(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
波長に対する反射帯域幅が0.1nm以下の反射波長特性をもつ体積ホログラム格子をレーザダイオードの外部に配置して外部共振器を構成することで単一縦モード化するダイオードレーザモジュールであって、
前記外部共振器の温度を所定の設定温度に制御する温度制御手段と、
前記体積ホログラム格子で反射するレーザ光のレーザパワーをモニターする第1モニター手段と、
前記体積ホログラム格子を透過するレーザ光のレーザパワーをモニターする第2モニター手段と、
前記第1モニター手段のモニター結果及び前記第2モニター手段のモニター結果を、最適な動作波長において両値が互いに等しくなるように調整した増幅率をもって第1電圧及び第2電圧に変換する電圧変換回路とを有し、
前記第1電圧及び前記第2電圧は、前記最適な動作波長に対して波長が短い側に、前記第1電圧が前記第2電圧よりも大きくなる波長領域を有し、前記最適な動作波長に対して波長が長い側に、前記第2電圧が前記第1電圧よりも大きくなる波長領域を有しており、
前記温度制御手段は、前記第1電圧から前記第2電圧を減算した減算値が正の値のときに前記外部共振器の温度を前記設定温度よりも上昇させ、前記減算値が負の値のときに前記外部共振器の温度を前記設定温度よりも下降させることを特徴とする、外部共振器を備えた単一縦モードダイオードレーザモジュール。
前記第1モニター手段は、前記レーザダイオードと前記体積ホログラム格子との間に配置され、2つのプリズムにより構成されるとともにレーザ光路上の1面に部分反射コーティングが施されたアナモルフィックプリズム対を含み、
前記第1モニター手段は、前記部分反射コーティングが施された前記1面で反射するレーザ光のレーザパワーをモニターすることを特徴とする、請求項1に記載の外部共振器を備えた単一縦モードダイオードレーザモジュール。
【背景技術】
【0002】
半導体を利得媒質とし、電流注入することでレーザ光を発生するレーザダイオードは、一般にレーザの中心波長の個体差が大きく、量産され販売されているレーザダイオードでは中心波長が公称値に対して±3nmから±5nmの公差があることが多い。さらにレーザダイオードの中心波長は動作電流や温度に依存するという特徴をもっている。また、波長が1μm以上のレーザダイオードでは、導波路構造の活性領域の近傍に周期的構造を設けることにより単一縦モードで動作するものもあるが、波長が1μm未満のレーザダイオードの大部分は、多数の縦モードをもつマルチ縦モードで動作する。
【0003】
レーザを利用した応用装置の中には、この中心波長の公差や変動が問題とならないものもあるが、特に分析や計測の分野で使用する用途では、レーザの中心波長の公差や変動が小さくなくてはいけないことがある。また、縦モードについても単一縦モードでなければならないことがある。
【0004】
レーザダイオードの中心波長を制御するとともにシングル縦モード化する方法の例として、体積ホログラム格子(volume holographic grating、VHG)を使用した発明がある(特許文献1参照)。体積ホログラム格子は体積ブラッグ格子(volume Bragg grating, VBG)などとも呼ばれる。体積ホログラム格子は特殊なガラスに屈折率の周期的変化を1次元方向に与えたもので、特定の入射角度に対して特定の波長で光を反射する特性をもつ。特許文献1の発明では、この体積ホログラム格子へレーザダイオードの出力光を垂直に入射し、その一部を反射させてレーザダイオードに再び結合させることで、レーザダイオードの動作波長を体積ホログラム格子で決まる特定の波長に制御するとともに、単一縦モード動作させている。
【0005】
光回折格子を利用した例として特許文献2の発明がある。この発明は、光回折格子に光を照射したときに回折光の伝搬方向が波長分散をもつ特性を利用しており、レーザダイオードから出力されたレーザ光を反射型の光回折格子に照射し、発生する回折光を反射ミラーによって戻すときに、反射ミラーの角度を調整して特定の波長成分のみをレーザダイオードに再び結合させることで波長を制御している。
【0006】
プリズムを利用した例としては、非特許文献1に示されている例がある。これは、特許文献2と同様に、基本的には光回折格子によって波長を選択する方式であるが、波長選択性を向上させるために、レーザダイオードの出力光を複数のプリズムに通すことでレーザ光の断面寸法を一方向に拡大したあとに光回折格子に照射している。
【0007】
エタロンを利用した例は非特許文献2に示されている。非特許文献2では、レーザダイオードのレーザ光を取り出す側とは反対側に反射ミラーをおき、この反射ミラーとレーザダイオードとの間に透過特性が急峻なバンドパスフィルタを挿入することで単一縦モード動作させるとともに、このバンドパスフィルタの角度を調整することでレーザ波長を調整している。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0010】
これら従来技術の各種方式では、レーザパワーを調整するためにレーザダイオードへの注入電流を変化させるとモードホップが生じる。また、注入電流を増加させていく場合に、レーザパワーが単調増加せず、増加・減少を周期的に繰り返す特性となる。レーザダイオードを駆動する際には、レーザパワーをモニターしながらレーザパワーが一定になるよう注入電流を制御する自動パワー制御(Automatic Power Control、APC)を行うことが一般的であるが、このように電流対レーザパワー特性が単調増加ではないレーザダイオードを駆動する場合には、自動パワー制御を行うことが困難であった。
【0011】
非特許文献2の例では、モードホップの影響を低減し自動パワー制御を可能とするために、レーザダイオードを駆動する電流に高周波電流を重畳して、マルチ縦モード動作にすることで、注入電流に対してレーザパワーが単調増加となるようにしていた。高周波電流を重畳することは、この例が目的とする用途のようにマルチ縦モード動作でも問題ない用途では非常に有効な手段である。しかし、この方法は単一縦モード動作が必要な用途には利用できない。
【0012】
本発明は、このような背景に鑑みてなされたもので、自動パワー制御を行うことができる、単一縦モードダイオードレーザモジュールを提供することをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0013】
このような課題を解決するために、本発明の一側面によれば、波長に対する反射帯域幅が0.1nm以下の反射波長特性をもつ体積ホログラム格子(3)をレーザダイオード(1)の外部に配置して外部共振器を構成することで単一縦モード化するダイオードレーザモジュールであって、前記外部共振器(金属構造体10)の温度を所定の設定温度(T
P)に制御する温度制御手段(26、8)と、前記体積ホログラム格子(3)で反射するレーザ光(106)のレーザパワー(P
B、V
1)をモニターする第1モニター手段(4、13、6)と、前記体積ホログラム格子(3)を透過するレーザ光(103)のレーザパワー(P
T、V
2)をモニターする第2モニター手段(5、7)と、前記第1モニター手段のモニター結果及び前記第2モニター手段のモニター結果を、最適な動作波長(+9pm)において両値が互いに等しくなるように調整した増幅率をもって第1電圧(V
1)及び第2電圧(V
2)に変換する電圧変換回路(20、21)とを有し、前記第1電圧及び前記第2電圧は、前記最適な動作波長に対して波長が短い側に、前記第1電圧が前記第2電圧よりも大きくなる波長領域(II)を有し、前記最適な動作波長に対して波長が長い側に、前記第2電圧が前記第1電圧よりも大きくな
る波長領域(III)を有しており、前記温度制御手段(26、8)は、前記第1電圧(V
1)から前記第2電圧(V
2)を減算した減算値(V
err)が正の値のときに前記外部共振器の温度を前記設定温度(T
P)よりも上昇させ、前記減算値(V
err)が負の値のときに前記外部共振器の温度を前記設定温度(T
P)よりも下降させる構成とする。
【0014】
また、本発明の一側面によれば、前記第1モニター手段は、前記レーザダイオード(1)と前記体積ホログラム格子(3)との間に配置され、2つのプリズム(11、12)により構成されるとともにレーザ光路上の1面(12b)に部分反射コーティングが施されたアナモルフィックプリズム対(13)を含み、前記第1モニター手段は、前記部分反射コーティングが施された前記1面(12b)で反射するレーザ光(107)のレーザパワー(P
B)をモニターする構成とすることができる。
【発明の効果】
【0015】
本発明によれば、体積ホログラム格子を使用することで通常はマルチ縦モード動作するレーザダイオードを単一縦モードで動作させ、注入電流に対するレーザパワーの特性を時間的な応答は遅いものの単調増加する特性とすることができるので、レーザパワーをモニターしながらレーザパワーが一定になるよう注入電流を制御する自動パワー制御(APC)が任意のレーザパワーにおいて可能となる。また、長い期間動作させることでレーザダイオードが劣化し、特定のレーザパワーを得るのに必要な順方向電流や順方向電圧が変化したとしても、自動的に最適動作状態を維持できる。しかも、これらの効果を非常に簡易な制御で実現できる。
【発明を実施するための形態】
【0017】
≪第1実施形態≫
図1は、本発明の外部共振器を備えた単一縦モードダイオードレーザモジュールの光学的な機能をもつ構成要素と、本発明の動作を説明するのに必要な電子回路のブロック図を組み合わせた図である。
【0018】
レーザダイオード1は、InGaN系で波長が405nmに利得のピークをもつものである。活性層の片側の端面1aには波長405nmの光に対して反射率が95%以上となる高反射コーティングが、もう一方の端面1bには同じ波長の光に対して反射率が1%以下となる反射防止コーティングを施してある。このレーザダイオード1は、十分な電流を注入することにより、外部の光学素子がなくても単独でレーザ光を発生することができる。レーザダイオード1は、単独で動作させた場合、マルチ縦モードでレーザ動作し、その波長間隔はレーザダイオード1の共振器長によって決まる自由スペクトル領域の値である28nmとなる。
【0019】
レーザダイオード1の低反射コーティングが施してある側(端面1b側)には、非球面レンズであるコリメートレンズ2が配置され、レーザダイオード1から出力されるレーザ光をコリメートする。コリメートされたレーザ光101の断面形状は楕円であり、その長軸と短軸の長さの比はおよそ2:1となる。
【0020】
レーザ光101は第1ビームスプリッタ4に45度入射し、これを通過したレーザ光102は体積ホログラム格子3に入射する。体積ホログラム格子3は特殊なガラスに屈折率の周期的変化を1次元方向に与えたものであり、厚み約3mmの中に約2万周期分の屈折率格子を含んでいる。そして体積ホログラム格子3は波長405nmに反射率のピークをもち、その値(ピーク値)は約20パーセントである。また、体積ホログラム格子3は、反射率がピーク値に対して半分になる波長幅が、製造業者の公称値で100pm以下、実測した値で約30pmとなる非常に狭帯域な反射特性を有している。
【0021】
このような波長特性をもつ体積ホログラム格子3によって、レーザダイオード1の多数の発振しうる縦モードのうち、体積ホログラム格子3の反射帯に含まれる波長の縦モードを選択してレーザ光102を反射し、反射したレーザ光106をレーザダイオード1の活性領域に結合させることで単一縦モード動作を得ることができる。
【0022】
ここまでに説明してきた外部共振器を構成する光に直接係わる部品は、1つの金属構造体10に組み込まれる。この金属構造体10はペルチェ効果を利用して動作する電子冷却素子8によって温度制御される。また金属構造体10にはサーミスタ9が埋め込まれてあり、このサーミスタ9によって金属構造体10の温度をモニターしながら温度制御回路26によって電子冷却素子8が駆動される。これにより、金属構造体10の温度すなわち外部共振器の温度が基本的に温度設定回路25で設定された設定温度T
Pに保たれる。
【0023】
体積ホログラム格子3で反射したレーザ光106のレーザパワーP
Bは、第1ビームスプリッタ4で反射したレーザ光107の光量を第1光検出器6によって測定することで間接的にモニターされる。第1光検出器6で生成された光電流(検出されたレーザパワーP
B)は、第1電流電圧変換回路20によって電流電圧変換されるとともに適当な増幅率で増幅、あるいは減衰されて第1電圧V
1として出力され、差動増幅回路24に送られる。
【0024】
ダイオードレーザモジュールの最終的な出力となるレーザ光104のレーザパワーは、体積ホログラム格子3を透過したレーザ光103の一部を第2ビームスプリッタ5で反射させ、反射したレーザ光105の光量を第2光検出器7によって測定することで間接的にモニターされる。なお、最終的な出力となるレーザ光104のレーザパワーは、体積ホログラム格子3を透過したレーザ光103のレーザパワーP
Tに対して第2ビームスプリッタ5の透過率に応じた一定の関係にあり、透過率を1に近づけることでその値がレーザ光103のレーザパワーP
Tと近似するため、以下では両レーザ光103、104のレーザパワーを同等に扱って説明する。第2光検出器7で生成された光電流(検出されたレーザ光104のレーザパワーP
T)は、第2電流電圧変換回路21によって電流電圧変換されるとともに適当な増幅率で増幅、あるいは減衰されて第2電圧V
2として出力され、レーザダイオード駆動回路23に送られる。
【0025】
レーザダイオード駆動回路23は、第2電流電圧変換回路21から出力された第2電圧V
2が、レーザパワー設定回路22によって設定されたレーザパワーに対応する電圧(以下、設定電圧V
Pと称する)よりも低ければレーザダイオード1へ供給する電流を増加させ、逆に高ければ電流を減少させる動作を行う。この動作により、レーザ光104のレーザパワーP
Tは、レーザパワー設定回路22で設定されたレーザパワーの値で一定になるように自動的に制御される。
【0026】
図2は、体積ホログラム格子3の透過率および反射率の波長に対する特性を示したものである。横軸をレーザ波長λとしているが、このレーザ波長λは体積ホログラム格子3の反射率が最大となる波長を0とした場合の相対波長Δλを表している。
【0027】
図3はレーザダイオード1に注入する電流を一定にして、金属構造体10の温度を変化させた場合の、レーザ波長(相対波長Δλ)とレーザ光のレーザパワーPとの関係を表したものである。実線で示す曲線は、体積ホログラム格子3を通過したレーザ光103のレーザパワーP
Tを表している。破線で示す曲線は、体積ホログラム格子3で反射したレーザ光106のレーザパワーP
Bを表している。温度を上昇させていくと動作点A(動作波長)が波長の長い方へずれていき、曲線の右端に到達すると、曲線の左端の波長にモードホップする。さらに温度を上昇させると動作点Aは波長の長い方にずれていき、もとの波長に戻る。さらに温度を上昇させても動作点Aは同じ経路をたどり元に戻ることを、約2℃の温度周期で繰り返す。
【0028】
温度を一定にして、電流を徐々に増加させていく場合も、レーザ光103のレーザパワーP
Tとレーザ光106のレーザパワーP
Bは、それぞれ
図3に実線および破線で記した曲線と類似した特性になる。動作点Aは、電流増加に伴い波長が長い方にずれていき、曲線の右端に到達すると、モードホップが生じて曲線の左端の波長の位置へ移動する。さらに電流を増加させていくと元の波長に到達する。ただし電流が増加しているので、レーザパワーP
T、P
Bは同じ波長に戻るたびに増加する特性になる。波長掃引の電流周期は約20mAである。
【0029】
温度を上昇させる場合も、注入電流を増加させる場合も、注入電流に見合うレーザパワーPが得られるのは、相対波長Δλがプラスとなる側のモードホップが起こる波長付近である。
図3に示す特性の場合、一点鎖線で示す相対波長が+9pm辺りを動作点Aの最適値とするのが適当である。
【0030】
自動制御により、常にこの最適な状態を維持するような制御をするために必要な誤差信号V
errを得る方法について
図4も参照しながら説明する。
図1に示すように、第1光検出器6および第2光検出器7で間接的に検出されたレーザパワーP
B、P
Tは、それぞれ第1電流電圧変換回路20、第2電流電圧変換回路21で電流−電圧変換されるとともにそれぞれの回路で増幅率が調整されることで、前記の最適な動作点Aにおいて互いに等しくなるように第1電圧V
1および第2電圧V
2が設定される。
図4では、最適な動作点Aにおける第1電圧V
1および第2電圧V
2を2000mVに設定した場合を示している。
【0031】
この状態から、順方向電流が一定のもとで、仮に手動で設定温度T
Pを変化させた場合、第1電圧V
1および第2電圧V
2は
図4に破線および実線で示すような特性をもって変化し、差動増幅回路24が前者から後者を減算して求めた値V
1−V
2(以下、誤差信号V
errとする)は
図4中に太線で示した曲線のようになる。誤差信号V
errも温度変化に対して周期的な特性を示す。1周期の中には、誤差信号V
errが正の値になる
図4中にIIで示す範囲(波長範囲、温度範囲、電流範囲)と、負の値になるIとIIIで示す範囲(波長範囲、温度範囲、電流範囲)とが存在する。
【0032】
図1に示すように、差動増幅回路24で算出された誤差信号V
errは、温度制御回路26に入力する。温度制御回路26には温度設定回路25で設定された設定温度T
Pも入力している。温度制御回路26が、入力した設定温度T
Pおよび誤差信号V
errに基づいて、後述する原理および具体的制御手順にしたがって電子冷却素子8を駆動することで、金属構造体10の温度が自動制御される。
【0033】
図1の中のブロック図で示した回路によって温度制御をしている状態で、設定温度T
Pが最適温度からずれている場合を考える。
図4に示すように、動作点AがIIの領域にある場合には、誤差信号V
errが正の値となり、このときに温度制御回路26は電子冷却素子8を制御して金属構造体10の温度を上昇させる。すると、レーザダイオード1の縦モードの動作点Aは、長い波長側に移動することにより、短い波長の側から最適値に近づく。動作点AがIIIの領域にある場合には、誤差信号V
errが負の値となり、このときには温度制御回路26は電子冷却素子8を制御して金属構造体10の温度を下降させる。すると、レーザダイオード1の縦モードの動作点Aは、短い波長側に移動することにより、長い波長の側から最適値に近づく。
【0034】
動作点AがIの領域にある場合には、誤差信号V
errが負の値となり、温度制御回路26は電子冷却素子8および金属構造体10の温度を下降させる。すると、レーザダイオード1の縦モードの動作点Aは短い波長側に移動するが、曲線の左端に達すると、曲線の右端の状態へモードホップし、あとは前述したIIIの領域の場合と同様に波長の長い側から最適値に到達する。
【0035】
このように、温度制御回路26が、温度設定回路25によって設定された設定温度T
Pに金属構造体10の温度を保ちつつ、正の値の誤差信号V
errが入力した場合には金属構造体10の温度を設定温度T
Pよりも上昇させ、負の値の誤差信号V
errが入力した場合には金属構造体10の温度を設定温度T
Pよりも下降させることにより、体積ホログラム格子3を透過するレーザ光103のレーザパワーP
Tと一定の関係にある最終出力のレーザ光104のレーザパワーを、注入電流に対して単調増加する特性とすることができる。そのため、レーザパワーP
Tをモニターしながらその値が一定になるように注入電流を制御する自動パワー制御(APC)が、レーザパワー設定回路22が設定する任意のレーザパワーPにおいて可能になる。
【0036】
<変形例>
図5は第1実施形態の変形例に係る単一縦モードダイオードレーザモジュールを説明する図であり、電子回路は第1実施形態と全く同じであるのでこれについては省略して描いている。光学的な機能をもつ構成要素のうち、レーザダイオード1、コリメートレンズ2、体積ホログラム格子3、第2ビームスプリッタ5、第1光検出器6、第2光検出器7は上記実施形態で説明したものと全く同じである。異なる点は、第1ビームスプリッタ4を使用せずに、替わりに第1プリズム11および第2プリズム12で構成するアナモルフィックプリズム対13を配置してある。
【0037】
レーザダイオード1からのレーザ光をコリメートレンズ2によってコリメートしたレーザ光101の断面形状は楕円であり、その長軸と短軸の長さの比はおよそ2:1となる。このレーザ光101を、アナモルフィックプリズム対13によってレーザ光101の断面の長軸方向を約2分の1に縮小することによって、これを通過するレーザ光102の断面がほぼ円形になるものである。
【0038】
第1プリズム11のレーザ光が通過する2つの面11a、11bには反射防止コーティングが施してある。第2プリズム12のレーザ光が通過する2面のうち体積ホログラム格子3に近い側の面12bには、レーザ光106を約1%だけ反射するための部分反射コーティングが施してある。また、もう一方の面12aには反射防止コーティングが施してある。第2プリズム12に施した部分反射コーティングで反射したレーザ光107のレーザパワーP
Bは第1光検出器6によって検出され、体積ホログラム格子3で反射したレーザ光106のレーザパワーP
Tが間接的にモニターされる。
【0039】
アナモルフィックプリズム対13を使用することにより、レーザ光の断面を円形にできるとともに、安定な単一縦モード動作をさせるための部品の1つである第1ビームスプリッタ4(
図1)の役割をもたせることができる。
【0040】
≪第2実施形態≫
図6を使いながら第2実施形態について説明する。光学的な機能をもつ構成要素は、第1実施形態と全く同じである。また、第1電流電圧変換回路20、第2電流電圧変換回路21、レーザダイオード駆動回路23、温度制御回路26もまた、第1実施形態と全く同じである。異なる点は、レーザパワー設定回路22、差動増幅回路24および温度設定回路25がないこと、そして、アナログ−デジタル変換器(ADC)及びデジタル−アナログ変換器(DAC)の機能を併せ持つマイクロプロセッサ27を有することである。
【0041】
設定電圧V
Pの元となるレーザパワーの設定値は、マイクロプロセッサ27内部のメモリ上に持たせておくこともでき、また通信機能を利用して外部からこれを与えることもできる。マイクロプロセッサ27は、この値をDACの機能を利用して設定電圧V
Pとして出力し、レーザダイオード駆動回路23に伝える。レーザダイオード駆動回路23は、第2電流電圧変換回路21から出力される第2電圧V
2を入力させ、この第2電圧V
2がマイクロプロセッサ27から入力される設定電圧V
Pよりも低ければレーザダイオード1へ供給する電流を増加させ、逆に高ければ電流を減少させる動作を行う。この動作により、レーザ光104のパワーは、レーザパワー設定回路22で設定されたレーザパワーの値で一定になるように自動的に制御される。
【0042】
設定温度T
Pは、マイクロプロセッサ27内部のメモリ上に持たせておくこともでき、また通信機能を利用して外部からこれを与えることもできる。マイクロプロセッサ27はそのADC機能を利用し、第1電流電圧変換回路20から入力される第1電圧V
1と第2電流電圧変換回路21から入力される第2電圧V
2とをデジタル信号に変換したうえで、誤差信号V
err(=V
1−V
2)の値を演算する。マイクロプロセッサ27には常にV
1、V
2が入力しており、誤差信号V
errを監視する動作が常に行われる。温度制御回路26は、マイクロプロセッサ27から入力される誤差信号V
errの絶対値が所定の閾値よりも大きくなると、誤差信号V
errが正の値の場合には、金属構造体10の温度を設定温度T
Pに対して誤差信号V
errの絶対値の大きさに応じて上昇させ、逆に誤差信号V
errが負の値の場合には、設定温度T
Pに対して誤差信号V
errの絶対値の大きさに応じて下降させるよう動作する。そして誤差信号V
errの絶対値が所定値以下の特定の範囲に入ると、金属構造体10の温度を設定温度T
Pよりも上昇あるいは下降させる動作を止める。このような動作により、レーザダイオード1の縦モードの動作点Aが最適値に保たれる。
【0043】
以上で具体的実施形態の説明を終えるが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、第1実施形態の変形例に示した光学的要素を第2実施形態に適用してもよい。また、第1実施形態の構成においても、第2実施形態で説明したように、金属構造体10の温度を上昇あるいは下降させる動作の開始や終了に閾値を設定したり、誤差信号V
errの絶対値の大きさに応じて上昇あるいは下降の程度を変更したりしてもよい。また、上昇あるいは下降させる動作の開始時の閾値と終了時の閾値とを異なる値としてもよい。このほか、ダイオードレーザモジュールを構成する各部材や部位の具体的形状や配置、材料、特性など、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜な変更を加えてもよい。加えて、上記実施形態に示した各要素は必ずしも全てが必須ではなく、適宜選択してもよい。