特許 6202678 半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6202678

(24)【登録日】2017年9月8日

(45)【発行日】2017年9月27日

(54)【発明の名称】半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物

(51)【国際特許分類】

   C11D 3/20 20060101AFI20170914BHJP

   C11D 1/72 20060101ALI20170914BHJP

   C11D 3/43 20060101ALI20170914BHJP

   C11D 3/30 20060101ALI20170914BHJP

   B08B 3/08 20060101ALI20170914BHJP

   B08B 3/02 20060101ALI20170914BHJP

   C23G 1/20 20060101ALI20170914BHJP

【ＦＩ】

   C11D3/20

   C11D1/72

   C11D3/43

   C11D3/30

   B08B3/08 Z

   B08B3/02 A

   C23G1/20

【請求項の数】8

【全頁数】20

(21)【出願番号】特願2014-18695(P2014-18695)

(22)【出願日】2014年2月3日

(65)【公開番号】特開2015-145476(P2015-145476A)

(43)【公開日】2015年8月13日

【審査請求日】2016年12月8日

(73)【特許権者】

【識別番号】000000918

【氏名又は名称】花王株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000040

【氏名又は名称】特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ

(72)【発明者】

【氏名】大橋 秀巳

【審査官】 古妻 泰一

(56)【参考文献】

【文献】 特開平０８−０７３８９３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０８−１５７８８７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２００９／０２０１９９（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 米国特許出願公開第２０１０／０１８０９１７（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 国際公開第２０１０／０２４１４１（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 米国特許出願公開第２０１１／００９４５４５（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 特開２００９−２９８９４０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０７−１９５０４４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０８−１２７７９８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２０１１／０８１０７１（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 国際公開第２０１１／０２７６７３（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 米国特許出願公開第２０１２／００９０６４６（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 特開平０５−２８７３００（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２００７／１１９３９２（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開２００９−０４１０９４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１５−１１３３７９（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｃ１１Ｄ ３／２０

Ｂ０８Ｂ ３／０２

Ｂ０８Ｂ ３／０８

Ｃ１１Ｄ １／７２

Ｃ１１Ｄ ３／３０

Ｃ１１Ｄ ３／４３

Ｃ２３Ｇ １／２０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

ジエチレングリコールモノブチルエーテル（成分Ａ−１）、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル（成分Ａ−２）、下記式（Ｉ）で表される化合物（成分Ｂ）、ポリアルキレングリコールアルキルアミン型非イオン界面活性剤（成分Ｃ）、及び、水（成分Ｄ）を含有し、
成分Ａ−１の含有量が、４０．０質量％以上５４．６質量％以下、成分Ａ−２の含有量が、４０．０質量％以上５４．６質量％以下であり、
成分Ｂの含有量が、０．３質量％以上５．０質量％以下であり、及び、
成分Ｃの含有量が、０．１質量％以上５．０質量％以下である、
半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物。

【化1】

［上記式（Ｉ）において、Ｒ_１は水素原子、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基、炭素数１〜７の炭化水素基又はアミノエチル基、Ｒ_２は水素原子、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基又は炭素数１〜７の炭化水素基、Ｒ_３はヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基である。］

【請求項2】

成分Ｄの含有量が、５．０質量％以上１０．０質量％以下である、請求項１記載の洗浄剤組成物。

【請求項3】

成分Ａ−１と成分Ａ−２の合計の含有量が、８０．０質量％以上９４．６質量％以下である、請求項１又は２に記載の洗浄剤組成物。

【請求項4】

さらに、炭化水素及び／又は炭素数８〜１８の炭化水素基を有するポリアルキレングリコールエーテル型非イオン界面活性剤を含む請求項１から３のいずれかに記載の洗浄剤組成物。

【請求項5】

リフローされた半田を有する被洗浄物を請求項１から４のいずれかに記載の洗浄剤組成物で洗浄する工程を有する、半田フラックス残渣の洗浄方法。

【請求項6】

被洗浄物が、部品が半田で半田付けされた電子部品の製造中間物である、請求項５記載の洗浄方法。

【請求項7】

半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板からなる群から選択される少なくとも１つの部品を、フラックスを使用した半田付けにより回路基板上に搭載する工程、及び、前記搭載物を請求項５又は６記載のフラックス残渣の洗浄方法により洗浄する工程を含む、電子部品の製造方法。

【請求項8】

請求項１から４のいずれかに記載の洗浄剤組成物の電子部品の洗浄への使用。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物、半田フラックス残渣の洗浄方法及び電子部品の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、プリント配線板やセラミック基板への電子部品の実装に関しては、低消費電力、高速処理といった観点から、部品が小型化し、半田フラックスの洗浄においては洗浄すべき隙間が狭くなってきている。また、環境安全面から鉛フリー半田が用いられるようになってきており、これに伴いロジン系フラックスが用いられている。

【0003】

特許文献１には、半田付けした部品の隙間に残存するフラックス残渣の洗浄に好適なフラックス用洗浄剤組成物として、特定のグリコールエーテルと、アルカノールアミン、及び、炭素数１〜６のアルキル基を有するアルキルベンゼンスルホン酸及び／又はその塩及び水を含有するフラックス用洗浄剤組成物が開示されている。

【0004】

特許文献２には、鉛フリーはんだフラックスを用いて得られた被洗浄物を洗浄した場合でも、十分な洗浄力を有し、かつ、プレリンス水から容易に分離できる洗浄剤組成物として、水に対する溶解度と比重が異なる３種のグリコールエーテル類と、ポリオキシアルキレンアミン類と、キレート剤とを含有する鉛フリーはんだフラックス用洗浄剤組成物が開示されている。

【0005】

特許文献３には、狭い隙間に存在するフラックス残渣に対する洗浄性が高いだけでなく、水によるすすぎ性が良好であり、泡立ちが抑制された、フラックス残渣が付着した被洗浄物の洗浄方法として、水を２質量％以上１０質量％以下、グリコールエーテルを５０質量％以上９７．７５質量％未満及び、アミン化合物を０．０５質量％以上５質量％以下含む洗浄剤を用いて、特定の洗浄条件及び洗浄装置で洗浄する方法が開示されている。

【0006】

特許文献４には、電子部品又は精密部品類を洗浄剤で洗浄する洗浄方法において、非イオン性界面活性剤等の活性成分と性質を有する洗浄剤の水希釈液を用いて２０〜１００℃の温度で相分離しない状態にて洗浄する工程、および洗浄後の洗浄液を２０℃以上に保温しながら洗浄液中の有機物を分離する工程を有することを特徴とする電子部品又は精密部品類の洗浄方法が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0007】

【特許文献1】特開２００９−２９８９４０号公報

【特許文献2】ＷＯ２０１０／２４１４１

【特許文献3】ＷＯ２０１１／０８１０７１

【特許文献4】特開平７−１９５０４４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0008】

近年の鉛フリー化に伴い、１）リフロー温度の高温化、２）半田金属中のスズ含有量増加が原因で除去困難なロジン酸等のスズ塩がフラックス残渣中に増えたため、既存の洗浄剤では残存してしまうという問題がある。一方で、洗浄性の良いものは電極に用いる銅を腐食してしまうという問題が生じる。さらに、低消費電力、高速処理といった観点から、部品が小型化し洗浄すべき隙間が狭くなってきている。表面張力の低い洗浄剤は浸透力が高く、狭い隙間のフラックス残渣を溶解できるものの、すすぎ工程で使用する水は表面張力が高いため、隙間への浸透速度が遅く十分にすすげないといった問題が起こってきている。特許文献１や特許文献２の洗浄剤でも更なる洗浄性とすすぎ性の向上が望まれる。

【0009】

また、いわゆる水系、準水系洗浄剤の場合、すすぎに水を使用するため排水中に有機物が多い状態で排水処理を行うと処理後のＣＯＤ値を下げるために非常に労力がかかり、河川などに排出される排水処理水中のＣＯＤ値を十分に下げられない可能性があり、排水処理負荷を低減できる効率的な処理方法が必要とされる。さらに、電子部品の性能向上並びに高機能化に伴い、極めて高い清浄度を求められるようになったため、すすぎ回数の増加、即ちすすぎ水の使用量が増加したため排水処理負荷が大きくなってきており、効率的にすすげる洗浄剤が必要とされている。

【0010】

そこで、本開示は、一又は複数の実施形態において、半田フラックスを用いてリフローされた基板に対する洗浄性が優れる半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物を提供する。また、本開示は、一又は複数の実施形態において、すすぎ水の良好な油水分離性及び安全性（引火性の低減）を示しつつ、半田フラックスを用いてリフローされた基板に対する洗浄性、並びに、狭い隙間への浸透性及びすすぎ性に優れる半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0011】

本開示は、一又は複数の実施形態において、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（成分Ａ−１）、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル（成分Ａ−２）、下記式（Ｉ）で表される化合物（成分Ｂ）、ポリアルキレングリコールアルキルアミン型非イオン界面活性剤（成分Ｃ）、及び、水（成分Ｄ）を含有し、
成分Ａ−１の含有量が、４０．０質量％以上５４．６質量％以下であり、成分Ａ−２の含有量が、４０．０質量％以上５４．６質量％以下であり、
成分Ｂの含有量が、０．３質量％以上５．０質量％以下であり、及び、
成分Ｃの含有量が、０．１質量％以上５．０質量％以下である、
半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物に関する。

【化1】

［上記式（Ｉ）において、Ｒ_１は水素原子、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基、炭素数１〜７の炭化水素基又はアミノエチル基、Ｒ_２は水素原子、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基又は炭素数１〜７の炭化水素基、Ｒ_３はヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基である。］

【0012】

本開示は、その他の一又は複数の実施形態において、リフローされた半田を有する被洗浄物を本開示に係る洗浄剤組成物で洗浄する工程を有する、半田フラックス残渣の洗浄方法に関する。

【0013】

本開示は、その他の一又は複数の実施形態において、半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板からなる群から選択される少なくとも１つの部品を、フラックスを使用した半田付けにより回路基板上に搭載する工程、及び、前記搭載物を本開示に係るフラックス残渣の洗浄方法により洗浄する工程を含む電子部品の製造方法に関する。

【発明の効果】

【0014】

本開示によれば、一又は複数の実施形態において、半田フラックスを用いてリフローされた基板に対する洗浄性が優れる半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物、それを用いた洗浄方法、及び、それを用いた電子部品の製造方法を提供できる。また、本開示によれば、一又は複数の実施形態において、すすぎ水の良好な油水分離性及び安全性（引火性の低減）を示しつつ、半田フラックスを用いてリフローされた基板に対する洗浄性、並びに、狭い隙間への浸透性及びすすぎ性に優れる半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物、それを用いた洗浄方法、及び、それを用いた電子部品の製造方法を提供できる。

【発明を実施するための形態】

【0015】

本開示は、ジエチレングリコールモノブチルエーテルを主成分とするグリコールエーテルが多量に配合された洗浄剤組成物は、従来よりも洗浄性が向上するという知見に基づく。また、本開示は、該洗浄剤組成物は、すすぎ水の油水分離性、及び安全性（引火性の低減）が良好でありながら、洗浄性に加え、狭い隙間への浸透性及びすすぎ性が向上しうるという知見に基づく。

【0016】

すなわち、本開示は一態様において、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（成分Ａ−１）、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル（成分Ａ−２）、上記式（Ｉ）で表される化合物（成分Ｂ）、ポリアルキレングリコールアルキルアミン型非イオン界面活性剤（成分Ｃ）、及び、水（成分Ｄ）を含有し、成分Ａ−１の含有量が４０．０質量％以上５４．６質量％以下、成分Ａ−２の含有量が４０．０質量％以上５４．６質量％以下であり、成分Ｂの含有量が０．３質量％以上５．０質量％以下であり、及び、成分Ｃの含有量が０．１質量％以上５．０質量％以下である、半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物（以下、「本開示に係る洗浄剤組成物」ともいう。）に関する。

【0017】

本開示に係る洗浄剤組成物における効果の作用メカニズムの詳細は不明な部分があるが、以下のように推定される。まず、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（成分Ａ−１）は半田フラックスとの親和性が極めて高い。また、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル（成分Ａ−２）は半田フラックスとの親和性と希釈された洗浄剤の油水分離性を兼ね備えている。成分Ａ−１だけでは油水分離性するまでの疎水性が得られない。本開示に係る洗浄剤組成物は、４０質量％以上の成分Ａ−１と成分Ａ−１よりも疎水性が高く分子構造が類似している成分Ａ−２を４０質量％以上含有する。成分Ａ−１と成分Ａ−２の混合物においては、成分Ａ−２が水から油相として分離した際に成分Ａ−１も油相に移るため、油水分離性が発揮されると考えられる。また、成分Ａ−１により溶解した半田フラックスは成分Ａ−２にも容易に溶解及び拡散するため、成分Ａ−１と成分Ａ−２の混合物において狭い隙間の半田フラックス残渣を溶解する洗浄性が発揮されると考えられる。そして、特定のアルカノールアミン（成分Ｂ）及びポリアルキレングリコールアルキルアミン型非イオン界面活性剤（成分Ｃ）が半田フラックス残渣中へ浸透することによる膨潤作用が、成分Ａ−１及び成分Ａ−２による半田フラックス残渣の溶解性を向上すると考えられる。また、水によるすすぎの際には、本開示に係る洗浄剤組成物中の特定のアルカノールアミン（成分Ｂ）とポリアルキレングリコールアルキルアミン型非イオン界面活性剤（成分Ｃ）により、成分Ａ−１及び成分Ａ−２の油水分離性を維持しつつ適度な水への溶解性が付与され、すすぎ水との親和性が高められすすぎ性に優れると考えられる。さらに、水（成分Ｄ）を含有することで引火点が高くなり安全性が確保される。但し、本開示はこのメカニズムに限定して解釈されなくてもよい。

【0018】

本開示において「フラックス」とは半田付けに使用されるロジン又はロジン誘導体を含有するロジン系フラックスをいい、本開示において「半田付け」はリフロー方式及びフロー方式の半田付けを含む。本開示において「半田フラックス」とは、半田とフラックスとの混合物をいう。回路基板上に他の部品（例えば、半導体チップ、チップ型コンデンサ、他の回路基板など）が積層して搭載されると前記回路基板と前記他の部品との間に空間（隙間）が形成される。前記搭載のために使用されるフラックスは、リフローなどにより半田付けされた後に、フラックス残渣としてこの隙間にも残存しうる。本開示において「半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物」とは、フラックス又は半田フラックスを用いて半田付けした後のフラックス残渣を洗浄するための洗浄剤組成物をいう。本開示に係る洗浄剤組成物による洗浄性及び狭い隙間への浸透性の顕著な効果発現の点から、半田は鉛（Ｐｂ）フリー半田であることが好ましい。

【0019】

［成分Ａ−１及び成分Ａ−２］
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ａ−１は、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（以下、「ＢＤＧ」とも表す。）であり、成分Ａ−２はジエチレングリコールモノヘキシルエーテル（以下、「ＨｅＤＧ」とも表す。）である。

【0020】

本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ａ−１の含有量は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、４０．０質量％以上であり、好ましくは４１．０質量％以上、より好ましくは４２．０質量％以上、さらに好ましくは４３．０質量％以上である。また、成分Ａ−１の含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、５４．６質量％以下であり、好ましくは４７．３質量％以下、より好ましくは４６．５質量％以下、さらに好ましくは４５．５質量％以下、さらにより好ましくは４５．０質量％以下である。

【0021】

本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ａ−２の含有量は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上及びすすぎ水の良好な油水分離性の観点から、４０．０質量％以上であり、好ましくは４１．０質量％以上、より好ましくは４２．０質量％以上、さらに好ましくは４３．０質量％以上である。また、成分Ａ−２の含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、５４．６質量％以下であり、好ましくは４７．３質量％以下、より好ましくは４６．５質量％以下、さらに好ましくは４５．５質量％以下、さらにより好ましくは４５．０質量％以下である。

【0022】

本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ａ−１と成分Ａ−２との含有量比（Ａ−１／Ａ−２、質量比）は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上及びすすぎ性向上の観点から、好ましくは０．７以上、より好ましくは０．９以上であり、そして、好ましくは１．４以下、より好ましくは１．２以下、さらに好ましくは１．１以下である。また、本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ａ−１と成分Ａ−２との含有量比（Ａ−１／Ａ−２、質量比）は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上及びすすぎ性向上の観点から、好ましくは０．７以上１．４以下、より好ましくは０．９以上１．２以下、さらに好ましくは０．９以上１．１以下である。

【0023】

本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ａ−１及び成分Ａ−２の洗浄剤組成物中の合計の含有量は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、好ましくは８０．０質量％以上、より好ましくは８２．０質量％以上、さらに好ましくは８４．０質量％以上、よりさらに好ましくは８６．０質量％以上、よりさらに好ましくは８７．０質量％以上である。また、成分Ａ−１及び成分Ａ−２の洗浄剤組成物中の合計の含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、好ましくは９４．６質量％以下、より好ましくは９３．０質量％以下、さらに好ましくは９１．０質量％以下、よりさらに好ましくは９０．０質量％以下、よりさらに好ましくは８９．０質量％以下である。また、成分Ａ−１及び成分Ａ−２の洗浄剤組成物中の合計の含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、好ましくは８０．０質量％以上９４．６質量％以下、より好ましくは８２．０質量％以上９３．０質量％以下、さらに好ましくは８４．０質量％以上９１．０質量％以下、よりさらに好ましくは８６．０質量％以上９０．０質量％以下、よりさらに好ましくは８７．０質量％以上８９．０質量％以下である。

【0024】

［成分Ａ］
本開示に係る洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、下記式（ＩＩ）で表される（ポリ）エチレングリコールモノアルキルエーテル（成分Ａ）のうち、成分Ａ−１及び成分Ａ−２以外の成分Ａをさらに含有してもよい。なお、本開示において単に「成分Ａ」という場合、特に言及のない場合、成分Ａ−１及び成分Ａ−２を含むものとする。

【化2】

［式（ＩＩ）において、Ｒは炭素数３〜７の炭化水素基を示し、ｎは１〜５である。］

【0025】

上記式（ＩＩ）において、Ｒは、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性の向上の観点から、炭素数３〜７の炭化水素基であり、好ましくは炭素数３〜６の炭化水素基であることが好ましく、より好ましくは炭素数４〜６の炭化水素基である。Ｒは、一又は複数の実施形態において、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基を含む。平均付加モル数ｎは、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、１〜５であり、好ましくは１〜３、より好ましくは２又は３である。炭化水素基は、好ましくはアルキル基、アルケニル基及びアリール基であり、より好ましくはアルキル基である。

【0026】

式（ＩＩ）においてＲがブチル基及びｎ＝２の場合に成分Ａ−１となり、式（ＩＩ）においてＲがヘキシル基及びｎ＝２の場合に成分Ａ−２となる。なお、本開示において、ブチル基は、特に言及がない場合、ｎ−ブチル基をいい、ヘキシル基は、特に言及がない場合、ｎ−ヘキシル基をいう。

【0027】

成分Ａ−１及び成分Ａ−２以外の成分Ａとしては、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、ジエチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノイソブチルエーテル等のジエチレングリコールモノアルキルエーテル；ジエチレングリコールモノアリルエーテル等のジエチレングリコールモノアルケニルエーテル；ジエチレングリコールモノベンジルエーテル等のジエチレングリコールモノアリールエーテル；トリエチレングリコールモノイソプロピルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノイソブチルエーテル等のトリエチレングリコールモノアルキルエーテル；トリエチレングリコールモノアリルエーテル等のトリエチレングリコールモノアルケニルエーテルが好ましい。これらの中でも、同様の観点から、ジエチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノイソブチルエーテル、トリエチレングリコールモノイソプロピルエーテルがより好ましい。

【0028】

本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ａの含有量は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、８０．０質量％以上であり、好ましくは８２．０質量％以上、より好ましくは８４．０質量％以上、さらに好ましくは８６．０質量％以上である。また、成分Ａの含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、好ましくは９４．６質量％以下であり、より好ましくは９３．０質量％以下、さらに好ましくは９１．０質量％以下、よりさらに好ましくは９０．０質量％以下である。また、成分Ａの含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、好ましくは８０．０質量％以上９４．６質量％以下であって、より好ましくは８２．０質量％以上９３．０質量％以下、さらに好ましくは８４．０質量％以上９１．０質量％以下、よりさらに好ましくは８６．０質量％以上９０．０質量％以下である。上述のとおり、成分Ａは、成分Ａ−１及び成分Ａ−２を含むが、成分Ａ−１及び成分Ａ−２からなるものであってもよく、成分Ａ−１及び成分Ａ−２と、成分Ａ−１及び成分Ａ−２以外の上記式（ＩＩ）で表される１又は複数種類の化合物とからなるものであってもよい。

【0029】

本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ａ−１及び成分Ａ−２の成分Ａ中の合計の含有量は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、好ましくは９０．０質量％以上であり、より好ましくは９３．０質量％以上、さらに好ましくは９４．０質量％以上、よりさらに好ましくは９６．０質量％以上、よりさらに好ましくは９８．０質量％以上である。また、成分Ａ−１及び成分Ａ−２の成分Ａ中の合計の含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、１００．０質量％以下である。

【0030】

本開示に係る洗浄剤組成物に成分Ａ−１及び成分Ａ−２以外の成分Ａが含まれる場合、成分Ａに対するその含有量（複数種類の場合は合計の含有量）は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上を阻害しない観点から、好ましくは１０質量％以下、より好ましくは７．０質量％以下、さらに好ましくは６．０質量％以下、よりさらに好ましくは４．０質量％以下、よりさらに好ましくは２．０質量％以下である。

【0031】

本開示に係る洗浄剤組成物に成分Ａ−１及び成分Ａ−２以外の成分Ａが含まれる場合、洗浄剤組成物中のその含有量（複数種類の場合は合計の含有量）は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上を阻害しない観点から、好ましくは１４．６質量％以下、より好ましくは１３．０質量％以下、さらに好ましくは１１．０質量％以下、さらにより好ましくは１０．０質量％以下である。また、本開示に係る洗浄剤組成物に成分Ａ−１及び成分Ａ−２以外の成分Ａが含まれる場合、洗浄剤組成物中のその含有量（複数種類の場合は合計の含有量）は、一又は複数の実施形態において、好ましくは０質量％を超え、より好ましくは１．０質量％以上、さらに好ましくは２．０質量％以上、さらにより好ましくは３．０質量％以上である。

【0032】

［成分Ｂ］
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ｂは、下記式（Ｉ）で表される１又は複数種類のアルカノールアミンである。

【化3】

［上記式（Ｉ）において、Ｒ_１は水素原子、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基、炭素数１〜７の炭化水素基又はアミノエチル基、Ｒ_２は水素原子、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基又は炭素数１〜７の炭化水素基、Ｒ_３はヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基である。］

【0033】

成分Ｂのアルカノールアミンとしては、一又は複数の実施形態において、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、並びに、これらのアルキル化物及びアミノアルキル化物が挙げられ、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、モノメチルモノエタノールアミン、モノメチルジエタノールアミン、ジメチルモノエタノールアミン、モノエチルモノエタノールアミン、モノエチルジエタノールアミン及びモノアミノエチルイソプロパノールアミンが好ましく、ジエタノールアミン、モノエチルモノエタノールアミン、モノメチルジエタノールアミン及びモノアミノエチルイソプロパノールアミンがより好ましく、モノメチルジエタノールアミンがより好ましい。

【0034】

本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ｂの含有量は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、０．３質量％以上であり、好ましくは０．５質量％以上、より好ましくは１．０質量％以上、さらに好ましくは１．５質量％以上である。また、成分Ｂの含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、５．０質量％以下であり、好ましくは４．５質量％以下、より好ましくは４．０質量％以下、さらに好ましくは３．５質量％以下である。また、成分Ｂの含有量は、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、０．３質量％以上５．０質量％以下であって、好ましくは０．５質量％以上４．５質量％以下、より好ましくは１．０質量％以上４．０質量％以下、さらに好ましくは１．５質量％以上３．５質量％以下である。上述のとおり、成分Ｂは、上記式（Ｉ）で表される単独の化合物であってもよく、上記式（Ｉ）で表される複数種類の化合物からなるものであってもよい。

【0035】

［成分Ｃ］
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ｃは、１又は複数種類のポリアルキレングリコールアルキルアミン型非イオン界面活性剤である。ポリアルキレングリコールアルキルアミン型非イオン界面活性剤としては、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上及びすすぎ性向上の観点から、下記式（ＩＩＩ）で表されるものが挙げられる。

【化4】

［式（ＩＩＩ）において、Ｒ_４は炭素数８から１８の炭化水素基、ＥＯはエチレンオキシ基、ｎ及びｍは、それぞれ、ＥＯの平均付加モル数を示す。］

【0036】

上記式（ＩＩＩ）において、Ｒ_４は、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上及びすすぎ性向上の観点から、炭素数８以上、好ましくは炭素数１０以上の炭化水素基であり、炭素数１８以下、好ましくは炭素数１４以下の炭化水素基である。ｎ＋ｍは、同様の観点から、好ましくは２以上１０以下、より好ましくは３以上６以下である。

【0037】

本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ｃの含有量は、一又は複数の実施形態において、０．１質量％以上５．０質量％以下であり、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄力及びすすぎ性を向上させる観点から、好ましくは０．２質量％以上、より好ましくは０．３質量％以上であり、さらに好ましくは０．５質量％以上、そして、同様の観点から、好ましくは４．５質量％以下、より好ましくは４．０質量％以下、さらに好ましくは３．０質量％以下である。

【0038】

［成分Ｄ］
本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ｄは、水である。水は、蒸留水、イオン交換水、又は超純水等が使用され得る。本開示に係る洗浄剤組成物における成分Ｄの含有量は、一又は複数の実施形態において、引火性を低減する観点から、好ましくは５．０質量％以上、より好ましくは５．５質量％以上、さらに好ましくは６．５質量％以上である。また、成分Ｄの含有量は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄力を向上させる観点から、好ましくは１０．０質量％以下、より好ましくは９．０質量％以下、さらに好ましくは８．０質量％以下である。成分Ｄの含有量は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄力を向上させる点及び引火性を低減する観点から、好ましくは５．０質量％以上１０．０質量％以下、より好ましくは５．５質量％以上９．０質量％以下、さらに好ましくは６．５質量％以上８．０質量％以下である。

【0039】

成分Ａと成分Ｄの質量比〔Ａ／Ｄ〕は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点から、好ましくは１０．０以上、より好ましくは１１．０以上、さらに好ましくは１２．０以上である。成分Ａと成分Ｄの質量比〔Ａ／Ｄ〕は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄性向上の観点及び引火点を下げて安全性を向上する観点から、好ましくは１９．０以下、より好ましくは１７．０以下、さらに好ましくは１４．０以下である。

【0040】

本開示に係る洗浄剤組成物において成分Ａ、Ｂ及びＣの質量比（成分Ａ／成分Ｂ／成分Ｃ、ただし、成分Ａ、成分Ｂ及び成分Ｃの合計は１００．０）は、一又は複数の実施形態において、フラックス残渣に対する洗浄力の向上の点から、好ましくは８９．０〜９９．６／０．３〜５．５／０．１〜５．５、より好ましくは９０．０〜９９．３／０．５〜５．０／０．２〜５．０、さらに好ましくは９１．０〜９８．７／１．０〜４．５／０．３〜４．５、特に好ましくは９３．０〜９７．９／１．６〜３．８／０．５〜３．２である。

【0041】

［洗浄剤組成物のその他の成分］
本開示に係る洗浄剤組成物において成分Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤの総含有量は、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄力を向上させる点から、９８．０質量％以上１００質量％以下であることが好ましく、より好ましくは９９．０質量％以上１００質量％以下、さらに好ましくは９９．５質量％以上１００質量％以下、さらにより好ましくは９９．７質量％以上１００質量％以下である。したがって、本開示に係る洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、成分Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤ以外のその他の成分の含有量は、好ましくは０質量％以上２．０質量％以下、より好ましくは０質量％以上１．０質量％以下、さらに好ましくは０質量％以上０．３質量％以下、さらにより好ましくは０質量％以上０．１質量％以下である。

【0042】

本開示に係る洗浄剤組成物におけるその他の成分としては、その他の一又は複数の実施形態において、発泡性の抑制の観点から、炭素数が１０〜１８である不飽和結合を有する又は有さない炭化水素が挙げられる。炭化水素としては、一又は複数の実施形態において、同様の観点から、ドデセン、テトラデセンが挙げられる。

【0043】

本開示に係る洗浄剤組成物におけるその他の成分としては、その他の一又は複数の実施形態において、炭素数８〜１８の炭化水素基を有するポリアルキレングリコールエーテル型非イオン界面活性剤が挙げられる。具体的には下記式（ＩＶ）で表される非イオン界面活性剤が挙げられる。炭化水素基は、好ましくはアルキル基及びアルケニル基、より好ましくはアルキル基である。

【化5】

［式（ＩＶ）において、Ｒ_５は炭素数８から１８の炭化水素基、ＥＯはエチレンオキシ基、ＰＯはプロピレンオキシ基を示す。ｐ、ｑ、及びｒは、それぞれ、ＥＯ、ＰＯの平均付加モル数を示し、それぞれ、０〜１５の数であって、ｐ及びｒは同時に０とならず、かつ、ｑ＞０の場合はｑ≦ｐ＋ｒ≦３０、ｑ＝０の場合はｒ＝０である。］

【0044】

さらなるその他の成分として、本開示に係る洗浄剤組成物は、本開示の効果を損なわない範囲で、必要に応じて、通常洗浄剤に用いられる、ヒドロキシエチルアミノ酢酸、ヒドロキシエチルイミノ２酢酸、エチレンジアミンテトラ酢酸等のアミノカルボン酸塩等のキレート力を持つ化合物、防腐剤、防錆剤、殺菌剤、抗菌剤、シリコーン系消泡剤、酸化防止剤、ヤシ脂肪酸メチルや酢酸ベンジル等のエステルあるいはアルコール類等を適宜併用することができる。

【0045】

［洗浄剤組成物の調製方法］
本開示における洗浄剤組成物の調製方法は、何ら制限されず、成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ及び成分Ｄを混合することによって調製できる。

【0046】

［洗浄剤組成物のｐＨ］
本開示に係る洗浄剤組成物のｐＨは、一又は複数の実施形態において、隙間に残存するフラックス残渣に対する洗浄力を向上させる点から、ｐＨ８以上ｐＨ１４以下が好ましい。ｐＨは、必要により、硝酸、硫酸等の無機酸、オキシカルボン酸、多価カルボン酸、アミノポリカルボン酸、アミノ酸等の有機酸、及びそれらの金属塩やアンモニウム塩、アンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アミン等の成分Ｂ以外の塩基性物質を適宜、所望量で配合することで調整することができる。

【0047】

［フラックス残渣の洗浄方法］
本開示は、その他の態様において、リフローされた半田を有する被洗浄物を本開示に係る洗浄剤組成物に接触させることを含む、半田フラックス残渣の洗浄方法に関する（以下、本開示に係る洗浄方法ともいう）。本開示に係る洗浄方法は、一又は複数の実施形態において、リフローされた半田を有する被洗浄物を本開示に係る洗浄剤組成物で洗浄する工程を有する。被洗浄物に本開示に係る洗浄剤組成物を接触させる方法、又は、被洗浄物を本開示に係る洗浄剤組成物で洗浄する方法としては、一又は複数の実施形態において、超音波洗浄装置の浴槽内で接触させる方法や、洗浄剤組成物をスプレー状に射出して接触させる方法（シャワー方式）などが挙げられる。本開示に係る洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、希釈することなくそのまま洗浄に使用できる。本開示の洗浄方法は、洗浄剤組成物に被洗浄物を接触させた後、水でリンスし、乾燥する工程を含むことが好ましい。本開示の洗浄方法であれば、半田付けした部品の隙間に残存するフラックス残渣を効率よく洗浄できる。本開示の洗浄方法による洗浄性及び狭い隙間への浸透性の顕著な効果発現の点から、半田は鉛（Ｐｂ）フリー半田であることが好ましい。本開示の洗浄方法は、一又は複数の実施形態において、本開示に係る洗浄剤組成物の洗浄力が発揮されやすい点から、本開示に係る洗浄剤組成物と被洗浄物との接触時に超音波を照射することが好ましく、その超音波は比較的強いものであることがより好ましい。前記超音波としては、一又は複数の実施形態において、２６〜７２Ｈｚ、８０〜１５００Ｗが好ましく、３６〜７２Ｈｚ、８０〜１５００Ｗがより好ましい。

【0048】

［被洗浄物］
本開示に係る洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、電子部品の洗浄に使用される。被洗浄物としては、一又は複数の実施形態において、リフローされた半田を有する被洗浄物が挙げられ、その他の一又は複数の実施形態において、部品が半田付けされた電子部品の製造中間物が挙げられ、或いは、半田付けされた部品の隙間にフラックス残渣を含む製造中間物が挙げられる。前記製造中間物は、半導体パッケージや半導体装置を含む電子部品の製造工程における中間製造物であって、例えば、回路基板上にフラックスを使用した半田付けにより半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板などが搭載された物を含む。被洗浄物における隙間とは、例えば、回路基板とその回路基板に半田付けされて搭載された部品（半導体チップ、チップ型コンデンサ、回路基板など）との間に形成される空間であって、その高さ（部品間の距離）が、例えば、５〜５００μｍ、１０〜２５０μｍ、或いは２０〜１００μｍの空間をいう。隙間の幅及び奥行きは、搭載される部品や回路基板上の電極（ランド）の大きさや間隔に依存する。

【0049】

［電子部品の製造方法］
本開示の電子部品の製造方法は、半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板からなる群から選択される少なくとも１つの部品を、フラックスを使用した半田付により回路基板上に搭載する工程、及び、本開示の洗浄方法により前記搭載物を洗浄する工程を含む。フラックスを使用した半田付けは、一又は複数の実施形態において、鉛（Ｐｂ）フリー半田で行われるものであり、リフロー方式でもよく、フロー方式でもよい。電子部品は、半導体チップが未搭載の半導体パッケージ、半導体チップが搭載された半導体パッケージ、及び、半導体装置を含む。本開示の電子部品の製造方法は、本開示の洗浄方法を行うことにより、半田付けされた部品の隙間に残存するフラックス残渣が低減され、フラックス残渣が残留することに起因する電極間でのショートや接着不良が抑制されるから、信頼性の高い電子部品の製造が可能になる。また、本開示の洗浄方法を行うことにより、半田付けされた部品の隙間に残存するフラックス残渣の洗浄が容易になることから、洗浄時間が短縮化でき、電子部品の製造効率を向上できる。

【0050】

本開示はさらに以下の一又は複数の実施形態に関する。

【0051】

＜１＞ ジエチレングリコールモノブチルエーテル（成分Ａ−１）、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル（成分Ａ−２）、下記式（Ｉ）で表される化合物（成分Ｂ）、ポリアルキレングリコールアルキルアミン型非イオン界面活性剤（成分Ｃ）、及び、水（成分Ｄ）を含有し、成分Ａ−１の含有量が、４０．０質量％以上５４．６質量％以下、成分Ａ−２の含有量が、４０．０質量％以上５４．６質量％以下であり、成分Ｂの含有量が、０．３質量％以上５．０質量％以下であり、及び、成分Ｃの含有量が、０．１質量％以上５．０質量％以下である、半田フラックス残渣除去用洗浄剤組成物。

【化6】

［上記式（Ｉ）において、Ｒ_１は水素原子、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基、炭素数１〜７の炭化水素基又はアミノエチル基、Ｒ_２は水素原子、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基又は炭素数１〜７の炭化水素基、Ｒ_３はヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基である。］

【0052】

＜２＞ 前記洗浄剤組成物における成分Ａ−１の含有量が、好ましくは４０．０質量％以上、より好ましくは４１．０質量％以上、さらに好ましくは４２．０質量％以上、さらにより好ましくは４３．０質量％以上である、＜１＞記載の洗浄剤組成物。
＜３＞ 前記洗浄剤組成物における成分Ａ−１の含有量が、好ましくは５４．６質量％以下、より好ましくは４７．３質量％以下、さらに好ましくは４６．５質量％以下、さらにより好ましくは４５．５質量％以下、さらにより好ましくは４５．０質量％以下である、＜１＞又は＜２＞に記載の洗浄剤組成物。
＜４＞ 前記洗浄剤組成物における成分Ａ−１の含有量が、好ましくは４０．０質量％以上４７．３質量％以下、より好ましくは４１．０質量％以上４６．５質量％以下、さらに好ましくは４２．０質量％以上４５．５質量％以下、さらにより好ましくは４３．０質量％以上４５．０質量％以下である、＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜５＞ 前記洗浄剤組成物における成分Ａ−２の含有量が、好ましくは４０．０質量％以上、より好ましくは４１．０質量％以上、さらに好ましくは４２．０質量％以上、さらにより好ましくは４３．０質量％以上である、＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜６＞ 前記洗浄剤組成物における成分Ａ−２の含有量が、好ましくは５４．６質量％以下、より好ましくは４７．３質量％以下、さらに好ましくは４６．５質量％以下、さらにより好ましくは４５．５質量％以下、さらにより好ましくは４５．０質量％以下である、＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜７＞ 前記洗浄剤組成物における成分Ａ−２の含有量が、好ましくは４０．０質量％以上４７．３質量％以下、より好ましくは４１．０質量％以上４６．５質量％以下、さらに好ましくは４２．０質量％以上４５．５質量％以下、さらにより好ましくは４３．０質量％以上４５．０質量％以下である、＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜８＞ 前記洗浄剤組成物における成分Ａ−１と成分Ａ−２との含有量比（Ａ−１／Ａ−２、質量比）が、好ましくは０．７以上、より好ましくは０．９以上である、＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜９＞ 前記洗浄剤組成物における成分Ａ−１と成分Ａ−２との含有量比（Ａ−１／Ａ−２、質量比）が、好ましくは１．４以下、より好ましくは１．２以下、さらに好ましくは１．１以下である、＜１＞から＜８＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１０＞ 前記洗浄剤組成物における成分Ａ−１と成分Ａ−２との含有量比が、好ましくは０．７以上１．４以下、より好ましくは０．９以上１．２以下、さらに好ましくは０．９以上１．１以下である、＜１＞から＜８＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１１＞ 前記洗浄剤組成物における成分Ａ−１及び成分Ａ−２の含有量が、好ましくは８０．０質量％以上、より好ましくは８２．０質量％以上、さらに好ましくは８４．０質量％以上、よりさらに好ましくは８６．０質量％以上、よりさらに好ましくは８７．０質量％以上である、＜１＞から＜１０＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１２＞ 前記洗浄剤組成物における成分Ａ−１及び成分Ａ−２の含有量が、好ましくは９４．６質量％以下、より好ましくは９３．０質量％以下、さらに好ましくは９１．０質量％以下、よりさらに好ましくは９０．０質量％以下、よりさらに好ましくは８９．０質量％以下である、＜１＞から＜１１＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１３＞ 前記洗浄剤組成物における成分Ａ−１及び成分Ａ−２の含有量が、好ましくは８２．０質量％以上９３．０質量％以下、より好ましくは８４．０質量％以上９１．０質量％以下、さらに好ましくは８６．０質量％以上９０．０質量％以下、よりさらに好ましくは８７．０質量％以上８９．０質量％以下である、＜１＞から＜１２＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１４＞ 前記洗浄剤組成物が、成分Ａ−１及び成分Ａ−２を含む下記式（ＩＩ）で表される（ポリ）エチレングリコールモノアルキルエーテル（成分Ａ）を含有する、＜１＞から＜１３＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。

【化7】

［式（ＩＩ）において、Ｒは炭素数３〜７の炭化水素基を示し、ｎは１〜５である。］
＜１５＞ 前記洗浄剤組成物における成分Ａの含有量が、好ましくは８０．０質量％以上、より好ましくは８２．０質量％以上、さらに好ましくは８４．０質量％以上、さらにより好ましくは８６．０質量％以上である、＜１４＞に記載の洗浄剤組成物。
＜１６＞ 前記洗浄剤組成物における成分Ａの含有量が、好ましくは９４．６質量％以下、より好ましくは９３．０質量％以下、さらに好ましくは９１．０質量％以下、さらにより好ましくは９０．０質量％以下である、＜１４＞又は＜１５＞に記載の洗浄剤組成物。
＜１７＞ 前記洗浄剤組成物における成分Ａの含有量が、好ましくは８２．０質量％以上９３．０質量％以下、より好ましくは８４．０質量％以上９１．０質量％以下、さらに好ましくは８６．０質量％以上９０．０質量％以下である、＜１４＞から＜１６＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１８＞ 前記成分Ａに対する成分Ａ−１及び成分Ａ−２の合計の含有量が、好ましくは９０．０質量％以上、より好ましくは９３．０質量％以上、さらに好ましくは９４．０質量％以上、さらにより好ましくは９６．０質量％以上、さらにより好ましくは９８．０質量％以上である、＜１４＞から＜１７＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１９＞ 前記成分Ａに対する成分Ａ−１及び成分Ａ−２以外の成分Ａの合計の含有量が、好ましくは１０質量％以下、より好ましくは７．０質量％以下、さらに好ましくは６．０質量％以下、よりさらに好ましくは４．０質量％以下、よりさらに好ましくは２．０質量％以下である、＜１４＞から＜１８＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２０＞ 前記洗浄剤組成物における成分Ａ−１及び成分Ａ−２以外の成分Ａの合計の含有量が、好ましくは１４．６質量％以下、より好ましくは１３．０質量％以下、さらに好ましくは１１．０質量％以下、さらにより好ましくは１０．０質量％以下である、＜１４＞から＜１９＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２１＞ 前記洗浄剤組成物における成分Ａ−１及び成分Ａ−２以外の成分Ａの合計の含有量が、好ましくは０質量％を超え、より好ましくは１．０質量％以上、さらに好ましくは２．０質量％以上、さらにより好ましくは３．０質量％以上である、＜１４＞から＜２０＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２２＞ 成分Ｂの含有量が、好ましくは０．３質量％以上、より好ましくは０．５質量％以上、さらに好ましくは１．０質量％以上、さらにより好ましくは１．５質量％以上である、＜１＞から＜２１＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２３＞ 成分Ｂの含有量が、好ましくは５．０質量％以下、より好ましくは４．５質量％以下、さらに好ましくは４．０質量％以下、さらにより好ましくは３．５質量％以下である、＜１＞から＜２２＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２４＞ 成分Ｂの含有量が、好ましくは０．５質量％以上４．５質量％以下、より好ましくは１．０質量％以上４．０質量％以下、さらに好ましくは１．５質量％以上３．５質量％以下である、＜１＞から＜２３＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２５＞ 成分Ｃが、好ましくは下記式（ＩＩＩ）で表される、＜１＞から＜２４＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。

【化8】

［式（ＩＩＩ）において、Ｒ_４は炭素数８から１８の炭化水素基、ＥＯはエチレンオキシ基、ｎ及びｍは、それぞれ、ＥＯの平均付加モル数を示す。］
＜２６＞ 式（ＩＩＩ）において、ｎ＋ｍが、好ましくは２以上１０以下、より好ましくは３以上６以下である、＜２５＞記載の洗浄剤組成物。
＜２７＞ 成分Ｃの含有量が、好ましくは０．２質量％以上、より好ましくは０．３質量％以上であり、さらに好ましくは０．５質量％以上である、＜１＞から＜２６＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２８＞ 成分Ｃの含有量が、好ましくは４．５質量％以下、より好ましくは４．０質量％以下、さらに好ましくは３．０質量％以下である、＜１＞から＜２７＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２９＞ 成分Ｄの含有量が、好ましくは５．０質量％以上、より好ましくは５．５質量％以上、さらに好ましくは６．５質量％以上である、＜１＞から＜２８＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜３０＞ 成分Ｄの含有量が、好ましくは１０．０質量％以下、より好ましくは９．０質量％以下、さらに好ましくは８．０質量％以下である、＜１＞から＜２９＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜３１＞ 成分Ｄの含有量が、好ましくは５．０質量％以上１０．０質量％以下、より好ましくは５．５質量％以上９．０質量％以下、さらに好ましくは６．５質量％以上８．０質量％以下である、＜１＞から＜３０＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜３２＞ 成分Ａと成分Ｄの質量比〔成分Ａ／成分Ｄ〕が、好ましくは１０．０以上、より好ましくは１１．０以上、さらに好ましくは１２．０以上である、＜１＞から＜３１＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜３３＞ 成分Ａと成分Ｄの質量比〔成分Ａ／成分Ｄ〕が、好ましくは１９．０以下、より好ましくは１７．０以下、さらに好ましくは１４．０以下である、＜１＞から＜３２＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜３４＞ 成分Ａ、Ｂ及びＣの質量比（成分Ａ／成分Ｂ／成分Ｃ、ただし、成分Ａ、成分Ｂ及び成分Ｃの合計は１００．０）が、好ましくは８９．０〜９９．６／０．３〜５．５／０．１〜５．５、より好ましくは９０．０〜９９．３／０．５〜５．０／０．２〜５．０、さらに好ましくは９１．０〜９８．７／１．０〜４．５／０．３〜４．５、さらにより好ましくは９３．０〜９７．９／１．６〜３．８／０．５〜３．２であり、成分Ａと成分Ｂと成分Ｃの合計が１００．０である、＜１＞から＜３３＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜３５＞ さらに、炭化水素及び／又は炭素数８〜１８の炭化水素基を有するポリアルキレングリコールエーテル型非イオン界面活性剤を含む、＜１＞から＜３４＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜３６＞ 前記非イオン界面活性剤が、下記式（ＩＶ）で表される＜３５＞に記載の洗浄剤組成物。

【化9】

［式（ＩＶ）において、Ｒ_５は炭素数８から１８の炭化水素基、ＥＯはエチレンオキシ基、ＰＯはプロピレンオキシ基を示す。ｐ、ｑ、及びｒは、それぞれ、ＥＯ、ＰＯの平均付加モル数を示し、それぞれ、０〜１５の数であって、ｐ及びｒは同時に０とならず、かつ、ｑ＞０の場合はｑ≦ｐ＋ｒ≦３０、ｑ＝０の場合はｒ＝０である。］
＜３７＞ 半田が、鉛（Ｐｂ）フリー半田である、＜１＞から＜３６＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜３８＞ リフローされた半田を有する被洗浄物を＜１＞から＜３７＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物で洗浄する工程を有する、半田フラックス残渣の洗浄方法。
＜３９＞ 被洗浄物が、部品が半田で半田付けされた電子部品の製造中間物である、＜３８＞記載の洗浄方法。
＜４０＞ 半導体チップ、チップ型コンデンサ、及び回路基板からなる群から選択される少なくとも１つの部品を、フラックスを使用した半田付けにより回路基板上に搭載する工程、及び、前記搭載物を＜３８＞又は＜３９＞記載のフラックス残渣の洗浄方法により洗浄する工程を含む、電子部品の製造方法。
＜４１＞ ＜１＞から＜３７＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物の電子部品の洗浄への使用。

【実施例】

【0053】

１．洗浄剤組成物の調製（実施例１〜１１、比較例１〜１３）
下記表１に示す成分Ａ〜Ｄ、及び必要に応じてその他の成分（表１）を混合し、実施例１〜１１、比較例１〜１３の洗浄剤組成物を調製した。下記表１の成分Ａ〜Ｄ及びその他の成分の数値は、調製した洗浄剤組成物における含有量（質量％）を示す。

【0054】

その他の成分として表１において「＊１」「＊２」「＊３」及び「＊４」で示されるのは、下記の化合物である。
成分＊１：下記式（ＩＩＩ）で表されるポリアルキレングリコールアルキルアミン型非イオン界面活性剤であって、Ｒ_４が炭素数１２の炭化水素基であり、ｎ＋ｍが４のものを使用した。
成分＊２：下記式（ＩＩＩ）で表されるポリアルキレングリコールアルキルアミン型非イオン界面活性剤であって、Ｒ_４が炭素数１２の炭化水素基であり、ｎ＋ｍが１０のものを使用した。

【化10】

［式（ＩＩＩ）において、ＥＯはエチレンオキシ基、ｎ及びｍは、それぞれ、ＥＯの平均付加モル数を示す。］

【0055】

成分＊３：下記式（ＩＶ）で表されるポリオキシエチレンオキシプロピレンアルキルエーテル型非イオン界面活性剤であって、Ｒ_５が炭素数１２の第２級炭化水素基であり、ｐ＝７、ｑ＝ｒ＝０のものを使用した。
成分＊４：下記式（ＩＶ）で表されるポリオキシエチレンオキシプロピレンアルキルエーテル型非イオン界面活性剤であって、Ｒ_５が炭素数１２又は１４の炭化水素基であり、ｐ＝５、ｑ＝２、ｒ＝５のものを使用した。

【化11】

［式（ＩＶ）において、ＥＯはエチレンオキシ基、ＰＯはプロピレンオキシ基を示す。ｐ、ｑ、及びｒは、それぞれ、ＥＯ、ＰＯの平均付加モル数を示す。］

【0056】

２．洗浄剤組成物の評価
調製した実施例１〜１１、比較例１〜１３の洗浄剤組成物を用いてテスト基板の洗浄性（洗浄性１及び２）、ガラス毛細管試験、すすぎ性、プレリンスの油水分離性、並びに安全性（引火点）について試験を行い、評価した。その結果を表１に示す。

【0057】

［洗浄性試験（洗浄性１）］
以下の条件でテスト基板を洗浄する洗浄性試験を行った。
〔テスト基板〕
チップコンデンサ（０８１６）を１０個搭載したテスト基板（５０ｍｍ×５０ｍｍ、チップコンデンサと基板の隙間は約５０μｍ）を用いた。ソルダーペーストには鉛フリーのエコソルダーＭ７０５−ＢＰＳ（千住金属工業（株）製）、リフロー炉にはエコリフローＳＮＲ８２５（千住金属工業（株）製）を用い、リフローピーク温度２４０℃、半田溶融時間４５秒、窒素雰囲気下（酸素濃度１００ｐｐｍ）で半田接続した。
〔洗浄方法〕
６０℃水浴内で加温した(i)各洗浄剤組成物を満たした１Ｌビーカー、(ii)プレリンス用のイオン交換水を満たした１Ｌビーカー、(iii)仕上げリンス用のイオン交換水を満たした１Ｌビーカーを用意する。(i)にテスト基板を浸漬し超音波（４０ｋＨｚ、６００Ｗ）を５分間照射して洗浄、次いで(ii)にテスト基板を浸漬し、超音波（４０ｋＨｚ、６００Ｗ）を５分間照射してプレリンス、次いで(iii)にテスト基板を浸漬し、超音波（４０ｋＨｚ、６００Ｗ）を５分間照射して仕上げリンスを行い、送風乾燥機（８５℃、１５分）で乾燥した。
なお、使用する各洗浄剤組成物及びリンス用イオン交換水は６０℃に加温した。
〔洗浄性の評価〕
乾燥後のテスト基板からチップコンデンサを剥離し、光学顕微鏡にてフラックス残渣の残存有無を確認した。評価基準は以下の通り。その結果を表１の「洗浄性１」の欄に示す。
Ａ：１０個中残渣あるものゼロ
Ｂ：１０個中残渣あるもの１個
Ｃ：１０個中残渣あるもの２個以上

【0058】

［洗浄性試験（洗浄性２）］
上記洗浄性試験（洗浄性１）と同様の方法で、洗浄時間、プレリンス時間及び仕上げリンス時間をそれぞれ１分間に短くして評価した。その結果を表１の「洗浄性２」の欄に示す。

【0059】

［ガラス毛細管試験］
窒素雰囲気下にて銅板上でエコソルダーＭ７０５−ＢＰＳ（千住金属工業（株）製）を２５０℃、３０分間加熱して、液状のフラックス残渣を分離採取する。ＤＲＵＭＭＯＮＤ製ガラスキャップ（ガラス毛細管）（長さ３２ｍｍ、内径１４０μm）に上記方法にて作成したフラックス残渣を充填し一方の開口部を封止して試験片を作成した。１００ｍＬビーカーに各洗浄剤組成物及びすすぎ用イオン交換水を各１００ｇ加え６０℃に加温する。試験片を各洗浄剤組成物に浸漬し超音波（４０ｋＨｚ、２００Ｗ）を５分間照射後、すすぎ用イオン交換水に移し超音波（４０ｋＨｚ、２００Ｗ）を５分間照射後取り出した。取り出した試験片を光学顕微鏡にて観察し、開口部から溶解したフラックス残渣の距離を測定し、５点の平均値を算出した。フラックス残渣が溶解した距離が長いほど溶解速度が速く洗浄性が良いと評価できる。その結果を表１に示す。

【0060】

［すすぎ性］
窒素雰囲気下にて銅板上でエコソルダーＭ７０５−ＢＰＳ（千住金属工業（株）製）を２５０℃、３０分間加熱して、液状のフラックス残渣を分離採取する。このフラックス残渣を各洗浄剤組成物と混合し１質量％の混合液を作成した。角カバーグラス（１８ｍｍ×１８ｍｍ、松浪硝子工業（株）製）に上記方法にて作成した混合液を約０．１ｇ滴下し、その上にもう一枚の角カバーグラスを重ね、クリップ（口幅１９ｍｍ、コクヨ（株）製）で一辺を挟み固定し試験片を作成した。１００ｍＬビーカーにすすぎ用イオン交換水を１００ｇ加え６０℃に加温する。試験片をピンセットで保持してすすぎ用イオン交換水に上下に１０回揺動しながら１分間浸漬し、取り出す。取り出した試験片を真空乾燥機（１２０℃、１５分）で乾燥した。試験片を観察し、角カバーグラス間に残存物がなくなるまでのすすぎ回数を数えた。すすぎ回数が少ないほどすすぎ性が良いと評価できる。その結果を表１に示す。なお、５回ですすげないものは「＞５」とした。

【0061】

［プレリンスの油水分離性］
洗浄剤組成物で洗浄した後の水によるリンス工程で生じる、洗浄剤組成物を含むリンス廃液を想定し各洗浄剤組成物をイオン交換水で１０倍希釈した。分離処理する温度での油水分離性を確認するために、この希釈液の６０℃で１時間静置後の相分離の状態を観察した。各洗浄剤組成物の相分離の状態により、以下のように評価した。２相分離が良好であれば、プレリンスに用いた廃液を油相と水相を分離することで、水相を再び洗浄剤の希釈用に使用して、洗浄剤の希釈に使用する新たな水の量とプレリンス液の廃液の量とを低減できる。
Ａ：２相に分離し、下相が透明
Ｂ：２相に分離し、下相が白濁
Ｃ：２相に分離しない

【0062】

［安全性］
各洗浄剤組成物の引火点により、以下のように評価した。なお、水の沸点の１００℃において引火すると火災となる危険性が高くなる。水の沸点より１０℃高い１１０℃を基準に引火点により安全性を評価した。その結果を表１に示す。
Ａ：引火点が１１０℃以上
Ｂ：引火点が１１０℃未満

【0063】

【表1】

【0064】

上記表１に示すとおり、実施例１〜１１の洗浄剤組成物は、比較例１〜４、６、８〜１３の洗浄剤組成物と比べて優れた洗浄性を示し、かつ、ガラス毛細管試験の結果（浸透性）及びすすぎ性も概ね優れた結果を示した。また、実施例１〜１１の洗浄剤組成物は、比較例５及び７の洗浄剤組成物よりも油水分離性の点が優れていた。また、比較例９は、実施例１〜１１と比べて洗浄性、ガラス毛細管試験及びすすぎ性で劣る結果となったが、比較例９でトリエタノールアミンをジエタノールアミンに置き換えても、評価結果はほとんど変わらないと考えられる。

【産業上の利用可能性】

【0065】

本開示を用いることにより、半田付けされた部品の隙間に残存するフラックス残渣の洗浄が良好に行えることから、例えば、電子部品の製造プロセスにおけるフラックス残渣の洗浄工程の短縮化及び製造される電子部品の性能・信頼性の向上が可能となり、半導体装置の生産性を向上できる。