特許 6233888 有機発光デバイスとその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】6233888

(24)【登録日】2017年11月2日

(45)【発行日】2017年11月22日

(54)【発明の名称】有機発光デバイスとその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05B 33/22 20060101AFI20171113BHJP

   H05B 33/12 20060101ALI20171113BHJP

   H01L 51/50 20060101ALI20171113BHJP

   H05B 33/06 20060101ALI20171113BHJP

   H05B 33/10 20060101ALI20171113BHJP

【ＦＩ】

   H05B33/22 Z

   H05B33/12 B

   H05B33/14 A

   H05B33/06

   H05B33/10

【請求項の数】7

【全頁数】27

(21)【出願番号】特願2014-500573(P2014-500573)

(86)(22)【出願日】2012年8月2日

(86)【国際出願番号】JP2012004923

(87)【国際公開番号】WO2013124916

(87)【国際公開日】20130829

【審査請求日】2015年7月6日

(31)【優先権主張番号】特願2012-34967(P2012-34967)

(32)【優先日】2012年2月21日

(33)【優先権主張国】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】514188173

【氏名又は名称】株式会社ＪＯＬＥＤ

(74)【代理人】

【識別番号】110001900

【氏名又は名称】特許業務法人 ナカジマ知的財産綜合事務所

(72)【発明者】

【氏名】西村 征起

(72)【発明者】

【氏名】松島 英晃

(72)【発明者】

【氏名】高繁 夢二

【審査官】 濱野 隆

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００７−２８７３４６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００７−１２３２８６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００７−０２６８６６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００６−０８６１２８（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０５Ｂ ３３／２２

Ｈ０１Ｌ ５１／５０

Ｈ０５Ｂ ３３／０６

Ｈ０５Ｂ ３３／１０

Ｈ０５Ｂ ３３／１２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、
前記基板上に設けられたアノードを含む下地膜と、
前記下地膜表面の一部を覆い、前記下地膜表面の残りの部分を囲繞するように設けられた隔壁と、
有機発光材料を含み構成され、前記隔壁の囲繞により構成される凹部内に形成され、前記下地膜表面および前記隔壁表面の各一部に接触した有機発光層と、
前記有機発光層上方に設けられたカソードと、
を有し、
前記下地膜表面の一部は、前記下地膜のそれ以外の表面よりも上方に隆起して形成され、当該隆起部は、頂面部とその周囲に広がる斜面部とからなり、
前記隔壁は、前記下地膜表面における前記隆起部の頂面部と前記斜面部の一部とを少なくとも覆い、その内縁が、前記下地膜表面に対し、前記隆起部の斜面部もしくは前記隆起部以外の平坦部分の箇所で接触している
ことを特徴とする有機ＥＬ発光デバイス。

【請求項2】

前記有機発光層は、前記有機発光材料を含むインクの塗布により形成された塗布膜を乾燥することにより形成されており、
前記下地膜表面における前記平坦部分の上における前記有機発光層の平均膜厚をａ２［ｎｍ］とし、
前記下地膜表面における前記平坦部分を基準とする、前記下地膜表面と前記隔壁の内縁とが接触する箇所の高さをｂ［ｎｍ］とするとき、
（ｂ／ａ２）≦１５
の関係を満たす
請求項１記載の有機ＥＬ発光デバイス。

【請求項3】

前記有機発光層は、前記有機発光材料を含むインクの塗布により形成された塗布膜を乾燥することにより形成されており、
前記塗布膜は、前記下地膜表面における前記平坦部分の全体と、前記隆起部における斜面部のうち前記隔壁により覆われていない部分と、前記隔壁の一部とを覆い、且つ、その膜厚ａ１［ｎｍ］が、前記下地膜表面における前記平坦部分を基準とする、前記隔壁の内縁の高さｂ［ｎｍ］よりも厚く形成され、
前記下地膜表面における前記平坦部分の上における前記有機発光層の平均膜厚をａ２［ｎｍ］とするとき、
（ｂ／ａ２）≦１５
の関係を満たす
請求項１記載の有機ＥＬ発光デバイス。

【請求項4】

前記下地膜表面における前記平坦部分を基準とする、前記隔壁の内縁高さが１５０［ｎｍ］以下である
請求項１記載の有機ＥＬ発光デバイス。

【請求項5】

前記下地膜は、コンタクトホール部が開設された層間絶縁膜と、前記コンタクトホール部の内壁面を含む前記層間絶縁膜の表面に設けられた前記アノードとを含み、
前記有機発光層は、前記アノード表面に対し、前記有機発光材料を含むインクの塗布により形成された塗布膜により形成されており、
前記層間絶縁膜は、前記コンタクトホール部が開設された部分およびその周囲表面が、当該部分以外の表面よりも上方に隆起しており、
前記アノードは、前記層間絶縁膜の表面に沿って形成されており、前記層間絶縁膜における隆起部上の部分での表面が、当該部分以外の表面よりも上方に隆起しており、
前記アノード表面が、前記下地膜表面である
請求項１記載の有機ＥＬ発光デバイス。

【請求項6】

基板を準備する工程と、
前記基板上に、アノードを含む下地膜を形成する工程と、
前記下地膜上に、当該下地膜表面の一部を覆い、前記下地膜表面の残りの部分を囲繞するように隔壁を形成する工程と、
前記隔壁の囲繞により構成される凹部内に対し、有機発光材料を含むインクを塗布して塗布膜を形成する工程と、
前記塗布膜を乾燥させて、前記下地膜表面および前記隔壁表面の各一部に接触する有機発光層を形成する工程と、
前記有機発光層上方に、カソードを形成する工程と、
を有し、
前記下地膜を形成する工程では、表面に一部が、それ以外の表面よりも上方に隆起し、当該隆起部が、頂面部とその周囲に広がる斜面部とからなる下地膜を形成し、
前記隔壁を形成する工程では、前記下地膜表面における前記隆起部の頂面部と前記斜面部の一部とを少なくとも覆い、その内縁が、前記下地膜表面に対し、前記隆起部の斜面部もしくは前記隆起部以外の平坦部分の箇所で接触するように、前記隔壁を形成する
ことを特徴とする有機ＥＬ発光デバイスの製造方法。

【請求項7】

基板を準備する工程と、
前記基板上に、アノードを含む下地膜を形成する工程と、
前記下地膜上に、当該下地膜表面の一部を覆い、前記下地膜表面の残りの部分を囲繞するように隔壁を形成する工程と、
前記隔壁の囲繞により構成される凹部内に対し、有機発光材料を含むインクを塗布して塗布膜を形成する工程と、
前記塗布膜を乾燥させて、前記下地膜表面および前記隔壁表面の各一部に接触する有機発光層を形成する工程と、
前記有機発光層上方に、カソードを形成する工程と、
を有し、
前記下地膜を形成する工程では、表面の一部が、それ以外の表面よりも上方に隆起し、当該隆起部が、頂面部とその周囲に広がる斜面部とからなる下地膜を形成し、
前記隔壁を形成する工程では、前記下地膜表面における前記隆起部の頂面部と前記斜面部の一部とを少なくとも覆い、その内縁が、前記下地膜表面に対し、前記隆起部の斜面部もしくは前記隆起部以外の平坦部分の箇所で接触するように、前記隔壁を形成するものであって、
前記塗布膜を形成する工程では、前記塗布膜を、前記下地膜表面における前記平坦部分の全体と、前記隆起部における前記斜面部のうち前記隔壁により覆われていない部分と、前記隔壁の一部とを覆い、且つ、その膜厚ａ１［ｎｍ］が、前記下地膜表面における前記平坦部分を基準とする、前記隔壁の内縁の高さｂ［ｎｍ］よりも厚くなるように前記塗布膜を形成し、
前記有機発光層を形成する工程では、前記下地膜表面における前記平坦部分の上における前記有機発光層の平均膜厚をａ２［ｎｍ］とするとき、
前記有機発光層の平均膜厚ａ２が、
ａ１＞ａ２≧（ｂ／１５）
の関係を満たすように前記有機発光層を形成する
ことを特徴とする有機ＥＬ発光デバイスの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、有機発光デバイスとその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、研究・開発がすすんでいる有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）デバイスは、固体蛍光・燐光性物質の電界発光現象を利用した発光デバイスである。従来技術に係る有機ＥＬデバイスの一例としての有機ＥＬパネルの構成について、図２１を用い説明する。

【0003】

図２１に示すように、従来技術に係る有機ＥＬパネルでは、基板９０１のＺ軸方向上側主面にＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）９０２が形成され（図２１では、ＴＦＴのドレインのみ図示。）、その上がパッシベーション膜９０３および層間絶縁膜９０４により順に覆われている。なお、パッシベーション膜９０３および層間絶縁膜９０４については、ＴＦＴ９０２のドレイン上部分が開口されている（コンタクトホールＣＨ）。

【0004】

有機ＥＬパネルの場合においては、層間絶縁膜９０４の上にサブピクセル単位でアノード９０５が形成され、アノード９０５は、コンタクトホールＣＨの底でＴＦＴ９０２のドレインと接合されている。アノード９０５の上であって、コンタクトホールＣＨの上に相当する部分には、サブピクセル間を区画する隔壁（バンク）９０７が突設されている。隔壁９０７の少なくとも表面には、撥液性が付与されている。

【0005】

隔壁９０７の囲繞により構成される各凹部内には、ホール注入層９０６、ホール輸送層９０８、発光層９０９が順に形成され、発光層９０９上および隔壁９０７上に連続する状態で、電子注入層９１０、カソード９１１、封止層９１２が順に積層形成されている。

【0006】

封止層９１２の上には、基板９１３にカラーフィルタ９１４およびブラックマトリクス９１５が形成されてなるＣＦ（Ｃｏｌｏｒ Ｆｉｌｔｅｒ）基板９１６が配され、間の接合樹脂層９１７により互いに接合されている。

【0007】

ここで、図２１に示す従来技術に係る有機ＥＬパネルの製造においては、ホール注入層９０６などの膜形成に際して、隔壁９０７の囲繞により構成された凹部内に有機材料を含むインクを塗布し、乾燥させることで形成されている。あるいは、蒸着法を用いて凹部内に有機膜を形成することも考えられる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0008】

【特許文献1】特開平１１−８７０６２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0009】

しかしながら、従来技術に係る有機ＥＬデバイスの構成では、層間絶縁膜９０４に隆起部が形成される場合があり、当該隆起部に起因して有機膜の膜厚均一性が損なわれる場合が生じ得る。有機膜の膜厚均一性が生じた場合には、例えば、その部分に輝度集中が発生し、デバイスの寿命低下をもたらす原因となる。

【0010】

また、有機膜が形成されないような箇所が発生した場合には、アノード９０５とカソード９１１との間で不所望のリーク経路が形成されるという事態も発生し得る。

【0011】

本発明は、上記のような問題の解決を図るべくなされたものであって、隔壁の囲繞により構成された凹部内へ高い膜厚精度を以って有機膜を形成することができ、優れた発光性能を有する有機発光デバイスおよびその製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0012】

そこで、本発明の一態様に係る有機発光デバイスは、次の構成を採用する。

【0013】

本発明の一態様に係る有機発光デバイスは、下地膜と隔壁と有機膜とを少なくとも備える。

【0014】

下地膜は、基板上に設けられている。隔壁は、下地膜表面の一部を覆い、下地膜表面の残りの部分を囲繞するように設けられている。有機膜は、有機材料を含み構成され、隔壁の囲繞により構成される凹部内に形成され、下地膜表面および隔壁表面の各一部に接触している。

【0015】

そして、本発明の一態様に係る有機発光デバイスでは、下地膜表面の一部が、下地膜のそれ以外の表面よりも上方に隆起して形成され、隆起部が頂面部とその周囲に広がる斜面部とからなる。また、隔壁は、下地膜表面における隆起部の頂面部と斜面部の一部とを少なくとも覆い、その内縁が、下地膜表面に対し、隆起部の斜面部もしくは隆起部以外の平坦部分の箇所で接触していることを特徴とする。

【発明の効果】

【0016】

本発明の一態様に係る有機発光デバイスでは、下地膜表面の一部が隆起しており、隔壁が、下地膜表面における隆起部の頂面部全体と斜面部の少なくとも一部を覆うように形成されている。また、隔壁の内縁は、隆起部の斜面部もしくは隆起部以外の平坦部分の箇所で接触している。このような構成を有する本発明の一態様に係る有機発光デバイスでは、隆起部における最も高さの高い頂面部およびその周囲の斜面部の少なくとも一部を隔壁で覆っていることに起因して、局所的に膜厚の薄い箇所や膜が形成されない箇所などを生じることなく、膜厚均一性が高い有機膜を備えることができる。

【0017】

従って、本発明の一態様に係る有機発光デバイスでは、隔壁の囲繞により構成された凹部内へ高い膜厚精度を以って有機膜を形成することができ、優れた発光性能を有する。

【図面の簡単な説明】

【0018】

【図1】本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１の構成を示す模式ブロック図である。

【図2】有機ＥＬパネル１０におけるピクセル１１の配列を示す模式平面図である。

【図3】有機ＥＬパネル１０の一部構成を示す模式断面図である。

【図4】有機ＥＬパネル１０における隔壁１０７とホール輸送層１０８との位置関係を示す模式断面図である。

【図5】（ａ）〜（ｄ）は、有機ＥＬパネル１０の製造における一部工程での断面構成を示す模式断面図である。

【図6】（ａ）〜（ｃ）は、有機ＥＬパネル１０の製造における一部工程での断面構成を示す模式断面図である。

【図7】（ａ）〜（ｃ）は、有機ＥＬパネル１０の製造における一部工程での断面構成を示す模式断面図である。

【図8】（ａ）〜（ｃ）は、有機ＥＬパネル１０の製造における一部工程での断面構成を示す模式断面図である。

【図9】有機ＥＬパネル１０における隔壁１０７の内縁高さとホール輸送層１０８の層厚との関係を示す模式断面図である。

【図10】（ａ）、（ｂ）は、比較例に係る有機ＥＬパネルでの隔壁の内縁高さとホール輸送層の層厚との関係を示す模式断面図である。

【図11】実施例および比較例のそれぞれにおける下地表面プロファイルとホール輸送層の表面プロファイルとを示す模式図である。

【図12】実施例に係るホール輸送層の表面プロファイルの一部を示す模式図である。

【図13】インク滴下量ごとのインクの濡れ状態を示す表である。

【図14】（ａ）、（ｂ）は、比較例に係るインク滴下直後でのインクの推定表面プロファイルを示す模式断面図であり、（ｃ）は、実施例に係るインク滴下直後でのインクの推定表面プロファイルを示す模式断面図である。

【図15】（ａ）〜（ｃ）は、図１４（ａ）〜（ｃ）のそれぞれに対応して、インク乾燥後でのホール輸送層の推定表面プロファイルを示す模式断面図である。

【図16】本発明の実施の形態２に係る有機ＥＬパネル３０の一部構成を示す模式断面図である。

【図17】有機ＥＬパネル３０における隔壁３０７の内縁高さとホール注入層３０６の層厚との関係を示す模式断面図である。

【図18】本発明の実施の形態３に係る有機ＥＬパネル４０の一部構成を示す模式断面図である。

【図19】有機ＥＬパネル４０における隔壁４０７の内縁位置を示す模式断面図である。

【図20】本発明の実施の形態４に係る有機ＥＬパネルの一部構成を示す模式断面図である。

【図21】従来技術に係る有機ＥＬパネルの一部構成を示す模式断面図である。

【図22】（ａ）は、層間絶縁膜９２４におけるコンタクトホール９２４ａと表面形状との関係を示す模式断面図であり、（ｂ）は、層間絶縁膜９２４の隆起部分とホール注入層９２６の形成形態との関係を示す模式断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0019】

［本発明に至った経緯］
本発明に至った経緯について、図２２を用い説明する。

【0020】

先ず、本発明者等は、有機発光デバイスを作製した場合に、サブピクセルの中央部とバンクの内縁に近い端部との間で発光輝度にムラが生じる場合があることを見出した。そして、その原因について、次のような現象が生じていると考えた。

【0021】

図２２（ａ）に示すように、層間絶縁膜９２４の一部に孔９２４ａを開口した場合、層間絶縁膜９２４のＺ軸方向上面には、上凸状の隆起部が残る（矢印Ｅ₁部）。隆起部が発生する詳細なメカニズムは解明されていないが、層間絶縁膜９２４における孔９２４ａの形成時の露光などに起因するものであると推定される。

【0022】

次に、図２２（ｂ）に示すように、層間絶縁膜９２４の表面を覆うようにアノード９２５を敷設する。層間絶縁膜９２４の孔９２４ａの内壁面にもアノード９２５が形成され、これによりコンタクトホールＣＨを介してアノード９２４とＴＦＴ９０２のドレインとが接続される。そして、下地膜表面であるアノード９２５の表面に対して、コンタクトホールＣＨを覆うように隔壁９２７を形成した後、例えば、塗布法により有機材料を含むインクを塗布し、乾燥させることによりホール注入層９２６を形成するが、図２２（ｂ）の矢印Ｅ₂部に示すように、隆起部の斜面部におけるアノード９２５の一部が、ホール注入層９２６で覆われず露出してしまうということが生じ得る。このようにアノード９２５の一部がホール注入層９２６で覆われない場合には、その上に発光層が積層されても正常に発光しなくなり、発光性能の低下をもたらすこととなる。

【0023】

また、上記のように、有機膜における膜厚の設計値によっては、有機膜を形成できない箇所が生じてしまう場合には、インク塗布の際のマージン確保が困難となることも考えられる。この場合には、製造上の制約から設計値を決めざるを得ない場合も生じ得る。

【0024】

このように、本発明者等は、隔壁のサイズおよび内縁の位置が高い膜厚均一性を有する有機膜を形成する上で重要なファクターであることを見出した。なお、図２２では、塗布法を用いて有機膜を形成する方法を一例としたが、蒸着法を用いて有機膜を形成する場合においても、隆起部の存在に起因して有機膜の膜厚均一性が損なわれ、輝度集中を生じて寿命低下をもたらすことがある。

【0025】

［本発明の態様］
本発明の態様は、上記のような経緯を踏まえて創出されたものである。

【0026】

本発明の一態様に係る有機発光デバイスは、少なくとも下地膜と隔壁と有機膜とを備える。

【0027】

下地膜は、基板上に設けられている。隔壁は、下地膜表面の一部を覆い、下地膜表面の残りの部分を囲繞するように設けられている。有機膜は、有機材料を含み構成され、隔壁の囲繞により構成される凹部内に形成され、下地膜表面および隔壁表面の各一部に接触している。

【0028】

そして、本発明の一態様に係る有機発光デバイスでは、下地膜表面の一部が、下地膜のそれ以外の表面よりも上方に隆起して形成され、隆起部が頂面部とその周囲に広がる斜面部とからなる。また、隔壁は、下地膜表面における隆起部の頂面部と斜面部の一部とを少なくとも覆い、その内縁が、下地膜表面に対し、隆起部の斜面部もしくは隆起部以外の平坦部分の箇所で接触していることを特徴とする。

【0029】

本発明の一態様に係る有機発光デバイスでは、上記のような構成を有することにより、局所的に膜厚の薄い箇所や膜が形成されない箇所などを生じることなく、膜厚均一性が高い有機膜を備えることができる。

【0030】

従って、本発明の一態様に係る有機発光デバイスでは、隔壁の囲繞により構成された凹部内へ高い膜厚精度を以って有機膜を形成することができ、優れた発光性能を有する。

【0031】

なお、塗布法を用い有機膜を形成する場合には、隔壁の内縁の位置が下地膜表面に対して隆起部の斜面部の一部および平坦部分の何れとしても、下地膜が有機膜で覆われず、所謂、未濡れとなることを防止することができる。よって、塗布法を用い有機膜を形成する場合には、輝度ムラの防止を図ることができ、優れた発光性能を得ることができる。

【0032】

一方、蒸着法を用い有機膜を形成する場合には、特に、隔壁の内縁の位置を平坦部分とするとき、膜厚の均一性を高く維持することができ、輝度ムラのない優れた発光性能を得ることができる。

【0033】

また、本発明の一態様に係る有機発光デバイスは、上記構成において、有機膜は、有機材料を含むインクの塗布により形成された塗布膜を乾燥することにより形成されており、下地膜表面における平坦部分の上における有機膜の平均膜厚をａ２［ｎｍ］とし、下地膜表面における平坦部分を基準とする、下地膜表面と隔壁の内縁とが接触する箇所の高さをｂ［ｎｍ］とするとき、次の関係を満足する。

【0034】

［数１］ （ｂ／ａ２）≦１５
上記［数１］の関係を満たすように隔壁および有機膜を構成することにより、隔壁の囲繞により構成される凹部の開口率を高く維持しながら、下地膜表面における隆起部の斜面部での有機膜の未形成領域が発生することを効果的に防止することができる。よって、本発明の一態様に係る有機発光デバイスでは、さらに優れた発光性能を有する。

【0035】

また、本発明の一態様に係る有機発光デバイスは、上記構成において、有機膜が、有機材料を含むインクの塗布により形成された塗布膜を乾燥することにより形成されており、塗布膜が、下地膜表面における平坦部分の全体と、隆起部における斜面部のうち隔壁により覆われていない部分と、隔壁の一部とを覆い、且つ、その膜厚ａ１［ｎｍ］が、下地膜表面における平坦部分を基準とする、隔壁の内縁の高さｂ［ｎｍ］よりも厚く形成され、下地膜表面における平坦部分の上における有機膜の平均膜厚をａ２［ｎｍ］とするとき、上記［数１］の関係を満足する。

【0036】

上記のように、塗布膜の高さと隔壁の内縁の高さｂとの関係を更に規定することにより、隔壁の囲繞により構成される凹部の開口率を高く維持しながら、下地膜表面における隆起部の斜面部での有機膜の未形成領域が発生することを効果的に防止することができる。よって、本発明の一態様に係る有機発光デバイスでは、さらに優れた発光性能を有する。

【0037】

また、本発明の一態様に係る有機発光デバイスは、上記構成において、下地膜表面における平坦部分を基準とする、隔壁の内縁高さが１５０［ｎｍ］以下であることを特徴とする。このように隔壁の内縁の高さを１５０［ｎｍ］以下とすることにより、下地膜表面における隆起部の斜面部での有機膜の未形成領域が発生することを確実に防止することができる。よって、本発明の一態様に係る有機発光デバイスでは、さらに優れた発光性能を有する。

【0038】

また、本発明の一態様に係る有機発光デバイスは、上記構成において、下地膜は、コンタクトホール部が開設された層間絶縁膜と、コンタクトホール部の内壁面を含む層間絶縁膜の表面に設けられた電極とを含み、有機膜は、電極表面に対し、有機材料を含むインクの塗布により形成された塗布膜をすることにより形成されており、層間絶縁膜は、コンタクトホール部が開設された部分およびその周囲表面が、当該部分以外の表面よりも上方に隆起しており、電極は、層間絶縁膜の表面に沿って形成されており、層間絶縁膜における隆起部上の部分での表面が、当該部分以外の表面よりも上方に隆起しており、電極表面が、下地膜表面であることを特徴とする。

【0039】

本発明の一態様に係る有機発光デバイスの製造方法は、（ｉ）下地膜を形成する工程、（ｉｉ）隔壁を形成する工程、（ｉｉｉ）塗布膜を形成する工程、（ｉｖ）有機膜を形成する工程とを有する。

【0040】

（ｉ）下地膜を形成する工程；基板上に、下地膜を形成する。

【0041】

（ｉｉ）隔壁を形成する工程；下地膜上に、当該下地膜表面の一部を覆い、下地膜表面の残りの部分を囲繞するように隔壁を形成する。

【0042】

（ｉｉｉ）塗布膜を形成する工程；隔壁の囲繞により構成される凹部内に対し、有機材料を含むインクを塗布して塗布膜を形成する。

【0043】

（ｉｖ）有機膜を形成する工程；塗布膜を乾燥させて、下地膜表面および隔壁表面の各一部に接触する有機膜を形成する。

【0044】

そして、本発明の一態様に係る有機発光デバイスの製造方法では、（ｉ）下地膜を形成する工程において、表面に一部が、それ以外の表面よりも上方に隆起し、当該隆起部が、頂面部とその周囲に広がる斜面部とからなる下地膜を形成し、（ｉｉ）隔壁を形成する工程において、下地膜表面における隆起部の頂面部と斜面部の一部とを少なくとも覆い、その内縁が、下地膜表面に対し、隆起部の斜面部もしくは隆起部以外の平坦部分の箇所で接触するように、隔壁を形成することを特徴とする。

【0045】

本発明の一態様に係る有機発光デバイスの製造方法では、上記のような方法を有することにより、局所的に膜厚の薄い箇所や膜が形成されない箇所などを生じることなく、膜厚均一性が高い有機膜を備える有機発光デバイスを製造することができる。

【0046】

従って、本発明の一態様に係る有機発光デバイスの製造方法では、隔壁の囲繞により構成された凹部内へ高い膜厚精度を以って有機膜を形成することができ、優れた発光性能を有する有機発光デバイスを製造することができる。

【0047】

なお、塗布法を用い有機膜を形成する場合には、隔壁の内縁の位置が下地膜表面に対して隆起部の斜面部の一部および平坦部分の何れとしても、下地膜が有機膜で覆われず、所謂、未濡れとなることを防止することができる。よって、塗布法を用い有機膜を形成する場合には、輝度ムラの防止を図ることができ、優れた発光性能を有する有機発光デバイスを製造することができる。

【0048】

一方、蒸着法を用い有機膜を形成する場合には、特に、隔壁の内縁の位置を平坦部分とするとき、膜厚の均一性を高く維持することができ、輝度ムラのない優れた発光性能を有する有機発光デバイスを製造することができる。

【0049】

本発明の一態様に係る有機発光デバイスの製造方法は、（ｉ）下地膜を形成する工程、（ｉｉ）隔壁を形成する工程、（ｉｉｉ）塗布膜を形成する工程、（ｉｖ）有機膜を形成する工程とを有する。

【0050】

（ｉ）下地膜を形成する工程；基板上に、下地膜を形成する。

【0051】

（ｉｉ）隔壁を形成する工程；下地膜上に、当該下地膜表面の一部を覆い、下地膜表面の残りの部分を囲繞するように隔壁を形成する。

【0052】

（ｉｉｉ）塗布膜を形成する工程；隔壁の囲繞により構成される凹部内に対し、有機材料を含むインクを塗布して塗布膜を形成する。

【0053】

（ｉｖ）有機膜を形成する工程；塗布膜を乾燥させて、下地膜表面および隔壁表面の各一部に接触する有機膜を形成する。

【0054】

そして、本発明の一態様に係る有機発光デバイスの製造方法では、（ｉ）下地膜を形成する工程において、表面の一部が、それ以外の表面よりも上方に隆起し、当該隆起部が、頂面部とその周囲に広がる斜面部とからなる下地膜を形成し、（ｉｉ）隔壁を形成する工程において、下地膜表面における隆起部の頂面部と斜面部の一部とを少なくとも覆い、その内縁が、下地膜表面に対し、隆起部の斜面部もしくは隆起部以外の平坦部分の箇所で接触するように、隔壁を形成する。また、塗布膜を形成する工程では、塗布膜を、下地膜表面における平坦部分の全体と、隆起部における斜面部のうち隔壁により覆われていない部分と、隔壁の一部とを覆い、且つ、その膜厚ａ１［ｎｍ］が、下地膜表面における平坦部分を基準とする、隔壁の内縁の高さｂ［ｎｍ］よりも厚くなるように前記塗布膜を形成する。

【0055】

さらに、（ｉｖ）有機膜を形成する工程では、下地膜表面における平坦部分の上における有機膜の平均膜厚をａ２［ｎｍ］とするとき、有機膜の平均膜厚ａ２が次の関係を満足するように、有機膜を形成することを特徴とする。

【0056】

［数２］ ａ１＞ａ２≧（ｂ／１５）
上記のように、塗布膜の膜厚ａ１、有機膜の平均膜厚ａ２、および隔壁の内縁の高さｂについて、［数２］に関係を満たすようにすれば、隔壁の囲繞により構成される凹部の開口率を高く維持しながら、下地膜表面における隆起部の斜面部での有機膜の未形成領域が発生することを効果的に防止することができる。よって、本発明の一態様に係る有機発光デバイスの製造方法では、さらに優れた発光性能を有する有機発光デバイスを製造することが可能となる。

【0057】

以下では、具体例を用い、本発明に係る態様の特徴、および作用・効果について説明する。なお、本発明は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以下の実施の形態に何ら限定を受けるものではない。

【0058】

［実施の形態１］
１．有機ＥＬ表示装置１の構成
本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１の構成について、図１を用い説明する。

【0059】

図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、有機発光デバイスの一例としての有機ＥＬパネル１０と、これに接続された駆動・制御部２０とを有し構成されている。

【0060】

有機ＥＬパネル１０は、有機材料の電界発光現象を利用したパネルであり、複数の有機ＥＬ素子が、例えば、マトリクス状に配列され構成されている。駆動・制御部２０は、４つの駆動回路２１〜２４と制御回路２５とから構成されている。

【0061】

なお、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１では、有機ＥＬパネル１０に対する駆動・制御部２０の配置については、これに限られない。

【0062】

２．有機ＥＬパネル１０の構成
有機ＥＬパネル１０の構成について、図２および図３を用い説明する。図２は、有機ＥＬパネル１０におけるピクセル１１の配列を示す模式平面図であり、図３は、図２のＡ−Ａ’断面を示す模式断面図である。

【0063】

図２に示すように、有機ＥＬパネル１０では、発光色が赤色（Ｒ）のサブピクセル１１ａと、発光色が緑色（Ｇ）のサブピクセル１１ｂと、発光色が青色（Ｂ）のサブピクセル１１ｃとの組み合わせを以って一のピクセル１１を構成している。有機ＥＬパネル１０においては、Ｘ−Ｙ平面において、ピクセル１１がマトリクス配置され、Ｘ軸方向における隣接ピクセル１１間に、カソードと接続されるバスバー１２が配設されている。

【0064】

また、有機ＥＬパネル１０では、隣接するサブピクセル１１ａ，１１ｂ，１１ｃ間を区画する隔壁１０７に下方において、Ｙ軸方向における隣接サブピクセル１１ａ，１１ｂ，１１ｃ間にコンタクトホールＣＨが開設されている。コンタクトホールＣＨは、アノードとＴＦＴのドレインとの接続経路となっている。

【0065】

次に、図３に示すように、本実施の形態１に係る有機ＥＬパネル１０では、基板１０１のＺ軸方向上側主面にＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）１０２が形成され（図３では、ＴＦＴのドレインのみ図示。）、その上がパッシベーション膜１０３および層間絶縁膜１０４により順に覆われている。なお、パッシベーション膜１０３および層間絶縁膜１０４については、上記のように、ＴＦＴ１０２におけるドレインの上の部分が開口されている（コンタクトホールＣＨ）。また、層間絶縁膜１０４におけるコンタクトホールＣＨが形成された箇所およびその周辺領域は、その他の領域に比べてＺ軸方向上向きに隆起している。層間絶縁膜１０４の隆起部は、コンタクトホールＣＨが開設された領域が頂面部となっており、その周囲が斜面部となっている。

【0066】

有機ＥＬパネル１０においては、層間絶縁膜１０４の上にサブピクセル１１ａ，１１ｂ，１１ｃ（図２を参照）単位でアノード１０５が形成されており、アノード１０５は、コンタクトホールＣＨの底でＴＦＴ１０２のドレインと接合されている。アノード１０５上には、複数のサブピクセル１１ａ，１１ｂ，１１ｃに跨る状態で、ホール注入層１０６が形成されている。

【0067】

なお、ホール注入層１０６については、隣り合うアノード１０５間に跨らず、サブピクセル１１ａ，１１ｂ，１１ｃ単位で形成された形態とすることも可能である。

【0068】

ここで、アノード１０５およびホール注入層１０６は、ともに層間絶縁膜１０４の表面に沿って形成されており、層間絶縁膜１０４の隆起部においては、当該形状に沿ってホール注入層１０６の表面も隆起した状態となっている。換言すると、基板１０１上におけるＴＦＴ１０２、パッシベーション膜１０３、層間絶縁膜１０４、アノード１０５、ホール注入層１０６を纏めて下地層１００と呼ぶとき、下地層１００における表面は、層間絶縁膜１０４のコンタクトホールＣＨに相当する部分が他の部分に比べて隆起した状態となっている。

【0069】

続いて、図３に示すように、ホール注入層１０６上には、隣接するサブピクセル１１ａ，１１ｂ，１１ｃ間を区画する隔壁１０７が突設されている。本実施の形態に係る有機ＥＬパネル１０では、隔壁１０７は、下地層１００における隆起部のうち、コンタクトホールＣＨが開設された頂面部とその周囲の斜面部の一部とを覆うように形成されている。

【0070】

なお、隔壁１０７は、コンタクトホールＣＨ内部にも侵入した状態で形成されており、少なくとも表面には撥液性が付与されている。

【0071】

隔壁１０７の囲繞により構成される各凹部内には、有機膜であるホール輸送層１０８、発光層１０９が順に形成されている。後述するが、ホール輸送層１０８および発光層１０９の形成には、例えば、インクジェット法等の塗布法が用いられる。発光層１０９上および隔壁１０７上には、複数のサブピクセル１１ａ，１１ｂ，１１ｃに連続する状態で、電子注入層１１０、カソード１１１、封止層１１２が順に積層形成されている。

【0072】

封止層１１２の上には、基板１１３にカラーフィルタ１１４およびブラックマトリクス１１５が形成されてなるＣＦ（Ｃｏｌｏｒ Ｆｉｌｔｅｒ）基板１１６が配され、間の接合樹脂層１１７により互いに接合されている。

【0073】

各構成要素の形成に用いる材料は、例えば、次のようなものとすることができる。

【0074】

（ｉ） 基板１０１
基板１０１は、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコーン系樹脂、又はアルミナ等の絶縁性材料をベースとして形成されている。

【0075】

（ｉｉ） 層間絶縁膜１０４
層間絶縁膜１０４は、例えば、ポリイミド、ポリアミド、アクリル系樹脂材料などの有機化合物を用い形成されている。

【0076】

（ｉｉｉ） アノード１０５
アノード１０５は、アルミニウム（Ａｌ）若しくは銀（Ａｇ）、またはそれらを含む合金から構成されている。トップエミッション型の本実施の形態に係る表示パネル１０の場合には、その表面部が高い光反射性を有することが好ましい。本実施の形態では、一例として、アルミニウム（Ａｌ）の合金を用いアノード１０５が構成されている。

【0077】

（ｉｖ） ホール注入層１０６
ホール注入層１０６は、タングステン（Ｗ）またはモリブデン（Ｍｏ）またはニッケル（Ｎｉ）の酸化物からなる層である。上記のように、金属の酸化物からなるホール注入層１０６を採用する本実施の形態に係る有機ＥＬパネル１０では、ホールを安定的に生成し、またはホールの生成を補助して、発光層１０９に対しホールを注入する機能を有し、大きな仕事関数を有する。

【0078】

ここで、上記のように、ホール注入層１０６を遷移金属の酸化物から構成する本実施の形態の場合には、複数の酸化数をとるためこれにより複数の準位をとることができ、その結果、ホール注入が容易になり駆動電圧を低減することができる。特に、酸化タングステン（ＷＯｘ）を用いることが、ホールを安定的に注入し、且つ、ホールの生成を補助するという機能を有するという観点から望ましい。

【0079】

（ｖ） 隔壁１０７
隔壁１０７は、樹脂等の有機材料を用い形成されており絶縁性を有する。隔壁１０７の形成に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等があげられる。隔壁１０７は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。

【0080】

さらに、隔壁１０７は、製造工程中において、エッチング処理、ベーク処理など施されることがあるので、それらの処理に対して過度に変形、変質などをしないような耐性の高い材料で形成されることが好ましい。また、撥液性をもたせるために、形成材料に撥液性の成分を含ませたり、あるいは、表面をフッ素処理したりすることもできる。

【0081】

なお、隔壁１０７を親液性の材料を用い形成した場合には、隔壁１０７の表面と発光層１０９の表面との親液性／撥液性の差異が小さくなり、発光層１０９を形成するために有機物質を含んだインクを、隔壁１０７の囲繞により構成される凹部内に選択的に保持させることが困難となってしまうためである。

【0082】

さらに、隔壁１０７の構造については、図３に示すような一層構造だけでなく、二層以上の多層構造を採用することもできる。この場合には、層毎に上記材料を組み合わせることもできるし、層毎に無機材料と有機材料とを用いることもできる。

【0083】

（ｖｉ） ホール輸送層１０８
ホール輸送層１０８は、親水基を備えない高分子化合物を用い形成されている。例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物であって、親水基を備えないものなどを用いることができる。

【0084】

（ｖｉｉ） 発光層１０９
発光層１０９は、上述のように、ホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。発光層１０９の形成に用いる材料は、湿式印刷法を用い製膜できる発光性の有機材料を用いることが必要である。

【0085】

具体的には、例えば、特許公開公報（日本国・特開平５−１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。

【0086】

（ｖｉｉｉ） 電子注入層１１０
電子注入層１１０は、カソード１１１から注入された電子を発光層１０９へ注入・輸送する機能を有し、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などを用い形成されている。

【0087】

なお、電子注入層１１０として、バリウム（Ｂａ）などのアルカリ金属を用い、蒸着法等のドライプロセスを用いて成膜した層を採用することも可能である。

【0088】

（ｉｘ） カソード１１１
カソード１１１は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）若しくはＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などを用い形成される。本実施の形態のように、トップエミッション型の有機ＥＬパネル１０の場合においては、光透過性の材料で形成されることが好ましい。光透過性については、透過率が８０［％］以上とすることが好ましい。

【0089】

（ｘ） 封止層１１２
封止層１１２は、発光層１０９などの有機膜が水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有し、例えば、ＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）などの材料を用い形成される。また、ＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。

【0090】

封止層１１２は、トップエミッション型である本実施の形態に係る有機ＥＬパネル１０の場合においては、光透過性の材料で形成されることが好ましい。

【0091】

３．隔壁１０７とホール輸送層１０８
隔壁１０７の内縁位置とホール輸送層１０８の形成形態との関係について、図４を用い説明する。

【0092】

図４に示すように、下地膜１００の表面であるホール注入層１０６の表面は、上述のように、層間絶縁膜１０４のコンタクトホールＣＨ（図３などを参照。）に対応して隆起した隆起部が構成されている。そして、本実施の形態に係る有機ＥＬパネル１０では、隔壁１０７の内縁Ｐ₁が、下地膜１００における隆起部の斜面部１００ａの途中部分に配置されている。即ち、有機ＥＬパネル１０では、隔壁１０７の内縁Ｐ₁が、下地膜１００表面における斜面部１００ａの両側の境界Ｐ₁₁，Ｐ₁₂の間の部分に規定されている。

【0093】

次に、ホール輸送層１０８は、ホール注入層１０６表面の隔壁１０７で覆われていない表面と、隔壁１０７の斜面部１０７ａの一部とに接するように形成されている。換言すると、ホール輸送層１０８の表面１０８ａは、隔壁１０７の斜面部１０７ａの途中部分に接点Ｐ₂を有し、一部領域１０８ｂが隔壁１０７の斜面部１０７ａに接している。

【0094】

４．有機ＥＬパネル１０の製造方法
有機ＥＬパネル１０の製造方法について、図５から図８を用い説明する。

【0095】

先ず、図５（ａ）に示すように、基板１０１を準備する。次に、図５（ｂ）に示すように、基板１０１のＺ軸方向上側主面にＴＦＴ１０２を形成し（図５（ｂ）などでは、ＴＦＴ１０２のドレインのみを図示。）、ＴＦＴ１０２を含む基板１０１の表面全体をパッシベーション膜１０３０で被覆する。

【0096】

次に、図５（ｃ）に示すように、パッシベーション膜１０３０を覆うように、層間絶縁膜１０４０を積層形成する。そして、図５（ｄ）に示すように、層間絶縁膜１０４０におけるＴＦＴ１０２のドレイン上の各箇所に孔をあけ、さらに、その底におけるパッシベーション膜１０３０も開口する。これにより、層間絶縁膜１０４およびパッシベーション膜１０３の孔１０４ａ，１０３ａを通してＴＦＴ１０２のドレインが底部に露出する。

【0097】

ここで、層間絶縁膜１０４の孔１０４ａを開口した後においては、図５（ｄ）に示すように、孔１０４ａの周囲が、他の領域に比べてＺ軸方向上側に隆起する。即ち、層間絶縁膜１０４の表面は、隆起部１０４ｂと平坦部１０４ｃとを有し構成される。さらに、隆起部１０４ｂは、孔１０４ａの周囲部分に拡がる頂面部と、さらにその周囲に広がる斜面部１０４ｂ₁とからなる。

【0098】

次に、図６（ａ）に示すように、層間絶縁膜１０４の表面に沿ってアノード１０５およびホール注入層１０６を順に成膜する。アノード１０５およびホール注入層１０６については、層間絶縁膜１０４の孔１０４ａの内壁面にも形成され、底においてＴＦＴ１０２のドレインに対し接続される。これより、コンタクトホールＣＨを介して、ＴＦＴ１０２のドレインとアノード１０５とが接続されることになる。

【0099】

上記において、アノード１０５の形成は、例えば、スパッタリング法や真空蒸着法などを用い金属膜（Ａｌ合金膜）を成膜した後、エッチングにより各サブピクセル１１ａ，１１ｂ，１１ｃ単位に区画することによりなされる。

【0100】

また、ホール注入層１０６の形成には、例えば、スパッタリング法を用いる。具体的には、不活性ガスとしてのアルゴン（Ａｒ）と酸素（Ｏ）との混合ガスをスパッタリング装置のチャンバー内に４［Ｐａ］〜７［Ｐａ］のガス圧を以って導入し、０．７［ｋＷ］〜１．５［ｋＷ］のパワーで成膜する。なお、チャンバー内に導入する混合ガスについては、全圧に対する酸素の分圧比を５０［％］とする。

【0101】

なお、アノード１０５およびホール注入層１０６の形成には、上記の他に次のような方法を採用することもできる。

【0102】

先ず、金属（例えば、Ａｌ合金）からなる膜を成膜し、次に酸化金属（例えば、ＷＯ_X）からなる膜を成膜する。

【0103】

次に、金属膜および酸化金属膜を熱処理（例えば、２３０[℃]以上の温度で焼成処理）し、その後にエッチングにより各サブピクセル１１ａ，１１ｂ，１１ｃ単位に区画することで、アノード１０５およびホール注入層１０６を形成することができる。

【0104】

以上のようにして、下地膜１００の形成が完了する。

【0105】

次に、図６（ｂ）に示すように、ホール注入層１０６の上に隔壁樹脂層１０７０を積層形成する。隔壁樹脂層１０７０の形成には、感光性樹脂成分とフッ素成分とを含む材料を、例えば、スピンコート法などにより堆積させることで行うことができる。

【0106】

次に、図６（ｃ）に示すように、隔壁樹脂層１０７０の上に、隔壁１０７を形成しようとする領域に開口５００ａが開けられたマスク５００を排し、マスク露光を行う。そして、図７（ａ）に示すように、隔壁樹脂層１０７０に対して現像処理を施すことによりパターニングを行い、その後に焼成などの熱処理を行うことで隔壁１０７を形成する。隔壁１０７については、全高さの２０［％］〜４０［％］の領域でのテーパー角が２０［°］〜７０［°］となるようにする。また、アニソールに対する接触角が３０［°］〜７０［°］となるように撥液性を付与する。

【0107】

なお、具体的な隔壁１０７の形成は、例えば、全波長で露光し、ＴＭＡＨ現像液を用いパドル現像若しくはスプレー現像を行う。その後に、純水を用いたリンス処理を施し、その後に焼成する、という手順を経ることで行うことができる。

【0108】

ここで、図７（ａ）に示すように、隔壁１０７の内縁Ｐ₁は、下地膜１００の隆起部における斜面部１００ａ（層間絶縁膜１０４の隆起部１０４ｂの斜面部１０４ｂ₁に相当）の途中箇所に設定される。これについては、上述の通りである。

【0109】

次に、図７（ｂ）に示すように、隔壁１０７の囲繞により構成された各凹部にホール輸送層１０８を形成するためのインク１０８０を塗布する。この後、インク１０８０を乾燥させることにより、図７（ｃ）に示すように、ホール輸送層１０８の形成が完了する。図７（ｃ）に示すように、本実施の形態においては、ホール輸送層１０８の表面が、隔壁１０７の斜面部１０７ａに対して接点Ｐ₂で接する。

【0110】

なお、上記において、インク１０８０については、その粘度が０．１［ｃｐ］〜２０［ｃｐ］（０．０００１［Ｐａ・ｓ］〜０．０２［Ｐａ・ｓ］）の範囲であり、濃度が０．１［％］〜１０［％］の範囲である。

【0111】

次に、図８（ａ）に示すように、隔壁１０７の囲繞により構成された凹部内のホール輸送層１０８上に対して、発光層１０９を形成するためのインク１０９０を塗布する。インク１０９０の粘度および濃度などに関しては、インク１０８０についての上記数値範囲と同様の範囲内に規定されている。そして、インク１０９０を乾燥させることにより、図８（ｂ）に示すように、発光層１０９が形成できる。

【0112】

ここで、図７（ｃ）に示すように、下地膜１００に対してホール輸送層１０８を形成する際に、隔壁１０７の内縁を上記のように規定することで、未濡れとなる部分を生じさせず、ホール輸送層１０８の形成後においては、下地膜１００が露出しないようにしているので、ホール輸送層１０８を介さずにホール注入層１０６と発光層１０９とが直接接するということが生じない。

【0113】

次に、図８（ｃ）に示すように、発光層１０９の上、および隔壁１０７の露出面の上に、電子輸送層１１０、カソード１１１、および封止層１１２を順に積層形成する。そして、ＣＦ基板１１６を貼り合わせることで、有機ＥＬパネル１０の製造が完了する。

【0114】

なお、図１に示すように、有機ＥＬパネル１０に対して駆動・制御部２０を接続し、必要に応じてエージング処理を施すことにより、有機ＥＬ表示装置１が完成する。

【0115】

５．隔壁１０７の内縁
隔壁１０７の内縁について、有機膜の膜厚均一性を向上させるという観点から、より好ましい位置について、図９および図１０を用い説明する。

【0116】

図９に示すように、有機ＥＬパネル１０では、ホール注入層１０６の表面である下地膜１００表面に対して、その隆起部の斜面部１００ａの途中の箇所に隔壁１０７の内縁Ｐ₁が接している。そして、有機膜であるホール輸送層１０８は、ホール注入層１０６表面の内の隔壁１０７で覆われていない部分全体と、隔壁１０７の斜面部の一部とを覆うように形成されており、表面と隔壁１０７の斜面部とが接点Ｐ₂で接している。

【0117】

ここで、下地膜１００の隆起部の下端位置（点Ｐ₁₂）と隔壁１０７の内縁Ｐ₁とのＺ軸方向高さをｂとする。また、ホール輸送層１０８における平坦部分上の領域Ａ_aveでの平均膜厚をａ₂とする。このとき、次に関係を満足する。

【0118】

［数３］ （ｂ／ａ₂）≦１５
本実施の形態に係る有機ＥＬパネル１０では、高さｂと平均膜厚ａ₂との関係を上記［数３］の関係を満足するように規定することで、塗布により形成する有機膜（ホール輸送層１０８）の未濡れの発生を防止することができ、輝度ムラの発生を抑制することができる。よって、本実施の形態に係る有機ＥＬパネル１０では、優れた発光性能を有する。

【0119】

一方、図１０（ａ）に示すように、ホール輸送層９５８の平均膜厚ａ₃を薄くして行き、上記［数３］を満足しない場合、および、図１０（ｂ）に示すように、隔壁９５７の内縁Ｐ₄の高さｂ₁を高くして行き、上記［数３］を満足しない場合には、ともにホール注入層１０６の表面の一部がホール輸送層９５８，９６８で覆われない、未濡れ部Ａ_nonが発生することになる。具体的には、図１０（ａ）に示す例では、隔壁１０７の内縁Ｐ₁に対して、ホール輸送層９５８の表面の端位置Ｐ₃がＺ軸方向下側に存在し、図１０（ｂ）に示す例では、隔壁９５７の内縁Ｐ₄が図９に示す実施の形態よりもＺ軸方向上側の位置に存在することで、ホール輸送層９６８の表面の端位置Ｐ₅よりもＺ軸方向上側の位置となっている。これより、図１０（ａ）、（ｂ）の何れの例においても、未濡れ部Ａ_nonが発生する。

【0120】

６．ホール輸送層１０８の表面プロファイル
ホール輸送層（ＩＬ）１０８の表面プロファイルについて、図１１および図１２を用い説明する。

【0121】

先ず、図１１に示すように、比較例として層間絶縁膜を形成せず、平坦な下地の上に隔壁およびホール輸送層を形成した。この場合には、比較例の欄に示す通り、下地表面のコーナー部分の形状に近い表面プロファイルでホール輸送層が形成されることになる（丸印Ｂ３，Ｂ４を参照）。

【0122】

一方、図１１の実施例については、向かって右側にコンタクトホールに伴う隆起部が存在し（丸印Ｂ１）、ホール輸送層の表面プロファイルも隆起部の斜面部のプロファイルに沿った形状となる（丸印Ｂ２）。

【0123】

図１２に示すように、図１１の丸印Ｂ２で示す部分のテーパーは、Ｙ軸方向の長さをｙ₁とし、Ｚ軸方向の高さをｚ₁とするとき、次のような関係を満足する。

【0124】

［数４］ （ｚ₁／ｙ₁）≦１．０Ｅ−２
７．インク塗布量と未濡れ発生の有無との関係
有機膜を形成する際のインクの塗布量と、未濡れ発生の有無との関係について、図１３から図１５を用い説明する。

【0125】

図１３に示すように、隔壁１０７の内縁の高さ（図１３では、「下地隆起高さ」と表示）ｂを１５０［ｎｍ］で一定とした場合において、インク滴下量を２ドロップ（２ｄ）から１２ドロップ（１２ｄ）まで変化させたときの塗布状態を示す。なお、塗布状態については、ＰＬ発光状態を観察したものである。ここで、１ドロップは、概ね１０［ｐｌ］のインク量である。

【0126】

図１３に示すように、２ｄから４ｄの範囲では、未濡れが発生しており、発光していない箇所Ｃ₁，Ｃ₂，Ｃ₃が発生した。この場合の高さｂに対する有機膜の膜厚ａの比率（ｂ／ａ）は、それぞれ１００，３７．５，２５となっている。

【0127】

次に、インク滴下量が７ｄから１０ｄの範囲では、未濡れの発生はなく、塗布状態は良好であった。この場合における比率（ｂ／ａ）は、それぞれ１５，１１．５，１０．７となっている。

【0128】

次に、インク滴下量が１１ｄ以上の範囲では、隔壁による囲繞で構成された凹部からインクが溢れ出した。

【0129】

以上より、本確認実験の範囲においては、インク滴下量が７ｄから１０ｄの範囲で塗布状態が良好となり、換言すると、比率（ｂ／ａ）が１５以下のときに塗布状態が良好となった。なお、隔壁の全高との関係にもよるが、インクが溢れ出さないことが前提となる。

【0130】

図１４（ａ）に示すように、例えば、濃度１［％］のインクを用い、膜厚ｈ₁（例えば、１００［ｎｍ］以下）で塗布膜９７８０を形成した場合には、塗布の際に隔壁１０７の撥液性によりホール輸送層１０６の一部に未濡れ部を生じる。この塗布膜９７８０を乾燥させると、図１５（ａ）に示すような有機膜（ホール輸送層）９７８が形成されることになる。

【0131】

有機膜（ホール輸送層）９７８は、隔壁１０７の内縁から離れた位置に端位置が存在することになり、未濡れ部Ａ_nonが発生する（矢印Ｄ１部）。このときの有機膜（ホール輸送層）９７８の平均膜厚ａ₄は、１［ｎｍ］以下となる。これより、比率（ｂ／ａ₄）は、１５０以上の値となる。

【0132】

次に、図１４（ｂ）に示すように、上記同様に、濃度１［％］のインクを用い、膜厚ｈ₂（例えば、５００［ｎｍ］以下）で塗布膜９８８０を形成した場合には、隔壁１０７の撥液性との関係により隔壁１０７の斜面部１０７ａの一部を覆う場合（実線で示すプロファイル）と覆わない場合（破線で示すプロファイル）とが生じ得る。この塗布膜９８８０を乾燥させると、図１５（ｂ）に示すような有機膜（ホール輸送層）９８８が形成されることになる。

【0133】

有機膜９８８は、図１４（ｂ）に示す塗布膜９８８０の状態で破線で示すプロファイルであった場合は、上記図１５（ａ）に示す有機膜（ホール輸送層）９７８と同様にホール注入層１０６の一部をホール輸送層９８８が覆わない、未濡れ部Ａ_nonが発生する。また、有機膜（ホール輸送層）９８８は、図１４（ｂ）に示す塗布膜９８８０の状態で実線で示すプロファイルであった場合においても、隔壁１０７の撥液性に起因してピンニング位置が低下し、図１５（ｂ）に示す未濡れ部Ａ_nonが発生する。ここで、有機膜（ホール輸送層）９８８の平均膜厚ａ₅は、５［ｎｍ］以下となる。これより、比率（ｂ／ａ₅）は、３０以上の値となる。

【0134】

次に、図１４（ｃ）に示すように、上記同様に、濃度１［％］のインクを用い、膜厚ｈ₃（例えば、１［μｍ］）で塗布膜１０８１を形成した場合には、隔壁１０７の撥液性との関係により隔壁１０７の斜面部１０７ａの略全体を覆う場合となる。この塗布膜１０８１を乾燥させると、図１５（ｃ）に示すような有機膜（ホール輸送層）１０８が形成されることになる。

【0135】

図１５（ｃ）に示すように、有機膜（ホール輸送層）１０８は、ホール注入層１０６の表面の内の隔壁１０７で覆われていない部分の全体を覆い、未濡れ部が発生しない。そして、有機膜（ホール輸送層）１０８の表面は、隔壁１０７の斜面部１０７ａに接点Ｐ₂を有する。ここで、有機膜１０８の平均膜厚ａ₆は、５［ｎｍ］以下となる。これより、比率（ｂ／ａ₆）は、１５以下の値となる。

【0136】

以上より、上記［数３］の関係を満足するように、下地膜１００表面に対する隔壁１０７の内縁Ｐ₁の高さｂと、有機膜（ホール輸送層）１０８の平坦部分における平均膜厚ａ₂とを規定することにより、未濡れの発生を防止することができ、優れた発光性能を有し、長寿妙な有機ＥＬパネル１０を実現することができる。

【0137】

また、塗布膜１０８１の膜厚（図１５（ｃ）の厚みｈ₃）も加味するときには、次の関係を満たすことが好ましい。

【0138】

［数５］ ｈ₃＞ｂ
なお、上記実施の形態１では、有機膜（ホール輸送層１０８）の未濡れ部の発生を防止し、且つ、隔壁１０７の囲繞により構成された凹部から溢れ出さないインクドロップ数のマージンを確保できるので、同一インク濃度にてサブピクセル１１ａ，１１ｂ，１１ｃの発光色毎でドロップ数を変えて印刷膜厚を設計することができる。よって、発光色毎に最適な光学キャビティ設計が可能であり、輝度向上を実現することができる。

【0139】

［実施の形態２］
次に、本発明の実施の形態２に係る有機ＥＬパネル３０の構成について、図１６および図１７を用い説明する。図１６は、上記実施の形態１における図３に相当する模式断面図であり、図１７は、上記実施の形態１における図９に相当する模式断面図である。

【0140】

図１６に示すように、基板１０１からアノード１０５までの構成、およびホール輸送層１０８からＣＦ基板１１６までの構成については、上記実施の形態１と同様である。本実施の形態では、ホール注入層３０６および隔壁３０７の形成形態が相違する。

【0141】

具体的には、本実施の形態に係る有機ＥＬパネル３０では、隔壁３０７がアノード１０５上に形成されており、ＴＦＴ１０２からアノード１０５までの構成が下地膜３００ということになる。そして、本実施の形態に係るホール注入層３０６は、例えば、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマーからなる有機膜であって、隔壁３０７の囲繞により構成される凹部内に塗布法を用い形成されている。

【0142】

図１７に示すように、本実施の形態に係る有機ＥＬパネル３０では、アノード１０５の表面である下地膜３００表面に対して、その隆起部の斜面部３００ａの途中の箇所に隔壁３０７の内縁Ｐ₆が接している。具体的には、隔壁３０７の内端Ｐ₆は、隆起部における斜面部３００ａの両端点Ｐ₁₃，Ｐ₁₄の間に位置している。そして、有機膜であるホール注入層３０６は、アノード１０５表面の内の隔壁３０７で覆われていない部分全体と、隔壁３０７の斜面部３０７ａの一部とを覆うように形成されており、表面と隔壁３０７の斜面部とが接点Ｐ₇で接している。

【0143】

ここで、下地膜３００の隆起部の下端位置（点Ｐ₁₄）と隔壁３０７の内縁Ｐ₆とのＺ軸方向高さをｂ₂とする。また、ホール注入層３０６における平坦部分上の領域Ａ_aveでの平均膜厚をａ₇とする。このとき、次に関係を満足する。

【0144】

［数６］ （ｂ₂／ａ₇）≦１５
本実施の形態に係る有機ＥＬパネル３０でも、高さｂ₂と平均膜厚ａ₇との関係を上記［数６］の関係を満足するように規定することで、塗布により形成する有機膜（ホール注入層３０７）の未濡れの発生を防止することができ、輝度ムラの発生を抑制することができる。よって、本実施の形態に係る有機ＥＬパネル３０においても、優れた発光性能を有する。

【0145】

［実施の形態３］
次に、本発明の実施の形態３に係る有機ＥＬパネル４０の構成について、図１８および図１９を用い説明する。図１８は、上記実施の形態１における図３に相当する模式断面図であり、図１９は、上記実施の形態１における図４に相当する模式断面図である。

【0146】

本発明の実施の形態に係る有機ＥＬパネル４０では、隔壁４０７の形成形態を除き、基本的な構成は上記実施の形態１に係る有機ＥＬパネル１０と同様である。

【0147】

本実施の形態に係る有機ＥＬパネル４０では、隔壁４０７の内縁がホール注入層１０６の表面である下地膜４００表面の平坦部分に位置しているところが特徴である。そして、この隔壁４０７の囲繞により構成された凹部内にホール輸送層４０８、発光層４０９が形成され、その上に電子輸送層４１０、カソード４１１、封止層４１２が順に積層形成されている構成は上記同様である。即ち、本実施の形態では、層間絶縁膜１０４のコンタクトホールＣＨに起因する隆起部の上方全体を隔壁４０７で覆っている。

【0148】

図１９に示すように、ホール注入層１０６の表面である下地膜４００の表面は、層間絶縁膜１０４のコンタクトホールＣＨに起因して隆起した部分を有し、端点Ｐ₁₅と端点Ｐ₁₆の間が斜面部４００ａとなっている。上記実施の形態１，２では、この斜面部４００ａに隔壁の内端を位置させることとしていたが、本実施の形態では、隔壁４０７の内縁Ｐ₈を、下地膜４００の隆起部における斜面部４００ａの一方の端点Ｐ₁₆よりも凹部内側の平坦部分４００ｂに位置させている。

【0149】

本実施の形態に係る有機ＥＬパネル４０でも、ホール注入層１０６上に形成する有機膜であるホール輸送層４０８の表面の端位置Ｐ₉が隔壁４０７の斜面部に位置する。

【0150】

このような構成を採用する場合にも、ホール輸送層４０８に形成に際して未濡れ部の発生を確実に防止することができ、優れた発光性能を有する。

【0151】

また、本実施の形態に係る有機ＥＬパネル４０の構成を採用する場合には、下地膜４００上に形成する有機膜について、蒸着法を用いて形成する場合においても、有機膜の膜厚均一性を確保することができ、輝度集中を抑制することができる。よって、蒸着法を用い有機膜を形成する場合においても、長寿命な有機ＥＬパネル４０とすることができる。

【0152】

［実施の形態４］
次に、本発明の実施の形態４に係る有機ＥＬパネルの構成について、図２０を用い説明する。図２０は、上記実施の形態１における図４に相当する模式断面図である。

【0153】

本実施の形態に係る有機ＥＬパネルは、上記実施の形態２と上記実施の形態３とを組み合わせた関係にある。具体的には、図２０に示すように、アノード１０５の表面が下地膜５００の表面を構成しており、層間絶縁膜１０４のコンタクトホールＣＨに起因して隆起部が一部に構成されている。そして、アノード１０５は層間絶縁膜１０４の表面に沿って形成され、その表面（下地膜５００の表面）も隆起している。

【0154】

隔壁５０７は、下地膜５００の隆起部に対して、端点Ｐ₁₇と端点Ｐ₁₈の間の斜面部５００ａを含む全体を覆う状態で形成されており、その内縁Ｐ₁₀が、下地膜５００の表面における端点Ｐ₁₈よりも凹部内側の平坦部分５００ｂに接している（位置している）。

【0155】

本実施の形態に係る有機ＥＬパネルでも、アノード１０５上に形成する有機膜であるホール注入層５０６の表面の端位置Ｐ₂₁が隔壁５０７の斜面部に接している。なお、本実施の形態に係る有機ＥＬパネルにおいては、ホール注入層５０６の形成材料は、上記実施の形態２に係るホール注入層３０６と同様に、例えば、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマーなどを採用することができる。

【0156】

このような構成を採用する場合にも、ホール注入層５０６に形成に際して未濡れ部の発生を確実に防止することができ、優れた発光性能を有する。

【0157】

また、本実施の形態に係る有機ＥＬパネルの構成を採用する場合には、上記実施の形態３と同様に、下地膜５００上に形成する有機膜について、蒸着法を用いて形成する場合においても、有機膜の膜厚均一性を確保することができ、輝度集中を抑制することができる。よって、蒸着法を用い有機膜を形成する場合においても、長寿命な有機ＥＬパネルとすることができる。

【0158】

［その他の事項］
上記実施の形態１〜４では、隔壁１０７，３０７，４０７，５０７について、所謂、ピクセルバンク構成を一例として採用したが、これに限らず、所謂、ラインバンク構成とすることもできる。

【0159】

また、アノード１０５については、上記のように、アルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム合金（Ａｌ合金）や、銀（Ａｇ）または銀合金（Ａｇ合金）を用い形成することもできるし、これ以外にも光反射性を有する金属電極を採用することができる。

【0160】

また、上記実施の形態１〜４では、有機発光デバイスの一例として有機ＥＬパネル１０，３０，４０を採用したが、これ以外に、照明用のデバイスに採用することもできる。

【0161】

また、上記実施の形態１〜４では、所謂、トップエミッション型のデバイスとしたが、ボトムエミッション型のデバイスとすることもできる。

【産業上の利用可能性】

【0162】

本発明は、高い発光性能を有し、長寿命な有機発光デバイスを実現するのに有用である。

【符号の説明】

【0163】

１．有機ＥＬ表示装置
１０，３０，４０．有機ＥＬパネル
１１．ピクセル
１１ａ〜１１ｃ．サブピクセル
１２．バスバー
２０．駆動・制御部
２１〜２４．駆動回路
２５．制御回路
１００，３００，４００，５００．下地層
１００ａ，３００ａ，４００ａ，５００ａ．斜面部
４００ｂ，５００ｂ．平坦部
１０１．基板
１０２．ＴＦＴ（ドレイン）
１０３，１０３０．パッシベーション膜
１０４，１０４０．層間絶縁膜
１０４ｂ．隆起部
１０４ｂ₁．斜面部
１０４ｃ．平坦部
１０５．アノード
１０６，３０６，５０６．ホール注入層
１０７，３０７，４０７，５０７．隔壁
１０８，４０８．ホール輸送層
１０９，４０９．発光層
１１０，４１０．電子注入層
１１１，４１１．カソード
１１２，４１２．封止層
１１３．基板
１１４．カラーフィルタ
１１５．ブラックマトリクス
１１６．ＣＦ基板
１１７．接合樹脂層
５００．マスク
１０７０．隔壁樹脂層
１０８０，１０８１，１０９０．インク

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】