発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、上述したＪＴＥ構造やＦＬＲ構造などの終端構造は、半導体装置の仕様となる初期特性としての耐圧を向上させるための構造であり、半導体装置を使用する環境によっては動作時の耐圧が大きく変動し、半導体装置の信頼性が低下する虞がある。例えば、高電圧を印加した場合に、設計条件によっては耐圧構造の端部（活性領域側に対して反対側の端部、すなわちチップ端部）に電界が集中し耐圧破壊が起こる。この場合、耐圧構造部において半導体基板（チップ）とその上に設けられた酸化膜との界面（以下、酸化膜／半導体界面とする）に大電流が流れることで特性が劣化することが、信頼性低下の原因となる。 特許文献２では、不純物濃度の高い炭化珪素（ＳｉＣ）半導体基板に数μｍ以上の設計が可能なＪＴＥ構造を形成することにより耐圧を維持している。しかしながら、ＳｉＣ半導体は不純物を活性化させるための熱処理（アニール）に１５００℃以上の高温度が必要であり、大口径のウエハでは均一な温度で不純物を活性化させることが難しい。このため、ＪＴＥ構造を構成する半導体領域の不純物濃度にばらつきが生じる。この不純物濃度のばらつきによる半導体装置の初期特性への悪影響は問題にならない程度に小さいが、活性化率の違いによりＪＴＥ構造を構成する半導体領域のドナー（アクセプタ）濃度にばらつきが生じる。 ＪＴＥ構造を構成する半導体領域のドナー（アクセプタ）濃度にばらつきが生じた場合、耐圧構造部の端部（チップ端部）で耐圧破壊が起こり、酸化膜／ＳｉＣ界面に大電流が流れる。これによって、耐圧構造部の耐圧が低下するため、半導体装置の信頼性が低下するという問題がある。また、同様に特許文献３のようにＪＴＥ構造の外周にＪＴＥ構造の周囲を囲むＦＬＲを配置する構造であっても、ＪＴＥ構造の幅（活性領域からチップ端部に向かう方向の幅）が長いため、設計条件によってはＪＴＥ構造に大電流が流れる構造となり、酸化膜／ＳｉＣ界面に悪影響が及ぶため、信頼性が低下する。 この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、高耐圧を維持するとともに、信頼性を向上させることができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明にかかる半導体装置および半導体装置の製造方法によれば、高耐圧を維持することができるという効果を奏する。また、本発明にかかる半導体装置および半導体装置の製造方法によれば、半導体装置の信頼性を向上させることができるという効果を奏する。