(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
入力電圧が加わる入力端子と出力電圧が加わる出力端子との間に設けられたトランジスタ、又は、前記入力電圧のスイッチングにより前記出力端子に前記出力電圧を発生させるトランジスタである出力トランジスタと、
前記出力電圧に応じた帰還電圧と、基準電圧と、の比較結果に基づき、前記出力トランジスタを制御する誤差増幅器と、
前記入力電圧に基づき第1電圧を生成する第1電圧生成回路と、
前記出力電圧に基づき第2電圧を生成する第2電圧生成回路と、を備え、
前記基準電圧として、前記入力電圧に基づき前記第1電圧生成回路により生成された前記第1電圧、又は、前記出力電圧に基づき前記第2電圧生成回路により生成された前記第2電圧を用いる
ことを特徴とする電源回路。
入力電圧が加わる入力端子と出力電圧が加わる出力端子との間に設けられたトランジスタ、又は、前記入力電圧のスイッチングにより前記出力端子に前記出力電圧を発生させるトランジスタである出力トランジスタと、
前記出力電圧に応じた帰還電圧と、基準電圧と、の比較結果に基づき、前記出力トランジスタを制御する誤差増幅器と、
前記入力電圧に基づき第1電圧を生成して出力する第1電圧生成回路と、
前記出力電圧の大きさが所定値より大きいとき、前記出力電圧に基づき前記第1電圧よりも大きな第2電圧を生成して出力する第2電圧生成回路と、を備え、
前記出力電圧の大きさが前記所定値より小さいとき、前記基準電圧は、前記入力電圧に基づき生成され、
前記出力電圧の大きさが前記所定値より大きいとき、前記基準電圧は、前記出力電圧に基づき生成され、
前記誤差増幅器は、前記第1及び第2電圧生成回路の出力を受ける第1及び第2入力端子を有し、前記第1及び第2入力端子への入力電圧の内、大きい方の電圧を前記基準電圧として用いて、前記出力トランジスタを制御する
ことを特徴とする電源回路。
前記入力電圧に基づき前記第1電圧生成回路により生成された前記第1電圧又は前記出力電圧に基づき前記第2電圧生成回路により生成された前記第2電圧を、選択的に前記基準電圧として前記誤差増幅器に供給する切替スイッチと、
前記出力電圧に基づき前記切替スイッチを制御するスイッチ制御回路と、を更に備えた
ことを特徴とする請求項2に記載の電源回路。
【発明を実施するための形態】
【0018】
以下、本発明の実施形態の例を、図面を参照して具体的に説明する。参照される各図において、同一の部分には同一の符号を付し、同一の部分に関する重複する説明を原則として省略する。尚、本明細書では、記述の簡略化上、情報、信号、物理量、状態量又は部材等を参照する記号又は符号を記すことによって該記号又は符号に対応する情報、信号、物理量、状態量又は部材等の名称を省略又は略記することがある。
【0019】
<<第1実施形態>>
本発明の第1実施形態を説明する。
図1(a)は、本発明の第1実施形態に係る電源回路1の概略構成図である。電源回路1は、直流の入力電圧Vinから、入力電圧Vinと電圧値が異なる直流の出力電圧Voを生成する。電源回路1は、半導体集積回路である電源IC10を含んで形成される。電源IC10そのものが電源回路1であると考えても良い。電源回路1は、主としてシリーズレギュレータであることが想定される。電源回路1は、所謂LDO(low drop out)レギュレータに分類されるものであって良い。電源IC10は、入力電圧Vinが加わる入力端子11と、出力電圧Voが加わる出力端子12と、を備え、更に、符号21〜23によって参照される各部位を備える。
【0020】
出力端子12には出力コンデンサCoが接続される。LDは、出力端子12に接続された負荷を表している。入力電圧Vin及び出力電圧Voなどの各電圧の基準となる電位を基準電位と呼び、基準電位を有する配線、金属層又は点をグランド(基準電位ライン)と呼ぶ。基準電位は0V(ボルト)である。本実施形態では、入力電圧Vin及び出力電圧Voが正であるとする。従って、出力コンデンサCoの正極は出力端子12に接続され、出力コンデンサCoの負極はグランドに接続される。
【0021】
出力トランジスタ21は、入力端子11と出力端子12との間に設けられ、出力電圧Voが所定の目標電圧Vtgに保たれるように入力端子11及び出力端子12間に流れる電流を調整する。出力トランジスタ21として、MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)又はJFET(junction field-effect transistor)等の電界効果トランジスタ、又は、バイポーラトランジスタを用いることができる。
図1(a)では、入力端子11及び出力端子12間に出力トランジスタ21のみが示されているが、入力端子11及び出力端子12間に出力トランジスタ21以外の回路素子が介在し得る。また、電源回路1をスイッチングレギュレータとして形成する場合においては、入力端子11及び出力端子12間に出力トランジスタ21が存在しないこともある。
【0022】
帰還回路22は、出力端子12に接続され、出力電圧Voに応じた帰還電圧Vfbを生成及び出力する。帰還電圧Vfbは出力電圧Voと一致し得る。
【0023】
誤差増幅器23は、基準電圧Vref及び帰還電圧Vfbの入力を受け、それらの差電圧(Vref−Vfb)がゼロに近づくように制御電圧Vcntを生成することで、出力電圧Voを所定の目標電圧Vtgに保つ。当然であるが、出力電圧Voを目標電圧Vtgに保つ制御は、出力電圧Voを目標電圧Vtgに近づける制御を含んでいる。誤差増幅器23は入力電圧Vinにて駆動することができる。電源回路1がシリーズレギュレータである場合、制御電圧Vcntは、出力トランジスタ21の制御端子に供給される。出力トランジスタ21が電界効果トランジスタである場合、出力トランジスタ21の制御端子及び制御電圧Vcntは出力トランジスタ21のゲート及びゲート電圧である。出力トランジスタ21がバイポーラトランジスタである場合、出力トランジスタ21の制御端子及び制御電圧Vcntは出力トランジスタ21のベース及びベース電圧である。
【0024】
ところで、入力電圧Vinの直流成分は、所定の電圧範囲内で変動しうる。例えば、バッテリ又はACアダプタにて駆動する電子機器(ノート型のパーソナルコンピュータ等)に電源回路1を搭載し、バッテリ又はACアダプタの出力電圧を選択的に入力電圧Vinとして利用する場合を考える。この場合、入力電圧Vinの直流成分は、例えば、7Vになったり19Vになったりする。入力電圧Vinの直流成分の変動に対する出力電圧Voの直流成分の変動量を示す特性として、一般に、ラインレギュレーション(電源変動率とも呼ばれる)が定義される。また、入力電圧Vinは、上記直流成分の電圧値を中心にして比較的高周波で変動し、入力電圧Vinにおける比較的高周波での変動は電源リップルと呼ばれる。そして、電源リップルを取り除く能力を示す特性として、一般に、PSRR(電源電圧変動除去比)が定義される。ラインレギュレーション及びPSRRの特性改善が有益であることは言うまでもない。
【0025】
一般的な電源回路では、入力電圧から基準電圧を生成するが、この場合、入力電圧の変動が基準電圧の変動を招き、入力電圧の変動に基づく基準電圧の変動が出力電圧にも影響を与える。この影響には、ラインレギュレーション、PSRR及び出力ノイズ等の特性の劣化が含まれる。
【0026】
これを考慮し、電源回路1における誤差増幅器23は、帰還電圧Vfbと、入力電圧Vin又は出力電圧Voを選択的に用いて生成された基準電圧Vrefとを比較し、その比較結果に基づき、制御電圧Vcntの生成及び出力を介して出力トランジスタ21を制御する。電源回路1の起動時など、出力電圧Voが相応に高くない状況においては、出力電圧Voから基準電圧Vrefを生成することが困難である。そこで、
図1(b)に示す如く、上記比較に利用される基準電圧Vrefを、出力電圧Voの大きさが所定の閾値Vthより小さいときには入力電圧Vinに基づき生成し、出力電圧Voの大きさが所定の閾値Vthより大きいときには入力電圧Voに基づき生成する。ここで、Vthは、目標電圧Vtgの大きさよりも小さい正の電圧量である(即ち、0<Vth<Vtg)。出力電圧Voの大きさが閾値Vthと一致するとき、基準電圧Vrefは、入力電圧Vinを用いて生成されても良いし、出力電圧Voを用いて生成されても良い。以下では、基本的に、出力電圧Voの大きさが閾値Vthと一致するとき、出力電圧Voを用いて基準電圧Vrefが生成されると考える。或る電圧の大きさとは、当該電圧の絶対値を指す。ここでは、“Vo>0”を想定しているため、出力電圧Voの大きさは出力電圧Voの値に等しい。
【0027】
尚、本明細書では、入力電圧Vinの電圧値を、記号Vinによって表すものとする。アルファベット“V”を含む記号(Vo、Vth等)にて参照される、他の任意の電圧量についても同様とする。
【0028】
図2を参照し、入力電圧Vin及び出力電圧Voの変化の様子を示す。時間が進行するにつれて、時刻t1、t2、t3、t4、t5が、この順番で訪れるものとする。時刻t1以前においては、入力電圧Vin及び出力電圧Voは共に0V(ボルト)である。入力電圧Vinは、時刻t1を起点として、時刻t1及びt5間で0Vから規定値まで単調に増加してゆく。時刻t2を含む、時刻t1より後の時刻において、入力電圧Vinは0Vよりも大きいが、時刻t1及びt2間では、誤差増幅器23を含む制御系が起動しておらず、出力電圧Voは0Vである。当該制御系は時刻t2にて起動し、時刻t2を起点として出力電圧Voが0Vから上昇して、時刻t3にて出力電圧Voの電圧値が閾値Vthに達する(即ち、閾値Vthと一致する)。その後も出力電圧Voは上昇を続け、時刻t4にて目標電圧Vtgに達し、その後の出力電圧Voは目標電圧Vtgにて安定化する。尚、出力コンデンサCoの容量等に依存して、出力電圧Voが目標電圧Vtgに達する時刻は時刻t5よりも後になりうる。
【0029】
時刻t2以後、時刻t3に至る前においては、“Vo<Vth”であるため、入力電圧Vinに基づき生成された基準電圧Vrefが誤差増幅器23で利用される。時刻t3より後においては、“Vo>Vth”であるため、出力電圧Voに基づき生成された基準電圧Vrefが誤差増幅器23で利用される。
【0030】
上記の電源回路1によれば、定常状態において出力電圧Voから基準電圧Vrefが生成される。このため、定常状態において入力電圧Vinの変動に起因する基準電圧Vrefの変動が排除され、電源回路1の特性の向上(ラインレギュレーション及びPSRRの向上、出力ノイズの低減等)が図られる。LDOレギュレータは、一般的に、ノイズの少ない一定電圧を出力することができる。従って、電源回路1がLDOレギュレータである場合、その出力を基準電圧Vrefの生成に利用することで、基準電圧Vrefは非常に安定した電圧となり、その基準電圧Vrefを受けて動作するLDOレギュレータも、更に安定した出力を生成することが可能となる。尚、出力電圧Voに基づく基準電圧Vrefの生成に関して負帰還回路を形成している訳ではないので、基準電圧Vrefが発振することはない。
【0031】
<<第2実施形態>>
本発明の第2実施形態を説明する。第2実施形態及び後述の第3〜第8実施形態は第1実施形態を基礎とする実施形態であり、第2〜第8実施形態において特に述べない事項に関しては、特に記述無き限り且つ矛盾の無い限り、第1実施形態の記載が第2〜第8実施形態にも適用される。矛盾の無い限り、第1〜第8実施形態の内、任意の複数の実施形態を組み合わせても良い。
【0032】
図3は、本発明の第2実施形態に係る電源回路1a及び電源IC10aの回路図である。電源回路1a及び電源IC10aは、
図1(a)の電源回路1及び電源IC10の例である。電源回路1と同様、電源回路1aにおいても、電源IC10aに入力端子11及び出力端子12が設けられ、出力端子12に出力コンデンサCo及び負荷LDが接続される。電源IC10aは、更に、符号30〜35によって参照される各部位を備える。出力トランジスタ30、分圧抵抗31及び32の直列回路、誤差増幅器35は、夫々、
図1(a)の出力トランジスタ21、帰還回路22、誤差増幅器23の例である。
【0033】
出力トランジスタ30はPチャンネル型のMOSFETであり、以下、出力トランジスタ30をFET30とも呼ぶ。FET30のソースは、入力端子11に接続されて入力電圧Vinが印加される。FET30のドレインは、出力端子12に接続されると共に分圧抵抗31及び32の直列回路を介してグランドに接続される。より具体的には、FET30のドレインは分圧抵抗31の一端に接続され、分圧抵抗31の他端は分圧抵抗32を介してグランドに接続される。分圧抵抗31及び32間の接続点の電圧(即ち、出力電圧Voを抵抗31及び32の抵抗値に依存する比にて分圧した電圧)が、帰還電圧Vfbとして誤差増幅器35の非反転入力端子に入力される。
【0034】
第1電圧生成回路(第1基準電圧生成回路)33は、入力端子11に加わる電圧(即ち入力電圧Vin)に基づき、正の所定電圧値を有する所定の電圧(第1基準電圧)V1aを生成及び出力する。以下では、正の所定電圧値を有する所定の電圧V1aが生成できる程度に、入力電圧Vinが0Vよりも大きい状態を考える。
【0035】
第2電圧生成回路(第2基準電圧生成回路)34は、出力端子12に加わる電圧(即ち出力電圧Vo)に基づき、正の所定電圧値を有する所定の電圧(第2基準電圧)V2aを生成及び出力する。ここで、電圧V2aは電圧V1aよりも大きい。但し、出力電圧Voの大きさが閾値Vthより小さいとき、第2電圧生成回路34は、起動できず、結果、電圧V1aよりも大きな電圧V2aを生成及び出力することができない。逆に言えば、出力電圧Voの大きさが閾値Vth以上であるときにのみ、第2電圧生成回路34は、起動して、電圧V1aよりも大きな電圧V2aを生成及び出力できる。出力電圧Voの大きさが閾値Vth未満であるとき、第2電圧生成回路34の出力電圧は第1電圧生成回路33の出力電圧よりも小さく、ゼロでありうる。
【0036】
誤差増幅器35には、反転入力端子として、第1及び第2反転入力端子が設けられており、第1、第2反転入力端子に対し、夫々、第1電圧生成回路33の出力電圧、第2電圧生成回路34の出力電圧が入力される。そして、誤差増幅器35は、第1及び第2反転入力端子への入力電圧の内、大きい方の電圧を基準電圧Vrefとして用いて、基準電圧Vref及び帰還電圧Vfbに基づきFET30を制御する。FET30の制御は、FET30のゲート電圧(FET30のゲートの電位)の制御により実現される。FET30のゲート電圧は、制御電圧Vcntの例である。
【0037】
このような電源回路1aによれば、“Vo<Vth”が成立する期間において、電圧V1aが基準電圧Vrefとして機能し、電圧V1aを用いて誤差増幅器35及びFET30が制御される。“Vo≧Vth”が成立すると、電圧V2aが基準電圧Vrefとして機能し、電圧V2aを用いて誤差増幅器35及びFET30が制御される。このため、第1実施形態で述べたような電源回路の特性向上が図られる。
【0038】
電圧V2aが基準電圧Vrefとして機能するときに、出力電圧Voが目標電圧Vtgで安定化するよう、電圧V2aの値並びに分圧抵抗31及び32の抵抗値が定められている。電圧V1aが基準電圧Vrefとして機能しているときの出力電圧Voは、目標電圧Vtgよりも小さい。電圧V1aが基準電圧Vrefとして機能しているときの出力電圧Voにて電圧V2aを生成できるよう、電圧V1aの値が設定され且つ第2電圧生成回路34が設計されている。
【0039】
<<第3実施形態>>
本発明の第3実施形態を説明する。
図4は、本発明の第3実施形態に係る電源回路1b及び電源IC10bの回路図である。電源回路1b及び電源IC10bは、
図1(a)の電源回路1及び電源IC10の例である。
図3の電源回路1aと同様、電源回路1bにおいても、電源IC10bに、入力端子11、出力端子12、FET30、分圧抵抗31及び分圧抵抗32が設けられており、出力端子12に出力コンデンサCo及び負荷LDが接続される。電源回路1b並びに後述の電源回路1c及び1d(
図5、
図6参照)において、入力端子11、出力端子12、FET30、分圧抵抗31、分圧抵抗32、出力コンデンサCo、負荷LD及びグランド間の接続関係は、
図3の電源回路1aのそれと同じであり、分圧抵抗31及び32間の接続点の電圧が帰還電圧Vfbとして機能する。電源IC10bは、更に、符号41〜45によって参照される各部位を備える。誤差増幅器44は
図1(a)の誤差増幅器23の例である。
【0040】
第1電圧生成回路(第1基準電圧生成回路)41は、入力端子11に加わる電圧(即ち入力電圧Vin)に基づき、正の所定電圧値を有する所定の電圧(第1基準電圧)V1bを生成及び出力する。入力電圧Vinが所定の第1起動電圧以下であるとき、第1電圧生成回路41は電圧V1bを生成及び出力できないが、以下では、電圧V1bが生成できる程度に入力電圧Vinが大きい状態を考える。
【0041】
第2電圧生成回路(第2基準電圧生成回路)42は、出力端子12に加わる電圧(即ち出力電圧Vo)に基づき、正の所定電圧値を有する所定の電圧(第2基準電圧)V2bを生成及び出力する。出力電圧Voが所定の第2起動電圧以下であるとき、第2電圧生成回路42は電圧V2bを生成及び出力できないが、以下では、電圧V2bが生成できる程度に出力電圧Voが大きい状態を考える。尚、出力電圧Voが所定の第2起動電圧以下であるときには、“Vo<Vth”が成立しており、生成回路42が電圧V2bを出力しているときにのみ“Vo>Vth”が成立する。
【0042】
切替スイッチ43は、生成回路41及び42からの電圧V1b及びV2bの内、どちらか一方を選択し、選択した電圧を基準電圧Vrefとして誤差増幅器44に供給する。即ち、切替スイッチ43は、電圧V1b又はV2bを基準電圧Vrefとして選択的に誤差増幅器44に与える。
【0043】
誤差増幅器44は、切替スイッチ43を介して基準電圧Vrefを受ける反転入力端子と、帰還電圧Vfbを受ける非反転入力端子を有し、基準電圧Vref及び帰還電圧Vfbに基づきFET30を制御する。FET30の制御は、FET30のゲート電圧(FET30のゲートの電位)の制御により実現される。
【0044】
スイッチ制御回路45は、出力電圧Voの大きさに応じて切替スイッチ43を制御する。即ち、スイッチ制御回路45は、出力電圧Voに応じた電圧を検出して、その検出結果から“Vo<Vth”の成否を判定し、“Vo<Vth”の成立時には電圧V1bが基準電圧Vrefとして選択されるように且つ“Vo≧Vth”の成立時には電圧V2bが基準電圧Vrefとして選択されるように切替スイッチ43を制御する。出力電圧Voに応じた電圧は、出力電圧Voそのものであっても良い。
図4の例では、閾値Vthの電圧値を持つ電圧を発生する電圧源46と、電圧源46の発生電圧(Vth)と出力電圧Voを比較する比較器47にて、スイッチ制御回路45が形成されている。スイッチ制御回路45は、入力電圧Vinに基づき駆動して良い。
【0045】
このような電源回路1bによれば、“Vo<Vth”が成立する期間において、電圧V1bが基準電圧Vrefとして機能し、電圧V1bを用いて誤差増幅器44及びFET30が制御される。“Vo≧Vth”が成立すると、電圧V2bが基準電圧Vrefとして機能し、電圧V2bを用いて誤差増幅器44及びFET30が制御される。このため、第1実施形態で述べたような電源回路の特性向上が図られる。
【0046】
電圧V1b及びV2bの一致/不一致は問わない。但し、電圧V2bが基準電圧Vrefとして機能するとき、定常状態において出力電圧Voは目標電圧Vtgにて安定化する。電圧V1bは電圧V2bより小さくても良い。電圧V1bが基準電圧Vrefとして機能しているときの出力電圧Voから、生成回路42が所望の電圧V2bを生成できるよう、電圧V1bの値が設定されている。
【0047】
<<第4実施形態>>
本発明の第4実施形態を説明する。
図5は、本発明の第4実施形態に係る電源回路1c及び電源IC10cの回路図である。電源回路1c及び電源IC10cは、
図1(a)の電源回路1及び電源IC10の例である。
図3の電源回路1aと同様、電源回路1cにおいても、電源IC10cに、入力端子11、出力端子12、FET30、分圧抵抗31及び分圧抵抗32が設けられており、出力端子12に出力コンデンサCo及び負荷LDが接続される。電源IC10cは、更に、符号51〜54によって参照される各部位を備える。誤差増幅器52は
図1(a)の誤差増幅器23の例である。
【0048】
基準電圧生成回路51は、給電端子51Tを有し、給電端子51Tに供給される駆動電圧Vccに基づき、基準電圧Vrefを生成する。駆動電圧Vccが所定の起動電圧以下であるとき、基準電圧生成回路51は基準電圧Vrefを生成及び出力できないが、以下では、基準電圧Vrefが生成できる程度に駆動電圧Vccが大きい状態を考える。
【0049】
誤差増幅器52は、基準電圧生成回路51からの基準電圧Vrefを受ける反転入力端子と、帰還電圧Vfbを受ける非反転入力端子を有し、基準電圧Vref及び帰還電圧Vfbに基づきFET30を制御する。FET30の制御は、FET30のゲート電圧(FET30のゲートの電位)の制御により実現される。誤差増幅器52による差電圧(Vref−Vfb)をゼロに近づける制御により、定常状態において出力電圧Voは目標電圧Vtgにて安定化する。
【0050】
切替スイッチ53は、入力端子11及び出力端子12と給電端子51Tとの間に介在し、入力電圧Vin又は出力電圧Voを選択的に給電電圧Vccとして給電端子51Tに供給する。
【0051】
スイッチ制御回路54は、出力電圧Voの大きさに応じて切替スイッチ53を制御する。即ち、スイッチ制御回路54は、出力電圧Voに応じた電圧を検出して、その検出結果から“Vo<Vth”の成否を判定し、“Vo<Vth”の成立時には入力電圧Vinが給電電圧Vccとして給電端子51Tに供給されるように且つ“Vo≧Vth”の成立時には出力電圧Voが給電電圧Vccとして給電端子51Tに供給されるように切替スイッチ53を制御する。出力電圧Voに応じた電圧は、出力電圧Voそのものであっても良い。
図5の例では、閾値Vthの電圧値を持つ電圧を発生する電圧源55と、電圧源55の発生電圧(Vth)と出力電圧Voを比較する比較器56にて、スイッチ制御回路54が形成されている。スイッチ制御回路54は、入力電圧Vinに基づき駆動して良い。
【0052】
このような電源回路1cによれば、“Vo<Vth”が成立する期間において、入力電圧Vinから基準電圧Vrefが生成され、“Vo≧Vth”が成立すると、出力電圧Voから基準電圧Vrefが生成される。このため、第1実施形態で述べたような電源回路の特性向上が図られる。
【0053】
<<第5実施形態>>
本発明の第5実施形態を説明する。
図6は、本発明の第5実施形態に係る電源回路1d及び電源IC10dの回路図である。電源回路1d及び電源IC10dは、
図1(a)の電源回路1及び電源IC10の例である。
図3の電源回路1aと同様、電源回路1dにおいても、電源IC10dに、入力端子11、出力端子12、FET30、分圧抵抗31及び分圧抵抗32が設けられており、出力端子12に出力コンデンサCo及び負荷LDが接続される。電源IC10dは、更に、符号61〜64によって参照される各部位を備える。誤差増幅器62は
図1(a)の誤差増幅器23の例である。
【0054】
基準電圧生成回路61は、給電端子61Tを有し、給電端子61Tに供給される駆動電圧Vccに基づき、基準電圧Vrefを生成する。駆動電圧Vccが所定の起動電圧以下であるとき、基準電圧生成回路61は基準電圧Vrefを生成及び出力できないが、以下では、基準電圧Vrefが生成できる程度に駆動電圧Vccが大きい状態を考える。
【0055】
誤差増幅器62は、基準電圧生成回路61からの基準電圧Vrefを受ける反転入力端子と、帰還電圧Vfbを受ける非反転入力端子を有し、基準電圧Vref及び帰還電圧Vfbに基づきFET30を制御する。FET30の制御は、FET30のゲート電圧(FET30のゲートの電位)の制御により実現される。誤差増幅器62による差電圧(Vref−Vfb)をゼロに近づける制御により、定常状態において出力電圧Voは目標電圧Vtgにて安定化する。
【0056】
ダイオード部63は、入力電圧Vinが加わる入力端子11と給電端子61Tとの間に設けられたm個の第1ダイオードから成る。
図6の例では“m=3”であるが、mは2以上の任意の整数でありうる。“m≧2”の場合、m個の第1ダイオードは互いに直列接続され、m個の第1ダイオードの直列回路が入力端子11及び給電端子61T間に設けられる。ここで、各第1ダイオードの順方向は、入力端子11から給電端子61Tに向かう方向と一致する。
【0057】
ダイオード部64は、出力電圧Voが加わる出力端子12と給電端子61Tとの間に設けられたn個の第2ダイオードから成る。
図6の例では、“n=1”であるが、nは2以上の整数でありうる。“n=1”の場合、単一の第2ダイオードのアノード及びカソードが夫々出力端子12及び給電端子61Tに接続される。“n≧2”の場合、n個の第2ダイオードは互いに直列接続され、n個の第2ダイオードの直列回路が出力端子12及び給電端子61T間に設けられる。ここで、各第2ダイオードの順方向は、出力端子12から給電端子61Tに向かう方向と一致する。
【0058】
電源回路1dは、出力電圧Voが比較的小さい第1状態又は出力電圧Voが比較的大きい第2状態をとる。第1状態においては、入力端子11からダイオード部63を通じ電圧(Vin−Vf
63)が給電電圧Vccとして給電端子61Tに加わる一方、第2状態においては、出力端子12からダイオード部64を通じ電圧(Vo−Vf
64)が給電電圧Vccとして給電端子61Tに加わる。Vf
63は、m個の第1ダイオードが導通するときのダイオード部63での電圧降下であり、Vf
64は、n個の第2ダイオードが導通するときのダイオード部64での電圧降下である。
【0059】
ここで、“Vo<Vth”の成立時には、電圧(Vin−Vf
63)が電圧(Vo−Vf
64)よりも大きくなるように、且つ、“Vo>Vth”の成立時には、電圧(Vin−Vf
63)が電圧(Vo−Vf
64)よりも小さくなるように、電圧Vf
63及びVf
64が調整されている。電圧Vf
63及びVf
64の調整を、m及びnの値の調整によって実現可能である。
【0060】
このような調整により、“Vo<Vth”の成立時には、ダイオード部63を介して入力電圧Vinに基づく電圧(Vin−Vf
63)が給電端子61Tに供給され、“Vo>Vth”の成立時には、ダイオード部64を介して出力電圧Voに基づく電圧(Vo−Vf
64)が給電端子61Tに供給される。“Vo=Vth”の成立時には、入力端子11及び出力端子12の双方からダイオード部63及び64並びに給電端子61Tを介して、基準電圧生成回路61へ駆動電力が供給される。実際には、ダイオード部63、64に流れる電流の大きさ等に依存して電圧降下Vf
63、Vf
64が或る程度変化するため、“Vo<Vth”又は“Vo>Vth”の成立時においても差電圧(Vo−Vth)が微小であるときには、入力端子11及び出力端子12の双方から、ダイオード部63及び64並びに給電端子61Tを介して、基準電圧生成回路61へ駆動電力が供給される。
【0061】
このように、電源回路1dによれば、“Vo<Vth”が成立する期間において、入力電圧Vinから基準電圧Vrefが生成され、“Vo>Vth” が成立する期間において、出力電圧Voから基準電圧Vrefが生成される。このため、第1実施形態で述べたような電源回路の特性向上が図られる。
【0062】
尚、
図6の電源回路1dはシリーズレギュレータであるため、mは2以上に設定され且つ“m>n”とされている(従って、Vf
63>Vf
64)。しかしながら、後述されるような昇圧型のスイッチングレギュレータにダイオード部63及び64を設ける場合、mは1でありうるし、“m≦n”とされうる。“m=1”の場合、単一の第1ダイオードのアノード及びカソードを夫々入力端子11及び給電端子61Tに接続すれば良い。
【0063】
ここで、
図3〜
図6の構成を対比する。
図3〜
図6の何れの構成においても電源回路の特性向上が図られるが、
図5の構成では、切替スイッチ53を通じて逆流電流が流れるおそれがあり、
図6の構成では、ダイオード部63及び64で電圧降下が発生する。ダイオード部での電圧降下は、基準電圧Vrefの生成に最低限必要な入力電圧Vin又は出力電圧Voの増大を招くし、電圧降下分の電力消費が発生するため、そのような電圧降下は避けられるなら避けた方が良い。
図4の構成では、そのような逆流電流又は電圧降下が生じることが無いという点で、
図5及び
図6の構成よりも優位性がある。
【0064】
また、
図4及び
図5の構成のように切替スイッチ(43、53)を用いた場合、スイッチの切り替え時において電源回路の動作に異常が発生する可能性がある。これに対し、
図3の構成では、そのような切り替えが成されないため、動作異常の発生が懸念されることが無い。更に、
図3の構成では、ダイオード部での電圧降下が生じることが無いという点で、
図6の構成よりも優位性がある。
【0065】
<<第6実施形態>>
本発明の第6実施形態を説明する。
図1(a)の電源回路1がシリーズレギュレータであることを想定して、その例である電源回路1a〜1dを説明したが、電源回路1はスイッチングレギュレータとして形成されていても良い。
図7に、スイッチングレギュレータとして形成された電源回路1eの回路図を示す。電源回路1eは、電源IC10eを備えると共に、インダクタ101、分圧抵抗31及び32並びに出力コンデンサCoを備える。電源回路1e及び電源IC10eは、
図1(a)の電源回路1及び電源IC10の例である。スイッチングレギュレータにおける出力トランジスタは、入力電圧Vinに対するスイッチングにより(入力端子11及び出力トランジスタを含む電流の流路を出力トランジスタのオン/オフによって交互に形成又は遮断することにより)、出力端子12に出力電圧Voを発生させる。
【0066】
電源IC10eは、
図3の電源IC10aにも含まれるFET30、生成回路33及び34並びに誤差増幅器35を備える。生成回路33及び34並びに誤差増幅器35の機能とそれらの接続関係は、上述した通りである。
【0067】
電源回路1eにおいて、分圧抵抗31及び32並びに出力端子12は電源IC10の外に配置され、入力端子11に接続されたソースを有するFET30のドレインは、ダイオード102のカソードとインダクタ101の一端に共通接続される。ダイオード102のアノードはグランドに接続される。インダクタ101の他端は、分圧抵抗31及び32の直列回路を介してグランドに接続されると共に出力トランジスタCoを介してもグランドに接続される。インダクタ101と分圧抵抗31及び32の直列回路と出力トランジスタCoとの接続点が、出力端子12として機能する。分圧抵抗31と分圧抵抗32の接続点の電圧は帰還電圧Vfbとして誤差増幅器35の非反転入力端子に供給される。尚、
図7の例では、FET30及びダイオード102が電源IC10eに搭載されているが、FET30及びダイオード102は電源IC10eの外部に設置されても良い。
【0068】
電源IC10eは、誤差増幅器35、三角波生成回路103及び比較器104を内包する制御回路110を備えている。比較器104において、誤差増幅器35の出力信号と三角波生成回路103が生成及び出力する三角波信号とが比較される。その比較結果に基づき、制御回路110によってFET30がスイッチングされる。FET30のスイッチングによって、入力電圧Vinがパルス幅変調され、出力端子12に直流の出力電圧Voが現れる。制御回路110は、基準電圧Vref及び帰還電圧Vfbに基づき当該スイッチング制御を行うため、定常状態において出力電圧Voは目標電圧Vtgにて安定化する。
【0069】
電源回路1eによれば、シリーズレギュレータとして形成された電源回路1a等と同様、定常状態において出力電圧Voから基準電圧Vrefが生成される。このため、定常状態において入力電圧Vinの変動に起因する基準電圧Vrefの変動が排除され、電源回路1eの特性(特にラインレギュレーション)の向上が図られる。スイッチングレギュレータにおける出力電圧には比較的多くのリップルが重畳されるため、出力電圧Voから基準電圧Vrefを生成することによるPSRRの向上効果は、シリーズレギュレータほど、高いとは言えない。
【0070】
図7の電源回路1eは降圧型のスイッチングレギュレータであるが、電源回路1eが昇圧型のスイッチングレギュレータとなるように、電源回路1eを変形しても良い。つまり、電源回路1は降圧型又は昇圧型のスイッチングレギュレータでありうる。当該変形によって得られた電源回路1fの回路図を
図8に示す。電源回路1f及び電源回路1f内の電源IC10fの構成要素は、
図7の電源回路1e及び電源IC10eと同様である。但し、電源回路1fでは、入力端子11にインダクタ101の一端が接続され、インダクタ101の他端はFET30のソース及びダイオード102のアノードに共通接続され、FET30のドレインはグランドに接続され、ダイオード102のカソードは分圧抵抗31及び32の直列回路を介してグランドに接続されると共に出力トランジスタCoを介してもグランドに接続され、ダイオード102のカソードと分圧抵抗31及び32の直列回路と出力トランジスタCoとの接続点が、出力端子12として機能する。
【0071】
また、
図3に対応する第2実施形態の技術を、電源回路1としてのスイッチングレギュレータに適用する例を示したが、
図4、
図5又は
図6に対応する第3、第4又は第5実施形態の技術を、電源回路1としてのスイッチングレギュレータに適用しても良い。また、スイッチングレギュレータの具体的回路構成は、
図7及び
図8に示したものに限定されず、スイッチングレギュレータに分類される任意の電源回路に対して、第1〜第5実施形態の技術を適用可能である。
【0072】
<<第7実施形態>>
本発明の第7実施形態を説明する。第7実施形態では、
図3〜
図8の電源回路1a〜1fに対する変形技術を説明する。上述の説明におけるFET30はPチャンネル型のMOSFETであるが、電源回路1a〜1fにおいて、FET30をNチャンネル型のMOSFETに置き換えることも可能である。FET30がPチャンネル型のMOSFETであるときのFET30のソース、ドレインは、FET30がNチャンネル型のMOSFETであるとき、夫々、ドレイン、ソースに置き換えられる。また、FET30がNチャンネル型のMOSFETであるとき、誤差増幅器(35、44、52、62)の反転入力端子と非反転入力端子を、上述したものを基準として逆にすればよい。
【0073】
また、FET30をJFET(junction field-effect transistor)にて形成しても良い。また、P又はNチャンネル型のFET30を、PNP型又はNPN型のバイポーラトランジスタに置換しても良い。FET30をバイポーラトランジスタに置換する場合、上述の説明文におけるゲート、ドレイン、ソースを、夫々、ベース、コレクタ、エミッタに読み替えれば良く、ゲート電圧をベース電圧に読み替えればよい。
【0074】
<<第8実施形態>>
本発明の第8実施形態を説明する。以下において、電源回路1は、電源回路1a〜1fを含む上述の何れか任意の電源回路を指し、電源IC10は、電源IC10a〜10fを含む上述の何れか任意の電源ICを指す。
【0075】
電源回路1及び電源IC10を任意の電子機器に搭載することができる。この場合、当該電子機器内の電気部品の全部又は一部を出力電圧Voにて駆動させると良い。電子機器は、任意の情報の取得、再生又は加工等を行うことのできる任意の機器であり、例えば、携帯電話機、情報端末、パーソナルコンピュータ、オーディオ機器、表示パネル、磁気ディスク装置(磁気ディスク記憶装置)、光ディスク装置(例えば、DVD(Digital Versatile Disc)又はBD(Blu-ray(登録商標) Disc)を用いたデータ記憶/再生装置)、電子書籍リーダ、電子辞書、デジタルカメラ、ゲーム機器又はナビゲーション装置である。携帯電話機は、所謂スマートフォンに分類されるものであっても良い。電源回路1が搭載される電子機器の例として、
図9にスマートフォンを示し、
図10にパーソナルコンピュータを示す。パーソナルコンピュータはノート型でも良い。
【0076】
<<変形等>>
本発明の実施形態は、特許請求の範囲に示された技術的思想の範囲内において、適宜、種々の変更が可能である。以上の実施形態は、あくまでも、本発明の実施形態の例であって、本発明ないし各構成要件の用語の意義は、以上の実施形態に記載されたものに制限されるものではない。上述の説明文中に示した具体的な数値は、単なる例示であって、当然の如く、それらを様々な数値に変更することができる。上述の実施形態に適用可能な注釈事項として、以下に、注釈1及び注釈2を記す。各注釈に記載した内容は、矛盾なき限り、任意に組み合わせることが可能である。
【0077】
[注釈1]
入力電圧Vin及び出力電圧Voが負の電圧となるように、電源回路1の構成を変更しても良い。
【0078】
[注釈2]
電源IC10は、上述の電源回路1を形成するための集積回路を含んだ半導体装置である。第8実施形態で述べた電子機器は当該半導体装置を備えている。電源IC10の中に、上述の電源回路1を形成する回路以外の回路が更に含まれていても構わない。電源IC10に、複数の電源回路1を形成する回路素子が含まれていても良く、当該複数の電源回路1にスイッチングレギュレータ及びシリーズレギュレータが混在していても良い。入力端子11は、電源IC10と電源IC10の外部との境界に位置する端子でなくても良く、電源IC10の内部又は外部に存在する金属部分であっても良い。出力端子12も同様である。出力電圧Voを用いて駆動する任意の負荷LD(集積化された演算処理装置等)が電源IC10に含まれていても良い。
【0079】
本発明は、出力電圧に応じた帰還電圧と基準電圧との比較結果に基づき出力トランジスタを制御する誤差増幅器を含んだ任意の電源回路に適用可能である。その比較結果に基づき出力トランジスタが制御される限り、誤差増幅器と出力トランジスタの間に他の回路素子(
図7の例では、比較器104)が介在していても良い。