特許 6205664 バンクの補修方法、有機ＥＬ表示装置及びその製造方法、

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6205664

(24)【登録日】2017年9月15日

(45)【発行日】2017年10月4日

(54)【発明の名称】バンクの補修方法、有機ＥＬ表示装置及びその製造方法、

(51)【国際特許分類】

   H05B 33/10 20060101AFI20170925BHJP

   H01L 51/50 20060101ALI20170925BHJP

   H05B 33/12 20060101ALI20170925BHJP

   H05B 33/22 20060101ALI20170925BHJP

   H01L 27/32 20060101ALI20170925BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20170925BHJP

【ＦＩ】

   H05B33/10

   H05B33/14 A

   H05B33/12 B

   H05B33/22 Z

   H01L27/32

   G09F9/30 365

【請求項の数】20

【全頁数】32

(21)【出願番号】特願2015-561231(P2015-561231)

(86)(22)【出願日】2015年2月6日

(86)【国際出願番号】JP2015000557

(87)【国際公開番号】WO2015118882

(87)【国際公開日】20150813

【審査請求日】2016年7月26日

(31)【優先権主張番号】特願2014-23659(P2014-23659)

(32)【優先日】2014年2月10日

(33)【優先権主張国】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】514188173

【氏名又は名称】株式会社ＪＯＬＥＤ

(74)【代理人】

【識別番号】110001900

【氏名又は名称】特許業務法人 ナカジマ知的財産綜合事務所

(72)【発明者】

【氏名】小林 一大

(72)【発明者】

【氏名】鬼丸 俊昭

(72)【発明者】

【氏名】林田 芳樹

(72)【発明者】

【氏名】島村 隆之

【審査官】 中山 佳美

(56)【参考文献】

【文献】 国際公開第２０１０／０９２７６５（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 国際公開第２０１０／０１３６５４（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開２００９−１０４０３０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００７−２６４１８６（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ５１／５０−５１／５６

Ｈ０１Ｌ ２７／３２

Ｈ０５Ｂ ３３／００−３３／２８

Ｇ０２Ｂ ５／２０−５／２８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、前記基板上に形成されたバンクと、前記バンクによって区画された各凹空間に形成された発光層と、を有する有機ＥＬ表示装置を製造する過程において、バンクにおける欠陥部が存在する部分を補修するバンク補修方法であって、
バンクにおける欠陥部を検出し、
欠陥部が検出された場合に、当該欠陥部が存在するバンクの両側に隣接する凹空間の各々の中に、
前記凹空間を、前記欠陥部に近接する空間部分からなる第１空間と、前記欠陥部に近接しない空間部分からなる第２空間とに仕切る堰を形成することによってバンクの補修を行い、
前記堰の各々は、その高さが一番低い箇所において、
バンクの高さＨに対する当該堰の高さｈの比をｈ／Ｈとし、当該堰の幅をＷμｍとするとき、
（ｈ／Ｈ）＋０．１Ｗ≧１．５、０．５≦（ｈ／Ｈ）≦２．０、５≦Ｗ≦５０の条件を満たす、
バンク補修方法。

【請求項2】

前記基板上には、基板面に沿った一方向に伸長する平面視短冊状のバンクが複数本並列に配列され、
前記堰を形成する際に、
欠陥部が存在するバンクの両側に隣接する凹空間の各々に、
前記欠陥部が存在するバンクにおいて欠陥部を前記一方向に挟む２点のそれぞれから、前記欠陥部が存在するバンクの隣のバンクに亘る形状の堰を、対で形成する、
請求項１記載のバンク補修方法。

【請求項3】

さらに、前記欠陥部が存在するバンク及び前記隣のバンクのそれぞれにおける前記各堰の端部が接する部分に、当該部分の上部から突出する突状部を形成する、
請求項２記載のバンク補修方法。

【請求項4】

前記基板上には、基板面に沿った一方向に伸長する平面視短冊状のバンクが複数本並列に配列され、
前記堰を形成する際に、
前記欠陥部が存在するバンクにおいて欠陥部を前記一方向に挟む２点の一方から前記欠陥部を迂回して他方に亘る形状の堰を対で形成する、
請求項１記載のバンク補修方法。

【請求項5】

前記堰の各々は、前記２点の一方から他方に亘る途中で、
前記欠陥部が存在するバンクの隣のバンクと接している、
請求項４記載のバンク補修方法。

【請求項6】

前記堰の各々は、
前記欠陥部が存在するバンクの隣のバンクに非接触である、
請求項４記載のバンク補修方法。

【請求項7】

前記欠陥部は、前記バンクにおける異物が存在している部分、または前記バンクにおいて決壊が生じている部分である、
請求項１〜６のいずれかに記載のバンク補修方法。

【請求項8】

前記堰の各々において、
前記ｈ／Ｈ及び前記Ｗは、
（ｈ／Ｈ）＋０．１Ｗ≧２．０の条件を満たす、
請求項１〜７のいずれかに記載のバンク補修方法。

【請求項9】

基板と、前記基板上に形成されたバンクと、前記バンクによって区画された各凹空間に形成された発光層と、を有する有機ＥＬ表示装置であって、
前記基板上のバンクの中で欠陥部が存在するバンクの両側に隣接する凹空間の各々の中に、
前記発光層を、前記欠陥部に近接する部分からなる第１発光層と、前記欠陥部に近接しない部分からなる第２発光層とに仕切る堰が形成され、
前記堰の各々は、その高さが一番低い箇所において、
前記バンクの高さＨに対する当該堰の高さｈの比をｈ／Ｈとし、当該堰の幅をＷμｍとするとき、
（ｈ／Ｈ）＋０．１Ｗ≧１．５、０．５≦（ｈ／Ｈ）≦２．０、５≦Ｗ≦５０の条件を満たす、
有機ＥＬ表示装置。

【請求項10】

前記基板上には、基板面に沿った一方向に伸長する平面視短冊状のバンクが複数本並列に配列され、
前記欠陥部が存在するバンクの両側に隣接する凹空間の各々において発光層を仕切る堰は、
前記欠陥部が存在するバンクにおいて欠陥部を前記一方向に挟む２点のそれぞれから、前記欠陥部が存在するバンクの隣のバンクに亘る形状で、対で形成されている、
請求項９記載の有機ＥＬ表示装置。

【請求項11】

さらに、前記欠陥部が存在するバンク及び前記隣のバンクのそれぞれにおける前記各堰の端部が接する部分に、当該部分の上部から突出する突状部が形成されている
請求項１０記載の有機ＥＬ表示装置。

【請求項12】

前記基板上には、基板面に沿った一方向に伸長する平面視短冊状のバンクが複数本並列に配列され、
前記各凹空間において発光層を仕切る堰は、
前記欠陥部が存在するバンクにおいて欠陥部を前記一方向に挟む２点の一方から前記欠陥部を迂回し他方に亘る形状で対形成されている、
請求項９記載の有機ＥＬ表示装置。

【請求項13】

前記堰の各々は、前記２点の一方から他方に亘る途中で、
前記欠陥部が存在するバンクの隣のバンクと接している、
請求項１２記載の有機ＥＬ表示装置。

【請求項14】

前記堰の各々は、
前記欠陥部が存在するバンクの隣のバンクに非接触である、
請求項１２記載の有機ＥＬ表示装置。

【請求項15】

前記欠陥部は、前記バンクにおける異物が存在している部分、または前記バンクにおいて決壊が生じている部分である、
請求項９〜１４のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。

【請求項16】

前記第１発光層には、
前記欠陥部が存在するバンクを挟んで隣接する両方の第２発光層の材料が含有されている、
請求項９〜１５のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。

【請求項17】

前記堰の各々において、
前記ｈ／Ｈ及び前記Ｗは、
（ｈ／Ｈ）＋０．１Ｗ≧２．０の条件を満たす、
請求項９〜１６のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。

【請求項18】

基板上にバンクを形成し、
バンクにおける欠陥部を検出し、
欠陥部が検出された場合に、当該欠陥部が存在するバンクの両側に隣接する凹空間の各々の中に、
前記凹空間を、前記欠陥部に近接する空間部分からなる第１空間と、前記欠陥部に近接しない空間部分からなる第２空間とに仕切る堰を形成することによってバンクの補修を行い、
その後、前記バンクで区画された凹空間のそれぞれに発光層を形成することによって有機ＥＬ表示装置を製造する有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
前記堰の各々は、その高さが一番低い箇所において、
バンクの高さＨに対する当該堰の高さｈの比をｈ／Ｈとし、当該堰の幅をＷμｍとするとき、
（ｈ／Ｈ）＋０．１Ｗ≧１．５、０．５≦（ｈ／Ｈ）≦２．０、Ｗ≦５０の条件を満たす、
有機ＥＬ表示装置の製造方法。

【請求項19】

前記堰の各々は、
前記欠陥部との間に間隙をあけて形成され、
前記発光層を形成するときに、
発光層の一部を前記間隙に形成する、
請求項１８記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。

【請求項20】

前記堰の各々において、
前記ｈ／Ｈ及び前記Ｗは、
（ｈ／Ｈ）＋０．１Ｗ≧２．０の条件を満たす、
請求項１８または１９に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、バンク補修方法、並びに有機ＥＬ表示装置とその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、発光型の表示装置として、基板上に複数の有機ＥＬ素子をマトリックス状に配列した有機ＥＬ表示パネルが実用化されている。この有機ＥＬ表示パネルは、各有機ＥＬ素子が自己発光を行うので視認性が高く、完全固体素子であるため耐衝撃性に優れる。

【0003】

有機ＥＬ表示パネルにおいて、各有機ＥＬ素子は、陽極と陰極の一対の電極対の間に有機発光材料を含む発光層が配設された基本構造を有し、駆動時には、一対の電極対間に電圧を印加し、陽極から発光層に注入されるホールと、陰極から発光層に注入される電子との再結合に伴って発生する電流駆動型の発光素子である。

【0004】

有機ＥＬ表示パネルにおいて、一般に各有機ＥＬ素子の発光層と、隣接する有機ＥＬ素子の発光層とは、絶縁材料からなる隔壁（以後、「バンク」と記載する）で仕切られている。

【0005】

また、陽極と発光層との間には、ホール注入層、ホール輸送層、ホール注入兼輸送層といった有機層が必要に応じて介挿され、陰極と発光層との間にも、必要に応じて電子注入層、電子輸送層または電子注入兼輸送層が介挿されている。

【0006】

フルカラー表示の有機ＥL表示パネルにおいては、このような有機ＥＬ素子が、ＲＧＢ各色のサブピクセルを形成し、隣り合うＲＧＢのサブピクセルが合わさって一画素が形成されている。

【0007】

このような有機ＥＬ表示パネルを製造する上で、基板上にバンクを形成しておいて、バンクで区画された凹空間に発光層などを形成する工程がある。発光層の形成には、高分子材料や薄膜形成性の良い低分子を含む発光層形成用のインクを、インクジェット法等で凹空間に塗布するウェット方式が多く用いられている。このウェット方式によれば、大型のパネルにおいても有機層や発光層を比較的容易に形成することができる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0008】

【特許文献1】ＷＯ２０１０／０１３６５４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0009】

上記のような有機ＥＬ表示パネルにおいて、製造過程においてバンクに部分的な決壊が生じていたり、異物が付着したりして欠陥が発生すると、蛍光体層を形成するときに、その欠陥部が存在するバンクを挟んで塗布される異なる色のインク同士が混合されて混色が生じることがある。

【0010】

その混色が生じたパネルを用いて製造した有機ＥL表示パネルにおいては、混色が生じた範囲での発光色が本来の色と異なり、表示不良となることがある。

【0011】

そこで、欠陥が生じたバンクを補修することによって、表示パネルにおける表示不良の発生を抑える技術が求められる。

【0012】

本発明は、上記課題に鑑み、バンクに決壊や異物による欠陥部が発生したときにも表示不良を低減できるバンク補修方法、有機ＥＬ表示装置、及びその製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0013】

上記目的を達成するため、本発明の一態様にかかるバンク補修方法は、基板と、基板上に形成されたバンクと、バンクによって区画された各凹空間に形成された発光層と、を有する有機ＥＬ表示装置を製造する過程において、バンクにおける欠陥部が存在する部分を補修するバンク補修方法であって、バンクにおける欠陥部を検出し、欠陥部が検出された場合に、当該欠陥部が存在するバンクの両側に隣接する凹空間の各々の中に、凹空間を、欠陥部に近接する空間部分からなる第１空間と、欠陥部に近接しない空間部分からなる第２空間とに仕切る堰を形成することによってバンクの補修を行うこととした。

【0014】

そして、堰の各々は、その高さが一番低い箇所において、バンクの高さＨに対する当該堰の高さｈの比をｈ／Ｈとし、当該堰の幅をＷμｍとするとき、（ｈ／Ｈ）＋０．１Ｗ≧１．５、０．５≦（ｈ／Ｈ）≦２．０、５≦Ｗ≦５０の条件を満たすよう設定した。

【0015】

なお、上記「堰」は、表示装置の表示領域全体に形成されるバンクとは別に、欠陥部の周辺に形成されるものであって、バンクのように表示装置の表示領域全体に形成されるものではない。従って、例えば第１バンクとこれに直交する第２バンクを有するピクセルバンクにおいては、第１バンクによって区画された凹空間を第２バンクが仕切っているが、この第２バンクは上記の「堰」に該当しない。

【0016】

また、バンクは、ピクセルあるいはサブピクセル同士を区画するように形成されるが、上記「堰」は、ピクセルの中やサブピクセルの中にも形成される。

【0017】

また、上記「堰の幅」は、堰の底部における幅を指し、「バンクの高さＨ」は、凹空間の底面からバンク上面までの高さをと指すこととする。

【発明の効果】

【0018】

上記態様のバンク補修方法によれば、凹空間の各々にインクを塗布して発光層を形成するときに、凹空間の中に形成される堰によって、インク層が仕切られる。

【0019】

欠陥部に近接する第１空間では、欠陥部を有するバンクを挟んで近接するインク層同士が欠陥部を介して混ざり合うこともあるが、欠陥部に近接しない第２空間とは堰によって仕切られているので、インクが混ざり合う範囲が第２空間に広がることがない。

【0020】

従って、このバンク補修方法で補修されたバンクを用いて有機ＥＬ表示装置を製造すると、インク層が欠陥部を介して混合されて混色する範囲が、欠陥部に近接する第１空間に制限される。よって、有機ＥＬ表示装置における表示不良を抑えることができる。

【図面の簡単な説明】

【0021】

【図1】有機ＥＬ表示装置１の構成例を示す模式ブロック図である。

【図2】有機ＥＬ表示パネル１００の部分平面図である。

【図3】表示パネル１００を図２のＡ−Ａ'線で切断した一部拡大断面図である。

【図4】表示パネル１００の製造過程を示す模式工程図である。

【図5】（ａ）〜（ｇ）は、表示パネル１００の製造工程の一部を模式的に示す断面図である。

【図6】（ａ）は、バンクに生じる欠陥部の一例を示す斜視図、（ｂ）は、実施の形態１にかかる堰が欠陥部の周囲に形成されている様子を示す斜視図である。

【図7】（ａ），（ｂ）は、異物によってバンクに生じた欠陥部、（ｃ）は決壊によってバンクに生じた欠陥部を示す図である。

【図8】バンク欠陥部の検出と補修に用いる補修装置の一例を示す概略構成図である。

【図9】欠陥部の周辺の画像において設定された塗布位置を示す図である。

【図10】（ａ）〜（ｇ）は、補修材を塗布することによって、堰が形成される様子を示す図である。

【図11】実施の形態１にかかる堰の形成による効果を示す図であって、（ａ）は、堰が形成されている場合、（ｂ）は堰が形成されていない比較例を示す。

【図12】（ａ）は、図１１（ａ）におけるＣ-Ｃ線の断面図、図１２（ｂ）はその部分拡大図である。

【図13】１つの堰５を部分的に拡大した斜視図である。

【図14】堰の高さ及び幅と、混色抑制効果との関係を調べる実験の結果を示す図表である。

【図15】（ａ）は実施の形態２にかかる堰の形状を示す図、（ｂ）は溝空間に堰を形成した後、インク層を形成した状態の平面図である。

【図16】（ａ）は実施の形態３にかかる堰の形状を示す斜視図、（ｂ）は溝空間に堰を形成した後インク層を形成した状態の平面図である。

【図17】実施の形態４にかかる堰の形状を示す斜視図、（ｂ）は溝空間に堰を形成した後、蛍光体インクを塗布する様子を示す断面図である。

【図18】ピクセルバンクを有する表示パネルにおいて、ピクセルバンクに生じる欠陥部を補修する例を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0022】

＜発明に到った経緯＞
フラットディスプレイ基板の製造技術において、例えば、特許文献１には、隔壁を形成後、インク塗布前に、隔壁における決壊箇所の周囲の一部を除去し、除去した箇所に溌インク性のポリマーからなる隔壁修正液を塗布して、決壊箇所を修復する技術が開示されている。

【0023】

バンクが部分的に決壊している場合は、このような技術を用いて決壊部分の修復をし、修復後にインクを塗布すれば、異なる色のインクの混合を防止することができると考えられる。

【0024】

しかし、バンクの欠陥部には、決壊だけでなく、異物が付着することによって生じる欠陥部もある。そして、上記従来技術のようにポリマーを塗布する方法では、異物に起因する欠陥部を補修することは難しいと考えられる。例えば、バンクに付着した異物にポリマー液を塗布しようとすると、異物がポリマー液をはじいて、うまく補修できないこともある。

【0025】

また、発明者の考察によると、現状の有機ＥＬ表示装置においてもバンクの幅は１０μｍ程度とかなり狭く、今後、画素の高精細化が進むにつれてバンクの幅がさらに狭くなることが予想されることから、バンクの決壊箇所に塗布針を位置合わせして補修するのも、技術的な難しさがある。

【0026】

さらに、特許文献１のような補修方式だと、隔壁の補修部のポリマーが塗布するインクを弾いてしまう場合があり、その場合、隣接する発光層にインクを押し出して混色を発生させてしまう。

【0027】

このような考察のもとに、特に高精細のＥＬ表示装置において、バンクにおける欠陥部が生じた部分を容易に補修することができ、且つ、発光色の不良を抑えることのできる方法を検討した。

【0028】

ここで、バンクに欠陥部が生じたときに生じる主要な課題が、欠陥部自体にあるのではなく、発光層を形成するインクが混色することによって、製造されたパネルを駆動したときに、混色領域において発光色不良が生じることにあることに着目した。

【0029】

そして、バンクの欠陥部自体を補修しなくても、欠陥部の周辺の凹空間の中に堰を設けてインクの混色領域が広がるのを抑えることによって、発光色不良の問題を解決できることを見出した。

【0030】

また発明者は、さらに、堰がインクの混色領域が広がるのを抑える機能を果たす上で好ましい条件について考察し、そのために堰の高さと堰の幅（堰の底部の幅）とが満たすべき条件を見出し、本発明を案出するに到った。

【0031】

＜発明の態様＞
本発明の一態様にかかるバンク補修方法は、基板と、基板上に形成されたバンクと、バンクによって区画された各凹空間に形成された発光層と、を有する有機ＥＬ表示装置を製造する過程において、バンクにおける欠陥部が存在する部分を補修するバンク補修方法であって、バンクにおける欠陥部を検出し、欠陥部が検出された場合に、当該欠陥部が存在するバンクの両側に隣接する凹空間の各々の中に、凹空間を、欠陥部に近接する空間部分からなる第１空間と、欠陥部に近接しない空間部分からなる第２空間とに仕切る堰を形成することによってバンクの補修を行うこととした。

【0032】

そして、堰の各々は、その高さが一番低い箇所において、バンクの高さＨに対する当該堰の高さｈの比をｈ／Ｈとし、当該堰の幅をＷμｍとするとき、
（ｈ／Ｈ）＋０．１Ｗ≧１．５、０．５≦（ｈ／Ｈ）≦２．０、５≦Ｗ≦５０以下の条件を満たすよう設定した。

【0033】

それによって、凹空間の各々にインクを塗布して発光層を形成するときに、凹空間の中に形成される堰によって、インク層が仕切られるので、インクが混ざり合う範囲が、欠陥部に近接しない第２空間に広がることがない。従って、有機ＥＬ表示装置における表示不良を抑えることができる。

【0034】

また、欠陥部の周囲に堰を形成する方法をとっているので、欠陥部が異物に起因する場合でも、比較的容易に堰を形成できる。

【0035】

上記バンク補修方法において、以下のようにしてもよい。

【0036】

基板上に、基板面に沿った一方向に伸長する平面視短冊状のバンクが複数本並列に配列され、堰を形成する際に、欠陥部が存在するバンクの両側に隣接する凹空間の各々に、欠陥部が存在するバンクにおいて欠陥部を一方向に挟む２点のそれぞれから、欠陥部が存在するバンクの隣のバンクに亘る形状の堰を、対で形成する、
さらに、欠陥部が存在するバンク及び隣のバンクのそれぞれにおける各堰の端部が接する部分に、当該部分の上部から突出する突状部を形成する。これによって、堰の上にインク着弾したときにも、隣りの凹空間にインクが入り込んで混色が生じるのが抑えられる。

【0037】

基板上に、基板面に沿った一方向に伸長する平面視短冊状のバンクが複数本並列に配列され、堰を形成する際に、欠陥部が存在するバンクにおいて欠陥部を一方向に挟む２点の一方から欠陥部を迂回して他方に亘る形状の堰を対で形成する。

【0038】

ここで、堰の各々は、上記２点の一方から他方に亘る途中で、欠陥部が存在するバンクに隣接するバンクと接していてもよいし、欠陥部が存在するバンクに隣接するバンクに非接触であってもよい。

【0039】

欠陥部は、バンクにおける異物が存在している部分であってもよいし、バンクにおいて決壊が生じている部分であってもよい。

【0040】

堰の各々において、ｈ／Ｈ及びＷは、さらに（ｈ／Ｈ）＋０．１Ｗ≧２．０の条件を満たすことが好ましい。

【0041】

本発明の一態様にかかる有機ＥＬ表示装置は、基板と、基板上に形成されたバンクと、バンクによって区画された各凹空間に形成された発光層と、を有する有機ＥＬ表示装置であって、基板上のバンクの中で欠陥部が存在するバンクの両側に隣接する凹空間の各々の中に、発光層を、欠陥部に近接する部分からなる第１発光層と、欠陥部に近接しない部分からなる第２発光層とに仕切る堰を形成することによってバンクの補修を行うこととした。

【0042】

そして、堰の各々は、その高さが一番低い箇所において、バンクの高さＨに対する当該堰の高さｈの比をｈ／Ｈとし、当該堰の幅をＷμｍとするとき、
（ｈ／Ｈ）＋０．１Ｗ≧１．５、０．５≦（ｈ／Ｈ）≦２．０、５≦Ｗ≦５０の条件を満たすよう設定した。

【0043】

このような有機ＥＬ表示装置によれば、凹空間の各々に発光層を形成するときに、凹空間の中に形成されている堰によってインク層が仕切られるので、発光層で混色が生じる範囲が、欠陥部に近接する第１発光層に限られ、欠陥部に近接しない第２発光層には広がらない。従って、この有機ＥＬ表示装置は、表示不良が抑えられ、良好な表示性能を有する。

【0044】

また、欠陥部の周囲に堰を形成しているので、堰の形成も比較的容易にできる。

【0045】

上記有機ＥＬ表示装置において、以下のようにしてもよい。

【0046】

基板上には、基板面に沿った一方向に伸長する平面視短冊状のバンクが複数本並列に配列され、欠陥部が存在するバンクの両側に隣接する凹空間の各々において発光層を仕切る堰は、欠陥部が存在するバンクにおいて欠陥部を一方向に挟む２点のそれぞれから、欠陥部が存在するバンクの隣のバンクに亘る形状で、対で形成する。

【0047】

さらに、欠陥部が存在するバンク及び隣のバンクのそれぞれにおける各堰の端部が接する部分に、当該部分の上部から突出する突状部を形成する。

【0048】

基板上には、基板面に沿った一方向に伸長する平面視短冊状のバンクが複数本並列に配列され、各凹空間において発光層を仕切る堰を、欠陥部が存在するバンクにおいて欠陥部を一方向に挟む２点一方から欠陥部を迂回し他方に亘る形状で対形成する。

【0049】

ここで、堰の各々は、２点の一方から他方に亘る途中で、欠陥部が存在するバンクに隣接するバンクと接していてもよいし、欠陥部が存在するバンクに隣接するバンクに非接触であってもよい。

【0050】

欠陥部は、バンクにおける異物が存在している部分であってもよいし、バンクにおいて決壊が生じている部分であってもよい。

【0051】

第１発光層には、欠陥部が存在するバンクを挟んで隣接する両方の第２発光層の材料が含有されていてもよい。

【0052】

堰の各々において、ｈ／Ｈ及びＷは、さらに（ｈ／Ｈ）＋０．１Ｗ≧２．０の条件を満たすことが好ましい。

【0053】

本発明の一態様にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法は、基板上にバンクを形成し、バンクにおける欠陥部を検出し、欠陥部が検出された場合に、当該欠陥部が存在するバンクの両側に隣接する凹空間の各々の中に、凹空間を、前記欠陥部に近接する空間部分からなる第１空間と、前記欠陥部に近接しない空間部分からなる第２空間とに仕切る堰を形成し、その後、バンクで区画された凹空間のそれぞれに発光層を形成することとした。

【0054】

そして、堰の各々は、その高さが一番低い箇所において、バンクの高さＨに対する当該堰の高さｈの比をｈ／Ｈとし、当該堰の幅をＷμｍとするとき、（ｈ／Ｈ）＋０．１Ｗ≧１．５、０．５≦（ｈ／Ｈ）≦２．０、５≦Ｗ≦５０の条件を満たすよう設定した。

【0055】

このような製造方法においても、上記バンク補修方法と同様、凹空間の各々にインクを塗布して発光層を形成するときに、凹空間の中に形成される堰によって、インク層が仕切られるので、インクが混ざり合う範囲が、欠陥部に近接しない第２空間に広がることがない。従って、有機ＥＬ表示装置における表示不良を抑えることができる。

【0056】

また、欠陥部の周囲に堰を形成する方法をとっているので、欠陥部が異物に起因する場合でも、比較的容易に堰を形成できる。

【0057】

上記態様の有機ＥＬ表示装置の製造方法において、堰の各々を、欠陥部との間に間隙をあけて形成し、発光層を形成するときに、発光層の一部をこの間隙に形成してもよい。

【0058】

また、堰の各々において、ｈ／Ｈ及びＷは、さらに（ｈ／Ｈ）＋０．１Ｗ≧２．０の条件を満たすことが好ましい。

【0059】

＜実施の形態１＞
［有機ＥＬ表示装置の全体構成］
図１は、実施形態１に係る表示パネル１００を有する有機ＥＬ表示装置１の構成を示す模式ブロック図である。

【0060】

図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、表示パネル１００と、これに接続された駆動制御部１０１とを有している。表示パネル１００は、有機材料の電界発光現象を利用したパネルであり、図２に示すように、複数の有機ＥＬ素子１０が基板上にマトリクス状に配列されている。駆動制御部１０１は、４つの駆動回路１０２〜１０５と制御回路１０６とから構成されている。

【0061】

なお、表示パネル１００に対する駆動制御部１０１の配置などは、これに限られない。

【0062】

［有機ＥＬ表示パネルの構成］
図２は、表示パネル１００の表示面側から見た概略構成を模式的に示す平面図である。図３は、表示パネル１００を図２のＡ−Ａ'線で切断した一部拡大断面図である。表示パネル１００は、いわゆるトップエミッション型であって、Ｚ方向側が表示面となっている。

【0063】

表示パネル１００の構成について、図２，３を参照しながら説明する。

【0064】

図３に示すように、表示パネル１００は、その主な構成として、下地基板１１、画素電極１２、ホール注入層１３、バンク１４、有機発光層１５、電子輸送層１６、共通電極１７、封止層１８を備える。そして、赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の何れかの発光色に対応する有機発光層１５を有する有機ＥＬ素子１０をサブピクセルとし、図２に示すように、サブピクセルがマトリクス状に配設されている。

【0065】

なお、図２においては、電子輸送層１６、共通電極１７、封止層１８を取り除いた状態を示している。

【0066】

[下地基板]
下地基板１１は、基板本体部１１ａ、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）層１１ｂ、層間絶縁層１１ｃを有する。

【0067】

基板本体部１１ａは、表示パネル１００の基材となる部分であり、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル樹脂、アルミナ等の絶縁性材料のいずれかで形成することができる。

【0068】

ＴＦＴ層１１ｂは、基板本体部１１ａの表面にサブピクセル毎に設けられており、各々には薄膜トランジスタ素子を含む画素回路が形成されている。

【0069】

層間絶縁層１１ｃは、ＴＦＴ層１１ｂ上に形成されている。層間絶縁層１１ｃは、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等の有機絶縁材料、ＳｉＯ₂（酸化シリコン）やＳｉＮ（窒化シリコン）等の無機絶縁材料からなり、ＴＦＴ層１１ｂと画素電極１２との間の電気的絶縁性を確保すると共に、ＴＦＴ層１１ｂの上面に段差が存在してもそれを平坦化して、画素電極１２を形成する下地面への影響を抑える機能を持つ。

【0070】

[画素電極]
画素電極１２は、サブピクセル毎に個別に設けられた画素電極であり、例えば、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）、アルミニウム合金、Ｍｏ（モリブデン）、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）等の光反射性導電材料からなる。本実施形態において、画素電極１２は、陽極である。

【0071】

なお、画素電極１２の表面にさらに公知の透明導電膜を設けてもよい。透明導電膜の材料としては、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）を用いることができる。透明導電膜は、画素電極１２とホール注入層１３の間に介在し、各層間の接合性を良好にする機能を有する。

【0072】

[ホール注入層]
ホール注入層１３は、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物、あるいは、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料からなる層である。上記の内、酸化金属からなるホール注入層１３は、ホールを安定的に、またはホールの生成を補助して、有機発光層１５に対しホールを注入および輸送する機能を有する。

【0073】

[バンク]
ホール注入層１３の表面には、Ｙ方向に伸長する平面視にて短冊状のバンク１４が複数本並列に設けられている。このバンク１４は、絶縁性の有機材料（例えばアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等）からなる。

【0074】

各バンク１４の断面は、図３に示されるように台形であって、バンク１４同士の間には、バンク１４によって区画された溝空間が形成され、そこに有機発光層１５が形成されている。

【0075】

このバンク１４は、有機発光層１５をウエット法で形成するときに、塗布されたインクがあふれ出ないようにする構造物として機能する。

【0076】

[有機発光層]
有機発光層１５は、キャリア（正孔と電子）が再結合して発光する部位であって、Ｒ，Ｇ，Ｂのいずれかの色に対応する有機材料を含む。

【0077】

この有機発光層１５は、上記のバンク１４によって区画されたＹ方向に伸長する溝状の凹空間（図６の溝空間２０）に形成されている。

【0078】

そして、互いに色の異なる有機発光層１５は、バンク１４を挟んで配置されている。

【0079】

有機発光層１５の材料としては、例えば、ポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）、ポリフルオレン、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とIII族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等の蛍光物質等が挙げられる。

【0080】

[電子輸送層]
電子輸送層１６は、共通電極１７から注入された電子を有機発光層１５へ輸送する機能を有し、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などで形成されている。

【0081】

[共通電極]
共通電極１７は、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の導電性を有する光透過性材料で形成され全てのサブピクセルに亘って設けられている。

【0082】

本実施形態において、共通電極１７は陰極である。

【0083】

[封止層１８]
封止層１８は、ホール注入層１３、有機発光層１５、電子輸送層１６、共通電極１７を水分及び酸素から保護するために設けられている。

【0084】

なお、図示はしないが、封止層１８の上に、ブラックマトリクス、カラーフィルター等が形成されていてもよい。

【0085】

［表示パネルの製造方法］
図４は、表示パネル１００の製造過程を示す模式工程図である。

【0086】

図５は、表示パネル１００の製造工程の一部を模式的に示す断面図である。

【0087】

表示パネル１００の製造方法について、図４の工程図に基づいて、図３、５を参照しながら説明する。

【0088】

まず、基板本体部１１ａ上にＴＦＴ層１１ｂを形成する（ステップＳ１）。

【0089】

続いて、ＴＦＴ層１１ｂの上に、絶縁性に優れる有機材料を用いてフォトレジスト法で層間絶縁層１１ｃを形成して下地基板１１を得る（ステップＳ２）。層間絶縁層１１ｃの厚みは例えば約４μｍである。なお、図３の断面図および図４の工程図には現れないが、層間絶縁層１１ｃを形成するときに、コンタクトホール２（図２参照）を形成する。

【0090】

次に、下地基板１１上に、真空蒸着法またはスパッタ法によって、厚み４００［ｎｍ］程度の金属材料からなる画素電極１２を、サブピクセル毎に形成する（ステップＳ３）。

【0091】

続いて、スパッタ法などで酸化タングステンを、下地基板１１および画素電極１２上に一様に成膜することによって、ホール注入層１３を形成する（ステップＳ４）。

【0092】

次に、バンク１４を形成する（ステップＳ５）。このバンク１４は、以下のようにフォトリソグラフィー法で形成することができる。

【0093】

まずバンク材料として、ネガ型感光性樹脂組成物を用意し、このバンク材料を、図５（ａ）に示すように、ホール注入層１３上に一様に塗布する。

【0094】

図５（ｂ）に示すように、そのバンク材料層上に、形成しようとするバンク１４のパターンに合わせた開口を有するマスクを重ねて、マスクの上から露光する。

【0095】

その後、余分なバンク材料をアルカリ現像液で洗い出すことによって、バンク材料をパターニングして、バンクパターンを形成する。図５（ｃ）に示すように未焼成のバンク１４ａがパターン形成される。そして隣接するバンク１４ａ同士の間に、溝空間２０が形成されている。

【0096】

次に、このパターン形成された未焼成バンク１４ａにおける欠陥部の発生を調べて（ステップＳ６）、欠陥部があればその補修を行う。

【0097】

このバンク補修については、後で詳しく説明するが、検出した欠陥部の近傍において、バンク１４ａの同士の間の溝空間２０に補修材を塗布し乾燥することによって行う（ステップＳ７）。図５（ｄ）には、バンク１４ａ間の溝空間２０に補修材が塗布され、未焼成の堰５ａが形成された状態を示している。

【0098】

その後、未焼成のバンク１４ａと未焼成の堰５ａとを、同時に加熱焼成することによって、バンク１４及び堰５が出来上がり、欠陥部の３の補修が完了する（ステップＳ８）。この同時焼成は、例えば、未焼成のバンク１４ａ及び堰５ａを、１５０℃〜２１０℃の温度で６０分間加熱することによって行う。

【0099】

図５（ｅ）は、この焼成によって、バンク１４が形成されると共に堰５が形成された状態、すなわち、補修されたバンク１４が形成された状態を示している。

【0100】

このように製造されたバンク１４において、さらに、次の工程で塗布するインクに対するバンク１４の接触角を調節してもよい。あるいは、バンク１４の表面に撥水性を付与するために、所定のアルカリ性溶液や水、有機溶媒等によって表面処理したり、プラズマ処理を施してもよい。

【0101】

続いて、図５（ｆ）に示すように、バンク１４同士の間の溝空間２０に、発光層形成用のインクを塗布する。このインクは、有機発光層１５を構成する有機材料と溶媒を混合したものであって、各溝空間２０内にインクジェット法を用いて塗布する。

【0102】

そして、塗布されたインク層１５ａに含まれる溶媒を蒸発させて乾燥し、必要に応じて加熱焼成することによって、図５（ｇ）に示すように、各溝空間２０内に有機発光層１５が形成される（ステップＳ９）。

【0103】

次に、有機発光層１５およびバンク１４の上に、電子輸送層１６を構成する材料を真空蒸着法で成膜して、電子輸送層１６を形成する（ステップＳ１０）。

【0104】

そして、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の材料を、スパッタ法等で成膜して、共通電極１７を形成する（ステップＳ１１）。

【0105】

そして、共通電極１７の表面に、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等の光透過性材料をスパッタ法あるいはＣＶＤ法等で成膜して、封止層１８を形成する（ステップＳ１２）。

【0106】

以上の工程を経て表示パネル１００が完成する。

【0107】

［バンクの欠陥部を検出し補修する方法］
上記製造方法で説明したように、正確には、未焼成のバンク１４ａ、未焼成の堰５ａを形成した後、これら未焼成のバンク１４ａや堰５ａを加熱焼成して硬化させることによって、最終的なバンク１４や堰５が形成される。しかし、未焼成のバンク１４ａや未焼成の堰５ａは、ある程度固体化して安定なバンク形状、堰形状となっているので、本明細書では、未焼成のバンク１４ａや未焼成の堰５ａについても、単にバンク１４ａ、堰５ａと記載して説明する。

【0108】

[欠陥部３]
まず、バンク１４ａに存在する欠陥部３について説明する。

【0109】

この欠陥部３は、バンク１４ａに存在する異物、またはバンク１４ａの一部が欠損した部分である。

【0110】

異物は、例えば、製造装置に由来する金属片、空気中に存在する塵・埃の類である。そして、塵・埃は、繊維片であることが多い。

【0111】

図６（ａ）に示す例では、１本のバンク１４ａの上に、異物が付着して欠陥部３となっている。

【0112】

このようにバンク１４ａ上に異物があると、図５（ｆ）に示すようにバンク１４を挟んで隣接する溝空間２０にインクを塗布してドーム状に盛ったインク層１５ａが形成されると、インク層１５ａが異物に接触して、発光色の異なるインク（例えば赤色インクと緑色インク）が混ざってしまうことがある。

【0113】

図７（ａ）に示す例では、１本のバンク１４ａの中に異物が入り込み、その異物がバンク１４の壁面を隣の溝空間まで貫通して欠陥部３となっている。

【0114】

図７（ｂ）に示す例では、１本のバンク１４ａの下に異物が入り込んで、その異物が隣の溝空間まで貫通して欠陥部３となっている。

【0115】

このように、バンク１４ａの中や下に異物が存在する場合でも、異物とバンク材料との密着性が悪い場合には、隙間が生じてインクの流通路ができたり、異物が繊維片の場合はインクを吸収するので、異物自体がインクの流通路となる。従って、異物を挟んで隣り合う溝空間に形成されたインク層１５ａの間で混色が生じる原因となる。

【0116】

図５（ｃ）に示す例では、バンク１４ａの一部が決壊して欠陥部３となっている。このようなバンク１４ａにおける決壊は、例えば、図５（ｂ）に示すバンク材料層に対する露光の工程で、露光が不十分で重合が十分になされたかった箇所が、次の現像工程で洗い流されることによって発生する。このように決壊が生じた場合も、その決壊を介して隣り合う溝空間に形成されたインク層１５ａの間で混色が生じる。

【0117】

蛍光体層に混色領域が生じたパネルを用いて表示パネル１００を製造すると、混色領域は、本来の発光色とは異なった発光色で発光する。一般に、異なる発光色の蛍光体が混合された場合、波長の長い蛍光体の発光色が優勢になる。

【0118】

例えば図１１（ｂ）に示すような赤色インクと緑色インクが混合されて生じた混色領域は、赤色で発光することになる。従って、緑色で発光すべき領域の中で、混色領域となった領域では、赤色で発光することになるので、この混色領域が広がると発光色不良の原因となる。

【0119】

以上説明したように、バンク１４ａにおいて異物や決壊が生じている箇所は、発光色が異なるインクの混色が生じて、発光色不良の原因となるので、この箇所を欠陥部３としている。

【0120】

なお、図７（ａ），（ｂ）のようにバンク１４ａの下あるいは中に異物が入り込むと、その箇所では、バンク１４が上に膨らんでバンク高さが高くなり、一方、図７（ｃ）のようにバンク１４ａが決壊した箇所では、バンク１４の高さが低くなる。

【0121】

[欠陥部３の検出]
バンク１４ａにおける欠陥部３の検出は、例えば、下地基板１１上に形成したバンク１４ａの表面画像を撮影し、その表面画像のパターン検査によって行う。

【0122】

図１０は、バンク欠陥部の検出と、その補修に用いる補修装置の一例を示す概略構成図である。

【0123】

この補修装置２００においては、ベース２０１上に、上記の下地基板１１を載置するテーブル２０２と、撮像素子２１１及びディスペンサ２１２が取り付けられたヘッド部２１０とを有している。そして、テーブル２０２は、コントローラ２３０の指示に基づいてＹ方向に移動でき、ヘッド部２１０は、コントローラ２３０の指示によって、Ｘ方向及びＺ方向に移動できるようになっている。

【0124】

従って、ヘッド部２１０に取り付けられている撮像素子２１１及びディスペンサ２１２は、コントローラ２３０の指示によって、テーブル２０２上に載置された下地基板１１の上方で、下地基板１１に対して、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向に相対移動することができる。

【0125】

この補修装置２００を用いて、下地基板１１の上面に沿って撮像素子２１１を移動させながら、下地基板１１の上面の画像データを取得し、コントローラ２３０の記憶部２３１に記憶する。

【0126】

コントローラ２３０は、その画像データにおいて、各バンク１４ａにおける部分同士を次々に比較して、相違点を検出することによって、欠陥部３の検出を行う。そして、欠陥部３が検出された場合、検出された欠陥部３の座標データ（Ｘ方向の座標値及びＹ方向の座標値）を、記憶部２３１に記憶する。

【0127】

なお、このような検出工程において、下地基板１１上に形成されるバンク１４ａの中で、いくつかのバンク１４ａに欠陥部３が検出される可能性もあれば、すべてのバンク１４ａにおいて欠陥部３がゼロである可能性もある。

【0128】

そして、いずれかのバンク１４ａで欠陥部３が検出された場合には、その補修を行う。

【0129】

[欠陥部を有するバンクの補修方法]
次に、補修装置２００におけるテーブル２０２に載置されている下地基板１１の上に、ディスペンサ２１から堰形成用の補修材を、欠陥部３の周囲を囲むように塗布して、堰５を形成することによって、バンク１４ａの補修を行う。

【0130】

ここでは、図６（ｂ）に示すように、欠陥部３を有するバンク１４ａの両側に隣接する各溝空間２０の中に、欠陥部３をＹ方向に挟んだ２つの点Ａ１、Ａ２から、欠陥部３が存在するバンク１４ａの隣のバンク１４ａに亘る形状で堰５を対形成する。すなわち、欠陥部３の周囲を取り囲む溝空間２０の中に、Ｘ方向に仕切る合計４つの堰５が井桁状に形成する。

【0131】

補修装置２００が備えるディスペンサ２１２は、ニードル式のディスペンサであって、その先端部分に補修材を収納するタンク２１４が取り付けられ、タンク２１４内を貫通するようにニードル２１３が上下に移動することによって、ニードル２１３に付着させた補修材をマイクロリットル単位で塗布できるようになっている。

【0132】

このディスペンサ２１２におけるニードル２１３の駆動は、コントローラ２３０からの制御信号に基づいてなされる。

【0133】

補修材としては、光や熱を加えることによって硬化する樹脂の組成物を用いることができる。

【0134】

樹脂としては、例えば、（メタ）アクロイル基、アリル基、ビニル基、ビニルオキシ基などのエチレン性の二重結合を有する硬化性の樹脂が挙げられる。

【0135】

また、樹脂に対して架橋する架橋剤、例えば、エポキシ化合物、ポリイソシアネート化合物を添加してもよい。

【0136】

また、この樹脂構造の中に、フッ素が導入されているフッ化ポリマーを用いてもよい。補修材の樹脂にフッ素が導入されることによって、形成される堰５に溌インク性を付与することができる。あるいは、樹脂に各種溌インク剤を添加してもよい。撥インク剤の添加量は０．０１〜１０ｗｔ％とする。撥インク剤の添加量をこの範囲にすることで、樹脂組成物の貯蔵安定性が良好で、且つ形成される堰５の撥インク性も良好となる。

【0137】

なお、補修材として、バンク１４ａを形成するバンク材料と同じものを用いてもよい。ただしバンク材料の場合は、アルカリ現像液に可溶の酸成分が含まれているが、堰を形成する補修材には、アルカリ現像液に可溶の酸成分は含有しないことが好ましい。これは、堰１４ａを形成するときには現像は行われず、酸成分が堰５に残存すると堰５の耐溶剤性が低下するためである。

【0138】

上記補修材を構成する樹脂の組成物に、必要に応じて、溶剤、光重合開始剤を適宜添加してもよい。

【0139】

溶剤は、樹脂および光重合開始剤に対する溶解性を有するものであり、且つリペア時に乾燥しにくい溶剤（例えば沸点が１５０〜２５０℃程度の溶剤）を1種以上、より好ましくは２種以上用いる事が望ましい。

【0140】

光重合開始剤としては、市販の各種光重合開始剤を用いることができる。

【0141】

補修材の塗布時において、補修材の固形分は、例えば２０〜９０ｗｔ％に調整し、粘度は例えば１０〜５０ｃＰ（センチポイズ）／２５℃に調整する。

【0142】

光重合開始剤の添加量は、焼成時における露光量に応じて調整するが、例えば全固形分に対して０．１〜５０ｗｔ％、好ましくは５ｗｔ％〜３０ｗｔ％である。

【0143】

堰５ａの形成は、溝空間２０内において、堰５を形成しようとするラインに沿って設定された複数の位置に、ディスペンサ２１２から補修材を塗布することによって行う。

【0144】

補修装置２００のコントローラ２３０においては、上記のようにバンク１４ａの画像データ、欠陥部３の座標データが保存されているので、このデータに基づいて、欠陥部３の周辺に設定された位置に正確に塗布することが出来る。

【0145】

図９（ａ）は、この画像において欠陥部３の周辺に設定された塗布位置を示す図である。

【0146】

当図に示すように、欠陥部３を有するバンク１４ａの両側に隣接する溝空間２０の中に、欠陥部３の中央部を基準Ｏとして、Ｙ方向に距離ａ1離れた点Ａ１を通ってＸ方向に伸長する堰形成ラインと、Ｙ方向と反対の方向に距離ａ2離れた点Ａ２を通ってＸ方向に伸長する堰形成ラインに沿って、それぞれ塗布点Ｐ1，Ｐ2，Ｐ3，Ｐ4を設定する。

【0147】

ここで、距離ａ1と距離ａ2は同じであっても、異なっていてもよいが、点Ａ１と点Ａ２とで欠陥部３の全体が挟み込まれ、且つあまり大き過ぎないように、適度な長さに設定する。

【0148】

図９（ｂ）は、下地基板１１において、点Ａ１を通る堰形成ラインに沿った断面を模式的に示す図である。

【0149】

補修装置２００は、このように設定した塗布点Ｐ1，Ｐ2，Ｐ3，Ｐ4において、順次、ニードル２１３で補修材を塗布することによって堰５ａを形成する。

【0150】

図１０（ａ）〜（ｇ）は、塗布点Ｐ1，Ｐ2…に、補修材を順次塗布することによって、堰５ａが形成される様子を示す図である。

【0151】

まず図１０（ａ），（ｂ）に示すように、ニードル２１３、タンク２１４を塗布点Ｐ1に位置させて、ニードル２１３を下方に移動してニードル２１３に補修材を付着させて、ニードル２１３を塗布点Ｐ1に近づけることによって補修材を塗布点Ｐ1に塗布する。

【0152】

補修材は、塗布されるまでは流動性を有するが、塗布後は山形状が維持され、図１０（ｃ）に示すように、塗布点Ｐ1に補修材の山が形成される。

【0153】

続いて、図１０（ｄ）に示すように、ニードル２１３をタンク２４１内に引き上げて、ニードル２１３、タンク２１４を、塗布点Ｐ2に移動させる。そして、ニードル２１３を下方に移動して、補修材を付着させたニードル２１３を塗布点Ｐ2に近づけることによって補修材を塗布点Ｐ2に塗布する。

【0154】

それによって図１０（ｅ）に示すように、塗布点Ｐ2に形成される補修材の山は、塗布点Ｐ1に形成されている補修材の山と繋がる。

【0155】

続いて、図１０（ｆ）に示すように、ニードル２１３を引き上げて、塗布点Ｐ3に移動させる。そして、同様にして、塗布点3に補修材の山を形成して、塗布点Ｐ2に補修材の山とつなげる。

【0156】

このようにして、欠陥部３を有するバンク１４ａ上の点Ａ１から、隣のバンク１４ａに亘る形状で、補修材の山が連なることになる。そして、この塗布された補修材の山を、乾燥し、必要に応じて露光することによって堰５ａが形成される。

【0157】

また、その後の同時焼成工程において、塗布された補修材が硬化するので、より安定した物性を有する堰５が形成される。

【0158】

図６（ｂ）に示すように、欠陥部３を有するバンク１４の両側にある溝空間２０の各々には、堰５が対で設けられており、この堰５によって溝空間２０は、欠陥部３に近接する空間部分からなる第１空間ＳＡと、欠陥部３に近接しない空間部分からなる２つの第２空間ＳＢとに仕切られている。そして、欠陥部３は、２つの第１空間ＳＡによって囲まれている。

【0159】

このように、バンク１４の欠陥部３が補修した上で、次のステップＳ９の発光層形成工程で、各溝空間２０に有機発光層１５を形成すると、第１空間ＳＡ、第２空間ＳＢにも、インクが塗布され、有機発光層１５が形成される。従って、発光層が形成された後のパネルにおいては、第１空間ＳＡに形成された有機発光層１５と、第２空間ＳＢに形成された有機発光層１５とが、堰５によって仕切られた状態となる。

【0160】

[上記バンク補修方法による効果]
図１１（ａ）は、実施の形態にかかるパネルにおいて、欠陥部３を有するバンク１４の周囲に堰５が形成された後、そのバンク１４に隣接する一方の溝空間２０に、赤色のインクが塗布されてインク層１５ａ（Ｒ）、他方の溝空間２０に緑色のインクが塗布されてインク層１５ａ（Ｇ）が形成された状態を示す平面図である。また、図１１（ｂ）は、堰５を形成しない比較例において、同様にバンク１４を挟んで隣接する溝空間２０にインク層１５ａ（Ｒ）とインク層１５ａ（Ｇ）が形成された状態を示す平面図である。

【0161】

図１１（ｂ）に示すように、欠陥部３を有するバンク１４の周囲に堰５が形成されていないと、赤色インクと緑色インクが、欠陥部３を介して混ざり合ってできる混色領域は、各インク層１５ａ内で広がる。この混色領域は、Ｙ方向に長く伸びることがあり、その長さが１ｃｍ程度になることもある。

【0162】

表示パネル１００が製造されたときに、この混色領域は、本来の発光色とは異なった発光色で発光する。上記のように、赤色インクと緑色インクが混合された混色領域は、赤色で発光することになる。従って、緑色で発光すべき領域の中で、混色領域となった領域では、赤色で発光することになり、発光色不良の原因となる。

【0163】

これに対して、本実施の形態では、上記のように、欠陥部３を有するバンク１４の周囲に堰５が対で形成され、溝空間２０が、堰５の対に挟まれた欠陥部３に近接する第１空間ＳＡと、堰５の対の外側にある欠陥部３に近接しない２つの第２空間ＳＢとに仕切られている。それによって、以下のように混色領域は制限される。

【0164】

図１２（ａ）は、図１１（ａ）におけるＣ-Ｃ線の断面図であって、堰５が形成された溝空間２０にインクが塗布されてインク層１５ａ（Ｇ）が形成されたところを、Ｙ方向に切断した断面を表している。

【0165】

バンク１４間の各溝空間２０に、発光層形成用のインクが塗布されると、図１２（ａ）に示すように、１対の堰５で挟まれた第１空間ＳＡと、１対の堰５よりも外側にある２つの第２空間ＳＢには、それぞれインク層１５ａ（Ｇ）が形成される。

【0166】

ここで、図１１（ａ）に示すように、赤色インクと緑色インクが、欠陥部３を介して混ざり合って、第１空間ＳＡが、赤色インクと緑色インクの両方を含有する混色領域となることはあるが、第１空間ＳＡに形成されたインク層１５ａと、１対の堰５よりも外側の第２空間ＳＢに形成されたインク層１５ａとは、堰５によって隔てられているので、相互に混ざり合わない。

【0167】

従って、第１空間ＳＡには混色領域ができることがあっても、その混色領域は堰５を超えて第２空間ＳＢが広がることがない。

【0168】

このように本実施の形態においては、欠陥部３によって生じる混色領域の範囲が、欠陥部３に近接する狭い第１空間ＳＡに制限されるので、混色範囲の広がりを抑制する効果が得られ、表示パネル１００における発光色不良を低減できることになる。

【0169】

なお、ラインバンクにおいては、インクの混色が生じると混色範囲が広がって発光色不良が生じやすいので、特にラインバンクに対しては、堰５を形成する補修によって得られる効果も大きい。しかし、変形例のところで後述するように、ラインバンクに限らず、ピクセルバンクにおいても、堰５を形成することによって効果を得ることができる。

【0170】

ところで、欠陥部３によるインクの混色を防止する方法としては、欠陥部３自体を、同様の補修材で覆って補修することも考えられる。しかし、その方法でインクの混色を確実になくすには、欠陥部３を構成する異物全体を補修材で覆ったり、欠陥部３を構成する決壊を補修材で補修するといったことが必要となる。そして、ディスペンサなどを使ってこの補修を行うには、ディスペンサの塗布針を細かく位置制御しながら塗布することが必要となる。また、異物が存在する場合は、その異物によって補修材がはじかれてうまく補修できない場合も多くあり、塗布するのに技術的な難しさが伴う。

【0171】

これに対して、本実施の形態のように欠陥部３を有するバンク１４の周囲に堰５を形成する補修方法によれば、欠陥部３に補修材を直接塗布するのではなく、その周囲を囲むように補修材を塗布するので、異物によって補修材がはじかれることがなく、比較的容易に塗布を行うことができる。

【0172】

また、溝空間２０内において、仮に発光層が形成されない領域が生じると、表示パネル１００製造後において、その領域では、ホール注入層１３と共通電極１７との電流リークが大きくなるので、その箇所が欠陥となることもあり得るが、本実施形態ではそのような電流リークは生じがない。

【0173】

すなわち、本実施形態では、溝空間２０内に堰５を形成するときに、欠陥部３から距離ａ1，ａ2を開けて堰５を形成している。従って、図８（ｂ）に示すように、堰５で挟まれた領域にも、混色領域であるがインク層１５ａが存在する。従って、表示パネル１００において、この領域でホール注入層１３と共通電極１７とがショートしたり、電流リークが生じることもない。

【0174】

[欠陥部３と堰５との間隔、堰５の高さ、幅について]
欠陥部３と堰５とのＹ方向の間隔は、点Ａ1と点Ａ２との距離（ａ１＋ａ２）に依存する。

【0175】

この点Ａ1と点Ａ２との距離（ａ１＋ａ２）については、欠陥部３を挟み込めるだけの距離は必要である。

【0176】

また、欠陥部３と堰５との隙間が狭すぎると、堰５で挟まれた領域内に、インクが着弾しても、はじかれてしまうなどの理由で、発光層が形成されないことがある。従って、点Ａ1と点Ａ２間の距離として、堰５で挟まれた領域内にインクが塗布されるのに十分なだけの距離を確保することが好ましい。

【0177】

一方、発光色不良を低減する効果を得る上では、点Ａ1と点Ａ２との距離は、できるだけ小さく設定することが好ましく、その点で、サブピクセルのＹ方向の長さ以下に設定することが好ましい。

【0178】

堰５の高さ（溝空間２０の底面からの高さ）について考察する。

【0179】

ステップＳ９の有機発光層１５を形成する工程で、堰５で仕切られている第１空間ＳＡと第２空間ＳＢに、それぞれインクが塗布されてインク層１５ａが形成される。

【0180】

そして、上記図１２（ａ）に示されるように、第１空間ＳＡのインク層１５ａと第２空間ＳＢのインク層１５ａとは、堰５によって分離された状態となる。

【0181】

ここで、堰５の高さが低すぎると、インク層１５ａを分離する機能が損なわれて、第１空間ＳＡのインク層１５ａと、第２空間ＳＢのインク層１５ａとが混合され、その結果、混色領域が第２空間ＳＢまで広がることになる。例えば図１２（ａ）の例で、堰５の高さが低すぎると、第１空間ＳＡに存在する赤が混ざった緑のインク層１５ａが、第２空間ＳＢに存在する緑色のインク層１５ａ（Ｇ）と混ざって、赤と緑の混色領域が第２空間ＳＢに広がることになる。

【0182】

従って、堰５の高さは、この第１空間ＳＡのインク層１５ａと第２空間ＳＢのインク層１５ａとを分離する機能を果たすことができるだけの高さに設定することが好ましい。

【0183】

一方、堰５を高くし過ぎると、その上に形成する電子輸送層１６、共通電極１７など段切れが生じやすくなる。

【0184】

このように考察に基づくと、堰５の高さは、バンク１４の高さに対して５０％以上、２００％以下とし、バンク１４の高さと同程度とすることが好ましい。ここで、バンク１４の高さは、溝空間２０の底面からバンク１４の上面まで高さである。

【0185】

堰５の幅、すなわち堰形成ラインと直交する方向（Ｙ方向）の幅については、この幅が大きすぎると、表示パネル１００を見たときにその堰５自体が目立つ可能性もあるので、５０μｍ以下に抑えることが好ましい。

【0186】

なお、堰５は、図１２(ｂ)に示すように断面が台形状であって、底部から上部にかけてその幅は狭くなっているが、本明細書において堰５の幅は、堰５の底部の幅を指す。すなわち、図１２（ｂ）に示す堰５の底部の幅Ｗ（μｍ）が５０μｍ以下であることが好ましい。

【0187】

さらに、インク層１５ａ（Ｇ）とインク層１５ａ（混色）とが混ざり合わないようにするために、バンクの高さＨに対する堰５の高さｈの比（ｈ／Ｈ）及び堰５の幅Ｗ（μｍ）がどのように条件を満たせばよいかについて、以下のように考察及び実験を行った。

【0188】

図１２（ｂ）に示すようにインク層１５ａ（Ｇ）と、インク層１５ａ（混色）とが、堰５を挟んで対峙している。

【0189】

ここで、バンクの高さＨに対する堰５の高さｈの比（ｈ／Ｈ）が小さい場合、あるいは堰５の幅Ｗが小さい場合は、堰５を挟んで対峙するインク層１５ａ同士が混ざり合いやすくなることが予測される。

【0190】

さらに、比（ｈ／Ｈ）として好ましい範囲、並びに幅Ｗとして好ましい範囲は、それぞれ単独で決まるのでなく、相互に関連があるとみられる。例えば、比（ｈ／Ｈ）が大きいときは、幅Ｗが小さくても、対峙するインク層同士は混ざりにくく、幅Ｗが大きいときは、比（ｈ／Ｈ）が小さくても、対峙するインク層同士は混ざりにくいと予測される。

【0191】

また、上述した堰５の形成方法では、補修材をＸ方向に沿って並ぶ各点で山形に塗布したものを連ねて形成されるので、図１３に示すように、１つの堰５においても、Ｘ方向の位置によって高さや幅は異なるので、堰５を挟んで対峙する２つのインク層１５ａが混ざり合うときには、最も高さが低い箇所で混ざり合う可能性が高い。

【0192】

従って、１つの堰５の中でも部分ごとに高さが一定でないときは、上記の堰５の高さｈ及び幅Ｗとして、１つの堰５の中で最も高さが低い箇所での高さ及び幅を用いることが妥当である。

【0193】

すなわち、図１３に示すように、Ｘ方向に伸びる堰５の中で、高さが最も低いＸ方向位置で、堰５をＹ方向に切断したときの断面の高さ及び幅を、高さｈ及び幅Ｗとすることが妥当である。

【0194】

[実験]
以上の考察に基づいて、バンクの高さＨに対する堰５の高さｈの比（ｈ/Ｈ）及び堰５の幅Ｗと、混色抑制効果との関係を調べる実験を行った。

【0195】

上述した製造方法に基づいて、実験用に、下地基板上にバンク１４を形成したものを準備し、そのバンク１４同士の間の溝空間２０に、隣合うバンク間に亘る堰５を形成した。

【0196】

ここで、堰５を形成するときに用いる補修材は、ネガ型感光性樹脂組成物であって、基本的な組成は同じであるが、撥インク剤などの添加量や、塗布時における溶剤の配合割合を調整することによって、堰５の高さｈ及び幅Ｗを様々な値に変えて、実験用の堰形成基板を作製した。

【0197】

作製された実験用の堰形成基板は、堰５の幅Ｗが、５μｍ、１０μｍ、１５μｍ、２０μｍの各値をとり、堰５の高さｈとバンク１４の高さＨとの比（ｈ／Ｗ）が、０．５、１．０、１．５の各値を取るものである。

【0198】

バンク１４については、すべての実験用の堰形成基板に共通であって、バンク高さは１μｍである。

【0199】

このように作製した実験用の各堰形成基板について、堰５が形成された溝空間２０の中に、発光色が互いに異なる色の蛍光体層形成用のインクを塗布した。インク塗布量は、溝空間２０に蛍光体層を形成するのに適した一定量である。

【0200】

このとき、溝空間２０には、図１２（ｂ）と同様に、堰５を挟んで対峙するドーム型の形状のインク層が形成される。

【0201】

堰５を挟んで対峙するインク層の形状、並びに、対峙するインク層同士の間で混色が生じたか否かを観察した。

【0202】

図１４の図表において、各堰形成基板において形成されたインク層の状態を、◎（二重丸）、○（一重丸）、×（バツ）で示している。

【0203】

◎（二重丸）は、堰５を挟んで対峙するインク層が堰５によって間隔をあけて分離され、混色のリスクがないと判断されたことを示す。

【0204】

○（一重丸）は、堰５を挟んで対峙するインク層同士で混色は発生していないが、インク層の一部が堰５の上に乗り上げて、混色のリスクがあると判断さたことを示す。

【0205】

×（バツ）は、堰５を挟んで対峙するインク層同士で混色は発生したことを示す。

【0206】

図１４の図表において、ｈ／Ｈ＝−０．１Ｗ＋２．０で表される直線Ａ上及びその直線Ａの右側の領域（図中、ハッチング領域）では◎の結果が得られている。また。ｈ／Ｈ＝−０．１Ｗ＋１．５で表される直線Ｂ上では○の結果が得られ、直線Ｂよりも左下の領域は×の結果が得られている。

【0207】

この結果から、ｈ／Ｈが０．５以上２．０以下であって、堰５の幅Ｗが２０μｍ以下のときには、堰５によるインク層の混色防止機能を果たす上で、（ｈ／Ｈ）＋０．１Ｗ≧１．５の条件を満たすことが好ましく、（ｈ／Ｈ）＋０．１Ｗ≧２．０の条件を満たすことがさらに好ましいことがわかる。

【0208】

（ｈ／Ｈ）が０．５以上２．０以下で、堰５の幅Ｗμｍが２０μｍを超える場合については、実験は行っていないが、当然◎（二重丸）の結果が得られるはずである。

【0209】

以上の考察から、堰５が、その機能を果たす上で、
０．５≦（ｈ／Ｈ）≦２．０、及び（ｈ／Ｈ）＋０．１Ｗ≧１．５の条件を満たすことが好ましく、また堰５が見た目に目立たないために、５≦Ｗ≦５０であることが好ましいことがわかる。

【0210】

また、さらに（ｈ／Ｈ）＋０．１Ｗ≧２．０の条件も満たすことが、より好ましいこともわかる。

【0211】

＜実施の形態２＞
実施の形態２にかかる表示パネル１００の構成、並びにその製造方法は、実施の形態１で説明した構成、並びに製造方法と同様である。

【0212】

また、欠陥部３が存在するバンク１４ａの両側に隣接する各溝空間２０に、堰５ａを形成する点も同様であるが、形成する堰５ａの形状が異なっている。

【0213】

図１５（ａ）は、実施の形態２にかかる堰５ａの形状を示す斜視図、（ｂ）は、溝空間に堰５を形成した後、インク層を形成した平面図である。

【0214】

本実施形態にかかる堰５ａは、図１５（ｂ）に示すように、Ｘ-Ｙ面を平面視するとき、欠陥部３をＹ方向に挟む２点（点Ａ１及び点Ａ２）の一方（点Ａ１）から欠陥部３を迂回して他方（点Ａ２）に亘る形状に形成されている。また、点Ａ１から点Ａ２に到る途中の点Ａ３で、欠陥部３が存在するバンク１４の隣のバンク１４に接している。

【0215】

堰５ａの形成方法は、実施の形態１において図１０（ａ）〜（ｆ）を参照しながら説明した方法同様であって、点Ａ１から点Ａ３を経由して点Ａ２に到る堰形成ラインに沿って設定した複数の塗布点に、補修材を順次塗布することによって、堰５ａを形成することができる。

【0216】

このようにして欠陥部３を有するバンク１４の両側に隣接する各溝空間２０に形成される堰５ａによって、図１５（ａ）に示すように、各溝空間２０は、欠陥部３に近接する空間部分からなる第１空間ＳＡと、欠陥部３に近接しない空間部分からなる２つの第２空間ＳＢとに仕切られる。そして、欠陥部３は２つの第１空間ＳＡによって囲まれる。

【0217】

従って、実施の形態１と同様に混色範囲を抑制する効果が得られる。

【0218】

すなわち、図１５（ｂ）に示すように、バンク１４同士の間の溝空間２０に、発光層形成用のインクが塗布されるときに、赤色インクと緑色インクが、欠陥部３を介して混ざり合って、混色領域ができても、その混色領域は堰５を超えて第２空間ＳＢに広がることがない。そして、欠陥部３によって生じる混色領域の範囲は、欠陥部３に近接する狭い第１空間ＳＡに制限されるので、表示パネル１００における発光色不良を低減できることになる。

【0219】

また、欠陥部３の周囲を囲むように補修材を塗布することによって堰５ａを形成するので、補修が容易である点について、また、表示パネル１００製造後に、堰５で挟まれた第１領域において電流リークが生じない点についても、実施の形態１と同様である。

【0220】

一方、実施の形態１の堰５と比べると、本実施形態の堰５においては、第１空間ＳＡが占める面積がより小さくなっているので、表示パネル１００における発光色不良をさらに抑えることができる。

【0221】

また、本実施形態においても、発光層形成用のインクが塗布されるときに、図１２（ｂ）に示すように、堰５を挟んでインク層１５ａが対峙する各堰５が対峙するので、インク層１５ａが混色しないように仕切る機能を果たす上で、堰５の高さと幅が満たすべき条件は、実施の形態１と同様である。

【0222】

従って、各堰５は、高さが一番低い箇所において、バンクの高さＨに対する当該堰の高さｈの比をｈ／Ｈとし、当該堰の幅をＷμｍとするとき、０．５≦（ｈ／Ｈ）≦２．０、（ｈ／Ｈ）＋０．１Ｗ≧１．５、５≦Ｗ≦５０の条件を満たすことが好ましい。

【0223】

また、さらに、（ｈ／Ｈ）＋０．１Ｗ≧２．０の条件を満たすことがより好ましい。

【0224】

＜実施の形態３＞
実施の形態３にかかる表示パネル１００の構成、並びにその製造方法も、実施の形態１で説明した構成、並びに製造方法と同様である。

【0225】

また、バンク１４ａにおける欠陥部３を補修するときに、欠陥部３が存在するバンク１４ａに隣接する各溝空間２０に、堰５ａを形成する点も同様であるが、形成する堰５ａの形状が異なっている。

【0226】

図１６（ａ）は、実施の形態３にかかる堰５ａの形状を示す斜視図、（ｂ）は、溝空間２０に、堰５を形成した後、インク層１５ａを形成した平面図である。

【0227】

本実施形態にかかる堰５ａも、実施の形態２と同様に、図１６（ａ）に示すように、Ｘ-Ｙ面を平面視するとき、欠陥部３をＹ方向に挟む２点Ａ１，Ａ２の一方から欠陥部３を迂回して他方に亘って形成されているが、欠陥部３が存在するバンク１４の隣のバンク１４とは非接触である点が実施の形態２と異なっている。すなわち、本実施形態において、各堰５ａが欠陥部３の中央からＸ方向に離間する最大距離ｂが、溝空間２０の幅（Ｘ方向幅）よりも小さく設定されている。

【0228】

この堰５ａの形成方法も、実施の形態１において図１１（ａ）〜（ｆ）を参照しながら説明した方法と同様であって、点Ａ１から点Ａ２に到る堰形成ラインに沿って設定した複数の塗布点に、補修材を順次塗布することによって、堰５ａを形成することができる。

【0229】

このように、欠陥部３を有するバンク１４の両側に隣接する各溝空間に堰５ａを形成することによって、図１６（ａ）に示すように、各溝空間２０は、欠陥部３に近接する空間部分からなる第１空間ＳＡと、欠陥部３に近接しない空間部分からなる第２空間ＳＢとに仕切られるので、実施の形態１と同様に混色範囲を抑える効果を奏する。

【0230】

すなわち、図１６（ｂ）に示すように、バンク１４間の溝空間２０に、発光層形成用のインクが塗布されるときに、赤色インクと緑色インクが、欠陥部３を介して混ざり合って、混色領域ができても、その混色領域は堰５を超えないので、第２空間ＳＢに広がらない。

【0231】

また、欠陥部３の周囲を囲むように補修材を塗布することによって堰５ａを形成するので、補修が容易である点について、また、表示パネル１００製造後において、堰５で挟まれた領域における電流リークが生じない点についても同様である。

【0232】

一方、本実施の形態では、上記実施の形態１，２と比べて、堰５によって仕切られた欠陥部３に近接する第１空間ＳＡが占める面積がさらに小さくなっているので、表示パネル１００における発光色不良をさらに抑えることができる。

【0233】

本実施形態の堰５においても、各堰５が対峙するインク層が混色しないように仕切る機能を果たす上で、堰の高さと幅が満たすべき条件は、実施の形態１と同様である。

【0234】

従って、各堰５は、高さが一番低い箇所において、バンクの高さＨに対する当該堰の高さｈの比をｈ／Ｈとし、当該堰の幅をＷμｍとするとき、
０．５≦（ｈ／Ｈ）≦２．０、（ｈ／Ｈ）＋０．１Ｗ≧１．５、５≦Ｗ≦５０の条件を満たすことが好ましい。

【0235】

また、さらに（ｈ／Ｈ）＋０．１Ｗ≧２．０の条件を満たすことがより好ましい。

【0236】

＜実施の形態４＞
実施の形態４にかかる表示パネル１００の構成、並びにその製造方法も、実施の形態１で説明した構成、並びに製造方法と同様である。

【0237】

図１７（ａ）は、実施の形態４にかかる堰５ａの形状を示す斜視図、（ｂ）は、溝空間に堰５を形成した後、蛍光体インクを塗布する様子を示す断面図である。

【0238】

欠陥部３が存在するバンク１４ａを補修する工程で、図１７（ａ）に示すように、欠陥部３が存在するバンク１４ａの両側に隣接する各溝空間２０に形成する堰５ａの形状も実施の形態１と同じである。一方、本実施形態では、さらに、バンク１４ａにおける堰５ａの端部が接する部分に、そのバンク１４ａの上部から突出する突状部６ａを形成する点が異なっている。

【0239】

この突状部６ａは、上記の堰５ａを形成するのに用いた補修材を、上記のニードル式ディスペンサでバンク１４ａの上に塗布し、乾燥することによって形成することができる。

【0240】

形成された突状部６ａは、同時焼成工程（図４のステップＳ８）において、バンク１４ａ及び堰５ａ共に硬化され、安定な突状部６となる。

【0241】

このように突状部６を形成することによって、ステップＳ９の有機発光層１５を形成する工程において、溝空間２０に塗布するインクが、バンク１４を超えて、隣りの溝空間２０に入り込むのを抑える効果が得られる。

【0242】

すなわち、インクを塗布するとき、図１７（ｂ）に矢印で示すように、堰５の真上にインクが着弾すると、着弾したインクが堰５の頂部で弾かれて、堰５の頂部を伝ってＸ方向に流れ、バンク１４を超えて隣りの溝空間２０へと向かう。しかし、堰５の端部に突状部６が存在するので、隣りの溝空間２０に向かうインクは、この突状部６に当たる。従って、インクが隣りの溝空間２０に入り込むのが抑えられる。

【0243】

本実施形態の堰５においても、各堰５が対峙するインク層が混色しないように仕切る機能を果たす上で、堰の高さと幅が満たすべき条件は、実施の形態１と同様である。

【0244】

＜変形例＞
１．上記実施の形態１〜４において、図６（ｂ）、図１１、図１５、図１６に示したパネルは、いずれも欠陥部３が存在するバンク１４を基準にして、その両側の溝空間２０に堰５が線対称の形状で形成されているが、この両側の溝空間２０に形成される堰５は対称でなくてもよい。

【0245】

例えば、実施の形態１にかかる図６（ｂ）、図１１においては、２つの堰５が同じ点Ａ１を通るラインに沿ってＸ方向に伸び、残り２つの堰は同じ点Ａ２を通るラインに沿ってＸ方向に伸びているが、各堰が別々のラインに沿ってＸ方向に伸びていてもよい。

【0246】

また、実施の形態２にかかる図１５（ａ），（ｂ）、実施の形態３にかかる図１６（ａ），（ｂ）においても、２つの堰５は、同じ点Ａ１から同じ点Ａ２に到っているが、別々の点から別々の点に到っていてもよい。

【0247】

また、実施の形態３にかかる図１６（ｂ）において、２つの堰５は、欠陥部３の中央からＸ方向に離間する最大距離ｂが同じであるが、２つの堰５においてこの最大距離ｂが互いに異なっていてもよい。

【0248】

２．上記実施の形態１〜４では、ラインバンクについて、欠陥部を補修する場合を説明したが、ピクセルバンクについても同様に実施することができる。

【0249】

図１８（ａ）〜（ｄ）は、ピクセルバンクを有する表示パネルにおいて、そのピクセルバンクに生じる欠陥部を補修する例を示す図である。

【0250】

図１８（ａ）〜（ｄ）に示すピクセルバンクは、Ｙ方向に伸長する複数のバンク１４（第１バンク）に加えて、Ｘ方向に伸長する複数のバンク２４（第２バンク）を備えている。そして、これらのバンク１４及びバンク２４で囲まれた矩形領域に有機ＥＬ素子１０が形成されている。

【0251】

そして、いずれの場合も、Ｙ方向に伸長するバンク１４の中で、欠陥部３が存在するバンクの両側に隣接する凹空間２０の各々の中に堰５が形成され、その堰５は、凹空間２０を、欠陥部３に近接する空間と、欠陥部３に近接しない空間とに仕切っている。

【0252】

（ａ）では、実施の形態１と同様に、欠陥部３が存在するバンク１４の両側の各凹空間２０に、点Ａ１及び点Ａ２の各々から、対向するバンク１４に亘る形態で、堰５が対で形成されている。

【0253】

この場合も、インクを塗布するときに欠陥部３に起因して混色が形成されても、混色が広がる範囲は、対となる堰５同士の間に限られるので、発光色不良を抑える効果が得られる。

【0254】

（ｂ）では、実施の形態２と同様に、欠陥部３が存在するバンク１４の両側の各凹空間２０に、点Ａ１から欠陥部３を迂回して点Ａ２に亘る形態で堰５が形成されている。

【0255】

この場合も、インクを塗布したときに欠陥部３に起因して混色が形成されても、混色が広がる範囲は、堰５で囲まれた範囲に限られるので、発光色不良を抑える効果が得られる。

【0256】

また図示はしないが、ピクセルバンクに対して、実施の形態３の堰５を適用することもでき、同様に発光色不良を抑える効果が得られる。

【0257】

（ｃ）では、バンク１４における欠陥部３の位置が比較的バンク２４に近い位置である。そして、欠陥部３が存在するバンク１４の両側の各凹空間２０に、点Ａ１から欠陥部３を迂回して当該バンク２４に亘る形態で堰５が形成されている。

【0258】

この場合も、インクを塗布したときに欠陥部３に起因して混色が形成されても、混色が広がる範囲は、２つの堰５とバンク２４とで囲まれた範囲に限られるので、発光色不良を抑える効果が得られる。

【0259】

（ｄ）では、欠陥部３の位置が、バンク１４とバンク２４とが交差する位置であって、欠陥部３は４つの凹空間２０にまたがっている。

【0260】

そして、この４つの凹空間２０には、各々に堰５が形成されている。

【0261】

すなわち、２つの堰５は点Ａ１から欠陥部３を迂回して当該バンク２４に亘る形態で堰５が形成され、残り２つの堰５は点Ａ２から欠陥部３を迂回して当該バンク２４に亘る形態で堰５が形成されている。

【0262】

この場合、インクを塗布したときに欠陥部３に起因して４つの凹空間２０の間で混色が生じる可能性があるが、混色が形成されても、混色が広がる範囲は、４つの堰５で囲まれた範囲に限られるので、発光色不良を抑える効果が得られる。

【0263】

以上図１８（ａ）〜（ｄ）に示したピクセルバンクに対して形成した堰５においても、各堰５が対峙するインク層が混色しないように仕切る機能を果たす上で、堰５の高さと幅が満たすべき条件は、実施の形態１と同様である。

【0264】

従って、各堰５は、高さが一番低い箇所において、バンクの高さＨに対する当該堰の高さｈの比をｈ／Ｈとし、当該堰の幅をＷμｍとするとき、
０．５≦（ｈ／Ｈ）≦２．０、（ｈ／Ｈ）＋０．１Ｗ≧１．５、５≦Ｗ≦５０の条件を満たすことが好ましい。

【0265】

また、さらに（ｈ／Ｈ）＋０．１Ｗ≧２．０の条件を満たすことがより好ましい。

【0266】

なお、バンク１４の高さとバンク２４の高さが異なる場合には、高い方のバンク高さを、バンクの高さＨとみなせばよい。例えばバンク１４の高さがバンク２４の高さより高い場合は、バンク１４の高さが高さＨとみなす。

【0267】

３．上記実施の形態では、トップエミッション型有機ＥＬパネルを例にとって説明したが、ボトムエミッション型有機ＥＬパネルにおいても適用可能である。

【産業上の利用可能性】

【0268】

本発明は、例えば、家庭用もしくは公共施設、あるいは業務用の各種表示装置、テレビジョン装置、携帯型電子機器用ディスプレイ等に用いられる有機ＥＬ表示装置、その製造方法、その製造方法において適用されるバンクの補修方法に利用可能である。

【符号の説明】

【0269】

１ 有機ＥＬ表示装置
２ コンタクトホール
３ 欠陥部
５ 堰
５ａ 未焼成の堰
６ 突状部
６ａ 未焼成の突状部
１０ 有機ＥＬ素子
１１ａ 基板本体部
１１ 下地基板
１１ｂ ＴＦＴ層
１１ｃ 層間絶縁層
１２ 画素電極
１３ ホール注入層
１４ バンク
１４ａ 未焼成のバンク
１５ａ インク層
１５ 有機発光層
１６ 電子輸送層
１７ 共通電極
１８ 封止層
２０ 凹空間（溝空間）
２１ ディスペンサ
２４ バンク（第２バンク）
１００ 表示パネル
２００ 補修装置

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】