特許6233539IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

半導体装置および半導体装置の製造方法に関する。 従来、メサ領域にゲートトレンチ部を設けることが知られている（例えば、非特許文献１）。また、メサ領域間の谷間の底部にｐ型不純物を注入するときに、メサ領域の側部にもｐ型不純物が注入されることが知られている（例えば、特許文献１参照）。
［先行技術文献］
［非特許文献］
［非特許文献１］ Ｔｏｈｒｕ Ｏｋａ ｅｔ ａｌ．, Ｖｅｒｔｉｃａｌ ＧａＮ‐ｂａｓｅｄ ｔｒｅｎｃｈ ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｆｉｅｌｄ‐ｅｆｆｅｃｔ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ ｏｎ ａ ｆｒｅｅ‐ｓｔａｎｄｉｎｇ ＧａＮ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ ｗｉｔｈ ｂｌｏｃｋｉｎｇ ｖｏｌｔａｇｅ ｏｆ １．６ ｋＶ， Ｊａｎｕａｒｙ ２８, ２０１４， Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｅｘｐｒｅｓｓ， ｖｏｌｕｍｅ ７, ０２１００２
［特許文献］
［特許文献１］ 特開２０１２−１７８５３６号公報

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】半導体装置のゲート・オフ時における耐圧を向上させるために、ゲートトレンチ部が設けられるメサ領域の側部と当該メサ領域間の谷間の底部とに接するｐ＋型層を設けられることが望ましい。
【解決手段】少なくとも２つの分離トレンチ部と、少なくとも２つの分離トレンチ部の間に設けられ、第１導電型のソース領域と、少なくとも一部がソース領域の下に設けられた第２導電型のベース領域と、ゲートトレンチ部とを有する、メサ領域と、メサ領域の側部と、ゲートトレンチ部よりも下方に位置する分離トレンチ部の底部とに接して少なくとも設けられ、ベース領域よりも高い第２導電型の不純物濃度を有するコンタクト層とを備え、ソース領域内にはコンタクト層と同一の不純物が存在する、または、ソース領域上にコンタクト層が設けられる半導体装置を提供する。
【選択図】図１

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

ゲート・オフ時における半導体装置の耐圧を向上させるために、ゲートトレンチ部が設けられるメサ領域の側部と当該メサ領域間の谷間の底部とに接するｐ＋型層を設けることが望ましい。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の第１の態様においては、半導体装置を提供する。半導体装置は、少なくとも２つの分離トレンチ部と、メサ領域と、コンタクト層とを備えてよい。メサ領域は、少なくとも２つの分離トレンチ部の間に設けられてよい。メサ領域は、第１導電型のソース領域と、第２導電型のベース領域と、ゲートトレンチ部とを有してよい。第２導電型のベース領域は、少なくとも一部がソース領域の下に設けられてよい。コンタクト層は、メサ・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】第１実施形態における半導体装置１００の断面図である。

【図2】第１実施形態における半導体装置１００の製造方法を示すフロー図である。

【図3】（ａ）〜（ｉ）は、第１実施形態における半導体装置１００の製造方法の各段階を示す断面図である。

【図4】図１におけるメサ領域５０近傍の拡大図である。

【図5】図４のＡ‐Ａ'断面における不純物濃度の概要を示す図である。

【図6】第２実施形態における半導体装置１００の断面図である。

【図7】第２実施形態における半導体装置１００の製造方法を示すフロー図である。

【図8】（ａ）〜（ｉ）は、第２実施形態における半導体装置１００の製造方法の各段階を示す断面図である。

【図9】図６におけるメサ領域５０近傍の拡大図である。

【図10】第３実施形態における半導体装置１００の断面図である。

【図11】第３実施形態における半導体装置１００の製造方法を示すフロー図である。

【図12】（ａ）〜（ｊ）は、第３実施形態における半導体装置１００の製造方法の各段階を示す断面図である。

【図13】Ｓ１４０におけるメサ領域５０の拡大図である。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

１０・・基板、１２・・ドリフト領域、１３・・角部、１４・・ベース領域、１５・・拡張領域、１６・・ソース領域、１８、１８−ｉ・・コンタクト層、１９・・開口、２０・・ゲートトレンチ部、２２・・トレンチ、２３・・角部、２４・・ゲート絶縁膜、２６・・ゲート導電部、３０・・ソース電極、４０・・ドレイン電極、５０・・メサ領域、５２・・側部、５４・・上部、６０・・分離トレンチ部、６２・・底部、７０・・フォトレジスト、７４・・端部領域、７６・・側端部、７８・・端部、７９・・開口、１００・・半導体装置

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