特許 6204492 ガラス充填高性能非晶質ポリマー組成物上の金属化および表面コーティング溶液

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6204492

(24)【登録日】2017年9月8日

(45)【発行日】2017年9月27日

(54)【発明の名称】ガラス充填高性能非晶質ポリマー組成物上の金属化および表面コーティング溶液

(51)【国際特許分類】

   B32B 27/28 20060101AFI20170914BHJP

   B32B 27/36 20060101ALI20170914BHJP

   B32B 27/20 20060101ALI20170914BHJP

   B32B 27/30 20060101ALI20170914BHJP

   B32B 15/08 20060101ALI20170914BHJP

   B32B 15/09 20060101ALI20170914BHJP

   H05K 9/00 20060101ALI20170914BHJP

   C23C 14/14 20060101ALI20170914BHJP

   C23C 14/20 20060101ALI20170914BHJP

   G11B 33/14 20060101ALI20170914BHJP

   G11B 33/02 20060101ALI20170914BHJP

【ＦＩ】

   B32B27/28

   B32B27/36 102

   B32B27/20 Z

   B32B27/30 A

   B32B15/08 Q

   B32B15/09 Z

   H05K9/00 W

   C23C14/14 D

   C23C14/14 B

   C23C14/20 A

   G11B33/14 503Z

   G11B33/02 305Z

【請求項の数】8

【全頁数】33

(21)【出願番号】特願2015-549935(P2015-549935)

(86)(22)【出願日】2012年12月31日

(65)【公表番号】特表2016-508896(P2016-508896A)

(43)【公表日】2016年3月24日

(86)【国際出願番号】CN2012088051

(87)【国際公開番号】WO2014101188

(87)【国際公開日】20140703

【審査請求日】2016年1月4日

(73)【特許権者】

【識別番号】508171804

【氏名又は名称】サビック グローバル テクノロジーズ ベスローテン フェンノートシャップ

(74)【代理人】

【識別番号】100105924

【弁理士】

【氏名又は名称】森下 賢樹

(72)【発明者】

【氏名】シェン、リアン

(72)【発明者】

【氏名】ヤン、ヤンガン

(72)【発明者】

【氏名】フェン、ウェイ

【審査官】 安藤 達也

(56)【参考文献】

【文献】 特開平０４−３３７０７８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０３−０４１７９８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０９−１３５０９７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００４−０４５８８３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１１−０７３３２２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００３−３０１１０５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００１−１５２０１４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００５−１７５２４３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特公平０３−０４５６８７（ＪＰ，Ｂ２）

【文献】 米国特許出願公開第２００３／０００４２８０（ＵＳ，Ａ１）

【文献】 特許第３７７４６４５（ＪＰ，Ｂ２）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｂ３２Ｂ１／００〜Ｂ３２Ｂ４３／００

Ｃ２３Ｃ１４／００〜Ｃ２３Ｃ１４／５８

Ｈ０５Ｋ９／００

Ｇ１１Ｂ３３／００〜Ｇ１１Ｂ３３／１４

Ｃ０８Ｊ７／００〜Ｃ０８Ｊ７／１８

Ｂ０５Ｄ１／００〜Ｂ０５Ｄ７／２６

Ｃ０８Ｌ１／００〜Ｃ０８Ｌ１０１／１６

Ｃ０８Ｋ３／００〜Ｃ０８Ｋ１３／０８

Ｃ０９Ｄ１／００〜Ｃ０９Ｄ２０１／１０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

組成物の質量に対して、
（ａ）３５〜８５質量％の、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンスルホン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン、ポリスルホン、高熱ポリカーボネートおよびそれらの組み合わせを含む、ガラス転移温度が少なくとも１８０℃の高熱非晶質ポリマー材料と、
（ｂ）１０〜５０質量％の、ガラス繊維、ガラスフレーク、扁平ガラス繊維、ガラスビーズおよびこれらの組み合わせから選択された充填剤と、
（ｃ）０〜１０質量％の、流動促進剤、熱安定剤、離型剤およびこれらの組み合わせから選択された少なくとも１つの添加剤と、を含む組成物を含む基板と；
前記基板上に配置された第１の層と；
第１の層上に配置された第２の層と、を備える生成物であって、
前記第１の層と第２の層は、Ｃｕ、Ｎｉ、ＣｒおよびＡｌから選択された少なくとも１つの金属を含む金属化コーティング、並びにオリゴマーまたはモノマーを含むアクリル部分と、光開始剤と、レベリング剤、賦形剤およびこれらの組み合わせから選択された少なくとも１つとを含むポリマーコーティングから独立に選択され、前記第１の層は前記第２の層とは異なり、前記生成物の脱イオン水による超音波洗浄５回後の液中パーティクル数は１，５００個／ｃｍ^２未満であり、
前記生成物のＥＭＩ遮蔽効果は３０ｄＢ超であり、
前記生成物のクロスハッチテープ等級が、ＡＳＴＭ Ｄ３３５９基準の等級３Ｂ以上である、
ことを特徴とする生成物。

【請求項2】

前記金属化コーティングは、物理蒸着法（ＰＶＤ）、すなわち、スパッタリング、真空熱蒸着（ＶＴＥ）およびこれらの組み合わせから選択された１つで形成されることを特徴とする請求項１に記載の生成物。

【請求項3】

前記金属化コーティングの厚みは１００〜５００ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至請求項２のいずれかに記載の生成物。

【請求項4】

前記ポリマーコーティングの厚みは５〜２０μｍであることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の生成物。

【請求項5】

クロスハッチテープ等級が、ＡＳＴＭ Ｄ３３５９基準の等級３Ｂ〜等級５Ｂであり；
ＥＭＩ遮蔽効果が３０ｄＢ超であり；
全有機体炭素（ＴＯＣ）が１０００ｎｇ／ｃｍ^２未満で示されるように、８５℃でのアウトガス検出が低く；
陰イオン濃度が６０ｎｇ／ｃｍ^２未満で示されるように、全浸出イオンクロマトグラフィ（ＩＣ）検出が低く；
脱イオン水による超音波洗浄５回後の液中パーティクル数（ＬＰＣ）が１，５００個／ｃｍ^２未満と低く；
全有機体炭素（ＴＯＣ）が３０ｎｇ／ｃｍ^２未満で示されるように、ガスクロマトグラフィ／質量分光法（ＧＣ−ＭＳ）で検出される不揮発性残留物（ＮＶＲ）が低く；
ガスクロマトグラフィ／質量分光法（ＧＣ−ＭＳ）で検出される全炭化水素が２ｎｇ／ｃｍ^２未満であり；
ガスクロマトグラフィ／質量分光法（ＧＣ−ＭＳ）で検出される全Ｉｒｇａｆｏｓが２ｎｇ／ｃｍ^２未満である、ことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の生成物。

【請求項6】

ハードディスクドライブ筐体の形態であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の生成物。

【請求項7】

曲げ弾性率が８，０００ＭＰａ超であり；
引張応力が１００ＭＰａ超であり；
熱変形温度（ＨＤＴ）が１８０℃超であり；
ノッチ付衝撃強度が５０Ｊ／ｍ超である、ことを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の生成物。

【請求項8】

請求項１に記載の生成物における基板の表面上に金属化コーティングを製造する方法であって、
組成物の質量に対して、
（ａ）３５〜８５質量％の、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンスルホン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン、ポリスルホン、高熱ポリカーボネートおよびそれらの組み合わせを含む、ガラス転移温度が少なくとも１８０℃の高熱非晶質ポリマー材料と、
（ｂ）１０〜５０質量％の、ガラス繊維、ガラスフレーク、扁平ガラス繊維、ガラスビーズおよびこれらの組み合わせから選択された充填剤と、
（ｃ）０〜１０質量％の、流動促進剤、熱安定剤、離型剤およびこれらの組み合わせから選択された少なくとも１つの添加剤と、を含む組成物を含む基板を提供するステップと；
スパッタリング、真空熱蒸着（ＶＴＥ）およびこれらの組み合わせから選択された１つの物理蒸着（ＰＶＤ）ステップによって、Ｃｕ、Ｎｉ、ＣｒおよびＡｌから選択された少なくとも１つの金属を含む金属化コーティングを前記基板上に提供するステップと、を備えることを特徴とする請求項１に記載の生成物における基板の表面上に金属化コーティングを製造する方法。

【発明の詳細な説明】

【背景技術】

【0001】

充填剤を有する高性能（高熱）非晶質ポリマー（Ｔｇが１８０℃以上）組成物は、良好な機械的特性と高温での優れた寸法安定性を有しており、例えばハードディスクドライブなどの金属置換用途用の成形品の製造に応用できる。そのすべての性能を満たすには、少なくともある量の充填剤が樹脂に導入されなければならない。一方、こうした組成物は、最終部品のアウトガス、浸出イオンクロマトグラフ（ＩＣ）、液中パーティクル数（ＬＰＣ）および不揮発性残留物（ＮＶＲ）性能特性から明らかとなる優れた清浄特性を要求される。しかしながら、今までの充填剤強化高性能ポリマー部品の成形後の表面は、表面上を流れる充填剤のために非常に粗く、清浄性能が劣っていた。ガラス強化高性能ポリマー系物品上の電磁妨害（ＥＭＩ）遮蔽効果を達成する金属化法の提供が求められている。

【発明の概要】

【0002】

種々の実施形態では、プラスチック組成物上の被覆効果を提供して部品の清浄性能を向上させ得るスパッタリング法またはＰＶＤ（物理蒸着）法を用いて、ナノスケール金属層をプラスチック物品表面上に導入する。一方、成長するＨＤＤ市場からの超清浄要件を満たすために、ガラス強化高性能ポリマー部品上にミクロスケールのアクリレートコーティング層を生成する新規のポリマーコーティングプロセスも使用できる。さらに、この金属化法とポリマーコーティング法を組み合わせて、全ての性能を良好に維持しながら、アウトガス、浸出ＩＣ、ＬＰＣおよびＮＶＲの清浄性能を向上させるガラス充填剤強化高性能非晶質ポリマー上の優れた被覆効果が達成できる。

【0003】

本発明のこれらおよび他の特徴、態様および利点は、以下の記述、添付の請求項および添付図を参照することによって一層よく理解されるであろう。

【図面の簡単な説明】

【0004】

【図1(A)】真空熱蒸着（ＶＴＥ）の原理を示す概略図である。

【図1(B)】大量生産用熱蒸着装置の写真である。

【図2】直流（ＤＣ）ダイオードスパッタリングの原理とプロセスを示す概略図である。

【図3】ＤＣマグネトロンスパッタリングの原理とプロセスを示す概略図である。

【図4】フローコーティングプロセスのステップを示す概略図である。

【図5】クロスハッチテープ試験の標準操作手順（ＳＯＰ）とＡＳＴＭ基準の要約を示す。

【図6】２プローブファラデックスメーター装置とプロセスを示す概略図である。

【図7(A)】金属化と、金属層と基板間にアクリレートコーティング層を有するコーティング構造と、を示す概略図である。

【図7(B)】金属化と、アクリレートコーティング層と基板間に金属層を有するコーティング構造と、を示す概略図である。 種々の実施形態は、図に示した配置および手段に限定されないことは理解されるべきでる。

【発明を実施するための形態】

【0005】

本発明は部分的には、ガラス転移温度が少なくとも１８０℃の高熱非晶質ポリマー材料、充填剤および任意に流動促進剤の特定の組み合わせと、あるプロセス条件と、を用いることによって、該高熱非晶質ポリマー材料、該充填剤および該任意の流動促進剤から成る基板と、金属化コーティングまたはポリマーコーティングと、を有する生成物であって、そのアウトガス、浸出イオンクロマトグラフ（ＩＣ）、液中パーティクル数（ＬＰＣ）および不揮発性残留物（ＮＶＲ）特性で明らかな優れた清浄特性を有する生成物が今や製造できるという観察に基づいている。好都合なことに、本発明の生成物の液中パーティクル数は１，５００個／ｃｍ^２未満、ＥＭＩ遮蔽効果は３０ｄＢ超であって、基板上の第１のコーティングと、その上に配置された任意の第２のコーティングと、を有する。

【0006】

本発明は、好適な実施形態に関する以下の詳細な記述と、そこに含まれる実施例を参照することによってより容易に理解されるであろう。明示的に示されているか否かに拘わらず、本明細書における数値はすべて、「約」で修飾されているものと見なされる。「約」は一般に、当業者が引用された数値と等価である（すなわち、同じ機能または結果を有する）と考える数値範囲を指す。多くの場合、「約」は、最も近い有効数字に四捨五入される数を含んでよい。

【0007】

本出願における「上に配置された」は、ある層が別の層または基板に十分に接着しており、生成物のクロスハッチテープ試験がＡＳＴＭ Ｄ３３５９基準の等級３Ｂ以上であることを意味する。例えば、生成物が基板とその上に配置された第１の層を含む場合、「上に配置された」は、第１の層が基板に十分に接着しており、生成物のクロスハッチテープ試験がＡＳＴＭ Ｄ３３５９基準の等級３Ｂ以上であることを意味する。生成物が、基板と、その上に配置された第１の層と、第１の層上に配置された第２の層と、を含む場合、「上に配置された」は、第２の層が第１の層に十分に接着しており、また、第１の層が基板に十分に接着しており、生成物のクロスハッチテープ試験がＡＳＴＭ Ｄ３３５９基準の等級３Ｂ以上であることを意味する。

【0008】

本出願での「液中パーティクル数」は、生成物から調製された液体サンプル中で検出された所定の粒度分布の粒子数を意味する。生成物上の微粒子汚染物質の分析に適した液体サンプルを得るには、水または水と洗浄液で生成物を洗浄する。その後、微粒子含有液体をビーカーに入れ、このサンプルと抽出流体を含むビーカーを超音波浴中に入れる。その後、超音波浴内で、固形物から粒子を抽出する。ある期間経過後（通常は１〜６０分）、サンプルを取り出し、流体を抽出して存在する微粒子数を分析する。粒子は、半導体レーザーで液体サンプルを照射し、散乱光を検出することで測定される。散乱光の特性は、粒径に影響を及ぼす。粒径を測定すると、それぞれの径範囲内の粒子数が決定される。測定される粒子径範囲は、使用する検出器に依存する。本発明では、生成物の液中パーティクル数は１，５００個／ｃｍ^２未満であり、粒径分布範囲は３００ｎｍ〜２μｍである。

【0009】

本出願での「クロスハッチテープ試験」は、基板とコーティング間または異なるコーティング層間の結合のコーティング接着または強度の、あるいは一部の基板の結合強度を決定する方法である。クロスハッチテープ試験は、十分な力で基板まで確実にカットできるように、約２０〜３０ｍｍ長さにカットして行える。カッター開口幅はコーティング厚に依存する。角度９０°での第１のカットと同様の長さのカットによって、基板までのカットが再び確実に行える。柔らかいブラシまたはティッシュでコーティングを少しブラッシングして、コーティングの剥離した薄片やリボンを取り除いた後、ＡＳＴＭ Ｄ３３５９規格に記載の接着試験結果の分類に従って、得られたクロスハッチパターンをチェックする。ＡＳＴＭ Ｄ３３５９に準拠した接着テープを使用後、結果をチェックしてもよい。

【0010】

本発明の生成物によるＥＭＩ（電磁妨害）遮蔽効果は、電磁妨害、すなわち、電子動作を妨害し電子デバイスを誤動作させる可能性がある通常の広範な障害源の遮蔽を指す。ＥＭＩ遮蔽効果は、Ｈ−野を発生させ、減衰したＨ−野を受信アンテナで測定することによって、サンプルの「スクエア抵抗」（Ｒｓ）を決定することで測定できる。遮蔽効果（ＳＥ）は、式：ＳＥ＝２０ｌｏｇ（３７７／（２×Ｒｓ）＋１）にＲｓを代入して算出される。ＥＭＩ遮蔽効果の特定の決定方法を後述の実施例に記す。

【0011】

種々の実施形態は、高熱非晶質ポリマー材料と、充填剤と、任意に少なくとも１つの添加剤と、を含み得る組成物に関する。

【0012】

該組成物は、下限値およびまたは上限値を有するある範囲内のある量の高熱非晶質ポリマー材料を含んでいてもよい。該範囲には、下限値およびまたは上限値が含まれていても含まれていなくてもよい。該下限値およびまたは上限値は、組成物の質量に対して、５、１０、１５、２０、２５、３０、３５、３６、３７、３８、３９、４０、４１、４２、４３、４４、４５、４６、４７、４８、４９、５０、５１、５２、５３、５４、５５、５６、５７、５８、５９、６０、６１、６２、６３、６４、６５、６６、６７、６８、６９、７０、７１、７２、７３、７４、７５、７６、７７、７８、７９、８０、８１、８２、８３、８４、８５、９０および９５質量％から選択できる。例えば、ある好適な実施形態では、該組成物は、その質量に対して、３５〜８５質量％の範囲内のある量の高熱非晶質ポリマー材料を含んでいてもよい。

【0013】

該組成物は、下限値およびまたは上限値を有するある範囲内のある量の充填剤を含んでいてもよい。該範囲には、下限値およびまたは上限値が含まれていても含まれていなくてもよい。該下限値およびまたは上限値は、組成物の質量に対して、５、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、２０、２１、２２、２３、２４、２５、２６、２７、２８、２９、３０、３１、３２、３３、３４、３５、３６、３７、３８、３９、４０、４１、４２、４３、４４、４５、４６、４７、４８、４９、５０、５５、６０、６５、７０、７５、８０、８５、９０および９５質量％から選択できる。例えば、ある好適な実施形態では、該組成物は、その質量に対して、１０〜５０％質量％の範囲内のある量の充填剤を含んでいてもよい。

【0014】

該組成物は、下限値およびまたは上限値を有するある範囲内のある量の少なくとも１つの添加剤を含んでいてもよい。該範囲には、下限値およびまたは上限値が含まれていても含まれていなくてもよい。該下限値およびまたは上限値は、組成物の質量に対して、０、１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１５、２０、２５、３０、３５、４０、４５および５０質量％から選択できる。例えば、ある好適な実施形態では、該組成物は、その質量に対して、０〜１０質量％の範囲内のある量の少なくとも１つの添加剤を含んでいてもよい。

【0015】

高熱非晶質ポリマー材料のガラス転移温度は、下限値およびまたは上限値を有するある範囲内であってもよい。該範囲には、下限値およびまたは上限値が含まれていても含まれていなくてもよい。該下限値およびまたは上限値は、１５０、１５５、１６０、１６５、１７０、１７５、１８０、１８１、１８２、１８３、１８４、１８５、１８６、１８７、１８８、１８９、１９０、１９１、１９２、１９３、１９４、１９５、１９６、１９７、１９８、１９９、２００、２０１、２０２、２０３、２０４、２０５、２０６、２０７、２０８、２０９、２１０、２１１、２１２、２１３、２１４、２１５、２１６、２１７、２１８、２１９、２２０、２２１、２２２、２２３、２２４、２２５、２２６、２２７、２２８、２２９、２３０、２３１、２３２、２３３、２３４、２３５、２３６、２３７、２３８、２３９、２４０、２４１、２４２、２４３、２４４、２４５、２４６、２４７、２４８、２４９、２５０、２５１、２５２、２５３、２５４、２５５、２５６、２５７、２５８、２５９、２６０、２６５、２７０、２７５、２８０、２８５、２９０、２９５および３００℃から選択できる。例えば、ある好適な実施形態では、高熱非晶質ポリマー材料のガラス転移温度は、少なくとも１８０℃または１８０〜２９０℃である。

【0016】

高熱非晶質ポリマー材料としては、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリフェニレンスルホン（ＰＰＳＵ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリスルホン（ＰＳＵ）、高熱ポリカーボネート（ＨＨＰＣ）およびこれらの組み合わせが挙げられ得る。

【0017】

充填剤は、ガラス繊維、ガラスフレーク、扁平ガラス繊維、ガラスビーズおよびこれらの組み合わせから選択できる。

【0018】

少なくとも１つの添加剤は、流動促進剤、熱安定剤、離型剤およびこれらの組み合わせであってもよい。流動促進剤としては、ポリアミドおよびまたは液晶ポリマーが挙げられる。流動促進剤は、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）であってもよい。流動促進剤は、芳香族ポリエステルである液晶ポリマーであってもよい。

【0019】

別の実施形態は、基板と、その上に配置された第１の層と、任意の第１の層上に配置された第２の層と、を含み得る生成物に関する。

【0020】

第１の層と第２の層は、金属化コーティングとポリマーコーティングから独立に選択できる。基板は、該実施形態に記載の組成物、すなわち、組成物の質量に対して、３５〜８５質量％の、ガラス転移温度が少なくとも１８０℃の高熱非晶質ポリマー材料と；１０〜５０質量％の、ガラス繊維、ガラスフレーク、扁平ガラス繊維、ガラスビーズおよびこれらの組み合わせから選択された充填剤と；０〜１０％質量％の、流動促進剤、熱安定剤、離型剤およびこれらの組み合わせから構成される群から選択された少なくとも１つの添加剤と、を含む組成物を含んでいてもよい。

【0021】

金属化コーティングは、物理蒸着（ＰＶＤ）、例えば、スパッタリング、真空熱蒸着（ＶＴＥ）およびこれらの組み合わせで形成できる。金属化コーティングは、Ｃｕ、Ｎｉ、ＣｒおよびＡｌから構成される群から選択された少なくとも１つの金属を含んでいてもよい。金属化コーティングは、基板の少なくとも１つの表面上に形成できる。金属化コーティングは、基板の反対表面上に形成できる。

【0022】

金属化コーティングの厚みは、下限値およびまたは上限値を有するある範囲内であってもよい。該範囲には、下限値およびまたは上限値が含まれていても含まれていなくてもよい。下限値およびまたは上限値は、７５、８０、８５、９０、９５、１００、１０５、１１０、１１５、１２０、１２５、１３０、１３５、１４０、１４５、１５０、１５５、１６０、１６５、１７０、１７５、１８０、１８５、１９０、１９５、２００、２０５、２１０、２１５、２２０、２２５、２３０、２３５、２４０、２４５、２５０、２５５、２６０、２６５、２７０、２７５、２８０、２８５、２９０、２９５、３００、３０５、３１０、３１５、３２０、３２５、３３０、３３５、３４０、３４５、３５０、３５５、３６０、３６５、３７０、３７５、３８０、３８５、３９０、３９５、４００、４０５、４１０、４１５、４２０、４２５、４３０、４３５、４４０、４４５、４５０、４５５、４６０、４６５、４７０、４７５、４８０、４８５、４９０、４９５、５００、５１０、５２０、５３０、５４０、５５０、５６０、５７０、５８０、５９０および６００ｎｍから選択できる。例えば、ある好適な実施形態では、金属化コーティングの厚みは１００〜５００ｎｍであってもよい。

【0023】

ポリマーコーティングは、オリゴマーまたはモノマーを含むアクリル部分と、光開始剤と、レベリング剤、賦形剤およびこれらの組み合わせから選択された少なくとも１つと、を含んでいてもよい。

【0024】

ポリマーコーティングの厚みは、下限値およびまたは上限値を有するある範囲内であってもよい。該範囲には、下限値およびまたは上限値が含まれていても含まれていなくてもよい。該下限値およびまたは上限値は、１、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、２０、２５、３０、３５、４０、４５、５０、５５、６０、６５、７０、７５、８０、８５、９０、９５および１００μｍから選択できる。例えば、ある好適な実施形態では、ポリマーコーティングの厚みは５〜２０μｍであってもよい。

【0025】

第１の層は、ポリマーコーティングであってもよく、第２の層は、金属化コーティングであってもよい。第１の層は、金属化コーティングであってもよく、第２の層は、ポリマーコーティングであってもよい。

【0026】

該生成物のクロスハッチテープ試験等級は、ＡＳＴＭ Ｄ３３５９基準の等級５Ｂという良好なものであり得る。別の実施形態では、該生成物のクロスハッチテープ試験等級は、少なくともＡＳＴＭ Ｄ３３５９基準の等級３Ｂである。別の実施形態では、該生成物のクロスハッチテープ試験等級は、ＡＳＴＭ Ｄ３３５９基準の等級３Ｂ、４Ｂおよび５Ｂの範囲内である。

【0027】

該生成物のＥＭＩ遮蔽効果は、下限値およびまたは上限値を有するある範囲内であり得る。該範囲には、下限値およびまたは上限値が含まれていても含まれていなくてもよい。該下限値およびまたは上限値は、２０、２１、２２、２３、２４、２５、２６、２７、２８、２９、３０、３５、４０、４５、５０、５５、６０、６５、７０、７５、８０、８５、９０、９５、１００、１０５、１１０、１１５、１２０、１２５、１３０、１３５、１４０、１４５、１５０、１５５、１６０、１６５、１７０、１７５、１８０、１８５、１９０、１９５および２００ｄＢから選択できる。例えば、ある好適な実施形態では、該生成物のＥＭＩ遮蔽効果は３０ｄＢ超であり得る。

【0028】

該生成物の８５℃でのアウトガス検出は、下限値およびまたは上限値を有するある範囲内の全有機体炭素（ＴＯＣ）で示されるように、低いものであり得る。該範囲には、下限値およびまたは上限値が含まれていても含まれていなくてもよい。該下限値およびまたは上限値は、０、１０、２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０、９０、１００、１１０、１２０、１３０、１４０、１５０、１６０、１７０、１８０、１９０、２００、２１０、２２０、２３０、２４０、２５０、２６０、２７０、２８０、２９０、３００、３１０、３２０、３３０、３４０、３５０、３６０、３７０、３８０、３９０、４００、４１０、４２０、４３０、４４０、４５０、４６０、４７０、４８０、４９０、５００、５１０、５２０、５３０、５４０、５５０、５６０、５７０、５８０、５９０、６００、６１０、６２０、６３０、６４０、６５０、６６０、６７０、６８０、６９０、７００、７１０、７２０、７３０、７４０、７５０、７６０、７７０、７８０、７９０、８００、８１０、８２０、８３０、８４０、８５０、８６０、８７０、８８０、８９０、９００、９１０、９２０、９３０、９４０、９５０、９６０、９７０、９８０、９９０、１０００、１１００、１２００、１３００、１４００、１５００、１６００、１７００、１８００、１９００および２０００ｎｇ／ｃｍ^２から選択できる。例えば、ある好適な実施形態では、該生成物の８５℃でのアウトガス検出は、全有機炭素（ＴＯＣ）が１０００ｎｇ／ｃｍ^２未満で示されるように、低いものであり得る。

【0029】

該生成物の全浸出イオンクロマトグラフィ（ＩＣ）検出は、陰イオン濃度が下限値およびまたは上限値を有するある範囲で示されるように、低いものであり得る。該範囲には、下限値およびまたは上限値が含まれていても含まれていなくてもよい。該下限値およびまたは上限値は、０、１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、２０、２１、２２、２３、２４、２５、２６、２７、２８、２９、３０、３１、３２、３３、３４、３５、３６、３７、３８、３９、４０、４１、４２、４３、４４、４５、４６、４７、４８、４９、５０、５１、５２、５３、５４、５５、５６、５７、５８、５９、６０、６５、７０、７５、８０、８５、９０、９５および１００ｎｇ／ｃｍ^２から選択できる。例えば、ある好適な実施形態では、該生成物の全浸出イオンクロマトグラフィ（ＩＣ）検出は、陰イオン濃度が６０ｎｇ／ｃｍ^２未満で示されるように、低いものであり得る。

【0030】

該生成物の水中パーティクル数は、脱イオン水超音波洗浄５回後で下限値およびまたは上限値を有するある範囲内で示されるように、低いものであり得る。該範囲には、下限値およびまたは上限値が含まれていても含まれていなくてもよい。該下限値およびまたは上限値は、０、５０、１００、１５０、２００、２５０、３００、３５０、４００、４５０、５００、５５０、６００、６５０、７００、７５０、８００、８５０、９００、９５０、１０００、１０５０、１１００、１１５０、１２００、１２５０、１３００、１３５０、１４００、１４５０、１５００、１５５０、１６００、１６５０、１７００、１７５０、１８００、１８５０、１９００、１９５０および２０００個／ｃｍ^２から選択できる。例えば、ある好適な実施形態では、該生成物の液中パーティクル数（ＬＰＣ）は、脱イオン水超音波洗浄５回後で１，５００個／ｃｍ^２未満と低いものであり得る。

【0031】

該生成物のガスクロマトグラフィ／質量分光法（ＧＣ−ＭＳ）で検出された不揮発性残留物（ＮＶＲ）は、全有機体炭素（ＴＯＣ）が下限値およびまたは上限値を有するある範囲内で示されるように、低いものであり得る。該範囲には、下限値およびまたは上限値が含まれていても含まれていなくてもよい。該下限値およびまたは上限値は、０、１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、２０、２１、２２、２３、２４、２５、２６、２７、２８、２９、３０、３５、４０、４５、５０、５５、６０、６５、７０、７５、８０、８５、９０、９５および１００ｎｇ／ｃｍ^２から選択できる。例えば、ある好適な実施形態では、該生成物のガスクロマトグラフィ／質量分光法（ＧＣ−ＭＳ）で検出された不揮発性残留物（ＮＶＲ）は、全有機体炭素（ＴＯＣ）が３０ｎｇ／ｃｍ^２未満で示されるように、低いものであり得る。該生成物のガスクロマトグラフィ／質量分光法（ＧＣ−ＭＳ）で検出された全炭化水素は、２ｎｇ／ｃｍ^２未満であり得る。

【0032】

該生成物のガスクロマトグラフィ／質量分光法（ＧＣ−ＭＳ）で検出された全ＩＲＧＡＦＯＳ（登録商標）は、下限値およびまたは上限値を有するある範囲内であり得る。該範囲には、下限値およびまたは上限値が含まれていても含まれていなくてもよい。該下限値およびまたは上限値は、０、０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、０．６、０．７、０．８、０．９、１、１．１、１．２、１．３、１．４、１．５、１．６、１．７、１．８、１．９、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９および２０ｎｇ／ｃｍ^２から選択できる。例えば、ある好適な実施形態では、該生成物のガスクロマトグラフィ／質量分光法（ＧＣ−ＭＳ）で検出された全ＩＲＧＡＦＯＳ（登録商標）は、２ｎｇ／ｃｍ^２未満であり得る。

【0033】

一部の実施形態では、該生成物は、ハードディスクドライブ筐体の形態であってもよい。本発明に包含されるハードディスクドライブ筐体は、多種類のハードディスクドライブを包含できるように寸法付けられる。一般に、ハードディスクドライブは、データを読み表面に書き込む、可動のアクチュエータアーム上に配置された磁気ヘッドを有する、磁性材料でコーティングされた１つまたは複数の剛な（「ハードな」）急速回転ディスク（プラッター）から成る。一実施形態では、該ハードディスクドライブ筐体は、ディスクベースと；ディスクベース上に搭載され、少なくとも１つのディスクに接続されて少なくとも１つの回転ディスク表面を形成するスピンドルモータと；ディスクベースに枢動可能に取り付けられて、少なくともアクチュエータアームを通して回転ディスク表面上にスライダーを位置付けるヘッドスタック組立体と；ディスクベースに取り付けられ、ディスクベースに垂直のアクチュエータアームを通して作用する衝撃移動を制限するために留まっている時に、アクチュエータアーム近くに位置付けられる少なくともフィンガーを含むアームリミッタと、を備えるハードディスクドライブ用のものである。ハードディスクドライブ筐体は、射出成形などの任意の適切な方法で製造できる。ハードディスクドライブの寸法は変わってもよい。一実施形態では、筐体の長さは変わってもよい。一実施形態では、ハードディスクドライブの長さは３０〜２５０ｍｍであり、幅は１０〜１５０ｍｍであり、高さは１〜５０ｍｍである。

【0034】

一部の実施形態では、該生成物の曲げ弾性率は、下限値およびまたは上限値を有するある範囲内であり得る。該範囲には、下限値およびまたは上限値が含まれていても含まれていなくてもよい。該下限値およびまたは上限値は、７０００、７５００、８０００、８１００、８２００、８３００、８４００、８５００、８６００、８７００、８８００、８９００、９０００、９１００、９２００、９３００、９４００、９５００、９６００、９７００、９８００、９９００、１００００、１１０００、１２０００、１３０００、１４０００、１５０００、１６０００、１７０００、１８０００、１９０００、２００００、２１０００、２２０００、２３０００、２４０００および２５０００Ｍｐａから選択できる。例えば、ある好適な実施形態では、該生成物の曲げ弾性率は８，０００ＭＰａ超であり得る。

【0035】

該生成物の引張応力は、下限値およびまたは上限値を有するある範囲内であり得る。該範囲には、下限値およびまたは上限値が含まれていても含まれていなくてもよい。該下限値およびまたは上限値は、５０、６０、７０、８０、９０、１００、１１０、１２０、１３０、１４０、１５０、１６０、１７０、１８０、１９０、２００、２５０、３００、３５０、４００、４５０、５００、５５０、６００、６５０、７００、７５０、８００、８５０、９００、９５０、１０００、１１００、１２００、１３００、１４００、１５００、１６００、１７００、１８００、１９００および２０００Ｍｐａから選択できる。例えば、ある好適な実施形態では、該生成物の引張応力は１００ＭＰａ超であり得る。

【0036】

該生成物の熱変形温度（ＨＤＴ）は、下限値およびまたは上限値を有するある範囲内であり得る。該範囲には、下限値およびまたは上限値が含まれていても含まれていなくてもよい。該下限値およびまたは上限値は、１５０、１６０、１７０、１８０、１９０、２００、２０５、２１０、２１５、２２０、２２５、２３０、２３５、２４０、２４５、２５０、２５５、２６０、２６５、２７０、２７５、２８０、２８５、２９０、２９５、３００、３１０、３２０、３３０、３４０、３５０、３６０、３７０、３８０、３９０、４００、４５０、５００、５５０、６００、６５０、７００、７５０、８００、８５０、９００、９５０および１０００℃から選択できる。例えば、ある好適な実施形態では、該生成物の熱変形温度（ＨＤＴ）は１８０℃超であり得る。

【0037】

該生成物のノッチ付衝撃強度は、下限値およびまたは上限値を有するある範囲内であり得る。該範囲には、下限値およびまたは上限値が含まれていても含まれていなくてもよい。該下限値およびまたは上限値は、１０、２０、３０、４０、５０、５１、５２、５３、５４、５５、５６、５７、５８、５９、６０、６５、７０、７５、８０、８５、９０、９５、１００、１１０、１２０、１３０、１４０、１５０、１６０、１７０、１８０、１９０、２００、２５０、３００、３５０、４００、４５０、５００、５５０、６００、６５０、７００、７５０、８００、８５０、９００、９５０および１０００Ｊ／ｍから選択できる。例えば、ある好適な実施形態では、該生成物のノッチ付衝撃強度は５０Ｊ／ｍ超であり得る。

【0038】

種々の実施形態は、清浄度が向上した充填剤強化高熱ポリマー組成物であって、ガラス転移温度が１８０℃超の高熱非晶質ポリマーの少なくとも１つ、好適にはポリエーテルイミドと；上記ポリマーとブレンドされた適切な熱可塑性樹脂と；ガラス量が組成物の合計質量に対して１０〜６０質量％の、ガラス繊維、ガラスフレーク、扁平ガラス繊維およびガラスビーズの内の少なくとも１つの充填剤またはその組み合わせと；量が組成物の合計質量に対して０〜１０質量％の、流動促進剤、熱安定剤および離型剤などの他の添加剤と、を含む組成物に関する。

【0039】

種々の実施形態は、厚みが２００ｎｍ〜５００ｎｍの金属層を含む、プラスチック樹脂表面上の金属化プロセスに関する。該金属層は、電磁妨害（ＥＭＩ）遮蔽機能を実現し、また大量生産を容易にするために、単一の金属層すなわちＣｕ、Ｎｉ、ＣｒまたはＡｌ層、あるいは二層の金属層すなわちＣｒ／Ｎｉ層を含んでいてもよい。該金属化法は、実験室での、またはプラントにおける大量生産での金属膜調製のために、スパッタリング法と真空熱蒸着（ＶＴＥ）法を備えていてもよい。種々の実施形態では、該プロセスは、エッチングステップと、金属化チャンバ内でのその場酸素プラズマ処理と、を備えていてもよく、表面上の膜接着性を向上させるためにプラスチックプラークの前処理として採用され得る。

【0040】

他の実施形態は、プラスチック樹脂表面上の表面ポリマーコーティングプロセスに関する。コーティングは、金属化の前または後のいずれかで行える。該コーティングプロセスは、スプレーコーティング、ディップコーティングおよびフローコーティングを含み得る。該コーティングは、ＵＶランプで硬化できるアクリレート混合物であってもよい。該コーティングは主に、アクリレートオリゴマーとモノマー、光開始剤、レベリング剤および賦形剤で製造され得る。コーティング層の厚みは、１μｍ〜２０μｍであってもよく、あるいは５μｍ〜２０μｍであってもよい。

【0041】

種々の実施形態では、コーティングは、スプレーコーティング、ディップコーティングまたはフローコーティングで、ポリエーテルイミド基板の表面上に導入され得る。コーティング後、酢酸エチル、酢酸ブチル、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、１−メトキシ２−プロパノール、エチレングリコールモノエチルエーテルあるいはこれらの混合物であり得る賦形剤。乾燥条件は、２５〜７０℃にて１〜３０分であってもよい。コーティングはＵＶ系であってもよく、エネルギーが５００ｍＪ／ｃｍ^２超のＵＶランプで硬化させられる。コーティング層の鉛筆硬度は、荷重１０００ｇで２Ｈ超であり得る。

【0042】

本発明を以下の具体的な実施例でさらに説明する（特に明記されない限り、部および％はすべて質量部、質量％である）。
［実施例］

【0043】

実施例で使用した材料を表１に示す。

【0044】

【表1】

【0045】

実施例で使用したコーティング材料を表２に示す。

【0046】

【表2】

【0047】

（方法と手順）
混合と成形：実施例は、異なる比率の混合充填剤で充填されたポリマーブレンドを含む。ガラス繊維を除く成分はすべて、スーパーフロータ内で３〜５分間乾燥混合した。樹脂は、押出前に１５０℃×約４時間予備乾燥させた。ガラス繊維は、サイドフィーダを用いて下流で供給した。ブレンドはスロートで添加した。材料は、バレル設定温度３４０〜３６０℃、回転数３００〜３５０ｒｐｍ、処理量５０〜６０ｋｇ／時間とした３７ｍｍ東芝二軸真空ベント付押出機で混合した。混合後、ペレットを１５０℃にて４〜６時間乾燥させ、１１０トンＦａｎｕｃ射出成形機で射出成形した。バレル設定温度３４０〜３６０℃、金型温度１５０℃でＡＳＴＭ棒を成形した。

【0048】

金属化法：成形したプラスチックプラークを超音波洗浄器で純粋洗浄し、１２０℃にて２時間硬化させた。その後、チャンバ内でプラスチックプラークを酸素プラズマ処理して、物理蒸着（ＰＶＤ）を行った。ＰＶＤ法で所望の金属膜を製造した。

【0049】

物理蒸着（ＰＶＤ）法による金属化法：ＰＶＤとしては、真空熱蒸着（ＶＴＥ）とスパッタリングの２つの真空堆積法が挙げられ、気化した所望の膜材料のプラスチックプラーク上への凝縮により、薄膜を堆積させる。成形したプラスチックプラークを超音波洗浄器で純水洗浄し、１２０℃にて２時間硬化させた。その後、チャンバ内でプラスチックプラークを酸素プラズマ処理して、金属化を行った。スパッタリング法または真空熱蒸着（ＶＴＥ）法で、所望の金属膜を製造した。スパッタリングは、温度８０〜１００℃、時間は真空負荷／除荷時間を含めて１〜３分間で行った。

【0050】

真空熱蒸着（ＶＴＥ）法によるアルミニウム堆積：Ａｌ堆積膜は、「低」減圧下、電気抵抗加熱によって高蒸気圧に加熱される。（ａ）真空熱蒸着（ＶＴＥ）の原理と、（ｂ）大量生産用装置を図１（Ａ）と１（Ｂ）に示す。図１（Ａ）は、真空熱蒸着（ＶＴＥ）の原理を示す概略図である。図１（Ｂ）は、大量生産用熱蒸着装置の写真である。図１（Ａ）は、熱蒸着チャンバ１００を示す。熱蒸着チャンバ１００は、その上に塗布された保護コーティングを有する壁１０１を有していてもよい。チャンバ１００のベース部には、源材料１０２が配置されている。源材料１０２を加熱してアウトガス１０３を生じさせ、源材料１０２から気化した材料１０４を、チャンバ１００のベース部に対向するチャンバ１００の頂部に配置された基板１０５に接触させる。

【0051】

スパッタリング法による銅、Ｃｒ／Ｎｉ合金、ＣｒおよびＮｉの堆積：スパッタ堆積は、ソース「ターゲット」から材料を放出させ、それをプラスチックプラークなどの「基板」上に堆積させる物理蒸着（ＰＶＤ）法である。２つのスパッタリング法がある。最も簡単な形態では、図２に示すようなＤＣダイオードを用いる。図２は、ＤＣダイオードスパッタリングの原理とプロセスを示す概略図である。図２を参照して、ＤＣダイオードスパッタリングシステム２００では、アルゴン２０１は、陽極２０２と陰極２０３間の強い電位差によってイオン化され、これらのイオンは、ターゲット２０４まで加速される。衝突後、ターゲット原子２０５が放出されて基板２０６まで移動し、薄膜２０７の原子層を形成する。図２に示すように、ＤＣダイオードスパッタリングシステム２００は、接地シールド２０８と、水冷チャネル２０９と、を備えていてもよい。

【0052】

別のスパッタリング法では、図３に示すようなＤＣマグネトロンが用いられる。図３は、ＤＣマグネトロンスパッタリングの原理とプロセスを示す概略図である。図３は、マグネトロンスパッタリングシステム３００の基本原理を示す。イオン化されたアルゴン３０１は、ターゲット３０８に衝突してターゲット原子３０２を放出させ、これによって基板３０３上に層を形成する。電子３０４とアルゴンイオンは、グロー放電３０５を有するプラズマを形成する。このプラズマは、磁石３０６により形成された磁界のためにターゲット近くに存在するので、高い効率と品質が得られる。冷却水３０７を用いて、ターゲット３０８を冷却してもよい。

【0053】

ダイナミックヘッドスペースアウトガス試験、不揮発性有機残留物試験、イオン残留物試験、液中パーティクル数（ＬＰＣ）試験、クロスハッチ試験および電磁妨害（ＥＭＩ）試験を含む種々の清浄度試験方法を用いた。これらの各試験方法について、以下の段落でより詳細に説明する。

【0054】

ダイナミックヘッドスペース（ＤＨＳ）アウトガス：ＧＣ−ＭＳで揮発性残留物（ＤＨＳ／アウトガス）を測定するために、成形部品を用いて８５℃にて３時間の条件で試験片を収集し、ダイナミックヘッドスペースガスクロマトグラフ／質量分析計（ＤＨＳ−ＧＣＭＳ）で検出した。

【0055】

不揮発性有機残留物：ＧＣ−ＭＳで部品上の不揮発性残留物（ＮＶＲ）を測定するために、溶媒（ヘキサン）抽出からの残留物を分析し、任意のＣ_１８−Ｃ_４０炭化水素、Ｉｒｇａｆｏｓ、酸化Ｉｒｇａｆｏｓ、およびＣ_１４、Ｃ_１６およびＣ_１８脂肪酸のセチルエステルを定量する。この方法は、１０ｍｌヘキサンに１０分間浸漬した部品を試験するステップを備える。溶液８ｍｌを乾燥させて溶媒を除去後、ヘキサン１ｍＬを添加して再度溶液化する。この溶液を再度乾燥させた後、Ｄ１０−アントラセン−２ｐｐｍ塩化メチレン標準５０μｌを添加する。ターゲット材料の全Ｃ_１８−Ｃ_４０炭化水素（炭化水素：炭素と水素だけを含む有機化合物を指す）とＴＯＣを、注入口温度３００℃としたガスクロマトグラフ／質量分析計（ＧＣ−ＭＳ）を用いて測定する。

【0056】

イオン残留物：フッ化物、塩化物、窒化物、臭化物、硝酸塩、ホスフェート、硫酸塩およびアンモニウムイオンを含む全イオン汚染物質と残留物をイオンクロマトグラフィー（ＩＣ）で測定する。試験片を、８５℃にて１時間の条件下、脱イオン水ですすいだ後、イオンクロマトグラフィで測定した。

【0057】

ＬＰＣ：部品上の残留粒子を超音波抽出し、液中パーティクルカウンター（ＬＰＣ）でカウントして、液中パーティクル数を測定する。このシステムを、１つのＰＭＳ ＬＰＣ、２つのＣｒｅｓｔ Ｃｕｓｔｏｍ ４０ｋＨｚおよび６８ｋＨ超音波洗浄器、および１つのクラス１００クリーンベンチと組み合わせると、部品表面上の２００ｎｍ〜２μｍの残留粒子を測定できる。この場合、フローコーティングを用いる。金属化層を含むポリエーテルイミド（ＰＥＩ）プラークと含まない同プラークを可動ホルダー上に固定した。その後、このホルダーをトラックに沿って速度１〜２ｍ／分で移動させた。コーティング液をノズルからＰＥＩプラーク表面上に流した。その後、プラークを４０℃にて２０分間乾燥させて賦形剤を完全に除去し、ＵＶＡ強度２５０ｍＷ／ｃｍ^２、ＵＶエネルギー１０００ｍＪ／ｃｍ^２の高圧水銀ランプで硬化させた。ＵＶ硬化生成物を集めて試験した。図４は、フローコーティングプロセスの詳細なステップを示す。図４は、フローコーティングプロセス４００のステップを示す概略図である。図４を参照して、フローコーティングプロセス４００は、ブランクを遂次的に移動させられる複数のステーションを備えていてもよい。フローコーティングプロセスは、ブランク検査用の蛍光灯を有する投入エリア４０１と；賦形剤でブランクをすすげるすすぎエリア４０２と；すすぎ剤でブランクをすすげる気化エリア４０３と；移動エリア４０４と；フローコーティングエリア４０５と；レベリングエリア４０６と；１つまたは複数のオーブン４０７、４０８、４０９と；ＵＶ硬化ステーション４１０と；被覆シートを検査する検査ステーション４１１と；マスキングステーション４１２と、を備えていてもよい。勿論、他の構成も可能である。

【0058】

クロスハッチテープ試験：クロスハッチテープ試験はＡＳＴＭ Ｄ３３５９に従った。標準作業手順（ＳＯＰ）とＡＳＴＭ基準を図５に示す。「５Ｂ」は最良を意味し、「０Ｂ」は最悪を意味する。図５は、クロスハッチテープ試験の標準作業手順（ＳＯＰ）とＡＳＴＭ基準の要約を示す。図５は、ＩＳＯ（ＡＳＴＭ）クロスハッチテープ試験値０（５Ｂ）、１（４Ｂ）、２（３Ｂ）、３（２Ｂ）、４（１Ｂ）および５（０Ｂ）それぞれの表面の図と内容を示す。ＡＳＴＭクロスハッチテープ試験値０（５Ｂ）の表面は、以下のように説明される：カット端部が完全にスムーズであり；格子の方形はいずれも剥離していない。ＡＳＴＭクロスハッチテープ試験値１（４Ｂ）の表面は、以下のように説明される：カット交差部において、コーティングの薄片が剥離し；クロスカット面積の有意に５％以下が影響を受けている。ＡＳＴＭクロスハッチテープ試験値２（３Ｂ）の表面は、以下のように説明される：コーティングは、端部に沿って、およびまたはカット交差部で薄片となり；クロスカット面積の有意に５％超〜有意に１５％以下が影響を受けている。ＡＳＴＭクロスハッチテープ試験値３（２Ｂ）の表面は、以下のように説明される：コーティングは、大きなリボンにおいて部分的または全面的にカット端部に沿って薄片となり、およびまたは、方形の異なる部分上で部分的または全面的に薄片となり；クロスカット面積の有意に１５％超〜有意に３５％以下が影響を受けている。ＡＳＴＭクロスハッチテープ試験値４（１Ｂ）の表面は、以下のように説明される：コーティングは、大きなリボンのカット端部に沿って薄片となり、およびまたは一部の方形は、部分的または全面的に剥離し；クロスカット面積の有意に３５％超〜有意に６５％以下が影響を受けている。ＡＳＴＭクロスハッチ試験値５（０Ｂ）の表面は、以下のように説明される：等級４（１Ｂ）でも分類できない任意の度合いの薄片。

【0059】

ＥＭＩ遮蔽：図６に示す２プローブ法を用いて、Ｈ−野を発生させ、減衰したＨ−野を受信アンテナで測定することによって、サンプルの「スクエア抵抗」（Ｒｓ）を決定できる。その後、遮蔽効果（ＳＥ）は、Ｒｓを式：ＳＥ＝２０ｌｏｇ（３７７／（２×Ｒｓ）＋１）に代入して算出できる。図６は、２プローブファラデックスメーター装置６００とプロセスを示す概略図である。図６を参照して、２プローブファラデックスメーター装置６００は、ソースアンテナ６０１と受信アンテナ６０２を有する。サンプル６０３は、ソースアンテナ６０１と受信アンテナ６０２間に配置できる。ソースアンテナは、Ｈ−野６０４を発生させる。受信アンテナ６０２は、減衰したＨ−野６０５を測定できる。サンプル６０３内に誘導された電流は、サンプル６０３のスクエア抵抗（Ｒｓ）を直接測定できるものである。

【0060】

実施例に従って採用された他の試験はすべて、表３に示すＡＳＴＭおよびＩＳＯ規格に基づく。

【0061】

【表3】

【0062】

（実施例１）
この実施例では、異なる比率の混合充填剤で充填された種々のポリマーブレンドを比較した。Ｎｅａｔ ＵＬＴＥＭ（登録商標）樹脂は、超清浄のポリエーテルイミド（ＰＥＩ）材料であり、半導体用途において広範に使用されている。標準のチョップドガラス３０質量％を３６０℃で該ＰＥＩ樹脂と混合し３６０℃で成形して、ＡＳＴＭ試験用のＡＳＴＭ棒とした。ハードディスクドライブトップカバーも３６０℃で成形後、清浄度試験のために、二次コーティングと金属化プロセスを行った。その結果を表４に示す。

【0063】

実施例１−１は、従来の３０％ガラス繊維（ＧＦ）充填のＵＬＴＥＭ（登録商標）グレードの基準実施例であり、優れた機械的特性、熱的特性および衝撃特性を示した。アウトガスとイオンは、許容レベル内に制御され得るが、しかしながら、部品表面上に流れたガラス量が多いために、成形部品上で高い不揮発性残留物（ＮＶＲ）と液中パーティクル数（ＬＰＣ）が検出された。また、実施例１−１の成形部品は、体積抵抗が高いために、電磁妨害（ＥＭＩ）遮蔽効果は示さなかった。

【0064】

実施例１−２および１−３では、実施例１−１と同じ材料基板上に金属化とアクリレートコーティングプロセスを行った。

【0065】

実施例１−２は、Ｃｒ／Ｎｉ金属層とＦ０１コーティング層間の接着が弱く、クロスハッチテープ試験結果が０Ｂとなった不合格例である。このことから、Ｃｒ／Ｎｉ金属層は、Ｆ０１層上に配置してはならないことが分かる。Ｆ０１アクリレートコーティング処方をプラスチック表面上にフローコーティング後、被覆基板上に２００ｎｍのＮｉ／Ｃｒ合金をスパッタリングして構造７００を有する実施例１−２を構築した。液中パーティクル数（ＬＰＣ）は１，５００個／ｃｍ^２超であり、十分に良好ではなかった。しかしながら、浸出イオンと有機残留物は、アウトガス、炭化水素および酸化防止剤（ＢＡＳＦ社から入手可能な、二次酸化防止剤であるＩＲＧＡＦＯＳ（登録商標）など）を含めて、検出レベルは低かった。ここで、ＩＲＧＡＦＯＳは、有機基材（プラスチック、合成繊維、エラストマー、接着剤、粘着付与樹脂およびワックス（加工剤として機能）など）および潤滑剤や金属加工油剤（ＥＰ／ＡＷ添加剤として機能）に使用されるものである。ＥＭＩ効果も達成された。

【0066】

実施例１−３は発明的実施例であり、アクリレートコーティングとスパッタリングプロセスを用いた３０％充填ＰＥＩ複合材の超清浄性能を示した。

【0067】

図７（Ａ）は、金属化と、金属層７０２と基板７０４間にアクリレートコーティング層７０３を有するコーティング構造７００と、を示す概略図である。

【0068】

図７（Ｂ）は、金属化と、アクリレートコーティング層７０３と基板７０４間に金属層７０２を有するコーティング構造７０１と、を示す概略図である。図７（Ｂ）を参照する。

【0069】

プラスチック表面上に２００ｎｍのＮｉ／Ｃｒ合金をスパッタリング後、金属化基板上にＦ０２アクリレートコーティング処方をフローコーティングして、図７（Ａ）に示す構造７００を有する実施例１−３を構築した。アウトガス、浸出イオン、有機残留物の検出レベルは許容範囲であった。Ｆ０２コーティング層とＣｒ／Ｎｉ合金金属層間の接着が優れているため、クロスハッチテープ試験結果は５Ｂであり、脱イオン水洗浄５回後の液中パーティクル数は、１，０００個／ｃｍ^２未満に低減した。また、ＥＭＩ遮蔽効果も、２００ｎｍ金属層で３３．４ｄＢと達成された。一方、これらの実施例における機械的性能、熱的性能および衝撃性能は、良好にバランスしていた。

【0070】

実施例１−１、１−２および１−３の結果を表４に示す。

【0071】

【表4】

【0072】

（実施例２）
実施例２の目的は、３０％ガラス繊維充填ＰＥＩ／ＬＣＰ複合材の清浄度とＥＭＩ性能を評価することであり、また、金属化およびポリマーコーティング後の該複合材の機械的特性、熱的特性および衝撃特性を検証することである。１０％液晶ポリマーをガラス繊維充填ＵＬＴＥＭ（登録商標）材料に導入する調製法に従って、組成物を調製した。

【0073】

実施例２−１は、３０％ガラス繊維（ＧＦ）充填ＰＥＩ／ＬＣＰ複合材の基準実施例であり、優れた機械的特性、熱的特性および衝撃特性を示した。ＮＶＲ濃度、ＬＰＣ濃度は成形部品上で高かったが、アウトガスおよびイオンは、許容レベルに抑制されていた。実施例２−１の成形部品は、体積抵抗が高いために、ＥＭＩ遮蔽効果を示さなかった。

【0074】

実施例２−２および２−３では、実施例２−１と同じ材料基板上に金属化とアクリレートコーティングプロセスを行った。

【0075】

実施例２−２は、Ｃｒ／Ｎｉ金属層とＦ０１コーティング層間の接着が弱く、クロスハッチテープ試験結果が０Ｂとなった不合格例である。このことから、Ｃｒ／Ｎｉは、Ｆ０１層上に配置してはならないことが分かる。実施例２−２の調製では、Ｆ０１アクリレートコーティング処方をプラスチック表面上にフローコーティング後、被覆基板上に２００ｎｍのＮｉ／Ｃｒ合金をスパッタリングして、図７（Ａ）の構造７００に示す構造を得た。さらに、ＬＰＣは１，５００個／ｃｍ^２超となり、良好ではなかった。浸出イオンおよび有機残留物は、アウトガス、炭化水素およびＩＲＧＡＦＯＳ（登録商標）を含めて、検出レベルは低かった。ＥＭＩ効果も達成された。

【0076】

実施例２−３は発明的実施例であり、アクリレートコーティングとスパッタリングプロセスを用いた３０％充填ＰＥＩ／ＬＣＰ複合材の超清浄性能を示した。プラスチック表面に２００ｎｍのＮｉ／Ｃｒ合金をスパッタリング後、Ｆ０２アクリレートコーティング処方を金属化基板上にフローコーティングして、図７（Ｂ）の構造７０１を有する実施例２−３を構築した。アウトガス、浸出イオン、有機残留物の検出レベルは許容範囲であった。Ｆ０２コーティング層とＣｒ／Ｎｉ合金金属層間の接着が優れているために、クロスハッチテープ試験結果は５Ｂであり、脱イオン水洗浄５回後の液中パーティクル数は、１，５００個／ｃｍ^２未満に低減した。また、ＥＭＩ遮蔽効果も、２００ｎｍ金属層で３３．４ｄＢと達成された。一方、これらの実施例の機械的性能、熱的性能および衝撃性能は、良好にバランスしていた。実施例２−１、２−２および２−３の結果を表５に示す。

【0077】

【表5】

【0078】

（実施例３）
実施例３では、流動促進剤の存在下、４０質量％ガラス充填ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）と４質量％ポリフタルアミド（ＰＰＡ）を混合して組成物を調製した。該ガラスは、扁平繊維３０質量％とガラスフレーク１０質量％を含む。プラスチック部品上にコーティングプロセスとめっきプロセスを行った。異なる金属化法とポリマーコーティング法について、清浄性能とＥＭＩ性能を評価した。機械的性能、熱的性能および衝撃性能についても検討した。

【0079】

実施例３−１は、４０質量％（この内、３０質量％は扁平ガラス、１０質量％はガラスフレーク）の充填剤を含む高ガラス量ＵＬＴＥＭ（登録商標）等級ＭＤ１５０での基準実施例であり、バランスされた熱的特性、機械的特性および衝撃特性を示した。３０％充填ＵＬＴＥＭ（登録商標）等級の実施例１−１と比較して、アウトガスおよびイオン濃度は高かったが、ＬＰＣ、ＮＶＲは同等であった。しかしながら、これらも用途仕様を超えている。

【0080】

実施例３−２は不合格例である。スパッタリング法を用いて、プラスチック部品表面上に２００ｎｍのＣｒ／Ｎｉ合金スパッタリング層を設けた。金属層とプラスチックマトリックス間の接着は非常に良好であり、クロスハッチテープ試験結果は５Ｂであった。アウトガス、イオン濃度、ＮＶＲは、材料層を被覆した効果により、実施例３−１と比較して低減した。一方、ＬＰＣ結果がわずかに低減したものの、パーティクル数が１，５００個／ｃｍ^２未満という要件は達成できなかった。２００ｎｍ厚みのＣｒ／Ｎｉ層によって、遠視野遮蔽値３３．４ｄＢという有意なＥＭＩ遮蔽効果が得られた。

【0081】

フローコーティング法により、プラスチック表面上にＦ０１処方を用いた５μｍのアクリレートポリマーコーティング層を設けた実施例３−３も不合格例である。クロスハッチテープ試験でも、コーティング層とプラスチック部品間の接着は優れていることが示された。アウトガス、イオン、ＮＶＲは、５μｍのポリマーコーティング被覆により著しく低減した。ＬＰＣは７２４個／ｃｍ^２に低減できた。これは、要件である１，５００個／ｃｍ^２を下回るものであった。しかしながら、ＥＭＩ遮蔽効果は示されなかった。

【0082】

実施例３−１、３−２および３−３の結果を表６に示す。

【0083】

【表6】

【0084】

低ＬＰＣとＥＭＩ遮蔽効果をバランスさせるためには、プラスチック部品上でめっき層とコーティング層を組み合わせなければならない。実施例３−４および３−５では、図７（Ａ）の構造７００に示すように、最初に、プラスチック表面に５μｍのＦ０１コーティング層を設け、次に、コーティング層外側に２００μｍおよび４００ｎｍのＣｒ／Ｎｉ層をスパッタリングした。

【0085】

要件である清浄性能はすべて、こうした方法で達成でき、その結果は良好なＥＭＩ遮蔽効果を示した。コーティング層とスパッタリング金属層間の接着は良好でなく、クロスハッチテープ試験結果は０Ｂと不合格であった。実施例３−６では、コーティング厚を５μｍから１５μｍに増しても同じ結果が得られた。従って、実施例３−４、３−５および３−６は不合格例である。

【0086】

実施例３−４、３−５および３−６の結果を表７に示す。

【0087】

【表7】

【0088】

実施例３−７および３−８は発明的実施例である。コーティング処方はＦ０１処方に集中し、図７（Ａ）および７（Ｂ）に示す構造７００および７０１を構築した。実施例３−７は、スパッタリング層がポリマーコーティング層の外側にある構造７００を有する。２００ｎｍのＣｒ／Ｎｉ合金層は、５μｍアクリレートコーティング層上にめっきされたものである。スパッタリング層とアクリレート層間の接着は非常に良好であり、ハッチクロステープ試験結果は５Ｂであった。実施例３−７のアウトガス、浸出イオン、有機残留物の検出レベルは許容範囲内で低く、ＬＰＣも７０個／ｃｍ^２と非常に低かった。機械的特性、熱的特性および衝撃特性はすべて、良好に維持された。ＥＭＩ遮蔽効果も達成された。ポリマーコーティングと金属化ステップの順序を変えて、図７（Ｂ）の構造７０１として実施例３−８を構築したが、アウトガス、浸出イオン、有機残留物およびＬＰＣを含めて、良好な清浄性能も達成された。また、アクリレート層と金属層間の接着も良好であった。すべての性能は、ＨＤＤ筐体用途に対する仕様内であった。

【0089】

実施例３−８に基づいて、実施例３−９では、アクリレート層の厚みを１５μｍに増した。同様の結果が得られた。良好な清浄度、接着性、ＥＭＩ、機械的特性、熱的特性および衝撃特性が得られた。実施例３−９は発明的実施例である。すべての性能は、ＨＤＤ筐体用途に対する仕様内であった。

【0090】

実施例３−８に基づいて、実施例３−１０では、金属層の厚みを４００ｎｍに増した。同様の結果が得られた。良好な清浄度、接着性、ＥＭＩ、機械的特性、熱的特性および衝撃特性が得られた。実施例３−１０は発明的実施例である。すべての性能は、ＨＤＤ筐体用途に対する仕様内であった。

【0091】

実施例３−７、３−８、３−９および３−１０の結果を表８に示す。

【0092】

【表8】

【0093】

実施例３−１１および３−１２は発明的実施例である。Ｆ０１コーティング処方と共のめっき金属源をＮｉ／Ｃｒ合金から銅に変えた。クロスハッチテープ試験から、構造７００および構造７０１の両方において、銅とＦ０１コーティング間の接着は、Ｃｒ／ＮｉとＦ０１コーティング間のそれより良好であることがわかった。実施例３−１１と３−１２の結果は両方とも５Ｂであった。また、清浄度とＥＭＩ遮蔽についても良好な結果が得られた。

【0094】

実施例３−１１と３−１２の結果を表９に示す。

【0095】

【表9】

【0096】

実施例３−１３は不合格例である。まず、プラスチック基板上にＦ０１コーティング層をフローコーティングした。アクリレート被覆プラスチック基板上に１０ｎｍのＣｒ層をめっきし、その後１００ｎｍＮｉ層をめっきした。実施例３−１３では、清浄性能と接着性能はすべて達成されたが、１００ｎｍＮｉではＥＭＩ遮蔽効果がなく、この実施例は不合格例である。実施例３−１４において、Ｎｉ層の厚みを２００ｎｍに増すと、ＥＭＩ遮蔽効果が達成されて、清浄性能との良好なバランスが得られた。従って、実施例３−１４は発明的実施例である。

【0097】

実施例３−１３と３−１４の結果を表１０に示す。

【0098】

【表10】

【0099】

実施例３−１５、３−１６および３−１７では、Ｓ０１アクリレートコーティング処方を用いた。実施例３−１５は、要件であるＥＭＩ遮蔽およびＬＰＣ性能要件を満たさなかったので不合格例である。まず、プラスチック基板上にＳ０１コーティング層をフローコーティングした。アクリレート被覆プラスチック基板上に１０ｎｍのＣｒ層をめっきし、その後１００ｎｍのＮｉをめっきした。実施例３−１５では、清浄性能と接着性能はすべて達成されたが、１００ｎｍのＮｉではＥＭＩ遮蔽効果がなく、従ってこの実施例は不合格例である。実施例３−１６において、Ｎｉ層の厚みを２００ｎｍに増すと、ＥＭＩ遮蔽効果が達成されて、清浄性能との良好なバランスが得られた。従って、実施例３−１６は発明的実施例である。

【0100】

フローコーティングとスパッタリングの順序を変えて、図７の構造７０１として実施例３−１７を構築した。実施例３−１７では、５μｍのＳ０１コーティング層を金属化層の外側に堆積させた。アウトガス、浸出イオンおよびＬＰＣを含めて、優れた清浄性能が得られ、また、良好な接着とＥＭＩ遮蔽効果が達成された。従って、実施例３−１７は発明的実施例である。

【0101】

実施例３−１５、３−１６および３−１７の結果を表１１に示す。

【0102】

【表11】

【0103】

実施例３−１８、３−１９および３−２０では、Ａｌを用いたＶＴＥメッキ法を採用した。実施例３−１８では、図７（Ａ）に示す構造７００として、ＶＴＥ法によりＦ０１被覆基板上に２００ｎｍのＡｌ層をめっきした。実施例３−１８では、このプロセスで良好な清浄性能とＥＭＩ性能が得られたが、Ａｌ金属層とＦ０１コーティング層間の接着が弱く、クロスハッチテープ試験結果が０Ｂであったために、不合格であった。従って、実施例３−１８は不合格例である。

【0104】

実施例３−１８に基づいて、実施例３−１９では、アクリレートコーティング処方をＦ０２処方に変更した。その後、同じフローコーティングとＶＴＥプロセスを行って構造７００を構築した。Ｆ０２アクリレート処方層とＡｌ層間の接着は、クロスハッチテープ試験で５Ｂを示したように良好であった。実施例３−１９では、清浄度性能とＥＭＩ性能が優れていたために、この実施例は発明的実施例である。

【0105】

実施例３−２０は、実施例３−１９と比較して、プラスチック基板上に同じＦ０２アクリレートコーティング処方とＶＴＥ金属化Ａｌ層を設けて構築したが、その順序は変更して構造７０１とした。アウトガス、浸出イオン、ＬＰＣを含むすべての清浄度は、ＨＤＤ用途に対して期待される結果を示した。良好な接着が得られ、またＥＭＩ遮蔽効果も達成された。従って、実施例３−２０は発明的実施例である。

【0106】

実施例３−１８、３−１９および３−２０の結果を表１２に示す。

【0107】

【表12】

【0108】

（実施例４）
実施例４では、マトリックスポリマーをＰＥＩからＰＰＳＵに変更した調製に従って種々の組成物を調製し、プラスチック部品上にコーティングとめっきプロセスを行った。清浄性能とＥＭＩ性能を評価した。

【0109】

実施例４−１は、３０％ガラス繊維（ＧＦ）充填ＰＰＳＵ複合材の基準実施例であり、優れた機械的特性、熱的特性および衝撃特性を示した。ＮＶＲ濃度、ＬＰＣ濃度は成形部品上で高かったが、アウトガスおよびイオンは、許容レベルに抑制されていた。実施例４−１の成形部品は、体積抵抗が高いために、電磁妨害（ＥＭＩ）遮蔽効果を示さなかった。

【0110】

実施例４−１と同じ材料基板上に金属化とアクリレートのコーティングプロセスを行った。プラスチック表面上にＦ０１アクリレートコーティング処方をフローコーティング後、被覆基板上に２００ｎｍのＮｉ／Ｃｒ合金をスパッタリングして、図７（Ａ）に示す構造７００を有する実施例４−２を構築した。プラスチック表面に２００ｎｍのＮｉ／Ｃｒ合金をスパッタリングした。その後、金属化基板上にＦ０２アクリレートコーティング処方をフローコーティングして、図７（Ｂ）に示す構造７０１を有する実施例４−３を構築した。

【0111】

実施例４−２は、Ｃｒ／Ｎｉ金属層とＦ０１コーティング層間の接着が弱く、クロスハッチテープ試験結果が０Ｂであったために、不合格例である。実施例４−２は、浸出イオンおよび有機残留物は、アウトガス、炭化水素およびＩＲＧＡＦＯＳ（登録商標）を含めて検出レベルが低かった。ＥＭＩ効果と低ＬＰＣも達成された。

【0112】

実施例４−３は発明的実施例であり、アクリレートコーティングとスパッタリングプロセスによって、３０％充填ＰＰＳＵ複合材の超清浄性能を示した。アウトガス、浸出イオン、有機残留物の検出レベルは許容範囲であった。Ｆ０２コーティング層とＣｒ／Ｎｉ合金金属層間の接着が優れているために、クロスハッチテープ試験結果は５Ｂであり、脱イオン水洗浄５回後の液中パーティクル数は、１，５００個／ｃｍ^２未満に低減した。また、ＥＭＩ遮蔽効果も、２００ｎｍ金属層で３３．４ｄＢと達成された。一方、実施例の機械的性能、熱的性能および衝撃性能は、良好にバランスしていた。

【0113】

実施例４−１、４−２および４−３の結果を表１３に示す。

【0114】

【表13】

【0115】

（実施例５）
実施例５では、種々の組成物を調製した。マトリックスポリマーを、３５質量％のＰＥＩと３５質量％のＰＰＳＵを有するＰＰＳＵＰＥＩ／ＰＰＳＵ混ぜ物から変更し、プラスチック部品上にコーティングとめっきプロセスを行った。清浄性能とＥＭＩ性能を、機械的性能、熱的性能および衝撃性能のバランスと共に評価した。

【0116】

実施例５−１は、３０％ガラス繊維（ＧＦ）充填ＰＰＳＵ／ＰＥＩ複合材を有する基準実施例であり、優れた機械的特性、熱的特性および衝撃特性を示した。成形部品上のＮＶＲ濃度、ＬＰＣ濃度は高かったが、アウトガスおよびイオンは、許容レベルに抑制されていた。実施例５−１の成形部品は、体積抵抗が高いために、ＥＭＩ遮蔽効果を示さなかった。

【0117】

実施例５−１と同じ材料基板上に金属化とアクリレートコーティングプロセスを行った。プラスチック表面上にＦ０１アクリレートコーティング処方をフローコーティング後、被覆基板上に２００ｎｍのＮｉ／Ｃｒ合金をスパッタリングして、図７（Ａ）に示す構造７００を有する実施例５−２を構築した。プラスチック表面上に２００ｎｍのＮｉ／Ｃｒ合金をスパッタリングした。その後、金属化基板上にＦ０２アクリレートコーティング処方をフローコーティングして、図７（Ｂ）に示す構造７０１を有する実施例５−３を構築した。

【0118】

実施例５−２は、Ｃｒ／Ｎｉ金属層とＦ０１コーティング層間の接着が弱く、クロスハッチテープ試験結果が０Ｂであったために、不合格例である。しかしながら、実施例５−２は、浸出イオンおよび有機残留物は、アウトガス、炭化水素およびＩＲＧＡＦＯＳ（登録商標）を含めて、検出レベルが低かった。ＥＭＩ効果と低ＬＰＣも達成された。

【0119】

実施例５−３は発明的実施例であり、アクリレートコーティングとスパッタリングプロセスによって、３０％充填ＰＰＳＵ／ＰＥＩ複合材の超清浄性能を示した。アウトガス、浸出イオン、有機残留物の検出レベルは許容範囲であった。Ｆ０２コーティング層とＣｒ／Ｎｉ合金金属層間の優れた接着により、クロスハッチテープ試験結果は５Ｂであり、脱イオン水洗浄５回後の液中パーティクル数は、１，５００個／ｃｍ^２未満に低減した。また、ＥＭＩ遮蔽効果も、２００ｎｍ金属層で３３．４ｄＢと達成された。一方、実施例の機械的性能、熱的性能および衝撃性能は、良好にバランスしていた。

【0120】

実施例５−１、５−２および５−３の結果を表１４に示す。

【0121】

【表14】

【0122】

好適な実施形態を参照して本発明をかなり詳細に説明したが、他の変形も可能である。従って、添付の請求項の趣旨と範囲は、本明細書に含まれる実施形態の記載に限定されるべきではない。

【0123】

読者の注意は、本明細書と同時に提出され、本明細書と共に一般閲覧されているすべての論文および文献に向けられるが、こうした論文および文献すべての内容は、参照により本明細書に援用される。

【0124】

特に明記されない限り、この明細書（添付の請求項、要約および図面を含む）に開示された特徴はすべて、同じ、均等または同様の目的に資する代替となる特徴で置換されてもよい。従って、特に明記されない限り、開示されたそれぞれの特徴は、包括的な一連の均等または同様な特徴のほんの一例である。

【0125】

特定の機能を実行する「手段」または「ステップ」が明示的に記載されていない請求項における要素はいずれも、米国特許法第１１２条第６段落に記載の「手段」または「ステップ」条項として解釈されるべきではない。特に、本出願の請求項における「ステップ」の使用は、米国特許法第１１２条第６段落の規定を行使するようには意図されない。

【図1(A)】

【図1(B)】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7(A)】

【図7(B)】