特許 6193969 ゲート駆動回路、ゲート駆動方法及び液晶ディスプレイ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6193969

(24)【登録日】2017年8月18日

(45)【発行日】2017年9月6日

(54)【発明の名称】ゲート駆動回路、ゲート駆動方法及び液晶ディスプレイ

(51)【国際特許分類】

   G09G 3/36 20060101AFI20170828BHJP

   G09G 3/20 20060101ALI20170828BHJP

   G02F 1/133 20060101ALI20170828BHJP

【ＦＩ】

   G09G3/36

   G09G3/20 621M

   G09G3/20 622E

   G09G3/20 680G

   G02F1/133 505

【請求項の数】6

【全頁数】10

(21)【出願番号】特願2015-502060(P2015-502060)

(86)(22)【出願日】2012年11月23日

(65)【公表番号】特表2015-516591(P2015-516591A)

(43)【公表日】2015年6月11日

(86)【国際出願番号】CN2012085194

(87)【国際公開番号】WO2013143307

(87)【国際公開日】20131003

【審査請求日】2015年11月13日

(31)【優先権主張番号】201210089393.9

(32)【優先日】2012年3月29日

(33)【優先権主張国】CN

(73)【特許権者】

【識別番号】507134301

【氏名又は名称】北京京東方光電科技有限公司

(74)【代理人】

【識別番号】100108453

【弁理士】

【氏名又は名称】村山 靖彦

(74)【代理人】

【識別番号】100089037

【弁理士】

【氏名又は名称】渡邊 隆

(74)【代理人】

【識別番号】100110364

【弁理士】

【氏名又は名称】実広 信哉

(72)【発明者】

【氏名】▲陳▼ 希

(72)【発明者】

【氏名】崔 文海

【審査官】 武田 悟

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１１−１８１１２２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 中国特許出願公開第１０１９７６５８１（ＣＮ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｇ０９Ｇ ３／００ − ３／３８

Ｇ０２Ｆ １／１３３

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

ゲート駆動回路であって、複数段のシフトレジスタを有し、各段のシフトレジスタはプルアップ駆動ユニットと、プルアップユニットと、リセットユニットと、プルダウンユニットとを有し、前記シフトレジスタは更に補充ユニットを有し、
前記プルアップユニットは、オンのときに第１のクロック端のクロック信号を本段のシフトレジスタの出力信号とし、第３のＴＦＴスイッチング素子と、電圧ブースティング素子とを有し、前記第３のＴＦＴスイッチング素子のドレイン電極は第１のクロック端に接続され、前記第３のＴＦＴスイッチング素子のソース電極は本段のシフトレジスタの出力端に接続され、前記第３のＴＦＴスイッチング素子のゲート電極は前記プルアップ駆動ユニットに接続されて、前記第３のＴＦＴスイッチング素子は前記プルアップ駆動ユニットの制御によってオンとオフされ、前記電圧ブースティング素子の第１端は前記第３のＴＦＴスイッチング素子のゲートに接続され、前記電圧ブースティング素子の第２端は前記第３のＴＦＴスイッチング素子のソース電極に接続され、
前記補充ユニットは、前記プルアップユニットに接続され、オンのときに第２のクロック端のクロック信号を本段のシフトレジスタの出力信号とし、前記補充ユニットは、第５のＴＦＴスイッチング素子と、第６のＴＦＴスイッチング素子とを有し、第５のＴＦＴスイッチング素子のドレイン電極とゲート電極は第２のクロック端に接続され、前記第６のＴＦＴスイッチング素子のドレイン電極は前記第５のＴＦＴスイッチング素子のソース電極に接続され、第６のＴＦＴスイッチング素子のソース電極は前記プルアップユニットの出力端に接続され、同時に本段のシフトレジスタの出力端に接続され、前記第６のＴＦＴスイッチング素子のゲート電極は前記プルアップ駆動ユニットに接続されて、前記第６のＴＦＴスイッチング素子は前記プルアップ駆動ユニットの制御によってオンとオフされ、
前記第２のクロック端のクロック信号は第１のクロック端のクロック信号が低レベルに変わった瞬間に高レベルにジャンプし、前記第２のクロック端のクロック信号の高レベルは前記第１のクロック端のクロック信号の高レベルより小さいゲート駆動回路。

【請求項2】

前記プルアップ駆動ユニットは第１のＴＦＴスイッチング素子と第２のＴＦＴスイッチング素子とを有し、
第１のＴＦＴスイッチング素子のドレイン電極とゲート電極は上段のシフトレジスタの出力端に接続され、
前記第２のＴＦＴスイッチング素子のドレイン電極は前記第１のＴＦＴスイッチング素子のソース電極に接続され、
前記第２のＴＦＴスイッチング素子のゲート電極は下段のシフトレジスタの出力端に接続され、
前記第２のＴＦＴスイッチング素子のソース電極は低レベルに接続される請求項１に記載のゲート駆動回路。

【請求項3】

前記リセットユニットは第４のＴＦＴスイッチング素子を有し、前記第４のＴＦＴスイッチング素子のドレイン電極は第３のＴＦＴスイッチング素子のソース電極に接続され、
前記第４のＴＦＴスイッチング素子のゲート電極は下段のシフトレジスタの出力端に接続され、
前記第４のＴＦＴスイッチング素子のソース電極は低レベルに接続される請求項１に記載のゲート駆動回路。

【請求項4】

前記第５のＴＦＴスイッチング素子と第６のＴＦＴスイッチング素子は金属酸化物半導体型電界効果トランジスタである請求項１に記載のゲート駆動回路。

【請求項5】

液晶ディスプレイであって、前記液晶ディスプレイは請求項１ないし４のいずれか一項に記載するゲート駆動回路を有する液晶ディスプレイ。

【請求項6】

請求項１に記載のゲート駆動回路のゲート駆動方法であって、
上段のシフトレジスタの出力端が出力する信号が高レベルであるとき、プルアップ駆動ユニットはオンになり、本段のシフトレジスタは充電を開始し、
第１のクロック端のクロック信号が高レベルであり、且つ第２のクロック端のクロック信号が低レベルであるとき、プルアップユニットはオンになり、前記第１のクロック端のクロック信号を本段のシフトレジスタの出力信号とし
前記第１のクロック端のクロック信号は低レベルにジャンプし、前記第２のクロック端のクロック信号は高レベルにジャンプし、補充ユニットはオンになり、前記第２のクロック端のクロック信号を本段のシフトレジスタの出力信号とするゲート駆動方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明はゲート駆動技術に関し、特にゲート駆動回路、ゲート駆動方法及び液晶ディスプレイに関する。

【背景技術】

【0002】

液晶ディスプレイは現在において常用されているディスプレイであり、薄膜電界効果トランジスタ液晶ディスプレイ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＴＦＴ−ＬＣＤ）は現在の液晶ディスプレイの主流製品である。ＴＦＴ−ＬＣＤ製品の競争が激しくなるにつれて、各メーカーは新しい技術を採用することにより製品のコストを削減し、製品の市場競争力を高めている。そして、ＧＯＡ（Ｇａｔｅ ｏｎ Ａｒｒａｙ）技術はＴＦＴ−ＬＣＤのゲートドライバ（Ｇａｔｅ Ｄｒｉｖｅｒ）をアレイ基板上に集積し、パネルに対するスキャンを駆動するものである。従来のチップオンフィルム（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｌｅｘ／Ｆｉｌｍ：ＣＯＦ）とチップオングラス（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ：ＣＯＧ）の技術と比べ、当該技術はコストを節約できるだけでなく、パネルが左右対称である美しいデザインに仕上げることができ、ゲートＩＣ（Ｇａｔｅ ＩＣ）におけるエリアのボンディング（Ｂｏｎｄｉｎｇ）及びレイアウトスペースのファンアウト（Ｆａｎ−ｏｕｔ）を省略でき、細枠のデザインを実現し、同時に、ゲート（Ｇａｔｅ）方向のボンディング（Ｂｏｎｄｉｎｇ）のプロセスを省略できるため、生産能力と良品率を向上させるのに適している。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0003】

しかしながら、ＣＯＦやＣＯＧ技術に比べ、ＧＯＡ技術も一定の問題があり、従来のゲート駆動回路は複数段のシフトレジスタを有し、図１は従来のゲート駆動回路における各段のシフトレジスタの構造図であり、図１に示すように、前記各段のシフトレジスタは具体的に第１のＴＦＴスイッチング素子Ｍ１と、第２のＴＦＴスイッチング素子Ｍ２と、第３のＴＦＴスイッチング素子Ｍ３と、第４のＴＦＴスイッチング素子Ｍ４と、プルダウンユニットＰＤと、電圧ブースティング素子Ｃ１とを有し、Ｍ１のドレイン電極とゲート電極は入力端（ＩＮＰＵＴ）に接続され、且つ上段のシフトレジスタの出力信号を受信し、Ｍ２のドレイン電極はＭ１のソース電極に接続され、Ｍ２のゲート電極はリセット端（ＲＥＳＥＴ）に接続され、且つ下段のシフトレジスタの出力信号を受信し、Ｍ２のソース電極は低電圧信号端（ＶＳＳ）に接続され、且つ低電圧信号を受信し、Ｍ３のドレイン電極はクロック信号端に接続され、Ｍ３のゲート電極はＭ１のソース電極に接続され、Ｍ３のソース電極は本段のシフトレジスタの信号出力端（ＯＵＴＰＵＴ）に接続され、Ｍ３のドレイン電極はＭ３のソース電極に接続され、Ｍ４のゲート電極はリセット（ＲＥＳＥＴ）に接続され、Ｍ４のドレイン電極は低電圧信号端（ＶＳＳ）に接続され、Ｃ１の一端はＭ１のソース電極とＭ３のゲート電極にそれぞれ接続され、他端はＭ３のソース電極に接続され、プルダウンユニットＰＤはＣ１と並列接続するだけでなく、同時に一端は低電圧信号端（ＶＳＳ）に接続され、他端はＭ３のドレイン電極に接続される。

【0004】

上記ゲート駆動回路の動作原理は、以下のとおりであり、即ちＩＮＰＵＴの入力信号が高レベルであるとき、Ｍ１はオンになり、ＰＵノードに充電し、クロック信号が高レベルであるとき、Ｍ３はオンになり、ＯＵＴＰＵＴはクロック信号のパルスを出力し、同時にＣ１のブートストラップ（Ｂｏｏｔｓｔｒａｐｐｉｎｇ）ファンクションは、ＰＵノードを更にプルアップし、その後ＲＥＳＥＴのリセット信号はＭ２とＭ４をオンにし、ＰＵノードとＯＵＴＰＵＴを放電し、そして、クロック信号の制御によりプルダウンユニットＰＤの回路素子はＰＵノードとＯＵＴＰＵＴを更に放電し、当該段のシフトレジスタが対応する行が非動作時間内にノイズを発生させないことを保証し、具体的な各信号のシーケンスは図２のとおりであり、通常の場合、図１に示すシフトレジスタを応用するとき、ＴＦＴがオフになる瞬間にＯＵＴＰＵＴが高レベルから低レベルにジャンプし、画素ジャンプ電圧が比較的大きく、液晶ディスプレイの画面品質に影響する。

【0005】

通常の場合、マルチレベルゲート（Ｍｕｌｔｉ−Ｌｅｖｅｌ Ｇａｔｅ：ＭＬＧ）の機能は、ジャンプ電圧を減少させ、画面品質を向上させるためにゲート駆動回路に付加され、ＭＬＧの発生原理は、出力端からフィードバック信号をＤＣ／ＤＣ ＩＣに引き出し、これに伴って一つの電圧を発生させて出力する。

【0006】

しかしながら、従来のゲート駆動回路は通常α―Ｓｉの技術を採用し、低温の条件では、α―Ｓｉは高温ＴＦＴに比べて移動度が約半分ほど低下するため、ゲート駆動回路が比較的低温の状況で失効することを防ぐため、通常はゲート駆動回路の外部に温度補償回路を追加する解決策を採用するが、具体的には、ゲート電極の高レベルＶｇｈを発生させるフィードバック回路にサーミスタ素子を並列接続し、Ｖｇｈが温度の低下につれて上昇するようにする。

【0007】

ところが、温度補償でゲート駆動回路の有効性を保証する方法を使用した以上、Ｖｇｈの電圧は３０Ｖ以上に上昇することがあり、ＤＣ／ＤＣ ＩＣはこれほど高い電圧に耐えられず、このときＭＬＧの機能は失効する。そしてＭＬＧ機能が失効すると、ＴＦＴがオフになる瞬間に、比較的大きなジャンプ電圧が存在し、ＴＦＴパネルの画面品質に影響する。

【課題を解決するための手段】

【0008】

以上に鑑みて、本発明は、ゲート駆動回路、ゲート駆動方法及びディスプレイ、ＭＬＧ機能を有するゲート駆動回路を提供することを目的とする。

【0009】

本発明の実施例は、ゲート駆動回路であって、複数段のシフトレジスタを有し、各段のシフトレジスタはプルアップ駆動ユニットと、プルアップユニットと、リセットユニットと、プルダウンユニットとを有し、前記シフトレジスタは更に補充ユニットとを有し、前記プルアップユニットは、オンのときに第１のクロック端のクロック信号を本段のシフトレジスタの出力信号とし、
前記補充ユニットは、前記プルアップユニットに接続され、オンのときに第２のクロック端のクロック信号を本段のシフトレジスタの出力信号とするゲート駆動回路を提供する。

【0010】

一つの例示において、前記プルアップ駆動ユニットはプルアップユニットの入力ノードに接続され、プルアップユニットのオンとオフを制御する。

【0011】

一つの例示において、前記プルアップ駆動ユニットは第１のＴＦＴスイッチング素子と第２のＴＦＴスイッチング素子とを有し、第１のＴＦＴスイッチング素子のドレイン電極とゲート電極は上段のシフトレジスタの出力端に接続され、前記第２のＴＦＴスイッチング素子のドレイン電極は前記第１のＴＦＴスイッチング素子のソース電極に接続され、前記第２のＴＦＴスイッチング素子のゲート電極は下段のシフトレジスタの出力端に接続され、前記第２のＴＦＴスイッチング素子のソース電極は低レベルに接続される。

【0012】

一つの例示において、前記プルアップユニットは第３のＴＦＴスイッチング素子と、電圧ブースティング素子とを有し、前記第３のＴＦＴスイッチング素子のドレイン電極は第１のクロック端に接続され、前記第３のＴＦＴスイッチング素子のゲート電極は第１のＴＦＴスイッチング素子のソース電極に接続され、前記第３のＴＦＴスイッチング素子のソース電極は本段のシフトレジスタの出力端に接続され、前記電圧ブースティング素子は、第１端は前記第１のＴＦＴスイッチング素子のソース電極と前記第３のＴＦＴスイッチング素子のゲート電極にそれぞれ接続され、第２端は前記第３のＴＦＴスイッチング素子のソース電極に接続される。

【0013】

一つの例示において、前記リセットユニットは第４のＴＦＴスイッチング素子を有し、前記第４のＴＦＴスイッチング素子のドレイン電極は第３のＴＦＴスイッチング素子のソース電極に接続され、前記第４のＴＦＴスイッチング素子のゲート電極は下段のシフトレジスタの出力端に接続され、前記第４のＴＦＴスイッチング素子のソース電極は低レベルに接続される。

【0014】

一つの例示において、前記補充ユニットは、第５のＴＦＴスイッチング素子と、第６のＴＦＴスイッチング素子とを有し、第５のＴＦＴスイッチング素子のドレイン電極とゲート電極は第２のクロック端に接続され、第６のＴＦＴスイッチング素子のドレイン電極は第５のＴＦＴスイッチング素子のソース電極に接続され、第６のＴＦＴスイッチング素子のゲート電極は前記プルアップ駆動ユニットの第１のＴＦＴスイッチング素子のソース電極に接続され、第６のＴＦＴスイッチング素子のソース電極は前記プルアップユニットの出力端に接続され、同時に本段のシフトレジスタの出力端に接続される。

【0015】

一つの例示において、前記第５のＴＦＴスイッチング素子と第６のＴＦＴスイッチング素子は金属酸化物半導体型電界効果トランジスタである。

【0016】

一つの例示において、前記第２のクロック端のクロック信号は第１のクロック端のクロック信号が低レベルに変わった瞬間に高レベルにジャンプする。

【0017】

本発明の実施例は、液晶ディスプレイであって、前記液晶ディスプレイは以上に記載するゲート駆動回路を有する液晶ディスプレイを提供する。

【0018】

本発明は、更に、ゲート駆動方法であって、前記方法は、上段のシフトレジスタの出力端が出力する信号が高レベルであるとき、プルアップ駆動ユニットはオンになり、本段のシフトレジスタは充電を開始し、第１のクロック端のクロック信号が高レベルであり、且つ第２のクロック端のクロック信号が低レベルであるとき、プルアップユニットはオンになり、前記第１のクロック端のクロック信号を本段のシフトレジスタの出力信号とし前記第１のクロック端のクロック信号は低レベルにジャンプし、前記第２のクロック端のクロック信号は高レベルにジャンプし、補充ユニットはオンになり、前記第２のクロック端のクロック信号を本段のシフトレジスタの出力信号とするゲート駆動方法を提供する。

【0019】

一つの例示において、前記第２のクロック端のクロック信号の高レベルは前記第１のクロック端のクロック信号の高レベルより小さい。

【0020】

本発明は、ゲート駆動回路の各段のシフトレジスタの補充ユニットにより、ＴＦＴがオフになった瞬間に補充ユニットがオンになり動作し、シフトレジスタの出力を制御し、画素のジャンプ電圧を低下させることができ、ＭＬＧ機能を実現し、液晶ディスプレイの画面品質を向上させる。

【図面の簡単な説明】

【0021】

【図1】従来のゲート駆動回路における各段のシフトレジスタの構造模式図である。

【図2】図１に示す従来のゲート駆動回路のシフトレジスタの入力・出力信号のシーケンス図である。

【図3】本発明の実施例のゲート駆動回路におけるシフトレジスタの機能構造模式図である。

【図4】本発明の実施例のゲート駆動回路のシフトレジスタの具体的な実現構造図である。

【図5】本発明の実施例のゲート駆動回路のシフトレジスタの入力・出力信号のシーケンス図である。

【図6】本発明の実施例のゲート駆動回路が実現するＭＬＧ機能の原理模式図である。

【図7】本発明の実施例のゲート駆動方法の実現フロー模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0022】

当業者に本発明の技術方案を更によく理解してもらうため、以下に図面を用いて、本発明に係るゲート駆動回路、ゲート駆動方法及び液晶ディスプレイを詳しく説明する。当然ながら、説明する実施例は本発明の一部の実施例に過ぎず、すべての実施例ではない。当業者が本発明における実施例に基づいて創造的労働を行わずに得られる他のすべての実施例は、本発明の保護の範囲に属する。

【0023】

本発明の実施例の基本的な考え方は、前記ゲート駆動回路は複数段のシフトレジスタを有し、各段のシフトレジスタはプルアップ駆動ユニットと、プルアップユニットと、リセットユニットと、プルダウンユニットとを有し、前記シフトレジスタは更に補充ユニットを有し、前記プルアップユニットは、オンのときに第１のクロック端のクロック信号を本段のシフトレジスタの出力信号とし、前記補充ユニットは、前記プルアップユニットに接続され、オンのときに第２のクロック端のクロック信号を本段のシフトレジスタの出力信号とする。

【0024】

本発明の目的、技術方案とメリットを更に明確にするため、以下の実施例を用いて図面を参照して本発明を更に詳しく説明する。

【0025】

図３は本発明のゲート駆動回路における各段のシフトレジスタの機能構造を示しており、図３に示すように、前記シフトレジスタはＧＯＡ回路ユニット３１と補充ユニット３２を有し、前記ＧＯＡ回路ユニット３１は入力端（ＩＮＰＵＴ）、リセット端（ＲＥＳＥＴ）、第１のクロック端（ＣＬＫ１）と低電圧信号端（ＶＳＳ）に接続され、前記入力端（ＩＮＰＵＴ）は上段シフトレジスタの出力信号を受信し、前記リセット端（ＲＥＳＥＴ）は下段シフトレジスタの出力信号を受信し、前記低電圧信号端（ＶＳＳ）は低電圧信号を受信し、通常の場合において、前記ＶＳＳの電圧レベルはＣＬＫ１のクロック信号の低レベルと同じであり、補充ユニット３２はそれぞれ第２のクロック端（ＣＬＫ２）とＧＯＡ回路ユニット３１の出力端（ＯＵＴＰＵＴ）に接続され、前記ＧＯＡ回路ユニット３１の出力を制御する。

【0026】

上記のシフトレジスタの動作プロセスは、具体的に以下のようである。ＣＬＫ１のクロック信号が高レベルであるとき、ＣＬＫ２のクロック信号は低レベルであり、ＯＵＴＰＵＴの出力信号はＣＬＫ１のパルス信号となり、このときの電圧値をＶｇｈ１とし、ＣＬＫ１のクロック信号が低レベルに変わったとき、補充ユニット３２のＣＬＫ２のクロック信号は高レベルに変わり、このとき補充ユニット３２はオンになり、ＯＵＴＰＵＴの出力信号はＣＬＫ２のパルス信号となり、このときの電圧値をＶｇｈ２とし、全体的にみて、ＯＵＴＰＵＴが出力する電圧はＶｇｈ１からＶｇｈ２にジャンプしたことになり、従来のゲート駆動回路のシフトレジスタがＶｇｈ１から０にジャンプするのと比べ、画素のジャンプ電圧を大きく減少させることを実現し、よってＭＬＧの機能を実現し、画面品質を向上させる。

【0027】

図４は本発明の実施例におけるゲート駆動回路のシフトレジスタの具体的な実現構造を示しており、図４に示すように、上記ＧＯＡ回路ユニット３１はプルアップ駆動ユニットとプルアップユニットと、リセットユニットと、プルダウンユニットと、補充ユニットとを有し、前記プルアップユニットは、オンのときに第１のクロック端のクロック信号を本段のシフトレジスタの出力信号とし、前記補充ユニットは、前記プルアップユニットに接続され、オンのときに第２のクロック端のクロック信号を本段のシフトレジスタの出力信号とする。

【0028】

前記プルアップ駆動ユニットはプルアップユニットの入力ノードに接続され、プルアップユニットのオンとオフを制御する。

【0029】

一つの例示において、更に、上記プルアップ駆動ユニットは第１のＴＦＴスイッチング素子Ｍ１と第２のＴＦＴスイッチング素子Ｍ２とを有し、前記プルアップユニットは第３のＴＦＴスイッチング素子Ｍ３と電圧ブースティング素子Ｃ１とを有し、前記Ｍ１のドレイン電極とゲート電極はＩＮＰＵＴに接続され、前記Ｍ２のドレイン電極は前記Ｍ１のソース電極に接続され、前記Ｍ２のゲート電極はＲＥＳＥＴに接続され、前記Ｍ２のソース電極はＶＳＳに接続され、前記Ｍ３のドレイン電極はＣＬＫ１に接続され、前記Ｍ３のゲート電極はＭ１のソース電極に接続され、前記Ｍ３のソース電極は前記ＧＯＡ回路ユニット３１の出力端に接続され、同時に本段のシフトレジスタの出力端に接続され、前記Ｃ１は第１端がそれぞれ前記Ｍ１のソース電極とＭ３のゲート電極に接続され、第２端がＭ３のソース電極に接続される。

【0030】

一つの例示において、更に、前記リセットユニットは具体的に第４のＴＦＴスイッチング素子Ｍ４を有し、前記Ｍ４のドレイン電極はＭ３のソース電極に接続され、前記Ｍ４のゲート電極はＲＥＳＥＴに接続され、前記Ｍ４のソース電極はＶＳＳに接続される。

【0031】

一つの例示において、更に、前記ＧＯＡ回路ユニット３１は前記Ｃ１に並列接続され、且つ第１端がＶＳＳに接続され、第２端が前記Ｍ３のドレイン電極に接続されるプルダウンユニットＰＤを更に有する。

【0032】

一つの例示において、上記補充ユニット３２には具体的に第５のＴＦＴスイッチング素子Ｍ５と、第６のＴＦＴスイッチング素子Ｍ６とを有し、Ｍ５のドレイン電極とゲート電極はＣＬＫ２に接続され、Ｍ６のドレイン電極はＭ５のソース電極に接続され、Ｍ６のゲート電極はＧＯＡ回路ユニット３１のプルアップ駆動ユニットのＣ１の第１端に接続され、Ｍ６のソース電極は前記プルアップユニットの出力端即ちＭ３のソース電極に接続され、同時に本段のシフトレジスタの出力端に接続される。

【0033】

上記Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４、Ｍ５、Ｍ６は具体的には金属酸化物半導体型電界効果（Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ：ＭＯＳ）トランジスタであってもよい。

【0034】

上記のゲート駆動回路の具体的な動作プロセスは、ＩＮＰＵＴの入力信号が高レベルであるとき、Ｍ１はオンになり、ＰＵノードに充電し、ＣＬＫ１のクロック信号が高レベルであり、ＣＬＫ２のクロック信号が低レベルであるとき、Ｍ３はオンになり、このときＯＵＴＰＵＴが出力する信号はＣＬＫ１のパルス信号となり、このときの電圧値をＶｇｈ１とし、同時にＣ１の１回目のブートストラップ（Ｂｏｏｔｓｔｒａｐｐｉｎｇ）ファンクションはＰＵノードを一回目のプルアップをし、その後ＣＬＫ１のクロック信号が低レベルに変わったとき、補充ユニット３２のＣＬＫ２のクロック信号は高レベルに変わり、且つ比較的短時間継続し、このときＭ５、Ｍ６はオンになり、ＯＵＴＰＵＴが出力する信号はＣＬＫ２のパルス信号となり、このときの電圧値をＶｇｈ２とし、同時にＣ１の二回目のブートストラップファンクションはＰＵノードを再びプルアップし、全体的に見て、ＯＵＴＰＵＴが出力する電圧はＶｇｈ１からＶｇｈ２にジャンプしたことになり、従来のゲート駆動回路のシフトレジスタがＶｇｈ１から０にジャンプするのと比べ、画素のジャンプ電圧を大きく減少させることを実現し、よってＭＬＧの機能を実現し、画面品質を向上させる。そして、ＣＬＫ１の制御により、プルダウンユニットＰＤはＰＵノードとＯＵＴＰＵＴを放電し、ゲート駆動回路のシフトレジスタが非動作時間にノイズを発生させないことを保証する。

【0035】

具体的には、上記プロセスにおいて、各入力・出力信号のシーケンスは図５を参照でき、図５から分かるように、ＣＬＫ２の電圧値Ｖｇｈ２はＣＬＫ１の電圧値Ｖｇｈ１より小さい。理解すべきなのは、図５におけるＩＮＰＵＴの入力信号は、従来のゲート駆動回路の上段シフトレジスタの出力信号をもとに例示しており、本発明の実施例に係るゲート駆動回路を具体的に利用するときは、そのときのＩＮＰＵＴの入力信号のシーケンス図は本発明の実施例におけるゲート駆動回路の上段シフトレジスタの出力信号であるということである。

【0036】

図６は本発明の実施例のゲート駆動回路が実現するＭＬＧ機能の原理を示すものであり、図６に示すように、ＣＬＫ１が低レベルに変わった瞬間、即ちＴＦＴがオフになった瞬間に、ＯＵＴＰＵＴも低レベルになり、そしてＣＬＫ２の入力により、このときのＯＵＴＰＵＴの出力電圧値はＶｇｈ２となり、このときに再充電（Ｒｅｃｈａｒｇｉｎｇ）が発生し、画素ジャンプ電圧ΔＶｐを減少させる効果を果たし、画面品質を向上させることができる。図６におけるＶｐは画素（Ｐｉｘｅｌ）の電圧波形であり、Ｖｃｏｍは共通電極の電圧であり、Ｖｄはデータライン（Ｄａｔａ）の電圧波形であり、Ｖｇｌはゲート電極低レベルである。

【0037】

本発明の実施例は、更に、液晶ディスプレイであって、前記液晶ディスプレイは上記のゲート駆動回路を有する液晶ディスプレイを提供する。

【0038】

本発明は、更に、上記のゲート駆動回路を用いて実現するゲート駆動方法を提供し、前記方法の実現フローは図７を参照されたい。前記方法は、上段のシフトレジスタの出力端が出力した信号が高レベルであるとき、プルアップ駆動ユニットはオンになり、本段のシフトレジスタは充電を開始するステップ７０１と、第１のクロック端のクロック信号が高レベルであり、且つ第２のクロック端のクロック信号が低レベルであるとき、プルアップユニットはオンになり、前記第１のクロック端のクロック信号を本段のシフトレジスタの出力信号とするステップ７０２と、前記第１のクロック端のクロック信号が低レベルにジャンプし、前記第２のクロック端のクロック信号が高レベルにジャンプし、補充ユニットはオンになり、前記第２のクロック端のクロック信号を本段のシフトレジスタの出力信号とするステップ７０３と、を有する。

【0039】

前記第２のクロック端のクロック信号の高レベルは前記第１のクロック端のクロック信号の高レベルより小さい。前記第２のクロック端のクロック信号の高レベルと第１のクロック端のクロック信号の高レベルの差は実際に応用する時の具体的な状況により確定される。

【0040】

以上は本発明の比較的好ましい実施例に過ぎず、本発明の保護範囲を限定するものではない。当業者にとって、本発明の精神と趣旨を逸脱しない限り、あらゆる変形と改良を行うことができ、これらの変形と改良も本発明の保護範囲とみなされる。

【符号の説明】

【0041】

Ｍ１… ＴＦＴスイッチング素子１
Ｍ２… ＴＦＴスイッチング素子２
Ｍ３… ＴＦＴスイッチング素子３
Ｍ４… ＴＦＴスイッチング素子４
Ｍ５… ＴＦＴスイッチング素子５
Ｍ６… ＴＦＴスイッチング素子６
ＰＤ… プルダウンユニット
Ｃ１… 電圧ブースティング素子
３１… ＧＯＡ回路ユニット
３２… 補充ユニット

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】