保護層１５を被覆する電磁波シールド層２１が形成される。そして、加熱により、導電性接着層（Ｉ）２５が軟化し、加圧により開口部１６内に流入充填する。導電性接着層（Ｉ）の厚み、圧力、温度、熱圧着時間を制御することにより、電磁波シールド層２１を所望の厚みにすることができる。

【0063】

圧力の範囲は、平滑性・製造効率の観点から、１ｋｇ／ｃｍ^２以上であることが好ましく、３ｋｇ／ｃｍ^２以上であることがより好ましく、５ｋｇ／ｃｍ^２以上であることが更に好ましい。また、上限値としては、回路パターン１４および基板１１の耐圧性の観点から、１００ｋｇ／ｃｍ^２以下であることが好ましく、８０ｋｇ／ｃｍ^２以下であることがより好ましく、５０ｋｇ／ｃｍ^２以下であることが更に好ましい。

【0064】

熱圧着時間は、電子部品の耐熱性、導電性シートに用いるバインダー樹脂、および生産工程等に応じて設定できる。バインダー樹脂として熱硬化性樹脂を用いる場合には、１分〜２時間程度の範囲が好適である。なお、熱圧着時間は、１分〜１時間程度がより好ましい。この熱圧着により熱硬化性樹脂は、硬化する。但し、熱硬化性樹脂は、流動が可能であれば熱圧着前に硬化してもよい。

【0065】

熱圧着の温度は、導電性シートに用いるバインダー樹脂、および硬化剤に応じて適宜設定できる。バインダー樹脂として熱硬化性樹脂を用いる場合には、１４０〜１８０℃の範囲が好適である。

【0066】

次に図４（ｃ）に示すように、アース部５０を所定のサイズにカットし、このアース部５０の導電接着層（II）５１の面を、離型フィルム２７を剥離した絶縁層２２の任意の表面に仮貼りし積層体を作製する。仮貼りは５０℃〜１３０℃に加熱した加熱ロールラミネーターやアイロンによって行う。

【0067】

その後、図４（ｄ）に示すように、積層体を熱圧着することで、加熱により軟化した導電層５０を形成する導電性接着層（II）５２が、同時に加えられる圧力によって、貫通穴２４内に流入充填して電磁波シールド層２１を形成する導電性接着層（Ｉ）と接し、アース部５０と、電磁波シールド層付き基板３０内の電磁波シールド層２１との導通が確保される。

【0068】

アース部の熱圧着の時間は、１分〜２時間程度の範囲が好適である。なお、熱圧着時間は、１分〜１時間程度がより好ましい。

【0069】

アース部の熱圧着の圧力の範囲は、平滑性・製造効率の観点から、１ｋｇ／ｃｍ^２以上であることが好ましく、３ｋｇ／ｃｍ^２以上であることがより好ましく、５ｋｇ／ｃｍ^２以上であることが更に好ましい。また、上限値としては、回路パターン１４および基板１１の耐圧性の観点から、１００ｋｇ／ｃｍ^２以下であることが好ましく、８０ｋｇ／ｃｍ^２以下であることがより好ましく、５０ｋｇ／ｃｍ^２以下であることが更に好ましい。

【0070】

アース部の熱圧着の温度は、１４０〜１８０℃が好ましく、１５０〜１８０℃がより好ましい。

【0071】

アース部の熱圧着の時間、圧力、温度を上記の範囲にすることで電磁波シールド積層体の変形や破損を抑えつつ、導電性接着層（II）の貫通穴への流入を効率的に促進させ、電磁波シールド層と金属層５２の間に信頼性の高い導通路を得ることができる。

【0072】

アース部５０が取り付けられた電磁波シールド付き基板３０を設計に基づいて組立て、アース部５０の金属板５２を通して筐体４０に接続しグランドを設置する。金属板５２と筐体４０は不図示のガスケット及び導電粘着テープで接続する。

【0073】

もう一方の製造方法は、回路基板１０の絶縁保護膜１５上に、電磁波シールド用積層体２８の剥離フィルム２６を剥がし、導電性接着層（Ｉ）２５を加熱ラミネートロールにて仮貼りした後、絶縁層２２側の剥離シート２７を剥がし、所定の形状にカットしたアース部５０をさらに仮貼りして積層体作製し、この積層体を熱圧着する方法が挙げられる。この製造方法における熱圧着の際には、絶縁層２２がクッション剤に張り付いてしまう恐れがあるため、離形剤処理したシートで挟み込む必要がある。熱圧着の条件は上記と同様である。

【0074】

筐体４０は、電子機器１を構成する部材であり、少なくとも回路基板１０より大きく、基板を貼り付けることが可能な部材であればよい。好適な例としては、筐体、内部に配置された筐体を構成するボード、着脱自在に構成された蓋等の部材等が例示できる。

【0075】

電子機器１の筐体４０側に接続されたアース部５０は、グランド回路１３を筐体４０に接地するための導体部であり、グランド電位となる。

【0076】

第１実施形態によれば、貫通穴を有する絶縁層を備えた電磁波シールド用積層体を用いて、上記絶縁層の表面に配置したアース部によって上記貫通穴を通じて該絶縁層の厚み方向に導電路を形成しているので、金属バンプ等を絶縁保護膜に突き刺す従来の方法と比較して、シールド層とアース部の接続信頼性が高い電子機器を製造することができるようになる。加えて、絶縁保護膜にエキシマーレーザを用いて開口部を設ける従来の方法と比較して、電子機器及び回路基板の製造歩留りを高めることができる。また、上記のアース部は絶縁層の表面のいずれの位置に配置しても、上記と同様に貫通穴を通じて該絶縁層の厚み方向に導電路を形成することができるもので、筐体の位置に影響を受けることなく、回路基板のグランド回路と筐体との導電路を形成することができる。

【0077】

また、第１実施形態に係る電磁波シールド層付き電子機器によれば、基板の厚み方向にグランド電位を逃すルートを形成するので、グランドの接地のための領域を基板端部に確保せずとも接地することができ、小型化を実現できる。なお、グランド回路の接地のために、基板端部で導通を図る構造を排除する趣旨ではなく、本発明と併用して用いることも可能である。基板の端部にアース接続構造を設ける構造と併用することにより、電磁波シールド効果をより効果的に実現できる。

【0078】

また、第１実施形態に係る電磁波シールド層付き電子機器によれば、回路パターンと、電磁波シールド層と、アース部を構成する導電層とが、互いに対向配置される構造を有し、且つグランド電位を逃す構造を採用しているので、ＥＭＩをより効果的に抑制し、且つＥＭＣの向上をより効果的に図ることができる。

【0079】

［第２実施形態］
次に、第１実施形態とは異なる電磁波シールド層付き電子機器の一例について説明する。第２実施形態に係る電磁波シールド層付き電子機器２は、以下の点を除く基本的な構造および製造方法が上記第１実施形態と同様である。即ち、第２実施形態の電磁波シールド用積層体２８は、導電性接着層（Ｉ）と金属層とを有し、熱圧着後の電磁波シールド層２１が、導電性接着層（Ｉ）により形成される電磁波シールド層と、金属層とからなる点において、導電性接着層（Ｉ）を熱圧着することにより得た層のみを電磁波シールド層２１として用いた第１実施形態と相違する。なお、以降の図において、同一の要素部材には同一の符号を付し、適宜その説明を省略する。

【0080】

図５に、第２実施形態に係る電磁波シールド層付き電子機器２の要部の模式的断面図を示す。電子機器２に用いられた電磁波シールド積層体２０は、電磁波シールド層２１とグランド回路１６とを導通接続するための導電性接着層２１ａと貫通穴２４を有する絶縁層２２の間に、電磁波シールド層として金属層２１ｂも設けられている。この金属層２１ｂは、要求されるシールド特性に応じて金属層の材料や厚みを適宜選択し得る。例えば、アルミニウム、銅、銀、金などの材料を用いて、０．１〜４０μｍ程度の厚みで形成することができる。耐折り曲げ性の観点からは、０．１〜２０μｍの範囲とすることが好ましく、０．１〜１０の範囲とすることがより好ましい。金属層２１ｂの形成方法は特に限定されないが、真空蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ法、めっき処理により形成することができる。

【0081】

第２実施形態に係る電磁波シールド層付き電子機器２によれば、電磁波シールド積層体２０を用いて電磁波シールド層を積層しているので第１実施形態と同様の効果を得ることができる。また、第１電磁波シールド層を形成する導電性接着層２１ａと貫通穴２４を有する絶縁層２２の間に、第２電磁波シールド層を形成する金属層２１ｂを設けることにより、より効果的にシールド効果を発揮できる。また、インピーダンス対策をより効果的に発揮させることができるので、高周波用途に特に好適である。

【0082】

［第３実施形態］
次に、第１実施形態とは異なる電磁波シールド層付き電子機器３の一例について説明する。第３実施形態に係る電磁波シールド層付き電子機器３は、以下の点を除く基本的な構造および製造方法が上記第１実施形態と同様である。即ち、第３実施形態においては、基板１１の両面に信号回路１２、グランド回路１３、これらの上層を被覆する絶縁保護層１５を設け、それぞれの絶縁保護層の表面に電磁波シールド積層体２０を接合している点において、片面のみに電磁波シールド積層体２０に接合した第１実施形態と相違する。

【0083】

図６に、第３実施形態に係る電磁波シールド層付き電子機器３の要部の模式的断面図を示す。電子機器３に用いられた電磁波シールド層付き基板３０は、回路基板１０、１０のそれぞれの表面に、電磁波シールド層２１および貫通穴２４を有する絶縁層２２からなる電磁波シールド積層体２０が積層されており、基板１１の両面に設けたグランド回路１３は、基板１１を貫通して形成されたビアホール１７を通じて接続されている。そして、回路基板１０の両面の電磁波シールド層付き基板３０を形成する絶縁層２２の表面には、それぞれアース部５０が接続されている。

【0084】

第３実施形態に係る電磁波シールド層付き電子機器によれば、電磁波シールド用積層体を用いて電磁波シールド層を積層しているので第１実施形態と同様の効果を得ることができる。また、基板の両面に電磁波シールド層を積層することにより、ＥＭＩをより効果的に抑制し、且つＥＭＣの向上をより効果的に図ることができる。

【0085】

［第４実施形態］
第４実施形態に係る電磁波シールド層付き電子機器に用いる電磁波シールド層付き基板３０は、以下の点を除く基本的な構造および製造方法が上記第１実施形態で用いた電磁波シールド層付き基板３０と同様である。即ち、第４実施形態においては、回路基板１０の上面、即ち、絶縁保護膜１５上に金属薄膜１８を設け、電磁波シールド層２１に含まれる導電性フィラーが絶縁保護膜１５に侵入するのを防止する点において、当該金属薄膜を設けない第１実施形態と相違する。

【0086】

図７に、第４実施形態に係る電磁波シールド層付き基板３０の要部の模式的断面図を示す。第４実施形態に係る電磁波シールド層付き基板３０は、回路基板１０の最上面に金属薄膜１８が積層されている。金属薄膜１８により、電磁波シールド層２１に含まれる導電性フィラーが絶縁保護膜１５に侵入することを効果的に防止できる。金属薄膜１８は、絶縁保護膜１５の表面に例えば、真空蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ法、めっき処理により形成することができる。開口部１６を形成する前に金属薄膜を形成し、図７に示すように、回路基板１０の最上面に金属薄膜１８を形成できる。また、開口部１６を形成した後に回路基板１０の最上面と開口部１６内に金属薄膜１８を形成することも可能である。

【0087】

第４実施形態に係る電磁波シールド層付き基板３０によれば、電磁波シールド用積層体２０を用いて電磁波シールド層２１を積層しているので第１実施形態と同様の効果を得ることができる。また、金属薄膜１８を設けることにより、金属薄膜１８に電磁波シールド機能を付与させることができると共に、電磁波シールド層２１に含まれる導電性フィラーが絶縁保護膜１５に侵入することを効果的に防止できる。その結果、絶縁保護膜１５の膜厚を薄膜化することも可能となる。また、導電性フィラーの選択肢を増やすことができるというメリットも有する。このため、より導電特性を得やすい導電性フィラーを利用することも可能となる。

【0088】

その他の実施形態としては、アース部５０にかえて、絶縁性のフィルムと、導電性接着剤層（II）とを有する場合であっても良い。すなわち、金属層５２の代わりにポリイミドフィルム等の絶縁性のフィルムを用いた場合である。この場合、絶縁性フィルムは補強板、導電性接着剤層（II）は電磁波シールド層として機能する。このとき、電子機器の筐体とグランド回路とが導通しないため、アース部を有する場合のほうが電磁波シールド性は優れるが、電磁波シールド積層体２０上面のいかなる箇所においても必要に応じて補強板と電磁波シールド性を付与することができる。

【0089】

すなわち、電磁波シールド層付き基板が絶縁性フィルムと導電性接着剤層（II）により接合された電子機器であって、前記基板上には、グランド回路を含む回路パターンと、前記回路パターンを絶縁保護する絶縁保護膜と、前記絶縁保護膜上に積層され、当該絶縁保護膜に設けられた開口部を介して前記グランド回路とを接合し、且つ前記回路パターンをシールドする電磁波シールド層と、前記電磁波シールド層上に形成され、貫通穴を有し、かつ貫通穴の開口面積率が０．００１〜４０％である絶縁層とを具備し、前記絶縁保護膜に設けられた開口部を介して前記電磁波シールド層と前記グランド回路が導通し、かつ、前記絶縁層の貫通穴を介して、前記グランド回路と接合する導電性接着層（II）および補強板である絶縁性フィルムを有しており、前記電磁波シールド層は、熱により軟化するバインダー樹脂と、導電性フィラーを含有する導電性接着層（Ｉ）を熱圧着することにより形成した層を有する電子機器である。

【0090】

本発明の趣旨に合致する限り、他の実施形態も本発明の範疇に属し得ることは言うまでもない。また、上記実施形態は、互いに好適に組み合わせられる。

【符号の説明】

【0091】

１〜３ 電子機器
１０ 回路基板
１１ 基板
１２ 信号回路
１３ グランド回路
１４ 回路パターン
１５ 絶縁保護膜（カバーレイ）
１６ 開口部
１７ ビアホール
１８ 金属薄膜
２０ 電磁波シールド積層体
２１ 電磁波シールド層
２１ａ 導電性接着層（Ｉ）
２１ｂ 金属層
２２ 絶縁層
２４（２４ａ，２４ｂ，２４ｃ） 貫通穴
２５ 導電性接着層（Ｉ）
２６、２７ 離型フィルム
２８ 電磁波シールド用積層体
３０ 電磁波シールド層付き基板
４０ 筐体
５０ アース部
５１ 導電性接着層（II）
５２ 金属層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】