【文献】
若林祐士 et al.,14p-B2-2 1μm帯波長可変プロトレーザーの性能,第73回応用物理学会学術講演会講演予稿集,2012年 9月14日
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
【発明を実施するための最良の形態】
【0019】
以下、本発明の原理及び実施形態について図面を用いて詳細に説明するが、本発明は多くの異なる形態による実施が可能であり、以下に示す実施形態、実施例の記載にのみ限定されるわけではない。
【0020】
図1は、非特許文献2に記載されるLittman型外部共振器の構成図である。このLittman型外部共振器は、この回折格子と可動ミラーともう一枚のミラーによって構成されている。より具体的には、横方向に回折格子に入射角αで入射するビームの一次回折光を可動ミラーで正反射し、再度、回折格子で回折された逆進ビームを反対側に置かれたミラーで正反射し、共振器を構成している。このとき、回折ビームに入射するビームの進行方向は回折格子溝に垂直である。この配置において、回折格子面と2つのミラー反射面の延長が1つの線で交わるように共振器を構成し、この交線を回転軸とし可動ミラーを回転させたとき、回折格子面とミラー反射面のなす角をβとして、溝間隔がdの回折格子の1次回折光に対して共振器を構成する波長は下記式で表される。
【数2】
【0021】
またこのとき、本図の幾何学的考察からわかるように、共振器長(L=PQ+RQ)は回転軸Oと回折格子面でのビームの中心Qの距離をL
0として次式で与えられる。
【数3】
【0022】
以上のとおり、回折格子面と可動ミラーのなす
角βを変えて共振器の共振波長を変えたとき、共振器長は波長に比例して変化するため、共振器内に形成される電磁波の節の数は一定に保たれる。すなわちモードホップフリーな波長同調が可能になる。
【0023】
ところで、利得媒体としてレーザダイオードを用いる場合、通常、
図2に示すような配置になる。この配置では、一方の端面に高反射率コーティングを他方の端面に無反射コーティングを施したレーザダイオードチップ又は曲り導波路構造により一方を傾斜端面とし残留反射率を低減したレーザダイオードを共振器端にセットし、レーザダイオードからのビームをコリメートレンズで集光して回折格子に導いている。この場合、共振器はレーザダイオードの高反射端面と可動ミラーの間で、回折格子の1次回折光に対して構成するのが一般的である。
【0024】
この場合、レーザダイオードの導波モードの実効屈折率n
1(λ)やコリメーションレンズの屈折率n
2(λ)は1より大きいので、モードホップフリー同調を実現するためにはレーザダイオードの高反射面を本図で示すように、Δだけ共振器長が短くなる方向に移動させる必要がある。レーザダイオードやコリメーションレンズの屈折率分散が無視できる場合はこの値は次式で与えられる。
【数4】
【0025】
しかしながら、実際には、レーザダイオードの導波モードやコリメーションレンズ、特にレーザダイオードの導波モードは強い波長分散を持つため、広帯域にわたってモードホップフリー同調を実現することは困難である。
【0026】
ところで、レーザダイオードの導波モードの実効屈折率を中心波長の周りにテーラー展開すると次式のようになる。
【数5】
【0027】
半導体レーザの導波モードの実効屈折率は、導波路を構成する材料の屈折率を用いて固有値解析により簡単に求めることができる。また、半導体材料の屈折率の波長依存性は正確に測定されており、例えば、実施例に用いるAl
xGa
1−xAs混晶系の屈折率の波長依存性は上記非特許文献4に記載されている。実施例に用いる1μm帯レーザダイオードチップの導波構造の詳細は上記非特許文献5に記載されているが、その導波モード実効屈折率はレーザチップの導波層に使用しているGaAsの屈折率で近似できる。
【0028】
バルクGaAsの1μm波長帯での屈折率の波長依存性を
図3に示す。半導体の屈折率は一般に短波長になるに従い、バンドギャップに近づくに従い強い波長依存性を呈する。
【0029】
また、
図4に、屈折率の波長に対する微分係数を[1/μm]の単位で計算したものを、
図5に、屈折率の波長に対する2次微分係数を[1/mm
2]の単位で計算したものを示す。
【0030】
これらの図から、ある波長での屈折率の波長に対する1次微分係数、2次微分係数を読み取ることが出来る。
【0031】
ところで、コリメーションレンズの屈折率も同様に、次式で与えられる。
【数6】
【0032】
コリメーションレンズの屈折率分散のデータは各製造元より提供されているが、例えば、実施例に使用するガラスモールド材料ECO550の屈折率の波長依存性を
図6に、波長に対する1次微分係数を
図7に、2次微分係数を
図8に示す。
【0033】
これらの図で示されるように、レーザチップの屈折率分散はモールドガラスの屈折率分散より一桁ほど大きな値になり共振器の屈折率分散を支配している。ここで、レーザダイオードチップの長さをl、コリメーションレンズの有効厚みをtとすると、
図2の共振器の光学長は次式で表される。
【数7】
【0034】
そしてこの式をΔλのべき乗で整理すると、次式になる。
【数8】
【0035】
またこの式は、次式が成り立つ場合、
【数9】
【0036】
以下のように整理できる。
【数10】
【0037】
上記式において、第1項、第2項は波長λに比例している。すなわち、エンドミラーのオフセット値を次式で与えられる様に調整することにより、屈折率の線形分散がモードホップに及ぼす効果を相殺することが出来る。
【数11】
【0038】
しかし、共振器長Δを調整して、Δλ
に比例する屈折率の線形分散を補正したとしても、
Δλの2乗に比例する群速度分散項は補正することが出来ず、この値がλ/2超えると、モードホップを引き起こしてしまう。したがって、モードホップフリーの帯域幅B
MHFは、概ね次式で制限される。
【数12】
【0039】
つまり、例えば実施例における値、l=2100μm、t=3500μmを用いて、λ=1μmに対して計算すると、モードホップフリーの帯域幅は概ね、20nmになる。この帯域幅は短波長になるほど、λ項の減少と群速度分散の増加により増々小さくなる。また、一般に長いチップ長が必要な高出力・広帯域波長可変レーザにおいては、Littman型共振器配置において、広いモードホップフリー同調を得ることがますます困難になることを示している。実際、光通信帯域と異なり、1μmより短波長において数十ナノメーターを超えるようなモードホップフリー領域を持つようなレーザは製品化されていないし、報告もされていない。
【0040】
レーザチップの群速度分散の大きな短波長帯においても、また長いレーザチップを必要とする高出力・広帯域波長可変レーザにおいても、広帯域なモードホップフリー同調を実減するため、本実施形態に係る外部共振器レーザでは
図9に示すようなレーザダイオードを用いる変形Littman型共振器配置を提案する。
【0041】
可動ミラーの回転軸となる一本の平行線を共有しお互いの間の角度がα、βであらわされる、
図9に示すようなLittnman型共振器配置において、紙面横方向にはしるビームと回転軸の距離OPと回折格子の溝間隔、d、使用する回折の次数を決めれば、共振器波長、共振器長はすべて決まる。今、回折格子と可動ミラーのなす角βを変えて、共振波長をチューニングしたとき、レーザチップの群速度分散によるモードホップを抑制するように共振器長が変化する様な共振器配置にLittman配置を変形したい。この共振器配置において、考えられる変形のパラメーターはミラーの平行移動、可動ミラーの平行移動、回折格子の平行移動だけである。しかしながら、ミラー、可動ミラーの平行移動は共振器長に一定のオフセットを与えるだけで、共振器長のβ依存性を変更するものではない。実際、共振器長が変化しないように、同じ距離だけミラーと可動ミラーを前後に平行移動させた配置は上記のLittman配置のモードホップフリー同調条件を満足する。
【0042】
こう考えると、実はLittman型共振器配置においてモードホップフリー同調に影響を与える唯一のパラメーターは可動ミラーの回転軸と回折格子面の距離であることが分かる。このパラメーターを
図9に示す様にD
Gとする変形Littman型共振器配置について考える。この幾何学問題を解くとこの変形Littman配置における共振器長Lは次式で与えられる。
【数13】
【0043】
この式において角度βを共振波長λで表すと、次式をうる。
【数14】
【0044】
本式において、第1項、第2項は共振波長λに比例しており、第4項は定数である。第3項をλ
0のまわりでテーラー展開し、2次の項までとると以下の式になる。
【数15】
【0045】
従って、
図10に示すレーザダイオードチップとコリメーションレンズを用いるLittman型外部共振器配置において、回折格子の回転軸に対するオフセット、D
Gとレーザチップの後端面ミラーのオフセットΔを適切に選ぶことにより、レーザダイオードチップの群速度分散を補正し、広帯域にモードホップフリー同調が可能な波長可変レーザを実現できる。もちろん、先に述べたようにレーザチップの後端面ミラーのオフセットΔは可動ミラーのオフセットに振り分けることもできる。
【0046】
具体的には群速度分散を補正するグレーティング面の回転軸に対するオフセット値は次式で表される。
【数16】
【0047】
また、Δλに比例する項を補正するためのミラーによる共振器長のオッフセット値、Δは
次式で表される。
【数17】
【0048】
通常、レーザダイオードの導波モードの群速度分散やレンズ用材料の群速度分散は正となるため、D
Gの値は正である。すなわち、回折格子を対向するミラーから遠ざける方向に平行移動することにより、群速度分散によるモードホップを抑制することが出来る。尚、
図5と
図8の比較から分かるように、レーザダイオードの実効屈折率の群速度分散は光学材料の群速度分散に比べて2桁ほど大きくなっており、実質的にはレーザダイオードの群速度分散だけを考えればよい。
【0049】
本実施形態に係る外部共振器は、上記特許文献4に記載される波長可変レーザの形態を基礎として用いることができる。特許文献4記載の外部共振器は通常のLittman型外部共振器を転置し、ハーフミラーから自然放射光を取り除いた高スペクトル純度出力を得る構成となっているが、モードホップフリー同調を達成するためのメカニズムそのものは従来型のLittmanレーザと同様のものを用いることができる。
【0050】
図11は、本実施形態に係る外部共振器レーザ1の光学系の概略を示す図である。本実施形態にかかる外部共振器レーザ1は、光を放出するレーザチップ2と、レーザチップ2から放出された光を回折させる回折格子3と、回折格子3からの光を一部反射し、一部を透過するハーフミラー4と、を有する。なお本実施形態において、レーザチップ2と回折格子3との間には、レーザチップ2から放出された光を平行光にするコリメートレンズ9が配置されている。また本実施形態に係る外部共振器レーザは、レーザチップ、回折格子及びハーフミラーから構成される外部共振器がLittman型の配置となっている。
【0051】
図12は、本実施形態に係る外部共振器レーザ1の構成についての概略図である。上述の記載及び本図で示すように本実施形態に係る外部共振器レーザ1において、ハーフミラー4は固定支持体5に固定されており、レーザチップ2、コリメートレンズ9及び回折格子3は、固定支持体5に軸6を介して回転可能に支持される回転支持体7に固定されている。なお、回転支持体7は、固定支持体5に設置される駆動機構8により軸6を中心に回転する。
【0052】
図13は本実施形態に係る変形転置Littman配置における光学配置を示している。従来型レーザの可動ミラーをハーフミラーとして固定し、レーザダイオード、コリメーションレンズ、回折格子を保持する支持体全体を回転軸の周りに回転する本構造においても、その幾何学的な関係は
図10と同じである。
【0053】
本構造において、レーザダイオードは上記特許文献4と同じ1040nm帯に利得中心を持つオプトエナジー社が開発した曲り導波路構造のレーザダイオードを用いた。曲り導波路構造の一方の垂直にビームが出射される端面には90%以上の反射率の高反射コーティングを施し、他方の傾斜端面には2%以下の低反射コーティングを施した。傾斜端面における導波路は垂直から4度傾いており、端面での反射ビームは導波路外へ散逸するため、端面でのモード反射率は極めて低く、外部共振器型半導体レーザに好適である。曲り導波路チップの詳細については限定されるわけではないが、例えば上記非特許文献3に記載のものを採用することができ、用いたレーザダイオードの具体的なエピ構造は、上記非特許文献5に記載の構造を用いた。このレーザチップの導波路はGaAsで構成されており、導波モードの実効屈折率は
図3に示すGaAsの屈折率で近似できることが分かっている。なお、実施例に用いたレーザチップの長さは2.1mmである。コリメーションレンズには、Thorlabs, Inc.販売の非球面レンズC240TME−1064を用いた。このレンズは焦点距離8mm、開口0.5の非球面レンズで1064nmを中心に無反射コーティングが施されている。また、このレンズはECO-550のモールドガラス材でつくられておりその屈折率を
図6に示す。ちなみにこのレンズの中心での厚みは3.69mmである。
【0054】
また本構造において、回折格子は1mm当たりの溝本数が1200本の金コートされた反射型回折格子で、Newport社の製品モデル10RG1200−1000−2を用いた。また、ハーフミラーには1040nm近傍の波長に対して、30%の反射率を持つハーフミラーを用い、透過光をレーザ出力として取り出した。ハーフミラーは約30秒のウエッジのついたミラーを用い、後面には無反射コーティングを施すと同時に、後面での反射光がレーザダイオードにフィートバックされることがないようにした。回折格子はビーム中心を実質的に固定した状態で回転を調節できるようにし、結果としてD
Gの値を変えて実験を行った。また、レーザダイオードとコリメーションレンズを一体化したユニットを光軸に沿って前後に移動調節ができるようにし、また、ハーフミラーも前後に平行移動を調節できるようにし、これによって、共振器長のオフセットをモードホップが起こらないように調節することを可能にした。
【0055】
また本構造において、回転軸から回折格子面のビーム中心までの距離は42mmで、角度αは約80度で、角度βは14度のまわりに±4度回転させることにより、100nm程度の波長可変域にわたって波長を同調できる。
【0056】
上記のパラメーターでレーザの設計・製作に先立って行ったシミュレーション結果について説明する。本シミュレーションにおいて、レーザダイオードチップの分散は高次も含めて数値計算により取り入れた。また、コリメーションレンズの群速度分散はチップの群速度分散より2桁程度小さいため無視した。
【0057】
図14にグレーティングオフセットD
G=0、すなわち通常のLittman型配置の場合について、波長掃引に対するモードホップの状況を示す。縦軸には中心波長の1040nmからの縦モード数の変化をプロットしている。太い実線はレーザチップやレンズの中心波長での屈折率や、線形分散を補正して、モードホップを最少にするように共振器長の補正を行った場合の計算結果を示す。空のLittman共振器の場合に比べて共振器長は8.71mmだけ短くした場合で、ミラーによる共振長のオッフセット、D
M=−8.71mmの場合である。因みに、この内訳はレーザダイオードの中心波長での屈折率補正:5.20mm、屈折率の線形分散分の補正:0.75mm、コリメーションレンズの中心波長での屈折率補正:2.18mm、屈折率の線形分散分の補正:0.58mmとなっている。参考のため、共振器長のオッフセットD
Mを最適値8.71から、0.05mm増やした場合の様子を細い実線で、0.05mm減らした場合の様子を細い点線で示す。この計算はモードジャンプの波長掃引に対する頻度を調べるためのもので、個々のモードジャンプがどこで起こるかを観るものではない。中心波長を挟んでモードジャンプが逆の方向に起こるように共振器長を調節しても、モードホップフリー同調波長域は精々20〜30nmであることが分かる。この値は外部共振器の長さに依存せず、レーザダイオードの有効屈折率の群速度分散とチップ長の積の平方根に比例している。
【0058】
図15、
図16、
図17にそれぞれ、グレーティングオフセットをD
G=1.0mm,D
G=2.0mm,D
G=3.0mmとした場合のモードホップのシミュレーション結果を示す。それぞれ、最適条件に対応するミラーオフセットはD
M=10.20mm、D
M=11.68mm、D
M=13.16mmになっている。D
Gの変化とともに最適のD
Mが変化するのはD
Mの導入による共振器長の変化の補正に加え、中心波長λ
0からの共振波長の差に比例する共振器長の変化を補正する必要があるためである。
図15、
図16、
図17においても
図14と同様に最適な共振器長のオフセット長から0.05mmだけ、前後にずらせた場合のシミュレーション結果を示している。
【0059】
これらの図から、D
Mの増加とともに、チップの群速度分散による有効共振器長の増加が補正されモードホップが抑制されていることが分かる。グレーティング面を回転軸との距離が3.0mmとなるようにミラーから遠ざけた配置においてモードホップは著しく抑制され、100nm程度のモードホップフリー同調域が得られることが分かる。残留するモードホップは3次の屈折率分散によると考えられ、2次の項は回折格子面を適当にオフセットすることにより完全に補償できることが分かる。
【0060】
外部共振器レーザの波長掃引における出力光の10GHzのソリッドエタロンの透過信号を調べることにより発振周波数のモードホップを調べた。単一周波数で発振する狭線幅レーザ出力のエタロン透過率は10GHzごとに周期的に振動する。モードホップは外部共振器レーザのモード間隔である2.5GHzの大きさで起こるため、エタロン透過率の周期的な振動の乱れを測定することによりモードホップの発生をモニターできると同時に、モードホップにともなう位相シフトの方向からモード数の増減を判定することができる。
【0061】
図18に通常のLittman型外部共振器レーザにおいて、モードホップを最少にするように共振器長を最適化した状態での、出力のエタロン透過信号の波長依存性を示す。
図18の上部には980nmから982nmの間のエタロン透過信号を拡大したものを示す。981nm近傍に、振動の周期の乱れが観測され、モードホップが起こっていることが分かる。また、その位相関係より、波長の増加に伴い、縦モード数は減少していることが分かる。
【0062】
図19にLittman型外部共振器レーザにおいて観測したモードホップの発生波長とモード数の変化を
図19に示す。モード数の変化は折り返し点である1010nmを基準に示してある。
図14のシミュレーション結果と比較すると、最適化波長が実験では若干短波長側にずれているものの、レーザダイオードの群速度分散がLittman型波長可変レーザのモードホップを支配しており、得られるモードホップフリー領域は最大でも30nm程度に制限されていることが分かる。
【0063】
シミュレーション結果にならって、グレーティング面の回転軸に対するオフセットD
G=2mmにして共振器長を最適化した実施例におけるエタロン透過信号の波長依存性を
図20に示す。また、この10GHzのエタロン透過信号からモードホップをモニターした結果を
図21に示す。また、オフセットD
G=3mmにして共振器長を最適化した実施例におけるエタロン透過信号の波長依存性を
図22に示す。また、この10GHzのエタロン透過信号からモードホップをモニターした結果を
図23に示す。シミュレーションで得られた結果と同じように、D
G=3mmでは100nmにも及ぶモードホップフリー同調が実現できた。本発明により、モードホップフリー同調が困難な短波長領域においても、また、長いレーザダイオードチップを用いる必要がある高出力な外部共振器型波長可変レーザにおいても広い波長域にわたるモードホップフリー同調が可能となった。