(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
データラインと第1ノードとの間に連結されている第1キャパシタと、前記第1ノードに基準電圧を印加する基準電圧トランジスタと、前記第1ノードと第2ノードとを連結するリレートランジスタと、前記第2ノードにゲート電極が連結され、第1電源電圧から有機発光ダイオードに流れる駆動電流を制御する駆動トランジスタと、前記第1電源電圧を前記駆動トランジスタに印加する発光トランジスタと、前記第2ノードと前記有機発光ダイオードとの間に連結されている第2キャパシタとをそれぞれ含む複数の画素を含み、
前記発光トランジスタがターンオンされ、前記第2キャパシタに格納されている電圧によって、前記駆動トランジスタに流れる駆動電流に応じて前記有機発光ダイオードが発光する発光期間が前記複数の画素で同時に行われる時、前記リレートランジスタはターンオフされ、前記基準電圧トランジスタがターンオンされて、前記第1ノードに前記基準電圧が印加され、前記複数の画素それぞれに対応するゲートオン電圧の走査信号に対応するデータ電圧が前記第1キャパシタに格納されることを特徴とする表示装置。
前記発光期間に、前記基準電圧トランジスタおよび前記発光トランジスタは、ゲートオン電圧の発光信号によってターンオンされ、前記複数の画素それぞれに対応するゲートオン電圧の走査信号によって前記スイッチングトランジスタがターンオンされることを特徴とする請求項4に記載の表示装置。
前記発光期間に、前記基準電圧トランジスタは、ゲートオン電圧の維持信号によってターンオンされ、前記複数の画素それぞれに対応するゲートオン電圧の走査信号によって前記スイッチングトランジスタがターンオンされることを特徴とする請求項4に記載の表示装置。
【発明を実施するための形態】
【0019】
以下、添付した図面を参考にして、本発明の実施形態について、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。本発明は、種々の異なる形態で実現可能であり、ここで説明する実施形態に限定されない。
【0020】
また、種々の実施形態において、同一の構成を有する構成要素については同一の符号を用いて代表的に第1実施形態で説明し、その他の実施形態では、第1実施形態と異なる構成についてのみ説明する。
【0021】
本発明を明確に説明するために説明上不必要な部分は省略し、明細書全体にわたって同一または類似の構成要素については同一の参照符号を付す。
【0022】
明細書全体において、ある部分が他の部分に「連結」されているとする時、これは、「直接的に連結」されている場合のみならず、その中間に別の素子を挟んで「電気的に連結」されている場合も含む。また、ある部分がある構成要素を「含む」とする時、これは、特に反対となる記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく、他の構成要素をさらに包含できることを意味する。
【0023】
図1は、本発明の一実施形態にかかる表示装置を示すブロック図である。
【0024】
図1を参照すれば、表示装置10は、信号制御部100と、走査駆動部200と、データ駆動部300と、電源供給部400と、書き込み信号部500と、発光信号部600と、表示部900とを含む。表示装置10は、画素の構成により、リセット信号部700および維持信号部800のうちの少なくともいずれか1つをさらに含むことができる。
【0025】
信号制御部100は、外部装置から入力される映像信号ImSおよび同期信号を受信する。入力映像信号ImSは、複数の画素の輝度(luminance)情報を含んでいる。輝度は、定められた数、例えば、1024(=2
10)、256(=2
8)または64(=2
6)個の階調(gray)を有している。同期信号は、水平同期信号Hsync、垂直同期信号Vsyncおよびメインクロック信号MCLKを含む。
【0026】
信号制御部100は、映像信号ImS、水平同期信号Hsync、垂直同期信号Vsyncおよびメインクロック信号MCLKに応じて、第1ないし第5駆動制御信号CONT1、CONT2、CONT3、CONT4、CONT5および映像データ信号ImDを生成する。信号制御部100は、第6駆動制御信号CONT6および第7駆動制御信号CONT7のうちの少なくともいずれか1つをさらに生成することができる。
【0027】
信号制御部100は、垂直同期信号Vsyncに応じてフレーム単位で映像信号ImSを区分し、水平同期信号Hsyncに応じて走査ライン単位で映像信号ImSを区分して、映像データ信号ImDを生成する。信号制御部100は、映像データ信号ImDを第1駆動制御信号CONT1と共にデータ駆動部300に伝送する。
【0028】
表示部900は、複数の画素を含む表示領域である。表示部900には、実質的に行方向に延びて互いにほぼ平行な複数の走査ライン、および実質的に列方向に延びて互いにほぼ平行な複数のデータラインが複数の画素に連結されるように形成される。そして、表示部900には、複数の電源ライン、複数の書き込み信号ラインおよび複数の発光信号ラインが複数の画素に連結されるように形成される。表示部900には、複数のリセット信号ラインおよび複数の維持信号ラインのうちの少なくともいずれか1つが複数の画素に連結されるように形成されるとよい。複数の画素は、実質的に行列形態に配列されるとよい。
【0029】
走査駆動部200は、複数の走査ラインに連結され、第2駆動制御信号CONT2に応じて複数の走査信号S[1]〜S[n]を生成する。走査駆動部200は、複数の走査ラインにゲートオン電圧の走査信号S[1]〜S[n]を順次に印加することができる。
【0030】
データ駆動部300は、複数のデータラインに連結され、第1駆動制御信号CONT1に応じて、入力された映像データ信号ImDをサンプリングおよびホールディングし、複数のデータラインそれぞれに複数のデータ信号data[1]〜data[m]を伝達する。データ駆動部300は、ゲートオン電圧の走査信号S[1]〜S[n]に対応して、複数のデータラインに所定の電圧範囲を有するデータ信号data[1]〜data[m]を印加する。
【0031】
電源供給部400は、複数の電源ラインに連結され、第3駆動制御信号CONT3に応じて、第1電源電圧ELVDDおよび第2電源電圧ELVSSの電源レベルを調節する。電源供給部400は、基準電圧Vrefを複数の画素に供給することができる。
【0032】
書き込み信号部500は、複数の書き込み信号ラインに連結され、第4駆動制御信号CONT4に応じて書き込み信号GWを生成する。書き込み信号部500は、複数の画素にゲートオン電圧の書き込み信号GWを同時に印加することができる。
【0033】
発光信号部600は、複数の発光信号ラインに連結され、第5駆動制御信号CONT5に応じて発光信号GEを生成する。発光信号部600は、複数の画素にゲートオン電圧の発光信号GEを同時に印加することができる。
【0034】
リセット信号部700は、複数のリセット信号ラインに連結され、第6駆動制御信号CONT6に応じてリセット信号GRを生成する。リセット信号部700は、複数の画素にゲートオン電圧のリセット信号GRを同時に印加することができる。
【0035】
維持信号部800は、複数の維持信号ラインに連結され、第7駆動制御信号CONT7に応じて維持信号SUSを生成する。維持信号部800は、複数の画素にゲートオン電圧の維持信号SUSを同時に印加することができる。
【0036】
図2は、本発明の一実施形態にかかる表示装置の駆動方式を示す図である。
【0037】
図2を参照すれば、表示部900に1つの映像が表示される1フレーム期間は、画素の有機発光ダイオードの駆動電圧をリセットするリセット期間A、画素の駆動トランジスタのしきい電圧を補償する補償期間B、直前フレームに画素に書き込まれたデータ電圧を駆動トランジスタに伝達するデータ伝達期間C、複数の画素それぞれにデータが書き込まれる走査期間Dおよび複数の画素が書き込まれたデータに対応して発光する発光期間Eを含む。時間的に走査期間Dと発光期間Eは重なって発生する。
【0038】
現在フレームの発光期間Eに、画素は、直前フレームの走査期間Dに書き込まれたデータに応じて発光する。そして、現在フレームの走査期間Dに画素に書き込まれるデータに応じて、画素は、次フレームの発光期間Eに発光する。
【0039】
例えば、期間T1にN番目フレームの走査期間Dおよび発光期間Eが含まれるとする。期間T1の走査期間Dに画素に書き込まれるデータは、N番目フレームのデータであり、期間T1の発光期間Eに、画素は、N−1番目フレームの走査期間Dに書き込まれたN−1番目フレームのデータに応じて発光する。
【0040】
期間T2は、N+1番目フレームの走査期間Dおよび発光期間Eが含まれる。期間T2の走査期間Dに画素に書き込まれるデータは、N+1番目フレームのデータであり、期間T2の発光期間Eに、画素は、N番目フレームの走査期間D、つまり、期間T1に書き込まれたN番目フレームのデータに応じて発光する。
【0041】
期間T3は、N+2番目フレームの走査期間Dおよび発光期間Eが含まれる。期間T3の走査期間Dに画素に書き込まれるデータは、N+2番目フレームのデータであり、期間T3の発光期間Eに、画素は、N+1番目フレームの走査期間D、つまり、期間T2に書き込まれたN+1番目フレームのデータに応じて発光する。
【0042】
期間T4は、N+3番目フレームの走査期間Dおよび発光期間Eが含まれる。期間T4の走査期間Dに画素に書き込まれるデータは、N+3番目フレームのデータであり、期間T4の発光期間Eに、画素は、N+2番目フレームの走査期間D、つまり、期間T3に書き込まれたN+2番目フレームのデータに応じて発光する。
【0043】
現在フレームのデータが走査期間Dに書き込まれ、走査期間Dと重なる期間である発光期間Eに直前フレームのデータに応じて発光する画素構造を、
図3を参照して説明する。
【0044】
図3は、本発明の一実施形態にかかる画素を示す回路図である。
【0045】
図3を参照すれば、第1実施形態にかかる画素20は、基準電圧トランジスタTR11と、リレートランジスタTR12と、駆動トランジスタTR13と、リセットトランジスタTR14と、発光トランジスタTR15と、第1キャパシタC11と、第2キャパシタC12と、有機発光ダイオードOLEDとを含む。
【0046】
基準電圧トランジスタTR11は、走査信号S[i]が印加されるゲート電極と、基準電圧Vrefに連結されている一電極と、第1ノードN11に連結されている他電極とを含む。基準電圧トランジスタTR11は、ゲートオン電圧の走査信号S[i]によってターンオンされ、基準電圧Vrefを第1ノードN11に印加する。
【0047】
リレートランジスタTR12は、書き込み信号GWが印加されるゲート電極と、第1ノードN11に連結されている一電極と、第2ノードN12に連結されている他電極とを含む。リレートランジスタTR12は、ゲートオン電圧の書き込み信号GWによってターンオンされ、第1ノードN11の電圧を第2ノードN12に印加する。
【0048】
駆動トランジスタTR13は、第2ノードN12に連結されているゲート電極と、発光トランジスタTR15の他電極に連結されている一電極と、第3ノードN13に連結されている他電極とを含む。駆動トランジスタTR13は、第2ノードN12の電圧によってオンオフされ、有機発光ダイオードOLEDに供給される駆動電流を制御する。
【0049】
リセットトランジスタTR14は、リセット信号GRが印加されるゲート電極と、データラインDjに連結されている一電極と、第2ノードN12に連結されている他電極とを含む。リセットトランジスタTR14は、ゲートオン電圧のリセット信号GRによってターンオンされ、データラインDjに印加される電圧を第2ノードN12に印加する。
【0050】
発光トランジスタTR15は、発光信号GEが印加されるゲート電極と、第1電源電圧ELVDDに連結されている一電極と、駆動トランジスタTR13の一電極に連結されている他電極とを含む。
【0051】
第1キャパシタC11は、データラインDjに連結されている一電極と、第1ノードN11に連結されている他電極とを含む。
【0052】
第2キャパシタC12は、第2ノードN12に連結されている一電極と、第3ノードN13に連結されている他電極とを含む。
【0053】
有機発光ダイオードOLEDは、第3ノードN13に連結されているアノード電極と、第2電源電圧ELVSSに連結されているカソード電極とを含む。有機発光ダイオードOLEDは、基本色(primary color)のうちの1つの光を発することができる。基本色の例としては、赤色、緑色、青色の三原色が挙げられ、これら三原色の空間的和または時間的和で所望の色が表示できる。
【0054】
基準電圧トランジスタTR11、リレートランジスタTR12、駆動トランジスタTR13、リセットトランジスタTR14および発光トランジスタTR15は、n−チャネル電界効果トランジスタであり得る。この時、基準電圧トランジスタTR11、リレートランジスタTR12、駆動トランジスタTR13、リセットトランジスタTR14および発光トランジスタTR15をターンオンさせるゲートオン電圧はハイレベル電圧であり、ターンオフさせるゲートオフ電圧はローレベル電圧である。
【0055】
ここでは、n−チャネル電界効果トランジスタを示したが、基準電圧トランジスタTR11、リレートランジスタTR12、駆動トランジスタTR13、リセットトランジスタTR14および発光トランジスタTR15のうちの少なくともいずれか1つは、p−チャネル電界効果トランジスタであってもよい。この時、p−チャネル電界効果トランジスタをターンオンさせるゲートオン電圧はローレベル電圧であり、ターンオフさせるゲートオフ電圧はハイレベル電圧である。
【0056】
図4は、本発明の一実施形態にかかる表示装置の駆動方法を示すタイミング図である。
【0057】
図3および
図4を参照すれば、第1実施形態にかかる画素20を含む表示装置10の駆動方法について説明する。第1実施形態にかかる画素20を含む表示装置は、維持信号部800を含まなくてもよい。
【0058】
リセット期間Aにおいて、第1電源電圧ELVDDおよび第2電源電圧ELVSSはローレベル電圧で印加され、発光信号GEおよびリセット信号GRはゲートオン電圧で印加され、走査信号S[1]〜S[n]および書き込み信号GWはゲートオフ電圧で印加され、データ信号data[j]は維持電圧VSUSで印加される。ゲートオン電圧の発光信号GEによって発光トランジスタTR15がターンオンされ、ゲートオン電圧のリセット信号GRによってリセットトランジスタTR14がターンオンされる。ターンオンされたリセットトランジスタTR14を介して維持電圧VSUSが第2ノードN12に印加される。維持電圧VSUSは、駆動トランジスタTR13をターンオンさせることができる程度の、予め定められた電圧であり得、維持電圧VSUSによって駆動トランジスタTR13がターンオンされる。ターンオンされた駆動トランジスタTR13および発光トランジスタTR15を介してローレベル電圧の第1電源電圧ELVDDが第3ノードN13に印加される。これにより、第3ノードN13の電圧、つまり、有機発光ダイオードOLEDのアノード電圧は、ローレベル電圧にリセットされる。そして、第2キャパシタC12の両端電圧は、第2ノードN12の維持電圧VSUSおよび第3ノードN13のローレベル電圧にリセットされる。
【0059】
補償期間Bにおいて、第1電源電圧ELVDDはハイレベル電圧で変動する。第1電源電圧ELVDDがハイレベル電圧で変動することによって、ターンオンされている駆動トランジスタTR13および発光トランジスタTR15を介して電流が流れる。ローレベル電圧にリセットされていた第3ノードN13の電圧は次第に上昇し、第3ノードN13の電圧がVSUS−Vth電圧になると、駆動トランジスタTR13がターンオフされる。ここで、Vthは、駆動トランジスタTR13のしきい電圧である。第2キャパシタC12には、駆動トランジスタTR13のしきい電圧Vthが格納される。
【0060】
データ伝達期間Cにおいて、第1電源電圧ELVDDはハイレベル電圧で印加され、第2電源電圧ELVSSはローレベル電圧で印加され、書き込み信号GWはゲートオン電圧で印加され、走査信号S[1]〜S[n]、発光信号GEおよびリセット信号GRはゲートオフ電圧で印加され、データ信号data[j]は維持電圧VSUSで印加される。ゲートオフ電圧の発光信号GEによって発光トランジスタTR15がターンオフされ、ゲートオフ電圧のリセット信号GRによってリセットトランジスタTR14がターンオフされる。ゲートオン電圧の書き込み信号GWによってリレートランジスタTR12がターンオンされる。リレートランジスタTR12がターンオンされることによって、第1キャパシタC11に格納されている電圧が第2ノードN12に印加される。第1キャパシタC11に格納されている電圧は、現在フレームの直前フレームの走査期間Dに第1キャパシタC11に格納される電圧であって、Vref−dataである。これに関する説明は、走査期間Dに関する説明で後述する。ここで、dataは、データ信号data[1]〜data[m]の電圧を意味する。この時、データラインDjには維持電圧VSUSが印加されているため、第2ノードN12にはVref−data+VSUS電圧が印加される。第2ノードN12の電圧Vgは、VSUS電圧からVref−data+VSUS電圧による電圧変動量だけ変動する。この時、第2キャパシタC12と有機発光ダイオードOLEDの寄生キャパシタとが直列連結されることによって、Vref−data+VSUS電圧による電圧変動量には直列連結されたキャパシタ効果が反映される。第2ノードN12の電圧Vgは、数式1のように変動する。
【数1】
ここで、Choldは第1キャパシタC11のキャパシタンス、Cstは第2キャパシタC12のキャパシタンス、Coledは有機発光ダイオードOLEDの寄生キャパシタンスである。
【0061】
第3ノードN13の電圧Vsは、VSUS−Vth電圧から第2ノードN12の電圧変動量が反映され、数式2のように変動する。
【数2】
【0062】
発光期間Eにおいて、発光信号GEがゲートオン電圧で印加され、書き込み信号GWがゲートオフ電圧で印加される。ゲートオン電圧の発光信号GEによって発光トランジスタTR15がターンオンされ、駆動トランジスタTR13を介して有機発光ダイオードOLEDに駆動電流Ioledが流れる。有機発光ダイオードOLEDに流れる駆動電流Ioledは、数式3の通りである。
【数3】
ここで、kは、駆動トランジスタTR13の特性によって決定されるパラメータである。
【0063】
このように、有機発光ダイオードOLEDは、第2キャパシタC12に格納されている電圧によって、駆動トランジスタTR13に流れる駆動電流Ioledに対応する明るさで発光する。有機発光ダイオードOLEDは、第1電源電圧ELVDDの電圧降下、駆動トランジスタTR13のしきい電圧Vthに関係なく、データ電圧dataに対応する明るさで発光する。発光信号GEがゲートオフ電圧で印加されると、発光期間Eが終了する。
【0064】
走査期間Dにおいて、複数の走査信号S[1]〜S[n]は順次にゲートオン電圧で印加され、複数の走査信号S[1]〜S[n]に対応してデータ信号data[j]が印加される。この時、書き込み信号GWはゲートオフ電圧で印加され、リレートランジスタTR12をターンオフさせる。ゲートオン電圧の走査信号S[i]によって基準電圧トランジスタTR11がターンオンされ、ターンオンされた基準電圧トランジスタTR11を介して第1ノードN11に基準電圧Vrefが印加される。第1ノードN11に基準電圧Vrefが伝達される間にデータラインDjにデータ電圧dataが伝達されると、第1キャパシタC11にVref−data電圧が格納される。第1キャパシタC11にVref−data電圧が格納された後、基準電圧トランジスタTR11がターンオフされると、第1ノードN11はフローティング状態となり、以降、データラインDjの電圧が変動しても、第1キャパシタC11に格納されたVref−data電圧は維持される。第1キャパシタC11に格納されたVerf−data電圧は、次フレームの発光期間Eに使用される。
【0065】
上述のように、第1実施形態にかかる画素20を含む表示装置10は、データの書き込みおよび発光を同時に行うことができるため、データの書き込み時間を十分に確保することができる。そして、データ伝達期間Cに駆動トランジスタTR13のゲート電極にデータ電圧を伝達する動作が、等価な抵抗を有し、および、独立した電位の供給が可能なデータラインを基準として行われるため、安定かつ均一な画面表示が容易である。
【0066】
図5は、本発明の他の実施形態にかかる表示装置の駆動方式を示す図である。
【0067】
図5を参照すれば、表示装置10がシャッタ眼鏡方式によって左眼映像と右眼映像を交互に表示する駆動方式である。
図5に示されているように、各フレームは、リセット期間A、補償期間B、データ伝達期間C、走査期間Dおよび発光期間Eを含む。
【0068】
左眼映像を示す複数のデータ信号(以下、左眼映像データ信号という)が複数の画素それぞれに書き込まれるフレームは、図面符号「L」を用いて表し、右眼映像を示す複数のデータ信号(以下、右眼映像データ信号という)が複数の画素それぞれに書き込まれるフレームは、図面符号「R」を用いて表す。
【0069】
リセット期間A、補償期間B、データ伝達期間C、走査期間Dおよび発光期間Eそれぞれにおいて、リセット信号GR、書き込み信号GW、発光信号GE、走査信号S[1]〜S[n]およびデータ信号data[j]の波形は、
図4に示された波形と同一であるので、各期間に関する具体的な説明は省略する。
【0070】
期間T21の走査期間Dに、N_Lフレームの左眼映像データ信号が複数の画素に書き込まれる。走査期間Dの間、複数の画素それぞれに対応する左眼映像データ信号が書き込まれる。この時、期間T21の発光期間Eの間、N−1_Rフレームの走査期間Dに書き込まれた右眼映像データ信号に応じて複数の画素が発光する。
【0071】
期間T22の走査期間Dに、N_Rフレームの右眼映像データ信号が複数の画素に書き込まれる。走査期間Dの間、複数の画素それぞれに対応する右眼映像データ信号が書き込まれる。この時、期間T22の発光期間Eの間、N_Lフレームの走査期間Dに書き込まれた左眼映像データ信号に応じて複数の画素が発光する。
【0072】
期間T23の走査期間Dに、N+1_Lフレームの左眼映像データ信号が複数の画素に書き込まれる。走査期間Dの間、複数の画素それぞれに対応する左眼映像データ信号が書き込まれる。この時、期間T23の発光期間Eの間、N_Rフレームの走査期間Dに書き込まれた右眼映像データ信号に応じて複数の画素が発光する。
【0073】
期間T24の走査期間Dに、N+1_Rフレームの右眼映像データ信号が複数の画素に書き込まれる。走査期間Dの間、複数の画素それぞれに対応する右眼映像データ信号が書き込まれる。この時、期間T24の発光期間Eの間、N+1_Lフレームの走査期間Dに書き込まれた左眼映像データ信号に応じて複数の画素が発光する。
【0074】
このような方式で左眼映像が書き込まれる間に右眼映像が同時に発光し、右眼映像が書き込まれる間に左眼映像が同時に発光する。すると、発光期間を十分に確保することができて、立体映像の画質が向上する。
【0075】
走査期間Dと発光期間Eが同じ期間に属するため、各フレームの発光期間E間の間隔T31を走査期間に関係なく設定することができる。この時、シャッタ眼鏡の液晶応答速度に最適化した間隔で発光期間E間の間隔T31を設定することができる。
【0076】
走査期間Dと発光期間Eが同じ期間に属しない従来の場合、走査期間D後に発光期間Eが位置するため、1フレームの期間中に発光期間Eを設定可能な時間的マージンが少ない。提案する駆動方式では、1フレームの期間中、リセット期間A、補償期間Bおよびデータ伝達期間Cを除いた期間に発光期間Eを設定することができる。したがって、発光期間Eを設定可能な時間的マージンが従来に比べて増加し、シャッタ眼鏡の液晶応答速度を考慮して発光期間E間の間隔T31を設定することができる。
【0077】
例えば、左眼映像(または右眼映像)の発光が終わった時点からシャッタ眼鏡の右眼レンズ(または左眼レンズ)を完全に開けるのに必要な時間を考慮して発光期間E間の間隔T31を設定することができる。
【0078】
図6は、本発明の他の実施形態にかかる画素を示す回路図である。
【0079】
図6を参照すれば、第2実施形態にかかる画素30は、スイッチングトランジスタTR21と、基準電圧トランジスタTR22と、リレートランジスタTR23と、駆動トランジスタTR24と、リセットトランジスタTR25と、発光トランジスタTR26と、第1キャパシタC11と、第2キャパシタC22と、有機発光ダイオードOLEDとを含む。
【0080】
スイッチングトランジスタTR21は、走査信号S[i]が印加されるゲート電極と、データラインDjに連結されている一電極と、第1キャパシタC21の一電極に連結されている他電極とを含む。スイッチングトランジスタTR21は、ゲートオン電圧の走査信号S[i]によってターンオンされ、データラインDjに印加される電圧を第1キャパシタC21に印加する。
【0081】
基準電圧トランジスタTR22は、発光信号GEが印加されるゲート電極と、基準電圧Vrefに連結されている一電極と、第1ノードN21に連結されている他電極とを含む。基準電圧トランジスタTR22は、ゲートオン電圧の発光信号GEによってターンオンされ、基準電圧Vrefを第1ノードN21に印加する。
【0082】
リレートランジスタTR23は、書き込み信号GWが印加されるゲート電極と、第1ノードN21に連結されている一電極と、第2ノードN22に連結されている他電極とを含む。リレートランジスタTR23は、ゲートオン電圧の書き込み信号GWによってターンオンされ、第1ノードN21の電圧を第2ノードN22に印加する。
【0083】
駆動トランジスタTR24は、第2ノードN22に連結されているゲート電極と、発光トランジスタTR26の他電極に連結されている一電極と、第3ノードN23に連結されている他電極とを含む。駆動トランジスタTR24は、第2ノードN22の電圧によってオンオフされ、有機発光ダイオードOLEDに供給される駆動電流を制御する。
【0084】
リセットトランジスタTR25は、リセット信号GRが印加されるゲート電極と、データラインDjに連結されている一電極と、第2ノードN22に連結されている他電極とを含む。リセットトランジスタTR25は、ゲートオン電圧のリセット信号GRによってターンオンされ、データラインDjに印加される電圧を第2ノードN22に印加する。
【0085】
発光トランジスタTR26は、発光信号GEが印加されるゲート電極と、第1電源電圧ELVDDに連結されている一電極と、駆動トランジスタTR24の一電極に連結されている他電極とを含む。
【0086】
第1キャパシタC21は、スイッチングトランジスタTR21の他電極に連結されている一電極と、第1ノードN21に連結されている他電極とを含む。
【0087】
第2キャパシタC22は、第2ノードN22に連結されている一電極と、第3ノードN23に連結されている他電極とを含む。
【0088】
有機発光ダイオードOLEDは、第3ノードN23に連結されているアノード電極と、第2電源電圧ELVSSに連結されているカソード電極とを含む。有機発光ダイオードOLEDは、基本色(primary color)のうちの1つの光を発することができる。基本色の例としては、赤色、緑色、青色の三原色が挙げられ、これら三原色の空間的和または時間的和で所望の色が表示できる。
【0089】
第1実施形態にかかる画素20との相違点として、第2実施形態にかかる画素30は、スイッチングトランジスタTR21をさらに含む。そして、第1実施形態にかかる画素20の基準電圧トランジスタTR11のゲート電極には走査信号S[i]が印加されるのに対し、第2実施形態にかかる画素30の基準電圧トランジスタTR22のゲート電極には発光信号GEが印加される。
【0090】
スイッチングトランジスタTR21、基準電圧トランジスタTR22、リレートランジスタTR23、駆動トランジスタTR24、リセットトランジスタTR25および発光トランジスタTR26は、n−チャネル電界効果トランジスタであり得る。この時、スイッチングトランジスタTR21、基準電圧トランジスタTR22、リレートランジスタTR23、駆動トランジスタTR24、リセットトランジスタTR25および発光トランジスタTR26をターンオンさせるゲートオン電圧はハイレベル電圧であり、ターンオフさせるゲートオフ電圧はローレベル電圧である。
【0091】
ここでは、n−チャネル電界効果トランジスタを示したが、スイッチングトランジスタTR21、基準電圧トランジスタTR22、リレートランジスタTR23、駆動トランジスタTR24、リセットトランジスタTR25および発光トランジスタTR26のうちの少なくともいずれか1つは、p−チャネル電界効果トランジスタであってもよい。この時、p−チャネル電界効果トランジスタをターンオンさせるゲートオン電圧はローレベル電圧であり、ターンオフさせるゲートオフ電圧はハイレベル電圧である。
【0092】
図7は、本発明の他の実施形態にかかる表示装置の駆動方法を示すタイミング図である。
【0093】
図6および
図7を参照すれば、第2実施形態にかかる画素30を含む表示装置の駆動方法について説明する。第2実施形態にかかる画素30を含む表示装置は、維持信号部800を含まなくてもよい。
【0094】
リセット期間Aにおいて、第1電源電圧ELVDDおよび第2電源電圧ELVSSはローレベル電圧で印加され、発光信号GEおよびリセット信号GRはゲートオン電圧で印加され、走査信号S[1]〜S[n]および書き込み信号GWはゲートオフ電圧で印加され、データ信号data[j]は維持電圧VSUSで印加される。ゲートオン電圧の発光信号GEによって発光トランジスタTR26がターンオンされ、ゲートオン電圧のリセット信号GRによってリセットトランジスタTR25がターンオンされる。ターンオンされたリセットトランジスタTR25を介して維持電圧VSUSが第2ノードN22に印加される。維持電圧VSUSは、駆動トランジスタTR24をターンオンさせることができる程度の、予め定められた電圧であり得、維持電圧VSUSによって駆動トランジスタTR24がターンオンされる。ターンオンされた駆動トランジスタTR24および発光トランジスタTR26を介してローレベル電圧の第1電源電圧ELVDDが第3ノードN23に印加される。これにより、第3ノードN23の電圧、つまり、有機発光ダイオードOLEDのアノード電圧は、ローレベル電圧にリセットされる。そして、第2キャパシタC22の両端電圧は、第2ノードN22の維持電圧VSUSおよび第3ノードN23のローレベル電圧にリセットされる。
【0095】
補償期間Bにおいて、第1電源電圧ELVDDはハイレベル電圧で変動する。第1電源電圧ELVDDがハイレベル電圧で変動することによって、ターンオンされている駆動トランジスタTR24および発光トランジスタTR26を介して電流が流れる。ローレベル電圧にリセットされていた第3ノードN23の電圧は次第に上昇し、第3ノードN23の電圧がVSUS−Vth電圧になると、駆動トランジスタTR24がターンオフされる。ここで、Vthは、駆動トランジスタTR24のしきい電圧である。第2キャパシタC22には、駆動トランジスタTR24のしきい電圧Vthが格納される。
【0096】
データ伝達期間Cにおいて、第1電源電圧ELVDDはハイレベル電圧で印加され、第2電源電圧ELVSSはローレベル電圧で印加され、走査信号S[1]〜S[n]および書き込み信号GWはゲートオン電圧で印加され、発光信号GEおよびリセット信号GRはゲートオフ電圧で印加され、データ信号data[j]は維持電圧VSUSで印加される。ゲートオフ電圧の発光信号GEによって発光トランジスタTR26がターンオフされ、ゲートオフ電圧のリセット信号GRによってリセットトランジスタTR25がターンオフされる。ゲートオン電圧の走査信号S[i]によってスイッチングトランジスタTR21がターンオンされ、ゲートオン電圧の書き込み信号GWによってリレートランジスタTR23がターンオンされる。スイッチングトランジスタTR21およびリレートランジスタTR23がターンオンされることによって、第1キャパシタC21に格納されている電圧が第2ノードN22に印加される。第1キャパシタC21に格納されている電圧は、現在フレームの直前フレームの走査期間Dに第1キャパシタC21に格納される電圧であって、Vref−dataである。これに関する説明は、走査期間Dに関する説明で後述する。ここで、dataは、データ信号data[1]〜data[m]の電圧を意味する。この時、データラインDjには維持電圧VSUSが印加されているため、第2ノードN22にはVref−data+VSUS電圧が印加される。第2ノードN22の電圧Vgは、VSUS電圧からVref−data+VSUS電圧による電圧変動量だけ変動する。この時、第2キャパシタC22と有機発光ダイオードOLEDの寄生キャパシタとが直列連結されることによって、Vref−data+VSUS電圧による電圧変動量には直列連結されたキャパシタ効果が反映される。第2ノードN22の電圧Vgは、
図4で説明した数式1のように変動する。そして、第3ノードN23の電圧Vsは、VSUS−Vth電圧から第2ノードN22の電圧変動量が反映され、
図4で説明した数式2のように変動する。
【0097】
発光期間Eにおいて、発光信号GEがゲートオン電圧で印加され、書き込み信号GWがゲートオフ電圧で印加される。ゲートオン電圧の発光信号GEによって発光トランジスタTR26がターンオンされ、駆動トランジスタTR24を介して有機発光ダイオードOLEDに駆動電流Ioledが流れる。有機発光ダイオードOLEDに流れる駆動電流Ioledは、
図4で説明した数式3の通りである。
【0098】
有機発光ダイオードOLEDは、駆動電流Ioledに対応する明るさで発光する。つまり、有機発光ダイオードOLEDは、第1電源電圧ELVDDの電圧降下、駆動トランジスタTR24のしきい電圧Vthに関係なく、データ電圧dataに対応する明るさで発光する。発光信号GEがゲートオフ電圧で印加されると、発光期間Eが終了する。
【0099】
走査期間Dにおいて、複数の走査信号S[1]〜S[n]は順次にゲートオン電圧で印加され、複数の走査信号S[1]〜S[n]に対応してデータ信号data[j]が印加される。この時、書き込み信号GWはゲートオフ電圧で印加され、リレートランジスタTR23をターンオフさせる。そして、発光信号GEがゲートオン電圧で印加され、基準電圧トランジスタTR22をターンオンさせる。ゲートオン電圧の走査信号S[i]によってスイッチングトランジスタTR21がターンオンされ、ターンオンされたスイッチングトランジスタTR21を介してデータ電圧dataが第1キャパシタC21の一電極に印加される。この時、ターンオンされた基準電圧トランジスタTR22を介して第1ノードN21に基準電圧Vrefが印加されるため、第1キャパシタC21にVref−data電圧が格納される。第1キャパシタC21に格納されたVerf−data電圧は、次フレームの発光期間Eに使用される。
【0100】
上述のように、第2実施形態にかかる画素30を含む表示装置10は、データの書き込みおよび発光を同時に行うことができるため、データの書き込み時間を十分に確保することができる。そして、データ伝達期間Cに駆動トランジスタTR24のゲート電極にデータ電圧を伝達する動作が、等抵抗設計および独立した電位の供給が可能なデータラインを基準として行われるため、安定かつ均一な画面表示が容易である。
【0101】
図8は、本発明のさらに他の実施形態にかかる画素を示す回路図である。
【0102】
図8を参照すれば、第3実施形態にかかる画素40は、スイッチングトランジスタTR31と、基準電圧トランジスタTR32と、リレートランジスタTR33と、駆動トランジスタTR34と、リセットトランジスタTR35と、発光トランジスタTR36と、第1キャパシタC31と、第2キャパシタC32と、有機発光ダイオードOLEDとを含む。
【0103】
第2実施形態にかかる画素30との相違点として、第3実施形態にかかる画素40に含まれる基準電圧トランジスタTR32は、維持信号SUSが印加されるゲート電極と、基準電圧Vrefに連結されている一電極と、第1ノードN31に連結されている他電極とを含む。基準電圧トランジスタTR32は、ゲートオン電圧の維持信号SUSによってターンオンされ、基準電圧Vrefを第1ノードN31に印加する。
【0104】
第3実施形態にかかる画素40において、基準電圧トランジスタTR32は、発光信号GEでない、維持信号SUSによって制御されるため、有機発光ダイオードOLEDが発光する発光期間Eとデータが書き込まれる走査期間Dが独立して設定可能である。
【0105】
第3実施形態にかかる画素40において、基準電圧トランジスタTR32以外の他の構成は、第2実施形態にかかる画素30と同一であるので、他の構成に関する詳細な説明は省略する。
【0106】
図9は、本発明のさらに他の実施形態にかかる表示装置の駆動方法を示すタイミング図である。
【0107】
図8および
図9を参照すれば、第3実施形態にかかる画素40を含む表示装置の駆動方法について説明する。
【0108】
第2実施形態にかかる画素30を含む表示装置との相違点として、第3実施形態にかかる画素40を含む表示装置は、維持信号SUSを出力する維持信号部800を含む。
【0109】
維持信号SUSは、リセット期間A、補償期間Bおよびデータ伝達期間Cにゲートオフ電圧で印加され、走査期間Dにゲートオン電圧で印加される。走査期間Dと発光期間Eは時間的に重なっているため、維持信号SUSは発光期間Eにゲートオン電圧で印加されるといえる。
【0110】
走査期間Dにおいて、複数の走査信号S[1]〜S[n]は順次にゲートオン電圧で印加され、複数の走査信号S[1]〜S[n]に対応してデータ信号data[j]が印加される。この時、書き込み信号GWはゲートオフ電圧で印加され、リレートランジスタTR33をターンオフさせる。そして、維持信号SUSがゲートオン電圧で印加され、基準電圧トランジスタTR32をターンオンさせる。ゲートオン電圧の走査信号S[i]によってスイッチングトランジスタTR31がターンオンされ、ターンオンされたスイッチングトランジスタTR31を介してデータ電圧dataが第1キャパシタC31の一電極に印加される。この時、ターンオンされた基準電圧トランジスタTR32を介して第1ノードN31に基準電圧Vrefが印加されるため、第1キャパシタC31にVref−data電圧が格納される。第1キャパシタC31に格納されたVerf−data電圧は、次フレームの発光期間Eに使用される。
【0111】
リセット期間A、補償期間Bおよび発光期間Eにおける第3実施形態にかかる画素40を含む表示装置の動作は、第2実施形態にかかる画素30を含む表示装置の動作と同一であるので、これに関する詳細な説明は省略する。
【0112】
仮に、発光期間Eと走査期間Dが独立して設定される場合には、維持信号SUSがゲートオン電圧で印加される期間を調節することによって、発光期間Eと関係なく走査期間Dの長さを調節することができる。例えば、維持信号SUSがゲートオン電圧で印加される時間を短縮させ、走査期間Dと発光期間Eが時間上全体的に重ならずに一部だけが重なるようにすることができる。
【0113】
つまり、維持信号SUSは、走査期間Dの長さを決定する信号である。
【0114】
図10は、本発明のさらに他の実施形態にかかる画素を示す回路図である。
【0115】
図10を参照すれば、第4実施形態にかかる画素50は、スイッチングトランジスタTR41と、基準電圧トランジスタTR42と、リレートランジスタTR43と、駆動トランジスタTR44と、発光トランジスタTR45と、第1キャパシタC41と、第2キャパシタC42と、有機発光ダイオードOLEDとを含む。
【0116】
第3実施形態にかかる画素40との相違点として、第4実施形態にかかる画素50にはリセットトランジスタが含まれない。第4実施形態にかかる画素50において、リセットトランジスタが含まれない構成以外の他の構成は、第3実施形態にかかる画素40と同一であるので、他の構成に関する説明は省略する。
【0117】
図11は、本発明のさらに他の実施形態にかかる表示装置の駆動方法を示すタイミング図である。
【0118】
図10および
図11を参照すれば、第4実施形態にかかる画素50を含む表示装置の駆動方法について説明する。第4実施形態にかかる画素50を含む表示装置は、リセット信号部700を含まなくてもよい。
【0119】
リセット期間Aにおいて、第1電源電圧ELVDDおよび第2電源電圧ELVSSはローレベル電圧で印加され、書き込み信号GW、発光信号GEおよび維持信号SUSはゲートオン電圧で印加され、走査信号S[1]〜S[n]はゲートオフ電圧で印加される。ゲートオン電圧の書き込み信号GWによってリレートランジスタTR43がターンオンされ、ゲートオン電圧の発光信号GEによって発光トランジスタTR45がターンオンされ、ゲートオン電圧の維持信号SUSによって基準電圧トランジスタTR42がターンオンされる。ターンオンされた基準電圧トランジスタTR42およびターンオンされたリレートランジスタTR43を介して基準電圧Vrefが第2ノードN42に印加される。基準電圧Vrefは、駆動トランジスタTR44をターンオンさせることができる程度の、予め定められた電圧であり得、基準電圧Vrefによって駆動トランジスタTR44がターンオンされる。ターンオンされた駆動トランジスタTR44および発光トランジスタTR45を介してローレベル電圧の第1電源電圧ELVDDが第3ノードN43に印加される。これにより、第3ノードN43の電圧、つまり、有機発光ダイオードOLEDのアノード電圧は、ローレベル電圧にリセットされる。そして、第2キャパシタC42の両端電圧は、第2ノードN42の基準電圧Vrefおよび第3ノードN43のローレベル電圧にリセットされる。
【0120】
補償期間Bにおいて、第1電源電圧ELVDDはハイレベル電圧で変動する。第1電源電圧ELVDDがハイレベル電圧で変動することによって、ターンオンされている駆動トランジスタTR44および発光トランジスタTR45を介して電流が流れる。ローレベル電圧にリセットされていた第3ノードN43の電圧は次第に上昇し、第3ノードN43の電圧がVref−Vth電圧になると、駆動トランジスタTR44がターンオフされる。ここで、Vthは、駆動トランジスタTR44のしきい電圧である。第2キャパシタC42には、駆動トランジスタTR44のしきい電圧Vthが格納される。
【0121】
データ伝達期間Cにおいて、第1電源電圧ELVDDはハイレベル電圧で印加され、第2電源電圧ELVSSはローレベル電圧で印加され、走査信号S[1]〜S[n]および書き込み信号GWはゲートオン電圧で印加され、発光信号GEおよび維持信号SUSはゲートオフ電圧で印加され、データ信号data[j]は維持電圧VSUSで印加される。ゲートオフ電圧の発光信号GEによって発光トランジスタTR45がターンオフされ、ゲートオフ電圧の維持信号SUSによって基準電圧トランジスタTR42がターンオフされる。ゲートオン電圧の走査信号S[i]によってスイッチングトランジスタTR41がターンオンされ、ゲートオン電圧の書き込み信号GWによってリレートランジスタTR43がターンオンされる。スイッチングトランジスタTR41およびリレートランジスタTR43がターンオンされることによって、第1キャパシタC41に格納されている電圧が第2ノードN42に印加される。第1キャパシタC41に格納されている電圧は、現在フレームの直前フレームの走査期間Dに第1キャパシタC41に格納される電圧であって、Vref−dataである。これに関する説明は、走査期間Dに関する説明で後述する。ここで、dataは、データ信号data[1]〜data[m]の電圧を意味する。この時、データラインDjには維持電圧VSUSが印加されているため、第2ノードN42にはVref−data+VSUS電圧が印加される。第2ノードN42の電圧Vgは、Vref電圧からVref−data+VSUS電圧による電圧変動量だけ変動する。この時、第2キャパシタC42と有機発光ダイオードOLEDの寄生キャパシタとが直列連結されることによって、Vref−data+VSUS電圧による電圧変動量には直列連結されたキャパシタ効果が反映される。第2ノードN42の電圧Vgは、数式4のように変動する。
【数4】
ここで、Choldは第1キャパシタC41のキャパシタンス、Cstは第2キャパシタC42のキャパシタンス、Coledは有機発光ダイオードOLEDの寄生キャパシタンスである。
【0122】
第3ノードN43の電圧Vsは、Vref−Vth電圧から第2ノードN42の電圧変動量が反映され、数式5のように変動する。
【数5】
【0123】
発光期間Eにおいて、発光信号GEおよび維持信号SUSがゲートオン電圧で印加され、書き込み信号GWがゲートオフ電圧で印加される。ゲートオン電圧の発光信号GEによって発光トランジスタTR45がターンオンされ、駆動トランジスタTR44を介して有機発光ダイオードOLEDに駆動電流Ioledが流れる。有機発光ダイオードOLEDに流れる駆動電流Ioledは、数式6の通りである。
【数6】
ここで、kは、駆動トランジスタTR44の特性によって決定されるパラメータである。仮に、基準電圧Vrefと維持電圧VSUSが同じ電圧とすると、数式6の結果は、
図4で説明した数式3と同じになる。
【0124】
このように、有機発光ダイオードOLEDは、第2キャパシタC42に格納されている電圧によって、駆動トランジスタTR44に流れる駆動電流Ioledに対応する明るさで発光する。有機発光ダイオードOLEDは、第1電源電圧ELVDDの電圧降下、駆動トランジスタTR44のしきい電圧Vthに関係なく、データ電圧dataに対応する明るさで発光する。発光信号GEがゲートオフ電圧で印加されると、発光期間Eが終了する。
【0125】
走査期間Dにおいて、複数の走査信号S[1]〜S[n]は順次にゲートオン電圧で印加され、複数の走査信号S[1]〜S[n]に対応してデータ信号data[j]が印加される。この時、書き込み信号GWはゲートオフ電圧で印加され、リレートランジスタTR23をターンオフさせる。そして、維持信号SUSがゲートオン電圧で印加され、基準電圧トランジスタTR42をターンオンさせる。ゲートオン電圧の走査信号S[i]によってスイッチングトランジスタTR41がターンオンされ、ターンオンされたスイッチングトランジスタTR41を介してデータ電圧dataが第1キャパシタC41の一電極に印加される。この時、ターンオンされた基準電圧トランジスタTR42を介して第1ノードN41に基準電圧Vrefが印加されるため、第1キャパシタC41にVref−data電圧が格納される。第1キャパシタC41に格納されたVerf−data電圧は、次フレームの発光期間Eに使用される。
【0126】
上述のように、第4実施形態にかかる画素50を含む表示装置は、データの書き込みおよび発光を同時に行うことができるため、データの書き込み時間を十分に確保することができる。そして、データ伝達期間Cに駆動トランジスタTR44のゲート電極にデータ電圧を伝達する動作が、等価な抵抗を有し、および、独立した電位の供給が可能なデータラインを基準として行われるため、安定かつ均一な画面表示が容易である。
【0127】
そして、提案する画素は、データの書き込みおよび発光が同時に行われるため、データの書き込み時間を十分に確保することができて、大型および高解像度表示パネルに適し、2つのキャパシタを用いるため、開口率を十分に確保することができる。
【0128】
一方、上述した第1実施形態にかかる画素20、第2実施形態にかかる画素30、第3実施形態にかかる画素40および第4実施形態にかかる画素50において、有機発光ダイオードOLEDの有機発光層は、低分子有機物またはPEDOT(Poly3,4−ethylenedioxythiophene)などの高分子有機物からなるとよい。また、有機発光層は、発光層と、正孔注入層(hole injection layer、HIL)、正孔輸送層(hole transporting layer、HTL)、電子輸送層(electron transporting layer、ETL)、および電子注入層(electron injection layer、EIL)のうちの1つ以上を含む多重膜で形成されるとよい。これらすべてを含む場合、正孔注入層が陽極である画素電極上に配置され、その上に正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が順に積層される。
【0129】
有機発光層は、赤色を発光する赤色有機発光層、緑色を発光する緑色有機発光層および青色を発光する青色有機発光層を含むことができ、赤色有機発光層、緑色有機発光層および青色有機発光層はそれぞれ、赤色画素、緑色画素および青色画素に形成されてカラー画像を実現する。
【0130】
また、有機発光層は、赤色有機発光層、緑色有機発光層および青色有機発光層を赤色画素、緑色画素および青色画素にすべて共に積層し、各画素ごとに赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタおよび青色カラーフィルタを形成してカラー画像を実現することができる。他の例として、白色を発光する白色有機発光層を赤色画素、緑色画素および青色画素のすべてに形成し、各画素ごとにそれぞれ、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタおよび青色カラーフィルタを形成してカラー画像を実現することもできる。白色有機発光層とカラーフィルタを用いてカラー画像を実現する場合、赤色有機発光層、緑色有機発光層および青色有機発光層をそれぞれの個別画素つまり、赤色画素、緑色画素および青色画素に蒸着するための蒸着マスクを用いなくてもよい。
【0131】
他の例で説明した白色有機発光層は、1つの有機発光層で形成できるのは当然のことであり、複数の有機発光層を積層して白色を発光できるようにした構成まで含む。例として、少なくとも1つのイエロー有機発光層と少なくとも1つの青色有機発光層とを組み合わせて白色発光を可能にした構成、少なくとも1つのシアン有機発光層と少なくとも1つの赤色有機発光層とを組み合わせて白色発光を可能にした構成、少なくとも1つのマゼンタ有機発光層と少なくとも1つの緑色有機発光層とを組み合わせて白色発光を可能にした構成なども含むことができる。
【0132】
また、上述した第1実施形態にかかる画素20、第2実施形態にかかる画素30、第3実施形態にかかる画素40および第4実施形態にかかる画素50において、複数のトランジスタのうちの少なくともいずれか1つは、半導体層が酸化物半導体からなる酸化物薄膜トランジスタ(Oxide TFT)であってもよい。
【0133】
酸化物半導体は、チタン(Ti)、ハフニウム(Hf)、ジルコニウム(Zr)、アルミニウム(Al)、タンタル(Ta)、ゲルマニウム(Ge)、亜鉛(Zn)、ガリウム(Ga)、スズ(Sn)またはインジウム(In)を基本とする酸化物、これらの複合酸化物である酸化亜鉛(ZnO)、インジウム−ガリウム−亜鉛酸化物(InGaZnO4)、インジウム−亜鉛酸化物(Zn−In−O)、亜鉛−スズ酸化物(Zn−Sn−O)、インジウム−ガリウム酸化物(In−Ga−O)、インジウム−スズ酸化物(In−Sn−O)、インジウム−ジルコニウム酸化物(In−Zr−O)、インジウム−ジルコニウム−亜鉛酸化物(In−Zr−Zn−O)、インジウム−ジルコニウム−スズ酸化物(In−Zr−Sn−O)、インジウム−ジルコニウム−ガリウム酸化物(In−Zr−Ga−O)、インジウム−アルミニウム酸化物(In−Al−O)、インジウム−亜鉛−アルミニウム酸化物(In−Zn−Al−O)、インジウム−スズ−アルミニウム酸化物(In−Sn−Al−O)、インジウム−アルミニウム−ガリウム酸化物(In−Al−Ga−O)、インジウム−タンタル酸化物(In−Ta−O)、インジウム−タンタル−亜鉛酸化物(In−Ta−Zn−O)、インジウム−タンタル−スズ酸化物(In−Ta−Sn−O)、インジウム−タンタル−ガリウム酸化物(In−Ta−Ga−O)、インジウム−ゲルマニウム酸化物(In−Ge−O)、インジウム−ゲルマニウム−亜鉛酸化物(In−Ge−Zn−O)、インジウム−ゲルマニウム−スズ酸化物(In−Ge−Sn−O)、インジウム−ゲルマニウム−ガリウム酸化物(In−Ge−Ga−O)、チタン−インジウム−亜鉛酸化物(Ti−In−Zn−O)、ハフニウム−インジウム−亜鉛酸化物(Hf−In−Zn−O)のうちのいずれか1つを含むことができる。
【0134】
半導体層は、不純物がドーピングされないチャネル領域と、チャネル領域の両側に不純物がドーピングされて形成されたソース領域およびドレイン領域とを含む。ここで、このような不純物は、薄膜トランジスタの種類に応じて異なり、N型不純物またはP型不純物が可能である。
【0135】
半導体層が酸化物半導体からなる場合には、高温に露出するなどの、外部環境に脆弱な酸化物半導体を保護するために、別の保護層が追加可能である。
【0136】
これまで参照した図面と記載された発明の詳細な説明は単に本発明の例示的なものであって、これは、単に本発明を説明するための目的で使用されたもので、意味の限定や特許請求の範囲に記載された本発明の範囲を制限するために使用されたものではない。そのため、本技術分野における通常の知識を有する者であれば、これから多様な変形および均等な他の実施形態が可能である点を理解することができる。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、添付した特許請求の範囲の技術的思想によって定められなければならない。