特許第6203214号(P6203214)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」

▶ 日本写真印刷株式会社の特許一覧

特許6203214半導体式ガスセンサの製造方法及びガス検知装置
<>
  • 特許6203214-半導体式ガスセンサの製造方法及びガス検知装置 図000002
  • 特許6203214-半導体式ガスセンサの製造方法及びガス検知装置 図000003
  • 特許6203214-半導体式ガスセンサの製造方法及びガス検知装置 図000004
  • 特許6203214-半導体式ガスセンサの製造方法及びガス検知装置 図000005
  • 特許6203214-半導体式ガスセンサの製造方法及びガス検知装置 図000006
  • 特許6203214-半導体式ガスセンサの製造方法及びガス検知装置 図000007
  • 特許6203214-半導体式ガスセンサの製造方法及びガス検知装置 図000008
  • 特許6203214-半導体式ガスセンサの製造方法及びガス検知装置 図000009
  • 特許6203214-半導体式ガスセンサの製造方法及びガス検知装置 図000010
  • 特許6203214-半導体式ガスセンサの製造方法及びガス検知装置 図000011
  • 特許6203214-半導体式ガスセンサの製造方法及びガス検知装置 図000012
  • 特許6203214-半導体式ガスセンサの製造方法及びガス検知装置 図000013
< >
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】6203214
(24)【登録日】2017年9月8日
(45)【発行日】2017年9月27日
(54)【発明の名称】半導体式ガスセンサの製造方法及びガス検知装置
(51)【国際特許分類】
   G01N 27/12 20060101AFI20170914BHJP
【FI】
   G01N27/12 B
【請求項の数】3
【全頁数】14
(21)【出願番号】特願2015-93602(P2015-93602)
(22)【出願日】2015年4月30日
(65)【公開番号】特開2016-211896(P2016-211896A)
(43)【公開日】2016年12月15日
【審査請求日】2016年9月20日
【早期審査対象出願】
(73)【特許権者】
【識別番号】000231361
【氏名又は名称】日本写真印刷株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110002527
【氏名又は名称】特許業務法人北斗特許事務所
(74)【代理人】
【識別番号】100087767
【弁理士】
【氏名又は名称】西川 惠清
(74)【代理人】
【識別番号】100155745
【弁理士】
【氏名又は名称】水尻 勝久
(74)【代理人】
【識別番号】100143465
【弁理士】
【氏名又は名称】竹尾 由重
(74)【代理人】
【識別番号】100155756
【弁理士】
【氏名又は名称】坂口 武
(74)【代理人】
【識別番号】100161883
【弁理士】
【氏名又は名称】北出 英敏
(74)【代理人】
【識別番号】100167830
【弁理士】
【氏名又は名称】仲石 晴樹
(74)【代理人】
【識別番号】100162248
【弁理士】
【氏名又は名称】木村 豊
(74)【代理人】
【識別番号】100100262
【弁理士】
【氏名又は名称】松永 勉
(72)【発明者】
【氏名】松本 晋一
(72)【発明者】
【氏名】島袋 宗春
(72)【発明者】
【氏名】栗林 晴美
(72)【発明者】
【氏名】福地 健一
(72)【発明者】
【氏名】田村 隆司
【審査官】 櫃本 研太郎
(56)【参考文献】
【文献】 特開2001−021515(JP,A)
【文献】 特開2013−130441(JP,A)
【文献】 特開2001−133427(JP,A)
【文献】 特開平09−269308(JP,A)
【文献】 特開2001−174426(JP,A)
【文献】 特開2002−168817(JP,A)
【文献】 特開2000−171424(JP,A)
【文献】 特許第3087982(JP,B2)
【文献】 特表2013−508001(JP,A)
【文献】 特開2015−004537(JP,A)
【文献】 米国特許出願公開第2002/0092341(US,A1)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
G01N 27/12
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
中心電極と、前記中心電極から離れた状態で前記中心電極の周囲に巻き回されてコイル状に形成されたヒータ兼用電極と、前記ヒータ兼用電極と前記中心電極とを覆う感ガス体とを備えた半導体式ガスセンサの製造方法であって、
前記ヒータ兼用電極を、外径が140μm以下で、かつ、前記外径に対する中心軸方向の長さの比率が1以下で、かつ、ターン数が1となるように形成する工程と、
前記中心電極を前記ヒータ兼用電極の内部において中心軸に沿って通す工程と、
前記中心電極および前記ヒータ兼用電極を覆うようにして成形材料を塗布する工程と、
成形材料を焼結することで前記感ガス体を形成する工程と
を備えた、半導体式ガスセンサの製造方法。
【請求項2】
中心電極と、前記中心電極から離れた状態で前記中心電極の周囲に巻き回されてコイル状に形成されたヒータ兼用電極と、前記ヒータ兼用電極と前記中心電極とを覆う感ガス体とを備えた半導体式ガスセンサと、
前記ヒータ兼用電極に通電して前記感ガス体を加熱する駆動部と
を備え、
前記ヒータ兼用電極は、外径が140μm以下で、かつ、前記外径に対する中心軸方向の長さの比率が1以下で、かつ、ターン数が1となるように構成されており、
前記駆動部は、前記ヒータ兼用電極に対し0.06〜0.1秒間通電した後、前記ヒータ兼用電極に対する通電を停止し、これにより前記感ガス体を加熱する、
ガス検知装置。
【請求項3】
前記半導体式ガスセンサの駆動中の前記ヒータ兼用電極と前記中心電極との間の抵抗値に基づいて対象ガスを検知する検出部をさらに備える、
請求項2記載のガス検知装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体式ガスセンサの製造方法及びガス検知装置に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献1には、従来の半導体式ガスセンサが開示されている。この特許文献1記載の半導体式ガスセンサは、金属酸化物半導体ビーズと、この金属酸化物半導体ビーズに埋設されたヒータ兼用電極コイルと、このヒータ兼用電極コイルの中心軸に沿って配置された中心電極とを備えている。
【0003】
この特許文献1記載の半導体式ガスセンサは、ヒータ兼用電極コイルの大きさが、中心軸方向の長さ300μm、内径150μmとなるように形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開2001−174426号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
ところで、この種の半導体式ガスセンサは、ヒータ兼用電極コイルと中心電極との間の抵抗値を検知するに当たり、ヒータ兼用電極コイルによって、金属酸化物半導体ビーズを対象ガスの検知に適した温度にまで加熱する。このため、半導体式ガスセンサは、金属酸化物半導体ビーズの体積が大きいと、熱応答性が悪くなり、対象ガスが検知可能な状態となるのに時間が掛かってしまう。
【0006】
一方、金属酸化物半導体ビーズは、ヒータ兼用電極コイルを覆うように設けられる。このため、金属酸化物半導体ビーズの体積は、ヒータ兼用電極コイルの径と中心軸方向の長さに影響を受けざるを得ない。したがって、金属酸化物半導体ビーズの体積をできる限り小さくするには、ヒータ兼用電極コイルの径と中心軸方向の長さを従来品よりも小さくする必要がある。
【0007】
しかしながら、従来の半導体式ガスセンサは、ヒータ兼用電極コイルの中心軸方向の長さが、内径の2倍以上の長さに形成されている。このため、従来のヒータ兼用電極コイルを単に小さくするだけでは、製造時において、中心電極が中心軸に平行な状態から傾いた場合に、ヒータ兼用電極コイルの内周に中心電極が接触しやすいという問題がある。
【0008】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ヒータ兼用電極の大きさを小さくしても、中心電極がヒータ兼用電極に接触するのを抑制できる半導体式ガスセンサの製造方法及びガス検知装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明の半導体式ガスセンサの製造方法は、中心電極と、前記中心電極から離れた状態で前記中心電極の周囲に巻き回されてコイル状に形成されたヒータ兼用電極と、前記ヒータ兼用電極と前記中心電極とを覆う感ガス体とを備えた半導体式ガスセンサの製造方法であって、前記ヒータ兼用電極を、外径が140μm以下で、かつ、前記外径に対する中心軸方向の長さの比率が1以下で、かつ、ターン数が1となるように形成する工程と、前記中心電極を前記ヒータ兼用電極の内部において中心軸に沿って通す工程と、前記中心電極および前記ヒータ兼用電極を覆うようにして成形材料を塗布する工程と、成形材料を焼結することで前記感ガス体を形成する工程とを備えたことを特徴とする。
【0012】
本発明のガス検知装置は、中心電極と、前記中心電極から離れた状態で前記中心電極の周囲に巻き回されてコイル状に形成されたヒータ兼用電極と、前記ヒータ兼用電極と前記中心電極とを覆う感ガス体とを備えた半導体式ガスセンサと、前記ヒータ兼用電極に通電して前記感ガス体を加熱する駆動部とを備え、前記ヒータ兼用電極は、外径が140μm以下で、かつ、前記外径に対する中心軸方向の長さの比率が1以下で、かつ、ターン数が1となるように構成されており、前記駆動部は、前記ヒータ兼用電極に対し0.06〜0.1秒間通電した後、前記ヒータ兼用電極に対する通電を停止し、これにより前記感ガス体を加熱することを特徴とする。
またこのガス検知装置において、前記半導体式ガスセンサの駆動中の前記ヒータ兼用電極と中心電極との間の抵抗値に基づいて対象ガスを検知する検出部をさらに備えていることが好ましい。
【発明の効果】
【0013】
本発明の半導体式ガスセンサの製造方法により製造された半導体式ガスセンサは、外径に対する中心軸方向の長さの比率が1以下となるように構成されているため、製造時において、中心電極が傾いた場合であっても、当該中心電極がヒータ兼用電極に接触しにくい。したがって、本発明の半導体式ガスセンサの製造方法によれば、ヒータ兼用電極の大きさを小さくしても、中心電極がヒータ兼用電極に接触するのを抑制できる。
また、本発明のガス検知装置によれば、ヒータ兼用電極の大きさを小さくしても、中心電極がヒータ兼用電極に接触するのを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【0014】
図1】実施形態のガス検知装置の概略図である。
図2】実施形態の半導体式ガスセンサにおけるヒータ兼用電極および中心電極の近傍の正面図である。
図3】実施形態のガス検知装置のブロック図である。
図4】従来品の半導体式ガスセンサと実施形態の半導体式ガスセンサとを並べて撮影した写真である。
図5図5Aは実施形態の半導体式ガスセンサである。図5Bは従来の半導体式ガスセンサである。
図6図6Aは変形例1のヒータ兼用電極および中心電極の正面図である。図6Bは変形例1のヒータ兼用電極および中心電極の側面図である。図6Cは変形例1のヒータ兼用電極および中心電極の平面図である。
図7図7Aは変形例2のヒータ兼用電極および中心電極の正面図である。図7Bは変形例2のヒータ兼用電極および中心電極の側面図である。図7Cは変形例2のヒータ兼用電極および中心電極の平面図である。
図8図8Aは変形例3のヒータ兼用電極および中心電極の正面図である。図8Bは変形例3のヒータ兼用電極および中心電極の側面図である。図8Cは変形例3のヒータ兼用電極および中心電極の平面図である。
図9図9Aは、実施例1〜3の試験結果を示したグラフである。図9Bは、実施例4〜6の試験結果を示したグラフである。図9Cは、参考例の試験結果を示したグラフである。
図10図10Aは、実施例1〜3の熱応答性についての試験結果を示したグラフである。図10Bは、実施例4〜6の熱応答性についての試験結果を示したグラフである。図10Cは、参考例の熱応答性についての試験結果を示したグラフである。
図11図11Aは、実施例1のヒータ温度とガスセンサの感度との関係を示したグラフである。図11Bは、実施例2のヒータ温度とガスセンサの感度との関係を示したグラフである。図11Cは、実施例3のヒータ温度とガスセンサの感度との関係を示したグラフである。
図12図12Aは、実施例4のヒータ温度とガスセンサの感度との関係を示したグラフである。図12Bは、実施例5のヒータ温度とガスセンサの感度との関係を示したグラフである。図12Cは、実施例6のヒータ温度とガスセンサの感度との関係を示したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【0015】
以下、本発明の実施形態について添付図面に基づいて説明する。
【0016】
本実施形態のガス検知装置は、半導体式ガスセンサ1(以下、ガスセンサ1という)と、このガスセンサ1を駆動する駆動部7と、ガスセンサ1の駆動中の抵抗値に基づいて対象ガスを検知する検出部8と、筐体6とを備えている。
【0017】
ガスセンサ1は、検知対象の気体(以下、対象ガス)に曝露されると、対象ガスの濃度に応じて抵抗値を変化させる。ガスセンサ1は、図1に示すように、ヒータ兼用電極2と、中心電極3と、感ガス体4と、複数のリード線51〜53とを備えている。
【0018】
ヒータ兼用電極2は、所定温度になるよう感ガス体4を加熱する。ヒータ兼用電極2は、中心軸回りに巻き回されたコイル状(いわゆる空芯コイル状)をなしており、通電により発熱するように構成されている(ヒータ兼用電極2の内周で囲まれた空間を透孔部21という)。ヒータ兼用電極2は、たとえば、線径が10〜25μm(好ましくは15〜20μm、より好ましくは15μm)の白金や白金合金等の貴金属線からなる線材により構成される。
【0019】
ヒータ兼用電極2は、図2に示すように、外径φが140μm以下で、かつ、中心軸に沿った方向(以下、中心軸方向という)の長さLの外径φに対する比率が1以下(すなわち、外径φ:長さL=1:1以下)となるように設定されている。このヒータ兼用電極2は、感ガス体4を保持することができればよく、外径φに対する中心軸方向の長さLの比率は、好ましくは1未満、より好ましくは0.2以上1未満である。
【0020】
本実施形態にいう中心軸方向の長さLとは、ヒータ兼用電極2の中心軸方向の一方の端部側の辺から他方の端部側の辺までの寸法をいう。なお、中心軸方向の長さLは、感ガス体4に覆われている部分において中心軸に平行な方向の長さとほぼ同じ長さとなるため、これを用いてもよい。
【0021】
具体的に、本実施形態のヒータ兼用電極2は、線径15μmの線材を、外径φが110μm,中心軸方向の長さLが65μmとなるよう巻き回すことで形成されている。すなわち、本実施形態のヒータ兼用電極2の外径φに対する中心軸方向の長さLの比率は、0.59である。
【0022】
また、本実施形態のヒータ兼用電極2は、ターン数が2である。ここで、ターン数は、図2においてa点からb点までを1ターンとし、中心軸方向に見た場合の巻き回数N(Nは自然数)を示す。
【0023】
なお、本実施形態のヒータ兼用電極2は、2ターン以下であるが、後述の変形例のように1ターンであることが好ましい。また、後述の変形例のように3ターンであってもよい。つまり、2ターン以下であることは必須ではない。
【0024】
ヒータ兼用電極2の両端には、それぞれ、リード線51,52が設けられている。リード線51,52は、感ガス体4の内部から感ガス体4の外部に引き出されるようにして設けられている。リード線51,52は、図1に示すように、ベース61を貫通し当該ベース61に保持された端子62,63に電気的に接続される。これにより、ガスセンサ1は、端子62,63に固定される。なお、リード線51,52とヒータ兼用電極2とは、別体であってもよいが、本実施形態では、1本の線材により構成されており、一体に形成されている。
【0025】
中心電極3は、ヒータ兼用電極2の中心軸に沿うようにして透孔部21に通されており、すなわち、ヒータ兼用電極2の内部に通されている。中心電極3は、ヒータ兼用電極2に接触しないように、ヒータ兼用電極2から離れて配置されている。中心電極3は、直線状に形成されており、感ガス体4に埋め込まれている。中心電極3は、たとえば、線径が10〜25μm(好ましくは15〜20μm、より好ましくは15μm)の白金や白金合金等の貴金属線からなる線材により構成される。なお、本実施形態の中心電極3は、ヒータ兼用電極2に対し、同じ線径でかつ同じ材質で構成されているが、互いに異なっていてもよい。
【0026】
中心電極3の少なくとも一端には、リード線53が設けられている。このリード線53は、感ガス体4の内部から感ガス体4の外部に引き出されるようにして設けられている。本実施形態のガス検知装置は、図1に示すように、リード線53が端子64に電気的に接続される。なお、中心電極3において、端子64に接続された側とは反対側の端部の、感ガス体4から引き出された部分54は、設けられていなくてもよい。
【0027】
感ガス体4は、ヒータ兼用電極2と中心電極3との間の隙間に充填され、さらに、ヒータ兼用電極2を覆うようにして設けられている。感ガス体4は、金属酸化物半導体を含有し、略球状をなしている。この金属酸化物半導体は、たとえば、酸化スズ,酸化タングステン,酸化インジウム,酸化亜鉛,酸化チタン,チタン酸ストロンチウム,チタン酸バリウム,およびスズ酸バリウムから選択される金属酸化物を含有する。感ガス体4は、たとえば、金属酸化物半導体の粉末を含有する成形材料が焼成されることで形成される。
【0028】
感ガス体4の体積は、ヒータ兼用電極2の大きさに影響されるが、たとえば、0.001mm以上0.01mm以下であるが、好ましくは0.001mm以上0.003mm以下であり、より好ましくは、0.001mm以上0.002mm以下に形成される。
【0029】
なお、本実施形態のヒータ兼用電極2は、線径15μm,外径φ110μm,中心軸方向の長さL65μm,2ターンに設定されており、体積は0.0006mmである。この場合の感ガス体4の体積は、0.003mmである。
【0030】
このようなガスセンサ1は、たとえば、次のようにして製造される。ヒータ兼用電極2の内部において、中心軸に沿って中心電極3を通す。このとき、本実施形態のヒータ兼用電極2は、外径φが140μm以下であり、従来品に比べて小径であるため、中心電極3に接触しやすく、一見すると作業が困難であるようにも思える。しかし、本実施形態のヒータ兼用電極2は、外径φに対する中心軸方向の長さLの比率が1以下となるように設定されているため、中心電極3が多少傾いても、当該中心電極3に接触しにくいように構成されている。このため、ヒータ兼用電極2の外径φが従来品より小さくても、作業性の低下が抑制でき、この結果、組み立て不良品の発生を抑制できる。
【0031】
次いで、この状態で、中心電極3およびヒータ兼用電極2を覆うようにして成形材料を塗布する。このとき、中心電極3とヒータ兼用電極2とが離れた状態を保ったまま成形材料を塗布し、これにより、中心電極3とヒータ兼用電極2との間の隙間に成形材料を充填すると共に、成形材料でヒータ兼用電極2を覆う。そして、この状態のまま成形材料を加熱し、成形材料を焼結する。これにより、感ガス体4が形成される。
【0032】
このような構成のガスセンサ1は、ヒータ兼用電極2に一定時間通電することで、当該ヒータ兼用電極2を発熱させ、これにより、感ガス体4の温度を対象ガスの検知に適した温度にまで上昇させる。この状態で、ガスセンサ1の感ガス体4が対象ガスに曝露されると、対象ガスの濃度に応じて、端子62と端子64との間の抵抗値が変化する。
【0033】
なお、ここでいう端子62と端子64との間の抵抗値は、ヒータ兼用電極2と中心電極3との間に介在する感ガス体4の抵抗値を意味する。
【0034】
筐体6は、ベース61と、このベース61に取り付けられるキャップ体65とを備えている。キャップ体65は、上下方向に開口した筒状に形成されている。キャップ体65の上部開口(気体取込口)には、たとえば、ステンレス製の金網が設けられている。キャップ体65の下部開口には、ベース61が取り付けられる。ガスセンサ1は、この筐体6の内部に配置される。また、気体取込口とガスセンサ1との間には、活性炭やシリカ等のフィルタが装着されている。気体取込口から取り込まれた気体はフィルタを通過し、フィルタを通過した気体は、ガスセンサ1に接触するように構成されている。
【0035】
ガス検知装置は、図3に示すように、ガスセンサ1を駆動する駆動部7と、ガスセンサ1の駆動中の抵抗値に基づいて対象ガスを検知する検出部8とを備えている。
【0036】
駆動部7は、制御部71と、電源回路72と、スイッチング素子73とを備えている。制御部71は、スイッチング素子73を制御し、電源回路72からヒータ兼用電極2に通電して感ガス体4を加熱する。これにより、駆動部7はガスセンサ1を駆動する。制御部71は、スイッチング素子73の制御によって、ヒータ兼用電極2へ供給する電力量を調節している。電源回路72は、一定の電圧の直流電圧を出力する。電源回路72の正極の出力端は、ガスセンサ1の端子62に対し、スイッチング素子73を介して電気的に接続されている。電源回路72の負極の出力端は、ガスセンサ1の端子63に対し、電気的に接続されている。つまり、ヒータ兼用電極2には、スイッチング素子73を介して電源回路72が電気的に接続されている。
【0037】
検出部8は、ガスセンサ1に電気的に接続されており、ガスセンサ1の抵抗値を検出する。検出部8は、ガスセンサ1の抵抗値に基づいて、燃焼ガス中における対象ガスを検知する。検出部8には、出力部9が接続されている。検出部8は、対象ガスの検出結果に応じて出力部9を制御し、発光ダイオードの点灯状態を変化させたり、ブザーやスピーカに警報音を出力させたりすることによって、検出結果をユーザに通知する。
【0038】
なお、制御部71および検出部8は、マイコン(マイクロコンピュータ)により構成される。
【0039】
本実施形態のガス検知装置の駆動部7は、ヒータ兼用電極2に対し、間歇的に電力を供給する。本実施形態の駆動部7は、たとえば、130mWの電力を0.06〜0.1秒間(好ましくは、0.1秒間)続けて供給し、その後、2秒〜1時間(本実施形態では20秒間)電力の供給を停止するように構成されている。
【0040】
ここで、図4に本実施形態のガスセンサ1と、従来のガスセンサ1’とを比較した写真を示す。図4にも明らかなように、本実施形態のガスセンサ1は、従来のガスセンサ1’に比べて、感ガス体4の体積を大幅に小さくすることができた。このため、本実施形態のガスセンサ1は、従来のガスセンサ1に比べて、感ガス体4の熱容量が小さいため、消費電力を小さくすることができる。
【0041】
具体的に、感ガス体4を対象ガスの検知に適した温度に上昇させるための時間として、従来のガスセンサ1では、少なくとも0.3秒必要であったのに対し、本実施形態のガスセンサ1では、0.06〜0.1秒の加熱時間でよい。したがって、本実施形態のガスセンサ1は、従来のガスセンサ1に比べて、消費電力を小さくすることができ、熱応答性を大幅に改善できる。
<効果>
以上、説明したように、本実施形態の半導体式ガスセンサ1は、中心電極3と、ヒータ兼用電極2と、ヒータ兼用電極2と中心電極3とを覆う感ガス体4とを備える。ヒータ兼用電極2は、中心電極3から離れた状態でこの中心電極4の周囲に巻き回されてコイル状に形成される。ヒータ兼用電極2は、外径φが140μm以下で、かつ、外径φに対する中心軸方向の長さLの比率が1以下となるように構成されている。
【0042】
このため、本実施形態の半導体式ガスセンサ1によれば、感ガス体4をできる限り小さく形成しようとした場合であっても、製造時において、作業性の低下が抑制でき、組み立て不良品の発生を抑制できる。すなわち、本実施形態のヒータ兼用電極2は、外径φに対する中心軸方向の長さLの比率が1以下となるように構成されているため、製造時において、中心電極3が傾いた場合であっても、当該中心電極3に接触しにくい。また、中心電極3とヒータ兼用電極2とが接触しないまでも、中心電極3の傾きは、中心電極3とヒータ兼用電極2との距離に影響するため、中心電極3とヒータ兼用電極3との間の感ガス体4の抵抗値(ガスセンサ1の抵抗値)に影響する。ただし、中心電極3とヒータ兼用電極2との距離に対する中心電極3の傾きの影響は、外径φに対する中心軸方向の長さLの比率が小さいほど、小さくなる。したがって、本実施形態の構成によれば、中心電極3の傾きが生じたとしても、従来のガスセンサ1’に比べてガスセンサ1の抵抗値への影響が小さく、複数個のガスセンサ1間で抵抗値にばらつきが発生するのを抑制できる。
【0043】
しかも、図5Aに示すように、本実施形態のヒータ兼用電極2は、外径φに対する中心軸方向の長さLの比率が1以下となるように構成されているため、感ガス体4を球状に近付けることができる。ここで、図5Bには参考のために、外径φに対する中心軸方向の長さの比率が1以上となるヒータ兼用電極2’と中心電極3’とを用いた従来のガスセンサ1を示す。したがって、本実施形態のガスセンサ1によれば、ヒータ兼用電極2の中心軸方向の端部の外周部と、感ガス体4の外周面との間の厚みtを従来品の厚みt’に比べて厚くでき、被毒物質の影響を低減することができる。
【0044】
また、本実施形態の半導体式ガスセンサ1は、以下の付加的な構成を有する。すなわち、本実施形態の半導体式ガスセンサ1は、ヒータ兼用電極2のターン数が2以下である。
【0045】
このため、本実施形態の半導体式ガスセンサ1によれば、ヒータ兼用電極2の外径φに対する中心軸方向の長さLの比率を極力小さくすることができ、一層、製造時において中心電極3がヒータ兼用電極2に接触しにくくできる。
【0046】
また、本実施形態の半導体式ガスセンサ1は、以下の付加的な構成を有する。すなわち、本実施形態の半導体式ガスセンサ1は、感ガス体4の体積が0.001mm以上0.01mm以下である。
【0047】
このため、本実施形態の半導体式ガスセンサ1は、感ガス体4の体積を、従来品に比べて大幅に小さくすることができる。この結果、本実施形態の半導体式ガスセンサ1によれば、従来品に比べて、消費電力を小さくすることができ、熱応答性を大幅に改善できる。
【0048】
また、本実施形態のガス検知装置は、本実施形態の半導体式ガスセンサ1と、半導体式ガスセンサ1を駆動する駆動部7と、半導体式ガスセンサ1の駆動中の抵抗値に基づいて対象ガスを検知する検出部8とを備えている。
【0049】
このため、本実施形態のガス検知装置によれば、従来品に比べて、消費電力や熱応答性に優れたガス検知装置とすることができる。
<変形例>
本実施形態のヒータ兼用電極2は、たとえば、以下のような形状をなしていてもよい。以下、順に変形例1,2,3として説明する。
【0050】
変形例1のヒータ兼用電極2は、図6A図6Cに示すように、線径が15μm,外径φが110μm,ターン数1で形成されており、中心軸方向の長さLが40μmに形成される。したがって、外径φに対する中心軸方向の長さLの比率は約0.36である。
【0051】
変形例1のヒータ兼用電極2の体積は、0.0005mmである。この場合の感ガス体4の体積は、0.002mmとなるように設定される。
【0052】
変形例2のヒータ兼用電極2は、図7A図7Cに示すように、線径が15μm,外径φが110μm,ターン数3で形成されており、中心軸方向の長さLが90μmに形成される。したがって、外径φに対する中心軸方向の長さLの比率は約0.81である。
【0053】
変形例3のヒータ兼用電極2の体積は、0.0009mmである。この場合の感ガス体4の体積は、0.004mmとなるように設定される。
【0054】
変形例3のヒータ兼用電極2は、図8A図8Cに示すように、線径が15μm,外径φが90μm,ターン数3で形成されており、中心軸方向の長さLが90μmに形成される。したがって、外径φに対する中心軸方向の長さLの比率は1である。
【0055】
なお、本実施形態および変形例1〜3のヒータ兼用電極2は、ターン間の隙間が一定となるように構成されていたが、それぞれ異なっていてもよく、特に限定されない。
<試験>
実施例1として、線径15μm,外径φ110μm,中心軸方向の長さL65μm,ターン数2のヒータ兼用電極を用いたガスセンサを作製した。実施例2として、線径15μm,外径φ110μm,中心軸方向の長さL40μm,ターン数1のヒータ兼用電極を用いたガスセンサを作製した。実施例3として、線径15μm,外径φ110μm,中心軸方向の長さL90μm,ターン数3のヒータ兼用電極を用いたガスセンサを作製した。
【0056】
また、実施例4として、線径15μm,外径φ90μm,中心軸方向の長さL65μm,ターン数2のヒータ兼用電極を用いたガスセンサを作製した。実施例5として、線径15μm,外径φ90μm,中心軸方向の長さL40μm,ターン数1のヒータ兼用電極を用いたガスセンサを作製した。実施例6として、線径15μm,外径φ90μm,中心軸方向の長さL90μm,ターン数3のヒータ兼用電極を用いたガスセンサを作製した。なお、実施例1〜6のヒータ兼用電極および中心電極には、線径15μmの白金製の線材を用いた。
【0057】
ヒータ兼用電極は白金により構成されているため、時間ごとのヒータ兼用電極の抵抗を計測することで熱応答性を計測することができる。そこで、これら各ガスセンサに対し、感ガス体の温度が室温から400℃へ瞬間的に上昇するように、ヒータ兼用電極に電圧を印加し、このときのヒータ兼用電極の抵抗値RHの変化を測定した。
【0058】
また、参考例として、従来品のヒータ兼用電極(線径15μmの白金製線材,外径φ200μm,中心軸方向の長さL400μm,10ターン)と中心電極(線径15μmの白金製線材)を用いてガスセンサを作製した。この参考例についても上述の試験と同様に、感ガス体の温度が室温から400℃へ瞬間的に上昇するように、ヒータ兼用電極に電圧を印加し、このときのヒータ兼用電極の抵抗値RHの変化を測定した。
【0059】
また、これら各ガスセンサについて、ヒータ兼用電極に印加する電圧を変化させ、高温時や低温時に、対象ガスに対する感度がどのように変化するかを測定した。各ガスセンサについて、感ガス体を、大気(Air),濃度1000ppmのメタン(CH 1000),濃度1000ppmのイソブタン(I−B 1000),濃度1000ppmの水素(H 1000),濃度1000ppmのエタノール(Et 1000)の各雰囲気に曝露し、このときのガスセンサの抵抗値Rsを測定した。
【0060】
図9図12に、試験結果を示す。
【0061】
図9A図9B図10A図10Bに熱応答性についての試験結果を示す。図9A図10Aには、外径φ110μmのヒータ兼用電極を用いたガスセンサ(実施例1〜3)の測定結果を示し、図9B図10Bには、外径φ90μmのヒータ兼用電極を用いたガスセンサ(実施例4〜6)の測定結果を示し、図9C図10Cには、参考例の測定結果を示した。なお、図9A図9Cおよび図10A図10Cのグラフにおいて、横軸は時間(秒)を示し、縦軸はヒータ兼用電極の抵抗値RH(Ω)を示す。
【0062】
また、図11図12に、ヒータ兼用電極に印加する電圧に対する、各対象ガスの感度を示す。図11図12のグラフにおいて、横軸はヒータ兼用電極に印加する電圧VH(V)を示し、縦軸はガスセンサの抵抗値Rs(kΩ)を示す。
【0063】
図9A図9B図10A図10Bに記載のグラフからも明らかなように、実施例1〜6のガスセンサは、加熱開始から0.1秒程度でヒータ兼用電極の抵抗値が安定するのに対し、参考例のガスセンサは、ヒータ兼用電極の抵抗値が安定するのに1.2秒程度かかるのがわかる。これにより、実施例1〜6のガスセンサによれば、従来品のガスセンサに比べて、大幅に熱応答性が改善されたのがわかった。
【0064】
また、図11,12に記載のグラフからも明らかなように、実施例1〜6のガスセンサは、高温時や低温時に対象ガスに対する感度を示し、一般的な半導体式ガスセンサと同じような特性を示した。
【符号の説明】
【0065】
1 半導体式ガスセンサ
2 ヒータ兼用電極
21 透孔部
3 中心電極
4 感ガス体
6 筐体
61 ベース
65 キャップ体
7 駆動部
71 制御部
72 電源回路
73 スイッチング素子
74 マイコン
8 検出部
9 出力部
図1
図2
図3
図4
図5
図6
図7
図8
図9
図10
図11
図12