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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】6207402
(24)【登録日】2017年9月15日
(45)【発行日】2017年10月4日
(54)【発明の名称】発光装置
(51)【国際特許分類】
H01L 33/62 20100101AFI20170925BHJP
【ＦＩ】
H01L33/62
【請求項の数】8
【全頁数】28
(21)【出願番号】特願2013-556521(P2013-556521)
(86)(22)【出願日】2013年2月1日
(86)【国際出願番号】JP2013052380
(87)【国際公開番号】WO2013115379
(87)【国際公開日】20130808
【審査請求日】2016年1月14日
(31)【優先権主張番号】特願2012-20708(P2012-20708)
(32)【優先日】2012年2月2日
(33)【優先権主張国】JP
(31)【優先権主張番号】特願2012-28264(P2012-28264)
(32)【優先日】2012年2月13日
(33)【優先権主張国】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000001960
【氏名又は名称】シチズン時計株式会社
(73)【特許権者】
【識別番号】000131430
【氏名又は名称】シチズン電子株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100099759
【弁理士】
【氏名又は名称】青木 篤
(74)【代理人】
【識別番号】100092624
【弁理士】
【氏名又は名称】鶴田 準一
(74)【代理人】
【識別番号】100114018
【弁理士】
【氏名又は名称】南山 知広
(74)【代理人】
【識別番号】100165191
【弁理士】
【氏名又は名称】河合 章
(74)【代理人】
【識別番号】100151459
【弁理士】
【氏名又は名称】中村 健一
(72)【発明者】
【氏名】今津 健二
(72)【発明者】
【氏名】和田 譲
【審査官】
高椋 健司
(56)【参考文献】
【文献】
特開２００５−３３３０１４（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開平０５−３４３７４４（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開２００６−０５４２１１（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開２００９−０４９３８６（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開２００９−２１８２７４（ＪＰ，Ａ）
【文献】
国際公開第２００９／０６９６７１（ＷＯ，Ａ１）
【文献】
特開昭６１−２６３１９１（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開２０１１−２３３５５２（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開２００７−０１９０９６（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開平０７−１７６７９１（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）
Ｈ０１Ｌ ３３／００−３３／６４
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
発光装置において、
マザー基板電極を有するマザー基板と、
前記マザー基板に実装された半導体発光装置と、を有し、
前記半導体発光装置は、
第１のリードフレームと、
前記第１のリードフレームの長手方向に沿って配置され、前記第１のリードフレームの１つの端部と間隙を空けて配置された１つの端部を有する第２のリードフレームと、
前記間隙を跨ぐようにして、前記第１のリードフレーム及び前記第２のリードフレームの表面と裏面にそれぞれフリップチップ実装された複数の半導体発光素子と、
前記複数の半導体発光素子を被覆する被覆部材と、を有し、
前記第１のリードフレームにおいて前記第２のリードフレームの前記１つの端部と近接していない他の端部、又は、前記第２のリードフレームにおいて前記第１のリードフレームの前記１つの端部と近接していない他の端部が、前記被覆部材から露出し、
前記第１のリードフレーム及び前記第２のリードフレームは、共に、前記マザー基板に対して垂直に配置され、
前記第１のリードフレーム及び前記第２のリードフレームにおける前記被覆部材から露出した部分で、前記マザー基板電極と接続される、
ことを特徴とする発光装置。
マザー基板電極を有するマザー基板と、
前記マザー基板に実装された半導体発光装置と、を有し、
前記半導体発光装置は、
第１のリードフレームと、
前記第１のリードフレームの長手方向に沿って配置され、前記第１のリードフレームの１つの端部と間隙を空けて配置された１つの端部を有する第２のリードフレームと、
前記間隙を跨ぐようにして、前記第１のリードフレーム及び前記第２のリードフレームの表面と裏面にそれぞれフリップチップ実装された複数の半導体発光素子と、
前記複数の半導体発光素子を被覆する被覆部材と、を有し、
前記第１のリードフレームにおいて前記第２のリードフレームの前記１つの端部と近接していない他の端部、又は、前記第２のリードフレームにおいて前記第１のリードフレームの前記１つの端部と近接していない他の端部が、前記被覆部材から露出し、
前記第１のリードフレーム及び前記第２のリードフレームは、共に、前記マザー基板に対して垂直に配置され、
前記第１のリードフレーム及び前記第２のリードフレームにおける前記被覆部材から露出した部分で、前記マザー基板電極と接続される、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項2】
前記第１のリードフレームの前記他の端部の表面と前記被覆部材の表面とは面一であり、第２のリードフレームの前記他の端部の表面と前記被覆部材の表面とは面一である、請求項１に記載の発光装置。
【請求項3】
前記被覆部材は反射性微粒子を含む反射部材及び蛍光体を含む蛍光部材を含む、請求項１又は２に記載の発光装置。
【請求項4】
発光装置において、
マザー基板電極を有するマザー基板と、
前記マザー基板に実装された半導体発光装置と、を有し、
前記半導体発光装置は、
第１のリードフレームと、
前記第１のリードフレームの長手方向に沿って配置され、前記第１のリードフレームの１つの端部と間隙を空けて配置された１つの端部を有する第２のリードフレームと、
前記間隙を跨ぐようにして、前記第１のリードフレーム及び前記第２のリードフレームの表面と裏面にそれぞれフリップチップ実装された複数の半導体発光素子と、
前記複数の半導体発光素子を被覆する被覆部材と、を有し、
前記第１のリードフレームにおいて前記第２のリードフレームの前記１つの端部と近接していない他の端部、又は、前記第２のリードフレームにおいて前記第１のリードフレームの前記１つの端部と近接していない他の端部が、前記被覆部材から露出し、
前記第１のリードフレーム及び前記第２のリードフレームは、共に、前記マザー基板に対して垂直に配置され、
前記第１のリードフレーム及び前記第２のリードフレームにおける前記被覆部材から露出した部分で、前記マザー基板電極と接続し、
前記被覆部材は反射性微粒子を含む反射部材及び蛍光体を含む蛍光部材を含み、
前記蛍光部材が第１の蛍光部材及び第２の蛍光部材を含み、
前記反射部材が前記複数のリードフレームの外周部に配置され前記第１及び第２の蛍光部材の側面を被覆し、
前記第１の蛍光部材が前記複数の半導体発光素子の上面と前記第２の蛍光部材の上面を被覆し、
前記第２の蛍光部材が前記反射部材と前記複数の半導体発光素子との間及び前記複数のリードフレームの表面と裏面に実装されて対向する前記複数の半導体発光素子の間に充填される、
ことを特徴とする発光装置。
マザー基板電極を有するマザー基板と、
前記マザー基板に実装された半導体発光装置と、を有し、
前記半導体発光装置は、
第１のリードフレームと、
前記第１のリードフレームの長手方向に沿って配置され、前記第１のリードフレームの１つの端部と間隙を空けて配置された１つの端部を有する第２のリードフレームと、
前記間隙を跨ぐようにして、前記第１のリードフレーム及び前記第２のリードフレームの表面と裏面にそれぞれフリップチップ実装された複数の半導体発光素子と、
前記複数の半導体発光素子を被覆する被覆部材と、を有し、
前記第１のリードフレームにおいて前記第２のリードフレームの前記１つの端部と近接していない他の端部、又は、前記第２のリードフレームにおいて前記第１のリードフレームの前記１つの端部と近接していない他の端部が、前記被覆部材から露出し、
前記第１のリードフレーム及び前記第２のリードフレームは、共に、前記マザー基板に対して垂直に配置され、
前記第１のリードフレーム及び前記第２のリードフレームにおける前記被覆部材から露出した部分で、前記マザー基板電極と接続し、
前記被覆部材は反射性微粒子を含む反射部材及び蛍光体を含む蛍光部材を含み、
前記蛍光部材が第１の蛍光部材及び第２の蛍光部材を含み、
前記反射部材が前記複数のリードフレームの外周部に配置され前記第１及び第２の蛍光部材の側面を被覆し、
前記第１の蛍光部材が前記複数の半導体発光素子の上面と前記第２の蛍光部材の上面を被覆し、
前記第２の蛍光部材が前記反射部材と前記複数の半導体発光素子との間及び前記複数のリードフレームの表面と裏面に実装されて対向する前記複数の半導体発光素子の間に充填される、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項5】
前記蛍光部材が前記複数の半導体発光素子の上面を被覆し、
前記反射部材が前記複数の半導体発光素子の側部及び前記複数のリードフレームの表面と裏面に実装されて対向する前記複数の半導体発光素子の間に配置される、
請求項４に記載の発光装置。
前記反射部材が前記複数の半導体発光素子の側部及び前記複数のリードフレームの表面と裏面に実装されて対向する前記複数の半導体発光素子の間に配置される、
請求項４に記載の発光装置。
【請求項6】
発光装置において、
マザー基板電極を有するマザー基板と、
前記マザー基板に実装された半導体発光装置と、を有し、
前記半導体発光装置は、
第１のリードフレームと、
前記第１のリードフレームの長手方向に沿って配置され、前記第１のリードフレームの１つの端部と第１の間隙を空けて配置された１つの端部を有する第２のリードフレームと、
前記第１のリードフレームの長手方向に沿って配置され、前記第２のリードフレームの前記他の端部と近接し且つ第２の間隙を空けて配置された１つの端部を有する第３のリードフレームと、
前記第１の間隙及び第２の間隙を跨ぐようにして、前記第１のリードフレーム、前記第２のリードフレーム、及び前記第３のリードフレームの表面と裏面にそれぞれフリップチップ実装された複数の半導体発光素子と、
前記複数の半導体発光素子を被覆する被覆部材と、を有し、
前記第１のリードフレーム、前記第２のリードフレーム、及び前記第３のリードフレームは、共に、前記マザー基板に対して垂直に配置され、
前記第１のリードフレーム及び前記第３のリードフレームは、前記被覆部材から露出した部分で、前記マザー基板電極と接続される、
ことを特徴とする発光装置。
マザー基板電極を有するマザー基板と、
前記マザー基板に実装された半導体発光装置と、を有し、
前記半導体発光装置は、
第１のリードフレームと、
前記第１のリードフレームの長手方向に沿って配置され、前記第１のリードフレームの１つの端部と第１の間隙を空けて配置された１つの端部を有する第２のリードフレームと、
前記第１のリードフレームの長手方向に沿って配置され、前記第２のリードフレームの前記他の端部と近接し且つ第２の間隙を空けて配置された１つの端部を有する第３のリードフレームと、
前記第１の間隙及び第２の間隙を跨ぐようにして、前記第１のリードフレーム、前記第２のリードフレーム、及び前記第３のリードフレームの表面と裏面にそれぞれフリップチップ実装された複数の半導体発光素子と、
前記複数の半導体発光素子を被覆する被覆部材と、を有し、
前記第１のリードフレーム、前記第２のリードフレーム、及び前記第３のリードフレームは、共に、前記マザー基板に対して垂直に配置され、
前記第１のリードフレーム及び前記第３のリードフレームは、前記被覆部材から露出した部分で、前記マザー基板電極と接続される、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項7】
前記第１のリードフレームの前記他の端部の表面と前記被覆部材の表面とは面一であり、前記第３のリードフレームの前記他の端部の表面と前記被覆部材の表面とは面一である、請求項６に記載の発光装置。
【請求項8】
前記マザー基板上に配置され、開口部を有する導光板を更に有し、
前記半導体発光装置は、前記開口部中において前記マザー基板に実装される、請求項１〜７の何れか一項に記載の発光装置。
前記半導体発光装置は、前記開口部中において前記マザー基板に実装される、請求項１〜７の何れか一項に記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、リードフレームの両面に半導体発光素子をフリップチップ実装した両面発光型の半導体発光装置を含む発光装置に関する。【背景技術】
【0002】
ウェハーから切り出された半導体発光素子（以後とくに断らない限りＬＥＤダイと呼ぶ）をリードフレームや回路基板に実装し、樹脂やガラス等で被覆してパッケージ化した半導体発光装置（以後とくに断らない限りＬＥＤ装置と呼ぶ）が普及している。この様なＬＥＤ装置は用途に応じて様々な形態をとるが、ＬＥＤダイの持つ強い指向性を補償しながらＬＥＤ装置の放射角を広げ、同時に発光量を増加させることを目的としてリードフレームや回路基板の両面にＬＥＤダイを実装することがある。【0003】
リードフレームの両面にＬＥＤダイを実装したＬＥＤ装置は古くから知られている（例えば、特許文献１参照）。図２５は、特許文献１の図２を示す図である。なお、便宜上、部材を示す番号の一部を変えている。【0004】
図２５において、２個の発光素子４２１（ＬＥＤダイ）がリードフレーム４２２ａの先端部において左右の面に実装されている。また各発光素子４２１はワイヤでリードフレーム４２２ｂと電気的に接続している。リードフレーム４２２ａ、４２２ｂはそれぞれ共通の正の端子，負の端子である。発光素子４２１はエポキシ樹脂４２３で封止され、エポキシ樹脂４２３の左右には集光部４０４が形成されている。図２５に示す半導体発光装置は、図に４０４ａ、４０４ｂとして示す様な指向性をもっている。【0005】
ＬＥＤダイをワイヤで接続すると、ワイヤの影によりＬＥＤ装置の発光効率が低下する。また、ワイヤを張るための領域が必要になるためＬＥＤ装置が大型化する。これに対しアノードとカソードを一方の面（以後底面と呼ぶ）にだけ備えたＬＥＤダイを、リードフレームや回路基板上の電極に直接的に接続することがある（以下フリップチップ実装と呼ぶ）。フリップチップ実装は、発光効率が良く実装面積が小さくて済むことが知られている。その主な理由は、ＬＥＤダイのアノードやカソードが、リードフレームや回路基板の電極と積層し前述のワイヤが不要となるからである。【0006】
この様な、回路基板の両面にＬＥＤダイをフリップチップ実装したＬＥＤ装置が知られている（例えば、特許文献２参照）。図２６は、特許文献２の図２を示す図である。なお、便宜上、部材を示す番号の一部を変えている。【0007】
図２６において、回路基板５０２の略中央部にはＬＥＤチップ５０４ｃを収納する反射カップ５０５が形成されており、反射カップ５０５は表面側と裏面側が対称となっている。また、反射カップ５０５は底面５０５ａ及び斜面部５０５ｂを含み、回路基板５０２の表面若しくは裏面に形成された電極パターン５０７ａ、５０７ｂが反射カップ５０５の底面５０５ａで間隙をもって相対している。また、反射カップ５０５の底面５０５ａにおいて、電極パターン５０７ａ、５０７ｂの間隙を跨ぐようにＬＥＤチップ５０４ｃがフリップチップ実装されている。反射カップ５０５には透光性樹脂５０８が充填されている。【0008】
ＬＥＤ装置の輝度を向上させる別の方法としてＬＥＤダイの数を増やす場合がある。そこで、回路基板の両面に４個以上のＬＥＤダイを実装することが知られている（例えば、特許文献３の図１参照）。図２７は、特許文献３の図１を示す図である。なお、便宜上、部材を示す番号の一部を変えている。【0009】
図２７は、発光素子（ＬＥＤダイ）実装用ホーロー基板６０１ａを備えた光源装置６０５Ａ（ＬＥＤ装置）の断面図である。光源装置６０５Ａは、発光素子実装用ホーロー基板６０１ａの両面Ｊ、Ｋに設けられた反射凹部６０４ｄにそれぞれ発光素子６０６を実装するとともに、各反射凹部６０４ｄに透明樹脂６０９を充填して発光素子６０６を封止している。発光素子実装用ホーロー基板６０１ａは、コア金属６０２ａをホーロー層６０３で被覆したホーロー基板であり、その両面Ｊ、Ｋに発光素子６０６が実装される６個の反射凹部６０４ｄが設けられている。さらに、ホーロー層６０３上には発光素子６０６の給電用の電極６０７ｃが設けられている。電極６０７ｃの一部は、反射凹部６０４ｄの底面に延設され、その上に発光素子６０６がダイボンディング及びワイヤボンディングにより実装される。【先行技術文献】
【発明の概要】
【0011】
前述のように図２５に示したＬＥＤ装置（半導体発光装置）はワイヤを使っているためフリップチップ実装に比べ発光効率が悪い。【0012】
図２６に示したＬＥＤ装置はフリップチップ実装になってはいるが、回路基板５０２の凹部にＬＥＤダイ（ＬＥＤチップ５０４ｃ）をフリップチップ実装しているため製造が容易ではない。なお、特許文献２ではＬＥＤダイの実装工程に係る記載が少ないため詳細な部分が明らかになっていない。想定される製造方法として例えば、一個のＬＥＤダイをピックアップし、回路基板に配置したらＬＥＤダイを加圧及び加熱して回路基板に接続させるものが考えられる。しかしながらこのような単純な手法では、ＬＥＤダイを搭載するたびに加圧と加熱を行うためスループットが良くない。【0013】
他の方法として、量産においてしばしば採用される集合工法も適用できる。まず、切断すると個々の回路基板５０２が得られる集合基板を準備する。次に、半田ペーストをＬＥＤダイ５０４ｃの電極若しくは集合基板の電極に塗り、ＬＥＤダイ５０４ｃの電極と集合基板の電極を半田ペーストで仮接続してから、リフロー炉で半田ペーストを溶融し多数のＬＥＤダイ５０４ｃを一括して接続させる。次に、透明樹脂５０９を充填して発光素子５０６を封止する。最後に、集合基板を切断してＬＥＤ装置を得ることになる。上記の一括接続する工程では、まず表面側のＬＥＤダイ５０４ｃの接続をとり、続いて裏面側のＬＥＤダイ５０４ｃの接続をとることとなる。即ち、この製造方法は、リフロー炉を２回通すこととなり、製造工程が長くなるばかりでなく、製造条件も複雑化する。さらに図２６のＬＥＤ装置１は、２個のＬＥＤダイ５０４ｃしか実装されていないので輝度不足となる可能性が高い。【0014】
図２７のＬＥＤ装置（光源装置６０５Ａ）は６個のＬＥＤダイ（発光素子６０６）が実装されているので輝度を大きくできる。しかしながら、このＬＥＤ装置は、図２６で示したＬＥＤ装置と同様に回路基板（発光素子実装用ホーロー基板６０１ａ）の反射凹部６０４ｄ中にＬＥＤダイ６０６を実装しているので製造が容易ではない。さらに、ＬＥＤダイ６０６と回路基板６０１ａの電極６０７ｃとをワイヤで接続しているため発光効率を下げている。【0015】
本発明は、半導体発光素子をフリップチップ実装しても製造が容易な両面発光型の半導体発光装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【0016】
また、本発明は、輝度を大きくするため４個以上の半導体発光素子をフリップチップ実装しても製造が容易な両面発光型の半導体発光装置を提供することを目的とする。【0017】
半導体発光装置は、複数のリードフレームと、複数のリードフレームと接続された複数の半導体発光素子と、複数の半導体発光素子を被覆する被覆部材を有し、複数のリードフレームの内の１つのリードフレームの端部が他のリードフレームの端部と近接して間隙を形成し、間隙を跨ぐようにして１つのリードフレーム及び他のリードフレームの表面と裏面に複数の半導体発光素子がフリップチップ実装されることを特徴とする。【0018】
半導体発光装置では、複数のリードフレームが第１のリードフレーム及び第２のリードフレームを含み、複数の半導体発光素子が第１の半導体発光素子及び第２の半導体発光素子を含み、第１のリードフレーム及び第２のリードフレームは端部が近接して間隙を形成し、第１の半導体発光素子は間隙を跨ぐようにして第１及び第２のリードフレームの一方の面にフリップチップ実装され、第２の半導体発光素子は間隙を跨ぐようにして第１及び第２のリードフレームの他方の面にフリップチップ実装され、第１の半導体発光素子の一部と第２の半導体発光素子の一部とが対向して配置される、ことが好ましい。【0019】
半導体発光装置では、複数のリードフレームは３個のリードフレームを含み、複数の半導体発光素子が直並列回路を構成している、ことが好ましい。【0020】
半導体発光装置では、前記複数の半導体発光素子は４個の半導体発光素子を含み、４個の半導体発光素子が並列回路を構成している、ことが好ましい。【0021】
半導体発光装置では、被覆部材は、反射性微粒子を含む反射部材及び蛍光体を含む蛍光部材を含む、ことが好ましい。【0022】
半導体発光装置では、反射部材が複数のリードフレームの外周部に配置され蛍光部材の側面を被覆し、蛍光部材が複数の半導体発光素子の上面を被覆し、蛍光樹脂が反射部材と複数の半導体発光素子との間及び複数のリードフレームの表面と裏面に実装されて対向する複数の半導体発光素子の間に充填される、ことが好ましい。【0023】
半導体発光装置では、蛍光部材が複数の半導体発光素子の上面を被覆し、反射部材が複数の半導体発光素子の側部及び複数のリードフレームの表面と裏面に実装されて対向する複数の半導体発光素子の間に配置される、ことが好ましい。【0024】
半導体発光装置では、複数のリードフレームの一部が被覆部材から突き出ている、ことが好ましい。【0025】
半導体発光装置の製造方法は、切断すると個別の半導体発光装置に含まれるリードフレームが得られる大判リードフレームを準備する大判リードフレーム準備工程と、第１の粘着シートに複数の半導体発光素子を配列する第１の配列工程と、第２の粘着シートに複数の半導体発光素子を配列する第２の配列工程と、複数の半導体発光素子を配列した第１の粘着シートと大判リードフレームとを位置合わせする第１の位置合わせ工程と、複数の半導体発光素子を配列した第２の粘着シートと大判リードフレームとを位置合わせする第２の位置合わせ工程と、第１及び第２の粘着シートごと大判リードフレームを加圧及び加熱して半導体発光素子と大判リードフレームとを接続する接続工程と、大判リードフレームに接続した半導体発光素子を被覆部材で被覆する被覆工程と、大判リードフレームを切断する切断工程を有することを特徴とする。【0026】
半導体発光装置の製造方法では、被覆部材は反射性部粒子を含む反射部材と蛍光体を含む蛍光部材を含み、被覆工程において、反射部材により複数の半導体発光素子の側面を被覆し、蛍光部材により複数の半導体発光素子の上面を被覆する、ことが好ましい。【0027】
半導体発光装置の製造方法では、反射部材をスキージにより半導体発光素子の側面部に配置する、ことが好ましい。【0028】
半導体発光装置の製造方法では、蛍光部材は蛍光体シートであり、蛍光体シートを複数の半導体発光素子の上面に貼り付ける、ことが好ましい。【0029】
半導体発光装置は、２枚の粘着シートと大判リードフレームにより、一括して接続及び被覆を行い、切断により個片化する集合工法で製造できる。集合工法では、接続のための加熱工程が一回で済ませられるので、製造条件が複雑化せず工程も短縮する。この結果、製造が容易な両面発光型の半導体発光装置を提供できる。【0030】
半導体発光装置は、簡単な製造方法により製造することができる。つまり、２枚の粘着シートと大判リードフレームを準備し、一括接続工程を含む集合工法で製造できる。回路基板の両面に半導体発光素子を実装するのに２回の加熱工程が必要な半田リフロー工程を使う製造方法に比べ、この集合工法は加圧及び加熱が一回で済むため工程が短縮化し製造条件も簡単化する。また、大判リードフレームは、開口を備えた板状の金属板であるため準備に係る工程を大幅に簡単化できる。同時に半導体発光装置では、４個以上の半導体発光素子が実装されていること、及び各半導体発光素子がフリップチップ実装されていることにより明るくすることができる。【0031】
半導体発光装置の製造方法は、粘着シートと大判リードフレームを使い、一括して接続及び被覆を行い、個片化により所望の製品を得る集合工法において、２枚の粘着シートを使い大判リードフレームの両面に半導体発光素子を配置するよう改良したものである。この集合工法により、接続のための加熱工程が一回で済ませられるようになり、製造条件が複雑化せず工程も短縮する。この結果、両面発光型の半導体発光装置の製造方法が簡単になる。【図面の簡単な説明】
【0032】
【図1】ＬＥＤ装置１０の外形図であり、（ａ）が平面図、（ｂ）が正面図、（ｃ）が右側面図である。
【図3】ＬＥＤ装置１０をマザー基板３５に実装した実装図である。
【図4】（ａ）〜（ｆ）はＬＥＤ装置１０の製造方法を説明するための説明図（１）である。
【図5】（ｇ）〜（ｉ）はＬＥＤ装置１０の製造方法を説明するための説明図（２）である。
【図6】大判リードフレームとＬＥＤダイの位置関係を示す平面図である。
【図7】ＬＥＤ装置７０の外形図であり、（ａ）が平面図、（ｂ）が正面図、（ｃ）が右側面図である。
【図9】ＬＥＤ装置７０の製造方法を説明するための説明図である。
【図10】ＬＥＤ装置１００の外形図であり、（ａ）が斜視図、（ｂ）が（ａ）のＣＣ´断面図である。
【図11】ＬＥＤ装置（半導体発光装置）１００を平面照明装置１１０に利用した応用例を示す図であり、（ａ）が平面図、（ｂ）が（ａ）のＤＤ´断面図である。
【図12】ＬＥＤ装置１２０の断面図である。
【図13】ＬＥＤ装置２００の外形図であり、（ａ）が平面図、（ｂ）が正面図、（ｃ）が右側面図である。
【図15】ＬＥＤ装置２００の回路図である。
【図16】ＬＥＤ装置２００をマザー基板２４５に実装した実装図である。
【図17】ＬＥＤ装置２００の製造方法を説明するための説明図である。
【図18】大判リードフレーム２５１とＬＥＤダイ２１５、２１６との位置関係を説明するための図である。
【図19】ＬＥＤ装置２７０の外形図であり、（ａ）が平面図、（ｂ）が正面図、（ｃ）が右側面図である。
【図21】ＬＥＤ装置２７０の回路図である。
【図22】ＬＥＤ装置３００の外形図であり、（ａ）が平面図、（ｂ）が正面図、（ｃ）が右側面図である。
【図24】ＬＥＤ装置３００の製造方法を説明するための説明図である。
【図25】従来のＬＥＤ装置（１）を示す図。
【図26】従来のＬＥＤ装置（２）を示す図。
【図27】従来のＬＥＤ装置（３）を示す図。
【発明を実施するための形態】
【0033】
以下図面を参照して、半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法について説明する。但し、本発明の技術的範囲はそれらの実施の形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された発明とその均等物に及ぶ点に留意されたい。なお図面の説明において、同一または相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。また説明のため部材の縮尺は適宜変更している。【0035】
ＬＥＤ装置１０を上部から眺めると、長方形の被覆部材１３の中に水平方向に延びるリードフレーム１１（第１のリードフレーム）とリードフレーム１２（第２のリードフレーム）が見える（図１（ａ）参照）。リードフレーム１１とリードフレーム１２とは、端部が近接している。リードフレーム１１とリードフレーム１２との反対側の端部は、被覆部材１３の側端部と一致している。ＬＥＤ装置１０を正面から眺めると、被覆部材１３のみが見える（図１（ｂ）参照）。ＬＥＤ装置１０を右側面から眺めると、被覆部材１３を分断するように垂直方向に延びるリードフレーム１２が見える（図１（ｃ）参照）。なお図示していないが、ＬＥＤ装置１０の底面図は、図１（ａ）の平面図と一致している。また、ＬＥＤ装置１０の左側面図は、図１（ｃ）の右側面図と同等で、リードフレーム１２がリードフレーム１１に置き換わったものとなる。【0037】
ＬＥＤ装置１０は、リードフレーム１１、１２、及び被覆部材１３の他に、ＬＥＤダイ１４（第１の半導体発光素子）とＬＥＤダイ１５（第２の半導体発光素子）を含んでいる。ＬＥＤダイ１４及び１５はサファイア基板１６、半導体層１７、突起電極１８等から構成される。なお、ＬＥＤダイ１４、１５において、半導体層１７を備えていない面を上面と呼び、半導体層１７及び突起電極１８が形成されている面を底面と呼び、上面と底面をつなぐ面を側面と呼ぶ。【0038】
ＬＥＤダイ１４、１５は、サファイア基板１６の下面に半導体層１７が形成され、半導体層１７に突起電極１８が付着している。サファイア基板１６は透明絶縁基板であり、その厚さは８０〜１２０μｍである。半導体層１７は、ｎ型半導体層、ｐ型半導体層、層間絶縁膜及び金属配線を含み、その厚さは１０μｍ弱である。発光層は、ｎ型半導体層とｐ型半導体層の境界部にあり、平面形状はｐ型半導体層とほぼ等しい。ｎ型半導体層の一部とｐ型半導体層とは、層間絶縁膜で被覆され、層間絶縁膜上に金属配線が形成され、金属配線と突起電極１８が接続している。金属配線は、フリップチップ実装が容易になるよう、アノード及びカソードをそれぞれひとつにまとめ、ＬＥＤダイ１４、１５の左右の端部に突起電極１８として配置し直している。突起電極１８は、１０〜３０μｍ程度のＣｕ又はＡｕをコアとするバンプであり、下面にＡｕＳｎ共晶を備えている。【0039】
リードフレーム１１、１２は、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ等をメッキした銅板であり、その厚さは１００〜４００μｍである。リードフレーム１１、１２の間隙１９は、幅が２００〜４００μｍである。リードフレーム１１、１２の上側の面（一方の面）において、ＬＥＤダイ１４が間隙１９を跨ぐようにフリップチップ実装され、リードフレーム１１、１２の下側の面（他方の面）において、ＬＥＤダイ１５が間隙１９を跨ぐようにフリップチップ実装される。なお、ピッチに合うようにＬＥＤダイ１４、１５の底面において前述した突起電極１８の再配置を行った。上記の構成によって、ＬＥＤダイ１４、１５の一部は、互いに対向して配置されることとなる。【0040】
リードフレーム１１、１２のうち外気に対し露出している部分（切断面）は、半田等でメッキしておくのが良い。リードフレーム１１、１２の表面をＡｇメッキしている場合は、酸化や硫化を防止するため実装部を除いてリードフレーム１１、１２の表面にＳｉＯ２等の無機透明絶縁膜を形成しておくと良い。リードフレーム１１、１２と突起電極１８の接続部は、ＬＥＤ装置１０をマザー基板に実装する際のリフロー温度で溶融してはならないので、ＡｕＳｎ共晶若しくは高融点半田により接続すると良い。なお被覆部材１３は、蛍光体を含有したシリコーン樹脂である。【0041】
図３は、ＬＥＤ装置１０をマザー基板３５に実装した実装図である。【0042】
図３は、ＬＥＤ装置１０を正面から眺めた状態を示している。マザー基板３５上には、マザー基板電極３３、３４が形成されている。マザー基板電極３３は、リードフレーム１１（図１、２参照）と半田３１により接続する。同様に、マザー基板電極３４は、リードフレーム１２（図１、２参照）と半田３２により接続する。接続強度を高めるため半田３１、３２は、ＬＥＤ装置１０の底部と共に側部にも存在するようにしても良い。マザー基板電極３３、３４の間隙は、異物等によるショートを避けるためＬＥＤ装置１０の間隙１９（図２参照）より幅を広くしている。【0044】
最初に、切断すると個別のＬＥＤ装置１０に含まれるリードフレーム１１、１２（図１、２参照）が得られる大判リードフレーム４１を準備する（大判リードフレーム準備工程）（図４（ａ）参照）。大判リードフレーム４１は板状であり、多数のＬＥＤダイ１４、１５を実装できるが、図４及び図５では説明のためＬＥＤダイ１４、１５がそれぞれ３個だけ実装できるように描いている（以下同様）。大判リードフレーム４１は銅版をエッチングし所望の開口部を形成したものであり、エッチング後表面をメッキする。【0045】
次に、第１の粘着シート４２上に複数のＬＥＤダイ１４を配列する（第１の配列工程）（図４（ｂ）参照）。第１の粘着シート４２は、ポリイミドシートの上面に粘着層を形成したものである。ピッカーによりＬＥＤダイ１４を拾い上げ、ＬＥＤダイ１４を第１の粘着シート４２に一個ずつ配置する。第１の粘着シート４２にはＬＥＤダイ１４の上面（図では下側になっている面）を貼り付ける。ＬＥＤダイ１４の配列ピッチは大判リードフレーム４１の実装部のピッチと一致させている。また、ＬＥＤダイ１４のアノードとカソードが所定の位置になるよう方向を定めている。【0046】
次に、第２の粘着シート４３に複数のＬＥＤダイ１５を配列する（第２の配列工程）（図４（ｃ）参照）。図１（ｂ）に示した第１の配列工程と同様に、第２の配列工程でも第２の粘着シート４３に複数のＬＥＤダイ１５を配列する。なお第１の粘着シート４２を積層する大判リードフレーム４１の面に対し、第２の粘着シート４３を積層する大判リードフレーム４１の面は反対側となる。大判リードフレーム準備工程、第１の配列工程、及び第２の配列工程の順番は上述した通りでなくても良い。【0047】
次に、複数のＬＥＤダイ１４を配列した第１の粘着シート４２と大判リードフレーム４１とを位置合わせする（第１の位置合わせ工程）（図４（ｄ）参照）。第１の粘着シート４２を上下反転し、透光性の第１の粘着シート４２越しに大判リードフレーム４１を観察しながら位置を合わせる。位置合わせが完了したら大判リードフレーム４１の周辺部で第１の粘着シート４２を仮止めする。【0048】
次に、複数のＬＥＤダイ１５を配列した第２の粘着シート４３と大判リードフレーム４１とを位置合わせする（第２の位置合わせ工程）（図４（ｅ）参照）。第１の粘着シート４２を仮止めした大判リードフレーム４１を上下反転する。このとき第１の粘着シート４２は大判リードフレーム４１に接触している。第１の位置合わせ工程と同様に第２の粘着シート４３を反転し、第２の粘着シート４３越しに大判リードフレーム４１を観察しながら位置を合わせる。位置合わせが完了したら大判リードフレーム４１の周辺部で第２の粘着シート４３を仮止めする。【0049】
次に、第１及び第２の粘着シート４２、４３ごと大判リードフレーム４１を加圧及び加熱し、ＬＥＤダイ１４、１５と大判リードフレーム４１とを接続する（接続工程）（図４（ｆ）参照）。なお、図４（ｅ）に対し図４（ｆ）は上下反転して描いている。第１及び第２の粘着シート４２、４３を仮止めした大判リードフレーム４１を台（図示せず）に乗せ、加圧ヘッド（図示せず）により第１及び第２の粘着シート４２、４３ごと大判リードフレーム４１を加圧する。更に、圧力を保ったまま加圧ヘッドを３００〜３５０℃程度にする。この温度ではＡｕＳｎ共晶が融解するので、所定の時間が経過したら加圧ヘッドの温度を下げ、その後加圧ヘッドを大判リードフレーム４１等から離す。【0050】
次に、ＬＥＤダイ１４、１５が接続した大判リードフレーム４１から第１と第２の粘着シート４２、４３を剥がし、金型４４、４５にリードフレーム４１を組み入れる（被覆工程）（図５（ｇ）参照）。図示ししていないが、大判リードフレーム４１の周辺部を金型４４、４５が支持している。支持量が不足する場合、金型４４、４５内に支持構造を持たせてもよい。大判リードフレーム４１を金型に組み込んだら、射出成型により被覆部材４６を形成する。【0051】
次に、金型４４、４５から大判リードフレーム４１を取り出す（図５（ｈ）参照）。【0052】
最後に、大判リードフレーム４１を切断して個片化したＬＥＤ装置１０を得る（切断工程）（図５（ｉ）参照）。被覆した大判リードフレーム４１をダイシングシート（図示せず）に貼り付け、ダイサーで大判リードフレーム４１を切断し、ＬＥＤ装置１０に個片化する。【0053】
図６は、大判リードフレームとＬＥＤダイの位置関係を示す平面図である。【0054】
図６では、図５（ｈ）の状態から被覆部材４６を取り除いた状態で大判リードフレーム４１の一部を上部から眺めた場合を示している。大判リードフレーム４１上ではＬＥＤダイ１４が格子状に配列している。また、大判リードフレーム４１は、図中、縦方向に延びる長方形の銅板が配列しているように見える。なお板状の銅板は上端部又は下端部で連結しているが図示していない。また、図中、サファイア基板１６越しに存在する突起電極１８を点線で示した。【0055】
（第２実施形態）ＬＥＤ装置１０では、リードフレーム１１、１２と平行な方向にも光を放射する。ＬＥＤ装置１０の使い方によっては、この放射光が利用しづらいばかりでなく有害になることもある。例えば、ＬＥＤ装置１０において、リードフレーム１１、１２と垂直な方向に放射する光が被覆部材１３を通る距離と、水平方向に放射する光が被覆部材１３を通る距離とが異なる場合、蛍光体により波長変換される度合いが違ってくる。したがって、ＬＥＤ装置１０では、放射方向によって発光色が異なってしまう可能性がある。そこで、以下では、リードフレーム１１、１２と平行な方向には光を放射せず、リードフレーム１１、１２に垂直な方向にだけ光を放射するＬＥＤ装置（半導体発光装置）７０について説明する。なお、ＬＥＤ装置７０において、ＬＥＤ装置１０と同じ部材については、同じ番号を使用した。
【0056】
図７はＬＥＤ装置７０の外形図であり、（ａ）が平面図、（ｂ）が正面図、（ｃ）が右側面図である。【0057】
ＬＥＤ装置７０を上部から眺めると、蛍光体シート７１、７３と、蛍光体シート７１、７３に挟まれる反射部材７２と、反射部材７２の中で水平方向に延びるリードフレーム１１（第１のリードフレーム）及びリードフレーム１２（第２のリードフレーム）とが見える（図７（ａ）参照）。リードフレーム１１とリードフレーム１２は端部が近接している。またリードフレーム１１とリードフレーム１２の反対側の端部は蛍光体シート７１、７３及び反射部材７２の左右の側端部と一致している。ＬＥＤ装置７０を正面から眺めると反射部材７２のみが見える（図７（ｂ）参照）。ＬＥＤ装置７０を右側面から眺めると、蛍光体シート７１、７３と、蛍光体シート７１、７３に挟まれた反射部材７２と、反射部材７２に挟まれたリードフレーム１２とが見える（図７（ｃ）参照）。なお図示していないが、ＬＥＤ装置７０の底面図は、図７（ａ）の平面図と一致する。また、ＬＥＤ装置７０の左側面図は、図７（ｃ）の右側面図と同等になり、リードフレーム１２がリードフレーム１１に置き換わったものとなる。【0059】
ＬＥＤ装置７０は、リードフレーム１１、１２及び反射部材７２、蛍光体シート７１、７３及びＬＥＤダイ１４（第１の半導体発光素子）とＬＥＤダイ１５（第２の半導体発光素子）とを含んでいる。ＬＥＤ装置１０と同様に（図２参照）、リードフレーム１１、１２の上側の面（一方の面）においてＬＥＤダイ１４が間隙１９を跨ぐようにフリップチップ実装されている。また、リードフレーム１１、１２の下側の面（他方の面）においてＬＥＤダイ１５が間隙１９を跨ぐようにフリップチップ実装されている。なおリードフレーム１１、１２及びＬＥＤダイ１４、１５は、ＬＥＤ装置７０とＬＥＤ装置１０で同じものとなる。ＬＥＤ装置７０におけるリードフレーム１１、１２の表面処理及びリードフレーム１１、１２とＬＥＤダイ１４、１５の接続構造もＬＥＤ装置１０と等しい。【0060】
ＬＥＤダイ１４、１５の底面及び側面は反射部材７２で被覆され、ＬＥＤダイ１４、１５の上面は蛍光体シート７１、７３で被覆されている。すなわち、ＬＥＤ装置７０では、被覆部材が反射部材７２と蛍光体シート７１、７３から構成されている。反射部材７２は、シリコーン樹脂やオルガノポリシロキサンのような透明バインダー中に酸化チタンやアルミナなどの反射性微粒子を混練し硬化させたものである。蛍光体シート７１、７３はシリコーン樹脂に蛍光体を混練し硬化させたものである。蛍光体シート７１、７３は透明接着剤（図示せず）によりＬＥＤダイ１４、１５の上面及び反射部材７２と接着している。【0061】
図９は、ＬＥＤ装置７０の製造方法を説明するための説明図である。【0062】
ＬＥＤ装置７０の製造方法では、ＬＥＤ装置１０における大判リードフレーム準備工程（図４（ａ）参照）、第１の配列工程（図４（ｂ）参照）、第２の配列工程（図４（ｃ）参照）、第１の位置合わせ工程（図４（ｄ）参照）、第２の位置合わせ工程（図４（ｅ）参照）、及び接続工程（図４（ｆ）参照）が同じものとなるので省略した。【0064】
次に、図９（ａ）の状態から第１の粘着シート４２だけを剥がす（第１部分工程）（図９（ｂ）参照）。なお、図９（ｂ）、図９（ｃ）及び図９（ｄ）は、ＬＥＤダイ１４、１５を反射部材９２と蛍光体シート９１、９３で被覆する被覆工程を構成する３つの部分工程である。【0065】
次に、ＬＥＤダイ１４、１５の側面と底面を被覆するためＬＥＤダイ１４、１５間に硬化前の反射部材９２を充填する（第２部分工程）（図９（ｃ）参照）。充填後、１５０℃程度で反射部材９２を硬化させる。充填はスキージで良く、硬化後ＬＥＤダイ１４の上面に残った反射部材９２を研磨によって除去する。なお、ディスペンサを使って正確に計量された反射部材９２を充填しても良い。その場合はＬＥＤダイ１４の上面の研磨が不要となる。【0066】
次に、蛍光体シート９１、９３でＬＥＤダイ１４、１５の上面を被覆する（第３部分工程）（図９（ｄ）参照）。ＬＥＤダイ１４及び反射部材９２の上面に、透明接着剤を塗布して蛍光体シート９１を貼り付ける。これと並行し第２の粘着シート４３を剥がし、ＬＥＤダイ１５の上面及び反射部材９２（図では下の面）に透明接着剤を塗布して蛍光体シート９３を貼り付ける。なお、蛍光体シート９１、９３の代わりに、シリコーン等の透明バインダー中に蛍光体を混連させた蛍光樹脂をＬＥＤダイ１４、１５の上面及び反射部材９２に塗布し、これを硬化させて蛍光体層を形成し、ＬＥＤダイ１４、１５の上面を被覆する蛍光部材としても良い。しかしながら、蛍光部材が蛍光体シート９１、９３である場合、反射部材９２による被覆と蛍光シート９１、９３の準備とを同時並行して行えるので、被覆工程を短時間に処理できるという利点がある。【0067】
最後に、被覆が完了した大判リードフレーム４１を切断して、個片化したＬＥＤ装置７０を得る（切断工程）（図９（ｅ）参照）。図９（ｅ）は、被覆部材の違うことを除き、図５（ｉ）の切断工程と同じものである。【0068】
ＬＥＤ装置１０及びＬＥＤ装置７０では、２個のＬＥＤダイ１４、１５が並列接続していた。この場合、ＬＥＤダイ１４とＬＥＤダイ１５の順方向電圧降下量を等しくしておかなければならない。例えば生産現場においては順方向電圧降下量の違いを０．１Ｖ以内に収めることになる。つまりＬＥＤダイが密集したダイシング後のウェハーから順方向電圧降下量によってＬＥＤダイをランク分けすることになる。このときランク分けと同時に第１及び第２の配列工程を実施してしまえばピックアップ作業を共通化でき製造工程を短縮することができる。【0069】
ＬＥＤ装置７０では、ＬＥＤダイ１４、１５の側面を反射部材７２で被覆し、ＬＥＤダイ１４、１５の上面とともに反射部材７２の上下の面（図８参照）に蛍光体シート７１、７３を貼り付け、リードフレーム１１、１２に対し垂直な方向にだけ光を放射させていた。リードフレーム１１、１２に対し垂直な方向にだけ光を放射させようとする場合、蛍光部材が積層したＬＥＤダイの側面とともに、ＬＥＤダイの上部に積層した蛍光部材の側面部にも反射部材を設けても良い。その様なＬＥＤ装置は、予めウェハー状態でサファイア基板上に蛍光体層を形成しておき、このウェハーをダイシングし上部に蛍光体層を備えたＬＥＤダイを利用する。次に、その様なＬＥＤダイを、ＬＥＤ装置１０の製造方法で示したように２枚の粘着シートを使って大判リードフレームに実装する。次に、ＬＥＤダイの周囲に反射部材を充填する。最後に、大判リードフレームを切断することによってＬＥＤ装置を製造する。なお、蛍光体層のバインダーは、ＬＥＤダイと大判リードフレームの接合温度に耐えられるようガラスなどの透明無機材料から選ぶことが好ましい。【0070】
（第３実施形態）ＬＥＤ装置１０及びＬＥＤ装置７０では、リードフレーム１１、１２の切断面と被覆部材１３（ＬＥＤ装置７０では反射部材７２）の切断面とが一致していた。ＬＥＤ装置１０及びＬＥＤ装置７０をマザー基板に実装する際、強度が不足する場合はリードフレーム１１、１２の端部を被覆部材１３（第２実施形態では反射部材７２）の切断面からはみ出させても良い。そこで、以下では、リードフレーム１１、１２を被覆部材から水平方向に延ばした（突き出した）ＬＥＤ装置（半導体発光装置）１００について説明する。なお、ＬＥＤ装置１００において、ＬＥＤ装置１０と同じ部材については、同じ番号を使用した。
【0071】
図１０はＬＥＤ装置１００の外形図であり、（ａ）が斜視図、（ｂ）が（ａ）のＣＣ´断面図である。【0072】
ＬＥＤ装置１００は、リードフレーム１１、１２の左右の端部が被覆部材１０１から突き出ていることを除いて、ＬＥＤ装置１０と等しい。すなわち、ＬＥＤ装置１００は、２枚の平板状のリードフレーム１１、１２が被覆部材１０１に埋め込まれ、その左右の端部が被覆部材１０１から突き出ている。このとき被覆部１０１の上面及びリードフレーム１１、１２の上端面は高さが一致し、同様に被覆部材１０１の下面及びリードフレーム１１、１２の下端面も高さが一致している。リードフレーム１１、１２の間隙を跨ぐようにして、リードフレームの一方の面と他方の面にそれぞれＬＥＤダイ１４、１５がフリップ実装されている。被覆部材１０１はシリコーン樹脂に蛍光体を混練し硬化させた蛍光樹脂である。なお、リードフレーム１１、１２及びＬＥＤダイ１４、１５は、ＬＥＤ装置１００とＬＥＤ装置１０で同じものとなる。ＬＥＤ装置１００におけるリードフレーム１１、１２の表面処理及びリードフレーム１１、１２とＬＥＤダイ１４、１５の接続構造もＬＥＤ装置１０と等しい。【0073】
ＬＥＤ装置１００の製造方法は、ＬＥＤ装置１０に関して、図５（ｈ）で示したように被覆部材１６で被覆された大判リードフレーム４１が完成したら、大判リードフレームの一部が露出するように被覆部材４６を切削等で除去し、被覆部材１０１とする。その後、突き出た部分が残るようにして大判リードフレーム４１を個片化して、ＬＥＤ装置１００を完成する。【0074】
なお、ＬＥＤ装置１００において、突き出したリードフレーム１１、１２をＬＥＤ装置１００の側面に沿って曲げても良い。また、ＬＥＤ装置１０ではリードフレーム１１、１２とＬＥＤダイ１４，１５とをＡｇＳｎ共晶で接続していたが、接合用に高融点ハンダを使用しても良い。この高融点ハンダは、マザー基板にＬＥＤ装置を実装するときに使用するハンダより融点が高い合金である。【0075】
図１１は、ＬＥＤ装置１００を平面照明装置１１０に利用した応用例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＤＤ´断面図である。【0076】
図１１（ａ）に示す様に、平面照明装置１１０は、開口部１１２を有する導光板１１１を含み、開口部１１２には、ＬＥＤ装置１００が配置されている。ＬＥＤ装置１００は、導光板１１１の下側に配置された実装基板１１３に電気的及び機械的に接続している。また、開口部１１２から実装基板１１３の表面が覗いている。【0077】
平面照明装置１１０において、ＬＥＤ装置１００から、図の左右方向に出射した光は導光板１１１に入射する。この入射光は、導光板１１１内を伝播する際、導光板１１１が包含する拡散粒子によって進行方向を変えられ、導光板１１１の上方から出射する。なお、実装基板１１３の下面側に進行方向を変えられた光は、実装基板１１３の上面又は導光板１１２の下面に設けられた反射層で反射し上方に向かう。なお、平面照明装置１１０は導光板１１１に１個の開口部１１２を備えていたが、導光板１１１に複数の開口部を備え、各開口部にＬＥＤ装置１００を配置しても良い。【0078】
（第４実施形態）ＬＥＤ装置１００は被覆部材１０１が蛍光樹脂だけからなっていたので、光はＬＥＤ装置１００の全ての面から出射する。この場合、正面から出射する光と側面から出射する光は、被覆部材１０１を構成する蛍光樹脂内を伝播する光路長が異なり、蛍光樹脂により波長変換される度合いに差が出ることがある。このときＬＥＤ装置１００の正面と側面では発光色が異なるという不具合が起きる。そこで、以下では、光の出射面を制限して正面及び裏面からだけ光が出射するＬＥＤ装置（半導体発光装置）１２０について説明する。なお、ＬＥＤ装置１２０において、ＬＥＤ装置１０と同じ部材については、同じ番号を使用した。
【0079】
図１２は、ＬＥＤ装置１２０の断面図である。【0080】
ＬＥＤ装置１２０の外形は、図１０（ａ）に示すＬＥＤ装置１００と同様であるので、図１２は、ＬＥＤ装置１２０における、図１０（ａ）のＣＣ´断面図に相当する。ＬＥＤ装置１２０とＬＥＤ装置１００との違いは、ＬＥＤ装置１２０では被覆部材が複数の部材からなっていることである。ＬＥＤ装置１２０の被覆部材は、２枚の平板状のリードフレーム１１、１２に実装されたＬＥＤダイ１４、１５の側部及び底部に充填された蛍光樹脂１２２と、ＬＥＤダイ１４、１５の上面及び蛍光樹脂の上部を覆う蛍光体シート１２１と、蛍光樹脂１２２及び蛍光体シート１２１の周囲を囲む枠状の反射部材１２３と、から構成される。なお、ＬＥＤダイ１４、１５の上面を、サファイア基板１６側としている。【0081】
ＬＥＤ装置１２０の製造方法は、最初に、図４（ｆ）で示したように大判リードフレーム４１の両面にＬＥＤダイ１４、１５を実装したら、金型やスキージなどでＬＥＤ装置の間（断面図において左右及び上下方向）に蛍光部材１２２を充填し硬化させる。次に、上下のＬＥＤダイ１４、１５のサファイア基板１６及び蛍光樹脂１２２の上部に蛍光体シート１２１を貼りつける。次に、大判リードフレーム４１が残るようにＬＥＤダイ間に溝を形成し、この溝に白色反射部材を充填し硬化させる。このようにして被覆された大判リードフレームが完成したら、大判リードフレームの一部が露出するように白色反射部材の一部を切削等で除去し、その後突き出た部分が残るようにして大判リードフレーム４１を個片化してＬＥＤ装置１２０を完成する。なお、個片化した際に、白色反射部材が、ＬＥＤ装置１２０の反射部材１２３となる。【0082】
ＬＥＤ装置１２０では、反射部材１２３とＬＥＤダイ１４、１５の側面との間及びＬＥＤダイ１４、１５の底面間に蛍光樹脂１２２が充填されている。したがって、ＬＥＤダイ１４、１５の側面又は底面から出射した光は、蛍光樹脂１２２内を反射しながらＬＥＤ装置１２０の正面又は裏面から出射し、そのとき光の一部が波長変換される。【0083】
図７に示したＬＥＤ装置７０では、白色反射部材７２がＬＥＤ装置７０の側面と底面を直接的に被覆しているため、この側面及び底面から出射しようとする光はＬＥＤダイ７０内に戻される。このため発光層で再吸収されたり、迷光となったりして発光損失が発生する。これに対しＬＥＤ装置１２０は、側面及び底面から出射した光の多くの部分がＬＥＤダイ１４、１５内に戻らないため発光効率が向上する。また波長変換を受けた光はたとえＬＥＤダイ１４、１５内に戻っても発光層で再吸収されない。このことも発光効率の向上に寄与する。なお、被覆部材として使用している蛍光樹脂１２２は、この部分が波長変換機能を必要としないときは、透明部材に置き換えても良い。しかしこの場合は若干発光効率が低下する。【0084】
ＬＥＤ装置１２０において、ＬＥＤダイ１４、１５の上面を覆う蛍光体シート１２１の代わりに、蛍光樹脂を用いても良い。この場合、蛍光体シートを貼る工程を省略できる。前述したＬＥＤ装置１２０の製造方法では、蛍光体シート１２１の貼り付け前に蛍光樹脂１２２がＬＥＤダイ１４、１５の上面に付着したとき、ＬＥＤダイ１４、１５の上面の研磨等により蛍光樹脂を除去することが好ましい。蛍光体シート１２１の代わりに蛍光樹脂１２２でＬＥＤダイ１４、１５の上面を被覆すればこの工程も不要になる。一方、蛍光体シート１２１は安価であるため、あらかじめ複数通りの波長変換特性をもつ蛍光体シート群を準備しておき、このなかからＬＥＤダイ１４、１５の発光特性（ピーク波長など）にあわせて貼りつける蛍光体シートを選ぶことができる。このように蛍光体シートを使うとＬＥＤ装置の発光色の管理が容易になる。【0085】
ＬＥＤ装置１２０では白色反射部材を枠状に形成していた。しかしながら光の出射面を制限する方法は、枠状の反射部材を設けることに限定されない。例えば、ＬＥＤ装置１２０の上部と底部（断面図において紙面に垂直な方向）にのみ白色反射部材で反射部材を形成し、側面（断面図において紙面と平行な方向）からは光を放射できるようにしても良い。【0087】
ＬＥＤ装置（半導体発光装置）２００を上部から眺めると長方形の被覆部材２１４の中に水平方向に延びるリードフレーム２１１、２１２、２１３が見える（図１３（ａ）参照）。リードフレーム２１１とリードフレーム２１２、並びにリードフレーム２１２とリードフレーム２１３は端部が近接している。またリードフレーム２１１の左側の端部及びリードフレーム２１３の右側の端部は被覆部材２１４の側端部と一致している。ＬＥＤ装置２００を正面から眺めると被覆部材２１４のみが見える（図１３（ｂ）参照）。ＬＥＤ装置２００を右側面から眺めると、被覆部材２１４を分断するように垂直方向に延びるリードフレーム２１３が見える（図１３（ｃ）参照）。なお、図示していないが、ＬＥＤ装置２００の底面図は図１３（ａ）の平面図と一致する。また、ＬＥＤ装置２００の左側面図は図１３（ｃ）の右側面図と同等で、リードフレーム２１３がリードフレーム２１１に置き換わることとなる。【0089】
ＬＥＤ装置２００は、リードフレーム２１１、２１２、２１３及び被覆部材２１４の他にＬＥＤダイ２１５、２１６、２１７、２１８を含んでいる。ＬＥＤダイ２１５〜２１８はサファイア基板２３１、半導体層２３２、突起電極２３３からなる。なお、ＬＥＤダイ２１５〜２１８において、半導体層２３２を備えていない面を上面と呼び、半導体層２３２及び突起電極２３３が形成されている面を底面と呼び、上面と底面をつなぐ面を側面と呼ぶ。【0090】
ＬＥＤダイ２１５〜２１８はサファイア基板２３１の下面に半導体層２３２が形成され、半導体層２３２に突起電極２３３が付着している。サファイア基板２３１は透明絶縁基板であり厚さが８０〜１２０μｍである。半導体層２３２は、ｎ型半導体層、ｐ型半導体層、層間絶縁膜及び金属配線を含み厚さが１０μｍ弱である。発光層はｎ型半導体層とｐ型半導体層の境界部にあり、平面形状はｐ型半導体層とほぼ等しい。ｎ型半導体層の一部とｐ型半導体層は層間絶縁膜で被覆され、層間絶縁膜上に金属配線が形成されている。この金属配線は突起電極２３３と接続している。また金属配線は、フリップチップ実装が容易になるよう、アノード及びカソードをそれぞれひとつにまとめ、ＬＥＤダイ２１５〜２１８の左右の端部に突起電極２３３として配置し直している。突起電極２３３は１０〜３０μｍ程度のＣｕ又はＡｕをコアとするバンプであり、下面にＡｕＳｎ共晶を備えている。【0091】
リードフレーム２１１〜２１３は、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ等をメッキした銅板であり、厚さが１００〜４００μｍである。リードフレーム２１１〜２１３の間隙２１９は幅が２００〜４００μｍである。リードフレーム２１１、２１２の上側の面（以後表面と呼ぶ）においてＬＥＤダイ２１５が間隙２１９を跨ぐようにフリップチップ実装されている。また、リードフレーム２１２、２１３の表面においてＬＥＤダイ２１６が間隙２１９を跨ぐようにフリップチップ実装されている。同様に、リードフレーム２１１、２１２の下側の面（以後裏面と呼ぶ）においてＬＥＤダイ２１７が間隙２１９を跨ぐようにフリップチップ実装されている。また、リードフレーム２１２、２１３の裏面においてＬＥＤダイ２１８が間隙２１９を跨ぐようにフリップチップ実装されている。なお、間隙２１９を問題なく跨げるようにＬＥＤダイ２１５〜２１８の底面において前述の突起電極２３３の再配置を行った。【0092】
リードフレーム２１１〜２１３のうち外気に対し露出している部分（切断面）は半田等でメッキしておくことが好ましい。リードフレーム２１１〜２１３の表面をＡｇメッキしている場合は、酸化や硫化を防止するため実装部を除いてリードフレーム２１１〜２１３の表面にＳｉＯ２等の無機透明絶縁膜を形成しておくことが好ましい。リードフレーム２１１〜２１３と突起電極２３３の接続部は、ＬＥＤ装置２００をマザー基板に実装する際のリフロー温度で溶融してはならないので、本実施形態のようなＡｕＳｎ共晶若しくは高融点半田により接続すると良い。なお、被覆部材２１４は蛍光体を含有したシリコーン樹脂である。【0093】
図１５は、ＬＥＤ装置２００の回路図である。【0094】
ＬＥＤ装置２００において、ＬＥＤダイ２１５とＬＥＤダイ２１７が並列接続され、ＬＥＤダイ２１６とＬＥＤダイ２１８も並列接続され、二つの並列回路が直列接続している。すなわち、ＬＥＤダイ２１５〜２１８は直並列回路を構成し、直並列回路のアノードとカソードがそれぞれリードフレーム２１１、２１３に相当する。なお中間部の配線はリードフレーム２１２に相当する。【0095】
図１６は、ＬＥＤ装置２００をマザー基板２４５に実装した実装図である。【0096】
図１６は、ＬＥＤ装置２００を正面から眺めた状態を示している。マザー基板２４５上にはマザー基板電極２４３、２４４が形成されている。マザー基板電極２４３は、リードフレーム２１１（図１３参照）と半田２４１により接続する。マザー基板電極２４４は、リードフレーム２１３（図１３参照）と半田２４２により接続する。接続強度を高めるため半田２４１、２４２はＬＥＤ装置２００の底部と共に側部にも存在することが好ましい。マザー基板電極２４３、２４４の間隙は、異物等によるショートを避けるためＬＥＤ装置２００の底部におけるリードフレーム２１１、２１３の露出部の間隙（図１３参照）より幅を広くしている。【0097】
図１７は、ＬＥＤ装置２００の製造方法を説明するための説明図である。【0098】
最初に、大判リードフレーム２５１を準備する（図１７（ａ）参照）。大判リードフレーム２５１は、切断すると個別のＬＥＤ装置２００に含まれるリードフレーム２１１〜２１３（図１３参照）が得られる。大判リードフレーム２５１は板状であり、多数のＬＥＤダイ２１５〜２１８を実装できるが、図１７では説明のためＬＥＤダイ２１５〜２１８がそれぞれ２個ずつだけ実装できるように描いている（以下同様）。大判リードフレーム２５１は銅版をエッチングし所望の開口部を形成したものであり、エッチング後表面をメッキする。【0099】
次に、粘着シート２５２に複数のＬＥＤダイ２１５、２１６を配列する（図１７（ｂ）参照）。粘着シート２５２はポリイミドシートの上面に粘着層が形成したものである。ピッカーによりＬＥＤダイ２１５、２１６を拾い上げ、ＬＥＤダイ２１５、２１６を粘着シート２５２に一個ずつ配置する。粘着シート２５２にはＬＥＤダイ２１５、２１６の上面（図では下側になっている面）を貼り付ける。ＬＥＤダイ２１５、２１６の配列ピッチは大判リードフレーム２５１の表面における実装部のピッチと一致する。またＬＥＤダイ２１５、２１６のアノードとカソードが所定の位置になるよう方向を定めている。【0100】
次に、粘着シート２５３に複数のＬＥＤダイ２１７、２１８を配列する（図１７（ｃ）参照）。図１７（ｂ）で示した工程と同様に、粘着シート２５３に複数のＬＥＤダイ２１７、２１８を配列する。なおＬＥＤダイ２１７、２１８の配列ピッチ及び方向は大判リードフレーム２５１の裏面における実装部と一致する。図１７（ａ）〜図１７（ｃ）に示した工程の順番は上述した通りでなくても良い。【0101】
次に、複数のＬＥＤダイ２１５、２１６を配列した粘着シート２５２と複数のＬＥＤダイ２１７、２１８を配列した粘着シート２５３を大判リードフレーム２５１とを位置合わせし、粘着シート２５２、２５３ごと大判リードフレーム２５１を加圧及び加熱する（図１７（ｄ）参照）。即ち、この工程は、ＬＥＤダイ２１５〜２１８と大判リードフレーム２５１とを接続する工程である。粘着シート２５２を上下反転し、透光性の粘着シート２５２越しに大判リードフレーム２５１を観察しながら位置を合わせる。位置合わせが完了したら、大判リードフレーム２５１の周辺部で粘着シート２５２を仮止めする。次に、粘着シート２５２を仮止めした大判リードフレーム２５１を上下反転する。前述の位置合わせと同様に、粘着シート２５３を反転し、粘着シート２５３越しに大判リードフレーム２５１を観察しながら位置を合わせる。位置合わせが完了したら大判リードフレーム２５１の周辺部で粘着シート２５３を仮止めする。最後に粘着シート２５２、２５３を仮止めした大判リードフレーム２５１を台に乗せ、加圧ヘッドにより粘着シート２５２、２５３ごと大判リードフレーム２５１を加圧し、圧力を保ったまま加圧ヘッドを３００〜３５０℃程度に加熱する。この温度では、ＡｕＳｎ共晶が融解するので、所定の時間が経過したら加圧ヘッドの温度を下げ、その後加圧ヘッドを大判リードフレーム２５１等から離す。なお、図１７（ｄ）では、接続後の状態として粘着シート２５２が上側になっているよう描いている。【0102】
次に、ＬＥＤダイ２１５〜２１８を被覆部材５４で被覆する（図１７（ｅ）参照）。ＬＥＤダイ２１５〜２１８が接続した大判リードフレーム２５１から粘着シート２５２、２５３を剥がし、ＬＥＤダイ２１５〜２１８を被覆部材２５４で被覆する。被覆には金型を用いても良い。その場合、大判リードフレーム２５１を金型に組み込んだら、射出成型により被覆部材２５４を形成する。図１７（ｅ）は、被覆後の大判リードフレーム２５１を示している。【0103】
最後に、大判リードフレーム２５１を切断して、個片化したＬＥＤ装置２００を得る（図１７（ｆ）参照）。被覆した大判リードフレーム２５１をダイシングシートに貼り付け、ダイサーで大判リードフレーム２５１を切断し、ＬＥＤ装置２００に個片化する。【0104】
図１８は、大判リードフレーム２５１とＬＥＤダイ２１５、２１６との位置関係を説明するための図である。【0105】
図１８は、図１７（ｄ）の状態から、粘着シート２５２を取り除いた状態で、大判リードフレーム２５１の一部を上部から眺めた場合の平面図である。大判リードフレーム２５１上ではＬＥＤダイ２１５、２１６が格子状に配列している。大判リードフレーム２５１は、図中、縦方向に延びる長方形の銅板が配列しているように見える。なお、図示していないが、板状の銅板は上端部又は下端部で連結している。また、図１８において、サファイア基板２３１越しに存在する突起電極２３３を点線で示した。被覆後、大判リードフレーム２５１においてＦで示す部分を切り取るとＬＥＤ装置２００が得られることとなる。なお、図１８には、後述する第６実施形態の説明用に使う符号２８４、２８６及びＧを記載している。【0106】
（第６実施形態）ＬＥＤ装置２００は、ＬＥＤダイ２１５〜２１８が直並列接続していた。ＬＥＤダイの個数を増やしてＬＥＤ装置を明るくしようとする場合、ＬＥＤダイの接続構成は直並列接続に限られず、並列接続であってもよい。そこで、以下に、ＬＥＤダイが並列接続したＬＥＤ装置（半導体発光装置）２７０を説明する。
【0107】
図１９は、ＬＥＤ装置２７０の外形図であり、（ａ）が平面図、（ｂ）が正面図、（ｃ）が右側面図である。【0108】
ＬＥＤ装置２７０を上部から眺めると長方形の被覆部材２７３の中に水平方向に延びるリードフレーム２７１、２７２が見える（図１９（ａ）参照）。リードフレーム２７１とリードフレーム２７２とは、端部が近接している。また、リードフレーム２７１の左側の端部及びリードフレーム２７２の右側の端部は、被覆部材２７３の側端部と一致している。ＬＥＤ装置２７０を正面から眺めると被覆部材２７３のみが見える（図１９（ｂ）参照）。ＬＥＤ装置２７０を右側面から眺めると、被覆部材２７３を分断するように垂直方向に延びるリードフレーム２７２が見える（図１９（ｃ）参照）。なお、図示していないが、ＬＥＤ装置２７０の底面図は、図１９（ａ）の平面図と一致する。また、ＬＥＤ装置２７０の左側面図は、図１９（ｃ）の右側面図と同等で、リードフレーム２７２がリードフレーム２７１に置き換わることとなる。【0110】
図２０（ａ）に示す様に、ＬＥＤ装置２７０は、リードフレーム２７１、２７２及び被覆部材２７３の他に、ＬＥＤダイ２８４、２８５、２８６、２８７を含んでいる。なお図２０（ａ）では、ＬＥＤダイ２８６、２８７はＬＥＤダイ２８４、２８５に隠れているため図示していない。ＬＥＤダイ２８４〜２８７は、ＬＥＤ装置２００に含まれていたＬＥＤダイ２１５〜２１８と同じものであり、リードフレーム２７１、２７２及び被覆部材２７３の材質もＬＥＤ装置２００に含まれていたリードフレーム２１１〜２１３及び被覆部材２１４と同じものである。【0111】
図２０（ｂ）に示す様に、上下に延びたリードフレーム２７１、２７２の間隙２７９から被覆部材２７３が見える。ＬＥＤダイ２８４、２８６は間隙２７９を跨ぐようにしてリードフレーム２７１、２７２と接続している。なお、図示していないが、ＬＥＤダイ２８７はＬＥＤダイ２８６に対向するようにしてリードフレーム２７１、２７２の裏面側で接続されている。なお、ＬＥＤ装置２７０は、図２０（ｂ）の下部を底部として、図１６に示したＬＥＤ装置２００と同様にしてマザー基板に接続される（注意：表現をご確認ください。）。【0112】
図２１は、ＬＥＤ装置２７０の回路図である。【0113】
ＬＥＤダイ２８４、２８５、２８６、２８７が並列接続している。図２７に示す並列回路のアノードとカソードが、それぞれリードフレーム２７１、２７２に相当する。【0114】
図１８を利用して、大判リードフレーム２５１とＬＥＤダイ２８４、２８６の位置関係を説明する。図１８は、ＬＥＤ装置２００について説明した通り、図１７（ｄ）の状態から粘着シート２５２を取り除いた状態で、大判リードフレーム２５１の一部を上部から眺めた場合の平面図である。ＬＥＤダイ２８４、２８６は板状の銅板の間隙を跨ぐようにして格子状に配列している。被覆後、大判リードフレーム２５１から、Ｇで示した領域を切り出すことによって、ＬＥＤ装置２７０が得られる。すなわち、ＬＥＤ装置２００とＬＥＤ装置２７０は、被覆部材で被覆する工程まで共通化しており、被覆後の大判リードフレーム２５１からの切り出し方が異なっている。【0115】
（第７実施形態）ＬＥＤ装置２００、２７０は、リードフレーム２１１〜２１３、及びリードフレーム２７１、２７２と平行な方向にも光を放射する。ＬＥＤ装置２００、２７０の使い方によっては、この放射光が利用しづらいばかりでなく問題となる可能性もある。たとえば、ＬＥＤ装置２００において、リードフレーム２１１〜２１３と垂直な方向に放射する光が被覆部材２１４を通る距離と、水平方向に放射する光が被覆部材２１４を通る距離とが異なる可能性がある。その場合、蛍光体により波長変換される度合いが違ってくるので、放射方向によって、発光色が異なってしまうことがある。そこで、以下に、リードフレームと平行な方向には光を放射せず、リードフレームに垂直な方向にだけ光を放射するＬＥＤ装置（半導体発光装置）３００について説明する。なお。ＬＥＤ装置３００において、ＬＥＤ装置２００と同じ部材について同じ番号を使用した。
【0116】
図２２は、ＬＥＤ装置３００の外形図であり、（ａ）が平面図、（ｂ）が正面図、（ｃ）が右側面図である。【0117】
ＬＥＤ装置３００を上部から眺めると、蛍光体シート３０１、３０３と、蛍光体シート３０１、３０３に挟まれる反射部材３０２と、反射部材３０２の中で水平方向に延びるリードフレーム２１１、２１２、２１３とが見える（図２２（ａ）参照）。リードフレーム２１１とリードフレーム２１２、並びにリードフレーム２１２とリードフレーム２１３は端部が近接している。また、リードフレーム２１１の左端とリードフレーム２１３の右端は蛍光体シート３０１、３０３及び反射部材３０２の左右の側端部と一致している。ＬＥＤ装置３００を正面から眺めると蛍光体シート３０３のみが見える（図２２（ｂ）参照）。ＬＥＤ装置３００を右側面から眺めると、蛍光体シート３０１、３０３と、蛍光体シート３０１、３０３に挟まれた反射部材３０２と、反射部材３０２に挟まれたリードフレーム２１３とが見える（図２２（ｃ）参照）。なお、図示していないが、ＬＥＤ装置３００の底面図は図２２（ａ）の平面図と一致する。また、ＬＥＤ装置３００の左側面図は図２２（ｃ）の右側面図と同等になり、リードフレーム２１３がリードフレーム２１１に置き換わることとなる。【0119】
ＬＥＤ装置３００は、リードフレーム２１１、２１２、２１３、反射部材３０２、蛍光体シート３０１、３０３及びＬＥＤダイ２１５〜２１８を含んでいる。ＬＥＤ装置３００では、ＬＥＤ装置２００と同様に（図１４参照）、リードフレーム２１１〜２１３の表面においてＬＥＤダイ２１５、２１６が間隙２１９を跨ぐようにフリップチップ実装されている。同様に、リードフレーム２１１、２１２の裏面においてＬＥＤダイ２１７、２１８が間隙２１９を跨ぐようにフリップチップ実装されている。なお、リードフレーム２１１〜２１３及びＬＥＤダイ２１５〜２１８は、ＬＥＤ装置３００とＬＥＤ装置２００で同じものとなる。また、ＬＥＤ装置３００において、リードフレーム２１１〜２１３の表面処理及びリードフレーム２１１〜２１３とＬＥＤダイ２１５〜２１８の接続構造もＬＥＤ装置２００と等しい。【0120】
ＬＥＤ装置３００において、ＬＥＤダイ２１５〜２１８の底面及び側面は反射部材３０２で被覆され、ＬＥＤダイ２１５〜２１８の上面は蛍光体シート３０１、３０３で被覆されている。すなわち、ＬＥＤ３００では、被覆部材が反射部材３０２と蛍光体シート３０１、３０３から構成されている。反射部材３０２は、シリコーン樹脂やオルガノポリシロキサンのような透明バインダー中に酸化チタンやアルミナなどの反射性微粒子を混練し硬化させたものである。蛍光体シート３０１、３０３は、シリコーン樹脂に蛍光体を混練し硬化させたものである。蛍光体シート３０１、３０３は、透明接着剤（図示せず）によりＬＥＤダイ２１５〜２１８の上面及び反射部材３０２と接着している。【0121】
図２４は、ＬＥＤ装置３００の製造方法を説明するための説明図である。【0122】
ＬＥＤ３００の製造方法において、ＬＥＤ装置２００の製造方法における、大判リードフレームを準備する工程（図１７（ａ）参照）、粘着シートにＬＥＤダイを配列する工程（図１７（ｂ）及び（ｃ）参照）、ＬＥＤダイを大判リードフレームに接続する工程（図１７（ｄ）参照）は、同じものとなるので省略した。【0124】
次に、図２４（ａ）の状態から粘着シート２５２だけを剥がす（図２４（ｂ）参照）。なお、図２４（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）は、ＬＥＤダイ２１５〜２１８を反射部材２２２と蛍光体シート２２１、２２３で被覆する工程である。【0125】
次に、ＬＥＤダイ２１５〜２１８の側面と底面を被覆するためＬＥＤダイ２１５〜２１８間に硬化前の反射部材２２２を充填する（図２４（ｃ）参照）。充填後、１５０℃程度で反射部材２２２を硬化させる。充填はスキージで良く、硬化後ＬＥＤダイ２１５、２１６の上面に残った反射部材２２２を研磨によって除去する。なお、ディスペンサを使って正確に計量された反射部材２２２を充填しても良い。その場合はＬＥＤダイ２１５、２１６の上面の研磨が不要となる。【0126】
次に、蛍光体シート２２１、２２３でＬＥＤダイ２１５〜２１８の上面を被覆する（図２４（ｄ）参照）。ＬＥＤダイ２１５、２１６及び反射部材２２２の上面に透明接着剤を塗布し蛍光体シート２２１を貼り付ける。これと並行し粘着シート２５３を剥がし、ＬＥＤダイ２１７、２１８の上面（図では下の面）及び反射部材２２２に透明接着剤を塗布し蛍光体シート２２３を貼り付ける。なお、蛍光体シート２２１、２２３の代わりに、シリコーン等の透明バインダー中に蛍光体を混連させた蛍光樹脂をＬＥＤダイ２１５〜２１８の上面及び反射部材２２２に塗布し、これを硬化させて蛍光体層を形成しても良い。この場合、蛍光体層がＬＥＤダイ２１５〜２１８上面の被覆用蛍光部材となる。しかしながら、ＬＥＤ装置３００のように蛍光部材が蛍光体シート２２１、２２３である場合は、反射部材２２２による被覆と蛍光シート２２１、２２３の準備とを同時並行して行えるので、被覆工程を短時間に処理できるという利点がある。【0127】
最後に、被覆が完了した大判リードフレーム２５１を切断して、個片化したＬＥＤ装置３００を得る（図２４（ｅ）参照）。図２４（ｅ）は、被覆部材の違いを除いて図１７（ｆ）の工程と同じものである。【0128】
ＬＥＤ装置２００、２７０、３００では、４個のＬＥＤダイ２１５〜２１８若しくはＬＥＤダイ２８４〜２８７の順方向電圧降下量を等しくしておかなければならない。例えば、生産現場において順方向電圧降下量の違いを０．１Ｖ以内に収める必要がある。つまり生産現場ではＬＥＤダイが密集したダイシング後のウェハーから順方向電圧降下量によってＬＥＤダイをランク分けしている。このとき、ランク分けと同時にＬＥＤダイを粘着シート２５２、２５３上に所定のピッチと方向で配列させてしまえばピックアップ作業を共通化でき製造工程を短縮できる。【0129】
ＬＥＤ装置２００、２７０、３００では、リードフレーム２１１、２１３若しくはリードフレーム２７１、２７２の切断面と被覆部材２１４、２７３（ＬＥＤ装置３００では反射部材３０２）の切断面とが一致していた。しかしながら、ＬＥＤ装置２００、２７０、３００において、マザー基板に実装する際、接続強度が不足する場合はリードフレーム２１１、２１３若しくはリードフレーム２７１、２７２の端部を被覆部材２１４、２７３（ＬＥＤ装置３００では反射部材３０２）の切断面からはみ出させても良い。例えば、図１３（ａ）において、リードフレーム２１１、２１３を水平方向の延ばしても良い。このとき、外部に延出したリードフレーム２１１、２１３若しくはリードフレーム２７１、２７２をＬＥＤ装置２００、２７０、３００の側面に沿って曲げても良い。【0130】
ＬＥＤ装置３００では、ＬＥＤダイ２１５〜２１８側面を反射部材３０２で被覆し、ＬＥＤダイ２１５〜２１８の上面とともに反射部材７２の上下の面（図２０参照）に蛍光体シート２７１、２７３を貼り付けていた。しかしながら、リードフレーム２１１〜２１３に対し垂直な方向にだけ光を放射させようとする場合、蛍光部材が積層したＬＥＤダイの側面とともに、ＬＥＤダイの上部に積層した蛍光部材の側面部にも反射部材がある構造であっても良い。この様な、ＬＥＤ装置は、予めウェハー状態でサファイア基板上に蛍光体層を形成しておき、このウェハーをダイシングし上部に蛍光体層を備えたＬＥＤダイが得られたら、ＬＥＤ装置２００に対する製造方法で示したように２枚の粘着シートと大判リードフレームを使う集合工法を適用する。つまり、大判リードフレームの両面にＬＥＤダイを実装したら、ＬＥＤダイの周囲に反射部材を充填し、大判リードフレームを切断する。なお、蛍光体層のバインダーは、ＬＥＤダイと大判リードフレームの接合温度に耐えられるようガラスなどの透明無機材料から選ぶことが好ましい。