特許 6190726 基板収納容器

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6190726

(24)【登録日】2017年8月10日

(45)【発行日】2017年8月30日

(54)【発明の名称】基板収納容器

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/673 20060101AFI20170821BHJP

   B65D 85/86 20060101ALN20170821BHJP

【ＦＩ】

   H01L21/68 T

   !B65D85/38 R

【請求項の数】2

【全頁数】11

(21)【出願番号】特願2014-6358(P2014-6358)

(22)【出願日】2014年1月17日

(65)【公開番号】特開2015-135881(P2015-135881A)

(43)【公開日】2015年7月27日

【審査請求日】2016年2月8日

(73)【特許権者】

【識別番号】000190116

【氏名又は名称】信越ポリマー株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100112335

【弁理士】

【氏名又は名称】藤本 英介

(74)【代理人】

【識別番号】100101144

【弁理士】

【氏名又は名称】神田 正義

(74)【代理人】

【識別番号】100101694

【弁理士】

【氏名又は名称】宮尾 明茂

(74)【代理人】

【識別番号】100124774

【弁理士】

【氏名又は名称】馬場 信幸

(72)【発明者】

【氏名】加藤 勝彦

【審査官】 儀同 孝信

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１０−１９９３５４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２００９／１０７２５４（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特公平０２−０３９８６７（ＪＰ，Ｂ２）

【文献】 特開平０９−２７０４５９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００５−３２００２８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１１−１３１９４０（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２１／６７３

Ｂ６５Ｄ ８５／８６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

表面に所定の加工が施された半導体ウェーハを収納する容器本体と、この容器本体の開口面に着脱自在に嵌合される蓋体とを備え、蓋体に、半導体ウェーハを支持するリテーナを装着した基板収納容器であって、
半導体ウェーハは、その表裏両面の周縁に先細りの斜面がそれぞれ形成されるとともに、この一対の斜面間に端面が一体形成され、表面側の斜面に酸化膜と金属薄膜とが積層形成されており、
リテーナは、蓋体に装着されて半導体ウェーハに対向可能な被装着部材と、この被装着部材に形成される保持部と、この保持部に形成されて半導体ウェーハの周縁部を嵌入保持する保持溝とを含み、保持溝を断面略Ｖ字形に形成してその各傾斜面を半導体ウェーハ用の接触領域と回避領域とに区画し、保持溝の接触領域を回避領域よりも谷底側に位置させるとともに、これら接触領域と回避領域のうち、少なくとも回避領域の傾斜角度を２３．５°〜５５°とし、保持溝の接触領域に半導体ウェーハの周縁部の斜面と端面との境界角部を線接触させるようにしたことを特徴とする基板収納容器。

【請求項2】

リテーナの保持溝を形成する一対の傾斜面の接触領域を半導体ウェーハの１／２の厚さの１．１〜２倍以下の半径で略円弧形に形成した請求項１記載の基板収納容器。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、半導体ウェーハの収納、保管、搬送、輸送等の際に使用される基板収納容器に関するものである。

【背景技術】

【0002】

従来の基板収納容器は、複数枚の半導体ウェーハ１を収納する容器本体と、この容器本体の開口した正面に圧入して嵌合される蓋体とを備えたフロントオープンボックスタイプに構成され、工程間を搬送されたり、工場間の輸送に供される（特許文献１、２、３、４、５参照）。

【0003】

各半導体ウェーハ１は、現在φ３００ｍｍのタイプが主流となっているが、φ２００ｍｍやそれ以下のサイズのものも使用されている。また、φ４５０ｍｍのタイプの開発も進められている。このような半導体ウェーハ１は、表面２に様々な加工や処理が施される。この半導体ウェーハ１の周縁部３の形状は、端面の仕上げ加工により、幾つかの種類に分類される。

【0004】

例えば図９に示すように、半導体ウェーハ１の表裏両面の周縁に先細りの斜面（べベルアングル部ともいう）４がそれぞれ形成され、この一対の斜面４の先端間に直線的な端面５が連結して一体形成されるタイプや半導体ウェーハ１の周縁から端面までが断面半円形に湾曲形成（フルＲ加工）されるタイプに分類される（図１０参照）。半導体ウェーハ１の周縁部３の斜面４についても、一定の傾斜角度で傾斜するのではなく、様々な傾斜角度で傾斜する。

【0005】

容器本体は、所定の樹脂により例えば、フロントオープンボックスに成形され、両側壁の内面に、蓋体が取り外されている場合に半導体ウェーハ１の周縁部両側を水平に支持する一対の支持片が対設されており、この一対の支持片が容器本体の上下方向に所定の間隔で配列されている。

【0006】

容器本体の両側壁の内面後方には、複数の支持片の後方に位置する一対のＶ溝が対設され、この一対のＶ溝が容器本体の上下方向に所定の間隔で配列されており、各Ｖ溝が上下方向に隣接する支持片と支持片との間に介在するよう切り欠かれている。複数のＶ溝は、容器本体に蓋体が嵌合された場合に、支持片から浮上した半導体ウェーハ１の周縁部両側を圧接支持するよう機能する。

【0007】

蓋体は、正面略矩形に形成され、裏面には、半導体ウェーハ１を支持する樹脂製のフロントリテーナが装着されており、このフロントリテーナの保持ブロック４３に断面Ｖ字形の保持溝４４Ａが切り欠かれている。この保持ブロック４３の保持溝４４Ａは、図９や図１０に示すように、半導体ウェーハ１の輸送時の回転や回転に伴う発塵を抑制する観点から、一対の傾斜面４５Ａが半導体ウェーハ１の周縁部３の斜面４に整合するよう狭く窄んで形成されている。

【0008】

このような保持溝４４Ａは、容器本体に蓋体が嵌合された場合に、半導体ウェーハ１の周縁部前方に接触して嵌入挟持し、半導体ウェーハ１を容器本体の背面側方向に押圧して一対の支持片から浮上させ、容器本体のＶ溝と共に半導体ウェーハ１を支持するよう機能する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0009】

【特許文献1】特開２０１２−４３８０号公報

【特許文献2】特開２０１１−２２２５８７号公報

【特許文献3】特開２００９−１２４０６３号公報

【特許文献4】特許第４２５５２６１号

【特許文献5】特許第４６６７７６９号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0010】

ところで近年、半導体ウェーハ１に加工される半導体チップ部品は益々微細化が進んでおり、半導体ウェーハ１には表面２の他、周縁部３にも所定の加工や処理が施されるので、基板収納容器に半導体ウェーハ１が収納される際、フロントリテーナによる接触痕が半導体ウェーハ１に生じないようにすることが求められる。また、半導体ウェーハ１がφ４５０ｍｍのタイプに大口径化することで、安定的な保持には大きな保持力が必要となるが、この場合にも、フロントリテーナによる接触痕が半導体ウェーハ１に生じないようにすることが求められる。

【0011】

この点について詳しく説明すると、半導体ウェーハ１は、大部分の表面２の他、表面２側の周縁部３の斜面４にも半導体チップを製作するための酸化膜や金属薄膜が順次形成される。このため、半導体ウェーハ１の周縁部３は、均一な面になっていないと、酸化膜や金属薄膜が剥がれやすくなったり、微細なクラックが発生したりして半導体チップ部品の歩留まりを低下させてしまう要因となる。そこで、基板収納容器に半導体ウェーハ１を収納する場合には、フロントリテーナの保持ブロック４３との接触に伴う接触痕（樹脂との接触痕）が半導体ウェーハ１に生じないようにすることが強く要望される。

【0012】

しかしながら、従来の基板収納容器に半導体ウェーハ１を単に収納すると、輸送時の振動等により、フロントリテーナの保持溝４４Ａに半導体ウェーハ１の周縁部３が回転して強く摺接し、その結果、半導体ウェーハ１の周縁部３に接触痕が発生するという問題が生じる場合がある。さらに、フロントリテーナの保持溝４４Ａに半導体ウェーハ１の周縁部３が強く摺接すると、フロントリテーナの保持溝４４Ａに半導体ウェーハ１の表面２側の周縁部３の斜面４も強く摺接するので、半導体ウェーハ１の周縁部３の表面近傍にも接触痕が残存することとなる。

【0013】

本発明は上記に鑑みなされたもので、半導体ウェーハの周縁部の形状にかかわらず、半導体ウェーハに接触痕が残存するのを抑制し、回転を抑制して半導体ウェーハを安定して保持することのできる基板収納容器を提供することを目的としている。

【課題を解決するための手段】

【0014】

本発明においては上記課題を解決するため、表面に所定の加工が施された半導体ウェーハを収納する容器本体と、この容器本体の開口面に着脱自在に嵌合される蓋体とを備え、蓋体に、半導体ウェーハを支持するリテーナを装着したものであって、
半導体ウェーハは、その表裏両面の周縁に先細りの斜面がそれぞれ形成されるとともに、この一対の斜面間に端面が一体形成され、表面側の斜面に酸化膜と金属薄膜とが積層形成されており、
リテーナは、蓋体に装着されて半導体ウェーハに対向可能な被装着部材と、この被装着部材に形成される保持部と、この保持部に形成されて半導体ウェーハの周縁部を嵌入保持する保持溝とを含み、保持溝を断面略Ｖ字形に形成してその各傾斜面を半導体ウェーハ用の接触領域と回避領域とに区画し、保持溝の接触領域を回避領域よりも谷底側に位置させるとともに、これら接触領域と回避領域のうち、少なくとも回避領域の傾斜角度を２３．５°〜５５°とし、保持溝の接触領域に半導体ウェーハの周縁部の斜面と端面との境界角部を線接触させるようにしたことを特徴としている。

【0015】

なお、容器本体をフロントオープンボックスに形成し、この容器本体の両側壁の内面に、蓋体が取り外されている場合に半導体ウェーハの周縁部両側を略水平に支持する支持片をそれぞれ設けるとともに、容器本体の両側壁の内面には、容器本体に蓋体が嵌合された場合に支持片から浮上した半導体ウェーハの周縁部両側を支持するＶ溝をそれぞれ設け、この複数のＶ溝を複数の支持片の後方に位置させることができる。

【0016】

また、リテーナの保持溝を形成する一対の傾斜面の接触領域を半導体ウェーハの１／２の厚さの１．１〜２倍以下の半径で略円弧形に形成することもできる。

【0017】

ここで、特許請求の範囲における半導体ウェーハには、少なくともφ２００ｍｍ、φ３００ｍｍ、あるいはφ４５０ｍｍのタイプが含まれる。容器本体は、透明、不透明、半透明のいずれでも良い。また、リテーナの保持溝の断面略Ｖ字形には、断面Ｖ字形やおおよそ断面Ｖ字形と認められる形が含まれる。したがって、保持溝の傾斜面は、一部湾曲したり、弧を描いていても良い。この傾斜面の接触領域と回避領域とは、必要に応じ、１：１、１：２、２：１等に区画することができる。

【0018】

本発明によれば、リテーナの保持溝の接触領域は、半導体ウェーハの周縁部に斜面や端面が形成されている場合には、半導体ウェーハの周縁部の斜面と端面との境界付近に線接触し、半導体ウェーハの周縁部の表面近傍に回避領域が接触するのを規制する。

【発明の効果】

【0019】

本発明によれば、半導体ウェーハの周縁部の形状にかかわらず、半導体ウェーハに接触痕が残存するのを抑制し、半導体ウェーハの回転を抑制して半導体ウェーハを安定して保持することができるという効果がある。具体的に説明すると、リテーナの保持溝の接触領域が半導体ウェーハの周縁部の斜面と端面との境界角部に線接触することにより、半導体ウェーハの周縁部を支持するので、半導体ウェーハの表面側の周縁部の斜面に保持溝の回避領域が接触することが少ない。したがって、半導体ウェーハの周縁部の表面側近傍に接触痕が生じ、半導体ウェーハにダメージが生じるのを低減することができる。また、半導体ウェーハがφ２００ｍｍやφ４５０ｍｍのタイプであっても、本発明に係るリテーナの保持溝を使用すれば、同様の効果を得ることができる。また、保持溝の接触領域が面接触ではなく、線接触するので、輸送時の振動等により、半導体ウェーハの周縁部に接触痕が発生するのを低減することができる。また、接触痕の低減により、半導体ウェーハの周縁部を均一な面にすることができるので、酸化膜や金属薄膜の剥離や微細なクラックの発生を招くことが少なく、半導体チップ部品の歩留まり低下を防ぐことが可能になる。

【0020】

また、保持溝の傾斜面の少なくとも回避領域の傾斜角度が２３．５°以上なので、例え半導体ウェーハの周縁部に斜面が形成されている場合にも、半導体ウェーハの表面側の周縁部斜面と保持溝の回避領域とを非接触にすることができる。また、傾斜面の少なくとも回避領域の傾斜角度を５５°以下とするので、振動や衝撃等に伴う半導体ウェーハの回転を抑制することができる。

【0021】

請求項２記載の発明によれば、保持溝の接触領域を半導体ウェーハの１／２の厚さの１．１倍以上の半径で緩やかに弧に描くので、例え半導体ウェーハの周縁部に斜面が形成されている場合にも、保持溝の接触領域を半導体ウェーハの周縁部の斜面ではなく、斜面と端面との境界付近に線接触させることが可能になる。また、保持溝の接触領域を半導体ウェーハの１／２の厚さの２倍以下の半径で緩やかに弧に描くので、振動や衝撃に伴う半導体ウェーハの回転を抑制することが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【0022】

【図1】本発明に係る基板収納容器の実施形態を模式的に示す全体斜視図である。

【図2】本発明に係る基板収納容器の実施形態における蓋体の裏面とフロントリテーナとを模式的に示す説明図である。

【図3】本発明に係る基板収納容器の実施形態を模式的に示す縦断面説明図である。

【図4】本発明に係る基板収納容器の実施形態における容器本体の支持片とＶ溝とを模式的に示す斜視説明図である。

【図5】本発明に係る基板収納容器の実施形態におけるフロントリテーナの弾性片、保持ブロック、及び保持溝を模式的に示す斜視説明図である。

【図6】本発明に係る基板収納容器の実施形態における半導体ウェーハと保持ブロックの保持溝との関係を模式的に示す断面説明図である。

【図7】本発明に係る基板収納容器の実施形態における他のタイプの半導体ウェーハと保持ブロックの保持溝との関係を模式的に示す断面説明図である。

【図8】本発明に係る基板収納容器の第２の実施形態を模式的に示す断面説明図である。

【図9】半導体ウェーハの周縁に先細りの斜面が形成され、この斜面の先端に端面が一体形成されたタイプを示す断面説明図である。

【図10】半導体ウェーハの周縁部が断面半円形に湾曲形成されたタイプを示す断面説明図である。

【発明を実施するための形態】

【0023】

以下、図面を参照して本発明の好ましい実施の形態を説明すると、本実施形態における基板収納容器は、図１ないし図７に示すように、複数枚の半導体ウェーハ１を整列収納する容器本体１０と、この容器本体１０の開口した正面に圧入して嵌合される着脱自在の蓋体２０と、容器本体１０の正面に嵌合した蓋体２０を施錠する施錠機構３０と、蓋体２０に装着されて複数枚の半導体ウェーハ１を支持するフロントリテーナ４０とを備え、このフロントリテーナ４０の保持溝４４を断面略Ｖ字形に形成し、この保持溝４４の接触領域４６に半導体ウェーハ１の周縁部前方を線接触させるようにしている。

【0024】

各半導体ウェーハ１は、図１、図３、図６、図７に示すように、例えばφ３００ｍｍタイプのシリコンウェーハからなり、表面２に様々な加工や処理が施される。この半導体ウェーハ１は、従来例同様、（１）表裏両面の周縁に先細りの斜面４がそれぞれ形成され、この一対の斜面４の先端間に起立した直線的な端面５が連結して一体形成されるタイプ、（２）周縁から端面までが断面半円形に湾曲形成されるタイプに分類される。半導体ウェーハ１の表面２側の周縁部３の斜面４には、酸化膜と金属薄膜とが順次積層形成される。

【0025】

容器本体１０、蓋体２０、施錠機構３０、及びフロントリテーナ４０は、所要の樹脂を含有する成形材料により射出成形される。この成形材料に含まれる樹脂としては、例えばポリカーボネート、シクロオレフィンポリマー、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリブチレンテレフタレート、ポリアセタール、液晶ポリマーといった熱可塑性樹脂やこれらのアロイ等があげられる。

【0026】

容器本体１０は、図１ないし図３に示すように、所定の成形材料により正面の開口したフロントオープンボックスに成形され、両側壁１１の内面に、蓋体２０が取り外されている場合に半導体ウェーハ１の周縁部両側を水平に支持する左右一対の支持片１２が対設される。この一対の支持片１２は、容器本体１０の上下方向に所定の間隔で配列され、各支持片１２が容器本体１０の前後方向に指向する長板に形成される。

【0027】

容器本体１０の両側壁１１の内面後方には図３や図４に示すように、複数の支持片１２の後方に位置する左右一対のＶ溝１３が対設され、この一対のＶ溝１３が容器本体１０の上下方向に所定の間隔で配列されており、各Ｖ溝１３が上下方向に隣接する支持片１２と支持片１２との間に介在するよう断面Ｖ字形に切り欠かれる（図３参照）。この複数のＶ溝１３は、容器本体１０に蓋体２０が嵌合されない場合には、容器本体１０に対する半導体ウェーハ１の過剰な挿入を規制し、容器本体１０に蓋体２０が嵌合された場合には、支持片１２から浮上した半導体ウェーハ１の周縁部両側を圧接して支持する。

【0028】

容器本体１０の底板における前後部の両側には取付孔がそれぞれ貫通して穿孔され、各取付孔に気体置換用のフィルタバルブ１５が必要に応じて選択的に嵌着される。この複数のフィルタバルブ１５は、エアやパージガス等の気体を内外に流通させることにより、基板収納容器の内外圧力差を解消するよう機能する。このようなフィルタバルブ１５は、蓋体２０に取り付けることもできる。

【0029】

容器本体１０の天板中央部には、半導体製造工場の天井搬送機構に把持される搬送用のトップフランジ１６が着脱自在に装着され、容器本体１０の正面内周における上下の両側には、施錠機構３０用の施錠穴１７がそれぞれ穿孔される。また、容器本体１０の両側壁１１中央部には、握持操作用に機能するグリップ部１８がそれぞれ着脱自在に装着され、両側壁１１の下部には、搬送用のサイドレール１９がそれぞれ水平に装着される。

【0030】

蓋体２０は、図１ないし図３に示すように、容器本体１０の開口した正面内に圧入して嵌合される蓋本体２１と、この蓋本体２１の開口した正面を被覆する表面プレート２４と、容器本体１０の正面内周と蓋本体２１との間に介在される密封封止用のシールガスケット２６とを備え、容器本体１０の開口した正面内周に蓋本体２１の周壁が接触する。

【0031】

蓋本体２１は、基本的には底の浅い断面略皿形に形成され、内部に補強用や取付用のリブが複数配設されており、半導体ウェーハ１に対向する対向面である裏面の中央部付近には、半導体ウェーハ１との接触を回避するフロントリテーナ４０用の凹部２２が凹み形成される。また、蓋本体２１の裏面周縁部には枠形の嵌合溝が凹み形成され、この嵌合溝内に、容器本体１０の正面内周に圧接するシールガスケット２６が密嵌されており、蓋本体２１の周壁における上下の両側部には、容器本体１０の施錠穴１７に対向する施錠機構３０用の出没孔２３が貫通して穿孔される。

【0032】

表面プレート２４は、横長の正面矩形に形成され、補強用や取付用のリブ、螺子孔等が複数配設される。この表面プレート２４の両側部には、施錠機構３０用の操作孔２５がそれぞれ穿孔される。

【0033】

施錠機構３０は、図１に示すように、蓋体２０の蓋本体２１における左右両側部にそれぞれ軸支されて外部から回転操作される左右一対の回転プレート３１と、各回転プレート３１の回転に伴い蓋体２０の上下方向にスライドする複数の進退動プレート３３と、各進退動プレート３３のスライドに伴い蓋本体２１の出没孔２３から出没して容器本体１０の施錠穴１７に接離する複数の施錠爪３４とを備え、蓋本体２１と表面プレート２４との間に介在される。

【0034】

各回転プレート３１は、蓋体２０の表面プレート２４の操作孔２５に対向し、この操作孔２５を貫通した蓋体開閉装置の操作キーにより回転操作される。この回転プレート３１の周縁部付近には、湾曲した一対のカム溝３２が所定の間隔をおいて切り欠かれ、各カム溝３２に進退動プレート３３の末端部の連結ピンがスライド可能に嵌入される。

【0035】

フロントリテーナ４０は、図１や図２に示すように、蓋本体２１の裏面の凹部２２に装着されて半導体ウェーハ１に対向可能な縦長の枠体４１と、この枠体４１の複数の弾性片４２にそれぞれ形成される複数の保持ブロック４３と、各保持ブロック４３に形成されて半導体ウェーハ１の周縁部前方を嵌入保持する保持溝４４とを備えて一体形成される。枠体４１の左右両側部には，内方向に屈曲しながら伸びる左右一対の弾性片４２が対向して形成され、この一対の弾性片４２が上下方向に所定の間隔で配列される。各弾性片４２は、可撓性や弾性が付与され、先端部には図５に示すように、保持ブロック４３が一体形成される。

【0036】

保持溝４４は、図５ないし図７に示すように、従来例よりも広い断面略Ｖ字形に拡開形成され、相対向する一対の傾斜面４５が半導体ウェーハ１用の接触領域４６と回避領域４７とにそれぞれ区画される。この保持溝４４の接触領域４６は、隣接する回避領域４７よりも谷底４８側に位置し、半導体ウェーハ１の周縁部３と線接触することにより、開口側の回避領域４７が半導体ウェーハ１の周縁部３と接触するのを規制する。

【0037】

保持溝４４の傾斜面４５を形成する接触領域４６と回避領域４７のうち、少なくとも回避領域４７の傾斜角度θは、図６や図７に示すように、半導体ウェーハ１の周縁部３の斜面４（θ０）よりも大きい角度に設定することができる。例えば、半導体ウェーハ１の斜面４の傾斜角度が２２．５°の場合、２３．５°〜５５°、好ましくは２８°〜５０°、より好ましくは３２°〜４５°の範囲に調整される。これは、傾斜面４５の傾斜角度θが２３．５°以上であれば、半導体ウェーハ１の周縁部３に斜面４が形成されていても、半導体ウェーハ１の表面２側の周縁部３の斜面４と保持溝４４の回避領域４７とが非接触になるからである。

【0038】

また、傾斜面４５の傾斜角度θが５５°以下であれば、輸送時の振動や衝撃に伴う半導体ウェーハ１の回転を効果的に防止することができるからである。以上の構成により、半導体ウェーハ１は、厚さ方向の中心線と表面２との中間部分で線接触して保持されることとなる。

【0039】

上記構成において、複数枚の半導体ウェーハ１を整列収納した容器本体１０の開口した正面に蓋体２０を圧入して嵌合すると、フロントリテーナ４０の保持溝４４が半導体ウェーハ１の周縁部前方に接触して嵌入挟持し、半導体ウェーハ１が容器本体１０の背面側方向（図６の右方向）に押圧され、半導体ウェーハ１の周縁部両側が容器本体１０のＶ溝１３の下部傾斜面１４を摺り上がり始め、その後、半導体ウェーハ１の周縁部両側が容器本体１０のＶ溝１３の谷底で停止する。

【0040】

この際、保持溝４４の接触領域４６は、半導体ウェーハ１の周縁部３に斜面４や端面５が形成されている場合には、半導体ウェーハ１の周縁部３の斜面４ではなく、斜面４と端面５との境界角部に線接触し、半導体ウェーハ１の周縁部３を支持する（図６参照）。また、半導体ウェーハ１の周縁部３が断面半円形に湾曲形成されている場合には、半導体ウェーハ１の周縁部３の表面近傍から離れた湾曲面に線接触し、半導体ウェーハ１の周縁部３を支持する（図７参照）。すなわち、保持溝４４の接触領域４６は、半導体ウェーハ１の表面近傍から厚さ方向の中心線方向に移動して接触し、半導体ウェーハ１の周縁部３の表面近傍に回避領域４７が接触するのを規制する。

【0041】

半導体ウェーハ１の周縁部両側が容器本体１０のＶ溝１３の谷底で停止すると、半導体ウェーハ１は、容器本体１０のＶ溝１３とフロントリテーナ４０の保持溝４４とにより、一対の支持片１２から浮上した状態で支持される。

【0042】

これに対し、複数枚の半導体ウェーハ１を整列収納した容器本体１０の正面から蓋体２０を取り外すと、フロントリテーナ４０の保持溝４４が半導体ウェーハ１の周縁部前方から離隔し、半導体ウェーハ１が容器本体１０の背面側から正面側方向に復帰し、半導体ウェーハ１の周縁部両側が容器本体１０のＶ溝１３の谷底から下部傾斜面１４に案内されて滑落した後、半導体ウェーハ１の周縁部両側が容器本体１０の一対の支持片表面に再度支持される。

【0043】

上記構成によれば、フロントリテーナ４０の保持溝４４の接触領域４６が半導体ウェーハ１の周縁部３の斜面４と端面５との境界角部に線接触したり、半導体ウェーハ１の周縁部３の表面近傍から離れた湾曲面に線接触することにより、半導体ウェーハ１の周縁部３を支持するので、半導体ウェーハ１の表面２側の周縁部３の斜面４に保持溝４４の回避領域４７が接触することがない。したがって、半導体ウェーハ１の周縁部３の表面側近傍に接触痕が生じ、半導体ウェーハ１にダメージが生じるのを大幅に低減することができる。また、半導体ウェーハ１がφ２００ｍｍやφ４５０ｍｍのタイプであっても、本発明に係るフロントリテーナ４０の保持溝４４を使用すれば、同様の効果を得ることができる。

【0044】

また、保持溝４４の接触領域４６が面接触ではなく、線接触するので、輸送時の振動等により、半導体ウェーハ１の周縁部３に接触痕が発生するのを著しく低減することができる。また、接触痕の低減により、半導体ウェーハ１の周縁部３を均一な面にすることができるので、酸化膜や金属薄膜の剥離や微細なクラックの発生を招くことが少なく、半導体チップ部品の歩留まり低下を防ぐことが可能になる。さらに、傾斜面４５の傾斜角度θが５５°以下なので、半導体ウェーハ１の回転防止が大いに期待できる。

【0045】

次に、図８は本発明の第２の実施形態を示すもので、この場合には、保持溝４４を形成する一対の傾斜面４５の接触領域４６を半導体ウェーハ１の１／２の厚さの１．１〜２倍以下の半径で断面略円弧形に形成するようにしている。

【0046】

半導体ウェーハ１の１／２の厚さの１．１〜２倍以下の半径とするのは、１．１倍以上の半径であれば、緩やかに弧を描く接触領域４６を半導体ウェーハ１の周縁部３の斜面４ではなく、斜面４と端面５との境界角部に線接触させることができるからである。また、２倍以下の半径であれば、輸送時の振動や衝撃に伴う半導体ウェーハ１の回転を有効に防止することができるからである。

【0047】

傾斜面４５の回避領域４７の傾斜角度θは、半導体ウェーハ１の周縁部３の斜面４よりも大きい角度、具体的には、２３．５°〜５５°、好ましくは２８°〜５０°、より好ましくは３２°〜４５°の範囲に調整される。その他の部分については、上記実施形態と同様であるので説明を省略する。

【0048】

本実施形態においても上記実施形態と同様の作用効果が期待でき、しかも、保持溝４４の接触領域４６の多様化を図ることができるのは明らかである。

【0049】

なお、上記実施形態ではフロントリテーナ４０の被装着部材として枠体４１を示したが、何らこれに限定されるものではなく、例えば板材等でも良い。また、枠体４１の左右両側部に複数本の弾性片４２を並べて架設し、各弾性片４２に複数の保持ブロック４３を間隔をおいて形成しても良い。

【産業上の利用可能性】

【0050】

本発明に係る基板収納容器は、半導体ウェーハの製造分野等で使用される。

【符号の説明】

【0051】

１ 半導体ウェーハ
２ 表面
３ 周縁部
４ 斜面
５ 端面
１０ 容器本体
１１ 側壁
１２ 支持片
１３ Ｖ溝
１４ 下部傾斜面
２０ 蓋体
３０ 施錠機構
４０ フロントリテーナ
４１ 枠体（被装着部材）
４２ 弾性片
４３ 保持ブロック（保持部）
４４ 保持溝
４５ 傾斜面
４６ 接触領域
４７ 回避領域
４８ 谷底

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】