(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
前記クリアランス流路を形成する前記ディスプレーサの外周面又は前記シリンダの内周面の少なくとも一方に,前記冷媒ガスとの接触面積を増大させる接触面積増大部を形成したことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の極低温冷凍機。
【発明を実施するための形態】
【0011】
次に、本発明の実施の形態について図面と共に説明する。
【0012】
図1は、本発明の第1実施形態である極低温冷凍機1Aを示している。本実施形態に係る極低温冷凍機1Aは、冷媒ガスとしてヘリウムガスを用いるギフォードマクマホン(GM)タイプの冷凍機を例に挙げて説明するが、本発明の適用はGM冷凍機に限定されるものではなく、ディスプレーサを有する各種冷凍機に適用が可能なものである。また、本実施形態では極低温冷凍機1Aとして一段式の冷凍機を例示しているが、多段式の冷凍機に対しても適用が可能なものである。
【0013】
極低温冷凍機1Aは、ディスプレーサ2、シリンダ4、冷却ステージ5、蓄冷器7、及び圧縮機12等を有している。
【0014】
ディスプレーサ2は、ディスプレーサ本体2A(請求項に記載の本体部に相当する)、低温側熱伝導部2B、及び蓄冷器7等を有した構成とされている。ディスプレーサ本体2Aは有底筒状とされており、その内部には蓄冷材が収納された蓄冷器7が設けられている。
【0015】
ディスプレーサ本体2Aは、軸方向の熱伝達を小さく
するために、例えばベークライト(登録商標)など熱伝導係数の小さい材料が用いられる。
【0016】
蓄冷器7の高温側(図中、上方が高温側となる)には、冷媒ガスの流れを整流する整流器9が設けられている。また、蓄冷器7の低温側(図中、下方が低温側となる)にも、冷媒ガスの流れを整流する整流器10が設けられている。
【0017】
ディスプレーサ2の高温端に位置する上板部2Dには、冷媒ガスを室温室8(請求項に記載の空間部に相当する)から蓄冷器7に流すための第1流路11が複数形成されている。室温室8は、シリンダ4とディスプレーサ2の上板部2Dとの間に形成される空間である。
【0018】
この室温室8には、吸排気系が接続されている。吸排気系は、圧縮機12、サプライバルブ13、リターンバルブ14等を有している。サプライバルブ13が開くと共にリターンバルブ14が閉まることにより、圧縮機12で生成された高圧の冷媒ガスは室温室8に供給される。逆に、サプライバルブ13が閉じると共にリターンバルブ14が開くことにより、低圧の冷媒ガスは圧縮機12に還流させる。
【0019】
ディスプレーサ2の低温端には、低温側熱伝導部2Bが設けられている。また、ディスプレーサ本体2Aと低温側熱伝導部2Bとの間には、蓄冷器7と膨張空間3を連通する第2流路16が形成されている。この低温側熱伝導部2Bは、ピン6を用いてディスプレーサ本体2Aに結合されている。
【0020】
膨張空間3は、シリンダ4とディスプレーサ2により形成される空間である。この膨張空間3は、高圧の冷媒ガスが導入される。そして、ディスプレーサ2の移動に伴い膨張空間3の容積が略最大となった時点でリターンバルブ14が開かれることにより、冷媒ガスは断熱膨張して膨張空間3に寒冷が発生する。
【0021】
シリンダ4の膨張空間3に対応する位置には、冷却ステージ5が設けられている。この冷却ステージ5は被冷却物に熱的に接続されており、冷却ステージ5を介して被冷却物は冷却される。
【0022】
シリンダ4は、その内部にディスプレーサ2を移動可能に収容する。ディスプレーサ2の高温端には、図示しないスコッチヨーク機構が接続されている。よって、このスコッチヨーク機構により、ディスプレーサ2はシリンダ4内で往復移動する。
【0023】
このシリンダ4は、シリンダ本体4A及びシリンダ本体4Aを固定するためのトップフランジ4Bを有している。シリンダ本体4Aは円筒形状を有しており、その低温端部に冷却ステージ5が配設されると共に、高温端部にトップフランジ4Bが配設される。前記した室温室8は、このトップフランジ4Bとディスプレーサ2の上板部2Dとの間に形成される。
【0024】
シリンダ本体4Aは、ステンレス鋼により形成されている。またトップフランジ4Bは、ステンレス鋼等のシリンダ4と同じ材料、或いはこれよりも熱伝達効率の高い銅,アルミニウム等の材質により形成されている。
【0025】
また、ディスプレーサ2の外周面28とシリンダ4(トップフランジ4B)の内周面29との間には、クリアランスCLが形成されている。このクリアランスCLは、例えば0.1mm〜1.0mm程度の間隙とされている。
【0026】
また、シリンダ4は、伝熱部P1と熱拡散部P2を有している。伝熱部P1は、シリンダ4の外周のうち、クリアランスCLに対応する位置に設けられている。この伝熱部P1は、熱拡散部P2(本実施形態ではトップフランジ4Bの天板部分)に熱を伝達する部材である。
【0027】
熱拡散部P2は、クリアランスCLを流れる冷媒ガスから伝熱部P1を介して伝達された熱をシリンダ4の外部に逃がすための部材である。この熱拡散部P2の構成としては、例えばシリンダ4の外周に、ステンレス鋼等のシリンダ4と同じ材質、或いはこれよりも熱伝達効率の高い銅,アルミニウム等の材質の板を巻きつけることで構成することができる。また、熱拡散部P2に対応するシリンダ4自体の厚さを、他の位置より大きくすることにより構成してもよい。更に、熱拡散部P2をトップフランジ4Bと一体化することもできる。本実施形態では、シリンダ4を構成するトップフランジ4Bと熱拡散部P2とを一体化した例を示している。
【0028】
ディスプレーサ2(ディスプレーサ本体2A)とトップフランジ4Bとの間の所定位置には、シール15が装着されている。このシール15により、圧縮機12から供給された冷媒ガスがクリアランスCLを介して膨張空間3に流入することを防止している。
【0029】
次に、上記構成とされた極低温冷凍機1Aの動作を説明する。
【0030】
ディスプレーサ2がシリンダ4が下動した状態でサプライバルブ13を開とすると、圧縮機12で生成された高圧の冷媒ガスは室温室8内に供給される。そして、圧縮機12からの高圧の冷媒ガスの供給を維持しつつ、ディスプレーサ2を上動させる。これにより、室温室8内の高圧の冷媒ガスは、クリアランスCLから第1流路11を通り蓄冷器7に流入する。
【0031】
この際、前記のように冷媒ガスが蓄冷器7の内部を流れる際の流路抵抗は、冷媒ガスが圧縮機12から室温室8に流れる際の流路抵抗よりも大きいため、この流路抵抗差により室温室8内の冷媒ガスは圧縮され、これにより室温室8内の冷媒ガスの温度が上昇する。
【0032】
従来では、この高温の冷媒ガスが蓄冷器7に流入する構成とされていたため熱効率が低下していた。しかしながら本実施形態では、ディスプレーサ2に第
1流路11を形成すると共に、ディスプレー
サ2(ディスプレーサ本体2A)とシリンダ4(トップフランジ4B)との間にクリアランスCLを設けることにより、冷凍効率の低下を防止している。なおこれについては、説明の便宜上、後に詳述するものとする。
【0033】
蓄冷器7に流入した高圧の冷媒ガスは、蓄冷材により冷却されながらディスプレーサ2の下部に位置する第2流路16を通り膨張空間3に流入する。そして、膨張空間3が高圧の冷媒ガスで満たされ、またディスプレーサ2が上死点或いは上死点近傍の所定位置に達すると、サプライバルブ13を閉じられると共にリターンバルブ14が開かれる。これにより、冷媒ガスは断熱膨張し、膨張空間3に寒冷が発生する。この膨張空間3に発生した寒冷は、冷却ステージ5を介して被冷却物を冷却する。
【0034】
続いて、ディスプレーサ2は下死点に向けて移動し、膨張空間3の容積は減少する。これに伴い膨張空間3内の冷媒ガスは、第2流路16、蓄冷器7、第1流路11、及び室温室8を介して圧縮機12の吸入側に戻される。その際、蓄冷材は、冷媒ガスにより冷却される。この工程を1サイクルとし、極低温冷凍機1Aはこの冷却サイクルを繰り返すことで、冷却ステージ5を冷却する。
【0035】
ここで、ディスプレーサ2の上板部2Dに形成された第1流路11、及びディスプレーサ本体2Aとトップフランジ4Bとの間に形成されたクリアランスCLに注目し、以下説明する。
【0036】
本実施形態では、第1流路11が断面形状でL字形状とされている。よって、第1流路11の外周側端部11Aはディスプレーサ本体2A(ディスプレーサ2)の外周面28に開口した構成とされている。即ち、外周側端部11Aは、クリアランスCLに開口すると共にトップフランジ4Bの伝熱部P1と対向した構成とされている。また、第1流路11の内側端部11Bは、蓄冷器7と接続された構成とされている。
【0037】
前記のように室温室8内に流入した冷媒ガスは、室温室8内で圧縮されて温度が上昇する。この温度が上昇した冷媒ガスは、クリアランスCLを通り第1流路11(外周側端部11A)に流入する。
【0038】
この際、冷媒ガスは間隙が0.1mm〜1.0mm程度の狭いクリアランスCLを速い流速で通過するため、冷媒ガスとトップフランジ4Bの伝熱部P1との間、及び冷媒ガスとディスプレーサ本体2Aの上板部2Dとの間で熱交換が行われる。即ち、温度上昇した冷媒ガスの熱は、トップフランジ4Bの伝熱部P1を介して熱拡散部P2に伝達され、この熱拡散部P2で外部に放熱される。また、昇温した上板部2Dの熱は、外周面28を介してディスプレーサ本体2Aに熱伝導する。
【0039】
このように、冷媒ガスとディスプレーサ本体2A及びトップフランジ4Bとの間で熱交換が行われるため、冷媒ガスはクリアランスCLを通過する際に冷却される。
【0040】
従って、本実施形態では、室温室8で冷媒ガスの温度が上昇しても、この冷媒ガスはクリアランスCLを通過することにより冷却され、温度が低下した冷媒ガスが蓄冷器7に供給される。これにより、室温室8で冷媒ガスの温度が上昇しても、クリアランスCLを通過することにより冷媒ガスの温度が低下するため、蓄冷器7の蓄冷材の温度上昇は抑制され、よって極低温冷凍機1Aの冷却効率を高めることができる。
【0041】
この際、クリアランスCLを流れる冷媒ガスは、シリンダ4との間で熱交換を行うと共に上板部2Dとの間でも熱交換を行う。これにより上板部2Dの温度は上昇するが、この上板部2Dの熱はクリアランスCLを介してトップフランジ4Bに熱伝達する。これにより上板部2Dの温度は低下し、よって上板部2Dの熱が蓄冷器7に影響を及ぼすことを防止することができる。
【0042】
特に、上板部2Dの材質として、ディスプレーサ本体2Aの材料よりも熱伝導係数の大きい材料を用いることにより、蓄冷器7への影響をより有効に防止すことができる。
【0043】
次に、本発明の第2実施形態について説明する。
【0044】
図2は、第2実施形態に係る極低温冷凍機1Bを示している。なお、
図2において、
図1に示した構成と対応する構成については同一符号を付して、その説明省略する。
【0045】
前記した第1実施形態に係る極低温冷凍機1Aでは、ディスプレーサ2をディスプレーサ本体2Aと低温側熱伝導部2Bとを有する構成とし、第1流路11をディスプレーサ本体2Aの高温端側に一体的に形成された上板部2Dに形成した構成とした。
【0046】
これに対して本実施形態に係る極低温冷凍機1Bでは、ディスプレーサ2をディスプレーサ本体2A、低温側熱伝導部2B、及び高温側熱伝導部2Cにより構成し、高温側熱伝導部2Cに第1流路20を形成したことを特徴としている。
【0047】
高温側熱伝導部2C(請求項に記載の熱伝導部に相当する)は、ディスプレーサ本体2Aの高温端側に配設されている。この高温側熱伝導部2Cのディスプレーサ本体2Aに対する固定方法は特に限定されるものではなく、周知の方法を用いて固定することができる。
【0048】
具体的には、図示しない固定ピンを用いて
高温側熱伝導部を固定する方法、及びディスプレーサ本体2A及び高温側熱伝導部2Cに雄ネジ,雌ねじを形成しておき、これを螺合させることにより
高温側熱伝導部を固定する方法を用いることができる。
【0049】
この高温側熱伝導部2Cは、ディスプレーサ本体2Aの熱伝導率と等しいか、或いはそれよりも高い熱伝導率を有する材料により形成されている。この高温側熱伝導部2Cの具体的な材質としては、例えば銅、アルミニウム、ステンレス等を用いることができる。
【0050】
また、高温側熱伝導部2Cの外周面28とトップフランジ4Bの内周面29(伝熱部P1)は対向しており、その間にはクリアランスCLが形成されている。このクリアランスCLは、第1実施形態と同様に例えば0.1mm〜1.0mm程度の間隙とされている
第1流路20は、高温側熱伝導部2Cに形成された伝導部側流路20Aと、ディスプレーサ本体2Aに形成された本体側流路20Bとにより構成されている。
【0051】
伝導部側流路20Aは断面形状でL字形状とされており、その一端部は、高温側熱伝導部2Cの外周面28に開口した構成とされている。また本体側流路20Bは、ディスプレーサ本体2Aの高温端に位置する上板部2Dに形成されている。この本体側流路20Bの高温側の端部は上記の伝導部側流路20Aの他端部に接続され、低温側の端部は蓄冷器7に接続されている。
【0052】
よって本実施形態では、冷媒ガスの蓄冷器7内における流路抵抗と圧縮機12から室温室8に流入する際の流路抵抗との抵抗差に起因して室温室8内で温度上昇された冷媒ガスは、クリアランスCLを通り第1流路20(伝導部側流路20A)に流入する。
【0053】
この際、冷媒ガスは狭いクリアランスCLを速い流速で通過するため、冷媒ガスとトップフランジ4Bとの間、及び冷媒ガスと高温側熱伝導部2Cとの間で熱交換が行われる。即ち、温度上昇した冷媒ガスの熱は、内周面29を介してトップフランジ4Bに熱伝導すると共に、外周面28を介して高温側熱伝導部2Cに熱伝導する。
【0054】
本実施形態では、上記のように高温側熱伝導部2Cの熱伝導率をディスプレーサ本体2Aの熱伝導率と等しいか、或いはそれよりも高くなるよう設定している。よって、冷媒ガスと高温側熱伝導部2Cとの間で熱交換が行われる際、この熱交換をより高い効率を持って行うことができる。
【0055】
従って、本実施形態に係る極低温冷凍機1Bによれば、第1実施形態に比べて冷媒ガスがクリアランスCLを通過する際の冷却効率を高めることができる。またこれにより蓄冷器7の蓄冷材の温度上昇をより効果的に抑制することができ、極低温冷凍機1Bの冷却効率を更に高めることができる。
【0056】
次に、本発明の第3実施形態について説明する。
【0057】
図3は、第3実施形態に係る極低温冷凍機1Cを示している。なお、
図3において、
図1及び
図2に示した構成と対応する構成については同一符号を付して、その説明省略する。
【0058】
前記した第1及び第2実施形態に係る極低温冷凍機1A,1Bでは、ディスプレーサ本体2A及び高温側熱伝導部2Cの外周面28は平滑面とされており、同様にトップフランジ4Bの内周面29も平滑面とされていた。
【0059】
これに対して本実施形態に係る極低温冷凍機1Cは、クリアランスCLを形成するディスプレーサ本体2A(ディスプレーサ2)の外周面28及びトップフランジ4B(シリンダ4)の内周面29に、冷媒ガスとの接触面積を増大させる凹凸部25,26(請求項に記載の接触面積増大部に相当する)を形成したことを特徴としている。本実施形態では、凹凸部を螺旋溝25,26により構成している。
【0060】
この螺旋溝25はディスプレーサ本体2Aの外周面28の高温端側に形成されており、また螺旋溝26はディスプレーサ2が上死点に位置するときのディスプレーサ2に配設されたシール15の配設位置よりも高温側(伝熱部P1を含む領域)に形成されている。よって、本実施形態に係る極低温冷凍機1Cでは、螺旋溝25と螺旋溝26との間にクリアランスCLが形成される。
【0061】
また、螺旋溝25及び螺旋溝26の形成範囲は、ディスプレーサ2がシリンダ4内で移動する移動範囲において、常に螺旋溝25と螺旋溝26とが対向した範囲を有するよう設定されている。なお、螺旋溝25と螺旋溝26との平均離間距離は、第1及び第2実施形態と同様に0.1mm〜1.0mm程度とされている。
【0062】
このように、螺旋溝25,26を形成することにより、冷媒ガスとの接触面積を増大させることができ、これにより、冷媒ガスがクリアランスCLを通過する際の熱交換効率を高めることができる。よって本実施形態に係る極低温冷凍機1Cによれば、冷媒ガスとディスプレーサ2との間、及び冷媒ガスとシリンダ4との間で高い効率で熱交換が行われるため、冷媒ガスを効率良く冷却することができる。これにより蓄冷器7の温度上昇をより効果的に抑制でき、極低温冷凍機1Cの冷凍効率を高めることができる。
【0063】
なお、上記した実施形態ではディスプレーサ2に螺旋溝25を形成すると共に、シリンダ4にも螺旋溝26を形成した構成とした。しかしながら、螺旋溝は必ずしもディスプレーサ2及びシリンダ4の双方に設ける必要はなく、いずれか一方にのみ形成する構成とすることも可能である。
【0064】
また、上記した実施形態では、ディスプレーサ本体2Aと低温側熱伝導部2Bとにより構成されるディスプレーサ2の少なくとも一部に螺旋溝25を形成する構成を示した。しかしながら、第2実施形態で説明したディスプレーサ本体2A、低温側熱伝導部2B、及び高温側熱伝導部2Cにより構成されるディスプレーサ2において、高温側熱伝導部2Cの少なくとも一部に螺旋溝25を形成することも可能である。
【0065】
以上、本発明の好ましい実施形態について詳述したが、本発明は上記した特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能なものである。