特許 6204577 オプトエレクトロニクス部品およびその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6204577

(24)【登録日】2017年9月8日

(45)【発行日】2017年9月27日

(54)【発明の名称】オプトエレクトロニクス部品およびその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 33/48 20100101AFI20170914BHJP

【ＦＩ】

   H01L33/48

【請求項の数】13

【全頁数】19

(21)【出願番号】特願2016-515481(P2016-515481)

(86)(22)【出願日】2014年9月18日

(65)【公表番号】特表2016-532283(P2016-532283A)

(43)【公表日】2016年10月13日

(86)【国際出願番号】EP2014069883

(87)【国際公開番号】WO2015040107

(87)【国際公開日】20150326

【審査請求日】2016年5月17日

(31)【優先権主張番号】102013219063.8

(32)【優先日】2013年9月23日

(33)【優先権主張国】DE

(73)【特許権者】

【識別番号】599133716

【氏名又は名称】オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング

【氏名又は名称原語表記】Ｏｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ

(74)【代理人】

【識別番号】100105050

【弁理士】

【氏名又は名称】鷲田 公一

(72)【発明者】

【氏名】ツィッツルスペルガー ミヒャエル

(72)【発明者】

【氏名】ツィライス クリスティアン

(72)【発明者】

【氏名】ゲブール トビアス

【審査官】 吉野 三寛

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００６−３０３４５８（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ３３／００−３３／６４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

オプトエレクトロニクス部品（１０，２０，３０）であって、
ハウジング（１００，１１００，２１００）を有し、
前記ハウジング（１００，１１００，２１００）が、プラスチック材料（１３０，２１３０）と、少なくとも一部分が前記プラスチック材料（１３０，２１３０）に埋め込まれている第１のリードフレームセクション（２１０，２２１０）とを備えており、
前記ハウジング（１００，１１００，２１００）が、第１の凹部（１１０，２１１０）および第２の凹部（１２０，１１２０，２１２０）を備えており、
前記第１の凹部（１１０，２１１０）において、前記第１のリードフレームセクション（２１０，２２１０）の上面（２０１，２２０１）の第１の上側部分（２１１，２２１１）が、前記プラスチック材料（１３０，２１３０）によって覆われておらず、
前記第２の凹部（１２０，１１２０，２１２０）において、前記第１のリードフレームセクション（２１０，２２１０）の前記上面（２０１，２２０１）の第２の上側部分（２１２，２２１２）が、前記プラスチック材料（１３０，２１３０）によって覆われておらず、
前記第１の凹部（１１０，２１１０）と前記第２の凹部（１２０，１１２０，２１２０）が、前記プラスチック材料（１３０，２１３０）の一部分（１３１，２１３１）によって互いに隔てられており、
前記第１の凹部（１１０，２１１０）の中にオプトエレクトロニクス半導体チップ（３００，２３００，２３０１）が配置されており、
前記第２の凹部（１２０，１１２０，２１２０）の中にはオプトエレクトロニクス半導体チップが配置されていない、
オプトエレクトロニクス部品（１０，２０，３０）。

【請求項2】

前記第１のリードフレームセクション（２１０，２２１０）の下面（２０２，２２０２）の第１の下側部分（２１３，２２１３）が、前記プラスチック材料（１３０，２１３０）によって覆われておらず、
前記第１の下側部分（２１３，２２１３）が、前記第１のリードフレームセクション（２１０，２２１０）に垂直に投影したとき、前記第１の上側部分（２１１，２２１１）と重なっている、
請求項１に記載のオプトエレクトロニクス部品（１０，２０，３０）。

【請求項3】

前記第１のリードフレームセクション（２１０，２２１０）の下面（２０２，２２０２）の第２の下側部分（２１２，２２１２）が、前記プラスチック材料（１３０，２１３０）によって覆われておらず、
前記第２の下側部分（２１２，２２１２）が、前記第１のリードフレームセクション（２１０，２２１０）に垂直に投影したとき、前記第２の上側部分（２１２，２２１２）と重なっている、
請求項１または請求項２のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品（１０，２０，３０）。

【請求項4】

前記オプトエレクトロニクス部品（１０，２０，３０）が、少なくとも一部分が前記プラスチック材料（１３０，２１３０）に埋め込まれている第２のリードフレームセクション（２２０，２２２０）、を備えており、
前記第１の凹部（１１０，２１１０）において、前記第２のリードフレームセクション（２２０，２２２０）の上面（２０１，２２０１）の第３の上側部分（２２１，２２２１）が、前記プラスチック材料（１３０，２１３０）によって覆われていない、
請求項１から請求項３のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品（１０，２０，３０）。

【請求項5】

前記第３の上側部分（２２１，２２２１）が、ボンディングワイヤ（３１０，２３１０）によって前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（３００，２３００）に導電接続されている、
請求項４に記載のオプトエレクトロニクス部品（１０，２０，３０）。

【請求項6】

前記第１のリードフレームセクション（２１０，２２１０）の前記第２の上側部分（２１２，２２１２）が、マーキング（２１５）を有する、
請求項１から請求項５のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品（１０，２０，３０）。

【請求項7】

前記オプトエレクトロニクス部品（１０，２０，３０）が光学レンズ（４００）またはカバーを有し、
前記光学レンズ（４００）または前記カバーが、前記第２の凹部（１２０，１１２０，２１２０）において固定されている、
請求項１から請求項６のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス部品（１０，２０，３０）。

【請求項8】

オプトエレクトロニクス部品（１０，２０，３０）を製造する方法であって、以下のステップ、すなわち、
− リードフレーム（２００，２２００）を成形型（５００）の中に配置するステップであって、
前記成形型（５００）の第１の型部分（５１１）が、前記リードフレーム（２００，２２００）の上面（２０１，２２０１）の前記第１の上側部分（２１１，２２１１）に密着し、
前記第１の型部分（５１１）から隔てられている、前記成形型（５００）の第２の型部分（５１２）が、前記リードフレーム（２００，２２００）の前記上面（２０１，２２０１）の第２の上側部分（２１２，２２１２）に密着する、
ステップと、
− 前記リードフレーム（２００，２２００）をプラスチック材料（１３０，２１３０）に埋め込むステップと、
− 前記リードフレーム（２００，２２００）の前記上面（２０１，２２０１）の前記第１の上側部分（２１１，２２１１）の上のみに、オプトエレクトロニクス半導体チップ（３００，２３００，２３０１）を配置し、前記第２の上側部分（２１２，２２１２）の上にはオプトエレクトロニクス半導体チップを配置しない、ステップと、
を有する、方法。

【請求項9】

前記方法が、以下のさらなるステップ、すなわち、
− 前記リードフレーム（２００，２２００）の前記第２の上側部分（２１２，２２１２）にマーキング（２１５）を形成するステップ、
を含む、請求項８に記載の方法。

【請求項10】

前記マーキング（２１５）が、エッチング、エンボス加工、スタンピングによって、またはレーザによって、形成される、
請求項９に記載の方法。

【請求項11】

前記方法が、以下のさらなるステップ、すなわち、
− 前記オプトエレクトロニクス部品（１０，２０，３０）の機能的能力をチェックするステップであって、チェックするときに前記第２の上側部分（２１２，２２１２）において前記リードフレーム（２００，２２００）に電気的に接触する、ステップ、
を含む、請求項８から請求項１０のいずれかに記載の方法。

【請求項12】

前記方法が、以下のさらなるステップ、すなわち、
− 多数のオプトエレクトロニクス部品（１０，２０，３０）を得る目的で、前記プラスチック材料（１３０，２１３０）および前記リードフレーム（２００，２２００）を分割するステップ、
を含む、請求項８から請求項１１のいずれかに記載の方法。

【請求項13】

前記プラスチック材料（１３０，２１３０）および前記リードフレーム（２００，２２００）が、前記第２の上側部分（２１２，２２１２）を貫くソーイング経路（１４０）に沿って分割される、
請求項１２に記載の方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、特許請求項１に記載されているオプトエレクトロニクス部品と、特許請求項８に記載されている、オプトエレクトロニクス部品の製造方法とに関する。

【背景技術】

【0002】

射出成形またはトランスファ成形によって作製されるハウジングを有するオプトエレクトロニクス部品（例えば発光型ダイオード部品）が、従来技術から公知である。これらのハウジングは、射出成形またはトランスファ成形において少なくとも一部分がプラスチック材料に埋め込まれる導電性のリードフレームを有する。リードフレームの上面のうち露出したままである領域は、オプトエレクトロニクス半導体チップおよびボンディングワイヤを電気的に接続する目的に使用される。リードフレームの下面のうち露出したままである領域は、オプトエレクトロニクス部品との電気的接触を形成するための電気接続パッドとして使用される。このようなオプトエレクトロニクス部品は、例えば、表面実装されるＳＭＴ部品として構成することができる。

【0003】

リードフレームをプラスチック材料に埋め込むとき、リードフレームのうちプラスチック材料によって覆われないままであるように意図される領域を、成形型の複数の金型によって密封し、これは、リードフレームの片側における成形型の金型によって、リードフレームの反対側における成形型のもう１つの金型に、リードフレームが押し付けられることによる。リードフレームの残りの領域は、射出成形またはトランスファ成形時にプラスチック材料によって意図的または非意図的に覆われる。したがって、リードフレームの上面の領域のうち、オプトエレクトロニクス半導体チップおよびボンディングワイヤを上に配置するように意図された領域に直接隣接していない位置において、そのような位置に対応するリードフレームの下面の位置に、覆われないままである領域を形成することは難しい。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本発明の目的は、オプトエレクトロニクス部品を提供することである。この目的は、請求項１の特徴を有するオプトエレクトロニクス部品によって達成される。本発明の別の目的は、オプトエレクトロニクス部品を製造する方法を提供することである。この目的は、請求項８の特徴を有する方法によって達成される。さまざまな修正形態は、従属請求項に記載されている。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本オプトエレクトロニクス部品は、ハウジングを備えており、このハウジングは、プラスチック材料と、少なくとも一部分がプラスチック材料に埋め込まれている第１のリードフレームセクションとを有する。このハウジングは、第１の凹部および第２の凹部を備えている。第１の凹部において、第１のリードフレームセクションの上面の第１の上側部分は、プラスチック材料によって覆われていない。第２の凹部において、第１のリードフレームセクションの上面の第２の上側部分は、プラスチック材料によって覆われていない。第１の凹部と第２の凹部は、プラスチック材料の一部分によって互いに隔てられている。第１の凹部の中にオプトエレクトロニクス半導体チップが配置されている。第２の凹部の中にはオプトエレクトロニクス半導体チップが配置されていない。

【0006】

したがって、本オプトエレクトロニクス部品は、オプトエレクトロニクス半導体チップを中に配置するように意図されている第１の凹部であって、そこから第１のリードフレームセクションの第１の上側部分にアクセスすることのできる第１の凹部のみならず、オプトエレクトロニクス半導体チップを中に配置するようには意図されていない第２の凹部であって、そこから第１のリードフレームセクションの第２の上側部分にアクセスすることができる第２の凹部、も備えている。第２の凹部を通じて、第１のリードフレームセクションとの電気的接触を形成することができ、このことを利用して、例えば、本オプトエレクトロニクス部品のオプトエレクトロニクス半導体チップの機能的能力をチェックすることができ、これは有利である。さらには、第２の凹部を設けることによって、本オプトエレクトロニクス部品のハウジングの作製が容易となり、これは有利である。

【0007】

本オプトエレクトロニクス部品の一実施形態においては、第１のリードフレームセクションの下面の第１の下側部分は、プラスチック材料によって覆われていない。この場合、第１の下側部分は、第１のリードフレームセクションに垂直に投影したとき、第１の上側部分と重なっている。このオプトエレクトロニクス部品のハウジングは、第１のリードフレームセクションをプラスチック材料に埋め込むとき、第１のリードフレームセクションが、第１の上側部分の領域と第１の下側部分の領域とにおいて成形型の２つの金型の間に保持されることによって、簡単に作製することができ、これは有利である。このようにすることで、第１のリードフレームセクションの第１の上側部分および第１の下側部分が密封され、したがって、第１のリードフレームセクションの第１の上側部分と第１のリードフレームセクションの第１の下側部分とがプラスチック材料によって覆われないままである構造を、簡単な方法で達成することが可能である。

【0008】

本オプトエレクトロニクス部品の一実施形態においては、第１のリードフレームセクションの下面の第２の下側部分は、プラスチック材料によって覆われていない。この場合、第２の下側部分は、第１のリードフレームセクションに垂直に投影したとき、第２の上側部分と重なっている。このオプトエレクトロニクス部品のハウジングは、第１のリードフレームセクションをプラスチック材料に埋め込むとき、第１のリードフレームセクションが、第１のリードフレームセクションの第２の上側部分の領域と第２の下側部分の領域とにおいて成形型の２つの金型の間に保持されることによって、簡単に作製することができ、これは有利である。このようにすることで、第１のリードフレームセクションをプラスチック材料に埋め込むときに、第１のリードフレームセクションの第２の上側部分と第１のリードフレームセクションの第２の下側部分とが密封され、これにより、第１のリードフレームセクションの第２の上側部分および第２の下側部分がプラスチック材料によって覆われないままとなる。この場合、第１のリードフレームセクションの第２の下側部分は、第１のリードフレームセクションに垂直に投影したとき、第１の上側部分と重なっている必要はない。これにより、このオプトエレクトロニクス部品のハウジングにおいては、空間を効率的に利用することができる。

【0009】

本オプトエレクトロニクス部品の一実施形態においては、本オプトエレクトロニクス部品は、少なくとも一部分がプラスチック材料に埋め込まれている第２のリードフレームセクション、を備えている。この場合、第１の凹部において、第２のリードフレームセクションの上面の第３の上側部分はプラスチック材料によって覆われていない。本オプトエレクトロニクス部品のハウジングの第２のリードフレームセクションの第３の上側部分を通じて、本オプトエレクトロニクス部品のオプトエレクトロニクス半導体チップとの電気的接触を形成することができ、これは有利である。

【0010】

本オプトエレクトロニクス部品の一実施形態においては、第３の上側部分は、ボンディングワイヤによってオプトエレクトロニクス半導体チップに導電接続されている。したがって、本オプトエレクトロニクス部品のオプトエレクトロニクス半導体チップを、第１のリードフレームセクションおよび第２のリードフレームセクションを介して電気的に駆動することができ、これは有利である。

【0011】

本オプトエレクトロニクス部品の一実施形態においては、第１のリードフレームセクションの第２の上側部分は、マーキングを有する。このマーキングは、例えば、本オプトエレクトロニクス部品の構成要素を配置および位置合わせするための基準点として使用することができる。例えば、第１のリードフレームセクションの第２の上側部分におけるマーキングを使用して、オプトエレクトロニクス半導体チップを位置決めおよび調整することができる。さらに、このマーキングを使用して、本オプトエレクトロニクス部品の二次的な光学素子（例えば光学レンズ）を位置決めおよび調整することができる。さらに、本オプトエレクトロニクス部品を回路キャリア上に位置決めするための基準点としてマーキングを使用することもできる。

【0012】

本オプトエレクトロニクス部品の一実施形態においては、本オプトエレクトロニクス部品は、光学レンズまたはカバーを有する。この場合、光学レンズまたはカバーは、第２の凹部において固定されている。したがって、本オプトエレクトロニクス部品のハウジングの第２の凹部によって、光学レンズまたはカバーを本オプトエレクトロニクス部品のハウジングに機械的に特に強固に結合することができ、これは有利である。

【0013】

オプトエレクトロニクス部品を製造する本方法は、リードフレームを成形型の中に配置するステップであって、成形型の第１の型部分がリードフレームの上面の第１の上側部分に密着し、第１の型部分から隔てられている、成形型の第２の型部分が、リードフレームの上面の第２の上側部分に密着する、ステップと、リードフレームをプラスチック材料に埋め込むステップと、リードフレームの上面の第１の上側部分の上のみに、オプトエレクトロニクス半導体チップを配置し、第２の上側部分の上にはオプトエレクトロニクス半導体チップを配置しない、ステップと、を含む。

【0014】

したがって、本方法によると、本方法によって製造することのできるオプトエレクトロニクス部品におけるリードフレームの上面の第１の上側部分（オプトエレクトロニクス半導体チップを上に配置するように意図されている）に加えて、リードフレームの上面の第２の上側部分も、（たとえこの第２の上側部分がオプトエレクトロニクス半導体チップを上に配置するように意図されていない場合にも）プラスチック材料によって覆われない状態に維持される。これによって、リードフレームに垂直に投影したときに第２の上側部分と重なる、リードフレームの下面における第２の下側部分もプラスチック材料によって覆われないようにすることが可能となり、これは有利である。この第２の下側部分は、例えば、本方法によって製造することのできるオプトエレクトロニクス部品におけるはんだ接続パッド（solder contact pad）として使用することができる。さらには、本方法において覆われないままであるリードフレームの第２の上側部分を使用して、例えば、本方法によって製造することのできるオプトエレクトロニクス部品の機能的能力をチェックする目的でリードフレームとの電気的接触を形成することができ、これは有利である。

【0015】

本方法の一実施形態においては、本方法は、リードフレームの第２の上側部分にマーキングを形成するさらなるステップ、を含む。このマーキングは、以降の方法ステップにおいて、オプトエレクトロニクス部品の上にさらなる構成要素を位置合わせするための基準位置としてのみならず、オプトエレクトロニクス部品をキャリアの上に位置合わせするための基準位置として使用することができ、これは有利である。

【0016】

本方法の一実施形態においては、マーキングは、エッチング、エンボス加工、スタンピングによって、またはレーザによって、形成される。したがって、本方法では、リードフレームの第２の上側部分に、高い視認性のマーキングを形成することが可能である。

【0017】

本方法の一実施形態においては、本方法は、オプトエレクトロニクス部品の機能的能力をチェックするさらなるステップであって、チェックするときに第２の上側部分においてリードフレームに電気的に接触する、ステップ、を含む。したがって、本方法では、この目的のためにオプトエレクトロニクス部品との電気的接続を例えばはんだ接続部によってあらかじめ形成しておく必要なしに、オプトエレクトロニクス部品の機能的能力をチェックすることが可能であり、これは有利である。このようにすることで、本方法では、不良なオプトエレクトロニクス部品を早い段階で不合格とすることができ、したがって、コストを削減することができる。さらに、本方法では、複数のオプトエレクトロニクス半導体チップを有するオプトエレクトロニクス部品の場合に、第２の上側部分においてリードフレームに接触することによって、オプトエレクトロニクス半導体チップを個別にチェックすることができる。

【0018】

本方法の一実施形態においては、本方法は、多数のオプトエレクトロニクス部品を製造する目的で、プラスチック材料およびリードフレームを分割するさらなるステップ、を含む。したがって、本方法では、共通の作業工程において多数のオプトエレクトロニクス部品を並列に製造することができ、これは有利である。このようにすることで、個々のオプトエレクトロニクス部品あたりの製造原価を大幅に低減することができる。

【0019】

本方法の一実施形態においては、プラスチック材料およびリードフレームを、第２の上側部分を貫くソーイング経路（sawing path）に沿って分割する。したがって、本方法によって製造することのできるオプトエレクトロニクス部品のハウジングを、特にコンパクトな寸法で形成することができ、これは有利である。

【0020】

本発明の上述した特性、特徴、および利点と、これらを達成する方法は、それぞれ概略的に示した図面を参照しながら以下にさらに詳しく説明する例示的な実施形態に関連して、さらに明確かつ包括的に理解されるであろう。

【図面の簡単な説明】

【0021】

【図1】プラスチック材料に埋め込むときに成形型の中に配置されているリードフレームの断面図を示している。

【図2】リードフレームをプラスチック材料に埋め込むことによって形成されるハウジングの側面断面図を示している。

【図3】オプトエレクトロニクス半導体チップが凹部の中に配置された状態のハウジングの側面断面図を示している。

【図4】光学レンズが上に配置された状態のハウジングの側面断面図を示している。

【図5】さらなるハウジングの側面断面図を示している。

【図6】リードフレームの一部分の平面図を示している。

【図7】プラスチック材料に埋め込んだ後のリードフレームの一部分の平面図を示している。

【図8】リードフレームの一部分から形成されたオプトエレクトロニクス部品の平面図を示している。

【発明を実施するための形態】

【0022】

図１は、成形型５００の大幅に概略化した側面断面図を示している。成形型５００は、金型とも称される。成形型５００は、造型法（成形法）、例えば射出成形法やトランスファ成形法を実行するために使用される。

【0023】

成形型５００は、第１の金型５１０および第２の金型５２０を備えている。第１の金型５１０と第２の金型５２０の間に、本質的に閉じた空洞（すなわちモールド）を形成することができる。第１の金型５１０および第２の金型５２０は、モールドを開閉するために互いに対して動かすことができる。成形型５００の金型５１０，５２０によって形成されるモールドの横方向の境界は、図１の概略図には示していない。

【0024】

成形型５００の第１の金型５１０は、第１の型部分５１１と、この第１の型部分５１１から隔てられている第２の型部分５１２とを有する。これらの型部分５１１，５１２は、突出部として形成されており、金型５１０，５２０によって形成される、成形型５００のモールドの中に突き出している。

【0025】

図１の説明図においては、成形型５００のモールドの中にリードフレーム２００が配置されている。このリードフレーム２００は、導電性材料（好ましくは金属）を含み、上面２０１と、上面２０１とは反対側の下面２０２とを有する本質的に平坦な薄板として形成されている。リードフレーム２００は、被覆されたプラスチックまたは陽極酸化アルミニウムを含むこともでき、あるいはフレキシブル回路基板などとして形成することもできる。リードフレーム２００は、横方向において複数のセクションに細分されており、図１の説明図には、そのうちの第１のリードフレームセクション２１０および第２のリードフレームセクション２２０のみを示してある。

【0026】

リードフレーム２００のリードフレームセクション２１０，２２０は、成形型５００の第１の金型５１０と第２の金型５２０との間に保持されている。第１の金型５１０の第１の型部分５１１および第２の型部分５１２が、リードフレーム２００のリードフレームセクション２１０，２２０を第２の金型５２０に押し付けている。この場合、第１の型部分５１１は、第１のリードフレームセクション２１０の上面２０１における第１の上側部分２１１と、第２のリードフレームセクション２２０の上面２０１における第３の上側部分２２１に密着している。成形型５００の第１の金型５１０の第２の型部分５１２は、第１のリードフレームセクション２１０の上面２０１における第２の上側部分２１２に密着している。

【0027】

リードフレーム２００の第１のリードフレームセクション２１０の下面２０２は、第１の下側部分２１３および第２の下側部分２１４を有する。リードフレーム２００の上面２０１および下面２０２に垂直に投影したとき、第１の下側部分２１３は、第１のリードフレームセクション２１０の第１の上側部分２１１と重なっている。リードフレーム２００の上面２０１および下面２０２に垂直に投影したとき、第２の下側部分２１４は、第２の上側部分２１２と重なっている。例えば、第１の下側部分２１３を、リードフレーム２００に垂直な方向において第１の上側部分２１１の真下に配置することができる。同様に、第２の下側部分２１４を、リードフレーム２００に垂直な方向において第１のリードフレームセクション２１０の第２の上側部分２１２の真下に配置することができる。

【0028】

成形型５００の第１の金型５１０の第１の型部分５１１および第２の型部分５１２は、それぞれ、第１のリードフレームセクション２１０の第１の上側部分２１１および第２の上側部分２１２に密着しており、リードフレーム２００の上面２０１および下面２０２に垂直な方向に、第１および第２の上側部分２１１，２１２においてリードフレーム２００に力を及ぼしているため、第１のリードフレームセクション２１０の第１の下側部分２１３および第２の下側部分２１４が、成形型５００の第２の金型５２０にしっかりと押し付けられている。

【0029】

成形型５００の中で、金型５１０，５２０によって保持されているリードフレーム２００のリードフレームセクション２１０，２２０の周囲にプラスチック材料１３０が成形され、したがって、リードフレームセクション２１０，２２０の少なくとも一部分がプラスチック材料１３０に埋め込まれる。プラスチック材料１３０はモールド材とも称され、例えばエポキシ樹脂を含むことができる。プラスチック材料１３０は、成形型５００の第１の金型５１０と第２の金型５２０との間に形成されるモールドの中に注入され、モールド内の領域のうちリードフレーム２００によって占有されていない本質的にすべての領域を満たす。

【0030】

プラスチック材料１３０が硬化した後、プラスチック材料１３０および埋め込まれたリードフレーム２００はハウジング１００を形成し、このハウジング１００を成形型５００のモールドから取り出すことができる。図２は、成形型５００から取り出した後のハウジング１００の概略的な側面断面図を示している。

【0031】

リードフレーム２００のリードフレームセクション２１０，２２０は、一部分がプラスチック材料１３０に埋め込まれている。リードフレームセクション２１０，２２０の上面２０１および下面２０２のうち成形型５００の金型５１０，５２０によって覆われていた部分のみが、プラスチック材料１３０によって覆われていない。第１の金型５１０の第１の型部分５１１によって占有されていた空間領域に、ハウジング１００のプラスチック材料１３０における第１の凹部１１０が形成されている。この第１の凹部１１０においては、第１のリードフレームセクション２１０の第１の上側部分２１１と、第２のリードフレームセクション２２０の第３の上側部分２２１とが露出しており、プラスチック材料１３０によって覆われていない。成形型５００の第１の金型５１０の第２の型部分５１２によって占有されていた空間領域には、ハウジング１００のプラスチック材料１３０における第２の凹部１２０が形成されている。この第２の凹部１２０においては、第１のリードフレームセクション２１０の第２の上側部分２１２が露出しており、プラスチック材料１３０によって覆われていない。

【0032】

リードフレーム２００の第１のリードフレームセクション２１０の第１の下側部分２１３および第２の下側部分２１４は、第１の金型５１０の型部分５１１，５１２によって成形型５００の第２の金型５２０に押し付けられていたため、第１のリードフレームセクション２１０のこれらの第１の下側部分２１３および第２の下側部分２１４も露出しており、プラスチック材料１３０によって覆われていない。同様に、第２のリードフレームセクション２２０の下面２０２の部分も露出しており、プラスチック材料１３０によって覆われていない。

【0033】

ハウジング１００の凹部１１０および凹部１２０は、それぞれ、横方向に閉じておりプラスチック材料１３０によって囲まれている領域を形成している。第１の凹部１１０と第２の凹部１２０は、プラスチック材料１３０の一部分１３１によって互いに隔てられており、したがって横方向に連続していない。

【0034】

図３は、時間的に図２の説明図に続く処理状態におけるハウジング１００の概略的な側面断面図を示している。ハウジング１００の第１の凹部１１０の中に、オプトエレクトロニクス半導体チップ３００が配置されている。オプトエレクトロニクス半導体チップ３００は、例えば、発光ダイオードチップ（ＬＥＤチップ）とすることができる。

【0035】

オプトエレクトロニクス半導体チップ３００は、上面３０１と、この上面３０１とは反対側の下面３０２とを有する。オプトエレクトロニクス半導体チップ３００の上面３０１は、オプトエレクトロニクス半導体チップ３００の放射放出面を形成している。オプトエレクトロニクス半導体チップ３００は、その上面３０１において電磁放射（例えば可視光）を放出するように構成されている。

【0036】

オプトエレクトロニクス半導体チップ３００は２つの電気接続パッドを有し、図３に示した例においては、そのうちの一方がオプトエレクトロニクス半導体チップ３００の上面３０１に配置されており、他方が下面３０２に配置されている。これらの電気接続パッドは、オプトエレクトロニクス半導体チップ３００に電磁放射を放出させるためにオプトエレクトロニクス半導体チップ３００に電圧を印加する目的に使用される。

【0037】

オプトエレクトロニクス半導体チップ３００は、第１のリードフレームセクション２１０の第１の上側部分２１１の上に配置されている。この場合、オプトエレクトロニクス半導体チップ３００の下面３０２は、第１のリードフレームセクション２１０の第１の上側部分２１１に面しており、したがって、第１のリードフレームセクション２１０と、オプトエレクトロニクス半導体チップ３００の下面３０２に配置されている電気接続パッドとが互いに導電接続されるように、第１のリードフレームセクション２１０の第１の上側部分２１１に結合されている。例えば、第１の上側部分２１１におけるはんだ結合部によって、オプトエレクトロニクス半導体チップ３００を第１のリードフレームセクション２１０に結合することができる。オプトエレクトロニクス半導体チップ３００の上面３０１に配置されている、オプトエレクトロニクス半導体チップ３００の電気接続パッドは、ボンディングワイヤ３１０によって、第２のリードフレームセクション２２０の第３の上側部分２２１に導電接続されている。オプトエレクトロニクス半導体チップ３００およびボンディングワイヤ３１０は、これらの全体がハウジング１００の第１の凹部１１０の中に配置されることが好ましい。

【0038】

第２の凹部１２０の領域には、オプトエレクトロニクス半導体チップおよびボンディングワイヤは配置されていない。

【0039】

図４は、図３に示したハウジング１００から、さらなる処理によって製造された第１のオプトエレクトロニクス部品１０の概略的な側面断面図を示している。ハウジング１００の上に光学レンズ４００が配置されている。光学レンズ４００は、例えば、シリコーンを含むことができる。光学レンズ４００は、例えば、成形法（例：射出成形法またはトランスファ成形法）によって作製されている。光学レンズ４００は、第１のオプトエレクトロニクス部品１０のオプトエレクトロニクス半導体チップ３００によって放出される電磁放射の進路を変える（例えば焦点を合わせる）ように意図されている。

【0040】

光学レンズ４００は、第１のオプトエレクトロニクス部品１０のハウジング１００の上面に配置されており、図示した例においては、第１の凹部１１０および第２の凹部１２０の全体にわたっている。この場合、光学レンズ４００の材料は、第１の凹部１１０および第２の凹部１２０の中にも延在している。光学レンズ４００の材料のうちハウジング１００の第２の凹部１２０の中に配置されている部分は、光学レンズ４００を第１のオプトエレクトロニクス部品１０のハウジング１００に機械的に強固に固定する固定構造部４１０を形成している。

【0041】

図４に示した例においては、光学レンズ４００の材料はハウジング１００の第１の凹部１１０も満たしており、したがって、オプトエレクトロニクス半導体チップ３００は光学レンズ４００の材料に埋め込まれている。しかしながら、オプトエレクトロニクス半導体チップ３００が中に埋め込まれるさらなる材料を、光学レンズ４００を配置する前にハウジング１００の第１の凹部１１０に注入することも可能である。このステップの前に、オプションとして、カバー要素（例えば波長変換要素）をオプトエレクトロニクス半導体チップ３００の上面３０１に配置することもできる。さらには、光学レンズ４００を形成する前に、第２の凹部１２０の中にさらなる材料を配置することもできる。光学レンズ４００を設けるステップを完全に省くこともできる。この場合、オプションとして、ハウジング１００の第１の凹部１１０もしくは第２の凹部１２０またはその両方を満たされないままとすることができる。

【0042】

第１のオプトエレクトロニクス部品１０の第２のリードフレームセクション２２０の下面２０２と、第１のオプトエレクトロニクス部品１０の第１のリードフレームセクション２１０の第１の下側部分２１３および／または第２の下側部分２１４は、第１のオプトエレクトロニクス部品１０の電気接続パッドとして使用することができる。したがって、第１のオプトエレクトロニクス部品１０を、例えば、表面実装されるＳＭＴ部品として適するようにすることができる。第１のオプトエレクトロニクス部品１０の電気接続パッドとの電気的接触は、例えば、リフローはんだ付けによって形成することができる。第１のリードフレームセクション２１０の第２の下側部分２１４が電気接続パッドとして使用される場合、第１のオプトエレクトロニクス部品１０のこの電気接続パッドは、リードフレーム２００に垂直な方向においてハウジング１００の第１の凹部１１０の下方には配置されず、オプトエレクトロニクス半導体チップ３００の下方にも配置されない。これにより、第１のオプトエレクトロニクス部品１０のハウジング１００の形状を、特定の用途向けに最適なものにすることが可能である。

【0043】

多数のハウジング１００を、共通の作業工程において同時に作製することが可能である。これを目的として、リードフレーム２００を、多数の連続するリードフレームセクションを有するように形成する。形成される各ハウジング１００ごとに、第１のリードフレームセクション２１０および第２のリードフレームセクション２２０が存在する。共通のリードフレーム２００を、成形型５００の中のプラスチック材料１３０に埋め込む。この場合、成形型５００は、作製される各ハウジング１００ごとに第１の型部分５１１および第２の型部分５１２を有し、したがって、作製する各ハウジング１００において、プラスチック材料１３０に第１の凹部１１０および第２の凹部１２０が形成される。すべての第１の凹部１１０の中にオプトエレクトロニクス半導体チップ３００を配置し、さらにオプションとして、各ハウジング１００の上に光学レンズ４００を形成した後、このようにして作製された複数の第１のオプトエレクトロニクス部品１０の複数のハウジング１００を、プラスチック材料１３０およびプラスチック材料１３０に埋め込まれているリードフレーム２００を分割することによって、互いに分離する。

【0044】

第１のリードフレームセクション２１０の第２の上側部分２１２は、マーキング２１５を有することができる。マーキング２１５は、例えば、窪み部として、またはリードフレーム２００を完全に貫く開口部として、形成することができる。マーキング２１５は、例えば、エッチング法、エンボス加工、またはスタンピングによって、またはレーザによって、形成することができる。特に、リードフレームセクション２１０，２２０をプラスチック材料１３０に埋め込む前に、マーキング２１５をあらかじめ形成しておくことができる。マーキング２１５の形成は、例えば、リードフレーム２００の他の部分の作製および構造化と一緒に実行することができる。

【0045】

マーキング２１５は、第１のオプトエレクトロニクス部品１０を作製するとき、もしくは、第１のオプトエレクトロニクス部品１０を実装するとき、またはその両方において、基準位置として使用することができる。例えば、第１の凹部１１０の中、第１のリードフレームセクション２１０の第１の上側部分２１１の上にオプトエレクトロニクス半導体チップ３００を位置決めするための基準点として、あるいは、光学レンズ４００を配置および位置合わせするための基準点として、マーキング２１５を使用することができる。さらには、第１のオプトエレクトロニクス部品１０を実装するとき、例えば第１のオプトエレクトロニクス部品１０を回路キャリア上に配置するときに、第１のオプトエレクトロニクス部品１０を配置および位置合わせするための基準点として、マーキング２１５を使用することができる。この場合、第１のオプトエレクトロニクス部品１０の第２の凹部１２０が満たされないままであることが好ましい。

【0046】

図５は、第２のオプトエレクトロニクス部品２０のハウジング１１００の概略的な側面断面図を示している。この第２のオプトエレクトロニクス部品２０のハウジング１１００は、第１のオプトエレクトロニクス部品１０のハウジング１００とほぼ同じであり、図１〜図４を参照しながら説明した方法によって作製することができる。図５においては、ハウジング１００の部分・要素に対応するハウジング１１００の部分・要素には、図１〜図４における参照数字と同じ参照数字を付してあり、そのような部分・要素については以下では詳しく説明しない。

【0047】

第２のオプトエレクトロニクス部品２０のハウジング１１００は、第１のオプトエレクトロニクス部品１０のハウジング１００とは異なり、第２の凹部１２０の代わりに第２の凹部１１２０を有する。第２の凹部１１２０は、横方向においてプラスチック材料１３０によって完全には囲まれていない。したがって、第２の凹部１１２０は横方向に開いている。

【0048】

このハウジング１１００を作製するとき、第２の凹部１１２０は、最初に、第１のオプトエレクトロニクス部品１０の第２の凹部１２０と同様に、成形型５００の第２の型部分５１２によって、横方向に閉じた凹部として形成する。プラスチック材料１３０および埋め込まれているリードフレーム２００を分割することによってハウジング１１００を同じタイプの別のハウジング１１００から分離するとき、第２の凹部１１２０を貫くようにソーイング経路１４０を定義する。このようにすることで、プラスチック材料１３０のうち第２の凹部１１２０を横方向に囲んでいる部分が除去される。

【0049】

図６は、リードフレーム２２００のうち、ハウジング２１００を作製するように意図されている部分の平面図を概略図において示している。リードフレーム２２００の図示した部分は、第１のリードフレームセクション２２１０と、第２のリードフレームセクション２２２０と、第３のリードフレームセクション２２３０とを備えている。これらのリードフレームセクション２２１０，２２２０，２２３０は、リードフレーム２２００の図示した部分においては、互いに導電接続されていない。リードフレーム２２００は、上面２２０１と、上面２２０１とは反対側の下面２２０２とを有する。リードフレーム２２００は、導電性材料（例えば金属）を含む。

【0050】

第１のリードフレームセクション２２１０の上面２２０１は、第１の上側部分２２１１と、第２の上側部分２２１２と、第７の上側部分２２１５とを備えている。第１のリードフレームセクション２２１０の下面２２０２は、第１の下側部分２２１３と第２の下側部分２２１４とを備えている。第１の下側部分２２１３は、第１のリードフレームセクション２２１０に垂直に投影したとき、第１の上側部分２２１１と重なっている。第２の下側部分２２１４は、第１のリードフレームセクション２２１０に垂直に投影したとき、第２の上側部分２２１２と重なっている。

【0051】

第２のリードフレームセクション２２２０の上面２２０１は、第３の上側部分２２２１と第４の上側部分２２２２とを備えている。第３のリードフレームセクション２２３０の上面２２０１は、第５の上側部分２２３１と第６の上側部分２２３２とを備えている。

【0052】

第１のリードフレームセクション２２１０の上面２２０１に、第１の保護チップ２３２０が配置されており、第１の保護チップ２３２０は第１のリードフレームセクション２２１０に導電接続されている。さらに、第１の保護チップ２３２０は、第３のボンディングワイヤ２３３０によって、第２のリードフレームセクション２２２０の上面２２０１に導電的に接続されている。このようにすることで、第１の保護チップ２３２０は、第１のリードフレームセクション２２１０と第２のリードフレームセクション２２２０との間で電気的に接続されている。第１の保護チップ２３２０は、例えば保護型ダイオードとして形成することができ、静電放電による損傷に対する保護として使用することができる。第３のリードフレームセクション２２３０の上面２２０１には、第１の保護チップ２３２０に対応する第２の保護チップ２３２１が配置されており、第２の保護チップ２３２１は、自身が第３のリードフレームセクション２２３０と第１のリードフレームセクション２２１０との間で電気的に接続されるように、第４のボンディングワイヤ２３３１によって第１のリードフレームセクション２２１０の上面２２０１に接続されている。

【0053】

図７の概略平面図に示したハウジング２１００を形成する目的で、時間的に図６の説明図に続く処理ステップにおいて、このリードフレーム２２００をプラスチック材料２１３０に埋め込むことができる。リードフレーム２２００を埋め込むステップは、図１の説明図および対応する説明に類似する方法で、成形型において行うことができる。

【0054】

リードフレーム２２００をプラスチック材料２１３０に埋め込むために使用される成形型は、４つの型部分を備えており、これらの型部分によって、ハウジング２１００の第１の凹部２１１０と、第２の凹部２１２０と、第３の凹部２１２１と、第４の凹部２１２２とが形成される。第１の凹部２１１０においては、第１のリードフレームセクション２２１０の第１の上側部分２２１１と、第１のリードフレームセクション２２１０の第７の上側部分２２１５と、第２のリードフレームセクション２２２０の第３の上側部分２２２１と、第３のリードフレームセクション２２３０の第５の上側部分２２３１とが露出しており、プラスチック材料２１３０によって覆われていない。第２の凹部２１２０においては、第１のリードフレームセクション２２１０の第２の上側部分２２１２が露出しており、プラスチック材料２１３０によって覆われていない。第３の凹部２１２１においては、第３のリードフレームセクション２２３０の第６の上側部分２２３２が露出しており、プラスチック材料２１３０によって覆われていない。第４の凹部２１２２においては、第２のリードフレームセクション２２２０の第４の上側部分２２２２が露出しており、プラスチック材料２１３０によって覆われていない。ハウジング２１００の凹部２１１０，２１２０，２１２１，２１２２は、プラスチック材料２１３０の一部分２１３１によって横方向に互いに隔てられている。

【0055】

第１のリードフレームセクション２２１０の第１の下側部分２２１３および第２の下側部分２２１４は、プラスチック材料２１３０によって覆われておらず露出しており、電気接続パッドとして使用することができる。リードフレーム２２００の下面２２０２のうち、リードフレーム２２００の第７の上側部分２２１５と、第３の上側部分２２２１と、第４の上側部分２２２２と、第５の上側部分２２３１と、第６の上側部分２２３２の反対側に位置する領域も、露出させて電気接続パッドとして使用することができる。

【0056】

ハウジング２１００の第１の凹部２１１０の中に、第１のオプトエレクトロニクス半導体チップ２３００および第２のオプトエレクトロニクス半導体チップ２３０１が配置されている。これらの第１のオプトエレクトロニクス半導体チップ２３００および第２のオプトエレクトロニクス半導体チップ２３０１は、第１のオプトエレクトロニクス部品１０のオプトエレクトロニクス半導体チップ３００と同様に形成することができる。第１のオプトエレクトロニクス半導体チップ２３００は、第１のリードフレームセクション２２１０の第１の上側部分２２１１の上に配置されており、第１のボンディングワイヤ２３１０によって、第２のリードフレームセクション２２２０の第３の上側部分２２２１に導電接続されている。第２のオプトエレクトロニクス半導体チップ２３０１は、第３のリードフレームセクション２２３０の第５の上側部分２２３１の上に配置されており、第２のボンディングワイヤ２３１１によって、第１のリードフレームセクション２２１０の第７の上側部分２２１５に導電接続されている。したがって、第１のオプトエレクトロニクス半導体チップ２３００は、第１の保護チップ２３２０と並列に電気的に接続されており、静電放電による損傷に対して第１の保護チップ２３２０によって保護される。同様に、第２のオプトエレクトロニクス半導体チップ２３０１は、第２の保護チップ２３２１と並列に電気的に接続されており、静電放電による損傷に対して第２の保護チップ２３２１によって保護される。第１の保護チップ２３２０、第２の保護チップ２３２１、第３のボンディングワイヤ２３３０、および第４のボンディングワイヤ２３３１は、プラスチック材料２１３０に埋め込まれており、したがって外部の影響による損傷に対して保護されている。

【0057】

第１のオプトエレクトロニクス半導体チップ２３００の上面には、第１の変換要素２３４０が配置されている。

【0058】

第２のオプトエレクトロニクス半導体チップ２３０１の上面には、第２の変換要素２３４１が配置されている。これらの変換要素２３４０，２３４１は、波長変換粒子が埋め込まれている材料を含むことができる。波長変換粒子は、例えば、有機発光材料または無機発光材料、あるいは量子ドットを含むことができる。変換要素２３４０，２３４１は、オプトエレクトロニクス半導体チップ２３００，２３０１によって放出される電磁放射の波長を変換するように構成することができる。これを目的として、変換要素２３４０，２３４１に埋め込まれる波長変換粒子は、第１の波長を有する電磁放射を吸収して異なる（一般にはより長い）波長を有する電磁放射を放出するように、構成することができる。例えば、変換要素２３４０，２３４１を、青色スペクトル領域における波長を有する電磁放射を可視光に変換するように構成することができる。

【0059】

図８は、図７に示したハウジング２１００から、さらなる処理によって製造された第３のオプトエレクトロニクス部品３０の概略平面図を示している。時間的に図７の説明図に続く処理ステップにおいて、ハウジング２１００の第１の凹部２１１０を封止材料２４００によって満たす。第２の凹部２１２０、第３の凹部２１２１、および第４の凹部２１２２は、満たされないままであることが好ましい。

【0060】

封止材料２４００には、第１の凹部２１１０の中に配置されている半導体チップ２３００，２３０１と、これら半導体チップ２３００，２３０１の上面に配置されている変換要素２３４０，２３４１とが埋め込まれている。さらに、第１のボンディングワイヤ２３１０および第２のボンディングワイヤ２３１１も、封止材料２４００に埋め込まれており、したがって、外部の影響による損傷に対して保護されている。オプトエレクトロニクス半導体チップ２３００，２３０１とは反対側の、変換要素２３４０，２３４１の上面のみが、封止材料２４００によって覆われていない。封止材料２４００の表面は、変換要素２３４０，２３４１の上面とほぼ同一平面にあることが好ましい。

【0061】

封止材料２４００は、例えば、シリコーンを含むことができる。封止材料２４００は、封止材料２４００が白色の外観を呈し高い反射率を有するようにする充填材を含むことができる。充填材は、例えば、ＴｉＯ_２を含むことができる。

【0062】

第２の凹部２１２０、第３の凹部２１２１、および第４の凹部２１２２においては、それぞれ、第１のリードフレームセクション２２１０、第３のリードフレームセクション２２３０、および第２のリードフレームセクション２２２０にアクセスすることができる。これにより、第１のオプトエレクトロニクス半導体チップ２３００および第２のオプトエレクトロニクス半導体チップ２３０１との電気的接触を、リードフレーム２２００の下面２２０２に形成される、第３のオプトエレクトロニクス部品３０の電気接続パッドにこの目的のために接触せずに、形成することが可能である。これによって、第３のオプトエレクトロニクス部品３０を最終的に実装する前に、オプトエレクトロニクス半導体チップ２３００，２３０１の機能的能力をチェックすることが可能である。凹部２１２０，２１２１，２１２２においてそれぞれアクセスすることのできるリードフレームセクション２２１０，２２３０，２２２０には、例えば、ポイントプローブステーション（point probe station）の接触チップ（サンプラーニードル）を使用して電気的に接触することができる。

【0063】

第２の凹部２１２０においてアクセスすることのできる第１のリードフレームセクション２２１０の第２の上側部分２２１２と、第４の凹部２１２２においてアクセスすることのできる第２のリードフレームセクション２２２０の第４の上側部分２２２２との間に電圧を印加すると、第３のオプトエレクトロニクス部品３０の第１のオプトエレクトロニクス半導体チップ２３００を、第２のオプトエレクトロニクス半導体チップ２３０１とは個別にチェックすることができる。第３の凹部２１２１においてアクセスすることのできる第３のリードフレームセクション２２３０の第６の上側部分２２３２と、第２の凹部２１２０においてアクセスすることのできる第１のリードフレームセクション２２１０の第２の上側部分２２１２との間に電圧を印加すると、第３のオプトエレクトロニクス部品３０の第２のオプトエレクトロニクス半導体チップ２３０１を、第１のオプトエレクトロニクス半導体チップ２３００とは独立して動作させてチェックすることができる。第３の凹部２１２１においてアクセスすることのできる第３のリードフレームセクション２２３０の第６の上側部分２２３２と、第４の凹部２１２２においてアクセスすることのできる第２のリードフレームセクション２２２０の第４の上側部分２２２２との間に電圧を印加すると、第１のオプトエレクトロニクス半導体チップ２３００および第２のオプトエレクトロニクス半導体チップ２３０１の直列回路を一緒に動作させてチェックすることができる。さらに多数のオプトエレクトロニクス半導体チップを有する部品にも、上記の原理を同様に適用することができる。

【0064】

第１のオプトエレクトロニクス半導体チップ２３００もしくは第２のオプトエレクトロニクス半導体チップ２３０１またはその両方が動作すると、第１の変換要素２３４０もしくは第２の変換要素２３４１またはその両方の上面において電磁放射が放出される。この場合、第１の変換要素２３４０および／または第２の変換要素２３４１の上面は、変換要素２３４０，２３４１を囲む封止材料２４００の表面とは明確に区別することができる。このことを利用して、第３のオプトエレクトロニクス部品３０のハウジング２１００の上にさらなる構成要素（例えば光学レンズ）を配置して位置合わせすることができる。

【0065】

本発明について、好ましい例示的な実施形態に関連して図示および詳しく説明してきた。しかしながら、本発明はこれらの開示した例に限定されない。当業者には、本発明の保護範囲から逸脱することなく、これらの実施形態から別の変形形態を導くことができるであろう。

【0066】

本特許出願は、独国特許出願第１０２０１３２１９０６３．８号の優先権を主張し、この文書の開示内容は参照によって本明細書に組み込まれている。

【符号の説明】

【0067】

１０ 第１のオプトエレクトロニクス部品
２０ 第２のオプトエレクトロニクス部品
３０ 第３のオプトエレクトロニクス部品
１００ ハウジング
１１０ 第１の凹部
１２０ 第２の凹部
１３０ プラスチック材料
１３１ 一部分
１４０ ソーイング経路
２００ リードフレーム
２０１ 上面
２０２ 下面
２１０ 第１のリードフレームセクション
２１１ 第１の上側部分
２１２ 第２の上側部分
２１３ 第１の下側部分
２１４ 第２の下側部分
２１５ マーキング
２２０ 第２のリードフレームセクション
２２１ 第３の上側部分
３００ オプトエレクトロニクス半導体チップ
３０１ 上面
３０２ 下面
３１０ ボンディングワイヤ
４００ 光学レンズ
４１０ 固定構造部
５００ 成形型
５１０ 第１の金型
５１１ 第１の型部分
５１２ 第２の型部分
５２０ 第２の金型
１１００ ハウジング
１１２０ 第２の凹部
２１００ ハウジング
２１１０ 第１の凹部
２１２０ 第２の凹部
２１２１ 第３の凹部
２１２２ 第４の凹部
２１３０ プラスチック材料
２１３１ 一部分
２２００ リードフレーム
２２０１ 上面
２２０２ 下面
２２１０ 第１のリードフレームセクション
２２１１ 第１の上側部分
２２１２ 第２の上側部分
２２１３ 第１の下側部分
２２１４ 第２の下側部分
２２１５ 第７の上側部分
２２２０ 第２のリードフレームセクション
２２２１ 第３の上側部分
２２２２ 第４の上側部分
２２３０ 第３のリードフレームセクション
２２３１ 第５の上側部分
２２３２ 第６の上側部分
２３００ 第１のオプトエレクトロニクス半導体チップ
２３０１ 第２のオプトエレクトロニクス半導体チップ
２３１０ 第１のボンディングワイヤ
２３１１ 第２のボンディングワイヤ
２３２０ 第１の保護チップ
２３２１ 第２の保護チップ
２３３０ 第３のボンディングワイヤ
２３３１ 第４のボンディングワイヤ
２３４０ 第１の変換要素
２３４１ 第２の変換要素
２４００ 封止材料

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】