特許 6199056 有機エレクトロルミネッセンス表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6199056

(24)【登録日】2017年9月1日

(45)【発行日】2017年9月20日

(54)【発明の名称】有機エレクトロルミネッセンス表示装置

(51)【国際特許分類】

   G09F 9/30 20060101AFI20170911BHJP

   H01L 51/50 20060101ALI20170911BHJP

【ＦＩ】

   G09F9/30 338

   H05B33/14 A

   G09F9/30 330

   G09F9/30 365

【請求項の数】10

【全頁数】12

(21)【出願番号】特願2013-60352(P2013-60352)

(22)【出願日】2013年3月22日

(65)【公開番号】特開2014-186139(P2014-186139A)

(43)【公開日】2014年10月2日

【審査請求日】2016年3月10日

(73)【特許権者】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110000154

【氏名又は名称】特許業務法人はるか国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】徳田 尚紀

(72)【発明者】

【氏名】宮本 光秀

【審査官】 小野 博之

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１２−２２７２４７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１０−１５２２２１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００８−０６５１３５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００８−３１０９７４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 米国特許出願公開第２００７／０２１６２９１（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 特開２００８−２８７１３５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００５−２２７５６２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００３−２４１６８７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１０−０９８３０４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｇ０９Ｆ ９／３０−９／４６

Ｈ０１Ｌ２７／３２

５１／５０

Ｈ０５Ｂ３３／００−３３／２８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

有機エレクトロルミネッセンス層と、
前記有機エレクトロルミネッセンス層を挟むように積層された画素電極及び共通電極と、
薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタの半導体層及びゲート電極を覆う第１絶縁層と、
前記薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方に電気的に接続された電流供給線と、
前記薄膜トランジスタの前記ソース電極及び前記ドレイン電極の他方と前記画素電極を電気的に接続するように、前記第１絶縁層上に配置された第１配線と、
前記薄膜トランジスタの前記ゲート電極に接続されるように、前記第１絶縁層上に配置された第２配線と、
前記第２配線を介して前記薄膜トランジスタの前記ゲート電極に制御信号を伝えるためのデータ線と、
前記第１配線又は前記第２配線上に形成されると共に、前記第１絶縁層上に延在する導電膜と、
前記導電膜上であって前記画素電極の下に形成された第２絶縁層と、
前記第１配線と前記導電膜との間及び前記第２配線と前記導電膜との間に介在する第３絶縁層と、
を有し、
前記導電膜は、前記第１配線及び前記第２配線よりも酸化被膜が形成されにくい材料を含み、
前記第３絶縁層は、前記第１配線上にスルーホールを有し、
前記導電膜は、前記第１配線に重なる第１導電膜部及び前記第２配線に重なる第２導電膜部を連続的に有し、前記第１導電膜部は、前記第３絶縁層の前記スルーホールを介して、前記第１配線に電気的に接続し、
前記第１配線と前記第２配線の間に前記制御信号を保持するキャパシタが形成されるように、前記画素電極、前記第１配線及び前記第２配線の少なくとも１つと前記導電膜とは、前記第１絶縁層の上方で、電気的に絶縁された状態で重なるように位置し、
前記第２配線は、前記第３絶縁層を介して前記第２導電膜部と重なって、前記第２配線と前記第２導電膜部の間に前記キャパシタを形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。

【請求項2】

請求項１に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記画素電極は、前記第２配線の少なくとも一部と重なるように形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。

【請求項3】

有機エレクトロルミネッセンス層と、
前記有機エレクトロルミネッセンス層を挟むように積層された画素電極及び共通電極と、
薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタの半導体層及びゲート電極を覆う第１絶縁層と、
前記薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方に電気的に接続された電流供給線と、
前記薄膜トランジスタの前記ソース電極及び前記ドレイン電極の他方と前記画素電極を電気的に接続するように、前記第１絶縁層上に配置された第１配線と、
前記薄膜トランジスタの前記ゲート電極に接続されるように、前記第１絶縁層上に配置された第２配線と、
前記第２配線を介して前記薄膜トランジスタの前記ゲート電極に制御信号を伝えるためのデータ線と、
前記第１配線又は前記第２配線上に形成されると共に、前記第１絶縁層上に延在する導電膜と、
前記導電膜上であって前記画素電極の下に形成された第２絶縁層と、
前記第１配線と前記導電膜との間及び前記第２配線と前記導電膜との間に介在する第３絶縁層と、
を有し、
前記導電膜は、前記第１配線及び前記第２配線よりも酸化被膜が形成されにくい材料を含み、
前記第３絶縁層は、前記第１配線上に第１スルーホールを有し、前記第２配線上に第２スルーホールを有し、
前記導電膜は、前記第３絶縁層の前記第１スルーホールを介して前記第１配線に電気的に接続する第１導電膜部と、前記第１導電膜部から分離して前記第３絶縁層の前記第２スルーホールを介して前記第２配線に電気的に接続して前記第１配線の上方に至るように延びる第２導電膜部と、を含み、
前記第１配線と前記第２配線の間に前記制御信号を保持するキャパシタが形成されるように、前記画素電極、前記第１配線及び前記第２配線の少なくとも１つと前記導電膜とは、前記第１絶縁層の上方で、電気的に絶縁された状態で重なるように位置し、
前記第１配線は、前記第３絶縁層を介して前記第２導電膜部と重なって、前記第１配線と前記第２導電膜部の間に前記キャパシタを形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。

【請求項4】

請求項３に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記画素電極は、前記第１導電膜部を介して前記第１配線に電気的に接続し、
前記画素電極は、前記第２絶縁層を介して前記第２導電膜部と重なって、前記画素電極と前記第２導電膜部の間に前記キャパシタを形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。

【請求項5】

請求項４に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記第２導電膜部は、前記第２配線と重なる位置から外れて前記第１絶縁層上に延びるように形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。

【請求項6】

請求項３に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記画素電極は、前記第２絶縁層を介して前記第２導電膜部と重なって、前記画素電極と前記第２導電膜部の間にも前記キャパシタを形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。

【請求項7】

請求項６に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記画素電極は、前記第１配線の少なくとも一部と重なるように形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。

【請求項8】

請求項１から７のいずれか１項に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記第１絶縁層上に配置された端子をさらに有し、
前記導電膜は、前記端子に載るように形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。

【請求項9】

請求項１から７のいずれか１項に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記第１絶縁層上に配置された端子をさらに有し、
前記第３絶縁層は、前記端子に載るように形成され、前記端子の一部を露出させるスルーホールを有し、
前記導電膜は、前記端子の前記第３絶縁層からの露出部に載るように形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。

【請求項10】

請求項８又は９に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記第２絶縁層は、前記端子に載るように設けられ、前記端子の上方で前記導電膜の一部を露出させる開口を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、回路基板に有機層及び封止層が積層された構造を有する（特許文献１）。回路基板には、薄膜トランジスタなどの能動素子、抵抗器及びキャパシタなどの受動素子、電極及び配線などを含む回路が形成されている。回路は、導電膜、絶縁体膜及び半導体膜の成膜及びエッチングによって形成される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１２−１０９０３０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

表示される画像は複数の画素から構成され、画素ごとに、データ線から入った信号を保持しておくためのキャパシタが形成される。キャパシタは、薄膜トランジスタと同じ層に形成されていたが、高精細化に対応して形成領域が狭くなってきたので、その形成が難しくなってきている。

【0005】

本発明は、新規の層や形成工程を追加することなくキャパシタを形成することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

（１）本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、有機エレクトロルミネッセンス層と、前記有機エレクトロルミネッセンス層を挟むように積層された画素電極及び共通電極と、薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの半導体層及びゲート電極を覆う第１絶縁層と、前記薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方に電気的に接続された電流供給線と、前記薄膜トランジスタの前記ソース電極及び前記ドレイン電極の他方と前記画素電極を電気的に接続するように、前記第１絶縁層上に配置された第１配線と、前記薄膜トランジスタの前記ゲート電極に接続されるように、前記第１絶縁層上に配置された第２配線と、前記第２配線を介して前記薄膜トランジスタの前記ゲート電極に制御信号を伝えるためのデータ線と、前記第１配線及び前記第２配線よりも酸化被膜が形成されにくい材料から、前記第１配線及び前記第２配線の上に形成された導電膜と、前記導電膜上であって前記画素電極の下に形成された第２絶縁層と、を有し、前記第１配線と前記第２配線の間に前記制御信号を保持するキャパシタが形成されるように、前記画素電極、前記第１配線及び前記第２配線の少なくとも１つと前記導電膜とは、前記第１絶縁層の上方で、電気的に絶縁された状態で重なるように位置することを特徴とする。本発明によれば、薄膜トランジスタよりも上にある第１絶縁層の上方にキャパシタを形成するので、薄膜トランジスタが広い領域を占有していてもキャパシタの形成が可能である。また、キャパシタは、画素電極、第１配線及び第２配線の少なくとも１つと導電膜を電気的に絶縁された状態で重ねることで形成するので、新規の層や形成工程を追加する必要がない。

【0007】

（２）（１）に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記導電膜は、前記第１配線に電気的に接続する第１導電膜部と、前記第１導電膜部から分離して前記第２配線に電気的に接続する第２導電膜部と、を含み、前記画素電極は、前記第１導電膜部を介して前記第１配線に電気的に接続し、前記画素電極は、前記第２絶縁層を介して前記第２導電膜部と重なって、前記画素電極と前記第２導電膜部の間に前記キャパシタを形成することを特徴としてもよい。

【0008】

（３）（２）に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記第２導電膜部は、前記第２配線と重なる位置から外れて前記第１絶縁層上に延びるように形成され、前記画素電極は、前記第１絶縁層の表面に垂直な方向で前記第２配線との重複を避けるように配置されていることを特徴としてもよい。

【0009】

（４）（３）に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記第１導電膜部及び前記第２導電膜部は、前記第１配線及び前記第２配線のいずれの重複も避けた位置で分離することを特徴としてもよい。

【0010】

（５）（１）に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記第１配線と前記導電膜との間及び前記第２配線と前記導電膜との間に介在する第３絶縁層をさらに有し、前記第３絶縁層は、前記第１配線上にスルーホールを有し、前記導電膜は、前記第１配線に重なる第１導電膜部及び前記第２配線に重なる第２導電膜部を連続的に有し、前記第１導電膜部は、前記第３絶縁層の前記スルーホールを介して、前記第１配線に電気的に接続し、前記第２配線は、前記第３絶縁層を介して前記第２導電膜部と重なって、前記第２配線と前記第２導電膜部の間に前記キャパシタを形成することを特徴としてもよい。

【0011】

（６）（５）に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記画素電極は、前記第２配線の少なくとも一部と重なるように形成されていることを特徴としてもよい。

【0012】

（７）（１）に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記第１配線と前記導電膜との間及び前記第２配線と前記導電膜との間に介在する第３絶縁層をさらに有し、前記第３絶縁層は、前記第１配線上に第１スルーホールを有し、前記第２配線上に第２スルーホールを有し、前記導電膜は、前記第３絶縁層の前記第１スルーホールを介して前記第１配線に電気的に接続する第１導電膜部と、前記第１導電膜部から分離して前記第３絶縁層の前記第２スルーホールを介して前記第２配線に電気的に接続して前記第１配線の上方に至るように延びる第２導電膜部と、を含み、前記第１配線は、前記第３絶縁層を介して前記第２導電膜部と重なって、前記第１配線と前記第２導電膜部の間に前記キャパシタを形成することを特徴としてもよい。

【0013】

（８）（７）に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記画素電極は、前記第２絶縁層を介して前記第２導電膜部と重なって、前記画素電極と前記第２導電膜部の間にも前記キャパシタを形成することを特徴としてもよい。

【0014】

（９）（８）に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記画素電極は、前記第１配線の少なくとも一部と重なるように形成されていることを特徴としてもよい。

【0015】

（１０）（１）から（９）のいずれか１項に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記第１絶縁層上に配置された端子をさらに有し、前記導電膜は、前記端子に載るように形成されていることを特徴としてもよい。

【0016】

（１１）（５）から（９）のいずれか１項に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記第１絶縁層上に配置された端子をさらに有し、前記第３絶縁層は、前記端子に載るように形成され、前記端子の一部を露出させるスルーホールを有し、前記導電膜は、前記端子の前記第３絶縁層からの露出部に載るように形成されていることを特徴としてもよい。

【0017】

（１２）（１０）又は（１１）に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記第２絶縁層は、前記端子に載るように設けられ、前記端子の上方で前記導電膜の一部を露出させる開口を有することを特徴としてもよい。

【図面の簡単な説明】

【0018】

【図1】本発明の第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の断面図である。

【図2】図１に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置の回路図である。

【図3】本発明の第１の実施形態の変形例に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の断面図である。

【図4】本発明の第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の断面図である。

【図5】本発明の第３の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0019】

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。

【0020】

［第１の実施形態］
図１は、本発明の第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の断面図である。有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、ガラスなどからなる基板１０を有する。基板１０の上に半導体層１２が形成されている。半導体層１２を覆ってゲート絶縁膜１４が形成されている。ゲート絶縁膜１４の上にはゲート電極１６が形成され、半導体層１２及びゲート電極１６を覆って第１絶縁層１８が形成されている。第１絶縁層１８を貫通して、半導体層１２に至るようにソース電極２０及びドレイン電極２２が設けられている。半導体層１２、ソース電極２０、ドレイン電極２２及びゲート電極１６は、薄膜トランジスタ２４の構成要素となっている。

【0021】

図２は、図１に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置の回路図である。薄膜トランジスタ２４のソース電極２０及びドレイン電極２２の一方には、電流供給線２６が電気的に接続されている。また、ソース電極２０及びドレイン電極２２の他方は、第１配線２８に電気的に接続されている。図１では、ソース電極２０及びドレイン電極２２の他方と第１配線２８は一体的に形成されている。第１配線２８は、第１絶縁層１８上に配置されている。

【0022】

薄膜トランジスタ２４のゲート電極１６は、図２に示すように、データ線３０に電気的に接続されるようになっており、スイッチング素子３２がオンになると、データ線３０を介して制御信号が入力される。データ線３０とゲート電極１６は、第２配線３４によって電気的に接続される。第２配線３４は、図１に示すように、第１絶縁層１８上に配置されている。

【0023】

図１に示すように、第１配線２８及び第２配線３４の上には、第１配線２８及び第２配線３４よりも酸化被膜が形成されにくい材料から、導電膜３６が形成されている。例えば、第１配線２８及び第２配線３４がアルミニウムや銅などの金属から形成されているときには、導電膜３６は、酸化インジウムスズなどの酸化物半導体から形成する。

【0024】

導電膜３６は、第１配線２８に電気的に接続する第１導電膜部３８を含む。第１導電膜部３８の少なくとも一部あるいは一部のみが第１配線２８と接触している。導電膜３６は、第１導電膜部３８から分離して第２配線３４に電気的に接続する第２導電膜部４０を含む。第２導電膜部４０の少なくとも一部あるいは一部のみが第２配線３４と接触している。第１導電膜部３８及び第２導電膜部４０は、第１配線２８及び第２配線３４のいずれの重複も避けた位置（例えば第１絶縁層１８上）で、それぞれの端部の間に間隔があいており、これにより分離されている。第２導電膜部４０は、第２配線３４と重なる（あるいは接触する）位置から外れように第１絶縁層１８上に延びている。第１絶縁層１８上に第２絶縁層４２が形成されている。第２絶縁層４２は、ソース電極２０及びドレイン電極２２を覆う。第２絶縁層４２は、導電膜３６上にある。

【0025】

第２絶縁層４２上に画素電極４４（例えば陽極）が設けられている。画素電極４４は、光反射膜を含むように構成されている。あるいは、画素電極４４は、光反射膜と透明導電膜の積層構造を有してもよい。画素電極４４は、第２絶縁層４２を貫通して第１導電膜部３８に接続され、第１導電膜部３８を介して第１配線２８に電気的に接続する。したがって、図２に示すように、第１配線２８を介して、電流供給線２６から画素電極４４に電流が供給されるようになっている。なお、画素電極４４は、第１絶縁層１８の表面に垂直な方向で、第２配線３４との重複を避けるようになっている。

【0026】

それぞれの画素電極４４の少なくとも中央部を囲むように、樹脂などの絶縁体からバンク４６が設けられている。バンク４６に囲まれた画素電極４４上に、有機エレクトロルミネッセンス層４８が形成されている。有機エレクトロルミネッセンス層４８は、少なくとも発光層を含み、さらに、電子輸送層、正孔輸送層、電子注入層及び正孔注入層のうち少なくとも一層を含む。有機エレクトロルミネッセンス層４８を構成する少なくとも一層は有機材料からなる。有機エレクトロルミネッセンス層４８は、蒸着又はスパッタリングによって形成する。

【0027】

有機エレクトロルミネッセンス層４８上からバンク４６上に至るように光透過性の共通電極５０（例えば陰極）が形成されている。共通電極５０は、全ての画素電極４４の全体を覆うように形成されている。画素電極４４と共通電極５０の間に有機エレクトロルミネッセンス層４８が挟まれている。画素電極４４及び共通電極５０に電圧をかけることにより各々から正孔と電子を有機エレクトロルミネッセンス層４８に注入する。注入された正孔と電子が発光層で結合して光を発する。

【0028】

第１絶縁層１８上には、端子５２が設けられている。導電膜３６は、端子５２に載るように形成されている。第２絶縁層４２は、端子５２に載るように設けられ、端子５２の上方で導電膜３６の一部を露出させる開口５４を有する。開口５４を介して、端子５２を覆う導電膜３６の一部が露出しており、外部との電気的接続を図ることができる。端子５２は、導電膜３６に覆われることで、酸化被膜が形成されにくくなっている。

【0029】

画素電極４４、第１配線２８及び第２配線３４の少なくとも１つと導電膜３６とは、電気的に絶縁された状態で重なるように位置している。図１の例では、画素電極４４と第２導電膜部４０が重なり、両者間に第２絶縁層４２が介在している。したがって、画素電極４４と第２導電膜部４０との間にキャパシタＣが形成される。画素電極４４が第１配線２８と電気的に接続し、第２導電膜部４０が第２配線３４と電気的に接続するので、第１配線２８と第２配線３４の間に、キャパシタＣが形成される。キャパシタＣは、図２に示すように、データ線３０から入力された制御信号が保持されるので保持容量である。キャパシタＣに保持された制御信号によって、薄膜トランジスタ２４がオンの状態で保持される。

【0030】

本実施形態によれば、画素電極４４、第１配線２８、第２配線３４及び導電膜３６は、第１絶縁層１８の上方に位置する。したがって、薄膜トランジスタ２４よりも上にある第１絶縁層１８の上方にキャパシタＣを形成するので、薄膜トランジスタ２４が広い領域を占有していてもキャパシタＣの形成が可能である。キャパシタＣは、画素電極４４、第１配線２８及び第２配線３４の少なくとも１つと導電膜３６を電気的に絶縁された状態で重ねることで形成するので、新規の層や形成工程を追加する必要がない。

【0031】

図３は、本発明の第１の実施形態の変形例に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の断面図である。この例は、第２絶縁層１４２が端子１５２に載らないように設けられる点で図１の例とは異なり、それ以外の構成は、第１の実施形態で説明した内容が該当する。

【0032】

［第２の実施形態］
図４は、本発明の第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の断面図である。

【0033】

本実施形態では、第１配線２２８及び第２配線２３４の上に第３絶縁層２５６が設けられている。第３絶縁層２５６上に導電膜２３６が形成されている。導電膜２３６は、第１配線２２８に重なる第１導電膜部２３８及び第２配線２３４に重なる第２導電膜部２４０を連続的に有している。第３絶縁層２５６は、第１配線２２８と第１導電膜部２３８との間及び第２配線２３４と第２導電膜部２４０との間に介在している。

【0034】

第３絶縁層２５６は、第１配線２２８上にスルーホール２５８を有している。第１導電膜部２３８は、第３絶縁層２５６のスルーホール２５８を介して、第１配線２２８に電気的に接続している。これに対して、第３絶縁層２５６は、第２配線２３４上にはスルーホールを有していないので、第２導電膜部２４０と第２配線２３４とは電気的に絶縁されている。

【0035】

第２配線２３４は、第３絶縁層２５６を介して第２導電膜部２４０と重なっている。第２導電膜部２４０は、第１導電膜部２３８と一体的であるため、第１配線２２８と電気的に接続されているが、第２配線２３４とは絶縁されている。したがって、第２配線２３４と第２導電膜部２４０の間にキャパシタＣ´が形成される。キャパシタＣ´は、図２に示すキャパシタＣと同様に、第１配線２２８と第２配線２３４の間で、データ線３０から入力された制御信号を保持する保持容量である。

【0036】

本実施形態のその他の構成は、第１の実施形態で説明した内容が該当する。ただし、図４の例では、図１の例とは異なり、画素電極２４４は、第２配線２３４の少なくとも一部と重なるように形成されている。また、端子２５２と導電膜２３６の間に第３絶縁層２５６が介在するので、第３絶縁層２５６には端子２５２の上方に開口２５４が形成されて、端子２５２と導電膜２３６の電気的接続が図られている。

【0037】

［第３の実施形態］
図５は、本発明の第３の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の断面図である。

【0038】

本実施形態では、第１配線３２８及び第２配線３３４の上に第３絶縁層３５６が設けられている。第３絶縁層３５６上に導電膜３３６が形成されている。つまり、第１配線３２８と導電膜３３６との間及び第２配線３３４と導電膜３３６との間に第３絶縁層３５６が介在する。

【0039】

導電膜３３６は、第３絶縁層３５６を介して第１配線３２８に重なる第１導電膜部３３８を含む。第１導電膜部３３８は、第１配線３２８の一部を避けて残りの領域の上方に設けられている。第３絶縁層３５６は、第１配線３２８上に第１スルーホール３６０を有する。第３絶縁層３５６の第１スルーホール３６０を介して、第１導電膜部３３８は第１配線３２８に電気的に接続している。

【0040】

導電膜３３６は、第２配線３３４に電気的に接続する第２導電膜部３４０を含む。第２導電膜部３４０は、第３絶縁層３５６を介して第２配線３３４に重なる。第３絶縁層３５６は、第２配線３３４上に第２スルーホール３６２を有する。第２導電膜部３４０は、第３絶縁層３５６の第２スルーホール３６２を介して、第２配線３３４に電気的に接続する。

【0041】

第２導電膜部３４０は、第１配線３２８の上方に至るように延びる。第１配線３２８の上方の第１導電膜部３３８が存在しない領域に、第２導電膜部３４０の一部が位置する。ただし、第２導電膜部３４０は、第１導電膜部３３８とは分離されている。図５の例では、第１配線３２８の上方で、第１導電膜部３３８と第２導電膜部３４０の間に間隔があくようになっている。

【0042】

画素電極３４４は、第１導電膜部３３８と電気的に接続（図５の例では接触）しており、第１導電膜部３３８を介して第１配線３２８と電気的に接続されている。画素電極３４４は、第１配線３２８の少なくとも一部と重なるようになっており、図５の例ではさらに第２配線３３４の少なくとも一部と重なるようになっている。

【0043】

画素電極３４４は、第２絶縁層３４２を介して第２導電膜部３４０と重なっている。したがって、画素電極３４４と第２導電膜部３４０の間にキャパシタＣ_１が形成される。言い換えると、画素電極３４４が第１配線３２８に電気的に接続し、第２導電膜部３４０が第２配線３３４に電気的に接続するので、第１配線３２８と第２配線３３４の間に制御信号を保持するキャパシタＣ_１が形成される。

【0044】

第１配線３２８は、第３絶縁層３５６を介して第２導電膜部３４０と重なっている。したがって、第１配線３２８と第２導電膜部３４０の間にキャパシタＣ_２が形成される。言い換えると、第２導電膜部３４０が第２配線３３４に電気的に接続するので、第１配線３２８と第２配線３３４の間に制御信号を保持するキャパシタＣ_２が形成される。

【0045】

本実施形態では、第３絶縁層３５６は、端子３５２に載るように形成されており、端子３５２の一部を露出させる開口３５４を有する。導電膜３３６は、端子３５２の第３絶縁層３５６からの露出部に載るように形成されている。本実施形態のその他の構成は、第１の実施形態で説明した内容が該当する。

【0046】

本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。

【符号の説明】

【0047】

１０ 基板、１２ 半導体層、１４ ゲート絶縁膜、１６ ゲート電極、１８ 第１絶縁層、２０ ソース電極、２２ ドレイン電極、２４ 薄膜トランジスタ、２６ 電流供給線、２８ 第１配線、３０ データ線、３２ スイッチング素子、３４ 第２配線、３６ 導電膜、３８ 第１導電膜部、４０ 第２導電膜部、４２ 第２絶縁層、４４ 画素電極、４６ バンク、４８ 有機エレクトロルミネッセンス層、５０ 共通電極、５２ 端子、５４ 開口、１４２ 第２絶縁層、１５２ 端子、２２８ 第１配線、２３４ 第２配線、２３６ 導電膜、２３８ 第１導電膜部、２４０ 第２導電膜部、２４４ 画素電極、２５２ 端子、２５４ 開口、２５６ 第３絶縁層、２５８ スルーホール、３２８ 第１配線、３３４ 第２配線、３３６ 導電膜、３３８ 第１導電膜部、３４０ 第２導電膜部、３４２ 第２絶縁層、３４４ 画素電極、３５２ 端子、３５４ 開口、３５６ 第３絶縁層、３６０ 第１スルーホール、３６２ 第２スルーホール、Ｃ キャパシタ、Ｃ´ キャパシタ、Ｃ_１ キャパシタ、Ｃ_２ キャパシタ。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】