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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】6189444
(24)【登録日】2017年8月10日
(45)【発行日】2017年8月30日
(54)【発明の名称】半導体装置及びその製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 23/00 20060101AFI20170821BHJP
H01L 23/28 20060101ALI20170821BHJP
【ＦＩ】
H01L23/00 C
H01L23/28 Z
H01L23/28 F
【請求項の数】4
【全頁数】16
(21)【出願番号】特願2015-535195(P2015-535195)
(86)(22)【出願日】2013年9月4日
(86)【国際出願番号】JP2013073752
(87)【国際公開番号】WO2015033395
(87)【国際公開日】20150312
【審査請求日】2016年2月9日
(73)【特許権者】
【識別番号】317006041
【氏名又は名称】東芝メモリ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001612
【氏名又は名称】きさらぎ国際特許業務法人
(72)【発明者】
【氏名】高久 悟
【審査官】
秋山 直人
(56)【参考文献】
【文献】
特開２０１３−２０７０５９（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開２０１１−１１４２２５（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開２００９−１４１１９４（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開２０１１−２２８３２２（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）
Ｈ０１Ｌ ２３／００
Ｈ０１Ｌ ２３／２８
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１のコンタクト部が形成された基板上に、前記第１のコンタクト部を避けるように、第１の方向に延びる磁性体を用いた下部シールド板を設け、
前記下部シールド板上に、第２のコンタクト部を有する複数の半導体チップを、前記第１のコンタクト部と前記第２のコンタクト部とが対応するように前記第１の方向に所定間隔で配置し、
前記第１のコンタクト部と前記第２のコンタクト部とを接続材によって電気的に接続し、
前記半導体チップ上に、前記第２のコンタクト部及び前記接続材を避けるように前記第１の方向に延びる磁性体を用いた上部シールド板を配置し、
前記下部シールド板、前記半導体チップ、前記接続材及び前記上部シールド板を樹脂によって封止してブロック体を形成し、
得られた前記ブロック体に対し、前記第１の方向と交差する第２の方向に延びる第１の溝を、前記半導体チップを避ける様に形成して前記下部シールド板及び前記上部シールド板を切断し、
前記第１の溝に前記下部シールド板と前記上部シールド板とを接続する磁性体を用いた側部シールド材を形成し、
前記側部シールド材を前記第１の方向に分離するように前記ブロック体を切断して前記半導体チップを個片化する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記下部シールド板上に、第２のコンタクト部を有する複数の半導体チップを、前記第１のコンタクト部と前記第２のコンタクト部とが対応するように前記第１の方向に所定間隔で配置し、
前記第１のコンタクト部と前記第２のコンタクト部とを接続材によって電気的に接続し、
前記半導体チップ上に、前記第２のコンタクト部及び前記接続材を避けるように前記第１の方向に延びる磁性体を用いた上部シールド板を配置し、
前記下部シールド板、前記半導体チップ、前記接続材及び前記上部シールド板を樹脂によって封止してブロック体を形成し、
得られた前記ブロック体に対し、前記第１の方向と交差する第２の方向に延びる第１の溝を、前記半導体チップを避ける様に形成して前記下部シールド板及び前記上部シールド板を切断し、
前記第１の溝に前記下部シールド板と前記上部シールド板とを接続する磁性体を用いた側部シールド材を形成し、
前記側部シールド材を前記第１の方向に分離するように前記ブロック体を切断して前記半導体チップを個片化する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項2】
前記第１の溝に磁性体を含有する樹脂を充填することにより、前記側部シールド材を形成する
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項3】
前記第１の溝に磁性体を用いたメッキを施すことにより、前記側部シールド材を形成する
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項4】
前記第１の溝に磁性体を用いた一対の板状体を配置すると共に両板状体の間に樹脂を充填することにより、前記側部シールド材を形成する
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本明細書に記載の実施形態は、半導体装置及びその製造方法に関する。【背景技術】
【0002】
半導体装置の中には、外部磁場の影響を敏感に受けるものがある。このような磁場の影響を受ける半導体装置は、磁気シールドによって外部磁場の影響を低減することにより、好適に動作させることが可能である。半導体装置に使用される磁気シールドとしては、例えば透磁率の高い材料をフィラーとして樹脂に含有させた電磁波吸収モールド樹脂により、半導体チップの上面及び側面を覆うものが知られている。【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２００５−２１７２２１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本明細書に記載の実施形態は、更に磁気シールド効果の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。【課題を解決するための手段】
【0005】
実施形態に係る半導体装置は、基板と、下部シールド板と、半導体チップと、接続材と、上部シールド板と、側部シールド材とを備える。基板には、第１のコンタクト部が形成されている。下部シールド板には、基板上に第１のコンタクト部を避ける様に設けられた磁性体を用いる。半導体チップは、下部シールド板上に設けられ、第１のコンタクト部と電気的に接続される第２のコンタクト部を有する。接続材は、第１のコンタクト部と第２のコンタクト部を電気的に接続する。上部シールド板には、半導体チップ上に第２のコンタクト部及び接続材を避ける様に設けられた磁性体を用いる。側部シールド材には、下部シールド板及び上部シールド板の接続材が配置されていない側部を接続する磁性体を用いる。【図面の簡単な説明】
【0006】
【図1】第１の実施形態に係る半導体装置の概略的な平面図である。
【図2】同半導体装置の概略的な側面図である。
【図3】同半導体装置の製造方法を示す概略的な平面図である。
【図4】同半導体装置の製造方法を示す概略的な側面図である。
【図5】同半導体装置の製造方法を示す概略的な平面図である。
【図6】同半導体装置の製造方法を示す概略的な側面図である。
【図7】同半導体装置の製造方法を示す概略的な平面図である。
【図8】同半導体装置の製造方法を示す概略的な側面図である。
【図9】同半導体装置の製造方法を示す概略的な平面図である。
【図10】同半導体装置の製造方法を示す概略的な側面図である。
【図11】同半導体装置の製造方法を示す概略的な平面図である。
【図12】同半導体装置の製造方法を示す概略的な側面図である。
【図13】同半導体装置の製造方法を示す概略的な平面図である。
【図14】同半導体装置の製造方法を示す概略的な側面図である。
【図15】第２の実施形態に係る半導体装置の概略的な平面図である。
【図16】同半導体装置の概略的な側面図である。
【図17】同半導体装置の製造方法を示す概略的な平面図である。
【図18】同半導体装置の製造方法を示す概略的な側面図である。
【図19】同半導体装置の製造方法を示す概略的な平面図である。
【図20】同半導体装置の製造方法を示す概略的な側面図である。
【図21】同半導体装置の製造方法を示す概略的な平面図である。
【図22】同半導体装置の製造方法を示す概略的な側面図である。
【図23】第３の実施形態に係る半導体装置の概略的な平面図である。
【図24】同半導体装置の概略的な側面図である。
【図25】同半導体装置の製造方法を示す概略的な平面図である。
【図26】同半導体装置の製造方法を示す概略的な側面図である。
【図27】同半導体装置の製造方法を示す概略的な平面図である。
【図28】同半導体装置の製造方法を示す概略的な側面図である。
【図29】同半導体装置の製造方法を示す概略的な平面図である。
【図30】同半導体装置の製造方法を示す概略的な側面図である。
【図31】第４の実施形態に係る半導体装置の概略的な側面図である。
【図32】同半導体装置の製造方法を示す概略的な平面図である。
【図33】同半導体装置の製造方法を示す概略的な側面図である。
【図34】同半導体装置の製造方法を示す概略的な平面図である。
【図35】同半導体装置の製造方法を示す概略的な側面図である。
【図36】同半導体装置の製造方法を示す概略的な平面図である。
【図37】同半導体装置の製造方法を示す概略的な側面図である。
【図38】同半導体装置の製造方法を示す概略的な平面図である。
【図39】同半導体装置の製造方法を示す概略的な側面図である。
【図40】同半導体装置の製造方法を示す概略的な平面図である。
【図41】同半導体装置の製造方法を示す概略的な側面図である。
【図42】同半導体装置の製造方法を示す概略的な平面図である。
【図43】同半導体装置の製造方法を示す概略的な側面図である。
【図44】他の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す概略的な平面図を示す。
【図45】同半導体装置の製造方法を示す概略的な平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0007】
以下、図面を参照して、実施形態に係る半導体装置について説明する。尚、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なる。説明中の上下等の方向を示す用語は、後述する半導体チップの回路形成面側を上とした場合の相対的な方向を指し示し、重力加速度方向を基準とした現実の方向と異なる場合がある。【0008】
［第１の実施の形態に係る半導体装置の構成］先ず、図１及び図２を参照して、第１の実施形態に係る半導体装置の構成について説明する。図１は、第１の実施形態に係る半導体装置の概略的な平面図であり、図２（ａ）は、図１のＩ−Ｉ′切断断面図、図２（ｂ）は、同じくＩＩ−ＩＩ′切断断面図である。
【0009】
図１及び図２に示す通り、本実施形態に係る半導体装置は、基板１と、この基板１の上に絶縁性を有する第１の接着材２を介して貼り付けられた下部シールド板３と、この下部シールド板３の上に絶縁性を有する第２の接着材４を介して搭載された半導体チップ５と、この半導体チップ５の上面に絶縁性を有する第３の接着材６を介して貼り付けられた上部シールド板７と、下部シールド板３及び上部シールド板７を側部で結合する側部シールド材８とを備える。また、これら第１の接着材２、下部シールド板３、第２の接着材４、半導体チップ５、第３の接着材６、上部シールド板７および側部シールド材８の少なくとも一部は絶縁性樹脂９によって埋め込まれている。尚、図１においては、説明のために、絶縁性樹脂９を省略して図示している。【0010】
本実施形態において、基板１にはセラミック、樹脂、表面が酸化されたシリコン（Ｓｉ）等の絶縁材を用いる。基板１の表面には、図示しない配線及びこの配線に接続されたコンタクト部１１（第１のコンタクト部）が形成されている。配線及びコンタクト部１１は、銅等の金属を用いて印刷、蒸着、その他の方法により形成されている。コンタクト部１１は、半導体チップ５に接続されるボンディング用パッドで、下部シールド板３の両側面に沿って下部シールド板３の延びる方向（以下、「第１の方向」と呼ぶ。）に所定ピッチで配列されている。【0011】
下部シールド板３は、下面に第１の接着材２が貼り付けられ、第１の方向を長手方向とする長方形である。第１の方向の長さは半導体チップ５の第１の方向の長さよりも長い。また、下部シールド板３の第１の方向と直交する方向（以下、「第２の方向」と呼ぶ。）の幅はコンタクト部１１同士の間隔よりも狭く、半導体チップ５の第２方向における幅とほぼ同じである。また、下部シールド板３には透磁率の高い材料を用いる。本実施形態においてはＰＣパーマロイ（Ｎｉ−Ｍｏ，Ｃｕ−Ｆｅ）等の鉄を含む磁性合金を用いる。尚、本実施形態において下部シールド板３の厚みは、５０μｍ〜１５０μｍ程度である。【0012】
半導体チップ５は、集積回路を含んでおり、本実施形態においては複数のデータを磁気によって記憶する記憶デバイスが搭載されている。この記憶デバイスは、例えばスピンの注入によってデータの書き込みを行い、トンネル磁気抵抗効果による抵抗の変化によって書き込まれたデータの判別を行うものでも良い。但し、半導体チップ５として異なる記憶デバイスを搭載することも可能であるし、記憶デバイス以外のデバイスを搭載することも可能である。【0013】
半導体チップ５は、下面に第２の接着材４が貼り付けられ、上面の第２の方向の両側にコンタクト部１２（第２のコンタクト部）を有する。コンタクト部１２は複数の接続材であるボンディングワイヤ５１を介してコンタクト部１１と電気的に接続されている。【0014】
上部シールド板７は、下面に第３の接着材６が貼り付けられ、第１の方向を長手方向とする長方形である。第２の方向における幅はコンタクト部１２の第２の方向の幅よりも狭い。第１の方向の長さは下部シールド板３と同じである。また、上部シールド板７には、下部シールド板３と同様に透磁率の高い材料を用いる。本実施形態においては、ＰＣパーマロイ（Ｎｉ−Ｍｏ，Ｃｕ−Ｆｅ）等の鉄を含む磁性合金を用いる。上部シールド板７の厚みは、本実施形態においては５０μｍ〜１５０μｍ程度である。【0015】
側部シールド材８は、下部シールド板３及び上部シールド板７と共に、半導体チップ５を外部磁場から保護する磁気シールドとして機能する。側部シールド材８は、第１の方向から下部シールド板３及び上部シールド板７に接する。下部シールド板３及び上部シールド板７と同様に、側部シールド材８にも透磁率の高い材料を用いる。本実施形態において、側部シールド材８にはメッキや磁性体を含有する樹脂等を用いる。【0016】
側部シールド材８の第１の方向における幅は適宜調整可能である。従って、例えば下部シールド板３及び上部シールド板７と、側部シールド材８との透磁率の違いを相殺する様に側部シールド材８の第１の方向における幅を調整することも可能である。更に、当該幅を下部シールド板３及び上部シールド板７よりも大きくすることによって、シールド機能を高めることも考えられる。【0017】
本実施形態に係る半導体装置によれば、半導体チップ５の下面を下部シールド板３で覆い、上面を上部シールド板７で覆い、側面を側部シールド材８で覆うようにしている。しかも、下部シールド板３の第２の方向における幅は半導体チップ５の幅と同程度に形成され、上部シールド板７の第２方向の幅は半導体チップ５の幅よりも少し小さく形成されてはいるが、半導体チップ５の主要部分を好適に外部磁場から保護している。そして、下部シールド板３及び上部シールド板７の幅は、半導体チップ５から引き出されたボンディングワイヤ５１及びコンタクト部１１，１２と各シールド板３，７との接触を防止可能な幅に設定されている。これにより、本実施形態に係る半導体装置は、半導体デバイス５の下面をも外部磁場から保護することが可能であり、良好な動作を行う事が可能となる。尚、下部シールド板３の第２の方向の幅は、半導体チップ５の主要部分が保護されるのであれば、上部シールド板７の第２の方向における幅と同程度としても良い。【0018】
［第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法］次に、本実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。図３、図５、図７、図９、図１１及び図１３は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための平面図であり、図４、図６、図８、図１０、図１２及び図１４はそれらの断面図である。
【0019】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法においては、先ず図３及び図４に示す通り、図示しない配線及びコンタクト部１１が形成された基板１を用意する。基板１は、第１の方向を長手方向、第２の方向を幅方向とする長方形で、長手方向に４つ分、幅方向に２つ分の計８個の半導体装置を製造可能なように、８組分の配線及びコンタクト部１１が形成されている。各コンタクト部１１は、幅方向に所定のスペースを空けて、長手方向に沿って形成されている。この基板１のコンタクト部１１の幅方向に形成された２列分のスペースに、第１の方向に延びる２枚の下部シールド板３を平行に配置して第１の接着材２によって貼着する。【0020】
本実施形態においては、第１の接着材２を下部シールド板３の裏面に貼着又は塗布した状態で下部シールド板３を基板１上に配置する。但し、例えば基板１側に第１の接着材２を塗布しておいても良い。【0021】
次に、図５及び図６に示す通り、下部シールド板３上に、第１の方向及び第２の方向に所定間隔で８個の半導体チップ５を搭載する。半導体チップ５は、上面に形成されたコンタクト部１２が、基板１に形成されたコンタクト部１１と対応するように下部シールド板３上に配置される。本実施形態においては、半導体チップ５の下面に第２の接着材４を貼着又は塗布し、半導体チップ５を、下部シールド板３に配置する。但し、例えば下部シールド板３上に第２の接着材４を貼着又は塗布し、その上に半導体デバイス５を配置することも可能である。【0022】
次に、半導体チップ５のコンタクト部１２と基板１のコンタクト部１１との間をボンディングワイヤ５１で電気的に接続する。尚、本実施形態においては、半導体チップ５の第２の方向における幅は下部シールド板３の第２の方向における幅と同程度に形成されている。従って、半導体チップ５から引き出されたボンディングワイヤ５１と下部シールド板３との接触を防止することが可能である。【0023】
次に、図７及び８に示す通り、半導体チップ５上に、第１の方向に延びる上部シールド板７を、第３の接着材６によって貼着する。上部シールド板７は、半導体チップ５の上面のコンタクト部１２の間のスペースに配置される。【0024】
本実施形態においては、上部シールド板７の下面に第３の接着材６を貼着又は塗布し、上部シールド板７を、半導体チップ５の上面に配置する。但し、例えば半導体チップ５上に第３の接着材６を貼着又は塗布し、その上に上部シールド板７を配置することも可能である。尚、本実施形態においては上部シールド板７の第２の方向における幅は、半導体チップ５の第２の方向における幅及び下部シールド板３の第２の方向における幅よりも小さく形成されている。従って、ボンディングワイヤ５１と上部シールド板７との接触を好適に防止することが可能である。【0025】
次に、図９及び図１０に示す通り、基板１上の下部シールド板３、半導体チップ５及び上部シールド板７を、絶縁性樹脂９によって埋め込み、ブロック体１０を形成する。続いて、このブロック体１０に、第２の方向に延びる第１の溝１ａを形成する。第１の溝１ａは、第１の方向の左から１番目と２番目の半導体チップ５の間、及び３番目と４番目の半導体チップ５の間に形成される。第１の溝１ａは、下部シールド板３、第１の接着材２、第３の接着材６及び上部シールド板７を第１の方向に切断する。【0026】
次に、図１１及び図１２に示す通り、第１の溝１ａに側部シールド材８を形成する。側部シールド材８の形成は、例えば第１の溝１ａにメッキを行う事によって行っても良いし、第１の溝に磁性体を含有する樹脂ペースト材等を充填することによって行っても良い。また、例えば磁性体金属を第１の溝に挿入し、この磁性体金属と第１の溝側面との空隙にメッキを行い、又は磁性体を含有する樹脂等を充填することも考えられる。【0027】
尚、磁性体を含有する樹脂等、流動性を有する材料を用いる場合、その材料が基板１上から流れ出してしまう事を防止するため、第１の溝１ａの開始地点と終了地点に壁を設けることが考えられる。【0028】
次に、図１３及び図１４に示す通り、各半導体チップ５の間に、第２の方向に延びる第２の溝１ｂと第１の方向に延びる第３の溝１ｃとを形成して、半導体装置を個片化する。また、この第２の溝１ｂ及び第３の溝１ｃによって、半導体装置に含まれない基板１や絶縁性樹脂９等の余剰部分を切り離す。第２の溝１ｂは、第１の溝１ａよりも幅が狭い。これにより、第２の溝１ｂでブロック体１０を切断して得た半導体装置には、側部シールド材８が残り、下部シールド板３及び上部シールド板７を側部シールド材８が結合する構成の半導体装置が製造される。【0029】
尚、図１３中、コンタクト部１１ａ、これに接続されたボンディングワイヤ５１及びコンタクト部１２は、個片化された各半導体装置において、同様の機能を有する。更に、図１３中、左から１列目及び３列目に位置する半導体装置において、同一の位置にあるコンタクト部１１ａ、これに接続されたボンディングワイヤ５１及びコンタクト部１２は、同一の機能を有している。また、図１３中、左から２列目及び４列目に位置する半導体装置を第１の方向及び第２の方向からなる面内において１８０°回転させた場合、左から１列目及び３列目に位置する半導体装置と同一の位置にあるコンタクト部１１ａ、これに接続されたボンディングワイヤ５１及びコンタクト部１２は、これら半導体装置における機能と同一の機能を有している。【0030】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、複数の半導体装置を同時に製造することが可能であり、製造コストを低減することが可能である。また、簡便なプロセスによって下部シールド板３、上部シールド板７及び側部シールド材８の形成を行う事が可能である。【0031】
［第２の実施形態に係る半導体装置］次に、第２の実施形態に係る半導体装置の構成について説明する。図１５は、第２の実施形態に係る半導体装置の概略的な構成を示す平面図であり、図１６は、その断面図である。本実施形態に係る半導体装置は、基本的に第１の実施形態に係る半導体装置とほぼ同様に構成されているが、図１５及び図１６に示す通り、側部シールド材８を２つ備えている。２つの側部シールド材８は、それぞれ第１の方向の両側から下部シールド板３及び上部シールド板７に接する。
【0032】
本実施形態においては、２つの側部シールド材８、下部シールド板３及び上部シールド板７は、対向する一対の側面にのみ壁を有しない箱型の磁気シールドとして機能する。本実施形態に係る半導体装置は、下部シールド板３で受けた磁場を上部シールド板７へ、又は上部シールド板７で受けた磁場を下部シールド板３へ伝える経路が増加する。従って、第１の実施形態に係る半導体装置と比較してシールド性を高めることが可能であると考えられる。【0034】
第２の実施形態に係る半導体装置は、基本的に第１の実施形態に係る半導体装置とほぼ同様に製造されるが、本実施形態においては、図１７及び図１８に示す通り、第１の溝１ａを、各半導体チップ５の両側に形成する。次に、図１９及び図２０に示す通り、全ての第１の溝１ａに側部シールド材８を形成し、更に図２１及び図２２に示す通り、全ての第２の溝１ｂ及び第３の溝１ｃによってブロック体１０を第１の方向及び第２の方向に切断して半導体装置を個片化する。これにより、本実施形態に係る半導体装置を形成することが可能となる。【0035】
［第３の実施形態に係る半導体装置］次に、第３の実施形態に係る半導体装置の構成について説明する。図２３は、本実施形態に係る半導体装置の構成を説明するための概略的な平面図であり、図２４は、その断面図である。第３の実施形態に係る半導体装置は、基本的には第１の実施形態に係る半導体装置と同様に構成されているが、本実施形態においては、側部シールド材８が下部シールド板３及び上部シールド板７と同様の材料で構成されている。従って、側部シールド材８の透磁率を高め、これによってシールド性を高めることが可能である。また、当該側部シールド材８は、絶縁性樹脂９′によって埋め込まれている。
【0036】
次に、第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。図２５、図２７及び図２９は、同製造方法を説明するための概略的な平面図であり、図２６、図２８及び図３０は、それらの断面図である。【0037】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法とほぼ同様であるが、本実施形態においては、図２５及び図２６に示す通り、ブロック体１０に第２の方向に延びる第１の溝１ａを形成する。次に、第１の溝１ａに、第２の方向に延びる側部シールド材８を、それぞれ下部シールド板３及び上部シールド板７に当接する様に複数配置する。【0038】
次に、図２７及び図２８に示す通り、これら２つの側部シールド材８の間に絶縁性樹脂９′を充填し、この充填による圧力によって２つの側部シールド材８を下部シールド板３及び上部シールド板７に密着させる。【0039】
次に、図２９及び図３０に示す通り、各半導体チップ５の間に、第２の方向に延びる第２の溝１ｂと第１の方向に延びる第３の溝１ｃとを形成して、半導体装置を個片化する。第２の溝１ｂは、第１の溝１ａよりも幅が狭い。これにより、第２の溝１ｂでブロック体１０を切断して得た半導体装置には、側部シールド材８及び絶縁性樹脂９′が残り、下部シールド板３及び上部シールド板７を側部シールド材８が結合する構成の半導体装置が製造される。【0040】
尚、絶縁性樹脂９′は、絶縁性樹脂９と一体化する。従って、第２の溝１ｂの形成後においては、側部シールド材８は、絶縁性樹脂９′の内部応力によって下部シールド板３及び上部シールド板７に当接する。従って、絶縁性樹脂９′の第１の方向における幅は、当該応力を確保するために充分な厚みを有する様にすることも考えられる。【0041】
［第４の実施形態に係る半導体装置］次に、第４の実施形態に係る半導体装置の構成について説明する。図３１は、本実施形態に係る半導体装置の構成を説明するための概略的な断面図である。第４の実施形態に係る半導体装置は、基本的には第１の実施形態に係る半導体装置と同様に構成されているが、本実施形態においては、第１の接着材２及び下部シールド板３の一部に穴２１及び３１が穿たれており、基板１の、当該穴によって露出した部分にはコンタクト部１１が更に形成されており、半導体チップ５からは第１の方向にもボンディングワイヤ５１が引き出され、第１の接着材２及び下部シールド板３に穿たれた穴を介してコンタクト部１１に接続されている点において異なっている。本実施形態に係る半導体装置によれば、仮に半導体チップ５から引き出すボンディングワイヤ５１の数がある程度以上増加した場合にも、容易にコンタクトを行う事が可能である。尚、本実施形態においては第１の接着材２及び下部シールド板３の一部に穴２１及び３１を設けているが、第３の接着材６及び上部シールド板７にも穴を穿つことも可能である。
【0042】
次に、第４の実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。図３２、図３４、図３６、図３８、図４０及び図４２は本実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための概略的な平面図であり、図３３、図３５、図３７、図３９、図４１及び図４３はそれらの断面図である。【0043】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法とほぼ同様であるが、図３２及び図３３に示す通り、下部シールド板３に第１の方向の所定の間隔で穴２１及び３１が形成されている点、基板１の穴２１及び３１に対応する個所にコンタクト部１１が形成されている点及び基板１上に第１の接着材２及び下部シールド板３を形成する前に、下部シールド板３の裏面に第１の接着材２を塗布し、穴２１及び３１を形成し、穴２１及び３１が形成された第１の接着材２及び下部シールド板３を基板１上に配置する点において異なっている。尚、例えば基板１上に穴２１が設けられるように第１の接着材２を塗布し、その後で穴３１が形成された下部シールド板３を配置することも可能である。【0044】
次に、図３４及び図３５に示す通り、第１の実施形態と同様に、下部シールド板３上に半導体チップ５を搭載する。次に、半導体チップ５のコンタクト部１２と基板１のコンタクト部１１との間をボンディングワイヤ５１で電気的に接続する。尚、本実施形態においては半導体チップ５の上面の、穴２１及び３１に近接する部分にもコンタクト部１２が形成されている。【0045】
次に、図３６及び図３７に示す通り、半導体チップ５上に、第１の方向に延びる上部シールド板７を、第３の接着材６によって貼付する。当該工程は、基本的には図７及び図８を使用して説明した工程と同様であるが、本実施形態においては上部シールド板７が穴２１及び３１の範囲内に設けられたコンタクト部１１に接続されたボンディングワイヤ５１を避ける様に形成される。本実施形態においては、複数の上部シールド板７を貼りつけることによって当該構成を実現しているが、例えば第３の接着材６及び上部シールド板７に穴を穿つことによっても当該構成を実現可能である。【0046】
次に、図３８及び図３９に示す通り、基板１上の下部シールド板３、半導体チップ５及び上部シールド板７を、絶縁性樹脂９によって埋め込み、ブロック体１０を形成する。続いて、このブロック体１０に、第２の方向に延びる第１の溝１ａを形成する。第１の溝１ａは、半導体チップ５の、ボンディングワイヤ５１が接続されていない方向に設けられる。尚、本実施形態においては第１の溝１ａは第１の実施形態と同様に形成されるが、第３の実施形態と同様に形成することも可能である。【0048】
次に、図４２及び図４３に示す通り、各半導体チップ５の間に、第２の方向に延びる第２の溝１ｂと第１の方向に延びる第３の溝１ｃとを形成して、半導体装置を個片化する。第２の溝１ｂは、第１の溝１ａよりも幅が狭い。これにより、第２の溝１ｂでブロック体１０を切断して得た半導体装置には、側部シールド材８が残り、下部シールド板３及び上部シールド板７を側部シールド材８が結合する構成の半導体装置が製造される。【0049】
また、第２の溝１ｂは、穴２１及び３１の間に形成されたコンタクト部１１の間を通る。従って、第２の溝１ｂは、ボンディングワイヤ５１を切断しない。換言すれば、穴２１及び３１の間に形成されたコンタクト部１１は、第２の溝１ｂによって切断されない為の間隔を空けて配置される。【0050】
［その他の実施形態に係る半導体装置］上記第１〜第４の実施形態においては、第２の方向に延びる第１の溝１ａによって絶縁性樹脂９が第１の方向に分断されていた。しかしながら、図４４に示す通り、第１の溝１ａを、第２の方向に延びる閉塞穴（凹部）として形成しても良い。この場合には、絶縁性樹脂９の幅及び第１の溝１ａの幅を調整し、図４５に示す通り、第２の溝１ｂ及び第３の溝１ｃによって半導体装置が個片化された際に、半導体装置にその第１の溝１ａの始点及び終点が現れない様にする事が考えられる。
【0051】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことが出来る。これら実施形態やその変形は、発明の範囲に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。【符号の説明】
【0052】
１…基板、２…第１の接着材、３…下部シールド板、４…第２の接着材、５…半導体チップ、６…第３の接着材、７…上部シールド板、８…側部シールド材、１０…ブロック体、１１、１２…コンタクト部、５１…ボンディングワイヤ。