特許 6194493 薄膜パターン形成方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6194493

(24)【登録日】2017年8月25日

(45)【発行日】2017年9月13日

(54)【発明の名称】薄膜パターン形成方法

(51)【国際特許分類】

   H05B 33/10 20060101AFI20170904BHJP

   H01L 51/50 20060101ALI20170904BHJP

   H05B 33/12 20060101ALI20170904BHJP

   H05B 33/22 20060101ALI20170904BHJP

   H05B 33/26 20060101ALI20170904BHJP

   H05B 33/04 20060101ALI20170904BHJP

   C23C 14/04 20060101ALI20170904BHJP

   H01L 21/768 20060101ALI20170904BHJP

   H01L 21/3205 20060101ALI20170904BHJP

【ＦＩ】

   H05B33/10

   H05B33/14 A

   H05B33/12 B

   H05B33/22 Z

   H05B33/26 Z

   H05B33/04

   C23C14/04 A

   H01L21/88 G

【請求項の数】2

【全頁数】11

(21)【出願番号】特願2012-264451(P2012-264451)

(22)【出願日】2012年12月3日

(65)【公開番号】特開2013-229287(P2013-229287A)

(43)【公開日】2013年11月7日

【審査請求日】2015年11月6日

(31)【優先権主張番号】特願2012-79207(P2012-79207)

(32)【優先日】2012年3月30日

(33)【優先権主張国】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】500171707

【氏名又は名称】株式会社ブイ・テクノロジー

(74)【代理人】

【識別番号】100129425

【弁理士】

【氏名又は名称】小川 護晃

(74)【代理人】

【識別番号】100087505

【弁理士】

【氏名又は名称】西山 春之

(74)【代理人】

【識別番号】100099623

【弁理士】

【氏名又は名称】奥山 尚一

(72)【発明者】

【氏名】工藤 修二

(72)【発明者】

【氏名】水村 通伸

(72)【発明者】

【氏名】梶山 康一

(72)【発明者】

【氏名】ハニー マハール アジズ

(72)【発明者】

【氏名】梶山 佳敬

【審査官】 濱野 隆

(56)【参考文献】

【文献】 特開平１０−２６１４８６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００１−１１８６７９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００４−１４６１８４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１０−０４０５６７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特表２０１１−５０１３８０（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０５Ｂ ３３／１０

Ｃ２３Ｃ １４／０４

Ｈ０１Ｌ ２１／３２０５

Ｈ０１Ｌ ２１／７６８

Ｈ０１Ｌ ５１／５０

Ｈ０５Ｂ ３３／０４

Ｈ０５Ｂ ３３／１２

Ｈ０５Ｂ ３３／２２

Ｈ０５Ｂ ３３／２６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

薄膜パターン形成領域に予め電極が形成された基板の表面に所定の形状を有する薄膜パターンを形成する薄膜パターン形成方法であって、
前記基板上に可視光を透過する樹脂製のフィルムを密着させるステップと、
前記基板上の薄膜パターン形成領域にレーザ光を照射し、前記フィルムに薄膜パターンと同形状の開口パターンを形成するステップと、
前記フィルムの開口パターンを介して、前記基板上の前記薄膜パターン形成領域に薄膜パターンを成膜するステップと、
前記フィルムを剥離するステップと、
を含んで構成され、
前記開口パターンを形成するステップと前記薄膜パターンを成膜するステップとの間に、前記電極の表面から不純物を除去するステップをさらに含んで構成され、
前記電極の表面から不純物を除去するステップは、エッチング又はレーザにより不純物を除去することに加えてイオン衝撃処理を行うことにより不純物を除去することを特徴とする薄膜パターン形成方法。

【請求項2】

前記開口パターンを形成するステップと前記薄膜パターンを成膜するステップとの間に、前記フィルムの開口パターンを介して、前記電極に電極材料を成膜するステップをさらに含んで構成されることを特徴とする請求項１に記載の薄膜パターン形成方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、薄膜パターン形成領域に予め電極が形成された基板の表面に薄膜パターンを形成する薄膜パターン形成方法に関し、特に高精細な薄膜パターンを容易に形成することができる薄膜パターン形成方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来の薄膜パターン形成方法として、所定のパターンに対応した形状の開口を有するマスクを基板に対して位置合わせした後に基板上に密着させ、前記マスクを介して基板に対するパターニング成膜を行うものがあった（例えば、特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００３−７３８０４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

前記従来の薄膜パターン形成方法において、使用されるマスクは、通常薄い金属板に所定形状の開口をエッチング等の方法により形成して作られたものであった。このようなメタルマスクは、高精細な薄膜パターンを形成するために開口のピッチを狭くすると、当該ピッチ部分の構造強度が低下し、よれが発生することがあった。マスクによれが発生すると、基板上のパターンに対してマスクを正確にアライメントできず、高精細な薄膜パターンを形成するのが困難となった。

【0005】

そこで、このような問題点に対処し、本発明が解決しようとする課題は、高精細な薄膜パターンを容易に形成することができる薄膜パターン形成方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

前記課題を解決するために、本発明による薄膜パターン形成方法は、薄膜パターン形成領域に予め電極が形成された基板の表面に所定の形状を有する薄膜パターンを形成する薄膜パターン形成方法であって、前記基板上に可視光を透過する樹脂製のフィルムを密着させるステップと、前記基板上の薄膜パターン形成領域にレーザ光を照射し、前記フィルムに薄膜パターンと同形状の開口パターンを形成するステップと、前記フィルムの開口パターンを介して、前記基板上の前記薄膜パターン形成領域に薄膜パターンを成膜するステップと、前記フィルムを剥離するステップと、を含んで構成され、前記開口パターンを形成するステップと前記薄膜パターンを成膜するステップとの間に、前記電極の表面から不純物を除去するステップをさらに含んで構成され、前記電極の表面から不純物を除去するステップは、エッチング又はレーザにより不純物を除去することに加えてイオン衝撃処理を行うことにより不純物を除去する。

【発明の効果】

【0007】

本発明による薄膜パターン形成方法によれば、フィルムの開口パターンは、フィルムが基板の表面に密着した状態でレーザ光を照射することにより形成されるため、高精度に形成することができる。薄膜パターンは、高精度に形成された開口パターンを介して成膜されるため、高精細な薄膜パターンを容易に形成することができる。また、開口パターンを形成するステップと薄膜パターンを成膜するステップとの間に、電極の表面から不純物を除去するステップをさらに含んで構成されることにより、前記電極の表面から不純物を除去することができる。さらに、電極の表面から不純物を除去するステップは、エッチング又はレーザにより不純物を除去することに加えてイオン衝撃処理を行うことにより不純物を除去するものであるので、エッチング又はレーザにより不純物を完全に除去することができない場合であっても、イオン衝撃処理によって電極の表面に残った不純物を物理的に除去することができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】本発明による薄膜パターン形成方法を適用した有機ＥＬ表示装置の製造方法の実施形態を示す説明図であり、赤色（Ｒ）有機ＥＬ層形成工程におけるＴＦＴ基板を示す断面図である。

【図2】前記実施形態の緑色（Ｇ）有機ＥＬ層形成工程におけるＴＦＴ基板を示す断面図である。

【図3】前記実施形態の青色（Ｂ）有機ＥＬ層形成工程におけるＴＦＴ基板を示す断面図である。

【図4】前記実施形態のカソード電極形成工程におけるＴＦＴ基板を示す断面図である。

【図5】前記Ｒ有機ＥＬ層形成工程を示すフローチャートである。

【図6】前記Ｇ有機ＥＬ層形成工程を示すフローチャートである。

【図7】前記Ｂ有機ＥＬ層形成工程を示すフローチャートである。

【図8】前記カソード電極形成工程を示すフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、本発明による薄膜パターン形成方法を、基板上に有機ＥＬ層を形成して有機ＥＬ表示装置を製造する有機ＥＬ表示装置の製造方法に適用した実施形態を図１〜８に基づいて説明する。図１〜４は本実施形態の各工程におけるＴＦＴ基板１を示す断面図であり、図５〜８は本実施形態の各工程を示すフローチャートである。この有機ＥＬ表示装置の製造方法は、ＴＦＴ基板１の有機ＥＬ層形成領域１１（薄膜パターン形成領域）（１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ）に予め形成されたアノード電極１２（１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ）上に、所定の形状を有する有機ＥＬ層１４（薄膜パターン）（１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂ）及びカソード電極１５（１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂ）を順次成膜して有機ＥＬ表示装置を製造する方法であり、赤色（Ｒ）有機ＥＬ層形成工程と、緑色（Ｇ）有機ＥＬ層形成工程と、青色（Ｂ）有機ＥＬ層形成工程と、カソード電極形成工程とを含んで構成される。

【0010】

まず、Ｒ有機ＥＬ層形成工程について、図１，５を参照して説明する。このＲ有機ＥＬ層形成工程は、ＴＦＴ基板１のＲ有機ＥＬ層形成領域１１Ｒに、Ｒアノード電極１２Ｒの電極材料１３、Ｒ有機ＥＬ層１４Ｒ及びＲカソード電極１５Ｒを順次蒸着・成膜してＲ有機ＥＬ層１４Ｒを形成する工程であり、図５に示すように、ステップＳ１〜Ｓ９を含んで構成される。

【0011】

ステップＳ１において、図１（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板１の上方にフィルム２を配置する。ＴＦＴ基板１は、ガラス等から構成された透明基板１６上に、各有機ＥＬ層形成領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂごとに設けられたトランジスタ１７と複数の絶縁膜１８とアノード電極１２とを積層して形成されており、アクティブマトリックス駆動方式やパッシブマトリクス駆動方式により駆動される。このＴＦＴ基板１を使用することにより、トップエミッション方式の有機ＥＬ表示装置が製造される。すなわち、本実施形態において製造される有機ＥＬ表示装置は、後述する対向基板３側（図４（ｄ）参照）が画像の表示側となる。

【0012】

前記フィルム２は、可視光を透過する樹脂製のフィルムであり、例えば厚みが１０μｍ〜３０μｍ程度のポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）やポリイミド等の紫外線レーザアブレーションが可能なフィルムが使用される。このフィルム２は、例えば、フィルム２がＴＦＴ基板１全面を覆う大きさに裁断された状態で保持する保持手段や、長尺なフィルム２の送出し及び巻取りを行うローラにより保持され、図１（ａ）におけるＴＦＴ基板１の上方に、すなわちＴＦＴ基板１のＲアノード電極１２Ｒ側に離間して配置される。

【0013】

ステップＳ２において、図１（ｂ）に示すように、ＴＦＴ基板１上にフィルム２を密着させる。フィルム２は、静電吸着等の方法により密着させることができる。このフィルム２は可視光に対して透明であるため、フィルム２がＴＦＴ基板１の表面を覆った状態であっても、顕微鏡やＣＣＤカメラ等の撮像手段は、フィルム２を介してＴＦＴの表面を観察することができる。

【0014】

ステップＳ３において、図１（ｃ）に示すように、フィルム２のＲ有機ＥＬ層形成領域１１Ｒと対応する部分に開口パターン２１を形成する。まず、撮像手段によりフィルム２を介してＴＦＴ基板１の表面を観察し、ＴＦＴ基板１上のＲ有機ＥＬ層形成領域の位置を検出する。次に、検出されたＲ有機ＥＬ層形成領域の表面を覆うフィルム２の部分に対してレーザ光Ｌを照射する。ここで使用されるレーザとして、例えば、波長が４００ｎｍ以下のエキシマレーザ等を使用することができ、例えばＫｒＦ２４８ｎｍのレーザを使用することができる。このような紫外線のレーザ光Ｌの光エネルギーにより、フィルム２がアブレーションされて除去され、Ｒ有機ＥＬ層形成領域１１Ｒと同形状の開口パターン２１が形成される。このように形成されたフィルム２の開口パターン２１からは、ＴＦＴ基板１のＲ有機ＥＬ層１４Ｒ（図１（ｆ）参照）を駆動するためのＲアノード電極１２Ｒが露出する。この際、開口パターン２１は、Ｒアノード電極１２Ｒの全面に亘ってＲ有機ＥＬ層１４Ｒを形成できるように、Ｒアノード電極１２Ｒの両側に配置された絶縁膜の一部が露出するように形成されるのが好ましい。

【0015】

ステップＳ４において、図１（ｄ）に示すように、Ｒアノード電極１２Ｒの表面から不純物を除去する。ここでいう不純物には、例えば前記ステップＳ３においてアブレーションされたフィルム２やＲアノード電極１２Ｒ等の残渣が含まれる。このような不純物がＲアノード電極１２Ｒの表面に付着した状態でＲ有機ＥＬ層１４Ｒが成膜されると、Ｒアノード電極１２Ｒの電気抵抗が上昇し、Ｒ有機ＥＬ層１４Ｒの駆動に障害が生じるおそれがある。また、このような不純物には有機ＥＬ層を腐食するものもあり、有機ＥＬ層の耐用年数を縮めるおそれがある。

【0016】

このような不純物を除去するために、エッチングやレーザが使用される。エッチングを行う場合には、Ｏ₂（酸素）、Ｏ₂とＡｒ（アルゴン）との混合気、又はＯ₂とＡｒとＣＦ₄（四フッ化炭素）との混合気等をエッチングガスとして使用したドライエッチングにより不純物を除去するのが好ましい。また、レーザを使用する場合には、エネルギー密度が０．５Ｊ／ｃｍ²程度で波長が５３２ｎｍのグリーンレーザ，３５５ｎｍのＵＶレーザ，２６６ｎｍのＤＵＶレーザ等を使用することができる。この際、Ｏ₂、Ｏ₂とＡｒとの混合気、Ｏ₂とＡｒとＣＦ₄との混合気、又はＯ₃（オゾン）等をアシストガスとして併用するのが好ましい。

【0017】

ステップＳ５において、図１（ｅ）に示すように、Ｒアノード電極１２Ｒ上に残った不純物を除去する。ステップＳ４において、エッチングやレーザによりフィルム２やＲアノード電極１２Ｒ等の残渣を含む不純物の除去を行ったが、成膜するＲアノード電極１２Ｒの表面に付着した残渣は完全には除去できないおそれがある。したがって、ステップＳ４に加えて、不活性ガスプラズマによるイオン衝撃処理を行うことにより、Ｒアノード電極１２Ｒ上に残った不純物を物理的に除去する。これにより有機ＥＬ層の耐用年数を縮めることなく有機ＥＬの点灯が可能となる。また、ここでいう不活性ガスには、Ａｒ（アルゴン）、Ｈｅ（ヘリウム）、Ｎｅ（ネオン）、Ｘｅ（キセノン）又はＫｒ（クリプトン）等が含まれてよい。

【0018】

なお、前記では、不純物除去のステップＳ４及びＳ５の両方を行ったが、ステップＳ４又はＳ５のどちらか一方のみを行ってもよい。また、前記開口パターン２１を形成するステップＳ３の工程終了後に、不純物除去の工程が不要な場合は、前記ステップＳ４，Ｓ５及び後述のステップＳ６を実行しなくてもよい。

【0019】

ステップＳ６において、図１（ｆ）に示すように、Ｒアノード電極１２Ｒに電極材料１３を成膜する。ここでいう電極材料１３とは、アノード電極１２を形成する材料を意味し、例えばＡｌ（アルミニウム）やＭｇ（マグネシウム）等が含まれる。電極材料１３は、スパッタリング、真空蒸着、及びイオンプレーティング等の方法により、フィルム２に形成された開口パターン２１を介してＲアノード電極１２Ｒの表面に蒸着される。また、前記ステップＳ４又はＳ５で不純物の残渣が完全に除去される場合は、前記ステップＳ６を実行しなくてもよい。

【0020】

ステップＳ７において、図１（ｇ）に示すように、Ｒ有機ＥＬ層１４Ｒを成膜する。Ｒ有機ＥＬ層１４Ｒの成膜は、Ｒアノード電極１２Ｒ上にフィルム２の開口パターン２１を介して、正孔注入層、正孔輸送層、赤色の有機発光層、電子輸送層等を順次蒸着して積層することにより行われる。

【0021】

ステップＳ８において、図１（ｈ）に示すように、Ｒカソード電極１５Ｒを成膜する。Ｒカソード電極（ＩＴＯ）１５Ｒは、酸化インジウム錫等からなる透明な金属薄膜である。Ｒカソード電極１５Ｒは、フィルム２に形成された開口パターン２１を介してＲ有機ＥＬ層１４Ｒ上に成膜される。

【0022】

ステップＳ９において、図１（ｉ）に示すように、フィルム２を剥離する。ＴＦＴ基板１の表面に密着したフィルム２は、フィルム２とＴＦＴ基板１とを相対的に図１の上下方向に引き離すことにより、ＴＦＴ基板１の表面から剥離される。以上により、Ｒ有機ＥＬ層形成工程が終了する。

【0023】

次に、Ｇ有機ＥＬ層形成工程について、図２，６を参照して説明する。このＧ有機ＥＬ層形成工程は、ＴＦＴ基板１のＧ有機ＥＬ層形成領域１１Ｇに、Ｇアノード電極１２Ｇの電極材料１３、Ｇ有機ＥＬ層１４Ｇ及びＧカソード電極１５Ｇを順次蒸着・成膜してＧ有機ＥＬ層１４Ｇを形成する工程であり、図６に示すように、ステップＳ１０〜Ｓ１８を含んで構成される。

【0024】

すなわち、ステップＳ１０においてＴＦＴ基板１の上方にフィルム２を配置し（図２（ａ）参照）、ステップＳ１１においてＴＦＴ基板１上にフィルム２を密着させ（図２（ｂ）参照）、ステップＳ１２においてフィルム２のＧ有機ＥＬ層形成領域１１Ｇと対応する部分に開口パターン２１を形成し（図２（ｃ）参照）、ステップＳ１３において、ドライエッチング（又はレーザ）によりＧアノード電極１２Ｇの表面から不純物を除去し（図２（ｄ）参照）、ステップＳ１４において、イオン衝撃処理によりステップＳ１３で除去しきれなかったＧアノード電極１２Ｇ上の不純物を除去し（図２（ｅ）参照）、ステップＳ１５においてＧアノード電極１２Ｇに電極材料１３を成膜し（図２（ｆ）参照）、ステップＳ１６においてＧ有機ＥＬ層１４Ｇを成膜し（図２（ｇ）参照）、ステップＳ１７においてＧカソード電極１５Ｇを成膜し（図２（ｈ）参照）、ステップＳ１８においてフィルム２を剥離し（図２（ｉ）参照）、Ｇ有機ＥＬ層形成工程が終了する。

【0025】

なお、前記では、不純物除去のステップＳ１３及びＳ１４の両方を行ったが、ステップＳ１３又はＳ１４のどちらか一方のみを行ってもよい。また、前記開口パターン２１を形成するステップＳ１２の工程終了後に、不純物除去の工程が不要な場合は、前記ステップＳ１３，Ｓ１４及びＳ１５を実行しなくてもよい。また、前記ステップＳ１３又はＳ１４で不純物の残渣が完全に除去される場合は、前記ステップＳ１５を実行しなくてもよい。

【0026】

以上の各工程は、Ｒ有機ＥＬ層形成工程の対応する各工程と同様である。なお、ステップＳ１２においてフィルム２に形成される開口パターン２１は、Ｒアノード電極１２ＲとＧアノード電極１２Ｇとが短絡しないように形成される。すなわち、Ｒ有機ＥＬ層形成領域１１ＲとＧ有機ＥＬ層形成領域１１Ｇとに成膜した電極材料１３が互いに接することなく所定の距離離間するように、それぞれの開口パターン２１は形成される（図２（ｆ）参照）。

【0027】

次に、Ｂ有機ＥＬ層形成工程について、図３，７を参照して説明する。このＢ有機ＥＬ層形成工程は、ＴＦＴ基板１のＢ有機ＥＬ層形成領域１１Ｂに、Ｂアノード電極１２Ｂの電極材料１３、Ｂ有機ＥＬ層１４Ｂ及びＢカソード電極１５Ｂを順次蒸着・成膜してＢ有機ＥＬ層１４Ｂを形成する工程であり、図７に示すように、ステップＳ１９〜Ｓ２７を含んで構成される。

【0028】

すなわち、ステップＳ１９においてＴＦＴ基板１の上方にフィルム２を配置し（図３（ａ）参照）、ステップＳ２０においてＴＦＴ基板１上にフィルム２を密着させ（図３（ｂ）参照）、ステップＳ２１においてフィルム２のＢ有機ＥＬ層形成領域１１Ｂと対応する部分に開口パターン２１を形成し（図３（ｃ）参照）、ステップＳ２２において、ドライエッチング（又はレーザ）によりＢアノード電極１２Ｂの表面から不純物を除去し（図３（ｄ）参照）、ステップＳ２３において、イオン衝撃処理によりステップＳ２２で除去しきれなかったＢアノード電極１２Ｂ上の不純物を除去し（図３（ｅ）参照）、ステップＳ２４においてＢアノード電極１２Ｂに電極材料１３を成膜し（図３（ｆ）参照）、ステップＳ２５においてＢ有機ＥＬ層１４Ｂを成膜し（図３（ｇ）参照）、ステップＳ２６においてＢカソード電極１５Ｂを成膜し（図３（ｈ）参照）、ステップＳ２７においてフィルム２を剥離し（図３（ｉ）参照）、Ｂ有機ＥＬ層形成工程が終了する。

【0029】

なお、前記では、不純物除去のステップＳ２２及びＳ２３の両方を行ったが、ステップＳ２２又はＳ２３のどちらか一方のみを行ってもよい。また、前記開口パターン２１を形成するステップＳ２１の工程終了後に、不純物除去の工程が不要な場合は、前記ステップＳ２２，Ｓ２３及びＳ２４を実行しなくてもよい。また、前記ステップＳ２２又はＳ２３で不純物の残渣が完全に除去される場合は、前記ステップＳ２４を実行しなくてもよい。

【0030】

以上の各工程は、Ｒ有機ＥＬ層形成工程及びＧ有機ＥＬ層形成工程の対応する各工程と同様である。なお、ステップＳ２１においてフィルム２に形成される開口パターン２１は、Ｒアノード電極１２ＲとＧアノード電極１２ＧとＢアノード電極１２Ｂとが短絡しないように形成される。すなわち、Ｒ有機ＥＬ層形成領域１１ＲとＧ有機ＥＬ層形成領域１１ＧとＢ有機ＥＬ層形成領域１１Ｂとに成膜した電極材料１３が互いに接することなく所定の距離離間するように、それぞれの開口パターン２１は形成される（図３（ｆ）参照）。

【0031】

最後に、カソード電極形成工程について、図４，８を参照して説明する。このカソード電極形成工程は、カソード電極１５を成膜して対向基板３を貼り合わせることにより、有機ＥＬ表示装置を完成させる工程であり、図８に示すように、ステップＳ２８〜Ｓ３１を含んで構成される。

【0032】

ステップＳ２８において、図４（ａ）に示すように、カソード電極１５を成膜する。上記の各有機ＥＬ層形成工程において、それぞれの有機ＥＬ層１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂ上にはカソード電極１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂが成膜されているが、これらの各カソード電極１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂは互いに電気的に接続されていない（図３（ｉ）参照）。そこで改めてＴＦＴ基板１全体にカソード電極１５を成膜することにより、各カソード電極１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂをそれぞれ電気的に接続する。

【0033】

ステップＳ２９において、図４（ｂ）に示すように、保護膜４を成膜する。この保護膜４は、絶縁性の材料により形成さており、上記ステップＳ２８において成膜されたカソード電極１５上に、カソード電極１５全体を覆うように成膜される。

【0034】

ステップＳ３０において、図４（ｃ）に示すように、保護膜４上に接着層５を形成する。接着層５は、例えばＵＶ硬化性の樹脂をスピンコート又はスプレー塗布することにより形成される。

【0035】

ステップＳ３１において、図４（ｄ）に示すように、対向基板３を貼り合わせる。この対向基板３は透明であり、接着層５上に貼り合わせられる。対向基板３の貼り合わせは、例えば対向基板３を接着層５上に密着させた後、対向基板３側から紫外線を照射して接着層５を硬化させることにより行うことができる。以上により、有機ＥＬ表示装置が完成する。

【0036】

本実施形態によれば、有機ＥＬ表示装置の製造方法は、ＴＦＴ基板１上に可視光を透過する樹脂製のフィルム２を密着させるステップ（Ｓ２，Ｓ１１，Ｓ２０）と、ＴＦＴ基板１上の有機ＥＬ層形成領域１１にレーザ光Ｌを照射し、フィルム２に有機ＥＬ層形成領域１１と同形状の開口パターン２１を形成するステップ（Ｓ３，Ｓ１２，Ｓ２１）と、フィルム２の開口パターン２１を介して、ＴＦＴ基板１上の有機ＥＬ層形成領域１１に有機ＥＬ層１４を成膜するステップ（Ｓ７，Ｓ１６，Ｓ２５）と、フィルム２を剥離するステップ（Ｓ９，Ｓ１８，Ｓ２７）と、を含んで構成される。フィルム２の開口パターン２１は、フィルム２がＴＦＴ基板１の表面に密着した状態でレーザ光Ｌを照射することにより形成されるため、高精度に形成することができる。また、有機ＥＬ層は、高精度に形成された開口パターン２１を介して成膜されるため、高精細な有機ＥＬ層１４を容易に形成することができる。

【0037】

また、本実施形態によれば、有機ＥＬ表示装置の製造方法は、有機ＥＬ層形成領域１１に予めアノード電極１２が形成されたＴＦＴ基板１において、開口パターン２１を形成するステップ（Ｓ３，Ｓ１２，Ｓ２１）と有機ＥＬ層１４を成膜するステップ（Ｓ７，Ｓ１６、Ｓ２５）との間に、アノード電極１２の表面から不純物を除去するステップをさらに含んで構成される。この場合、ドライエッチング（又はレーザ）によりアノード電極１２の表面から不純物を除去するステップ（Ｓ４，Ｓ１３，Ｓ２２）を行う。したがって、アノード電極１２上に不純物が存在することによりもたらされる、アノード電極１２の電気抵抗の上昇や有機ＥＬ層１４の腐食などの弊害を除去することができる。加えて、上記ステップ（Ｓ４，Ｓ１３，Ｓ２２）後に、不活性ガスによるイオン衝撃処理によりアノード電極１２の表面から不純物を除去するステップ（Ｓ５，Ｓ１４，Ｓ２３）を行う。したがって、ステップ（Ｓ４，Ｓ１３，Ｓ２２）でアノード電極１２の表面から不純物を完全に除去できない場合であっても、イオン衝撃処理によって物理的に不純物を除去することにより、アノード電極１２の電気抵抗の上昇や有機ＥＬ層１４の腐食などの弊害を除去することができる。これにより、有機ＥＬ表示装置の寿命を低下させることなく有機ＥＬの点灯が可能となる。

【0038】

さらに、本実施形態によれば、有機ＥＬ表示装置の製造方法は、有機ＥＬ層形成領域１１に予めアノード電極１２が形成されたＴＦＴ基板１において、開口パターン２１を形成するステップ（Ｓ３，Ｓ１２，Ｓ２１）と有機ＥＬ層１４を成膜するステップ（Ｓ７，Ｓ１６、Ｓ２５）との間に、フィルム２の開口パターン２１を介して、アノード電極１２に電極材料１３を成膜するステップをさらに含んで構成される。この場合、アノード電極１２の表面から不純物を除去するステップ（Ｓ４，Ｓ５；Ｓ１３，Ｓ１４；Ｓ２２，Ｓ２３）と有機ＥＬ層１４を成膜するステップ（Ｓ７，Ｓ１６，Ｓ２５）との間に、フィルム２の開口パターン２１を介して、アノード電極１２に電極材料１３を成膜するステップ（Ｓ６，Ｓ１５，Ｓ２４）を行う。したがって、フィルム２に開口パターン２１を形成した後にアノード電極１２上に不純物が付着した場合であっても、電極材料１３を改めて成膜することにより、アノード電極１２の電気抵抗の上昇を防止することができる。また、不純物と有機ＥＬ層１４との間に電極材料１３が成膜されるため、不純物による有機ＥＬ層１４の腐食を防止することができる。

【0039】

なお、本発明は、本実施形態において説明した有機ＥＬ表示装置の製造方法に限られず、高精細な薄膜パターンを形成しようとするものであれば、ボトムエミッション方式の有機ＥＬ表示装置、液晶表示装置のカラーフィルター、半導体基板の配線パターン等の形成にも適用することができる。

【0040】

また、本発明の他の実施形態において、フィルム２の上部（ＴＦＴ基板１と反対側）の少なくとも一部に鉄等からなる薄い金属板を配置するとともに、ＴＦＴ基板１の下方（フィルム２と反対側）に磁気チャックを配置してもよい。このような構成により、フィルム２を磁気吸着によりＴＦＴ基板１に密着させることができる。

【0041】

さらに、本実施形態において、カソード電極１５は、各有機ＥＬ層形成工程でそれぞれ成膜した後、カソード電極形成工程で改めて全体に成膜したが、各有機ＥＬ層形成工程での成膜を省略してもよい。

【符号の説明】

【0042】

１…ＴＦＴ基板
１１，１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ…有機ＥＬ層形成領域（薄膜パターン形成領域）
１２，１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ…アノード電極
１３…電極材料
１４，１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂ…有機ＥＬ層（薄膜パターン）
１５，１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂ…カソード電極
１６…透明基板
１７…トランジスタ
１８…絶縁膜
２…フィルム
２１…開口パターン
３…対向基板
４…保護膜
５…接着層
Ｌ…レーザ光

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】