6201608 スクライブ方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6201608

(24)【登録日】2017年9月8日

(45)【発行日】2017年9月27日

(54)【発明の名称】スクライブ方法

(51)【国際特許分類】

   B28D 5/00 20060101AFI20170914BHJP

   C03B 33/037 20060101ALI20170914BHJP

【ＦＩ】

   B28D5/00 Z

   C03B33/037

【請求項の数】5

【全頁数】16

(21)【出願番号】特願2013-211114(P2013-211114)

(22)【出願日】2013年10月8日

(65)【公開番号】特開2015-74145(P2015-74145A)

(43)【公開日】2015年4月20日

【審査請求日】2016年8月29日

(73)【特許権者】

【識別番号】390000608

【氏名又は名称】三星ダイヤモンド工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100088672

【弁理士】

【氏名又は名称】吉竹 英俊

(74)【代理人】

【識別番号】100088845

【弁理士】

【氏名又は名称】有田 貴弘

(72)【発明者】

【氏名】中野 忠信

【審査官】 塩治 雅也

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０００−２６４６５６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 米国特許第０６４６０２５７（ＵＳ，Ｂ１）

【文献】 特開２０１２−０００７９３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１３−０７９１６６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１２−０７２００２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００３−２１２５７９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 米国特許出願公開第２０１０／０１５４６１４（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｂ２８Ｄ ５／００

Ｃ０３Ｂ ３３／０３７

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１および第２の辺によって構成された角を有する縁に囲まれた表面が設けられた基板を準備する工程と、
前記基板の前記表面をスクライブすることによって、前記第１の辺との間に前記基板の前記表面を部分的に挟むように第１のアシストラインを形成する工程と、
前記基板の前記表面上における、前記縁から離れかつ前記第１の辺と前記第１のアシストラインとの間の位置に、前記基板から離れていた刃先を押し付ける工程と、
前記基板の前記表面上に押し付けられた前記刃先を、前記第１のアシストラインと交差する第１の軌道で摺動させる工程とを備え、前記刃先が前記第１のアシストラインに交差することをきっかけとして第１のスクライブラインが形成し始められる、スクライブ方法。

【請求項2】

前記第１のアシストラインを形成する工程は、前記第２の辺から前記基板の前記表面をスクライブする工程を含む、請求項１に記載のスクライブ方法。

【請求項3】

前記第２の辺から前記基板の前記表面をスクライブする工程は、前記基板の前記表面上において刃先を摺動させる工程を含む、請求項２に記載のスクライブ方法。

【請求項4】

前記基板の前記表面上における、前記縁から離れかつ前記第２の辺と前記第１のスクライブラインとの間の位置に、前記基板から離れていた刃先を押し付ける工程と、
前記基板の前記表面上に押し付けられた前記刃先を、前記第１のスクライブラインと交差する第２の軌道で摺動させる工程とをさらに備え、前記刃先が前記第１のスクライブラインに交差することをきっかけとして第２のスクライブラインが形成し始められる、請求項１〜３のいずれか１項に記載のスクライブ方法。

【請求項5】

前記第１の辺から前記基板の前記表面をスクライブすることによって、前記第２の辺と前記第１のスクライブラインとに挟まれるように延びる第２のアシストラインを形成する工程と、
前記基板の前記表面上における、前記縁から離れかつ前記第２の辺と前記第２のアシストラインとの間の位置に、前記基板から離れていた刃先を押し付ける工程と、
前記基板の前記表面上に押し付けられた刃先を、前記第２のアシストラインおよび前記第１のスクライブラインに順に交差する第２の軌道で摺動させる工程とを備え、前記刃先が前記第２のアシストラインに交差することをきっかけとして第２のスクライブラインが形成し始められる、請求項１〜３のいずれか１項に記載のスクライブ方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、基板のスクライブ方法に関し、特に、刃先を用いたスクライブ方法に関する。

【背景技術】

【0002】

フラットディスプレイパネルまたは太陽電池パネルなどの電気機器の製造において、たとえば、ガラス板、半導体ウエハ、サファイアウエハ、またはセラミックス板など、脆性材料から作られた基板を切断することがしばしば必要となる。この際に、スクライブ装置により基板にスクライブがしばしば行われる。すなわち基板表面にスクライブラインが形成される。スクライブラインは、基板の厚さ方向に少なくとも部分的に進行したクラックが、基板の表面上においてライン状に延びているもののことをいう。クラックが厚さ方向に完全に進行している場合は、スクライブラインの形成のみでスクライブラインに沿って基板が完全に切断される。クラックが厚さ方向に部分的にしか進行していない場合は、スクライブラインの形成後に、ブレーク工程と称される応力付与がなされる。ブレーク工程によりクラックを厚さ方向に完全に進行させることで、スクライブラインに沿って基板が完全に切断される。

【0003】

スクライブラインは、基板の縁を起点とすると容易に形成することができる。なぜならば、基板の縁においては局所的な破壊が起こりやすく、この破壊を起点としてスクライブラインを延ばすことができるからである。しかしながら、基板上において縁から離れた位置からスクライブラインを形成し始めることが望まれる場合も多い。この場合、スクライブラインの起点が基板表面の平坦面上であることから、スクライブラインを形成し始める際に、刃先が基板上で滑ってしまいやすい。このためスクライブを形成し始めるためのきっかけとなる破壊（以下、起点クラックと称する）を発生させにくい。このため、起点クラックを形成する技術が検討されている。

【0004】

特開２０００−２６４６５６号公報（特許文献１）によれば、ワーク面にスクライブラインを形成するスクライブ方法が開示されている。スクライブ装置は、カッタと、カッタに振動を付与する振動発生部材とを有するスクライブ本体を含む。この方法によれば、スクライブ本体を、ワークから上方に離した状態でワーク面に沿って相対移動させることにより、カッタがスクライブ開始点の真上に位置させられる。次に、スクライブ本体を下降させることにより、カッタの先端がスクライブ本体の自重をもってスクライブ開始点に当てられる。その後、スクライブ本体に衝撃を付与することで、ワーク面において縁から離れたスクライブ開始点に起点クラックが形成される。ワークに振動を与えることで、起点クラックをきっかけにしてスクライブラインが形成される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２０００−２６４６５６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

上記公報に記載のスクライブ装置によれば、起点クラックが、スクライブ本体（スクライブヘッド）に衝撃を付与することで形成される。しかしながら衝撃にのみ依存してスクライブラインの起点を得ようとすると、カッタに対して大きな衝撃力を加える必要がある。このためカッタの刃先へ大きなダメージが加わる。

【0007】

本発明は以上のような課題を解決するためになされたものであり、その目的は、刃先へのダメージを抑えつつ、スクライブラインの形成を基板の縁から離れた位置から開始することができるスクライブ方法を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明のスクライブ方法は、次の工程を有する。第１および第２の辺によって構成された角を有する縁に囲まれた表面が設けられた基板が準備される。基板の表面をスクライブすることによって、第１の辺との間に基板の表面を部分的に挟むように第１のアシストラインが形成される。基板の表面上における、縁から離れかつ第１の辺と第１のアシストラインとの間の位置に、基板から離れていた刃先が押し付けられる。基板の表面上に押し付けられた刃先が、第１のアシストラインと交差する第１の軌道で摺動させられる。刃先が第１のアシストラインに交差することをきっかけとして第１のスクライブラインが形成し始められる。

【0009】

このスクライブ方法によれば、摺動する刃先が、第１のアシストラインに交差することをきっかけとして、第１のスクライブラインを形成し始める。これにより、第１のスクライブラインの形成のきっかけを確保するために刃先に大きな衝撃を加える必要がなくなる。よって刃先へのダメージを抑えつつ、第１のスクライブラインの形成を基板の縁から離れた位置から開始することができる。

【0010】

好ましくは、第１のアシストラインが形成される際に、第２の辺から基板の表面がスクライブされる。これにより、第１のアシストラインの形成を、第２の辺をきっかけとして開始することができる。

【0011】

より好ましくは、第２の辺から基板の表面がスクライブされる際に、基板の表面上において刃先が摺動させられる。摺動する刃先は基板の表面に食い込むきっかけを一般に得にくいものの、基板の第２の辺上、すなわち縁上では、基板中に食い込みやすい。よって摺動する刃先を用いる場合であっても第１のアシストラインの形成を容易に開始することができる。

【0012】

上記スクライブ方法は、次の工程をさらに有してもよい。基板の表面上における、縁から離れかつ第２の辺と第１のスクライブラインとの間の位置に、基板から離れていた刃先が押し付けられる。基板の表面上に押し付けられた刃先が、第１のスクライブラインと交差する第２の軌道で摺動させられる。刃先が第１のスクライブラインに交差することをきっかけとして第２のスクライブラインが形成し始められる。これにより、第１のスクライブラインが、第２のスクライブラインの形成のきっかけを確保するアシストラインとして利用される。よって別途アシストラインが形成される場合に比して、工程を簡素化することができる。

【0013】

あるいは上記スクライブ方法は、次の工程をさらに有してもよい。第１の辺から基板の表面をスクライブすることによって、第２の辺と第１のスクライブラインとに挟まれるように延びる第２のアシストラインが形成される。基板の表面上における、縁から離れかつ第２の辺と第２のアシストラインとの間の位置に、基板から離れていた刃先が押し付けられる。基板の表面上に押し付けられた刃先が、第２のアシストラインおよび第１のスクライブラインに順に交差する第２の軌道で摺動させられる。刃先が第２のアシストラインに交差することをきっかけとして第２のスクライブラインが形成し始められる。これにより、第２のアシストラインを利用して形成し始められた第２のスクライブラインは、伸展することによって安定化した後に、第１のスクライブラインと交差する。よって、第１のスクライブラインの近傍で、第２のスクライブラインを安定的に形成することができる。

【発明の効果】

【0014】

本発明によれば、上述したように、刃先へのダメージを抑えつつ、スクライブラインの形成を基板の縁から離れた位置から開始することができる。

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】本発明の実施の形態１におけるスクライブ方法を概略的に示すフロー図である。

【図2】本発明の実施の形態１におけるスクライブ方法の第１工程を概略的に示す上面図である。

【図3】本発明の実施の形態１におけるスクライブ方法の第２工程を概略的に示す上面図である。

【図4】本発明の実施の形態１におけるスクライブ方法の第３工程を概略的に示す上面図である。

【図5】本発明の実施の形態１におけるスクライブ方法の第４工程を概略的に示す上面図である。

【図6】本発明の実施の形態１におけるスクライブ方法の第５工程を概略的に示す上面図である。

【図7】本発明の実施の形態１におけるスクライブ方法の第６工程を概略的に示す上面図である。

【図8】本発明の実施の形態１におけるスクライブ方法の第７工程を概略的に示す上面図である。

【図9】図２の工程を概略的に示す部分側面図である。

【図10】本発明の実施の形態２におけるスクライブ方法の一工程を概略的に示す部分側面図である。

【図11】本発明の実施の形態３におけるスクライブ方法の第１工程を概略的に示す上面図である。

【図12】本発明の実施の形態３におけるスクライブ方法の第２工程を概略的に示す上面図である。

【図13】本発明の実施の形態３におけるスクライブ方法の第３工程を概略的に示す上面図である。

【図14】本発明の実施の形態３におけるスクライブ方法の第４工程を概略的に示す上面図である。

【図15】本発明の実施の形態３におけるスクライブ方法の第５工程を概略的に示す上面図である。

【図16】本発明の実施の形態３におけるスクライブ方法の第６工程を概略的に示す上面図である。

【図17】本発明の実施の形態３におけるスクライブ方法の第７工程を概略的に示す上面図である。

【図18】本発明の実施の形態４におけるスクライブ方法を概略的に示すフロー図である。

【図19】本発明の実施の形態４におけるスクライブ方法の第１工程を概略的に示す上面図である。

【図20】本発明の実施の形態４におけるスクライブ方法の第２工程を概略的に示す上面図である。

【図21】本発明の実施の形態４におけるスクライブ方法の第３工程を概略的に示す上面図である。

【図22】本発明の実施の形態４におけるスクライブ方法の第４工程を概略的に示す上面図である。

【発明を実施するための形態】

【0016】

以下、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。

【0017】

（実施の形態１）
図１は、本実施の形態におけるスクライブ方法を概略的に示すフロー図である。図２〜図８は、このスクライブ方法の工程を順に示す上面図である。

【0018】

図２を参照して、ガラスから作られたマザー基板４（基板）が準備される（図１：ステップＳ１０）。マザー基板４には、辺Ｄ１〜Ｄ４（第１〜第４の辺）を有する縁に囲まれた表面が設けられている。辺Ｄ１およびＤ２は、図中、左上の角を構成している。辺Ｄ２およびＤ３は、図中、右上の角を構成している。辺Ｄ３およびＤ４は、図中、右下の角を構成している。辺Ｄ４およびＤ１は、図中、左下の角を構成している。本実施の形態においては、マザー基板４の表面は、これら４つの角を有する長方形の縁に囲まれている。ここで長方形とは、正方形を含む概念である。

【0019】

マザー基板４の表面が、辺Ｄ１と平行な方向ＤＲ１に向かって辺Ｄ２からスクライブされる。具体的には、さらに図９を参照して、テーブル１１上に支持されたマザー基板４の表面上において、カッタ１２０の刃先１２１（図９）が方向ＤＲ１に向かって摺動させられる。これにより、辺Ｄ１から離れかつ辺Ｄ２上に位置する起点ＰＬ１から方向ＤＲ１に向かってアシストラインＡＬ１（第１のアシストライン）が形成される（図１：ステップＳ２０）。アシストラインＡＬ１は、辺Ｄ１との間にマザー基板４の表面を部分的に挟むように（図中、マザー基板４の左部分を挟むように）形成される。本実施の形態においては、アシストラインＡＬ１は辺Ｄ１と平行に延び、辺Ｄ２およびＤ４の間をつなぐ。

【0020】

なお図９に示すように、カッタ１２０は、刃先１２１を保持するホルダ１２２を有してもよい。カッタ１２０はダイヤモンドポイントであることが好ましい。すなわち刃先１２１はダイヤモンドから作られていることが好ましい。ダイヤモンドは、天然のもしくは合成された単結晶体ダイヤモンド、多結晶体ダイヤモンド、またはダイヤモンド粒子を鉄族元素などの結合材によって結合させた焼結ダイヤモンドである。

【0021】

図３を参照して、マザー基板４から離れていた刃先１２１（図９）がマザー基板４の表面上の接触点ＰＰ１に押し付けられる（図１：ステップＳ３０）。接触点ＰＰ１は、マザー基板４の縁から離れ、かつ辺Ｄ１とアシストラインＡＬ１との間である。ここで「辺Ｄ１とアシストラインＡＬ１との間」とは、辺Ｄ１およびアシストラインＡＬ１に挟まれ、かつ辺Ｄ１およびアシストラインＡＬ１の各々から離れた位置のことである。本実施の形態においては、この刃先１２１はアシストラインＡＬ１の形成に用いたものと同一または同様のものである。次に、マザー基板４の表面上に押し付けられた刃先１２１が、アシストラインＡＬ１と交差点ＰＡ１で交差して辺Ｄ３に至る軌道ＴＪ１（第１の軌道）で、辺Ｄ２と平行な方向ＤＲ２に向かって摺動させられる（図１：ステップＳ４０）。

【0022】

図４を参照して、刃先１２１がアシストラインＡＬ１に交差することをきっかけとして、スクライブラインＳＬ１（第１のスクライブライン）が形成し始められる。具体的には、接触点ＰＰ１から交差点ＰＡ１までの区間ＮＬ１においてマザー基板４の表面を滑っていた刃先１２１が、交差点ＰＡ１においてアシストラインＡＬ１のクラックに引っ掛かる。これにより刃先１２１が交差点ＰＡ１を起点としてスクライブラインＳＬ１を形成し始める。

【0023】

なお刃先１２１がマザー基板４の表面を滑る場合、マザー基板４の表面に傷が形成され得る。この傷は、前述したブレーク工程に利用するには浅すぎるものであり、本明細書における「スクライブライン」に相当するものではない。

【0024】

図５を参照して、スクライブラインＳＬ１と辺Ｄ４との間に、スクライブラインＳＬ１と並走するスクライブラインＳＬ１ａ〜ＳＬ１ｄが形成される。スクライブラインＳＬ１ａ〜ＳＬ１ｄの形成方法は、スクライブラインＳＬ１の形成方法と同様である。

【0025】

図６を参照して、マザー基板４から離れていた刃先１２１（図９）がマザー基板４の表面上の接触点ＰＰ２に押し付けられる（図１：ステップＳ５０）。接触点ＰＰ２は、マザー基板４の縁から離れ、かつ辺Ｄ２とスクライブラインＳＬ１との間である。ここで「辺Ｄ２とスクライブラインＳＬ１との間」とは、辺Ｄ２およびスクライブラインＳＬ１に挟まれ、かつ辺Ｄ２およびスクライブラインＳＬ１の各々から離れた位置のことである。本実施の形態においては、この刃先１２１はアシストラインＡＬ１の形成に用いたものと同一または同様のものである。次に、マザー基板４の表面上に押し付けられた刃先１２１が、スクライブラインＳＬ１と交差点ＰＳ２で交差する軌道ＴＪ２（第２の軌道）で、辺Ｄ１と平行に摺動させられる（図１：ステップＳ６０）。

【0026】

図７を参照して、刃先１２１がスクライブラインＳＬ１に交差することをきっかけとして、スクライブラインＳＬ２（第２のスクライブライン）が形成し始められる。具体的には、接触点ＰＰ２から交差点ＰＳ２までの区間ＮＬ２においてマザー基板４の表面を滑っていた刃先１２１が、交差点ＰＳ２においてスクライブラインＳＬ１のクラックに引っ掛かることによって、交差点ＰＳ２を起点としてスクライブラインＳＬ２を形成し始める。

【0027】

図８を参照して、スクライブラインＳＬ２と辺Ｄ３との間に、スクライブラインＳＬ２と並走するスクライブラインＳＬ２ａおよびＳＬ２ｂが形成される。スクライブラインＳＬ２ａおよびＳＬ２ｂの形成方法は、スクライブラインＳＬ２の形成方法と同様である。

【0028】

以上により、辺Ｄ２に平行に並走するスクライブラインＳＬ１およびＳＬ１ａ〜ＳＬ１ｄと、辺Ｄ１に平行に並走するアシストラインＡＬ１、スクライブラインＳＬ２、ＳＬ２ａおよびＳＬ２ｂとによって、単位基板Ｕ１〜Ｕ１２となる部分が区画される。次にマザー基板４がブレーク装置（図示せず）へと搬送される。そしてマザー基板４のブレーク工程が行われる。これにより、互いに分離された単位基板Ｕ１〜Ｕ１２が得られる。

【0029】

本実施の形態によれば、摺動する刃先１２１（図９）が、アシストラインＡＬ１（図４）に交差点ＰＡ１で交差することをきっかけとして、スクライブラインＳＬ１を形成し始める。これにより、スクライブラインＳＬ１の形成のきっかけを確保するために刃先１２１に大きな衝撃を加える必要がなくなる。よって刃先１２１へのダメージを抑えつつ、スクライブラインＳＬ１の形成をマザー基板４の縁から離れた位置（交差点ＰＡ１）から開始することができる。

【0030】

またアシストラインＡＬ１（図２）が形成される際に、辺Ｄ２上の起点ＰＬ１からマザー基板４の表面がスクライブされる。これにより、アシストラインＡＬ１の形成を、辺Ｄ２をきっかけとして開始することができる。また辺Ｄ２からマザー基板４の表面がスクライブされる際に、マザー基板４の表面上において刃先１２１（図９）が摺動させられる。摺動する刃先１２１はマザー基板４の表面に食い込むきっかけを一般に得にくいものの、マザー基板４の辺Ｄ２上、すなわち縁上では、マザー基板４中に食い込みやすい。よって摺動する刃先１２１を用いる場合であってもアシストラインＡＬ１の形成を容易に開始することができる。

【0031】

また刃先１２１がスクライブラインＳＬ１（図７）に交差点ＰＳ２で交差することをきっかけとしてスクライブラインＳＬ２が形成し始められる。これにより、スクライブラインＳＬ１が、スクライブラインＳＬ２の形成のきっかけを確保するアシストラインとして利用される。よって別途アシストラインが形成される場合に比して、工程を簡素化することができる。

【0032】

（実施の形態２）
図１０を参照して、本実施の形態では、実施の形態１においてスクライブラインＳＬ１を形成する際に（図３および図４）、スクライブヘッド３０が用いられる。スクライブヘッド３０は、スクライブヘッド３０をマザー基板４に対して相対変位させる機構（図１０において図示せず）とともに、スクライブ装置に組み込まれて用いられる。

【0033】

スクライブヘッド３０は、ボディ部１１０と、カッタ１２０（図９）と、荷重部１３０とを有する。カッタ１２０はボディ部１１０に取り付けられている。カッタ１２０は、ボディ部１１０からの作用によって、マザー基板４の表面に力Ｆで押し付けられる。ボディ部１１０は支点ＡＸ周りに回動可能に支持されている。荷重部１３０は、マザー基板４の表面上へカッタ１２０が押し付けられるようにボディ部１１０に連続的な力ＬＤを加え得るものである。荷重部１３０は、力ＬＤを発生させるためのエアシリンダ１３１と、力を伝達するための押圧ピン１３２とを有する。

【0034】

エアシリンダ１３１によってボディ部１１０に連続的な力ＬＤが加えられることで、マザー基板４の表面上へカッタ１２０の刃先１２１が力Ｆで押し付けられる。力Ｆが加えられた状態で、スクライブヘッド３０を方向ＤＲ２に向かって移動させることでマザー基板４の表面上で刃先１２１が走行させられる。方向ＤＲ２は、支点ＡＸから刃先１２１へ向かう方向に沿っている。よってマザー基板４の表面上における刃先１２１の走行は、刃先１２１の後側に支点ＡＸが位置するように行われる。

【0035】

なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態１の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。

【0036】

本実施の形態によれば、ボディ部１１０の回動運動を介して刃先１２１に荷重を伝達することができる。またマザー基板４の表面上で刃先１２１が走行する際に、支点ＡＸが刃先１２１の後側に位置する。これにより、スクライブラインＳＬ１の形成においてカッタ１２０がマザー基板４中へ食い込みやすくなる。よって、スクライブラインＳＬ１を形成し始めるきっかけを交差点ＰＡ１（図４）でより確実に得ることができる。よってスクライブラインＳＬ１をより確実に形成することができる。

【0037】

（実施の形態３）
図１１〜図１７は、本実施の形態におけるスクライブ方法の工程を順に示す上面図である。

【0038】

図１１を参照して、マザー基板４が準備される（図１：ステップＳ１０）。マザー基板４の表面が、辺Ｄ１と平行な方向ＤＲ１に向かって、辺Ｄ２から、終点ＰＥ１まで、刃先１２１（図９）によってスクライブされる。終点ＰＥ１はマザー基板４の表面の縁から離れている。これにより、辺Ｄ１から離れかつ辺Ｄ２上に位置する起点ＰＬ１から方向ＤＲ１に向かってアシストラインＡＬ１ｖ（第１のアシストライン）が形成される（図１：ステップＳ２０）。アシストラインＡＬ１は、辺Ｄ１との間にマザー基板４の表面を部分的に挟むように（図中、マザー基板４の左上部分を挟むように）形成される。本実施の形態においては、アシストラインＡＬ１は辺Ｄ１と平行に延びている。

【0039】

図１２を参照して、マザー基板４から離れていた刃先１２１（図９）がマザー基板４の表面上の接触点ＰＰ１に押し付けられる（図１：ステップＳ３０）。接触点ＰＰ１は、マザー基板４の縁から離れ、かつ辺Ｄ１とアシストラインＡＬ１ｖとの間である。ここで「辺Ｄ１とアシストラインＡＬ１ｖとの間」とは、辺Ｄ１およびアシストラインＡＬ１ｖに挟まれ、かつ辺Ｄ１およびアシストラインＡＬ１ｖの各々から離れた位置のことである。本実施の形態においては、この刃先１２１はアシストラインＡＬ１ｖの形成に用いたものと同一または同様のものである。次に、マザー基板４の表面上に押し付けられた刃先１２１が、アシストラインＡＬ１ｖと交差点ＰＡ１で交差して終点ＰＥ２に至る軌道ＴＪ１ｖ（第１の軌道）で、辺Ｄ２と平行な方向ＤＲ２に向かって摺動させられる（図１：ステップＳ４０）。終点ＰＥ２はマザー基板４の表面の縁から離れている。

【0040】

図１３を参照して、刃先１２１がアシストラインＡＬ１ｖに交差することをきっかけとして、スクライブラインＳＬ１ｖ（第１のスクライブライン）が形成し始められる。具体的には、接触点ＰＰ１から交差点ＰＡ１までの区間ＮＬ１においてマザー基板４の表面を滑っていた刃先１２１が、交差点ＰＡ１においてアシストラインＡＬ１ｖのクラックに引っ掛かることによって、交差点ＰＡ１を起点としてスクライブラインＳＬ１ｖを形成し始める。

【0041】

図１４を参照して、スクライブラインＳＬ１ｖと辺Ｄ４との間に、スクライブラインＳＬ１ｖと並走するスクライブラインＳＬ１ｖａ〜ＳＬ１ｖｄが形成される。スクライブラインＳＬ１ｖａ〜ＳＬ１ｖｄの形成方法は、スクライブラインＳＬ１ｖの形成方法と同様である。

【0042】

図１５を参照して、マザー基板４から離れていた刃先１２１（図９）がマザー基板４の表面上の接触点ＰＰ２に押し付けられる（図１：ステップＳ５０）。接触点ＰＰ２は、マザー基板４の縁から離れ、かつ辺Ｄ２とスクライブラインＳＬ１ｖとの間である。ここで「辺Ｄ２とスクライブラインＳＬ１ｖとの間」とは、辺Ｄ２およびスクライブラインＳＬ１ｖに挟まれ、かつ辺Ｄ２およびスクライブラインＳＬ１ｖの各々から離れた位置のことである。本実施の形態においては、この刃先１２１はアシストラインＡＬ１ｖの形成に用いたものと同一または同様のものである。次に、マザー基板４の表面上に押し付けられた刃先１２１が、スクライブラインＳＬ１ｖと交差点ＰＳ２で交差し、終点ＰＥ３に至る軌道ＴＪ２ｖ（第２の軌道）で、辺Ｄ１と平行に摺動させられる（図１：ステップＳ６０）。終点ＰＥ３はマザー基板４の表面の縁から離れている。

【0043】

図１６を参照して、刃先１２１がスクライブラインＳＬ１ｖに交差することをきっかけとして、スクライブラインＳＬ２ｖ（第２のスクライブライン）が形成し始められる。具体的には、接触点ＰＰ２から交差点ＰＳ２までの区間ＮＬ２においてマザー基板４の表面を滑っていた刃先１２１が、交差点ＰＳ２においてスクライブラインＳＬ１ｖのクラックに引っ掛かることによって、交差点ＰＳ２を起点としてスクライブラインＳＬ２ｖを形成し始める。

【0044】

図１７を参照して、スクライブラインＳＬ２ｖと辺Ｄ３との間に、スクライブラインＳＬ２ｖと並走するスクライブラインＳＬ２ｖａおよびＳＬ２ｖｂが形成される。スクライブラインＳＬ２ｖａおよびＳＬ２ｖｂの形成方法は、スクライブラインＳＬ２ｖの形成方法と同様である。

【0045】

以上により、辺Ｄ２に平行に並走するスクライブラインＳＬ１ｖおよびＳＬ１ｖａ〜ＳＬ１ｖｄと、辺Ｄ１に平行に並走するアシストラインＡＬ１ｖ、スクライブラインＳＬ２ｖ、ＳＬ２ｖａおよびＳＬ２ｖｂとによって、単位基板Ｕ１〜Ｕ１２となる部分が区画される。次にマザー基板４がブレーク装置（図示せず）へと搬送される。そしてマザー基板４のブレーク工程が行われる。これにより、互いに分離された単位基板Ｕ１〜Ｕ１２が得られる。

【0046】

なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態１または２の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。

【0047】

本実施の形態によれば、スクライブが終了した時点で、マザー基板４の表面の縁は、図１７に示すように、一続きにつながっている。具体的には、スクライブによって分けられていない領域が、縁に沿って辺Ｄ１から辺Ｄ４および辺Ｄ３を順に経由して辺Ｄ２へと連続的に延びている。これにより、スクライブ後ブレーク前のマザー基板４の搬送中に、マザー基板４が意図せずに複数の部分に分離してしまうことが抑制される。

【0048】

（実施の形態４）
図１８は、本実施の形態におけるスクライブ方法を概略的に示すフロー図である。本実施の形態においては実施の形態１の図２〜図５と同様の工程（図１のステップＳ１０〜Ｓ４０と同様の工程）がまず行われる。これ以降の工程について、以下に説明する。

【0049】

図１９を参照して、辺Ｄ１からマザー基板４の表面をスクライブすることによって、辺Ｄ２とスクライブラインＳＬ１とに挟まれるように延びるアシストラインＡＬ２（第２のアシストライン）が形成される（図１８：ステップＳ５２）。

【0050】

図２０を参照して、マザー基板４から離れていた刃先１２１（図９）がマザー基板４の表面上の接触点ＰＰ２に押し付けられる（図１８：ステップＳ５４）。接触点ＰＰ２は、マザー基板４の縁から離れ、かつ辺Ｄ２とアシストラインＡＬ２との間である。ここで「辺Ｄ２とアシストラインＡＬ２との間」とは、辺Ｄ２およびアシストラインＡＬ２に挟まれ、かつ辺Ｄ２およびアシストラインＡＬ２の各々から離れた位置のことである。本実施の形態においては、この刃先１２１はアシストラインＡＬ１の形成に用いたものと同一または同様のものである。次に、マザー基板４の表面上に押し付けられた刃先１２１が、アシストラインＡＬ２およびスクライブラインＳＬ１に順に交差する軌道ＴＪ２（第２の軌道）で摺動させられる（図１８：ステップＳ６２）。

【0051】

図２１を参照して、刃先１２１がアシストラインＡＬ２に交差することをきっかけとしてスクライブラインＳＬ２（第２のスクライブライン）が形成し始められる。具体的には、接触点ＰＰ２から交差点ＰＡ２までの区間ＮＬ２においてマザー基板４の表面を滑っていた刃先１２１が、交差点ＰＡ２においてアシストラインＡＬ２のクラックに引っ掛かることによって、交差点ＰＡ２を起点としてスクライブラインＳＬ２を形成し始める。

【0052】

図２２を参照して、スクライブラインＳＬ２と辺Ｄ３との間に、スクライブラインＳＬ２と並走するスクライブラインＳＬ２ａおよびＳＬ２ｂが形成される。スクライブラインＳＬ２ａおよびＳＬ２ｂの形成方法は、スクライブラインＳＬ２の形成方法と同様である。

【0053】

以上により、辺Ｄ２に平行に並走するスクライブラインＳＬ１およびＳＬ１ａ〜ＳＬ１ｄと、辺Ｄ１に平行に並走するアシストラインＡＬ１、スクライブラインＳＬ２、ＳＬ２ａおよびＳＬ２ｂとによって、単位基板Ｕ１〜Ｕ１２となる部分が区画される。次にマザー基板４がブレーク装置（図示せず）へと搬送される。そしてマザー基板４のブレーク工程が行われる。これにより、互いに分離された単位基板Ｕ１〜Ｕ１２が得られる。

【0054】

本実施の形態によれば、アシストラインＡＬ２（図２１）を利用して形成し始められたスクライブラインＳＬ２は、伸展することによって安定化した後に、スクライブラインＳＬ１と交差する。よって、スクライブラインＳＬ１の近傍で、スクライブラインＳＬ２を安定的に形成することができる。

【0055】

なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。たとえば、上記各実施の形態においてはアシストラインＡＬ１がマザー基板４の辺Ｄ２上の起点ＰＬ１（図２）から形成されるが、代わりに、辺Ｄ２から離れた起点から形成されてもよい。また図９に示すようにマザー基板４を静置しつつ刃先１２１を移動させることによってスクライブを行う代わりに、これと等価な相対移動がマザー基板４と刃先１２１との間で生じるように、刃先１２１を静止しつつマザー基板４を移動させたり、これら両方を移動させたりしてもよい。またマザー基板４はガラスから作られているが、代わりに、他の脆性材料から作られていてもよい。またアシストラインＡＬ１の形成（図２）のためのスクライブは、マザー基板４の表面上における刃先１２１の摺動（図９）の代わりに、ホイール状の刃先の転動によって行われてもよい。アシストラインＡＬ２（図１９）についても同様である。

【符号の説明】

【0056】

４ マザー基板（基板）
１１ テーブル
１１０ ボディ部
１２０ カッタ
１２１ 刃先
１２２ ホルダ
１３０ 荷重部
１３１ エアシリンダ
１３２ 押圧ピン
３０ スクライブヘッド
ＡＬ１，ＡＬ１ｖ アシストライン（第１のアシストライン）
ＡＬ２ アシストライン（第２のアシストライン）
ＡＸ 支点
Ｄ１〜Ｄ４ 辺（第１〜第４の辺）
ＳＬ１，ＳＬ１ｖ スクライブライン（第１のスクライブライン）
ＳＬ１ａ〜ＳＬ１ｄ，ＳＬ１ｖａ〜ＳＬ１ｖｄ スクライブライン
ＳＬ２，ＳＬ２ｖ スクライブライン（第２のスクライブライン）
ＳＬ２ａ，ＳＬ２ｂ，ＳＬ２ｖａ，ＳＬ２ｖｂ スクライブライン
ＴＪ１，ＴＪ１ｖ 軌道（第１の軌道）
ＴＪ２，ＴＪ２ｖ 軌道（第２の軌道）
Ｕ１〜Ｕ１２ 単位基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】