特許6232853ＩＩＩ族窒化物複合基板およびその製造方法、積層ＩＩＩ族窒化物複合基板、ならびにＩＩＩ族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法

発明の名称　ＩＩＩ族窒化物複合基板およびその製造方法、積層ＩＩＩ族窒化物複合基板、ならびにＩＩＩ族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法

出願人　住友電気工業株式会社　（識別番号 2130）

　　　　特許公開件数ランキング 81 位（690件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 50 位（749件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-6232853

公報発行日　2017年11月22

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-6232853

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