(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
前記制御部は、前記実際に変わった前記基板のサイズに対応するように、前記表示領域のサイズ及び前記表示領域のサイズに対応する解像度を定め、これに関する情報を前記解像度調節部に伝達する請求項4に記載のフレキシブル表示装置。
【発明を実施するための最良の形態】
【0019】
図1は、本発明の一実施形態に関するフレキシブル表示装置の構成を示す概略的な図面である。
図1を参照すれば、フレキシブル表示装置100は、表示領域DAを持つ基板101、変形感知部120、制御部130及び解像度調節部140を備える。
【0020】
基板101は、フレキシブルな材質で形成する。例えば、基板101は、プラスチック材質で形成する。この時、基板101を形成するプラスチック材質は、多様な有機物から選択された一つ以上である。
基板101がフレキシブルな材質で形成されてユーザの意図によって曲折される。例えば、ユーザが基板101の中央線を基準として曲折して基板101のサイズが半分に縮まる。さらにもう一回曲折して基板101のサイズが1/4に縮まることもある。
【0021】
基板101の表示領域DAは、画像を具現する領域である。表示領域DAは、基板101のサイズによってそのサイズが変わる。すなわち、前述したように、基板101を曲折して基板101のサイズが小さくなれば、表示領域DAもそれに対応するように小さくなる(具体的な内容は後述する)。
【0022】
変形感知部120は、表示領域DAと重畳するように形成される。また変形感知部120は、基板101の面のうち、表示領域DAで画像が具現される方向の反対面に形成されることが望ましい。具体的な例として、変形感知部120は、基板101の背面に形成される。すなわち、
図1は、基板101の前面方向を示すものであり、変形感知部120は実際には見えないため、点線で図示した。
【0023】
しかし、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、変形感知部120は、フレキシブル表示装置100で具現される画像の特性が低下しないように、基板101上の一面に表示領域DAと所定の領域で重畳するように多様な形態に形成される。例えば、変形感知部120は、In−Cell構造、すなわち、表示領域DAに形成される絶縁層及び導電層のうちいずれか一層の上部に形成されてもよい。
【0024】
変形感知部120は、複数の感知部材121、122、123、124、すなわち、第1感知部材121、第2感知部材122、第3感知部材123及び第4感知部材124を備える。
感知部材121、122、123、124それぞれは、互いに離隔して互いに異なる長さを持つことが望ましい。
【0025】
第1感知部材121、第2感知部材122、第3感知部材123及び第4感知部材124は、それぞれ基板101の横方向に対応する長さを持ち、基板101の縦方向に順次に互いに所定間隔で離隔して配される。すなわち、第1感知部材121は基板101の上部に配され、第1感知部材121より大きい長さを持つ第2感知部材122は第1感知部材121の下部に配され、第2感知部材122より大きい長さを持つ第3感知部材123は第2感知部材122の下部に配され、第3感知部材123より大きい長さを持つ第4感知部材124は第3感知部材123の下部に配される。また感知部材121、122、123、124は、基板101の右側エッジまで伸びるように形成されることが望ましい。
【0026】
変形感知部120は、基板101の曲折を感知する。変形感知部120は、圧電素子のような形態を持って基板101の曲折を感知する。また変形感知部120の各感知部材121、122、123、124は、基板101の領域別に曲折を感知して基板101のサイズが変わることを感知する(具体的な内容は後述する)。
【0027】
制御部130は、変形感知部120から情報を取得する。すなわち、変形感知部120の各感知部材121、122、123、124が取得した基板101の変形に関する情報を取得する。
制御部130の情報取得を容易にするために、変形感知部120と制御部130との間には増幅器160が配される。増幅器160は、変形感知部120が感知した基板101の変形に関する情報を増幅して、変形感知部120が取得した情報を制御部130がさらに効果的に取得して感知可能にする。
【0028】
増幅器160は、本実施形態の選択的構成要素であるため、省略してもよい。
また増幅器160と制御部130との間にA/D(analogue to digital)コンバータ170を備え、変形感知部120が取得した情報をデジタル信号に変換して制御部130に伝達する。これにより、制御部130はさらに精密に変形感知部120が取得した情報を感知する。
A/Dコンバータ170は、本実施形態の選択的構成要素であるため、省略してもよい。
【0029】
制御部130は、変形感知部120から伝達された情報により基板101の変形または曲折について感知し、結果的に基板101の変形されたサイズを感知する(具体的な内容は後述する)。またこれにより、変形されたサイズに対応する表示領域DAのサイズを判断する。
【0030】
解像度調節部140は、制御部130と連結されて、基板101の変形されたサイズに対応する表示領域DAのサイズに好適な画像のサイズを定め、これらの画像のサイズに好適な画像の解像度を定めて画像の解像度を調節し、ユーザに最適の画像を提供可能にする。また選択的実施形態として、制御部130が最適の解像度を定め、このような解像度情報が解像度調節部140に伝達され、その情報の通りに解像度を調節してもよい。
【0031】
図1には、解像度調節部140と制御部130とがそれぞれ区別された構成要素として分離されているが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、解像度調節部140は、制御部130と一体化できる。具体的な例として、制御部130内に解像度調節部140が備えられてもよい。
【0032】
また解像度調節時に、制御部130は、メモリ150から画像に関する情報を取得して解像度調節部140の解像度調節作業を効率的に行える。もちろん、メモリ150は解像度調節部140に直接連結されてもよく、メモリ150が制御部130内に備えられてもよい。一方、メモリ150は、本実施形態の選択的構成要素であるため、省略してもよい。
【0033】
図2Aないし
図2Cは、
図1のフレキシブル表示装置の動作を概略的に示す図面である。
先ず、
図2Aを参照すれば、基板101の背面に形成された変形感知部120が図示されている。
【0034】
基板101の上側エッジと下側エッジとを横切る点線L1、L2、L3、L4は、仮想の線である。具体的に、点線L1、L2、L3、L4は、ユーザが基板101を曲折する基準線になる。すなわち、点線L1、L2、L3、L4の位置及び間隔は多様に定められる。また
図2Aには4つの点線が図示されているが、それ以上またはそれ以下の点線があり得るということはいうまでもない。
【0035】
図2Bを参照すれば、基板101の前面を示すものであり、表示領域DAに画像が表示されている。
図2Bに示された画像は、説明の便宜のために例示的に示すものであり、これに限定されるものではない。また
図2Bに示された表示領域DAは、基板101が曲折される前の全体面積に対応する適宜なサイズを持ち、表示領域DAにはそのサイズに対応する画像が表示されている。
【0036】
図2Bに示された矢印の通りに点線L1を基準として基板101が曲折されれば、
図2Cに示された通りに基板101の実質的なサイズは半分に縮まる。この時、表示領域DAのサイズも基板101に対応して縮まる。一方、ユーザが認識する画像の特性に鑑みて、表示領域DAの縦横比は変わらないままサイズが縮まるのが望ましい。
【0037】
具体的に
図2Bに示されたように、点線L1を基準として基板101を曲折する場合、基板101の背面に形成された変形感知部120のうち第4感知部材124が基板101の変形を感知する。この時、第1感知部材121、第2感知部材122及び第3感知部材123は、基板101の変形を感知できない。
【0038】
このような変形感知部120が感知した基板101の変形に関する情報は制御部130に伝達される。前述したように、選択的に増幅器160及びA/Dコンバータ170が配され、制御部130が効率的に変形感知部120から情報を取得する。
【0039】
制御部130は、変形感知部120から受けた情報により、基板101が曲折されて実際に縮まったサイズを把握する。すなわち、制御部130は、変形感知部120の複数の感知部材121、122、123、124のうち第4感知部材124のみが基板101の変形を感知した情報を取得し、これを通じて基板101を曲折した基準線が略基板101の中央、すなわち、点線L1と類似した位置であることを把握する。結果的に基板101のサイズが概略半分に縮まったことを把握する。制御部130は、このような基板101の縮まったサイズに対応する表示領域DAのサイズ及び表示領域DAの解像度に関する情報を解像度調節部140に伝達する。
【0040】
解像度調節部140は、制御部130から受けた情報により表示領域DAを適宜なサイズに調節し、表示領域DAのサイズに好適な解像度を定めて表示領域DAの解像度を調節する。これにより、ユーザは基板101のサイズが変わっても、これに対応する適宜なサイズ及び適宜な解像度の画像を感知する。
この時、変形感知部120の幅、長さ、配置位置及び配置間隔などの条件を多様に設定して、基板101の変形、すなわち、曲折程度を精密に感知できるといえる。
【0041】
本実施形態では、基板101の背面に配された変形感知部120によって、基板101をユーザが曲折して基板101の実質的なサイズが変わった場合にも、変わった基板101のサイズに対応するサイズ及び解像度を調節して画質特性を均一に維持する。特に、変形感知部120が複数の感知部材121、122、123、124を備え、基板101の曲折位置を容易に感知して基板101のサイズを容易に把握する。
【0042】
図3Aないし
図3Dは、本発明の他の実施形態に関するフレキシブル表示装置の動作を概略的に示す図面である。
本実施形態のフレキシブル表示装置200は、表示領域DAを持つ基板201、変形感知部220を備え、制御部(図示せず)及び解像度調節部(図示せず)を備える。
変形感知部220は、複数の感知部材221、222、223、224、225、226、227、すなわち、第1感知部材221、第2感知部材222、第3感知部材223、第4感知部材224、第5感知部材225、第6感知部材226及び第7感知部材227を備える。
【0043】
先ず、
図3Aを参照すれば、基板201の背面に形成された変形感知部220が図示されている。第1感知部材221、第2感知部材222、第3感知部材223及び第4感知部材224は、基板201の横方向に対応する長さを持ち、基板201の縦方向に順次に互いに所定間隔で離隔して配される。すなわち、第1感知部材221は基板201の右側上部に配され、第1感知部材221より大きい長さを持つ第2感知部材222は第1感知部材221の下部に配され、第2感知部材222より大きい長さを持つ第3感知部材223は第2感知部材222の下部に配され、第3感知部材223より大きい長さを持つ第4感知部材224は第3感知部材223の下部に配される。また、感知部材221、222、223、224は、基板201の右側エッジまで伸びるように形成されることが望ましい。
【0044】
また、第5感知部材225、第6感知部材226及び第7感知部材227は、基板201の縦方向に対応する長さを持ち、基板201の横方向に順次に互いに所定間隔で離隔して配される。すなわち、第5感知部材225は、第1ないし第4感知部材221、222、223、224と離隔して配され、第5感知部材225より大きい長さを持つ第6感知部材226は、第5感知部材225の左側に配され、第6感知部材226より大きい長さを持つ第7感知部材227は、第6感知部材226の左側に配される。また、感知部材225、226、227は基板201の上側エッジまで伸びるように形成されることが望ましい。
【0045】
基板201の上側エッジと下側エッジとを横切る点線L1、L2、L3、L4及び基板201の左側エッジと右側エッジとを横切る点線M1、M2、M3は、仮想の線である。具体的に、点線L1、L2、L3、L4、M1、M2、M3は、ユーザが基板201を曲折する基準線になる。
【0046】
図3Bは、基板201の前面を示すものであり、表示領域DAに画像が表示されている。
図3Bに示された画像は、説明の便宜のために例示的に示すものであり、これに限定されるものではない。また
図3Bに示された表示領域DAは、基板201が曲折される前の全体面積に対応するサイズを持ち、表示領域DAのサイズに対応する画像が表示されている。
【0047】
図3Bに示された矢印の通りに、点線L1を基準として基板201が曲折されれば、
図3Cに示された通りに基板201の実質的なサイズは半分に縮まる。この時、表示領域DAのサイズも、基板201に対応して縮まる。一方、ユーザが認識する画像の特性に鑑みて、表示領域DAの縦横比は変わらないままサイズが縮まることが望ましい。
【0048】
具体的に
図3Bに示された通りに、点線L1を基準として基板201を曲折する場合、基板201の背面に形成された変形感知部220のうち第4感知部材224が基板201の変形を感知する。この時、第1感知部材221、第2感知部材222及び第3感知部材223は、基板201の変形を感知できない。また第5感知部材225、第6感知部材226及び第7感知部材227は、基板201の変形を感知できない。
【0049】
このような変形感知部220が感知した基板201の変形に関する情報は、制御部(図示せず)に伝達される。制御部(図示せず)は、変形感知部220から受けた情報により、基板201が曲折されて実際に縮まったサイズを把握する。制御部(図示せず)は、このような基板201のサイズに対応する表示領域DAのサイズ及び表示領域DAの解像度に関する情報を、解像度調節部(図示せず)に伝達する。
【0050】
解像度調節部(図示せず)は、制御部(図示せず)から受けた情報により表示領域DAを適宜なサイズに調節し、表示領域DAのサイズに好適な解像度を定めて表示領域DAの解像度を調節する。これにより、ユーザは基板201のサイズが変わっても、これに対応する適宜なサイズ及び適宜な解像度の画像を感知する。
【0051】
この時、変形感知部220の幅、長さ、配置位置及び配置間隔などの条件を多様に設定して、基板201の変形、すなわち、曲折程度を精密に感知できるといえる。
次いで、
図3Cに示された矢印方向に点線M1を基準として基板201を曲折されれば、
図3Dに示された通りに基板201の実質的なサイズはさらに縮まる。この時、表示領域DAのサイズは、基板201のサイズに対応して縮まらない場合もある。すなわち、ユーザが認識する画像の特性に鑑みて表示領域DAの縦横比は変わらないので、
図3Cに比べれば、
図3Dの表示領域DAのサイズはそのままでありうる。
【0052】
具体的に
図3Cに示された通りに、点線M1を基準として基板201を曲折する場合、基板201の背面に形成された変形感知部220のうち第7感知部材227が基板201の変形を感知する。この時、第5感知部材225、第6感知部材226は、基板201の変形を感知できない。また、第1感知部材221、第2感知部材222、第3感知部材223及び第4感知部材224は、基板201の変形を感知できない。
【0053】
このような変形感知部220が感知した基板201の変形に関する情報は、制御部(図示せず)に伝達される。制御部を通じる解像度調節部(図示せず)への情報伝達及び解像度調節部(図示せず)の解像度調節についての具体的な内容は、前述した通りであるため、説明は略する。
【0054】
本実施形態のフレキシブル表示装置200は、前述した実施形態に比べれば、変形感知部220の感知部材の数を増加させて配置位置を多様にし、フレキシブル表示装置200の基板201の変形をさらに精密に感知して表示領域DAのサイズ及び解像度をさらに精密に制御する。
【0055】
図4は、本発明のさらに他の実施形態に関するフレキシブル表示装置の動作を概略的に示す図面である。
本実施形態のフレキシブル表示装置300は、表示領域(図示せず)を持つ基板301、変形感知部320を備え、制御部(図示せず)及び解像度調節部(図示せず)を備える。
【0056】
変形感知部320は、前述した実施形態とは異なって複数の感知部材を備えず、一体化している形態を持つ。変形感知部320は、基板301の一側エッジ及びこれに隣接している他の一側エッジに対応し、領域別に相異なる幅を持つように形成される。すなわち、基板301の左側から右側へ行くほど変形感知部320の幅は増大するように形成される。具体的な例として、変形感知部320は直角三角形と類似した形態を持つ。
【0057】
すなわち、変形感知部320は、右側エッジ及び下側エッジに対応し、右側上部角及び左側下部角に対応するように形成される。
基板301の上側エッジと下側エッジとを横切る点線L1、L2、L3は、仮想の線である。具体的に、点線L1、L2、L3は、ユーザが基板301を曲折する基準線になる。
【0058】
図4に示された点線L1を基準として基板301が曲折されれば、変形感知部320の所定の幅HL1が基板301の変形を感知する。また、点線L2を基準として基板301が曲折されれば、変形感知部320の所定の幅HL2が基板301の変形を感知する。また、点線L3を基準として基板301が曲折されれば、変形感知部320の所定の幅HL3が基板301の変形を感知する。
【0059】
すなわち、本実施形態では、変形感知部320が複数の感知部材を備えなくても、ユーザが基板301を曲折する点線L1、L2、L3によって変形感知部320の曲折される幅が互いに異なるので、その幅によって、基板301の曲折位置及びこれによって実際に変わった基板301のサイズを容易に把握する。
【0060】
例えば、ユーザが基板301を曲折する時、点線L1を基準として基板301を曲折する時に比べて、点線L3を基準として基板301を曲折する時に変形感知部320が感知した値のサイズは大きい。すなわち、変形感知部320が感知した基板301の変形程度に対する値のサイズにより、基板301の曲折位置を把握する。
【0061】
具体的に説明すれば、次の通りである。変形感知部320が感知した基板301の変形程度に対する値のサイズにより、制御部(図示せず)は基板301の曲折位置を把握し、曲折位置により、基板301が曲折された後で実際に基板301の変わったサイズを把握する。
【0062】
制御部(図示せず)を通じる解像度調節部(図示せず)への情報伝達及び解像度調節部(図示せず)の解像度調節についての具体的な内容は、前述した通りである。
【0063】
図5は、本発明の一実施形態に関するフレキシブル表示装置の動作を概略的に示すフローチャートである。
具体的に、
図5は、
図1のフレキシブル表示装置100の動作を概略的に説明するフローチャートである。図示していないが、
図5を、前述した他のフレキシブル表示装置200、300にも適用できるということはいうまでもない。
【0064】
図5を参照すれば、開始段階(S1)から変形感知段階(S2)に進む。変形感知段階(S2)で、変形感知部120が基板101の変形を感知した場合には、解像度決定段階(S3)及び解像度調節段階(S4)を順次に進める。この時、解像度決定段階(S3)は、制御部130が変形感知部120から受けた情報により行われる。また解像度決定段階(S3)は、制御部130から受けた情報により解像度調節部140が解像度を定めることもある。
【0065】
変形感知段階(S2)で、変形感知部120が基板101の変形を感知できなかった場合、すなわち、基板101のサイズが実際に変わっていない場合、解像度維持段階(S5)を行う。
【0066】
次いで、何の動作も操作もない場合、待ちモード段階(S6)に留まり、インタラプト段階(S7)でインタラプトキーまたはボタンが押される場合に再び開始段階(S1)に戻って前述した段階を行う。インタラプト段階(S7)でインタラプトキーまたはボタンが押されない場合、終了感知段階(S8)に進む。
【0067】
終了感知段階(S8)で終了ボタンまたはキーが押される場合、終了段階(S9)を行い、終了ボタンが押されない場合に再び待ちモード段階(S6)に戻って前述した段階を行う。
【0068】
図5を参照して説明したフレキシブル表示装置100の動作は、一例である。すなわち、本実施形態のフレキシブル表示装置100の作動は、多様な形態に行えるといえる。
【0069】
図6は、
図1のフレキシブル表示装置100の表示領域DAの一実施形態を示す概略的な断面図である。もちろん
図6は、前述した他のフレキシブル表示装置200、300にも適用される。
図6を参照すれば、表示領域DAは、基板101、第1電極110、中間層114及び第2電極115を備える。
各部材の構成について具体的に説明する。
【0070】
基板101は、柔軟性のある材質で形成する。例えば、基板101は、透明なプラスチック材質で形成する。
第1電極110は、基板101上に形成される。第1電極110は、ITO、IZO、ZnOまたはIn
2O
3などを含んで備えられる。また目的及び設計条件によって第1電極110は、Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、YbまたはCaなどで形成された反射膜をさらに備える。
【0071】
基板101と第1電極110との間にバッファ層(図示せず)が形成される。バッファ層(図示せず)は、基板101を通じる不純元素の浸透を防止して基板101の上部に平坦な面を提供するものであり、このような役割を行える多様な物質で形成される。一例として、バッファ層(図示せず)は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化チタンまたは窒化チタンなどの無機物やポリイミド、ポリエステル、アクリルなどの有機物を含み、例示した材料のうち複数の積層体で形成される。
【0072】
中間層114が第1電極110上に形成される。中間層114は、可視光線を具現するように有機発光層を備える。中間層114は、低分子または高分子有機膜で形成される。中間層114が低分子有機膜で形成される場合、正孔注入層(HIL:Hole Injection Layer)、正孔輸送層(HTL:Hole Transport Layer)、有機発光層、電子輸送層(ETL:Electron Transport Layer)、電子注入層(EIL:Electron Injection Layer)などを備える。
【0073】
正孔注入層(HIL)は、銅フタロシアニンなどのフタロシアニン化合物またはスターバースト(Starburst)型アミン類であるTCTA、m−MTDATA、m−MTDAPBなどで形成される。
【0074】
正孔輸送層(HTL)は、N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ジフェニル−[1,1−ビフェニル]−4,4’−ジアミン(TPD)、N,N’−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ジフェニルベンジジン(α−NPD)などで形成される。
【0075】
電子注入層(EIL)は、LiF、NaCl、CsF、Li
2O、BaO、Liqなどの物質を用いて形成する。
電子輸送層(ETL)は、Alq
3を用いて形成する。
【0076】
有機発光層は、ホスト物質及びドーパント物質を含む。有機発光層のホスト物質としては、トリス(8−ヒドロキシ−キノリナト)アルミニウム(Alq
3)、9,10−ジ(ナフティ−2−イル)アントラセン(AND)、3−Tert−ブチル−9,10−ジ(ナフティ−2−イル)アントラセン(TBADN)、4,4’−ビス(2,2−ジフェニル−エテン−1−イル)−4,4’−ジメチルフェニル(DPVBi)、4,4’−ビス(2,2−ジフェニル−エテン−1−イル)−4,4’−ジメチルフェニル(p−DMDPVBi)、Tert(9,9−ジアリールフルオレン)s(TDAF)、2−(9,9’−スピロビフルオレン−2−イル)−9,9’−スピロビフルオレン(BSDF)、2,7−ビス(9,9’−スピロビフルオレン−2−イル)−9,9’−スピロビフルオレン(TSDF)、ビス(9,9−ジアリールフルオレン)s(BDAF)、4,4’−ビス(2,2−ジフェニル−エテン−1−イル)−4,4’−ジ−(tert−ブチル)フェニル(p−TDPVBi)、1,3−ビス(カルバゾール−9−イル)ベンゼン(mCP)、1,3,5−トリス(カルバゾール−9−イル)ベンゼン(tCP)、4,4’,4”−トリス(カルバゾール−9−イル)トリフェニルアミン(TcTa)、4,4’−ビス(カルバゾール−9−イル)ビフェニル(CBP)、4,4’−ビス(9−カルバゾリル)−2,2’−ジメチル−ビフェニル(CBDP)、4,4’−ビス(カルバゾール−9−イル)−9,9−ジメチル−フルオレン(DMFL−CBP)、4,4’−ビス(カルバゾール−9−イル)−9,9−ビス(9−フェニル−9H−カルバゾール)フルオレン(FL−4CBP)、4,4’−ビス(カルバゾール−9−イル)−9,9−ジ−トリル−フルオレン(DPFL−CBP)、9,9−ビス(9−フェニル−9H−カルバゾール)フルオレン(FL−2CBP)などが使われる。有機発光層のドーパント物質としては、DPAVBi(4,4’−ビス[4−(ジ−p−トリルアミノ)スチリル]ビフェニル)、ADN(9,10−ジ(ナフ−2−チル)アントラセン)、TBADN(3−トト−ブチル−9,10−ジ(ナフ−2−チル)アントラセン)などが使われる。
【0077】
第2電極115は、中間層114上に形成される。第2電極115は、Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、またはCaの金属で形成される。
【0078】
第2電極115上に密封部材(図示せず)が配される。密封部材(図示せず)は、外部の水分や酸素などから中間層114及びその他層を保護するために形成するものであり、密封部材(図示せず)は、プラスチックまたは有機物と無機物との複数の重畳した構造で形成する。
【0079】
図7は、
図1のフレキシブル表示装置100の表示領域DAの他の実施形態を示す概略的な断面図である。もちろん
図7は、前述した他のフレキシブル表示装置200、300にも適用される。
図7を参照すれば、表示領域は、基板501、第1電極510、画素定義膜519、中間層514及び第2電極515を備える。各部材の構成について具体的に説明する。説明の便宜のために、前述した実施形態と異なる点を中心として説明する。
【0080】
基板501上に第1電極510が形成される。
第1電極510上に、絶縁物を用いて画素定義膜519が形成される。この時、画素定義膜519は、第1電極510の上面を露出させるように開口を持つように形成される。
【0081】
中間層514は、第1電極510の露出された上面に形成される。中間層514は、可視光線を具現するように有機発光層を備える。
第2電極515は、中間層514上に形成される。
第2電極515上に密封部材(図示せず)が配される。
【0082】
図8は、
図1のフレキシブル表示装置100の表示領域DAのさらに他の実施形態を示す概略的な断面図である。もちろん
図8は、前述した他のフレキシブル表示装置200、300にも適用される。
【0083】
図8を参照すれば、表示領域は、基板601上に形成された薄膜トランジスタTFTを備える。薄膜トランジスタTFTは、活性層603、ゲート電極605、ソース電極607及びドレイン電極608を備える。各部材の構成について具体的に説明する。説明の便宜のために、前述した実施形態と異なる点を中心として説明する。
【0084】
基板601上にバッファ層602が形成される。前述した実施形態と同様に必須構成要素ではないところ、省略できる。
バッファ層602上に所定パターンの活性層603が形成される。活性層603は、アモルファスシリコンまたはポリシリコンなどの無機半導体や有機半導体で形成され、ソース領域、ドレイン領域及びチャンネル領域を含む。活性層603のソース領域及びドレイン領域は、アモルファスシリコンまたはポリシリコンで形成した後、3族または5族不純物をドーピングして形成する。
【0085】
活性層603の上部にはゲート絶縁膜604が形成され、ゲート絶縁膜604の上部の所定領域にはゲート電極605が形成される。ゲート絶縁膜604は、活性層603とゲート電極605とを絶縁するためのものであり、有機物またはSiN
x、SiO
2などの無機物で形成する。
【0086】
ゲート電極605は、Au、Ag、Cu、Ni、Pt、Pd、Al、Moを含み、Al:Nd、Mo:W合金などの合金を含むが、これらに限定されず、隣接する層との密着性、平坦性、電気抵抗及び加工性などを考慮して多様な材質で形成する。
【0087】
ゲート電極605の上部には層間絶縁膜617が形成される。層間絶縁膜617及びゲート絶縁膜604は、活性層603のソース領域及びドレイン領域を露出させるように形成され、このような活性層603の露出したソース領域及びドレイン領域と当接するように、ソース電極607及びドレイン電極608が形成される。
【0088】
ソース電極607及びドレイン電極608は、多様な導電物質を用いて形成することができ、単層構造または複数層構造である。
薄膜トランジスタTFTの上部にパッシベーション層618が形成される。具体的に、ソース電極607及びドレイン電極608上にパッシベーション層618が形成される。
【0089】
パッシベーション層618は、ドレイン電極608の全体を覆わずに所定の領域を露出させるように形成され、露出したドレイン電極608と連結されるように第1電極610が形成される。
【0090】
第1電極610上に、絶縁物で画素定義膜619を形成する。画素定義膜619は、第1電極610の所定の領域を露出させるように形成され、露出した第1電極610と当接するように中間層614を形成する。そして、中間層614と連結されるように第2電極615を形成する。
第2電極615上に密封部材(図示せず)が配される。
【0091】
図9は、
図1のフレキシブル表示装置100の表示領域DAのさらに他の実施形態を示す概略的な断面図である。もちろん
図9は、前述した他のフレキシブル表示装置200、300にも適用される。
【0092】
図9を参照すれば、表示領域は、基板701上に形成された薄膜トランジスタTFT及びキャパシタ718を備える。薄膜トランジスタTFTは、活性層703、ゲート電極705、ソース電極707及びドレイン電極708を備える。各部材の構成について具体的に説明する。説明の便宜のために、前述した実施形態と異なる点を中心として説明する。
【0093】
基板701上にバッファ層702が形成される。バッファ層702上に所定のサイズを持つ活性層703が形成される。またバッファ層702上に第1キャパシタ電極711が形成される。第1キャパシタ電極711は、活性層703と同じ材料で形成されることが望ましい。
【0094】
バッファ層702上に、活性層703及び第1キャパシタ電極711を覆うようにゲート絶縁膜704が形成される。
ゲート絶縁膜704上に、ゲート電極705、第1電極710及び第2キャパシタ電極713が形成される。
ゲート電極705は、第1導電層705a及び第2導電層705bを備える。
【0095】
第1電極710は、第1導電層705aと同じ物質で形成する。第1電極710の上部の所定の領域には導電部710aが配されるが、導電部710aは、第2導電層705bと同じ材質で形成される。
【0096】
第2キャパシタ電極713は、第1層713a及び第2層713bを備えるが、第1層713aは、第1導電層705aと同じ材質で形成され、第2層713bは、第2導電層705bと同じ材質で形成される。第2層713bは、第1層713aより小さく第1層713a上に形成される。また第2キャパシタ電極713は、第1キャパシタ電極711と重畳して第1キャパシタ電極711より小さく形成される。
【0097】
第1電極710、ゲート電極705及び第2キャパシタ電極713上に層間絶縁膜717が形成される。層間絶縁膜717上にソース電極707及びドレイン電極708が形成される。ソース電極707及びドレイン電極708は、活性層703と連結されるように形成される。
【0098】
またソース電極707及びドレイン電極708のうちいずれか一つの電極は、第1電極710と電気的に連結されるが、
図8には、ドレイン電極708が第1電極710と電気的に連結された形態が図示されている。具体的に、ドレイン電極708は導電部710aと当接する。
【0099】
層間絶縁膜717上に、ソース電極707、ドレイン電極708及びキャパシタ718を覆うように画素定義膜719が形成される。
画素定義膜719は、第1電極710の上面に対応する所定の開口部719aを持つように形成され、画素定義膜719の開口部719aを通じて露出した第1電極710上に中間層714が形成される。
【0100】
中間層714上に第2電極715が形成される。第2電極715上に密封部材(図示せず)が配される。密封部材は、第1電極710、中間層714または第2電極715を外部の異物または衝撃による損傷を回避するように形成され、ガラス、金属薄膜などで形成されるか、または有機物と無機物との積層構造に形成される。
【0101】
前述した実施形態では、表示領域DAが有機発光層を備える中間層、すなわち、有機発光素子である場合のみを説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、第2端末器20の表示部24が液晶素子の形態を持つということはいうまでもない。
【0102】
図10は、本発明のさらに他の実施形態に関するフレキシブル表示装置を概略的に示す断面図である。
図10を参照すれば、本実施形態のフレキシブル表示装置1000は、基板101、変形感知部120及びタッチパネル1200を備える。すなわち、本実施形態のフレキシブル表示装置1000は、
図1のフレキシブル表示装置100の上部にタッチパネル1200がさらに備えられた構造を持つ。
【0103】
もちろん、図示していないが、前述した他のフレキシブル表示装置200、300にタッチパネル1200が配されてもよい。
本実施形態のタッチパネル1200は柔軟性を持つため、ユーザの意図によって基板101と同じく曲折される。
【0104】
また
図10には、変形感知部120が基板101の下面に配された形態が図示されているが、本発明はこれに限定されず、変形感知部120が基板101とタッチパネル1200との間またはタッチパネル1200の上面に配される構成も可能であるといえる。
【0105】
本発明は、図面に示された実施形態を参照して説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これより多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。よって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって定められねばならない。