(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
前記電磁石は、少なくとも一つの第一磁気誘導素子を含み、前記コラム状透磁性材料上に位置し、前記コラム状中空透磁性材料に連接され、前記二つの磁場をガイドすることで、前記コラム状中空透磁性材料に前記ピラー状永久磁石に対する前記引力又は前記斥力を発生させ、そのうち前記ピラー状永久磁石は前記引力又は前記斥力により、前記コラム状中空透磁性材料に対して回転されて、前記ラッチ機構を前記第一安定状態から前記第二安定状態に切り換えられる、又は、前記第二安定状態から前記第一安定状態に切り換えられることを特徴とする請求項2に記載の双安定リレー。
前記第一磁気誘導素子に連接され、前記電磁石の電磁効率を向上するため、前記電磁石の駆動を低減することで前記ラッチ機構が必要とする電気エネルギーを駆動力に変換する少なくとも一つの第二磁気誘導素子をさらに含む前記電磁石を特徴とする請求項3に記載の双安定リレー。
前記コラム状中空透磁性材料は鋳造によって一体成形される、又は、分離している複数の透磁性素子から組み合わされてなることを特徴とする請求項1に記載の双安定リレー。
前記電磁石は、少なくとも一つの第一磁気誘導素子を含み、前記コラム状透磁性材料上に位置し、前記コラム状中空透磁性材料に連接され、前記二つの磁場をガイドすることで、前記コラム状中空透磁性材料に前記ピラー状永久磁石に対する前記引力又は前記斥力を発生させ、そのうち前記ピラー状永久磁石は前記引力又は前記斥力により、前記コラム状中空透磁性材料に対して回転されて、前記ラッチ機構を前記第一安定状態から前記第二安定状態に切り換えられる、又は、前記第二安定状態から前記第一安定状態に切り換えられることを特徴とする請求項15に記載の双安定アクチュエータ。
前記第一磁気誘導素子に連接され、前記電磁石の電磁効率を向上するため、前記電磁石の駆動を低減することで前記ラッチ機構が必要とする電気エネルギーを駆動力に変換する少なくとも一つの第二磁気誘導素子をさらに含む前記電磁石を特徴とする請求項16に記載の双安定アクチュエータ。
【図面の簡単な説明】
【0022】
【
図1】本発明の実施形態における双安定リレーの図である。
【
図5A】
図2のシャフトとピラー状永久磁石との組立図である。
【
図5B】
図2のシャフトとピラー状永久磁石との組立図である。
【
図5C】
図2のシャフトとピラー状永久磁石との組立図である。
【
図6A】
図2のコラム状中空透磁性材料の図である。
【
図6B】
図2のコラム状中空透磁性材料の図である。
【
図6C】
図2のシャフト、ピラー状永久磁石、コラム状中空透磁性材料の組立図である。
【
図6D】
図2のシャフト、ピラー状永久磁石、コラム状中空透磁性材料の組立図である。
【
図7A】本発明のその他の実施形態におけるコラム状中空透磁性材料の図である。
【
図7B】本発明のその他の実施形態におけるコラム状中空透磁性材料の図である。
【
図7C】本発明のその他の実施形態におけるシャフトとピラー状永久磁石とコラム状中空透磁性材料の組立図である。
【
図7D】本発明のその他の実施形態におけるシャフトとピラー状永久磁石とコラム状中空透磁性材料の組立図である。
【
図8A】本発明のその他の実施形態におけるコラム状中空透磁性材料の図である。
【
図8B】本発明のその他の実施形態におけるコラム状中空透磁性材料の図である。
【
図8C】本発明のその他の実施形態におけるシャフトとピラー状永久磁石とコラム状中空透磁性材料の組立図である。
【
図8D】本発明のその他の実施形態におけるシャフトとピラー状永久磁石とコラム状中空透磁性材料の組立図である。
【
図9A】本発明のその他の実施形態におけるコラム状中空透磁性材料の図である。
【
図9B】本発明のその他の実施形態におけるコラム状中空透磁性材料の図である。
【
図9C】本発明のその他の実施形態におけるシャフトとピラー状永久磁石とコラム状中空透磁性材料の組立図である。
【
図9D】本発明のその他の実施形態におけるシャフトとピラー状永久磁石とコラム状中空透磁性材料の組立図である。
【
図10A】
図2の第一安定状態におけるラッチ機構の側面図である。
【
図11A】
図2の第二安定状態におけるラッチ機構の側面図である。
【
図13C】ラッチ機構の第二安定状態を傾斜させた図である。
【
図13D】ラッチ機構の第二安定状態を傾斜させた図である。
【
図16A】本発明の別の実施形態におけるラッチ機構と部分的な電磁石の側面図である。
【
図16B】本発明の別の実施形態におけるラッチ機構と部分的な電磁石の正面図である。
【
図17】本発明のその他の実施形態における双安定アクチュエータの正面図である。
【
図18】本発明のその他の実施形態における双安定アクチュエータの正面図である。
【
図19A】
図17の双安定アクチュエータが第一安定状態にある正面図である。
【
図19B】
図17の双安定アクチュエータが第二安定状態にある正面図である。
【
図20A】本発明の別の実施形態における双安定アクチュエータの正面図である。
【
図20B】本発明の別の実施形態におけるラッチ機構と部分的な電磁石の正面図である。
【
図20C】本発明の別の実施形態における双安定アクチュエータが第一安定状態にある正面図である。
【
図20D】本発明の別の実施形態における双安定アクチュエータが第二安定状態にある正面図である。
【
図21A】本発明の別の実施形態における双安定アクチュエータの正面図である。
【
図21B】本発明の別の実施形態におけるラッチ機構と部分的な電磁石の正面図である。
【
図21C】本発明の別の実施形態における双安定アクチュエータが第一安定状態にある正面図である。
【
図21D】本発明の別の実施形態における双安定アクチュエータが第二安定状態にある正面図である。
【
図22A】
図1の双安定アクチュエータと部分的な衝撃システムの組立図である。
【
図22B】
図1の双安定アクチュエータと部分的な衝撃システムが第一安定状態にある図である。
【
図22C】
図1の双安定アクチュエータと部分的な衝撃システムが第二安定状態にある図である。
【
図24A】
図1の双安定アクチュエータと衝撃システムが第一安定状態にある側面図である。
【
図24B】
図1の双安定アクチュエータと衝撃システムが第一安定状態にある正面図である。
【
図25A】
図1の双安定アクチュエータと衝撃システムが第二安定状態にある側面図である。
【
図25B】
図1の双安定アクチュエータと衝撃システムが第二安定状態にある正面図である。
【
図27A】本発明の別の実施形態における双安定アクチュエータと衝撃システムが第一安定状態にある正面図である。
【
図27B】本発明の別の実施形態における双安定アクチュエータと衝撃システムが第二安定状態にある正面図である。
【
図30A】
図1の双安定リレーが第一安定状態にある側面図である。
【
図30B】
図1の双安定リレーが第二安定状態にある側面図である。
【
図31A】本発明のその他の実施形態における双安定リレーが第一安定状態にある側面図である。
【
図31B】本発明のその他の実施形態における双安定リレーが第二安定状態にある側面図である。
【
図32A】本発明のその他の実施形態における双安定リレーが第一安定状態にある側面図である。
【
図32B】本発明のその他の実施形態における双安定リレーが第二安定状態にある側面図である。
【
図33A】本発明のその他の実施形態における双安定リレーが第一安定状態にある側面図である。
【
図33B】本発明のその他の実施形態における双安定リレーが第二安定状態にある側面図である。
【
図34A】本発明のその他の実施形態における双安定リレーが第一安定状態にある側面図である。
【
図34B】本発明のその他の実施形態における双安定リレーが第二安定状態にある側面図である。
【
図35】本発明の別の実施形態における双安定リレーの図である。
【発明を実施するための形態】
【0023】
図1は本発明の実施形態における双安定リレー100の図である。
図1を参照すると、本実施形態において、双安定リレー100は双安定アクチュエータ102、衝撃システム160、接触システム150を含み、そのうち双安定アクチュエータ102はシャフト110及びコイル端点133a、133bを有し、その具体的な構造(ラッチ機構120及び電磁石130を含む)は後の図に示す。電気回路の接続又は切断のスイッチとするため、双安定リレー100は電気回路に適切に配置される。双安定アクチュエータ102は第一安定状態及び第二安定状態 (後の図に示す)の間の操作に適している。シャフト110は軸方向(例えばz軸)に沿って設けられる。コイル端点133aに導入する電流は133bと電流の方向が異なることで、双安定アクチュエータ102を駆動し、一つの安定状態からもう一つの安定状態に切り換えられる。衝撃システム160はシャフト110に連接され、接触システム150は衝撃システム160に連接される。双安定アクチュエータ102は一つの安定状態からもう一つの安定状態に切り換えられる過程において、双安定アクチュエータ102のシャフト110は異なる安定状態と同期して異なる位置に回転する。シャフト110は衝撃システム160の移動軌跡ガイド163、166により接触システム150の接続又は切断を変更する。本実施形態における双安定アクチュエータ102、衝撃システム160、接触システム150を順番に以下に紹介する。
【0024】
図2から
図4は順に
図1のラッチ機構120の分解図、組立図、側面図である。
図5Aから
図5Cは
図2のシャフト110とピラー状永久磁石122との組立図である。
図2から4、
図5Aから
図5Cを参照すると、本実施形態において、ラッチ機構120はシャフト110、ピラー状永久磁石122、コラム状中空透磁性材料123、二つのブッシング126a、126bを含む。シャフト110は軸方向(例えばz軸)に沿って設けられる。ピラー状永久磁石122はシャフト110上に覆われ、且つ、相対する少なくとも一つのN極と少なくとも一つのS極を含む。したがって、ピラー状永久磁石122とシャフト110は相互に連動する。また、
図5Cに示されるように、ピラー状永久磁石122はラッチ122aを有し、ラッチ122aはピラー状永久磁石122の一側面に配置され、且つ、シャフト110を貫通する。このように、シャフト110はピラー状永久磁石122によって駆動されて同期して回転することを確保できる。しかしながら、
図5Cは一つのラッチ122aを示すのみであるが、本発明はラッチ122aの数量及び設置するかしないかを制限しない、即ち、ラッチ122aの数量は必要に応じていくつにするか調整でき、ラッチ122aの設置を省略することもできる。さらに、コラム状中空透磁性材料123はピラー状永久磁石122を囲んでおり、その内側の表面はピラー状永久磁石122に面しており、且つ、コラム状中空透磁性材料123はピラー状永久磁石122と間隙を保っている。ブッシング126a及び126bはコラム状中空透磁性材料123の対向する両側にそれぞれ設けられ、コラム状中空透磁性材料123の内側とピラー状永久磁石122との間の間隙の固定を確保する。各ブッシング126a及び126bは開口126cをそれぞれ有する。シャフト110はコラム状中空透磁性材料123内に設けられ、両辺の開口126cを貫通しており、ブッシング126a及び126bにより支持されることでコラム状中空透磁性材料123内に配置される。換言すると、ピラー状永久磁石122によって覆われるシャフト110は二つのブッシング126a及び126bの支持によりコラム状中空透磁性材料123の内側に配置される。コラム状中空透磁性材料123は磁気効果を有するので、コラム状中空透磁性材料123は、ピラー状永久磁石122をガイドしてそのうち一つの安定状態に位置決めされる(詳細は後に説明する)。
【0025】
図6Aと
図6Bは
図2のコラム状中空透磁性材料123の図である。
図6Cと
図6Dは
図2のシャフト110、ピラー状永久磁石122、コラム状中空透磁性材料123の組立図である。
図2と
図6Aを参照すると、本実施形態において、コラム状中空透磁性材料123は上下に分離されている二つの透磁性素子123aと123bから組み合わされてなることができ、上下に分離されている二つの透磁性素子123aと123bの両端に間隙を有し、即ち、二つの透磁性素子123aと123bは接合されない。その他の示されていない実施形態において、コラム状中空透磁性材料123の二つの透磁性素子123aと123bは完全に接合することができる。又は、その他の示されていない実施形態において、コラム状中空透磁性材料123は複数の透磁性素子から組み合わされてなることもできる。さらに、
図6Bを参照すると、その他の実施形態において、コラム状中空透磁性材料123は鋳造によって一体成形されることができる。ここからわかるように、本発明はコラム状中空透磁性材料123の製造方式を限定しない。また、
図2、
図6Aから
図6Dを参照すると、本実施形態において、ピラー状永久磁石122とコラム状中空透磁性材料123との間の距離は必要に応じて調整できる。
図6Cに示される実施形態において、ピラー状永久磁石122とコラム状中空透磁性材料123との間に間隙を有し、ピラー状永久磁石122をコラム状中空透磁性材料123に対して回転させる。
図6Dに示される実施形態において、ピラー状永久磁石122とコラム状中空透磁性材料123との間に間隙を有し、この間隙は
図6Cの間隙に対して比較的小さく、ピラー状永久磁石122とコラム状中空透磁性材料123との間を僅かに接触させているが、ピラー状永久磁石122はコラム状中空透磁性材料123に対して依然として回転できる。
【0026】
図6Aから
図6Dからわかるのは、コラム状中空透磁性材料123の主要な特徴は、コラム状中空透磁性材料123は扁平状であることにある。したがって、コラム状中空透磁性材料123とピラー状永久磁石122との間の間隙はコラム状中空透磁性材料123の内側表面の異なる位置に伴って変更され、ピラー状永久磁石122をガイドして安定状態位置に回転されるためである。具体的には、
図6Cを参照すると、本実施形態において、コラム状中空透磁性材料123は第一部分S1及び第二部分S2を含む。第一部分S1及び第二部分S2はピラー状永久磁石122とピラー状永久磁石122の対向する両側にそれぞれ位置し、そのうち軸方向に対する径方向(例えばy軸)上に、第一部分S1及び第二部分S2はピラー状永久磁石122と第一距離d1及び第二距離d2をそれぞれ有し、且つ、第一距離d1はコラム状中空透磁性材料123の第一部分S1におけるピラー状永久磁石122との間の最短距離であり、且つ、第二距離d2はコラム状中空透磁性材料123の第二部分S2におけるピラー状永久磁石122との間の最短距離である。
【0027】
コラム状中空透磁性材料123とピラー状永久磁石122との間の吸引力は相互の相対距離の平方に反比例し、コラム状中空透磁性材料123の第一部分S1及び第二部分S2はピラー状永久磁石122との間に最短の第一距離d1及び第二距離d2をそれぞれ有するので、コラム状中空透磁性材料123の第一部分S1は第一距離d1の箇所で、第二部分S2は第二距離d2の箇所で、ピラー状永久磁石122との間の吸引力が最も強くなる。相対的に、コラム状中空透磁性材料123の第一部分S1及び第二部分S2はその他の部分において、ピラー状永久磁石122との間の距離は比較的長くなり、コラム状中空透磁性材料123の第一部分S1及び第二部分S2はその他の部分において、ピラー状永久磁石122との間の吸引力は比較的弱くなる。上述の特性に基づき、コラム状中空透磁性材料123はピラー状永久磁石122の位置決めを早めることに適しており、ラッチ機構120を安定状態に位置させる。さらに、本実施形態におけるコラム状中空透磁性材料123の第一部分S1はピラー状永久磁石122に対して最短の第一距離d1を有し、且つ、第二部分S2はピラー状永久磁石122に対して最短の第二距離d2を有し、故にコラム状中空透磁性材料123はピラー状永久磁石122をガイドしてS極とN極によって第一部分S1の第一距離d1を有する箇所及び第二部分S2の第二距離d2有する箇所にそれぞれ向けるように、ラッチ機構120を安定状態に位置させる、又は、S極とN極によりコラム状中空透磁性材料123の第二部分S2及び第一部分S1にそれぞれ向けることで、ラッチ機構120をもう一つの安定状態に位置させることができる。したがって、本発明の実施形態におけるラッチ機構120は二つの安定状態を有する。
【0028】
図7Aと
図7Bは本発明のその他の実施形態におけるコラム状中空透磁性材料223の図である。
図7Cは
図7Dは本発明のその他の実施形態におけるシャフト110とピラー状永久磁石122とコラム状中空透磁性材料223の組立図である。
図7Aから
図7Dを参照すると、本実施形態において、コラム状中空透磁性材料223は上述のコラム状中空透磁性材料123の変化例であるので、コラム状中空透磁性材料223も上述のコラム状中空透磁性材料123に関する特徴を備える。コラム状中空透磁性材料223と123の主な差異はコラム状中空透磁性材料223の断面は楕円形を示すことである。同様に、コラム状中空透磁性材料223は上下に分離されている二つの透磁性素子223aと223bから組み合わされてなることができ(
図7Aに示される)、鋳造によって一体成形されることができ(
図7Bに示される)、複数の透磁性素子から組み合わされてなることもでき、本発明はコラム状中空透磁性材料の製造方式を限定しない。また、ピラー状永久磁石122とコラム状中空透磁性材料223の間の距離は必要に応じて調整でき、
図7Cと
図7Dに示されるように、その関連する内容は上述のコラム状中空透磁性材料123を参考でき、ここでは追加して説明しない。
【0029】
図8Aと
図8Bはその他の実施形態におけるコラム状中空透磁性材料323の図である。
図8Cは
図8Dは本発明のその他の実施形態におけるシャフト110とピラー状永久磁石122とコラム状中空透磁性材料323の組立図である。
図8Aから
図8Dを参照すると、本実施形態において、コラム状中空透磁性材料323は上述のコラム状中空透磁性材料123の変化例であるので、コラム状中空透磁性材料323も上述のコラム状中空透磁性材料123に関する特徴を備える。コラム状中空透磁性材料323と123の主な差異はコラム状中空透磁性材料323の断面は六角形を示すことである。同様に、コラム状中空透磁性材料323は上下に分離している二つの透磁性素子323aと323bから組み合わされてなることができ(
図8Aに示される)、鋳造によって一体成形されることができ(
図8Bに示される)、複数の透磁性素子から組み合わされてなることもできる。また、ピラー状永久磁石122とコラム状中空透磁性材料323の間の距離は必要に応じて調整でき、
図8Cと
図8Dに示されるように、その関連する内容は上述のコラム状中空透磁性材料123を参考できる。
【0030】
図9Aと
図9Bはその他の実施形態におけるコラム状中空透磁性材料523の図である。
図9Cは
図9Dは本発明のその他の実施形態におけるシャフト110とピラー状永久磁石122とコラム状中空透磁性材料523の組立図である。
図9Aから
図9Dを参照すると、本実施形態において、コラム状中空透磁性材料523は上述のコラム状中空透磁性材料123の変化例であるので、コラム状中空透磁性材料523も上述のコラム状中空透磁性材料123に関する特徴を備える。コラム状中空透磁性材料523と123の主な差異はコラム状中空透磁性材料523の断面は八角形を示すことである。同様に、コラム状中空透磁性材料523は上下に分離されている二つの透磁性素子523aと523bから組み合わされてなることができ(
図9Aに示される)、鋳造によって一体成形されることができ(
図9Bに示される)、複数の透磁性素子から組み合わされてなることもできる。また、ピラー状永久磁石122とコラム状中空透磁性材料523の間の距離は必要に応じて調整でき、
図9Cと
図9Dに示されるように、その関連する内容は上述のコラム状中空透磁性材料123を参考できる。また、上述の内容を経てわかるように、本発明はコラム状中空透磁性材料の断面形状を限定せず、必要に応じて外観を調整でき、ピラー状永久磁石122に対する最短距離(第一距離d1と第二距離d2)を有する二つの部分(第一部分S1と第二部分S2)を提供する。
【0031】
図10Aは
図2の第一安定状態P1におけるラッチ機構120の側面図である。
図10Bと
図10Cは
図10Aのラッチ機構120の第一安定状態P1を傾斜させた側面図である。
図10Aから
図10Cを参照すると、本実施形態において、ピラー状永久磁石122はN極とS極を有し、且つ、第一部分S1は第一距離d1の箇所で、第二部分S2は第二距離d2の箇所(コラム状中空透磁性材料123の上下両端)で、ピラー状永久磁石122との間の吸引力が最も強くなるので、第一安定状態P1において、ピラー状永久磁石122のS極とN極はコラム状中空透磁性材料123の第一部分S1の第一距離d1を有する箇所及び第二部分S2の第二距離d2有する箇所にそれぞれ向けられて、
図10Aに示されるように、位置決めが行われる。コラム状中空透磁性材料123は、その吸引力によってピラー状永久磁石122をガイドして上述の定位置に位置させ、ラッチ機構120を第一安定状態P1に位置させることができる。ピラー状永久磁石122が
図10Bに示されるように上述の定位置に位置せず、ラッチ機構120を非安定状態に位置させ、例えばピラー状永久磁石122のN極とS極の接続線がy軸上にない時、コラム状中空透磁性材料123の吸引を受けたピラー状永久磁石122とシャフト110は反時計回りに
図10Aに示される定位置に向けられてラッチ機構120を第一安定状態P1に位置させる。同様に、ピラー状永久磁石122が
図10Cに示されるように上述の定位置に位置せず、ラッチ機構120を非安定状態に位置させる時、コラム状中空透磁性材料123の吸引を受けたピラー状永久磁石122とシャフト110は時計回りに
図10Aに示される定位置に向けられてラッチ機構120を第一安定状態P1に位置させる。
【0032】
図11Aは
図2の第二安定状態P2におけるラッチ機構120の側面図である。
図11Bと
図11Cは
図11Aのラッチ機構120の第二安定状態P2を傾斜させた側面図である。
図11Aから
図11Cを参照すると、同様に、ピラー状永久磁石122はN極とS極を有し、且つ、第一部分S1は第一距離d1の箇所で、第二部分S2は第二距離d2の箇所(コラム状中空透磁性材料123の上下両端)で、ピラー状永久磁石122との間の吸引力が最も強くなるので、第二安定状態P2において、ピラー状永久磁石122のS極とN極はコラム状中空透磁性材料123の第二部分S2の第二距離d2有する箇所及び第一部分S1の第一距離d1を有する箇所にそれぞれ向けられて、
図11Aに示されるように、位置決めが行われる。コラム状中空透磁性材料123は、その吸引力によってピラー状永久磁石122をガイドして上述の定位置に位置させ、ラッチ機構120を第二安定状態P2に位置させることができる。ピラー状永久磁石122が
図11Bに示されるように上述の定位置に位置せず、ラッチ機構120を非安定状態に位置させ、例えばピラー状永久磁石122のN極とS極の接続線がy軸上にない時、コラム状中空透磁性材料123の吸引を受けたピラー状永久磁石122とシャフト110は反時計回りに
図11Aに示される定位置に向けられてラッチ機構120を第二安定状態P2に位置させる。同様に、ピラー状永久磁石122が
図11Cに示されるように上述の定位置に位置せず、ラッチ機構120を非安定状態に位置させる時、コラム状中空透磁性材料123の吸引を受けたピラー状永久磁石122とシャフト110は時計回りに
図11Aに示される定位置に向けられてラッチ機構120を第二安定状態P2に位置させる。
【0033】
図12Aと
図12Bは順に
図3のラッチ機構120が第一安定状態P1及び第二安定状態P2にある図である。
図3を参照すると、
図10と
図11は、上述にあるように、本実施形態において、ラッチ機構120は二つの安定状態を有し、それぞれ
図10Aの第一安定状態P1及び
図11Aの第二安定状態P2である。シャフト110上に黒点を配してピラー状永久磁石122とシャフト110の位置を表す場合、
図12Aに示される黒点がコラム状中空透磁性材料123の上端に対応する図は、ラッチ機構120が第一安定状態P1に位置するとみなすことができる(
図10Aに対応する)。
図12Bに示される黒点がコラム状中空透磁性材料123の下端に対応する図は、ラッチ機構120が第二安定状態P2に位置するとみなすことができる(
図11Aに対応する)。さらに、ピラー状永久磁石122はシャフト110上に覆われているので、コラム状中空透磁性材料123が、その吸引力によってピラー状永久磁石122をガイドして第一安定状態P1又は第二安定状態P2に位置させる時、シャフト110はピラー状永久磁石122と同期して回転し、
図12A又は
図12Bに示されるように、その上に位置する黒点をコラム状中空透磁性材料123の第一部分S1又は第二部分S2に対応させる。
【0034】
図13Aと
図13Bは
図12Aのラッチ機構120の第一安定状態P1を傾斜させた図である。
図13Cと
図13Dはラッチ機構120の第二安定状態P2を傾斜させた図である。本実施形態において、ラッチ機構120が
図13Aに示されるように非安定状態に位置し、例えばシャフト110の先端に位置する黒点の開始位置がy軸から離れている時、コラム状中空透磁性材料123の上端とピラー状永久磁石122と間の吸引力は最も強いので、ピラー状永久磁石122とシャフト110は反時計回りに
図12Aに示される定位置に向けられてラッチ機構120を第一安定状態P1に位置させる。同様に、ラッチ機構120が
図13Bに示されるように非安定状態に位置し、例えばシャフト110の先端に位置する黒点の開始位置がy軸から離れている時、ピラー状永久磁石122とシャフト110は時計回りに
図12Aに示される定位置に向けられてラッチ機構120を第一安定状態P1に位置させる。同様に、ラッチ機構120が
図13Cに示されるように非安定状態に位置し、例えばシャフト110の先端に位置する黒点の開始位置がy軸から離れている時、ピラー状永久磁石122とシャフト110は時計回りに
図12Bに示される定位置に向けられてラッチ機構120を第二安定状態P2に位置させる。同様に、ラッチ機構120が
図13Dに示されるように非安定状態に位置する、例えばシャフト110の先端に位置する黒点の開始位置がy軸から離れている時、ピラー状永久磁石122とシャフト110は反時計回りに
図12Bに示される定位置に向けられてラッチ機構120を第二安定状態P2に位置させる。
【0035】
上述のラッチ機構120に関する記載に基づき、わかるのは、その他の外力又は磁場が働かない情況で、ピラー状永久磁石122はコラム状中空透磁性材料123のガイドによって定位置に位置させ、例えばS極とN極はコラム状中空透磁性材料123の第一部分S1の第一距離d1を有する箇所及び第二部分S2の第二距離d2有する箇所にそれぞれ向けられる、又は、S極とN極はコラム状中空透磁性材料123の第二部分S2の第二距離d2有する箇所及び第一部分S1の第一距離d1を有する箇所にそれぞれ向けられることで、ラッチ機構120を第一安定状態P1又は第二安定状態P2に位置させる。換言すると、ラッチ機構120はコラム状中空透磁性材料123を扁平状に設計し、コラム状中空透磁性材料123の第一部分S1と第二部分S2にピラー状永久磁石122に対する距離が最短の第一距離d1と第二距離d2をそれぞれ有させ、コラム状中空透磁性材料123にピラー状永久磁石122をガイドしてN極とS極が第一部分S1の第一距離d1を有する箇所及び第二部分S2の第二距離d2有する箇所に向けられて、ラッチ機構120を第一安定状態P1又は第二安定状態P2に位置させて、その安定状態に位置する安定性をさらに高める。
【0036】
図14Aと
図14Bは順に
図1の双安定アクチュエータ110の側面図及び正面図である。
図15Aと
図15Bは順に
図14Aと
図14Bのラッチ機構120と部分的な電磁石130の側面図及び正面図である。
図14Aから
図15Bを参照すると、本実施形態において、双安定リレー102は電磁石130と上述のシャフト110とラッチ機構120から組み合わされてなる。電磁石130は二つのコラム状透磁性材料132a、132bと、コイル133と、二つの第一磁気誘導素子136a、136bとを含み、コラム状透磁性材料132a、132bの位置と構造を明確に表すために、
図15Aと
図15Bにおいて、
図14Aと
図14Bに示されているコイル133が省略されている。電磁石130のコラム状透磁性材料132a、132は例えばロッド状の透磁性材料であり、ラッチ機構120のコラム状中空透磁性材料123(上述の図に示される)の上下両端にそれぞれ連接される。二つの第一磁気誘導素子136a、136b二つのコラム状透磁性材料132a、132b上にそれぞれ位置し、二つのコラム状透磁性材料132a、132bにそれぞれ連接される。コイル133は二つのコラム状透磁性材料132a、132b上を囲んでおり、二つの端点133a、133bから電磁石130のコイル133に流れ込む異なる方向の二つの電流により、ピラー状永久磁石122に作用する方向と相反する二つの磁場を発生する。コイル133とコラム状透磁性材料132a、132bとの間に磁場を発生する時、第一磁気誘導素子136a、136bは二つの磁場をガイドすることで、コラム状中空透磁性材料123(
図12Aと
図12Bに示される)にピラー状永久磁石122に対する引力又は斥力を発生させ、そのうちピラー状永久磁石122は引力又は斥力により、コラム状中空透磁性材料123に対して回転されて、シャフト110は駆動されてz軸に沿って時計回り又は反時計回りに回転されて、ラッチ機構120を
図12Aに示される第一安定状態P1から
図12Bに示される第二安定状態P2に切り換えられる、又は、
図12Bに示される第二安定状態P2から
図12Aに示される第一安定状態P1に切り換えられる。
【0037】
図16Aと
図16Bは順に本発明の別の実施形態におけるラッチ機構120と部分的な電磁石230の側面図及び正面図である。
図16Aと
図16Bを参照すると、本実施形態において、電磁石230のコラム状透磁性材料232a、232bの位置と構造は
図15Aと
図15Bに示される電磁石130のコラム状透磁性材料132a、132bに類似しており、そのうちコラム状透磁性材料232a、232bの位置と構造を明確に表すために、
図16Aと
図16Bにおいて、
図14Aと
図14Bに示されているコイル133が省略されている。穂実施形態における電磁石230と上述の電磁石130との主な差異は、電磁石230は四つの第一磁気誘導素子236aから236dを含むことである。そのうち、本実施形態における第一磁気誘導素子236a、236bは上述の第一磁気誘導素子136a、136bに類似しており、二つのコラム状透磁性材料232a、232bにそれぞれ連接される。又、本実施形態における第一磁気誘導素子236cはラッチ機構120とコラム状透磁性材料232aとの間に位置し、第一磁気誘導素子236dはラッチ機構120とコラム状透磁性材料232bとの間に位置する。ここからわかるように、ラッチ機構120を安定状態に切り換えるために、本発明は第一磁気誘導素子によってコイル133とコラム状透磁性材料232a、232bが発生する磁場をガイドするが、本発明は第一磁気誘導素子の数量と位置を限定しない。
【0038】
図17と
図18は本発明のその他の実施形態における双安定アクチュエータの正面図である。
図17を参照すると、本実施形態において、双安定アクチュエータ102aと上述の
図14Bの双安定アクチュエータ102との主な差異は、双安定アクチュエータ102aの電磁石130aは一つの第二磁気誘導素子136cをさらに含むことである。
図14Bの電磁石130の磁場の一端は空気伝導を経由して発生する磁気回路であり、高い磁気抵抗の問題を有する。したがって、本実施形態は第二磁気誘導素子136cで二つの第一磁気誘導素子136a、136bに連接される。第二磁気誘導素子136cの透磁率は空気の透磁率よりさらに高いので、第二磁気誘導素子136cを配置することで、電磁石130aの磁場の総磁気抵抗を大幅に低減できる。これにより、第二磁気誘導素子136cは電磁石130aの電磁効率を向上するため、電磁石130aの駆動を低減することでラッチ機構120が必要とする電気エネルギーを駆動力に変換する。同様に、
図18の実施形態において、双安定アクチュエータ102bと上述の
図14Bの双安定アクチュエータ102及び
図17の双安定アクチュエータ102aとの主な差異は、双安定アクチュエータ102bの電磁石130aは二つの第二磁気誘導素子136c、136dをさらに含むことである。第二磁気誘導素子136c、136dは二つの第一磁気誘導素子136a、136bにそれぞれ連接され、且つ同様に電磁石130aの電磁効率を向上するため、電磁石130bの駆動を低減することでラッチ機構120が必要とする電気エネルギーを駆動力に変換する。ここからわかるように、本発明は第二磁気誘導素子の数量と位置を限定しない。
【0039】
図19Aと
図19Bは順に
図17の双安定アクチュエータが第一安定状態P1及び第一安定状態P2にある正面図である。
図19Aと
図19Bを参照すると、本実施形態において、シャフト110上に黒点を配してシャフト110とラッチ機構120の位置を表す場合、
図19Aに示される黒点がラッチ機構120の上端に対応する図は、ラッチ機構120が第一安定状態P1に位置するとみなすことができる(
図10A及び
図12Aに対応する)。
図19Bに示される黒点がラッチ機構120の下端に対応する図は、ラッチ機構120が第二安定状態P2に位置するとみなすことができる(
図11A及び
図12Bに対応する)。上述にあるように、コイル133は二つの端点133a、133bから電磁石130のコイル133に流れ込む異なる方向の二つの電流により、相反する二つの磁場を発生し、第一磁気誘導素子136a、136bは二つの磁場をガイドすることで、ラッチ機構120のコラム状中空透磁性材料123(
図12Aと
図12Bに示される)にピラー状永久磁石122に対して引力又は斥力を発生し、ラッチ機構120を安定状態に切換させ、例えばラッチ機構120を
図19Aに示される第一安定状態P1から
図19Bに示される第二安定状態P2に切り換えられる、又は、
図19Bに示される第二安定状態P2から
図19Aに示される第一安定状態P1に切り換えられる。
【0040】
図20Aから
図20Dは順に本発明の別の実施形態における双安定アクチュエータ102cの正面図、ラッチ機構120と部分的な電磁石130cの正面図、及び双安定アクチュエータ102cが第一安定状態P1と第二安定状態P2にある正面図である。
図20Aと
図20Bを参照すると、本実施形態において、双安定アクチュエータ102cと
図14Bの双安定アクチュエータ102との主な差異は、双安定アクチュエータ102cの電磁石130cは一つのコラム状透磁性材料132cのみであり、そのうちコラム状透磁性材料132cはラッチ機構120の側辺に位置し、二つの第一磁気誘導素子136a、136bはラッチ機構120上に配置される。詳細すると、コラム状透磁性材料132cはラッチ機構120の側辺に位置し、ラッチ機構120上に配置される二つの第一磁気誘導素子136a、136bによって、ラッチ機構120の上下両端に連接される。二つの第一磁気誘導素子136a、136bはコラム状透磁性材料132cの両端にそれぞれ連接される。コイル133はコラム状透磁性材料132c上を囲んでおり、二つの端点133a、133bから流れ込む電流によって磁場が発生する。第一磁気誘導素子136a、136bは磁場をガイドすることで、ラッチ機構120を安定状態に切り換えられる。
図20Cと
図20Dを参照すると、本実施形態において、シャフト110上に黒点を配してシャフト110とラッチ機構120の位置を表す場合、
図20Cに示される黒点がラッチ機構120の上端に対応する図は、ラッチ機構120が第一安定状態P1に位置するとみなすことができ、
図20Dに示される黒点がラッチ機構120の下端に対応する図は、ラッチ機構120が第二安定状態P2に位置するとみなすことができる。上述にあるように、コイル133は二つの端点133a、133bから流れ込む電流によって、磁場を発生し、第一磁気誘導素子136a、136bは磁場をガイドすることで、ラッチ機構120を安定状態に切り換えさせ、例えばラッチ機構120を
図20Cに示される第一安定状態P1から
図20Dに示される第二安定状態P2に切り換えられる、又は、
図20Dに示される第二安定状態P2から
図20Cに示される第一安定状態P1に切り換えられる。
【0041】
図21Aから
図21Dは順に本発明の別の実施形態における双安定アクチュエータ102dの正面図、ラッチ機構120と部分的な電磁石130dの正面図、及び双安定アクチュエータ102dが第一安定状態P1と第二安定状態P2にある正面図である。
図21Aと
図21Bを参照すると、本実施形態において、双安定アクチュエータ102dと
図14Aの双安定アクチュエータ102との主な差異は、双安定アクチュエータ102dの電磁石130dは一つのコラム状透磁性材料132dのみであり、そのうちコラム状透磁性材料132dはラッチ機構120の後方に位置し、二つの第一磁気誘導素子136a、136bはラッチ機構120上に配置される。詳細すると、コラム状透磁性材料132dはラッチ機構120の後方に位置し、ラッチ機構120上に配置される二つの第一磁気誘導素子136a、136bによって、ラッチ機構120の上下両端に連接される。二つの第一磁気誘導素子136a、136bはコラム状透磁性材料132dの両端にそれぞれ連接される。コイル133はコラム状透磁性材料132d上を囲んでおり、二つの端点133a、133bから流れ込む電流によって磁場が発生する。第一磁気誘導素子136a、136bは磁場をガイドすることで、ラッチ機構120を安定状態に切り換えられる。
図21Cと
図21Dを参照すると、本実施形態において、シャフト110上に黒点を配してシャフト110とラッチ機構120の位置を表す場合、
図21Cに示される黒点がラッチ機構120の上端に対応する図は、ラッチ機構120が第一安定状態P1に位置するとみなすことができ、
図21Dに示される黒点がラッチ機構120の下端に対応する図は、ラッチ機構120が第二安定状態P2に位置するとみなすことができる。上述にあるように、コイル133は二つの端点133a、133bから流れ込む電流によって、磁場を発生し、第一磁気誘導素子136a、136bは磁場をガイドすることで、ラッチ機構120を安定状態に切り換えさせ、例えばラッチ機構120を
図21Cに示される第一安定状態P1から
図21Dに示される第二安定状態P2に切り換えられる、又は、
図21Dに示される第二安定状態P2から
図21Cに示される第一安定状態P1に切り換えられる。また、上述の双安定アクチュエータ102と102bも安定状態を切り換える特徴を有し、その過程は上述の双安定アクチュエータ102a、102c、102dを参考でき、ここでは追加して説明しない。
【0042】
上述の各種変化例に基づき、本発明における双安定リレーは必要に応じて双安定アクチュエータの電磁石の組成を調整でき、例えばコラム状透磁性材料と第一磁気誘導素子の数量と位置を調整する、必要に応じて第二磁気誘導素子を選択的に配置することもでき、コイル133上に異なる方向に流れ込む電流によって、異なる磁性の磁場を発生し、ラッチ機構120を安定状態に切り換えられる。本発明の双安定リレーにおけるラッチ機構120は二つの安定状態(第一安定状態P1及び第二安定状態P2)を有し、且つ、ラッチ機構120は安定状態に切り換えられる過程において、ピラー状永久磁石122によって覆われるシャフト110を駆動することで同期して回転される。これにより、本発明における双安定アクチュエータはコラム状中空透磁性材料とピラー状永久磁石との間の吸引力によって、良好なラッチングの効率を備え、双安定リレーが安定状態に位置決めされる安定性を高め、第一磁気誘導素子、第二磁気誘導素子により電磁石の電磁効率機能を向上させて、ラッチ機構120の切り換えに必要な電気エネルギーを低減できる。
【0043】
図22Aから
図22Cは順に
図1の双安定アクチュエータ102と部分的な衝撃システム160の組立図、第一安定状態P1、第二安定状態P2にある図である。
図23は
図22Aのほぞ163aとシャフト110の組立図である。
図22Aと
図23を参照すると、本実施形態において、衝撃システム160(
図1に示される)は双安定アクチュエータ102のシャフト110に連接され、そのうち衝撃システム160はタップヘッド162及び移動軌跡ガイド163を含む。タップヘッド162はシャフト110の一端に配置される(例えばシャフト110の先端)。タップヘッド162の材質は絶縁体である。したがって、その他の実施形態において、シャフト110自身が絶縁体である場合、衝撃システム160はタップヘッド162を省略でき、直接シャフト110の端点によってタップヘッド162を直接代用すればよい。移動軌跡ガイド163はシャフト110に連接される。移動軌跡ガイド163はほぞ163aを含み、
図23に示されるように、シャフト110上に垂直に配置され、シャフト110を貫通する。ほぞ163aはタップヘッド162と双安定アクチュエータ102の間に位置し、双安定アクチュエータ102内のラッチ機構120は電磁石130によって安定状態に切り換えられて、シャフト110は同期して回転される時、ほぞ163aもシャフト110に伴って同期して回転される。同様に、本実施形態において、ほぞ163a上の黒点によりシャフト110の位置を表す場合、
図22Bに示される黒点がシャフト110の下方に回転する位置は、ラッチ機構120が第一安定状態P1に位置するとみなすことができ、
図22Cに示される黒点がシャフト110の上方に回転する位置は、ラッチ機構120が第二安定状態P2に位置するとみなすことができる。電磁石130の発生する磁場により、シャフト110とほぞ163aはラッチ機構120の安定状態に切り換えられることに伴って移動され、例えば
図22Bから
図22Cに切り換えられる、又は
図22Cから
図22Bに切り換えられる。
【0044】
図24Aと
図24Bは順に
図1の双安定アクチュエータ102と衝撃システム160が第一安定状態P1にある側面図及び正面図である。
図25Aと
図25Bは順に
図1の双安定アクチュエータ102と衝撃システム160が第二安定状態P2にある側面図及び正面図である。
図26は
図24Aから
図25Bのコラムスリーブ163bの展開図である。
図24Aから
図26を参照すると、本実施形態において、移動軌跡ガイド163はコラムスリーブ163bをさらに含む。コラムスリーブ163bは部分的なシャフト110とほぞ163aを囲む。移動軌跡Sを提供するため、コラムスリーブ163bは開孔163cを有する。ほぞ163aは開孔163c内に位置し、移動軌跡Sに沿って移動される。開孔163cの位置は
図26を参照し、本実施形態におけるほぞ163aはシャフト110を垂直に貫通して、且つ、ほぞ163aの両端はいずれもシャフト110外に伸び出しているので、ほぞ163aの両端はいずれも対応する開孔163cによって移動される。又、本実施形態において、開孔163cにより構成される移動軌跡Sが所在する平面と
図24B又は
図25Bのxy平面は平衡ではない、又は、xy平面を基準にしてy軸に傾いている。したがって、移動軌跡ガイド163のほぞ163aとコラムスリーブ163bはシャフト110が径方向の接線に沿って回転する回転力を軸方向に沿って移動する変位力に変換することができ、例えばシャフト110がz軸に沿って回転する時、シャフト110をガイドしてz軸に沿って移動させ、そのうちシャフト110に連接されるほぞ163aは移動軌跡Sに沿って開孔163c内を移動されて、且つほぞ163aがシャフト110に伴って同期して回転される過程において、同時にz軸に沿って前後に移動されて、シャフト110を駆動してz軸に沿って前後に移動される。
【0045】
図24Aのほぞ163a及び
図24Bのほぞ163aの黒点が所在する位置を第一安定状態P1とし、
図25Aのほぞ163a及び
図25Bのほぞ163aの黒点が所在する位置を第二安定状態P2とすることを例として説明する。
図24Aと
図24Bを参照すると、本実施形態において、双安定アクチュエータ102は電磁石130に流れ込む第一の極性電圧又は等価電流によって、シャフト110を第一安定状態P1から第二安定状態P2に切り換えさせ、即ち、
図24Bのほぞ163a上の黒点は
図25Bの位置に時計回りに下から上に回転される。その後、電磁石130に印加されている第一の極性電圧又は等価電流を開放又は停止しても、ほぞ163aの黒点の位置はやはり
図25Bの位置に安定して固定される。
図25Bにおいて、ほぞ163a上の黒点が所在する位置はラッチ機構120が
図22Cに示されるような安定状態に位置していないが、ラッチ機構120はシャフト110を駆動させてほぞ163aを
図22Cに示される位置に向かって時計回りで回転させる引力又は斥力を有したままである。したがって、シャフト110はコラムスリーブ163bの開孔163cとほぞ163aとの間の制限によって、シャフト110を
図25Bに示される位置に固定させる。換言すると、電磁石130の磁場によって安定状態に切り換えられた後、ラッチ機構120は引力又は斥力によってシャフト110を定位置に位置する安定性を高めることがさらにできる。
【0046】
同様に、
図25Aと
図25Bを参照すると、双安定アクチュエータ102は電磁石130に流れ込む第二の極性電圧又は等価電流によって、シャフト110を第二安定状態P2から第一安定状態P1に切り換えさせ、即ち、
図25Bのほぞ163a上の黒点は
図24Bの位置に反時計回りに上から下に回転される。その後、電磁石130に印加されている第二の極性電圧又は等価電流を開放又は停止しても、ほぞ163aの黒点の位置はやはり
図24Bの位置に安定して固定される。
図24Bにおいて、ほぞ163a上の黒点が所在する位置はラッチ機構120が
図22Bに示されるような安定状態に位置していないが、ラッチ機構120はシャフト110を駆動させてほぞ163aを
図22Bに示される位置に向かって反時計回りで回転させる引力又は斥力を有したままである。したがって、シャフト110はコラムスリーブ163bの開孔163cとほぞ163aとの間の制限によって、シャフト110を
図24Bに示される位置に固定させる。換言すると、電磁石130の磁場によって安定状態に切り換えられた後、ラッチ機構120は引力又は斥力によってシャフト110を定位置に位置する安定性を高めることがさらにできる。
【0047】
シャフト110とほぞ163aを回転する過程において、コラムスリーブ163bは移動軌跡Sを提供して、シャフト110がz軸に沿って回転する回転力をz軸に沿って前後に移動する変位力に変換される。したがって、シャフト110が双安定アクチュエータ102内のラッチ機構120と電磁石130によって第一安定状態P1及び第二安定状態P2に切り換えられる時、シャフト110上に位置するタップヘッド162とシャフト110は同期して回転し、
図25Aに示されるように、z軸に沿って前方に伸び出す、又は、
図24Aに示されるようにz軸に沿って後方に縮み込む。この時、接触システム150(
図1に示される)は衝撃システム160のタップヘッド162上に配置され、タップヘッド162を軸方向に沿って接触システム150に対して移動させて、接触システム150に近づける、又は遠ざければよく、タップヘッド162を軸方向に沿って伸び出す、又は、縮み込ませることで、接触システム150の接続又は切断を変更させる。
【0048】
図27Aと
図27Bは順に本発明の別の実施形態における双安定アクチュエータ102と衝撃システムが第一安定状態P1と第二安定状態P2にある正面図である。
図28は
図27Aと
図27Bのほぞ166aとシャフト110の組立図である。
図29は
図27Aと
図27Bのコラムスリーブ166bの展開図である。
図27Aから
図29を参照すると、本実施形態において、移動軌跡ガイド166と上述の移動軌跡ガイド163との主な差異は、移動軌跡ガイド166のほぞ166aはシャフト110上に垂直に配置されているが、シャフト110を貫通しないことである。換言すると、
図28に示されるように、ほぞ166aは一端がシャフト110上に突出しているのみである。したがって、
図29に示されるように、移動軌跡ガイド166のコラムスリーブ166bは一つの開孔166cを配置する必要があるにすぎない。移動軌跡ガイド166は移動軌跡Sを同様に提供し、
図27Aと
図27Bに示されるように、そのうちほぞ166aは開孔166cに貫通して移動軌跡Sに沿って移動され、且つ、シャフト110は電磁石130とラッチ機構120によって、第一安定状態P1又は第二安定状態P2に切り換えられる。この時、シャフト110とタップヘッド162は同様に移動軌跡ガイド166によって軸方向(例えばz軸)に沿って移動される。
【0049】
図30Aと
図30Bは順に
図1の双安定リレー100が第一安定状態P1と第二安定状態P2にある側面図である。
図30Aと
図30Bを参照すると、本実施形態において、双安定リレー100の接触システム150は衝撃システム160に連接され、少なくとも二つの接触点を有し、例えば、固定接点152と可動接点153である。具体的には、本実施形態における双安定リレーはケースを更に含み、そのうちケースはいかなる形態の搭載部材であることができ、例えば、基板、筐体、又は
図35に示されるケース202であり、双安定アクチュエータ102、衝撃システム160、接触システム150はケース上に配置される。接触システム150は、固定接点152、可動接点153、固定金属片156、可動金属片158を含む。固定接点152は固定金属片156によってケース上に固定される(例えばケースの側壁上に固定される)。可動接点153は可動金属片158によって、タップヘッド162上に配置される。双安定アクチュエータ102のラッチ機構120は電磁石130によって第一安定状態P1から第二安定状態P2に切り換えられる、又は、第二安定状態P2から第一安定状態P1に切り換えられる過程において、シャフト110はラッチ機構120と同期して回転することで、接触点(固定接点152と可動接点153)を相互に接続又は切断させるために、衝撃システム160を駆動して接触システム150に対して移動させる。換言すると、本実施形態におけるシャフト110は、衝撃システム160の移動軌跡ガイド163によってz軸に沿って伸び出す、又は、縮み込み、タップヘッド162をz軸に沿って接触システム150に対して移動させて、接触システム150に近づける、又は遠ざけることで、タップヘッド162上に配置される可動接点153は固定接点152に対して移動できる。ここからわかるように、本実施形態において、タップヘッド162を駆動して可動金属片158と可動接点153を固定接点152から遠ざけることで、可動接点153と固定接点152は切断される。対照的に、タップヘッド162を駆動して可動金属片158と可動接点153を固定接点152に近づけることで、可動接点153と固定接点152は接続される。
【0050】
さらに、ほぞ163aは移動軌跡Sに沿って移動され、シャフト110をガイドしてz軸に沿って移動され、タップヘッド162を固定接点152に近づける時、
図30Aから
図30Bに示されるように、可動接点153は固定接点152と接続されるのに適している。ほぞ163aは移動軌跡Sに沿って移動され、シャフト110をガイドしてz軸に沿って移動され、タップヘッド162を固定接点152から遠ざける時、
図30Bから
図30Aに示されるように、可動接点153は固定接点152と切断されるのに適している。これにより、本実施形態における双安定リレー100は上述の電磁石130の発生する磁場により、ラッチ機構120を安定状態に切り換えられ、ラッチ機構120を第一安定状態P1又は第二安定状態P2に切り換えられ、シャフト110は駆動されて同期して回転し、第一安定状態P1は例えば
図30Aに示される接触システム150の接触点が相互に切断されていることに対応し、第二安定状態P2は例えば
図30Bに示される接触システム150の接触点が相互に接続されていることに対応する。これにより、双安定リレー100を回路の切断又は接続の二つの状態間を切り換えることができる。また、ラッチ機構120のコラム状中空透磁性材料123はピラー状永久磁石122に対して発生する閉鎖系引力によって、ラッチ機構120を安定状態に位置する固定力を高めて、接触システム150の固定接点152と可動接点153の接触信頼性を高める。
【0051】
図31Aと
図31Bは本発明のその他の実施形態における双安定リレー100aが第一安定状態P1と第二安定状態P2にある側面図である。
図31Aと
図31Bを参照すると、本実施形態において、双安定リレー100aと上述の双安定リレー100との主な差異は、双安定リレー100aの接触システム150aは二つの固定接点152a、152b、二つの可動接点153a、153b、二つの固定金属片156a、156b、二つの可動金属片158a、158bを含むことである。固定接点152a、152bは固定金属片156a、156bによって示されていないケース上にそれぞれ固定される。可動接点153a、153bは可動金属片158a、158bによってタップヘッド162上にそれぞれ配置され、そのうち可動接点153a、153bは固定接点152a、152bにそれぞれ対応する。同様に、シャフト110をラッチ機構120と同期して回転することで、タップヘッド162を駆動してz軸に沿って伸び出す、又は、縮み込むことで、接触システム150aに対して移動させて、固定接点152a、152bを可動接点153a、153bに相互に近づける、又は遠ざけて、本実施形態における双安定リレー100aも上述の電磁石130によってラッチ機構120を安定状態に切り換えることができる。したがって、接触システム150aはシャフト110とラッチ機構120によって第一安定状態P1(
図31Aに示される)と第二安定状態P2(
図31Bに示される)に切り換えられ、相互に切断又は接続される。これにより、双安定リレー100aは回路の切断又は接続の二つの状態間を切り換えることができる。
【0052】
図32Aと
図32Bは本発明のその他の実施形態における双安定リレー100bが第一安定状態P1と第二安定状態P2にある側面図である。
図32Aと
図32Bを参照すると、本実施形態において、双安定リレー100bと上述の双安定リレー100と100aとの主な差異は、双安定リレー100aの接触システム150aは三つの固定接点152aから152c、三つの可動接点153aから153c、三つの固定金属片156aから156c、三つの可動金属片158aから158cを含むことである。固定接点152aから152cは固定金属片156aから156cによって示されていないケース上にそれぞれ固定される。可動接点153aから153cは可動金属片158aから158cによってタップヘッド162上にそれぞれ配置され、そのうち可動接点153aから153cは固定接点152aから152cにそれぞれ対応する。
【0053】
同様に、本実施形態における双安定リレー100bも上述の電磁石130によってラッチ機構120を安定状態に切り換えることができ、接触システム150bはシャフト110とラッチ機構120によって第一安定状態P1(
図31Aに示される)と第二安定状態P2(
図31Bに示される)に切り換えられ、相互に切断又は接続される。これにより、双安定リレー100bは回路の切断又は接続の二つの状態間を切り換えることができる。また、上述の双安定リレー100から100bによってわかるのは、本発明は接触システムの接触点の数量を限定しないことである。
【0054】
図33Aと
図33Bは本発明のその他の実施形態における双安定リレー100cが第一安定状態P1と第二安定状態P2にある側面図である。
図33Aと
図33Bを参照すると、本実施形態において、双安定リレー100cと上述の双安定リレー100との主な差異は、双安定リレー100cの接触システム150cは、固定接点152、可動接点153、固定金属片156、弾性金属片159を含むことである。固定接点152は固定金属片156によって示されていないケース上に固定される。可動接点153は弾性金属片159上に配置され、且つ、弾性金属片159はタップヘッド162に対応する。本実施形態における双安定リレー100cも上述の電磁石130によってラッチ機構120を安定状態に切り換えることができ、接触システム150cはシャフト110とラッチ機構120によって第一安定状態P1(
図33Aに示される)と第二安定状態P2(
図33Bに示される)に切り換えられ、相互に切断又は接続される。さらに、ほぞ163aは移動軌跡Sに沿って移動されて、シャフト110をガイドしてz軸に沿って移動され、タップヘッド162を固定接点152に近づける時、
図33Aから
図33Bに示されるように、弾性金属片159上に位置する可動接点153は固定接点152と接続されるのに適している。対照的に、ほぞ163aは移動軌跡Sに沿って移動され、シャフト110をガイドしてz軸に沿って移動され、タップヘッド162を固定接点152から遠ざける時、
図33Bから
図33Aに示されるように、弾性金属片159上に位置する可動接点153は弾性金属片159の復元力によって固定接点152から遠ざかり、可動接点153は固定接点152と切断されるのに適している。これにより、双安定リレー100cは回路の切断又は接続の二つの状態間を切り換えることができる。
【0055】
図34Aと
図34Bは本発明のその他の実施形態における双安定リレー100dが第一安定状態P1と第二安定状態P2にある側面図である。
図34Aと
図34Bを参照すると、本実施形態において、双安定リレー100dと上述の双安定リレー100との主な差異は、双安定リレー100dは
図21Aに示される双安定アクチュエータ102dを採用していることである。双安定アクチュエータ102dは、シャフト110、ラッチ機構120、電磁石130dを含み、その構造は上述の内容を参考にでき、ここではは追加して説明しない。双安定アクチュエータ102dの電磁石130dは同様に流れ込む電流によって磁場を発生するので、シャフト110はタップヘッド162を駆動させて接触システム150に対して移動させて、固定接点152と可動接点153を相互に近づける、又は遠ざけることで、本実施形態における双安定アクチュエータ102dも電磁石130dによってラッチ機構120を安定状態に切り換えることができる。これにより、双安定リレー100dは回路の切断又は接続の二つの状態間を切り換えることができる。上述に基づき、本発明は複数の双安定リレー、ラッチ機構、電磁石、衝撃システム、接触システムの変化例を提供するので、本発明の双安定リレーは必要に応じて上述の各部材を調整、選択することができる。例えば、上述の双安定リレー100から100cの双安定アクチュエータ102は、双安定アクチュエータ102aから102cに切り換えることができる。又は、上述の双安定リレー100dの接触システム150も接触システム150aから150cに切り換えることができる。本発明は上述の実施方式に限定しない。本発明における双安定アクチュエータはコラム状透磁性材料とピラー状永久磁石との間の引力によって、良好なラッチングの効率と閉鎖性の低磁気抵抗の高効率磁気回路を有し、双安定リレーが安定状態に位置決めされる安定性を高めることで、双安定アクチュエータが双安定リレーに応用される時、ラッチ機構は安定状態に切り換えられる過程において、シャフトは、ラッチ機構が同期して回転され、双安定リレーの衝撃システムを駆動することで、接触システムに対して移動され、接触点を相互に接続又は切断される。これにより、本発明における双安定リレーは高効率のラッチ機構によって、接触システムの接触信頼性を高めることができる。
【0056】
図35は本発明の別の実施形態における双安定リレー200の図である。
図35を参照すると、本実施形態において、双安定リレー200は同様に、シャフト110、ラッチ機構120、電磁石130を含み、そのうちシャフト110、ラッチ機構120、電磁石130を組み合わされて双安定アクチュエータ102となる。双安定アクチュエータ102のシャフト110、ラッチ機構120、電磁石130に関する記載は上述の内容を参考にでき、且つ、双安定リレー200のラッチ機構120、電磁石130は必要に応じて、上述の各種ラッチ機構と電磁石の変化例に交換することができ、ここでは追加して説明しない。双安定リレー200と双安定リレー100の主な差異は、双安定リレー200は衝撃システム260と接触システム250を含むことである。具体的に、衝撃システム260は回転アーム262、タップヘッド263、回転遮断器266を含む。回転アーム262はシャフト110の一端に配置される。シャフト110がラッチ機構120と電磁石130によって回転される時、シャフト110は回転アーム262を駆動して同期して回転される。タップヘッド263は回転アーム262上に配置される。回転アーム262とシャフト110が同期して回転される時、回転アーム262はタップヘッド263を駆動して接触システム250に対して移動され、接触システム250に近づける、又は遠ざける。回転遮断器266は、回転アーム262の回転角度を180°より小さく限定するために、回転アーム262の一方側に配置される。
【0057】
また、本実施形態における接触システム250は衝撃システム260に連接され、且つ、二つの接触点を有し、そのうちの接触点は固定接点252と可動接点253を含む。さらに、本実施形態において、双安定リレー200は必要に応じてケース202を配置して、双安定アクチュエータ102、衝撃システム260、接触システム250はケース202上に配置することもできる。接触システム250は、固定接点252、可動接点253、固定金属片256、弾性金属片258を含む。固定接点252は固定金属片256によってケース202上に固定される。可動接点253は弾性金属片258上に配置され、且つ、タップヘッド263に対応し、且つ弾性金属片258はケース202上に固定される。同様に、双安定リレー200のシャフト110もラッチ機構120と電磁石130によって安定状態に切り換えることができ、回転アーム262がシャフト110と同期して回転することでタップヘッド263を駆動して接触システム250に近づける、又は遠ざける。したがって、タップヘッド263が回転アーム262の駆動により弾性金属片258を押す時、弾性金属片258上に位置する可動接点253は固定接点252に接触されるのに適し、対照的に、タップヘッド263が回転アーム262の駆動により弾性金属片258から遠ざかる時、弾性金属片258上に位置する可動接点253は弾性金属片258の復元力によって固定接点252から遠ざかり、可動接点253は固定接点252と切断されるのに適している。これにより、双安定リレー200の衝撃システム260の作動方式と上述の双安定リレー100から100dの衝撃システム160の作動方式は異なるが、双安定リレー200も回路の切断又は接続の二つの状態間を切り換えることができる効果を備える。
【0058】
以上をまとめると、本発明における双安定アクチュエータのラッチ機構は相対する二つの安定状態を有し、且つ、ラッチ機構はコラム状中空透磁性材料の第一部分及び第二部分がピラー状永久磁石に対して距離が最短となる第一距離及び第二距離をそれぞれ有することで、ピラー状永久磁石をガイドしてコラム状中空透磁性材料を第一部分の第一距離を有する箇所及び第二部分の第二距離有する箇所に向けられ、さらに、コラム状中空透磁性材料はピラー状永久磁石をガイドしてそのうち一つの安定状態に切り換えられることに適している。さらに、本発明における双安定アクチュエータ電磁石の発生する磁場によってラッチ機構を安定状態に切り換えられ、且つ、シャフトとラッチ機構は同期して回転される。これにより、本発明における双安定アクチュエータはコラム状透磁性材料とピラー状永久磁石との間の引力によって、良好なラッチングの効率と閉鎖性の低磁気抵抗の高効率磁気回路を有し、双安定リレーが安定状態に位置決めされる安定性を高める。また、
双安定アクチュエータが双安定リレーに応用される時、ラッチ機構は安定状態に切り換えられる過程において、シャフトは、ラッチ機構が同期して回転され、衝撃システムのタップヘッドを駆動することで、接触システムに対して移動され、接触点を相互に接続又は切断される。このように、本発明における双安定リレーは回路を接続、又は切断することで、双安定アクチュエータのコラム状透磁性材料とピラー状永久磁石との間の引力によって、ラッチ効率を向上させて、双安定リレーが安定状態に位置決めされる安定性を高め、さらに接触システムの接触信頼性を高める。
【0059】
最後に説明すべきことは、以上の各実施形態は本発明の技術試案を説明するためにすぎず、それに限定されるものではない。上述の各実施形態を参照することで本発明の詳細な説明を行っているが、本分野の一般の技術員は理解するはずであり、依然として、上述の各実施形態に記載される技術試案を補正する、又は、部分的、もしくは全ての技術特徴を等しく差し替えることができ、これらの補正、又は差替えは、相応する技術試案の本質に本発明の各実施形態における技術試案の範囲から脱離させない。