特許第6232329号(P6232329)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特許6232329ＳｉＣ種結晶の加工変質層の除去方法、ＳｉＣ種結晶及びＳｉＣ基板の製造方法
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