(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
【発明を実施するための形態】
【0011】
図1は、第1実施形態の電源切替回路の構成を示す図である。
第1実施形態の電源切替回路は、複数(N個)の電源端子IN1〜INnと、1つの出力端子OUTと、複数の(パワー)スイッチQ1〜Qnと、複数の入力電源電圧検出回路11−1〜11−nと、制御論理(logic)回路12と、容量Cと、を有する。複数の入力電源電圧検出回路11−1〜11−nおよび制御論理(logic)回路12が、電源切替制御回路を形成する。電源切替制御回路は、複数の電源端子IN1〜INnに入力される複数の電源からもっとも高電圧の入力電源を選択して出力端子OUTに出力するように複数のスイッチQ1〜Qnを制御する。容量Cは、出力端子OUTの出力電圧を安定化するために設けられる。
【0012】
複数のスイッチQ1〜Qnは、例えば、PMOSトランジスタで実現され、複数の電源端子IN1〜INnと出力端子OUT間にそれぞれ接続される。複数のスイッチQ1〜Qnは、制御論理回路12の出力する複数の制御信号G(1)〜G(n)により制御される。具体的には、複数のスイッチQ1〜Qnを形成する複数のPMOSトランジスタのゲートに、複数の制御信号G(1)〜G(n)がそれぞれ印加される。
【0013】
複数の入力電源電圧検出回路11−1〜11−nは、複数の電源端子IN1〜INnの電圧と出力端子OUTの電圧を比較する。複数の入力電源電圧検出回路11−1〜11−nは、複数の電源端子IN1〜INnのそれぞれの電圧が出力OUTの電圧より所定値以上大きい時に検出信号DET(1)〜DET(n)を出力する。所定値は、後述するように、例えばトランジスタの閾値電圧である。
【0014】
制御論理回路12は、複数の入力電源電圧検出回路11−1〜11−nの出力する検出信号DET(1)〜DET(n)に応じて、複数のスイッチQ1〜Qnを制御する制御信号G(1)〜G(n)を出力する。具体的には、制御論理回路12は、検出信号DET(1)〜DET(n)が発生されると、発生した検出信号に対応するスイッチをオン(導通)し、他のスイッチをオフ(遮断)する。言い換えれば、制御論理回路12は、検出信号が発生すると、それまでオンであったスイッチをオフし、発生した検出信号に対応するスイッチをオンし、残りのスイッチをオフ状態に維持する。したがって、複数の電源端子IN1〜INnに入力される複数の電源のうちの1つが、その時点の出力端子OUTの電圧より高くなると、直ちにその電源を選択するようにスイッチが切り替えられる。このようにして、複数の電源から適切な電源が選択され、出力端子OUTからは、常時適切な電圧の電源が出力される。
【0015】
各入力電源電圧検出回路11−1〜11−nは、検出信号DET(1)〜DET(n)を出力していない時には、消費電力が非常に小さく、ほぼゼロである。入力電源電圧検出回路は、対応する電源端子の電圧が出力端子の電圧より所定値以上大きい時に検出信号を出力するが、その検出信号に応じて、制御論理回路12は、対応するスイッチをオンするため、出力端子OUTの電圧は対応する電源端子の電圧に変化する。そのため、入力電源電圧検出回路は、検出信号の出力を短時間で終了する。したがって、検出信号が発生する時間は短く、その間のみ電力が消費され、それ以外の期間は電力が消費されないので、複数の入力電源電圧検出回路11−1〜11−nの消費電力は小さい。
【0016】
以上説明したように、第1実施形態の電源切替回路は、低消費電力で且つ簡単な回路構成で、複数の電源から適切な電源(もっとも電圧の高い電源)を選択して、出力端子に接続する。
【0017】
図2は、第2実施形態の電源切替回路の構成を示す図である。
第2実施形態の電源切替回路は、説明を簡単にするために、電源端子を2個(N=2)とし、入力電源電圧検出回路11−1〜11−2をトランジスタと抵抗で実現した具体的な回路としたことが、第1実施形態の電源切替回路と異なる。第2実施形態の電源切替回路は、2個の電源端子に入力する電源の内、最も高電位の電源を自動に選択して、出力端子に接続する。
【0018】
第2実施形態の電源切替回路は、2個の電源端子IN1〜IN2と、1個の出力端子OUTと、4個のPMOSトランジスタQ1、Q2、Q11およびQ12と、2個の抵抗R1およびR2と、制御論理(logic)回路12と、容量Cと、を有する。2個のPMOSトランジスタQ1およびQ2がパワースイッチを形成する。PMOSトランジスタQ11および抵抗R1は、電源端子IN1と基準電位源(GND)との間に直列に接続され、Q11のゲートは出力端子OUTに接続される。PMOSトランジスタQ11および抵抗R1は、
図1の入力電源電圧検出回路11−1に対応する回路を形成する。PMOSトランジスタQ12および抵抗R2は、電源端子IN2とGNDとの間に直列に接続され、Q12のゲートは出力端子OUTに接続される。PMOSトランジスタQ12および抵抗R2は、
図1の入力電源電圧検出回路11−2に対応する回路を形成する。
制御論理(logic)回路12の電源は、電源端子IN1〜IN2または出力端子OUTの電圧より常に高い電位が補償されるものであれば、どのようなものでもよく、IN1〜IN2またはOUTから、この条件を満たすように供給してもよい。
【0019】
2個の電源端子IN1およびIN2にはそれぞれ電源が入力する。Q1およびQ2を介して、端子IN1または端子IN2のどちらか一方が、出力端子OUTに接続され、一方の電源が出力される。Q1およびQ2は、必ずどちらか一方のみオンし、同時にオンしてはならない。Q1およびQ2が同時にオンすると、異なる電源同士が接続される、すなわちショートすることになるので、同時にオンすることは確実に避ける。
【0020】
PMOSトランジスタQ11は、ソース端子が電源IN1に、ゲート端子が出力端子OUTに、ドレイン端子が抵抗R1に、それぞれ接続される。PMOSトランジスタQ12は、ソース端子が電源IN2に、ゲート端子が出力端子OUTに、ドレイン端子が抵抗R2に、それぞれ接続される。Q11とR1の接続ノードから検出信号DET(1)が、Q12とR2の接続ノードから検出信号DET(2)が、それぞれ出力され、制御論理(logic)回路12に入力する。制御論理(logic)回路12は、検出信号DET(1)(パルス)が入力すると、Q1をオンする制御信号G(1)を、Q2をオフする制御信号G(2)を出力する。また、制御論理(logic)回路12は、検出信号DET(2)(パルス)が入力すると、Q1をオフする制御信号G(1)を、Q2をオンする制御信号G(2)を出力する。
【0021】
まず、Q11およびR1により形成される入力電源電圧検出回路11−1およびQ12およびR2により形成される入力電源電圧検出回路11−2の動作について説明する。
【0022】
図3は、第2実施形態の電源切替回路の電源端子IN1およびIN2への電源投入時の動作を示すタイムチャートである。
図3では、IN2に入力される電源は0Vに固定で、IN1に入力する電源の電圧が上昇する場合を示す。なお、説明を簡単にするために、IN1およびIN2に入力される電源の電圧をIN1およびIN2で表し、出力端子OUTの電圧をOUTで表す場合があり、これは他でも同様である。
【0023】
IN1が上昇する前の段階では、IN1およびIN2は0Vで、OUTも0Vである。また、検出信号DET(1)およびDET(2)は低レベルで、検出信号が出力されていない状態である。さらに、制御信号G(1)およびG(2)は低レベルで、これは、Q1およびQ2がPMOSトランジスタであるので、制御信号としてはQ1およびQ2をオンする状態である。ただし、IN1およびIN2が0Vなので、Q1およびQ2はオフである。
【0024】
図3に示すように、IN1が上昇し、IN1=Vth(Q1の閾値)になると、Q1のPMOS構造上D(ドレイン)−S(ソース)間に見えるボディーダイオードを介してOUTがIN1に追従して上昇し始める。IN1とOUT間の電圧がVth以上になると、Q11がオンし、検出信号DET(1)が高レベルとなる。Logic12は、検出信号DET(1)が高レベルになるのを受けて、動作を開始し、G(1)およびG(2)を共に高レベルにした後、検出信号DET(1)に応じて、G(1)を低レベルに、G(2)を高レベルに維持する。Q1およびQ2はPMOSトランジスタであり、G(1)およびG(2)が共に高レベルになることにより、Q1およびQ2は一旦両方ともオフした後、Q1はオンし、Q2はオフ状態を維持する。
【0025】
以上のようにして、Q1がオンし、Q2がオフし、電圧の上昇した電源端子IN1を出力端子OUTに接続し、電源端子IN2は接続されない状態になる。この動作は、IN1に入力される電源は0Vに固定で、IN2に入力する電源の電圧が上昇する場合も同様であり、IN1とIN2、G(1)とG(2)、およびDET(1)とDET(2)のタイムチャートが入れ替わるだけである。
【0026】
次に、動作中に、電源端子IN1とIN2の電圧の上下関係が変化する場合について説明する。
図4は、第2実施形態の電源切替回路において、電源端子IN1およびIN2の電圧の関係が変化する場合の動作を示すタイムチャートである。
図4の(A)は、IN1<IN2の状態で、IN1が一定で、In2が下降してIN1>IN2の状態に変化した場合を示す。
図4の(B)は、IN1>IN2の状態で、IN2が一定で、In1が下降してIN1<IN2の状態に変化した場合を示す。
図4の(C)は、IN1<IN2の状態で、IN2が一定で、In1が上昇してIN1>IN2の状態に変化した場合を示す。
図4の(D)は、IN1>IN2の状態で、IN1が一定で、In2が上昇してIN1<IN2の状態に変化した場合を示す。
【0027】
図4の(A)に示すように、IN2>IN1であることからG(2)=低レベル(Q2=オン)、G(1)=高レベル(Q1=オフ)であり、出力端子OUTには、IN2と同一の電圧が出力されている。また、Q12は、Q2がオンしており、Q12のゲート端子とソース端子が同電位であるため、オフしている。一方、Q11は、IN1<OUT(=IN2)であり、Q11のゲート端子はQ11のソース端子(IN1)より高いため、オフしている。言い換えれば、Q11およびQ12は、共にオフしており、検出のための消費電流はゼロである。
【0028】
上記の状態からIN2の電圧が降下し、OUT(=IN2)<In1−Vth(Vth:Q11、Q12の閾値電圧)になると、Q11がオンし、抵抗R1に電流が流れ、DET(1)が高レベルに変化する。制御論理(logic)回路12は、DET(1)の高レベルへの変化をトリガとして、G(2)を高レベルにし、Q2がオフする。Q2オフ後、制御論理(logic)回路12は、G(1)を低レベルにし、Q1がオンする。Q1がオンすると、Q11のゲート電圧とソース電圧が同電位となり、Q11がオフし、それによりR1を流れる電流はゼロとなり、DET(1)は低レベルへ変化する。従って、R1を電流が流れるのは、短時間であり、消費電力は小さい。
【0029】
図4の(B)に示すように、IN1>IN2であることからG(1)=低レベル(Q1=オン)、G(2)=高レベル(Q2=オフ)であり、出力端子OUTには、IN1と同一の電圧が出力されている。また、Q11は、Q1がオンしており、Q11のゲート端子とソース端子が同電位であるため、オフしている。一方、Q12は、IN2<OUT(=IN1)であり、Q12のゲート端子はQ12のソース端子(IN2)より高いため、オフしている。言い換えれば、Q11およびQ12は、共にオフしており、検出のための消費電流はゼロである。
【0030】
上記の状態からIN1の電圧が降下し、OUT(=IN1)<In2−Vthになると、Q12がオンし、抵抗R2に電流が流れ、DET(2)が高レベルに変化する。制御論理(logic)回路12は、DET(2)の高レベルへの変化をトリガとして、G(1)を高レベルにし、Q1がオフする。Q1オフ後、制御論理(logic)回路12は、G(2)を低レベルにし、Q2がオンする。Q2がオンすると、Q12のゲート電圧とソース電圧が同電位となり、Q12がオフし、それによりR2を流れる電流はゼロとなり、DET(2)は低レベルへ変化する。従って、R2を電流が流れるのは、短時間であり、消費電力は小さい。
【0031】
図4の(C)に示すように、IN2>IN1であることからG(2)=低レベル(Q2=オン)、G(1)=高レベル(Q1=オフ)であり、出力端子OUTには、IN2と同一の電圧が出力されている。また、Q11およびQ12は、共にオフしている。
【0032】
上記の状態からIN1の電圧が上昇し、OUT(=IN2)<In1−Vthになると、Q11がオンし、抵抗R1に電流が流れ、DET(1)が高レベルに変化する。制御論理(logic)回路12は、DET(1)の高レベルへの変化をトリガとして、G(2)を高レベルにし、Q2がオフする。Q2オフ後、制御論理(logic)回路12は、G(1)を低レベルにし、Q1がオンする。Q1がオンすると、Q11のゲート電圧とソース電圧が同電位となり、Q11がオフし、それによりR1を流れる電流はゼロとなり、DET(1)は低レベルへ変化する。従って、R1を電流が流れるのは、短時間であり、消費電力は小さい。
【0033】
図4の(D)に示すように、IN1>IN2であることからG(1)=低レベル(Q1=オン)、G(2)=高レベル(Q2=オフ)であり、出力端子OUTには、IN1と同一の電圧が出力されている。また、Q11およびQ12は、共にオフしている。
【0034】
上記の状態からIN2の電圧が上昇し、OUT(=IN1)<In2−Vthになると、Q12がオンし、抵抗R2に電流が流れ、DET(2)が高レベルに変化する。制御論理(logic)回路12は、DET(2)の高レベルへの変化をトリガとして、G(1)を高レベルにし、Q1がオフする。Q1オフ後、制御論理(logic)回路12は、G(2)を低レベルにし、Q2がオンする。Q2がオンすると、Q12のゲート電圧とソース電圧が同電位となり、Q12がオフし、それによりR2を流れる電流はゼロとなり、DET(2)は低レベルへ変化する。従って、R2を電流が流れるのは、短時間であり、消費電力は小さい。
【0035】
なお、OUTはIN1またはIN2の電圧であり、Q11およびQ12は、IN1およびIN2とOUTの電圧差でオンするため、DET(1)およびDET(2)が同時に高レベルに変化することは無い。
【0036】
IN1とIN2の大小関係に変化がない定常状態においては、Q1またはQ2のオンしている側のトランジスタのドレイン電流が変化しても、ドレイン端−ソース端差電圧(VDS)はQ11またはQ12の絶対値の閾値(|Vth|)より小さくなければならない。Q1がオンしている場合、(IN1−OUT)(=VDS)<|Vth(Q11)|であれば、切替は行われない。
【0037】
以上の通り、第2実施形態の電源切替回路は、以下の利点がある。
(1)入力電圧の大小関係を監視する為の回路の電流消費がない。
(2)Q11およびQ12の閾値電圧程度の入力電圧から動作する。
(3)Q11およびQ12の閾値は、切替におけるヒステリシスも実現し、頻繁な切り換えを防止する。
【0038】
次に、上記の制御を実現する制御論理(logic)回路12の構成および動作を説明する。
図5は、制御論理(logic)回路12の回路構成を示す図であり、(A)が全体構成を示し、(B)が遅延回路の回路例を示し、(C)が遅延回路の動作を示すタイムチャートである。
【0039】
図5の(A)に示すように、制御論理(logic)回路12は、DET(1)およびDET(2)の2つの検出信号に対応した2つの検出制御部21−1および21−2と、1つのコモン部22と、を有する。2つの検出制御部21−1および21−2は、入力がDET(1)またはDET(2)であること、および出力がG(1)またはG(2)であることを除けば同じ構成を有する。図示のように、検出制御部21−1および21−2は、2個のD型FF31、32と、NANDゲートと、複数個のインバータと、を有する。回路の構成は図から明らかなので説明は省略し、動作について後述する。
【0040】
図5の(A)に示すように、コモン部22は、G(1)およびG(2)と、検出制御部21−1および21−2からの出力を入力とし、信号CおよびDを生成して、検出制御部21−1および21−2に共通に出力する。図示のように、コモン部22は、1個のD型FF33と、遅延回路34と、3個のNANDゲートと、を有する。回路の構成は図から明らかなので説明は省略し、動作について後述する。
【0041】
遅延回路34は、
図5の(B)に示す回路構成を有し、
図5の(C)に示すように、入力INを遅延して出力OUTを出力する。
図5の(B)のインバータの出力に接続される容量の値により遅延量が設定される。
図5の(B)の遅延回路は広く知られているので、これ以上の説明は省略する。
【0042】
図6は、制御論理(logic)回路12の動作例を示すタイムチャートである。
図6は、IN1の電圧<IN2の電圧の状態から、IN2の電圧が低下し、検出信号DET(1)が発生する場合のタイムチャートである。
【0043】
IN2の電圧が、OUT(=IN2)<IN1+Vthになると、前述のようにDET(1)が高レベルに変化する。それをトリガに、D型FF31がセットされ、DET(1)1が高レベルに、コモン部22に入力するD型FF31の/Qが低レベルに変化し、コモン部22の信号Aが高レベルに、Cが低レベルに変化する。この時、DET(2)は変化しないため、検出制御部21−2のDET(2)1は変化しない。
【0044】
信号Cが低レベルに変化するので、検出制御部21−1および21−2で、D型FF32がリセットされ、G(1)およびG(2)は高レベルになる(G(1)はもともと高レベル)。これによりQ1およびQ2は共にオフの状態になる。G(1)およびG(2)が共に高レベルになることに応じて、コモン部22の信号B1が低レベルに変化し、さらに信号Cが高レベルになり、D型FF32は、出力をDET(1)1の状態(高レベル)に応じて変化させ、G(1)が低レベルに変化する。この時、検出制御部21−2では、DET(2)1が低レベルであるため、G(2)は高レベルを維持する。このようにして、G(1)とG(2)が決まり、Q1がオンし、Q2がオフする切替が完了する。
【0045】
一方、信号Cが高レベルになったので、D型FF33は動作状態になっており、G(1)が低レベルに変化してB1が高レベルに変化すると、B1を遅延した信号B2が高レベルに変化すると、D型FF33の出力Dは高レベルに変化する。これにより、検出制御部21−1および21−2のD型FF31は、次のDET(1)およびDET(2)の変化を受け入れられる状態になる。DET(1)およびDET(2)の変化の受け入れを信号Dで制限するのは、DET(1)およびDET(2)の電位の揺れによる誤ったラッチを防止するためである。
【0046】
以上説明した第2実施形態の電源切替回路は、入力電源が2つで、2個の電源端子IN1およびIN2を有する場合の例であるが、入力電源が3つ以上で、3個以上の電源端子IN1−INnの場合にも拡張可能である。
【0047】
図7は、第3実施形態の電源切替回路の構成を示す図であり、(A)が全体構成を、(B)が制御論理(logic)回路12の回路構成を示す図である。
【0048】
第3実施形態の電源切替回路は、n個の電源端子IN1およびINnに入力するn種類の入力電源から、もっとも高い電圧の電源が入力する電源端子を出力端子OUTに接続するように切り換える。第3実施形態の電源切替回路は、n個のスイッチ・検出部50−1〜50−nと、1つの制御論理(logic)回路52と、を有する。
【0049】
スイッチ・検出部50−1は、パワースイッチを形成するPMOSトランジスタQ1と、入力電源電圧検出回路を形成するPMOSトランジスタQ11および抵抗R1と、を有する。Q1は、電源端子IN1と出力端子OUTの間に接続され、制御論理(logic)回路12からの制御信号G(1)により導通が制御される。Q11とR1はIN1とGNDの間に直接に接続され、ゲート端子が出力端子OUTに接続され、Q11とR1の接続ノードから検出信号DET(1)が出力される。以上の通り、
図7のQ1、Q11およびR1は、
図2の第2実施形態のものに対応する。他のスイッチ・検出部50−2〜50−nも同様の構成を有する。
【0050】
制御論理(logic)回路52は、n個の検出制御部61−1および61−nと、1つのコモン部62と、を有する。検出制御部61−1および61−nは、それぞれ
図5の検出制御部21−1と同じ構成を有する。コモン部62は、G(1)−G(n)を受けるNANDゲートが、n入力になっていること以外は、
図5のコモン部22と同じである。このように、第3実施形態の電源切替回路は、パワースイッチを形成するPMOSトランジスタおよび入力電源電圧検出回路がn組設けられ、コモン部がn個の制御信号を受けることが、第2実施形態と異なる。
【0051】
検出信号DET(1)−DET(n)は、同時に高レベルに変化することは無く、G(1)−G(n)は、1回の切替で、1つが低レベルから高レベルに、残りの中の1つが高レベルから低レベルに切り替わるだけである。したがって、検出信号および制御信号の個数が増加したのみで、各切替時の動作は第2実施形態と同じである。
【0052】
以上、説明した第1から第3実施形態の電源切替回路は、複数の電源端子から複数の電源が供給され、その中から最も高い電圧を選択し出力する多電源対応電子機器に適用される。
図8は、そのような多電源対応電子機器の例を示す図である。
【0053】
図8に示すように、多電源対応電子機器は、コントローラ80と、レギュレータ81と、マイクロコントロールユニット(MCU)82と、複数の電源端子とレギュレータ81の間に設けられたパワースイッチであるPMOSトランジスタQ1−Qnと、を有する。Q1は直流電源(DC Inputs)に、Q2はUSBに、Qnは蓄電池に接続され、他の電源に接続されるPMOSトランジスタがあってもよい。コントローラ80は、第1から第3実施形態の電源切替制御回路(入力電源電圧検出回路+制御論理(logic)回路)により実現され、Q1−Qnの導通を制御し、もっとも高い電圧の電源に接続されるPMOSトランジスタをオンする。レギュレータ81は、選択された電源から電力供給を受け、所定の電源を生成して、機器内部に供給する。MCU82は、レギュレータ81から電源供給を受けて動作する。なお、ここでは図示の都合で、レギュレータ81から電源供給を受ける部分としてMCU82のみを示したが、これに限定されるものではなく、他の各種のユニットを接続しても、それらの組合せを接続してもよい。
【0054】
以上、実施形態を説明したが、ここに記載したすべての例や条件は、発明および技術に適用する発明の概念の理解を助ける目的で記載されたものである。特に記載された例や条件は発明の範囲を制限することを意図するものではなく、明細書のそのような例の構成は発明の利点および欠点を示すものではない。発明の実施形態を詳細に記載したが、各種の変更、置き換え、変形が発明の精神および範囲を逸脱することなく行えることが理解されるべきである。